專利名稱：具有包括磁性隧道結的頂部電極及底部電極的裝置的制造與集成的制作方法
技術領域：
本發明大體來說涉及制造電子裝置。更具體來說，本發明涉及磁性隨機存取存儲器中的磁性隧道結的制造工藝。
背景技術：
與常規隨機存取存儲器(RAM)芯片技術不同，在磁性RAM(MRAM)中，數據并不存儲為電荷，而是替代地通過存儲元件的磁性極化而存儲。存儲元件由絕緣層所分開的兩個鐵磁性層形成。所述兩個層中的一者具有由反鐵磁性層(AFM)設定成特定極性的至少一個釘扎磁性極化(或固定層)。更改另一磁性層(或自由層)的磁極性以使其表示“I”(即，反 平行極性)或“0”(即，平行極性)。具有固定層、絕緣層及自由層的一種此裝置為磁性隧道結(MTJ)。MTJ的電阻取決于與固定層的磁極性相比的自由層的磁極性。從可個別尋址MTJ的陣列建置例如MRAM的存儲器裝置。圖4A為說明在低電阻狀態下的自旋力矩轉移(STT)磁性隧道結的框圖。磁性隧道結(MTJ) 400包括用隧道勢壘404及自由層406堆棧的固定層402。固定層402的磁性極化由反鐵磁性層(AFM)(未圖不)釘扎于一個方向上。自由層406的磁性極化在平行狀態與反平行狀態之間自由改變。MTJ400的電阻部分地取決于自由層406的磁性極化。舉例來說，當自由層406與固定層402的磁性極化實質上對準時，MTJ400具有低電阻。在圖4B中檢驗自由層406的另一穩定狀態。圖4B為說明在高電阻狀態下的自旋力矩轉移(STT)磁性隧道結的框圖。舉例來說，自由層406的磁性極化與固定層402的磁性極化在實質上相反的方向上。在此狀況下，MTJ400具有高電阻。MRAM為非易失性存儲器裝置，其中數據存儲為自由層的磁極性。MRAM的讀取及寫入速度比NAND閃存快。隨著單元大小收縮及密度增加，常規制造工藝的良率及工藝裕度減小，從而導致每裸片成本的增加或導致有關MRAM的潛在可靠性問題。MRAM故障的一個原因為在相鄰導體之間的電短接。可在同一制造工藝期間蝕刻MRAM位單元中的底部電極及頂部電極以節省成本。 在蝕刻頂部電極及底部電極以形成個別單元之后，沉積電介質以使其填充單元之間的空間。隨著單元被間隔較接近在一起以達到較高密度，單元之間的開口的縱橫比(開口的深度除以開口的寬度)增加。例如化學氣相沉積(CVD)或物理氣相沉積(PVD)的電介質沉積技術不能夠完全填充導致電介質層中的空隙的大縱橫比空間。如果用導電材料填充，則空隙可能稍后在處理中導致無意的導體電短接。現參看圖3更詳細地描述短接。圖3為磁性隧道結的陣列的自上而下視圖。磁性隧道結334的陣列300包括頂部導體320 (例如，制造為溝槽)。可通過將頂部導體320經由頂部電極332耦合到所要個別MTJ 334而接入個別MTJ 334。如上文所論述，在制造期間，可在頂部電極332與頂部導體320之間的電介質層中形成空隙。在頂部導體材料的沉積期間，導電材料可填充空隙，從而導致在頂部導體320之間的短路340。短路340可導致陣列300的故障。因此，制造良率減小。常規地，可通過增加耦合于頂部電極332與頂部導體320之間的頂部通孔(未圖示)的高度來減少短路340的數目。制造頂部通孔使其高于空隙的高度以防止所述空隙與頂部導體320重疊，從而防止發生短路。每一代技術來部分地界定通孔的高度。因為技術對于每一新代按70%縮放，所以在每新一代顯著減小通孔的高度。工藝良率可隨著短接問題在新代增加而遭受損失。
發明內容
