專利名稱：判斷特別是模塑成型晶圓的碟形工件的變形量的方法與裝置的制作方法
技術領域：
本發明有關于ー種判斷一碟形エ件的一變形量之一方法與一裝置，所述碟形エ件特別是指ー模塑成型晶圓。
背景技術：
盡管不限于在半導體技術領域，但本發明及基于其上的問題將被闡明為關于模塑成型晶圓(mould wafer)。 在半導體技術領域,碟形エ件(disc-shaped workpieces)在本案中指的是晶圓，一般為在線性加工鏈中處理，亦即在數個連續的裝置的流動線生產下，實施協調的方法步驟。在本案的晶圓加工中，在進ー步加工前，晶圓的精確對位是必要的，特別是在從晶圓切割出數個單芯片之前或在電性接觸芯片之前。為達此目的，使用了稱為エ件校準裝置，其在半導體業界已知稱為晶圓對準系統(wafer alignment systems)。從先前技術的觀點來看，例如在美國專利公告第6，275，742B1號掲示一對準系統，井能通過一光學方法從事ー碟形エ件(特別是指一晶圓)的精確對齊。日本專利公開第01-267403 A號掲示一裝置用以判斷一碟形エ件的偏向，其可能通過一光學檢測設備以判斷使用所述裝置的エ件的圓周點的變形量。判斷碟形エ件(特別是晶圓)的變形量的其它裝置和方法也揭露于日本專利公開第10-078310A號與第06-163661A號、美國專利公開第2006/0280085A1號、美國專利公告第4，750，141A號以及美國專利公告第7，301，623 BI號。通常所有這些已知的方法都不能精確地確定變形量，因為量測方法或夾持裝置已干擾了量測結果。最近,在半導體業界出現了一個趨勢,對于已知的復合晶圓(compound wafers)或模塑成型晶圓(mould wafers)，亦即針對組裝、人工生產的晶圓，其為由個別芯片組裝成一晶圓狀的結構而形成，所述多個芯片再由ー塑料封膠化合物黏成ー碟形結構。這種類型的模塑成型晶圓，以及傳統的薄硅晶圓或其類似者，在先前熱和機械加工吋，皆有一圓形結構條件，而且還表現出在軸向方向的偏向，在這樣的方式下，這些碟形エ件不再為平面狀，而成為偏向或變形的樣貌。圖4為ー模塑成型晶圓的一平面示意圖，具有參考數字3，塑料成型基材被標記為31以及嵌入其中的半導體芯片被標記為30。在移除一保護膜之后，半導體芯片30即暴露在模塑成型晶圓3的一上表面。因為個別半導體芯片30的小尺寸，為了后續加工步驟，必得精確的定位模塑成型晶圓3，故必須提供精確的對準，而且模塑成型晶圓3的偏向性質的知識在此是需要的。這導致精確地判斷這種類型的一碟形エ件的偏向量或變形量(deflection ordeformation)的問題。這個問題變得更為緊迫，是因模塑成型晶圓3代表一些個別芯片組裝成為使用一封膠化合物的一晶圓狀結構的ー組合體，由于硅和塑料的熱膨脹系數不同，模塑成型晶圓3具有一個較高的固有曲率，在這種情況下，沒有任何模塑成型晶圓3與其它模塑成型晶圓3彼此相同。因此，考慮到數個模塑成型晶圓3的個別偏向，精確的對準是唯一可行的，從而使線性加工在組裝線的大尺度上成為可能。也可限制偏向量程度，從而舍棄不能進ー步加工的模塑成型晶圓3。
發明內容
因此，本發明的目的是指定ー種判斷特別是模塑成型晶圓的碟形エ件的變形量的方法和裝置，這使得有更精準判斷變形量成為可能，而且沒有因量測技術本身所造成的量測結果的可察覺的失真。依據本發明的方法具有權利要求I的特征以及根據權利要求I的對應裝置，具有優于已知方法之優點，亦即使得精確判斷變形(翹曲)量成為可能。
