專利名稱：獲得與非極性和半極性P-型(Al，Ga，In)N低電阻接觸的技術的制作方法
技術領域：
本發明涉及獲得與ρ型(Al，Ga，h)N低電阻接觸的技木，特別是與非極性和半極性P型(Al，Ga, In)N低電阻接觸的技術。
背景技術：
(注本申請參考大量不同的出版物，如在整個說明書中通過ー個或更多個括號內的參考數字所指示的，例如，[x] O能夠在以下標題為“參考文獻”的部分發現依照這些參考數字排序的這些不同出版物的列表。這些出版物的每ー篇都通過引用并入本文)ひ1ぷル^1川光電子和電子器件(也稱為“第三族氮化物”、“111氮化物”、“11ト氮化物”或僅僅是“氮化物”器件)一般地在C-平面藍寶石基底、SiC基底或者體(bulk) (Al， ( ，In)N基底上生長。在每個實例中，器件通常沿著它們的極性(OOOl)C軸方位——例如， C-平面方向——生長。然而，由于強壓電和自發極化的存在，基于傳統的極性(Al，Ga，In)N的器件遭受不期望的量子限定斯塔克效應OiCSm。例如，GaN和它的合金以六邊形纖鋅礦晶體 (wurtzite crystal)結構是最穩定的，其中該結構是由兩個(或三個)相當的基礎平面軸描述的，所述基礎平面軸相對于彼此旋轉120° (a_軸)，所有基礎平面軸都垂直于唯一的c 軸。第三族原子，例如( 和氮(N)原子沿著晶體的c軸占據交替的C-平面。在纖鋅礦結構中包含的對稱元素指示(Al，fei，In) N器件沿著該c軸具有體自發極化(bulk spontaneous polarization)，且纖鋅礦結構表現壓電極化，其引起限制的載流子再結合效率，減少的振子強度(oscillator strength)，和紅移發射。消除(Al，Ga, In)N器件中的自發和壓電極化效應的ー種方法是在晶體的非極性平面上生長器件，所述非極性平面垂直于晶體的c平面。例如，對于GaN，這種平面包含相等數目的( 和N原子，且都是電荷中和的。此外，隨后的非極性層彼此都是晶體學等價的，因此沿著生長方向晶體不會被極化。GaN中對稱等價的非極性平面的兩個這種家族是統稱為 a_平面的{11-20}家族，和統稱為m-平面的{1-100}家族。減少或可能消除GaN光電子器件中極化效應的另ー種方法是在晶體的半極性平面上生長器件。術語半極性平面可用于指具有兩個非零h、i或k米勒指數、和非零1米勒指數的很多種類的平面。纖鋅礦晶體結構中半極性平面的一些實例包括，但不限干，{10-12}、 {20-21}、和{10-14}。晶體的極化向量既不位于這種平面內也不正交于這種平面，而是位于相對于平面表面法線傾斜的ー些角度下。對于在非極性和半極性(Al，Ga, h)N基底上生長的器件，傳統的現有技術水平的 P接觸層通常用P+-GaN的薄層覆蓋以便改善接觸電阻。另ー方面，傳統的極性(C-平面) (Al，Ga, In)N器件通過預處理顯示改進的電阻接觸，所述預處理例如沸騰的王水(BAR)， BAR然后(NH4)2S,等等。例如，參見下面提出的并通過引用并入的參考文獻[1-6]。因此，本領域需要獲得特別是與非極性和半極性ρ型(Al，Ga, h)N層低電阻接觸的改進技木。本發明在直到700°C的生長冷卻期間，利用雙(環戊ニ烯基)鎂(Cp2Mg)流形成金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)生長的鎂-氮化物(氮化鎂)(Mg-N)層，以減少接觸電阻，滿足了這種需要。此外，本發明在P接觸鍍金屬之前使用氯化氫(HCl)預處理ρ型層， 滿足了這種需要。現有技術傳統的非極性(Al，( ，In)N器件沒有應用這些技木。
發明內容