根據本發明的一個方面，一種電子裝置制造工藝包括沉積第一電極層。所述工藝還包括在第一電極層上制造磁性裝置。所述工藝進一步包括在制造磁性裝置之后圖案化第一電極層。所述工藝還包括在圖案化第一電極層之后將第一電介質層沉積于磁性裝置及第 一電極層上。所述工藝進一步包括在沉積第一電介質層之后沉積第二電極層。所述工藝還包括在沉積第二電極層之后圖案化第二電極層。根據本發明的另一方面，一種電子裝置包括襯底。所述電子裝置還包括嵌入于襯底中的第一接觸件。所述電子裝置進一步包括在襯底上且耦合到第一接觸件的經圖案化的第一電極。所述電子裝置還包括在經圖案化的第一電極上的經圖案化的電子裝置。所述電子裝置進一步包括在經圖案化的電子裝置上的經圖案化的第二電極。所述電子裝置還包括接觸經圖案化的第二電極的溝槽。根據本發明的又一方面，一種電子裝置包括襯底，及用于磁性存儲狀態的裝置。每一磁性存儲裝置耦合于第一電極與第二電極之間。所述電子裝置進一步包括電介質，所述電介質實質上填充在第一電極、第二電極與鄰近磁性存儲裝置之間的空間。所述電子裝置還包括用于將磁性存儲裝置的表面耦合到第二電極的裝置。前述內容已相當廣泛地概述了本發明的特征及技術優點，以便可更好地理解以下的具體實施方式
。在下文中將描述額外特征及優點，其形成本發明的權利要求書的標的。所屬領域的技術人員應了解，所揭示的概念及特定實施例可易于用作用于修改或設計用于執行本發明的相同目的的其它結構的基礎。所屬領域的技術人員還應認識到，這些等效構造并不脫離如所附權利要求書中所闡述的本發明的技術。當結合附圖考慮時，將通過以下描述更好地理解據信為本發明所特有的新穎特征(關于其組織及操作方法兩者)連同其它目標及優點。然而，應明確地理解，各圖中的每一者僅出于說明及描述的目的而提供，且不意在作為本發明的限制的定義。
為了更完整地理解本發明，現對結合附圖作出的以下描述進行參考。圖I為展示可有利地使用本發明的實施例的示范性無線通信系統的框圖。圖2為說明用于所揭示半導體IC封裝的電路、布局及邏輯設計的設計工作站的框圖。圖3為磁性隧道結的常規陣列的自上而下視圖。圖4A為說明在低電阻狀態下的常規磁性隧道結的框圖。
圖4B為說明在高電阻狀態下的常規磁性隧道結的框圖。圖5為說明根據一個實施例的用于在裸片及/或晶片上的具有頂部電極及底部電極的電子裝置的示范性制造工藝的流程圖。圖6為說明根據一個實施例的用于具有頂部電極及底部電極的磁性隧道結的示范性制造工藝的流程圖。圖7A到7H為說明在制造工藝期間示范性電子裝置的各種狀態的橫截面圖。
具體實施例方式下文所揭示的工藝允許使減小工藝良率的電短接的風險減小的電子裝置的制造。舉例來說，可在磁性隨機存取存儲器中通過所述工藝來制造磁性隧道結。可在無線網絡中使用由所揭示的工藝制造的電子裝置。圖I為展示可有利地使用本發明的實施例的示范性無線通信系統100的框圖。出于說明的目的，圖I展示三個遠程單元120、130及150以及兩個基站140。將認識到，無線通信系統可具有更多的遠程單元及基站。遠程單元120、130及150包括磁性隧道結(MTJ)裝置125AU25B及125C，如下文所揭示。將認識到，含有磁性隧道結的任何裝置還可包括具有由此處所揭示的工藝所制造的所揭示特征及/或組件的半導體組件，包括基站、切換裝置及網絡設備。圖I展示從基站140到遠程單元120、130及150的前向鏈路信號180，及從遠程單元120、130及150到基站140的反向鏈路信號190。在圖I中，遠程單元120展示為移動電話，遠程單元130展示為便攜型計算機，且遠程單元150展示為在無線本地環路系統中的固定位置遠程單元。舉例來說，遠程單元可為例如音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導航裝置、通信裝置、個人數字助理(PDA)、固定位置數據單元及計算機的裝置。盡管圖I說明根據本發明的教示的遠程單元，但本發明不限于這些示范性所說明單元。本發明可適合用于包括MTJ組件的任何裝置中，如下文所描述。盡管針對MTJ裝置描述此，但本發明也涵蓋其它電子裝置。圖2為說明如下文所揭示的用于半導體零件的電路、布局、邏輯、晶片、裸片及層設計的設計工作站的框圖。設計工作站200包括含有操作系統軟件、支持文件，及例如Cadence或OrCAD等設計軟件的硬盤201。