本發明的概念是，在消除エ件和安裝單元之間的初始偏心量之后，翹曲量可在一定義的高度位置被量測。根據本發明，在エ件更精確的對準后，エ件從預定的高度位置的任何數量的周圍量測點的偏向量，可以通過相對安裝單元自己的軸旋轉安裝單元或通過相對安裝單元的軸旋轉探測器單元來加以判斷。因此，根據本發明，沿著ー個特定的量測半徑的量測周長的一個變形量的ニ維代表，可以由使用各自量測點的偏移來產生。基于此信息，在碟形エ件的進ー步加工，偏向量可以通過機械和/或加工后熱處理被考慮或修正，和/或倘若超過ー預定的限制量，則碟形エ件可能被舍棄。根據本發明，安裝単元不僅為可旋轉的，更為高度上可調整者以及橫向可調整。因此，預定的高度位置能被精確地調整以量測這些量測點的偏移量，以及預定的高度位置也可例如根據本發明的裝置的溫度變化或振動得到補償。在從屬權利要求項中，為有關本發明的主要標的物的有利發展和改良。在一較佳實施例中，使用ー預對準儀判斷偏心量，就其本身而言，可使后續的位置校正成為可能。在另ー實施例中，探測器單元是徑向可移動的，在這種方式下，變形量不僅可能以不同的角位置而且還以不同的直徑呈現。這使得獲得碟形エ件的偏向量的三維尺寸成為可倉^:。在一較佳實施例中，高強度的檢測工具包括ー激光測微計(laser micrometer)。原則上，任何類型的探測器單元可被用于量測偏移量，亦即利用特別的機械、光電以及以聲音為基礎的方法進行距離量測。特別有利地，可使用一光學測微計單元進行非接觸式量測，一激光測微計單元是特別地適合，因為它使得在沒有エ件的機械干擾下進行非常精確的距離量測成為可能。在另ー較佳實施例中，安裝單元通過在沉積前的一旋轉和在沉積后的一橫向調整，可以移動到第二個安裝位置。在另ー較佳實施例中，內部區域有一直徑為外部區域的10%至30%。在另ー較佳實施例中，使用ー標準工具，例如ー鋼質晶圓，以在無變形量下進行量測作業的校準。在另ー較佳實施例中，數個量測點的各自偏移量，與相關的旋轉角度和一工具識別符號(identifier),—起被記錄于一表中，。在另ー較佳實施例中，旋轉角度的選取為相對于ー工具標記(marking)。這種類型的一工具標記可為，例如，ー壓痕(indentation)或壓扁痕(flattening)或一光學檢測標記。在另ー較佳實施例中，使用數個支撐插腳和數個真空攝入元件，以安裝碟形エ件的一內部區域。
在另ー較佳實施例中，數個支撐插腳的每ー支撐插腳分別被數個真空攝入元件中的ー對應真空攝入元件所包圍。本發明的實施例顯示在圖標中且詳細描述于以下的說明中。
圖Ia-C是依據本發明的裝置的一第一實施例的橫剖面示意圖，所述裝置用來判斷一碟形エ件(特別是一沿著圖If的線段A-A’的模塑成型晶圓)的一變形量；圖Id、e是依據本發明的裝置的第一實施例的側面示意圖，所述裝置用來判斷一碟形エ件(特別為ー模塑成型晶圓)的一變形量；圖If是依據本發明的裝置的第一實施例的一平面示意圖，所述裝置用來判斷一碟形エ件(特別為ー模塑成型晶圓)的ー變形量；圖Ig為ー模塑成型晶圓的量測圖，其變形量為依據本發明的裝置來判斷依據圖la-f的一碟形エ件的ー變形量而被判斷的；圖2是依據本發明的方法的另ー實施例的一流程圖，所述方法用來判斷一碟形エ件(特別為ー模塑成型晶圓)的一變形量；圖3是依據本發明的裝置的一第二實施例的一立體示意圖，所述裝置用來判斷一碟形エ件(特別為ー模塑成型晶圓)的ー變形量；以及圖4為ー模塑成型晶圓的一平面不意圖。
具體實施例方式以下各實施例的說明是參考附加的圖式，用以例示本發明可用以實施的特定實施例。再者，本發明所提到的方向用語，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內」、「外」或「側面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本發明，而非用以限制本發明。在圖標中，相同或功能上相同的元素將被指定相同的參考數字。圖Ia-C是依據本發明的裝置的一第一實施例的橫剖面示意圖，所述裝置用來判斷一碟形エ件(特別為ー模塑成型晶圓)的一變形量；在圖Ia-C中，參考數字3表示ー模塑成型晶圓，其由帶有硅芯片(未顯示嵌于內)的塑料作成。模塑成型晶圓3包含一內部區域IB以及一外部區域AB于徑向方向上。模塑成型晶圓3具有一上表面0以及ー下表面U。模塑成型晶圓3的內部區域IB固定在一第一安裝位置的一安裝單元5、5a、15a_c上，于此模塑成型晶圓3的中心軸M'與軸為中心的安裝單元5、5a、15a-c的中心軸M并不