本發明描述在基于非極性和半極性(Al，Ga, In) N的器件上制造低電阻ρ型接觸的技木。本發明展示改進基于(Al，Ga, Ιη)Ν的器件的電性能的新型外延生長技術和接觸金屬沉積之前的預處理，所述基于(Al，Ga, In)N的器件包括發光二極管(LEDs)、激光二極管 (LDs)、高電子遷移率晶體管、和其他電動器件。為了減少接觸電阻，一些關鍵特征包括在冷卻期間使用生長后Cp2Mg流和在ρ接觸鍍金屬步驟之前的化學預處理。在非極性或半極性(Al，Ga, In)N器件上制造ρ型接觸的方法包括步驟在(Al， Ga，h)N器件上生長ρ型層，其中(Al，fe，In)N器件是非極性或半極性(Al，Ga，器件， 且P型層是非極性或半極性(Al，Ga，h)N層；和在雙(環戊ニ烯基)鎂(Cp2Mg)存在的情況下冷卻P型層，以在P型層上形成鎂-氮化物(氮化鎂)(MgxNy)層。在冷卻步驟之后，進行金屬沉積以在(Al，fe，器件的ρ型層上制造ρ型接觸，其中與具有基本上相似組成的極性(Al，fe，In)N器件的ρ型接觸相比，該ρ型接觸具有更低的接觸電阻率。在冷卻步驟之后和金屬沉積步驟之前，可進行P型層的氯化氫(HCl)預處理。進行冷卻步驟，直到溫度達到至少700攝氏度，更優選地，進行冷卻步驟，直到溫度達到至少500攝氏度。此外，在氮氣(N2)和氨水(NH3)的周圍環境中進行冷卻步驟。所得到的(Al，Ga, 器件包含在(Al，Ga, 器件的ρ型層上制造的ρ型接觸，其中(Al，Ga, In)N器件是非極性或半極性(Al，Ga, In)N器件，ρ型層是非極性或半極性(Al，Ga, Ιη)Ν層，且與具有基本上相似組成的極性(Al，Ga, In) N器件的ρ型接觸相比，該P型接觸具有更低的接觸電阻率。具體地，該P型接觸具有低于2 X IO-3Ohm-CnT2的接觸電阻率，其中該P型層具有充分低以獲得該接觸電阻率的氧濃度。
現在參考附圖，其中始終地，相同參考數字代表相應的部分圖1(a)是示出在本發明的一個實施方式中進行的エ藝步驟的流程圖，和圖1(b) 是示例性所得器件的橫斷面示意圖。圖2是接觸電阻率(Ohm-cnT2)對生長冷卻期間以每分鐘標準立方厘米(sccm)為単位的Cp2Mg流的曲線圖。圖3是在生長冷卻期間不用Cp2Mg流制造的非極性p_GaN接觸層樣品的X-射線光電子能譜(XPS)數據的曲線圖，繪制每秒計數(CPS) (ΧΙΟ4)作為以電子伏特(eV)為單位的結合能的函數。圖4是在冷卻期間利用Cp2Mg流制造的非極性p_GaN接觸層樣品的XPS數據的曲線圖，繪制CPS(X IO4)對以eV為單位的結合能的圖。圖5是繪制利用HC1、王水(AR)、沸騰的王水(BAR)、以及BAR和(NH4)2S預處理制備的P-GaN接觸的接觸電阻率(Ohm-cnT2)的曲線圖，以提供用不同預處理的極性(c_平面) 和非極性(m-平面)p-GaN接觸電阻率的比較。圖6 (a)-6(f)是用不同預處理的c_平面和m_平面p_GaN的XPS數據的曲線圖， 繪制CPS(X104)對以eV為單位的結合能的圖，其中圖6(a)是利用BAR和(NH4)2S預處理制造的C-平面P-GaN接觸層的XPS數據的曲線圖，圖6(b)是利用BAR和(NH4)2S預處理制造的m-平面P-GaN接觸層的XPS數據的曲線圖，圖6 (c)是利用BAR預處理制造的c_平面 P-GaN接觸層的XPS數據的曲線圖，圖6 (d)是利用BAR預處理制造的m_平面ρ-GaN接觸層的XPS數據的曲線圖，圖6 (e)是利用HCl預處理制造的C-平面p-GaN接觸層的XPS數據的曲線圖，圖6 (f)是利用HCl預處理制造的m-平面p-GaN接觸層的XPS數據的曲線圖。圖7是電流-電壓(I-V)特性的曲線圖，該圖顯示應用本發明之前和之后(在冷卻和HCl處理期間生長后Cp2Mg流之前和之后)，具有最小分離的兩個輸電線測量(TLM)墊 (pad)之間的差異。
具體實施例方式在下列優選實施方式的描述中，對構成其部分的附圖進行參考，其中作為例證示出可實踐本發明的具體實施方式