設計工作站200還包括用以促進制造半導體零件210的顯示器，半導體零件210可包括電路、半導體晶片、半導體裸片，或含在半導體晶片或半導體裸片內的層。提供存儲媒體204以用于有形地存儲半導體零件210。半導體零件210可用例如⑶SII或GERBER等文件格式存儲于存儲媒體204上。存儲媒體204可為⑶-R0M、DVD、硬盤、閃存，或其它適當裝置。此外，設計工作站200包括用于從存儲媒體204接受輸入或將輸出寫入到存儲媒體204的驅動設備203。記錄于存儲媒體204上的數據可指定邏輯電路配置、光刻掩模的圖案數據、或例如電子束光刻等串行寫工具的掩模圖案數據。數據可進一步包括例如與邏輯模擬相關聯的時序圖或網狀電路的邏輯驗證數據。在存儲媒體204上提供數據通過減少用于制造電路、半導體晶片、半導體裸片，或含在半導體晶片或半導體裸片內的層的工藝數目而促進了半導體零件210的設計。在電子裝置的相對側上具有頂部電極及底部電極的電子裝置的實例包括(例如)磁性隧道結及巨磁阻式裝置。磁性隧道結(MTJ)作為數據存儲元件用于磁性隨機存取存儲器(MRAM)中。在一個實施例中，MTJ包括自由層、隧道勢壘層及固定層。自由層磁矩可平行或反平行于固定層磁矩，以表示“I”或“O”。可用反鐵磁性層(AFM)釘扎鐵磁性層的磁矩。在另一實施例中，多個AFM層耦合到自由層及固定層。圖5為說明根據一個實施例的用于在裸片及/或晶片上具有頂部電極及底部電極的電子裝置的示范性制造方法的流程圖。在框505處，使用第一掩模將電子裝置圖案化于裸片及/或晶片上。在框510處，使用第二掩模將底部電極圖案化于裸片及/或晶片上。在框515處，沉積電介質膜以保形地涂布包括電子裝置及底部電極的裸片及/或晶片。因為在電子裝置上尚未放置頂部電極，所以裝置之間存在大空間。因此，電介質層能夠實質上填充裝置之間的空間，而不留下空隙。將電介質層回蝕或化學機械拋光且平坦化到類似于電子裝置的頂部表面的水平。即，暴露電子裝置的頂部表面以允許與頂部電極接觸。 在框520處，沉積頂部電極作為在平坦化電介質上的保形導電層。圖案化頂部電極以形成個別頂部電極。在兩掩模工藝中，可使用先前用以圖案化底部電極的同一掩模來圖案化頂部電極。在三掩模工藝中，第三掩模圖案化頂部電極。在使用底部通孔的情況下，可再使用底部通孔掩模以圖案化頂部電極及/或底部電極。在框525處，沉積并平坦化第二電介質膜。在框530處，將電路徑圖案化到第二電介質膜中。電路徑可為允許與頂部電極接觸的通孔及/或溝槽。可用例如銅、鋁或合金的導電材料填充電路徑。與根據此方法所制造的頂部電極的接觸件使得使電子裝置短接的可能性顯著減小。金屬間電介質層實質上填充電子裝置之間的空間，從而留下小間隙或不留下間隙，可在電路徑形成期間填充所述間隙。因此，溝槽可直接接觸頂部電極，而不會引起電子裝置的電短路。根據此方法所制造的電子裝置使得使電路徑短接的可能性顯著減小。金屬間電介質層實質上填充電子裝置之間的空間，而幾乎不或不留下間隙。因此，溝槽可直接接觸頂部電極，而無溝槽短接到其它溝槽的可能性。可調適圖5中所說明的流程圖以使其用于處理不同電裝置。現轉到圖6及7A到7H，將描述用于磁性隧道結(MTJ)的示范性制造工藝。圖6為說明根據一個實施例的用于具有頂部電極及底部電極的磁性隧道結的示范性制造工藝的流程圖。圖7A到7H為說明在制造工藝期間示范性電子裝置的各種狀態的橫截面圖。所揭示的工藝可應用于單一電子裝置、具有許多電子裝置的裸片，或具有電子裝置的多個裸片的晶片。在框605處，如圖7A中所說明而制造MTJ。裸片及/或晶片700具有層間或金屬間電介質襯底702,層間或金屬間電介質襯底702包括通孔708及用于稱合到底部電極層710的接觸件706。隔離層704將底部電極層710與層間或金屬間電介質襯底702分開。在底部電極層710上堆棧裝置層720。裝置層720可包括例如由絕緣層所分開的多個磁性層的多個層。