專利名稱：光電轉換裝置的制作方法
技術領域：
本發明涉及光電轉換裝置。
背景技術：
最近，作為火力或水力的替代能量，提倡使用太陽能。為此，非常期待由將太陽能轉換成電能的光電轉換元件構成的太陽能電池。在這樣的狀況下，提出了硅系、化合物系、以及有機物系等的各種太陽能電池或光電轉換元件。進而，即便在這種太陽能電池中，硅系的太陽能電池，以作為地球上的資源大量存在的硅為原料，所以與其他化合物系以及有機物系太陽能電池相比，認為不會產生資源枯竭等問題。另外，關于硅系太陽能電池中的非晶質型硅太陽能電池，其非晶硅(a-Si)膜的膜厚與其他單晶型以及多晶型硅太陽能電池相比能為1/100以下，適合在現實中以低成本制造大功率以及大面積的太陽能電池。但是，非晶質型硅太陽能電池的能量轉換效率為6%左右，明顯比具有20%左右的能量轉換效率的單晶型以及多晶型硅太陽能電池低，進而，被指出所謂非晶質型硅太陽能電池的能量轉換效率越大面積越下降的缺點。本發明人等先前在專利文獻1中提出了具有超過6%的能量轉換效率的非晶質型硅太陽能電池或光電轉換元件。提出的非晶質型硅太陽能電池或光電轉換元件含有由透明電極形成的第一電極層、第二電極層、在第一電極層和第二電極層之間設置的1個或者多個發電層疊體，發電層疊體具有包含與第一電極層接觸形成的η型非晶質半導體層(特別是η型非晶硅層)、與第二電極層接觸形成的ρ型非晶質半導體層(特別是ρ型非晶硅層)、 以及在η型非晶質半導體層和ρ型半導體層之間設置的i型半導體層(i型硅層)的所謂 nip構造。為了提高轉換效率，也提出使用基于硅消耗量比較少的微晶硅(μ C-Si)的nip構造的發光層疊體(專利文獻2)。進而，專利文獻1記載的非晶質型太陽能電池或光電轉換元件，作為與η型非晶質半導體層如η型非晶硅層接觸的第一電極層，采用使用了能壘低的η+型SiO的透明電極。現有技術文獻專利文獻專利文獻1 日本特愿2008-315888號專利文獻2 日本特開2003-142712號公報
發明內容
發明要解決的問題專利文獻1示出的非晶質型太陽能電池或光電轉換元件，富于批量生產性，且可以實現10%以上的能量轉換效率。進而由于由沒有資源枯竭等問題的硅以及鋅材料構成， 因此，期待今后也可以大規模且大量生產太陽能電池。以下為了簡化說明，將太陽能電池和 /或含有光電轉換元件的發電構造集體總稱為光電轉換裝置。在這里，光電轉換裝置通常具有所謂溫度越升高則發電效率越降低的特性。升高 1°C溫度時，例如在a-Si太陽能電池中效率減少0. 22%，在單晶Si太陽能電池效率減少 0. 45%。為此，光電轉換裝置存在在一個電極層側設置金屬制的散熱器等散熱裝置的情況。此時，為了防止電極層的氧化、元素從半導體層的擴散、與散熱器等其他構件的導通等，需要在電極層設置鈍化層(保護層)，對于鈍化層，不僅要防止這些，還要求其自身的強度，另外，也要求不會妨礙散熱的物性。本發明正是鑒于這一點而完成的發明，其技術課題在于，提供一種具有適于設置有散熱裝置的構造的鈍化層的光電轉換裝置。用于解決課題的手段為了解決上述的課題，根據本發明的第一方式，得到如下的光電轉換裝置，其具有將入射光的能量轉換成電能的光電轉換元件、和在上述光電轉換元件設置的散熱部，上述光電轉換元件具有設置于與上述散熱部接觸的部分且由含有SiCN的材料構成的鈍化層。根據本發明的第二方式，得到上述第一方式記載的光電轉換裝置，其特征在于，上述光電轉換元件含有第一電極層、第二電極層、和在上述第一電極層以及第二電極層之間設置的ι個或多個發電層疊體，上述發電層疊體含有Ρ型半導體層、與該Ρ型半導體層接觸形成的i型半導體層、和與上述i型半導體層接觸形成的η型半導體層，上述鈍化層設置于上述第二電極層。