重合，而是從那里有一偏心量S的差距。安裝單元5、5a、15a_c包含一豎立區5，相對軸M為可旋轉至任何角度Cp且亦能在Z-方向的高度上可調整。豎立區5也可在X-方向上橫向地調整，以及也可隨意地在y_方向。一旋轉對稱承載板5a，其軸與安裝單元5、5a、15a_c的軸M重合，被設置于豎立區5上。三接觸元素15a、15b、15c，被設置為一三角形的形狀與中心軸M等距，并允許應用和引入模塑成型晶圓3至其內部區域IB中，位于載板5a的上表面上。內部區域有一直徑約整個模塑成型晶圓3的10-30%。通過范例給定的情況，模塑成型晶圓3于此有一直徑為200毫米，內部區域IB的直徑則介于20毫米和60毫米之間。接觸元素15a、15b、15c，分別包括一中央支撐插腳11a、lib、11c，在一預定的校準實施后，設置在安裝単元5、5a、15a_c的一固定的Z-位置，詳述于下。在另ー實施例(未顯示)，支撐插腳lla、llb、llc可自動地調整，例如由一壓電致動器單元。 支撐插腳和數個真空攝入元件，碟形エ件的一內部區域的安裝將受影響。支撐插腳118、1113、11(分別由其對應的真空攝入元件20&、2013、20(3將其所有面圍繞。當模塑成型晶圓3未應用時，真空攝入元件20a、20b、20c包括一各自的唇密封件，其結尾處略高干支撐插腳lla、llb、llc的高度0'，并且當模塑成型晶圓3應用時，其結尾處將被下壓至與支撐插腳11a、lib、Ilc同一高度，由于其重量的原因。真空攝入兀件20a、20b、20c包括一攝入單位(未顯示)，用來產生一真空與ー相應的低壓，為了安裝模塑成型晶圓3牢牢地固定于支撐插腳I la、I lb、I Ic之上。接觸元素15b、15c于圖la-c中由虛線所示，因為它們位于不同截面的角度，從圖If可以看出。根據圖la-c的裝置包括一承載單元1，于其上置放一存放単元3a、3b、3c，存放單元被安置在承載單元I的ー凹處2內的周圍，安裝單元5、5a、15a_c通過此被引導。存放單元3a、3b、3c包括三個支撐柱，也是設置為三角形對稱，從圖If中可以看出。當安裝單元5、5a、15a_c被移至一相應的低z_位置時,模塑成型晶圓3能被置放于存放單元3a、3b、3c的支撐柱上。支撐柱3b、3c也由虛線所示，因為它們位于裝置的不同的剖面角，從圖If中可以看出。雖然未示于圖la-c。承載單元I透過一共享基座100連接至安裝單元5、5a、15a_c (與圖 Id-If 比較)。如上所述，在安裝單元5、5a、15a_c的中心軸M和模塑成型晶圓3的中心軸M'之間有ー偏心量S ,不于圖Ia的安裝位置。為判斷這個偏心量8，熟知為ー預對準儀25者被提供，其配置如這樣ー種方式，根據一已知的方法，當安裝単元5、5a、15a_c旋轉Z-軸時，使得它可以以光學地方式判斷這
偏心量S。最后，參考符號ZO在圖Ia-Ic表示安裝單元5、5a、15a_c的一預定的高度位置，用來作為ー量測位置，描述于下。此外，參照圖lb，顯示模塑成型晶圓3的一第二安裝位置，在所述位置上中心軸M與M'重合，換句話說，偏心量5為零。這第二安裝位置由在存放單元3a、3b、3c的支撐柱上的模塑成型晶圓3以及安裝単元5、5a、15a_c的相應的重新定位所達到，如下所述。最后，參照圖lc，安裝單元5、5a、15a_c也被移入預定的高度位置Z0，其內變形透過ー個固定高度的探測器單元50以ー激光測微計的形式，使用激光束L來量測。當支撐插腳11a、lib、Ilc的上表面0'位于這個高度位置ZO時，預定的高度位置ZO即被達到。在圖Ic所示的狀態，一理想的模塑成型晶圓3所示，其中沒有變形或翹曲。這種類型的一理想的晶圓，例如ー鋼晶圓，也可以被用于校準裝置在圖Ic所示的位置。圖Id、e是依據本發明的裝置的第一實施例的側面示意圖，所述裝置用來判斷一碟形エ件(特別為ー模塑成型晶圓)的ー變形量。圖ld、le顯示偏移WR的ー變形區域，其中包括ー個典型的物理的模塑成型晶圓3。