。應該理解，在沒有脫離本發明的范疇下，可利用其他實施方式且可進行結構變化。概述本發明的目的是開發非極性和半極性(Al，Ga, In) N光電子和電子器件的低接觸電阻。與傳統的(Al，( ，In)N器件相比，該發明具有下列優勢。1.在大氣壓下的隊和NH3周圍環境中，在直到650-700°C的生長冷卻期間，使用 Cp2Mg流導致在非極性或半極性ρ型(Al，Ga, In)層——例如p-GaN層——的表面上形成 Mg-N層，并且導致減少的ρ接觸電阻。在冷卻期間Mg和N的存在防止O并入在p-GaN層的表面上，且也防止N空位形成。因為N空位在(Al，fet，In)N系統中擔當表面供體，因此N空位形成的減少降低了 P-接觸電阻。2.在ρ接觸鍍金屬之前，對非極性或半極性ρ型(Al，Ga, 層——例如p_GaN 層——使用HCl預處理，導致減少的ρ接觸電阻。這種基于氯(Cl)離子的預處理導致表面 0濃度的降低，這導致改進的接觸電阻。MgxNy似乎居于p-GaN層的表面上，因此防止任何天然的氧化物或氮空位形成。在鍍金屬之前的HCl預處理后，部分地或完全地除去MgxNy層， 且P接觸的金屬使得與P-GaN層歐姆接觸。技術描述圖1(a)是顯示為了獲得與非極性和半極性ρ型(Al，fe，In)N的低電阻接觸，在本發明的一個實施方式中進行的エ藝步驟的流程圖。具體地，圖1(a)顯示以下步驟。方塊100代表步驟1 制造樣品，S卩非極性或半極性(Al，fei，In)N光電子或電子器件，其中制造的最后步驟之ー是非極性或半極性P型(Al，Ga，層例如非極性或半極性 P-GaN層的生長。方塊102代表步驟2 在P-GaN層的生長之后使用Cp2Mg流。樣品在N2和NH3周圍環境中冷卻，且流動少量的Cp2Mg直到達到700°C的溫度。這導致ρ接觸鍍金屬之前在 P-GaN層上形成Ifex-Ny層，這導致較低的接觸電阻。方塊104代表步驟3 在步驟2之后或沒有步驟2 (HCl處理也可應用于p_GaN層而不首先進行步驟2、，在p-GaN層上進行HCl化學預處理。方塊106代表步驟4 在步驟3之后，ρ接觸鍍金屬，即，p_GaN層上的金屬沉積，導致器件低的0污染和減少的接觸電阻。最后，在步驟4之后，方塊108代表エ藝的最終結果，即所得到的具有減少的接觸電阻的非極性或半極性(Al，fe，h) N器件，其包含非極性或半極性(Al，fe，h) N器件的非極性或半極性P型(Al，fe，In)N層上的ρ接觸。該器件也可包含非極性或半極性ρ型(Al， Ga, 層上的Mgx-Ny層，或可完全地或部分地除去Mgx-Ny層。圖1 (b)是最終結果108即所得到的具有減少的接觸電阻的非極性或半極性(Al， Ga，器件108的橫斷面示意圖。在圖1(b)中，其中結構僅僅是示例性的且不能認為是限制性的，器件108至少包含非極性或半極性η型(Al，Ga，層110、非極性或半極性(Al， ( ，In)N活性層112、非極性或半極性的ρ型(Al,Ga, In)N M 114、任選的％X-Ny層116 (其可被部分地或完全地去除)和P接觸118。其他實施方式可不包含這些具體的層且可包含其他層，例如基底等等。實驗結果圖2-7和表1的數據是p-n ニ極管結構器件上的非極性p-GaN層的實驗結果。然而，本發明可應用于在P-型層上具有P型接觸的任何非極性或半極性器件。圖2是接觸電阻率(Ohm-cnT2)對生長冷卻期間以每分鐘標準立方厘米(sccm)為単位的Cp2Mg流的曲線圖。具體地，圖2顯示在ρ型GaN接觸層生長后的生長冷卻期間，使用20sCCm的Cp2Mg流制造的非極性p-GaN接觸層的低接觸電阻率。圖3是在生長冷卻期間不用Cp2Mg流制造的非極性p_GaN接觸層樣品的XPS數據的曲線圖，其繪制CPS(X104)作為以eV為單位的結合能的函數，其中顯示與氧(O)Is峰、 氮(N) Is峰、鎵(Ga)3p峰和鎂(Mg) 2p峰相應的信息，該信息是以eV為單位的峰發射位置 (pos.)