專利名稱：用于抑制金屬微細結構體的圖案倒塌的處理液和使用其的金屬微細結構體的制造方法
技術領域：
本發明涉及用于抑制金屬微細結構體的圖案倒塌的處理液和使用其的金屬微細結構體的制造方法。
背景技術：
以往，作為在半導體器件、電路基板等廣泛的領域中使用的具有微細結構的元件的形成和加工方法，使用了光刻技術。該領域中，伴隨著要求性能的高度化，半導體器件等的小型化、高集成化或高速化顯著進行，光刻中使用的抗蝕圖案日趨微細化，另外高寬比日趨增加。但是，隨著這樣進行微細化等，抗蝕圖案的倒塌成為很大的問題。已知抗蝕圖案的倒塌是如此產生的在將對抗蝕圖案進行顯影后的濕處理(主要是用于沖洗顯影液的沖洗處理)中使用的處理液從該抗蝕圖案上干燥時，起因于該處理液的表面張力的應力發揮作用，由此產生抗蝕圖案的倒塌。因此，為了解決抗蝕圖案的倒塌， 提出了下述方法利用使用了非離子型表面活性劑或醇系溶劑可溶性化合物等的低表面張力的液體替代洗滌液并進行干燥的方法(例如，參照專利文獻1和2、；使抗蝕圖案的表面疏水化的方法(例如，參照專利文獻3)等。然而，對于使用光刻技術形成的由金屬、金屬氮化物或金屬氧化物等所構成的微細結構體(以下稱為金屬微細結構體。另外，包括金屬、金屬氮化物或金屬氧化物在內均簡稱為金屬。)，形成結構體的金屬自身的強度比抗蝕圖案自身的強度或抗蝕圖案與基材的接合強度高，因此與抗蝕圖案相比，該結構體圖案的倒塌難以發生。但是，隨著半導體裝置或微機械的小型化、高集成化、高速化進一步發展，由該結構體的圖案的微細化、以及高寬比的增加而導致的該結構體的圖案的倒塌逐漸成為很大的問題。由于作為有機物的抗蝕圖案與金屬微細結構體的表面狀態完全不同，與上述抗蝕圖案的倒塌的情況不同，尚未發現有效的對策，因此在半導體裝置或微機械的小型化、高集成化或高速化時，處于設計不發生圖案倒塌的圖案等、顯著抑制了圖案設計的自由的狀況。專利文獻1 日本特開2004-184648號公報專利文獻2 日本特開2005-30擬60號公報專利文獻3 日本特開2006-163314號公報
發明內容
發明要解決的問題如上所述，在半導體裝置、微機械等金屬微細結構體的領域中，實際情況是尚未知道抑制圖案的倒塌的有效技術。本發明是在該狀況下進行的，其目的在于提供一種能夠抑制半導體裝置或微機械等金屬微細結構體的圖案倒塌的處理液和使用其的金屬微細結構體的制造方法。用于解決問題的方案
本發明人為了實現上述目的反復進行了深入的研究，結果發現，利用含有磷酸酯和/或聚氧化亞烷基醚磷酸酯的處理液能夠達到該目的。本發明是基于上述見解而完成的。S卩，本發明的主旨如下所述。[1] 一種用于抑制金屬微細結構體的圖案倒塌的處理液，其含有磷酸酯和/或聚氧化亞烷基醚磷酸酯。[2]根據上述1所述的處理液，其中，磷酸酯和/或聚氧化亞烷基醚磷酸酯由下述通式⑴和/或通式⑵表示
權利要求
1.一種用于抑制金屬微細結構體的圖案倒塌的處理液，其含有磷酸酯和/或聚氧化亞烷基醚磷酸酯。
2.根據權利要求1所述的處理液，其中，磷酸酯和/或聚氧化亞烷基醚磷酸酯由下述通式⑴和/或通式⑵表示，p/ w⑵HO OHOH式中，R1表示碳原子數2 M的烷基、碳原子數2 M的鏈烯基，R2表示碳原子數2 6的鏈烷二基或鏈烯二基，多個R1和R2可以相同也可以不同；另外，η表示O 20的數，多個η可以相同也可以不同。
3.根據權利要求1或2所述的處理液，其還含有水。
4.根據權利要求1 3中任一項所述的處理液，其中，所述通式(1)和中的OR2為氧化亞乙基和/或氧化亞丙基。
5.根據權利要求1 4中任一項所述的處理液，其中，磷酸酯和/或聚氧化亞烷基醚磷酸酯的含量為IOppm 50%。
6.根據權利要求1 5中任一項所述的處理液，其中，金屬微細結構體的圖案使用選自氮化鈦、鈦、釕、氧化釕、鎢、硅化鎢、氮化鎢、氧化鋁、氧化鉿、硅酸鉿、氮氧硅鉿、鉬、鉭、氧化鉭、氮化鉭、硅化鎳、鎳硅鍺、鎳鍺中的至少一種材料形成。
7.一種金屬微細結構體的制造方法，其特征在于，在濕式蝕刻或干式蝕刻之后的洗滌工序中，使用權利要求1 6中任一項所述的處理液。
8.根據權利要求7所述的制造方法，其中，金屬微細結構體的圖案使用選自氮化鈦、 鈦、釕、氧化釕、鎢、硅化鎢、氮化鎢、氧化鋁、氧化鉿、硅酸鉿、氮氧硅鉿、鉬、鉭、氧化鉭、氮化鉭、硅化鎳、鎳硅鍺、鎳鍺中的至少一種材料形成。
9.根據權利要求7或8所述的制造方法，其中，金屬微細結構體為半導體裝置或微機械。
全文摘要
本發明提供能夠抑制半導體裝置或微機械等金屬微細結構體的圖案倒塌的處理液和使用其的金屬微細結構體的制造方法。本發明涉及含有磷酸酯和/或聚氧化亞烷基醚磷酸酯的用于抑制金屬微細結構體的圖案倒塌的處理液、和使用其的金屬微細結構體的制造方法。
文檔編號H01L21/027GK102484056SQ20108003506
公開日2012年5月30日 申請日期2010年7月21日 優先權日2009年8月7日
發明者大戶秀, 山田健二, 松永裕嗣 申請人:三菱瓦斯化學株式會社