在這種類型的一物理模塑成型晶圓3的量測過程中，在模塑成型晶圓3的非安裝外部區域AB的量測點的一個別的偏差WR是由固定高度檢測器裝置50以激光測微計的形式來量測，其固定于基座100，從預定的高度位置20的，通過旋轉安裝單元5、5&、15&-(。在一實施例(未顯示)中，探測器單元50也會是可旋轉的在其設定的高度。圖If是依據本發明的裝置的第一實施例的一平面示意圖，所述裝置用來判斷一碟形エ件(特別為ー模塑成型晶圓)的ー變形量。進ー步參考圖lf，模塑成型晶圓3顯示有兩個虛擬切斷A1，A2，透過它安裝単元5、5a、15a_c和激光束L的ー聚焦點SP在模塑成型晶圓3的下表面上均可見。旋轉安裝單元5、5a、15a_c，并進行量測的測量點P I、P2、P3、P4、P5、P6、P7、P8沿著圓周線KU有一預定的半徑r，示于圖Ig的高度輪廓能夠接受。在此案中點P1-P8位于測量角度q>i - q>8。圖Ig是ー模塑成型晶圓的一量測圖，其變形量是根據本發明的裝置來判斷依據圖la-f 的一碟形エ件的ー變形量而被判斷的。由圖Ig所示，模塑成型晶圓3在所有的點P1-P8的變形是往下方向的，顯示與在預定的高度位置ZO的比較，也有ー個帽子的形狀。參照圖lc，同樣可能在相對模塑成型晶圓3的徑向上去調整探測器單元50，為了采取顯示在圖Ig中有著各種半徑r的不同的圓周KU的類型的一高度輪廓。圖2是依據本發明的方法的另ー實施例的一流程圖，所述方法用來判斷一碟形エ件(特別為ー模塑成型晶圓)的ー變形量。在ー個方法步驟(未顯示)，裝置的校準透過使用在圖Ig中所示的一理想的晶圓3來實現。對于校準，支撐插腳I la、I lb、I Ic可以特別地在這樣ー個方式被調整，以致理想的模塑成型晶圓被定位使其下表面U正好在預先確定的高度位置Z0。參考步驟SI，模塑成型晶圓3隨后被裝至接觸元素15a、15b、15c的支撐插腳11a、llb、llc，接下來安裝由啟動圖Ia中所示的真空攝入元件20a、20b、20c。在此之后，在步驟S2偏心量5是由預對準儀25的光學掃描所量測，而安裝単元5、5a、15a_c 繞 z_ 軸旋轉。 在此之后，在步驟S3安裝單元5、5a、15a_c旋轉至一角位置9，其中偏心量S發生在X-方向。隨后，在步驟S4，模塑成型晶圓3被置放于存放単元3a、3b、3c的支撐柱上以及安裝單位5、5a、15a_c被釋放,并在X方向移動,直到偏心量5等于零。這是所述方法依據步驟五的狀態。在此之后，在步驟S6，模塑成型晶圓3再次安裝在一第二安裝位置，并回復于X方向，井隨后提起至預定的高度位置Z0，相等于測量的位置。在預定的高度位置Z0，在步驟S7，已透過圖If、Ig描述過，從預定的高度位置ZO的模塑成型晶圓3的非安裝外部區域AB的量測點P1-P8的一個別的偏移WR是由檢測器單元50來量測，安裝單元5、5a、15a_c旋轉所對應的旋轉角度(pi _屮8。在步驟S8，來自量測點P 1-P8的個別的偏移WR記錄于一表中，加上相關的旋轉角度cpl - cp8和一工具識別符(未顯示)，例如一晶圓數目。在這種情況下，因此有利于旋轉角度cpl - cp8相對于ー工具標記于之前被選出，如ー壓痕，或一平面的部分，或一光學標記。
在步驟S9，安裝単元5、5a、15a_c之后被釋放以及模塑成型晶圓3被移除，井隨后在步驟S10，衡量是否進ー步模塑成型晶圓3應被量測。如果是這樣的情況下，所述方法返回到步驟SI，否則所述方法在步驟Sll即結束。圖3是依據本發明的裝置的一第二實施例的一立體示意圖，所述裝置用來判斷一碟形エ件(特別為ー模塑成型晶圓)的ー變形量。在圖3所示的第二實施例，并非第一實施例的接觸元素15a_c，一接觸元素単元15d被提供，其中包括數個支撐插腳11' a-11' f以及三個真空攝入元件20' a, 20' band 20' C。在此實施例,支撐插腳11' a-11' f通并無被導引通過真空攝入元件,但由此分開被提供，兩個支撐插腳，分別位于真空攝入元件的兩個側面。否則，第二實施例的建構上述描述的第一實施例相同。雖然本發明已在較佳實施例的基礎上被闡明，它不限于此，但在不偏離本發明的范圍與精神下可有各種變化。