、在以eV為單位的最大寬度一半處的峰發射全寬度(FWHM)、以eV為單位的發射峰的面積(A)、和0、N、Ga和Mg的百分含量(At% )、以及Mg 2s、Ga 3s和Ga 3d峰，也示出Ga LMM和Mg KLL俄歇躍遷峰。圖4是在冷卻期間利用Cp2Mg流制造的與圖3相同的非極性p_GaN接觸層樣品結構的XPS數據的曲線圖，其繪制CPS (X IO4對以eV為單位的結合能的圖。圖4顯示p_GaN 接觸層表面上減少的0和增加的Mg，其中示出與0 Is峰、N Is峰、Ga 3p峰、和Mg 2p峰相應的信息，該信息是以eV為單位的峰發射位置(pos.)、以eV為單位的峰發射FWHM、以eV 為單位的發射峰的面積(A)、和0、N、Ga、和Mg的百分含量(At% )，也示出Mg 2s, Ga 3s和 Ga 3d峰以及Ga LMM和MgKLL俄歇躍遷峰。圖5是繪制利用HC1、王水(AR)、沸騰的王水(BAR)、以及BAR和(NH4)2S預處理制備的P-GaN接觸的接觸電阻率(Ohm-cnT2)的曲線圖，以提供用不同預處理的極性(c_平面) 和非極性(m-平面)p-GaN接觸電阻率的比較。具體地，圖5說明非極性ρ型III-氮化物接觸層可具有比極性P型III-氮化物接觸層低的接觸電阻率，其中非極性和極性III-氮化物接觸層具有相同的III-氮化物組成。圖6 (a)-6(f)是用不同預處理的c_平面和m_平面p_GaN的XPS數據的曲線圖， 其繪制CPS(X104)對以eV為單位的結合能的圖，其中圖6(a)是利用BAR和(NH4)2S預處理制造的C-平面P-GaN接觸層的XPS數據的曲線圖，圖6(b)是利用BAR和(NH4)2S預處理制造的m-平面p-GaN接觸層的XPS數據的曲線圖，圖6 (c)是利用BAR預處理制造的c_平面p-GaN接觸層的XPS數據的曲線圖，圖6 (d)是利用BAR預處理制造的m_平面p-GaN接觸層的XPS數據的曲線圖，圖6(e)是利用HCl預處理制造的C-平面P-GaN接觸層的XPS 數據的曲線圖，圖6 (f)是利用HCl預處理制造的m-平面p-GaN接觸層的XPS數據的曲線圖。在圖6(a)-6(f)的每ー個中，示出與0 Is峰、N Is峰和( 3p峰相應的信息，該信息是以eV為單位的峰發射位置(pos.)、以eV為單位的峰發射FWHM、以eV為單位的發射的面積(幻、和0ぶ和(^的百分含量(At%)。具體地，圖6 (a)-6(f)說明在ρ接觸金屬沉積之前的HCl預處理導致非極性p-GaN接觸層表面上的低0污染。下面的表1說明與C-平面p-GaN接觸層相比較，本發明的方法可在m-平面p-GaN 接觸層的表面上獲得更低的0含量。表1 :m-平面和C-平面feiN的表面上0含量的比較
預處理O含量(％)O/Ga 比m-平面C-平面m-平面C-平面未處理的27.18290.670.67HCl10.3420.570.2050.42BAR5.917.350.110.14BAR+NH4S7.038.440.1380.16 圖7是依照本發明制造的包含非極性p-GaN接觸層的器件的I-V特性的曲線圖， 其中使用Cp2Mg流和HCl預處理，顯示應用本發明之前和之后(在冷卻和HCl處理期間生長后Cp2Mg流之前和之后)，具有最小分離的兩個TLM墊之間的差異。具體地，圖7的I-V7曲線顯示本發明的方法導致非極性的(Al，Ga，器件，其具有較低的接觸電阻和歐姆接觸。優勢和改進對于高性能LEDs、LDs, p-n結ニ極管、雙極結晶體管(BJTs)、異質結雙極晶體管 (HBTs)等，獲得低電阻ρ接觸是重要的。本發明已產生與非極性ρ型(Al，fe，In)N層ρ型接觸的接觸性能的顯著提高的接觸性質，類似地，其可應用于與半極性ρ型(Al，Ga, In) N層的P型接觸。