根據本發明的第三方式，得到上述第二方式記載的光電轉換裝置，其特征在于，上述第一電極層是透明電極。根據本發明的第四方式，得到上述第一至第三方式中任一方式記載的光電轉換裝置，其特征在于，上述發電層疊體的上述i型半導體層由結晶硅、微晶非晶硅、以及非晶硅的任一種形成。根據本發明的第五方式，得到上述第一至第四方式中任一方式記載的光電轉換裝置，其特征在于，上述第一電極層中，上述η型半導體層所接觸的部分含有η型的&10，與上述第一電極層接觸的上述η型半導體層由非晶硅形成。根據本發明的第六方式，得到上述第一至第五方式中任一方式記載的光電轉換裝置，其特征在于，與上述第二電極層接觸的上述P型半導體層由非晶硅形成，在上述第二電極層中至少上述P型半導體層所接觸的部分，形成有含有鎳(Ni)的層。根據本發明的第七方式，得到上述第一至第六方式中任一方式記載的光電轉換裝置，其特征在于，上述散熱部是由含有Al的材料構成的散熱器。根據本發明的第八方式，得到上述第一至第七方式中任一方式記載的光電轉換裝置，其特征在于，上述SiCN具有在氮化硅(Si3N4)中添加了 2原子％ 40原子％的C的組成。發明的效果
在本發明中，可以提供一種具有適于設置有散熱裝置的構造的鈍化層的光電轉換
直ο
圖1是光電轉換裝置1的截面圖。圖2A是對光電轉換元件10的制造方法進行說明的圖。圖2B是對光電轉換元件10的制造方法進行說明的圖。圖2C是對光電轉換元件10的制造方法進行說明的圖。圖2D是對光電轉換元件10的制造方法進行說明的圖。圖2E是對光電轉換元件10的制造方法進行說明的圖。圖2F是對光電轉換元件10的制造方法進行說明的圖。圖2G是對光電轉換元件10的制造方法進行說明的圖。圖2H是對光電轉換元件10的制造方法進行說明的圖。圖3是表示形成鈍化層觀時的條件和所形成的鈍化層觀的物性的關系的圖。
具體實施例方式參照圖1，對本發明的實施方式涉及的光電轉換裝置進行說明。圖示的光電轉換裝置ι含有多個光電轉換元件10、和在光電轉換元件10設置的作為散熱部的散熱器30，通過連接多個光電轉換元件10而構成太陽能電池。圖示的光電轉換元件10，設置在含有防護玻璃12、在該防護玻璃12上設置的玻璃基板14、以及在玻璃基板14上設置的鈉阻擋層16的基體100上。在該例中，玻璃基板14由含Na的廉價鈉玻璃形成，為了防止Na從該鈉玻璃擴散而污染元件，在玻璃基板14上形成有鈉阻擋層16。鈉阻擋層16例如通過涂布表面平坦化涂布液并進行干燥 燒結而形成。另外，從圖可以清楚地知道，作為電池單元的光電轉換元件10，在基體100上與相鄰的其他光電轉換元件(電池)以串聯的形式電連接。如果加以具體說明，則本發明的一個實施方式涉及的光電轉換元件10具有第一電極層20、具有由a-Si (非晶硅)形成的nip構造的單一發電層疊體22、在該發電層疊體22 上隔著鎳層的層)成膜且由含有Al的材料構成的第二電極層26、以及由含有SiCN 的材料構成的鈍化層觀。構成光電轉換元件10的第一電極層20，是透明導電體電極(Transparent Conductive Oxide (TCO)層)，在這里，由膜厚IymW ZnO層形成(至少η型半導體層所接觸的部分含有η型的&10)。該第一電極層20 (ZnO層)是摻雜有( 的η+型ZnO層。另外， 在構成第一電極層20的η+型ZnO層，每隔開規定的間隔設置有絕緣層201 (在這里是含有 SiCN的材料)，被電池單元分隔、區分。在該第一電極層20上，設置有構成發電層疊體22的一部分的η+型a_Si層221，η+ 型a-Si層221與構成第一電極層20的透明電極接觸。圖示的n+型a_Si層221具有IOnm 的膜厚。在n+型a-Si層221上依次形成有形成發電層疊體22的i型a_Si層222以及p+ 型a-Si層223。圖示的i型a-Si層222以及p+型a_Si層223的膜厚分別為480nm以及 IOnm0