在沉積裝置層720之后，可在磁場中將裝置層720退火以設定MTJ中的固定層的極化。在裝置層720上堆棧蝕刻硬掩模730，且在蝕刻硬掩模730上圖案化光致抗蝕劑732。如圖7B中所見，光致抗蝕劑732中的圖案轉印到光致抗蝕劑732下方的多個層中，從而停止在底部電極層710處以產生MTJ721。在框610處,如圖7B中所不而沉積第一頂蓋層734。舉例來說,第一頂蓋層734可為碳化硅(SiC)膜或氮化硅(SiN)膜，且可在圖案轉印之后在不破壞真空的情況下沉積第一頂蓋層734，以防止MTJ721在未來處理期間損壞。在一種狀況下，第一頂蓋層734防止MTJ721中的磁性材料的氧化。原位濺鍍工藝可在沉積第一頂蓋層734之前清潔MTJ721的頂部表面及側表面。舉例來說，通過DC或RF電源供應器的氬(Ar)濺鍍蝕刻用Ar原子轟擊MTJ721，Ar原子從MTJ721的表面用物理方式移除污染物。如圖7C中所見，在框615處，圖案化底部電極層710及第一頂蓋層734。經圖案化的底部電極層710形成離散底部電極711。在一個實施例中，這些底部電極711可為可個別尋址的。在圖案化底部電極711之后，清潔工藝清潔晶片，且移除任何剩余光致抗蝕劑材料及/或蝕刻副產物。早于頂部電極(仍未圖示)在制造期間的單獨時間圖案化底部電極711。圖案化底部電極711與頂部電極圖案化分開減小了用于在制造期間沉積電介質的縱橫比，從而減小間隙形成及溝槽(仍未圖示)短接的可能性。
在框620處，回蝕第一頂蓋層734以從MTJ721的頂部移除頂蓋層。如圖7D中所見，第一頂蓋層734在回蝕之后保留在MTJ721的側壁上以便保護側壁。根據一個實施例，回蝕為無氧蝕刻，從而防止MTJ721中的金屬材料的氧化。然而，如果在頂部金屬表面上發生氧化，則蝕刻工藝可移除所述氧化。將第二頂蓋層740原位沉積于裸片及/或晶片上(包括MTJ721上)。第二頂蓋層740可為(例如)氮化硅或碳化硅。根據一個實施例，第二頂蓋層740的材料不與第一頂蓋層734的材料相同。在框625處,發生金屬間電介質層處理。如圖7D中所見,將中間金屬間電介質層742沉積于裸片及/或晶片上。如圖7E中所見，通過(例如)化學機械拋光回蝕且平坦化中間金屬間電介質層742。根據一個實施例，平坦化包括蝕刻中間金屬間電介質層742及第二頂蓋層740以與MTJ721實質上齊平。在此狀況下，暴露MTJ721的頂部表面以用于與后續層接觸。在另一實施例中，平坦化僅回蝕中間金屬間電介質層742。后續旋涂式有機材料及回蝕接著暴露MTJ721的頂部表面。在又一實施例中，回蝕工藝取決于裸片及/或晶片的位置從MTJ721的側面的一部分移除第一頂蓋層734及第二頂蓋層740，以改良與頂部電極750的接觸。 如早先所描述，濺鍍清潔可在先前提及的用于平坦化的實施例中的任一者中清潔MTJ721的頂部表面。早先在工藝中執行的預濺鍍清潔通過從MTJ721移除氧化物而擴大工藝窗。在暴露頂部表面之后，將頂部電極層750沉積于裸片及/或晶片上,頂部電極層750耦合到MTJ721。頂部電極層750為例如鉭、鋁或金屬合金的導電層。頂部電極層750在沉積之后為平坦的，因為在頂部電極層750下方的中間金屬間電介質層742也是平坦的且無任何空隙。如圖7F中所見，在框630處，圖案化頂部電極層750以形成離散頂部電極751。根據一個實施例，用于圖案化頂部電極751的掩模為圖案化底部電極711的同一掩模,從而產生實質上類似大小的電極。在框635處，將通孔762及溝槽764制造到頂部電極751。圖7G說明電路徑的一個實施例。將頂部金屬間電介質層760沉積于晶片及/或裸片上。平坦化頂部金屬間電介質層760獲得實質上平坦的表面。在一個實施例中，平坦化使用化學機械拋光工藝。