與傳統的非極性(Al，Ga, h)N器件結構相比，本發明具有下列優勢1.在生長冷卻期間在N2和NH3周圍環境，使用Cp2Mg流導致Mg-N層的形成，其顯著地減少接觸電阻(如圖2中示出的)。對在生長冷卻期間利用Cp2Mg流制造的m-平面樣品，示出Mg XPS峰(圖4)。此外，在冷卻期間，表面上0濃度隨著Cp2Mg流的增加而減少。2. ρ接觸金屬沉積之前的HCl預處理導致⑴樣品表面上的低0濃度，如圖6示出的，和⑵與其他傳統的處理相比更低的接觸電阻。盡管使用BAR預處理極性(c-平面) GaN獲得最低的接觸電阻，但是對于非極性(m-平面)GaN，有必要使用HCl預處理，如圖5 示出的。3.與傳統的非極性(Al，Ga，h)N器件相比，所有上述改變導致非極性(Al，Ga，In) N器件具有更低的接觸電阻和歐姆接觸的電性能，如圖7中示出的。可能的修改因此，本發明在基于非極性ρ-GaN的接觸層的生長之后，利用Cp2Mg流，其中典型的接觸層厚度范圍可從IOnm到IOOnm且接觸層摻雜有Mg。本發明的其他實施方式可用于基于極性、非極性和半極性(Al，Ga, 的電子學和光學器件，特別是需要低P接觸電阻的。例如，本發明可應用于極性、非極性、和半極性 LEDs、LDs、晶體管等。本發明可應用于需要低ρ接觸電阻的任何(Al，fe，In)N器件。本發明可應用于包含InGaN、GaN、AlGaN,或Al InGaN層的器件結構。術語如在本文使用的，術語(Al，Ga, In) N、III-氮化物、第三族-氮化物、氮化物、 Al (1_x_y) GaxInyN——其中0<χ<1和0<y< 1、或AlInGaN意欲被廣泛地解釋為包括單個種類——Al、Ga和In—一的各自氮化物、以及這種第三族金屬種類的二元的、三元的和四元的組成。因此，術語(Al，Ga，包括化合物A1N、GaN和hN，和三元化合物AlGaN、 feilnN和AUnN，以及四元化合物AlfeJnN，作為包括在這種術語中的種類。當存在兩個或更多個(Al，Ga, In)組成種類時，所有可能的組成，包括化學計量比和“非化學劑量”比 (“off-stoichiometric”proportion)(相對于在組成中存在的每ー個(Al，GaJn)組成種類存在的相對摩爾分數)可在本發明廣泛范疇內應用。因此，應該理解在下文中本發明關于具體(Al，fei，h) N材料例如GaN的討論，適用于這些(Al，fei，h) N材料的各種其他種類的形成。進ー步地，在本發明范疇內的(Al，( ，In)N材料可進ー步包括較小數量的摻雜劑和/或其他雜質或包合材料。此外，在整個公開中，在層材料之前的前綴η-或η+和ρ-或ρ+分別表示層材料是 η型或ρ型摻雜的。例如，P-GaN指示GaN是ρ型摻雜的。參考文獻
下列參考文獻通過弓I用并入本文。[l]Hun 等，Appl. Phys. Lett. 78，1942(2001).[2]Kim 等，J. Vac. Sci. Technol. B17 (2), 497 (1999).[3]Kim 等，J. Elec. Materials, 30,129 (2000).[4]Kim 等，Current Appli. Phys. 1,385(2001).[5]Lim 等，Thin Solid Film，515，4471 (2007) ·[6]Lee 等，Appli. Phys. Lett. 74,2289(1999).結論這里結束本發明優選的實施方式的描述。前述本發明的一個或更多個實施方式的描述是為了說明和描述的目的提出。其不意欲是窮舉的或限制本發明于公開的精確形式。 根據上述教導可能存在很多的修改和變化。本發明的范疇不意欲由這些詳細實施方式限制，而是由所附的權利要求限制。
權利要求