在該例中，在構成發電層疊體22的η.型a_Si層221、i型a_Si層222、以及p+型 a-Si層223中，在與第一電極層20的絕緣層201的位置不同的位置，設置有通孔224，在該通孔224的內壁形成有SW2層22乜。nip構造的發電層疊體22整體具有500nm的厚度，與由單晶硅或多晶硅形成的光電轉換元件相比，具有100分之1以下的厚度。接著，在ρ+型a-Si層223上隔著鎳層M形成有第二電極層沈(在第二電極層沈中至少P+型a-Si層223所接觸的部分形成有鎳層24)。第二電極層沈也形成于發電層疊體22的通孔224(內壁被SW2層22 絕緣) 內。通孔224內的第二電極層沈，與相鄰的光電轉換元件的第一電極層20電連接。進而，在第二電極層沈上形成有由SiCN構成的鈍化層觀。形成鈍化層觀的絕緣材料(在這里為SiCN)，也埋設在經過第二電極層沈、鎳層M、p+型a-Si層223并到達i 型a-Si層222的孔225內。在鈍化層觀上，隔著由熱傳導性好的材料形成的粘接劑層四安裝有散熱器30 (例如由含有Al的材料形成)。需要說明的是，形成第一電極層20的n+ZnO層，可以通過摻雜Al、h等來代替( 而形成。在這里，作為鈍化層觀的構成材料的SiCN，具有與例如SW2等的其他鈍化層相比熱傳導性更出色的特征。在以往鈍化層所使用的S^2中導熱率為1. 4ff/m/開爾文，與此相對，SiCN絕對地大，為70W/m/開爾文，借助高導熱率的粘接劑層四(本實施例中，通過在導熱率高的塑料中混合碳納米管，而具有25W/m/開爾文這樣的高導熱率)，可以將熱高效率地傳遞至散熱器30，可以防止太陽能電池發熱而發電效率降低。另外，SiCN與例如SiO2等的其他鈍化層相比，由于難以通過氫，所以可以防止氫從構成發電層疊體22的硅(通常為氫基封端)脫落而太陽能電池的特性劣化。特別是在使用了 a-Si膜的情況下，對a-Si層表面的懸空鍵進行封端的氫在300°C左右脫落，能夠抑制氫的釋放的SiCN的效果大。進而，SiCN如后所述，通過調節成膜條件，能使內部應力實質上為0，所以可以防止由鈍化層導致的剝落、施向元件的熱應力所致的電特性的劣化。光電轉換元件10以該光電轉換元件10的電池單體計得到約20%的能量轉換效率。另外，在連接這些光電轉換元件10而構成1. 15mX 1. 40m的太陽能電池組件的情況下， 得到307W的功率，組件中的能量轉換效率為18. 9%。以下，參照圖2A 圖2H，對圖1所示的光電轉換元件10以及光電轉換裝置1的制造方法進行說明。在該例中，使用本發明人等先前申請的日本特愿2008-153379號說明書提出的MSEP (Metal Surface-wave Excited Plasma)型等離子體處理裝置(具有下段氣體噴嘴或者下段氣體噴淋板的裝置以及不具有上述的裝置的任一種)作為第一 第八等離子體處理裝置，使用將這些等離子體處理裝置配置成群組型的系統，對上述情況進行說明。如圖2A所示，首先，在由鈉玻璃形成的玻璃基板14上，在5Τοπ·左右的低壓氣氛下形成厚度0. 2 μ m的鈉阻擋層16。接著，如圖2B所示，將形成有鈉阻擋層16的玻璃基板14，導向具有下段氣體噴嘴或者下段氣體噴淋板的第一等離子體處理裝置，形成厚度ι μ m的透明電極(TC0層)作為第一電極層20。在第一等離子體處理裝置中，通過摻雜( 形成η+型ZnO層。關于摻雜( 的η+型ZnO層，在第一等離子體處理裝置中，從上段氣體噴嘴將Kr以及02的混合氣體提供給腔室，使其產生等離子，從下段氣體噴嘴或者下段氣體噴淋板向在含有Kr以及氧的氣氛下生成的等離子中噴出Ar、Zn(CH3)2以及( (CH3)3的混合氣體，由此在鈉阻擋層16上使 n+型ZnO層進行了等離子體CVD成膜。