應當特別指出，上述的實施例當然可以彼此結合。雖然上面的例子涉及到判斷模塑成型晶圓的變形，本發明并不限于此，卻適用于任何碟形エ件。雖然上述實施例涉及安裝単元有數個存放點，本發明不限于此，而且也為其它合適的，例如平面，安裝単元要不些微的影響エ件的變形不然就毫不影響。此外，存放點安置的形狀也僅為示范，并不限于所描述的三角形的安排。本發明已由上述相關實施例加以描述，然而上述實施例僅為實施本發明的范例。必需指出的是，已公開的實施例并未限制本發明的范圍。相反地，包含于權利要求書的精神及范圍的修改及均等設置均包括于本發明的范圍內。
權利要求
1.一種判斷特別是模塑成型晶圓的碟形工件的變形量的方法，其特征在于所述判斷變形的方法包含步驟 安裝所述碟形工件(3)的一內部區域(IB)至一第一安裝位置內的一安裝單元(5、5a、15a~c ;5、5a、15d)上； 判斷所述碟形工件(3)的一中心軸(M’ )與在第一安裝位置內的安裝單元(5、5a、15a-c ;5、5a、15d)的一中心軸(M)之間的偏心量(S);存放所述碟形工件(3)至一存放單元(3a、3b、3c)上； 基于所判斷的偏心量(S )重新安裝所述碟形工件(3)的內部區域(IB)至在一第二安裝位置內的安裝單元(5、5a、15a_c ;5、5a、15d)上，其中在第二安裝位置的偏心量(S )大約為零； 移動所述安裝單元(5、5a、15a_c ;5、5a、15d)至一預定的高度位置(ZO);以及 通過一固定高度的探測器單元(50)在適合的旋轉角度(Cpl - (p8)旋轉安裝單元(5、5a、15a_c ;5、5a、15d)或探測器單元(50)，以量測數個測量點(P1-P8)各自在所述碟形工件(3)的一非安裝外部區域(AB)內與對應變形量的預定的高度位置(ZO)之間的一偏移量(WR)。
2.如權利要求I所述的方法，其特征在于所述數個測量點(P1-P8)沿著一周邊線(KU)排列。
3.如權利要求I或2所述的方法，其特征在于所述固定高度的探測器單元(50)包含一激光測微計。
4.如上述權利要求的任一項所述的方法，其特征在于所述安裝單元(5、5a、15a_c;5、5a、15d)通過在變形之前的一旋轉以及變形之后的一橫向調整，被移至所述第二安裝位置。
5.如上述權利要求的任一項所述的方法，其特征在于所述內部區域(IB)有一直徑為所述碟形工件(3)的10%至30%。
6.如上述權利要求的任一項所述的方法，其特征在于所述量測的校準是在于無變形量下使用一標準工具進行。
7.如上述權利要求的任一項所述的方法，其特征在于所述數個量測點(P1-P8)的各自偏移(WR),與相關的旋轉角度(cpl - tp8)和一工具識別符號,一起被記錄于一表中，。
8.如上述權利要求的任一項所述的方法，其特征在于所述旋轉角度(cpl-cp8)的選取為相對于一工具標記。
9.如上述權利要求的任一項所述的方法，其特征在于所述碟形工件(3)的一內部區域(IB)的安裝由數個支撐插腳(lla，llb，llc;ll' a-ir f)以及數個真空攝入元件(20a，20b，20c ;20' a，20' b，20' c)所造成。
10.如權利要求9所述的方法，其特征在于所述數個支撐插腳(11a，11b，lie；11' a-ir f)的每一支撐插腳(11a，11b，lie)分別被數個真空攝入元件(20a，20b，20c ;20' a, 20' b,20/ c)中的一對應真空攝入元件所包圍。