1.制造(Al，fei，h)N器件的方法，包括在(Al，Ga, In)N器件上生長ρ型層，其中所述(Al，Ga, In)N器件是非極性或半極性 (Al，Ga, In)N器件，和所述ρ型層是非極性或半極性(Al，Ga, In)N層；和在存在雙(環戊ニ烯基)鎂(Cp2Mg)的情況下，冷卻所述ρ型層，以在所述ρ型層上形成鎂-氮化物(MgxNy)層。
2.根據權利要求1所述的方法，進ー步包括在所述冷卻步驟之后，進行金屬沉積以在所述(Al，Ga, 器件的所述ρ型層上制造ρ型接觸，其中與具有基本上相似組成的極性 (Al，Ga, 器件的ρ型接觸相比，所述ρ型接觸具有更低的接觸電阻率。
3.根據權利要求2所述的方法，進ー步包括在所述冷卻步驟之后和在進行所述金屬沉積之前，對所述P型層進行氯化氫(HCl)預處理，以在所述ρ型層上制造所述ρ型接觸。
4.根據權利要求1所述的方法，其中進行所述冷卻步驟直到達到至少700攝氏度的溫度。
5.根據權利要求4所述的方法，其中進行所述冷卻步驟直到達到至少500攝氏度的溫度。
6.根據權利要求1所述的方法，其中在氮氣(N2)和氨(NH3)周圍環境中進行所述冷卻步驟。
7.根據權利要求1制造的(Al，Ga,In)N器件。
8.根據權利要求7所述的器件，其中所述(Al，Ga,In)N器件是發光二極管、激光二極管、p-n結器件、晶體管、雙極結晶體管或異質結雙極晶體管。
9.(Al, Ga, h)N器件，其包括在(Al，fe，In)N器件的ρ型層上制造的ρ型接觸，其中所述(Al，Ga，h)N器件是非極性或半極性(Al，Ga, In) N器件，所述ρ型層是非極性或半極性(Al，Ga, In)N層，且與具有基本上相似組成的極性(Al，fe，器件的ρ型接觸相比，所述ρ型接觸具有更低的接觸電阻率。
10.根據權利要求9所述的器件，其中所述ρ型接觸具有低于2X IO-3Ohm-CnT2的接觸電阻率。
11.根據權利要求9所述的器件，其中所述P型層具有足夠低以獲得低于 2X IO-3Ohm-CnT2的接觸電阻率的氧濃度。
12.制造(Al，fei，h)N器件的方法，包括在P型層上制造P型接觸之前，對所述(Al，Ga, 器件的所述ρ型層進行氯化氫 (HCl)預處理，其中所述(Al，Ga，h)N器件是非極性或半極性(Al，( ，In) N器件，和所述ρ 型層是非極性或半極性(Al，Ga，層。
13.根據權利要求12所述的方法，其中與具有相同組成的極性(Al，fe，器件的ρ 型接觸相比，所述ρ型接觸具有更低的接觸電阻率。
14.根據權利要求13所述的方法，其中所述ρ-型層具有足夠低以獲得低于 2X IO-3Ohm-CnT2的接觸電阻率的氧濃度。
15.根據權利要求12制造的(Al，Ga,In)N器件。
16.根據權利要求15所述的器件，其中所述(Al，Ga,In)N器件是發光二極管、激光二極管、P-n結器件、晶體管、雙極結晶體管或異質結雙極晶體管。
全文摘要
在非極性或半極性(Al，Ga，In)N器件上制造p型接觸的方法包括步驟在(Al，Ga，In)N器件上生長p型層，其中(Al，Ga，In)N器件是非極性或半極性(Al，Ga，In)N器件，且p型層是非極性或半極性(Al，Ga，In)N層；和在存在雙(環戊二烯基)鎂(Cp2Mg)的情況下，冷卻p型層，以在p型層上形成鎂-氮化物(MgxNy)層。在冷卻步驟之后，進行金屬沉積以在(Al，Ga，In)N器件的p型層上制造p型接觸，其中與具有基本上相似組成的極性(Al，Ga，In)N器件的p型接觸相比，該p型接觸具有更低的接觸電阻率。在冷卻步驟之后和金屬沉積步驟之前，可對p型層進行氯化氫(HCl)預處理。
文檔編號H01L33/00GK102598207SQ201080049853
公開日2012年7月18日 申請日期2010年10月21日 優先權日2009年11月3日
發明者A·查克拉伯蒂, S·P·德恩巴阿斯, S·納卡姆拉, Y-D·林 申請人:加利福尼亞大學董事會