在平坦化之后，圖案化頂部金屬間電介質層760以形成用于與頂部電極751連接的通孔762及溝槽764。在圖案化頂部金屬間電介質層760之后，濺鍍清潔及/或濕式清潔從頂部電極751的頂部表面移除剩余污染物或聚合物。用導電材料填充通孔762及溝槽764以產生頂部導體。舉例來說，可電鍍銅(Cu)以填充通孔及溝槽。可使用(例如)化學機械拋光工藝來平坦化經電解沉積的銅。在沉積導電材料之后，可將頂蓋膜(未圖示)沉積于晶片及/或裸片上。在圖7H中所說明的另一實施例中，不在頂部金屬間電介質層760中圖案化通孔。而是，溝槽764暴露與頂部電極751的接觸。在此實施例中，在蝕刻溝槽764之后，濺鍍清潔及/或濕式蝕刻從頂部電極751移除聚合物殘余物。在如上文所描述處理電子裝置期間，在與蝕刻底部電極分開的工藝中蝕刻頂部電極。使用上文所描述的示范性制造工藝減小在電子裝置之間形成空隙的可能性。結果，因 為減小或消除了溝槽短接的風險，所以改良工藝良率。用于上文所揭示的電子裝置(例如，MTJ)陣列的示范性制造工藝不僅減少使到MTJ的電路徑短接的空隙填充問題，而且所述工藝還產生平坦的頂部電極表面，從而改良與頂部電極的接觸。盡管同一掩模可圖案化頂部電極及底部電極兩者，但在與頂部電極分開的工藝中蝕刻底部電極。盡管已詳細描述本發明及其優點，但應理解，可在不脫離如所附權利要求書所界定的本發明的技術的情況下在本文中進行各種改變、取代及更改。舉例來說，關于襯底或電子裝置使用例如“在…上方”及“在…下方”的關系術語。當然，如果使襯底或電子裝置反轉，則“在…上方”變成“在…下方”，且“在…下方”變成“在…上方”。另外，如果定向側向，貝1J“在…上方”及“在…下方”可指代襯底或電子裝置的側面。此外，本申請案的范疇不意在限于本說明書中所描述的工藝、機器、制造、物質組成、手段、方法及步驟的特定實施例。如一般所屬領域的技術人員將易于通過本發明了解，根據本發明可利用當前存在或稍后待開發的執行與本文中所描述的對應實施例實質上相同的功能或實現實質上相同的結果的工藝、機器、制造、物質組成、手段、方法或步驟。因此，所附權利要求書意在在其范疇內包括這些工藝、機器、制造、物質組成、手段、方法或步驟。
權利要求
1.一種電子裝置制造方法，其包含 沉積第一電極層； 在所述第一電極層上制造磁性裝置； 在制造所述磁性裝置之后圖案化所述第一電極層； 在圖案化所述第一電極層之后將第一電介質層沉積于所述磁性裝置及所述第一電極層上； 在沉積所述第一電介質層之后沉積第二電極層；及 在沉積所述第二電極層之后圖案化所述第二電極層。
2.根據權利要求I所述的方法，其中所述磁性裝置包含磁性隧道結。
3.根據權利要求2所述的方法，其進一步包含將所述磁性隧道結集成到磁性隨機存取存儲器中。
4.根據權利要求I所述的方法，其進一步包含在沉積所述第二電極層之前平坦化所述第一電介質層。
5.根據權利要求4所述的方法，其進一步包含 在制造所述磁性裝置之后將第一頂蓋層沉積于所述磁性裝置上。
6.根據權利要求5所述的方法，其進一步包含 在沉積所述第一頂蓋層之后蝕刻所述第一頂蓋層以暴露所述磁性裝置的表面；及 在蝕刻所述第一頂蓋層之后且在沉積所述第一電介質層之前，沉積第二頂蓋層。
7.根據權利要求I所述的方法，其進一步包含 在圖案化所述第二電極層之后沉積第二電介質層；及 平坦化所述第二電介質層。
8.根據權利要求7所述的方法，其進一步包含 在沉積所述第二電介質層之后圖案化到所述第二電極層的電路徑；及 用導電材料填充所述電路徑。
9.根據權利要求8所述的方法，其中圖案化所述電路徑包含圖案化溝槽。
10.根據權利要求9所述的方法，其中圖案化所述電路徑進一步包含圖案化通孔。
11.根據權利要求8所述的方法，其進一步包含在填充所述電路徑之后沉積頂部頂蓋層。
12.根據權利要求I所述的方法，其中同一掩模產生用于圖案化所述第二電極層且圖案化所述第一電極層的圖案。
13.根據權利要求I所述的方法，其進一步包含 在制造所述磁性裝置之后且在沉積所述第一電介質層之前清潔所述磁性裝置；及 在清潔所述磁性裝置之后將第一頂蓋層沉積于所述磁性裝置上。