11.一種判斷特別是模塑成型晶圓的碟形工件的變形量的裝置，其特征在于所述判斷變形的裝置包含 一可旋轉的、高度以及橫向可調整的安裝單元(5、5a、15a_c ;5、5a、15d)，用來安裝所述碟形工件(3)的一內部區域(IB)； 一判斷單元(25)，用以判斷所述碟形工件(3)的一中心軸(M’ )與所述安裝單元(5、5a、15a_c ;5、5a、15d)的一中心軸(M)之間的偏心量(S )，及用以產生一適合的調整信號給所述安裝單元(5、5a、15a_c ;5、5a、15d)； 一存放單元(3a，3b，3c)，用以在安裝單元(5、5a、15a_c ;5、5a、15d)的一側向調整的過程當中存放所述碟形工件(3);以及 一固定高度的探測器單元(50)，用以通過旋轉在所述安裝單元(5、5a、15a_c ;5、5a、15d)的一預定的高度位置(ZO)上的所述安裝單元(5、5a、15a-c ;5、5a、15d)或探測器單元(50)，以量測數個測量點(P1-P8)各自，在所述碟形工件(3)的一非安裝外部區域(AB)與對應變形量的一預定的高度位置(ZO)之間的一偏移量(WR)，。
12.如權利要求11所述的裝置，其特征在于所述安裝單元(5、5a、15a_c;5、5a、15d)包含數個支撐插腳(11a，11b，lie ;11' a_ir f)以及數個真空攝入元件(20a，20b，20c ;20' a，20' b，20' c)。
13.如權利要求13所述的裝置，其特征在于所述數個支撐插腳(11a，11b，lie;IT a-ll' f)的每一支撐插腳(11a, lib, He)分別被數個真空攝入元件(20a, 20b, 20c ；20' a, 20' b,20/ c)中的一對應真空攝入元件所包圍。
14.如權利要求12所述的裝置，其特征在于所述真空攝入元件(20a，20b，20c；20' a, 20' b,20/ c)包括唇密封件，其包圍各自對應的支撐插腳(11a，11b，11c)。
15.如權利要求12至14中任一項所述的裝置，其特征在于所述支撐插腳(11a，11b，llc;ll' a-11' f)在高度上是可調整的。
16.如權利要求11至15中任一項所述的裝置，其特征在于所述安裝單元(5、5a、15a_c ;5、5a、15d)被導引通過一承載單元⑴內的一凹處(2),以及所述存放單元(3a、3b、3c)被設于所述凹處(2)內的周圍。
17.如權利要求16所述的裝置，其特征在于所述存放單元(3a、3b、3c)包含數個支撐柱。
18.如權利要求16或17所述的裝置，其特征在于所述固定高度的探測器單元(50)是設置在承載單元(I)上。
19.如權利要求11至18中任一項所述的裝置，其特征在于所述固定高度的探測器單元(50)包含一激光測微計。
20.如權利要求11至19中任一項所述的裝置，其特征在于所述判斷單元(25)是設置在承載單元(I)上。
21.如權利要求11至20中任一項所述的裝置，其特征在于所述判斷單元(25)包含一預對準儀。
22.如權利要求11至21中任一項所述的裝置，其特征在于所述探測器單元(50)相對于所述碟形工件(3)為徑向可調整的。
全文摘要
本發明公開一種判斷特別是模塑成型晶圓的碟形工件的變形量的方法和裝置。所述裝置包含一可旋轉的、高度以及橫向可調整的安裝單元(5、5a、15a-c；5、5a、15d)，用來安裝所述碟形工件(3)的一內部區域(IB)；一判斷單元(25)，用以判斷所述碟形工件(3)的一中心軸(M’)與在第一安裝位置的安裝單元(5、5a、15a-c；5、5a、15d)的一中心軸(M)之間的偏心量(δ)，以產生一適合的調整信號給安裝單元(5、5a、15a-c；5、5a、15d)；一存放單元(3a，3b，3c)，用以在安裝單元(5、5a、15a-c；5、5a、15d)的一側向調整的過程當中存放所述碟形工件(3)；以及一固定高度的探測器單元(50)，用以通過旋轉在安裝單元(5、5a、15a-c；5、5a、15d)的一預定的高度位置(Z0)上的安裝單元(5、5a、15a-c；5、5a、15d)或探測器單元(50)，以量測數個測量點(P1-P8)各自在所述碟形工件(3)的一非安裝外部區域(AB)與對應變形量的一預定的高度位置(Z0)之間的一偏移量(WR)。
文檔編號H01L21/68GK102714133SQ201080047274
公開日2012年10月3日 申請日期2010年8月18日 優先權日2009年8月19日
發明者魯弟格·史金德勒 申請人:Ers電子有限責任公司