接下來，在η+型SiO層(第一電極層20)上涂布了光致抗蝕劑之后，使用光刻技術將光致抗蝕劑形成圖案。在將光致抗蝕劑形成圖案之后，導向具有下段氣體噴嘴或者下段氣體噴淋板的第二等離子體處理裝置。在第二等離子體處理裝置中，將形成圖案的光致抗蝕劑作為掩模對n+型ZnO層進行選擇性蝕刻，如圖2C所示，在構成第一電極層20的η+型 ZnO層形成到達鈉阻擋層16的開口部。關于第二等離子體處理裝置中的蝕刻，是從上段氣體噴嘴向腔室供給Ar氣體，在由該Ar氣氛生成的等離子體中，從下段氣體噴嘴或者下段氣體噴淋板將Ar、Cl2, HBr的混合氣體提供給腔室。具有開口部的η.型ZnO層以及在該η.型ZnO層上涂布了光致抗蝕劑的狀態的玻璃基板14，被輸送給不具有下段氣體噴嘴或者下段氣體噴淋板的第三等離子體處理裝置， 在第三等離子體處理裝置中，在KrA)2等離子體氣氛下將光致抗蝕劑灰化除去。在除去光致抗蝕劑后，粘附有形成開口部的η+型ZnO層(第一電極層20)的玻璃基板14，被導入具有下段氣體噴嘴或者下段氣體噴淋板的第四等離子體處理裝置。在第四等離子體處理裝置中，首先，在開口部內以及η+型ZnO層(第一電極層20)的表面，SiCN利用等離子體CVD形成為絕緣層201之后，η+型ZnO層(第一電極層20)表面的SiCN在該第四等離子體處理裝置內被蝕刻除去。其結果，僅在η+ΖηΟ層(第一電極層20)的開口部內埋設絕緣層201。關于在第四等離子體處理裝置內的SiCN的成膜，從上段氣體噴嘴將Xe 以及NH3氣提供給腔室，使其產生等離子，從下段氣體噴嘴或者下段氣體噴淋板向腔室導入 Ar、SiH4, SiH(CH3) 3的混合氣體，實施CVD成膜而進行，接著對相同腔室切換導入氣體，從上段氣體噴嘴將Ar氣提供給腔室，使其發生等離子體，從下段氣體噴嘴或者下段氣體噴淋板將Ar和CF4的混合氣體導入到腔室，對η+型ZnO層(第一電極層20)表面的SiCN進行蝕刻除去。接下來，在該第四等離子體處理裝置內，通過依次切換導入氣體，利用連續CVD形成具有nip構造的發電層疊體22以及鎳層M。如圖2D所示，在第四等離子體處理裝置內， 使n+型a-Si層221、i型a_Si層222、p+型a_Si層223、以及鎳層M依次成膜。如果加以具體說明，則在第四等離子體處理裝置中，從上段氣體噴嘴將Ar以及吐的混合氣體提供給腔室，使其發生等離子體，從下段氣體噴嘴或者下段氣體噴淋板將Ar、SiH4、以及PH3的混合氣體導入到腔室，對n+型a-Si層221進行等離子體CVD成膜，接著，從上段氣體噴嘴繼續將Ar以及吐的混合氣體提供給腔室，使其發生等離子體，同時將來自下段氣體噴嘴或者下段氣體噴淋板的氣體從Ar、SiH4, PH3氣體切換成Ar+SiH4氣體并導入，由此使i型a_Si層 222成膜，進而，從上段氣體噴嘴繼續將Ar以及吐的混合氣體提供給腔室，使其發生等離子體，同時將來自下段氣體噴嘴或者下段氣體噴淋板的氣體Ar、SiH4氣體置換成Ar+SiH4+B2H6 氣體，由此使P+型a-Si層223成膜，接著，從上段氣體噴嘴繼續將Ar以及吐的混合氣體提供給腔室，使其發生等離子體，同時將來自下段氣體噴嘴或者下段氣體噴淋板的氣體從Ar、 SiH0B2H6氣體置換成為含有Ar和Ni的氣體的混合氣體，由此使鎳層M進行CVD成膜。在如此相同的MSEP型等離子體處理裝置中，依次切換導入氣體，由此進行6層的成膜 蝕刻，可以形成缺陷少的優異的膜，同時可以大幅度降低制造成本。