14.根據權利要求I所述的方法，其進一步包含將所述磁性裝置集成于以下各者中的至少一者中機頂盒、音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導航裝置、通信裝置、個人數字助理PDA、固定位置數據單元及計算機。
15.一種電子裝置，其包含 襯底； 第一接觸件，其嵌入于所述襯底中；經圖案化的第一電極，其在所述襯底上且耦合到所述第一接觸件； 經圖案化的電子裝置，其在所述經圖案化的第一電極上； 經圖案化的第二電極，其在所述經圖案化的電子裝置上；及 溝槽，其接觸所述經圖案化的第二電極。
16.根據權利要求15所述的電子裝置，其進一步包含在所述經圖案化的電子裝置的兩側上的頂蓋層。
17.根據權利要求15所述的電子裝置，其進一步包含 第二電子裝置；及 第一電介質層，其實質上填充所述電子裝置與所述第二電子裝置之間的空間。
18.根據權利要求17所述的電子裝置，其進一步包含在所述經圖案化的第二電極上的其中所述溝槽經圖案化的第二電介質層。
19.根據權利要求15所述的電子裝置，其中所述電子裝置集成到以下各者中的至少一者中機頂盒、音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導航裝置、通信裝置、個人數字助理PDA、固定位置數據單元及計算機。
20.一種電子裝置，其包含 襯底； 用于磁性存儲狀態的多個裝置，每一磁性存儲裝置耦合于第一電極與第二電極之間；電介質層，其實質上填充在所述第一電極、所述第二電極與鄰近磁性存儲裝置之間的空間；及 用于將所述磁性存儲裝置的表面耦合到所述第二電極的裝置。
21.根據權利要求20所述的電子裝置，其中所述電子裝置集成到以下各者中的至少一者中機頂盒、音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導航裝置、通信裝置、個人數字助理PDA、固定位置數據單元及計算機。
22.一種電子裝置制造工藝，其包含以下步驟 沉積第一電極層； 在所述第一電極層上制造磁性裝置； 在制造所述磁性裝置之后圖案化所述第一電極層； 在圖案化所述第一電極層之后將第一電介質層沉積于所述磁性裝置及所述第一電極層上； 在沉積所述第一電介質層之后沉積第二電極層；及 在沉積所述第二電極層之后圖案化所述第二電極層。
23.根據權利要求22所述的方法，其中所述磁性裝置包含磁性隧道結。
24.根據權利要求22所述的方法，其進一步包含以下步驟 在圖案化所述第二電極層之后沉積第二電介質層；及 平坦化所述第二電介質層； 在沉積所述第二電介質層之后圖案化到所述第二電極層的電路徑；及 用導電材料填充所述電路徑。
25.根據權利要求22所述的方法，其進一步包含將所述磁性裝置集成于以下各者中的至少一者中的步驟機頂盒、音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導航裝置、通信裝置、個人數字助理PDA、固定位置數據單元及計算機 。
全文摘要
本發明揭示一種電子裝置制造工藝，其包括沉積底部電極層(711)。接著，在所述底部電極層上制造電子裝置(721)。在制造所述電子裝置之后且在與圖案化頂部電極分開的工藝中執行圖案化所述底部電極層。接著將第一電介質層(740)沉積于所述電子裝置及所述底部電極層上，隨后沉積頂部電極層(751)。接著在與所述底部電極分開的工藝中圖案化所述頂部電極。分開圖案化所述頂部電極與所述底部電極通過減小電子裝置之間的電介質材料中的空隙改善了良率。所述制造工藝非常適合的一種電子裝置為磁性隧道結MTJ。
文檔編號H01L43/12GK102687298SQ201080059956
公開日2012年9月19日 申請日期2010年11月30日 優先權日2009年11月30日
發明者升·H·康, 李霞 申請人:高通股份有限公司