搭載有鎳層M以及發電層疊體22的玻璃基板14，被從第四等離子體處理裝置導向光致抗蝕劑涂布機(狹縫涂布機)，在被涂布了光致抗蝕劑之后，利用光刻技術使光致抗蝕劑形成圖案。在光致抗蝕劑形成了圖案后，搭載有鎳層M以及發電層疊體22的玻璃基板14，與形成了圖案的光致抗蝕劑一起被導向具有下段氣體噴嘴或者下段氣體噴淋板的第五等離子體處理裝置中。在第五等離子體處理裝置中，以光致抗蝕劑為掩模，對鎳層M以及發電層疊體22進行選擇性蝕刻，如圖2E所示，形成到達第一電極層20的通孔224。S卩，在第五等離子體處理裝置中，4層被連續地蝕刻。如果加以具體說明，則關于鎳層M的蝕刻，從上段氣體噴嘴將Ar以及H2的混合氣體提供給腔室，使其發生等離子體，同時從下段氣體噴嘴或者下段氣體噴淋板向等離子體內噴出Ar、CH4的混合氣體，由此進行，接下來從上段氣體噴嘴繼續將Ar提供給腔室，使其發生等離子體，同時從下段氣體噴嘴或者下段氣體噴淋板噴出Ar+HBr氣體，由此進行由nip 的3層構成的發電層疊體22的蝕刻。通過第五等離子體處理裝置內的蝕刻形成了從鎳層M貫通到η.型ZnO層(第一電極層20)而到達第一電極層20的通孔2Μ的玻璃基板14，從第五等離子體處理裝置被移向前述的不具有下段氣體噴嘴或者下段氣體噴淋板的第三等離子體處理裝置，在從上段氣體噴嘴導入到腔室內的在KrA)2氣體氣氛下生成的等離子體內，將光致抗蝕劑灰化除去。除去光致抗蝕劑后的玻璃基板14，被移向具有下段氣體噴嘴或者下段氣體噴淋板的第六等離子體處理裝置，如圖2F所示，在鎳層M上成膜了厚度1 μ m的Al層作為第二電極層沈。Al層也在通孔224內成膜。關于該Al層的成膜，從上段氣體噴嘴將Ar以及H2的混合氣體提供給腔室，使其發生等離子體，同時從下段氣體噴嘴或者下段氣體噴淋板向在 ArZH2氣氛生成的等離子體中噴出Ar+Al (CH3)3氣體，由此來進行。接下來，在第二電極層沈的Al層上涂布了光致抗蝕劑之后，形成圖案，被導向具有下段氣體噴嘴或者下段氣體噴淋板的第七等離子體處理裝置內。在第七等離子體處理裝置中，從上段氣體噴嘴將Ar氣體提供給腔室，使其發生等離子體，同時從下段氣體噴嘴或者下段氣體噴淋板向在Ar氣氛下生成的等離子體內噴出 Ar+Cl2氣體，由此進行Al層的蝕刻，接下來，從上段氣體噴嘴將Ar以及吐的混合氣體提供給腔室，使其發生等離子體，同時從下段氣體噴嘴或者下段氣體噴淋板向在Ar/H2氣氛生成的等離子體內，導入Ar+CH4氣體，由此進行鎳層M的蝕刻，接著從上段氣體噴嘴將Ar氣體提供給腔室，使其發生等離子體，同時將來自下段氣體噴嘴或者下段氣體噴淋板的氣體切換成Ar+HBr氣體，蝕刻至p+型a_Si層223和i型a_Si層222的中途。其結果，如圖2G所示，形成自Al層(第二電極層26)表面到達i型a-Si層222的中途的孔225。該工序也使用相同的MSEP型等離子體處理裝置，通過依次切換氣體進行4層連續蝕刻，實現處理時間和成本的大幅度降低。接著，搭載有圖2G所示的元件的玻璃基板14，被移向前述的不具有下段氣體噴嘴或者下段氣體噴淋板的第三等離子體處理裝置，通過從上段氣體噴嘴導入到腔室的在Kr/ O2氣體氣氛生成的等離子體，將光致抗蝕劑灰化除去。含有去除了光致抗蝕劑后的Al層作為第二電極層沈的玻璃基板14，被導入到具有下段氣體噴嘴或者下段氣體噴淋板的第八等離子體處理裝置，通過CVD形成SiCN膜，由此在Al層(第二電極層26)上以及孔225內成膜有鈍化層觀，如圖2H所示，完成所希望的光電轉換元件10。關于SiCN的成膜，從上段氣體噴嘴將Xe以及NH3氣體提供給腔室，使其發生等離子體，從下段氣體噴嘴或者下段氣體噴淋板噴出Ar、SiH4, SiH(CH3)3氣體，由此來進行。在這里，關于SiCN膜的內部應力，如圖3所示，例如通過調節SiH(CH3)3氣體的濃度(即通過調節膜中的C含量)，可以使其實質上為0。在這里，作為SiCN的組成，最好是氮化硅Si3N4中含有(添加)低于10原子％的C，但可以添加2原子％ 40原子％。進而，在防護玻璃12上固定玻璃基板14，在鈍化層觀上借助先前描述的粘接劑層 29安裝散熱器30，由此完成光電轉換裝置1。如此，根據本實施方式，光電轉換裝置1，在散熱器30側的第二電極層沈上設置有由含有SiCN的材料構成的鈍化層28。S卩，光電轉換裝置1具有適于設置有散熱裝置的構造的鈍化層，進一步有助于發電效率的提高、耐氣候性。產業上的可利用性在以上描述的實施方式中，僅對nip構造的發電層疊體22全部由a_Si層形成的情況進行了說明，但i型a-Si層可以由結晶硅或微晶非晶硅形成，還可以由單晶Si層形成。另外，還可以在發電層疊體22上堆疊1個或其以上的發電層疊體。符號的說明I-光電轉換裝置10-光電轉換元件12-防護玻璃14-玻璃基板16-鈉阻擋層20-第一電極層(η+型ZnO層)22-發電層疊體100-基體221-η+型 a-Si 層222-i 型 a-Si 層223-p+ 型 a-Si 層24-鎳層(Ni 層)26-第二電極層(Al層)28-鈍化層(SiCN 層)201-絕緣層(SiCN 層)224-通孔224a-Si02 層30-散熱器
權利要求
1.一種光電轉換裝置，其特征在于，具有將入射光的能量轉換成電能的光電轉換元件、和設置于所述光電轉換元件的散熱部，所述光電轉換元件具有設置于與所述散熱部接觸的部分且由含有SiCN的材料構成的鈍化層。
2.如權利要求1所述的光電轉換裝置，其特征在于，所述光電轉換元件含有第一電極層、第二電極層、和在所述第一電極層以及第二電極層之間設置的1個或者多個發電層疊體，所述發電層疊體含有P型半導體層、與該P型半導體層接觸形成的i型半導體層、和與所述i型半導體層接觸形成的η型半導體層， 所述鈍化層設置于所述第二電極層。
3.如權利要求2所述的光電轉換裝置，其特征在于， 所述第一電極層是透明電極。
4.如權利要求1 3中任意一項所述的光電轉換裝置，其特征在于，所述發電層疊體的所述i型半導體層由結晶硅、微晶非晶硅、以及非晶硅的任一種形成。
5.如權利要求1 4中任意一項所述的光電轉換裝置，其特征在于，所述第一電極層中，所述η型半導體層所接觸的部分含有η型的&ι0，與所述第一電極層接觸的所述η型半導體層由非晶硅形成。
6.如權利要求1 5中任意一項所述的光電轉換裝置，其特征在于，與所述第二電極層接觸的所述P型半導體層由非晶硅形成，在所述第二電極層中至少所述P型半導體層所接觸的部分，形成有含有鎳(Ni)的層。
7.如權利要求1 6中任意一項所述的光電轉換裝置，其特征在于， 所述散熱部是由含有Al的材料構成的散熱器。
8.如權利要求1 7中任意一項所述的光電轉換裝置，其特征在于，所述SiCN具有在氮化硅Si3N4中添加了 2原子％ 40原子％的C的組成。
全文摘要
本發明的課題在于，提供一種適合于設置有散熱裝置的構造的具有鈍化層的光電轉換裝置，本發明的光電轉換裝置(1)具有第一電極層(20)、具有由a-Si(非晶硅)形成的nip構造的單一的發電層疊體(22)、以及在該發電層疊體(22)上隔著鎳層(24)成膜的Al的第二電極層(26)。在第二電極層(26)上形成由含有SiCN的材料構成的鈍化層(28)。在鈍化層28上隔著粘接劑層29安裝有散熱器30(例如由Al形成)。
文檔編號H01L31/04GK102473754SQ201080032318
公開日2012年5月23日 申請日期2010年7月26日 優先權日2009年7月31日
發明者大見忠弘 申請人:國立大學法人東北大學