光半導體裝置用引線框架及其制造方法以及光半導體裝置的制作方法

專利名稱：光半導體裝置用引線框架及其制造方法以及光半導體裝置的制作方法
技術領域：
本發明涉及光半導體裝置用弓I線框架及其制造方法、以及光半導體裝置。
背景技術：
光半導體裝置用引線框架例如被廣泛用作將LED (Light Emitting Diode,發光二極管)元件等光半導體元件即發光元件用于光源的各種顯示用/照明用光源的構成構件。該光半導體裝置例如在基板配置引線框架且在該引線框架上搭載有發光元件之后，為了防止由熱、濕氣、氧化等外部因素造成的發光元件或其周邊部位的劣化，而以樹脂將發光元件及其周圍密封。再者，在將LED元件用作為照明用光源的情形時，引線框架的反射材料被要求可 見光波長(400 700nm)的全區域的反射率較高(例如反射率為80%以上)。此外，近年 來，亦逐漸使用LED元件作為使用紫外線的測定/分析設備的光源，其反射材料被要求在近紫外區(波長340 400nm)的反射率較高。因此，對于用作照明用光源或用作上述測定/分析設備的光源時的光半導體裝置而言，反射材料的反射特性成為影響產品性能的極其重要的要素。又，作為實現發射出白色光的LED的方法，大致主要分為以下3種將發出紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)所有顏色的芯片排列3個的方法；對藍色LED芯片使用分散有黃色熒光體的密封樹脂的方法；以及對近紫外區的LED芯片使用分別分散有R、G、B的熒光體的密封樹脂的方法。以往，對藍色LED芯片使用分散有黃色熒光體的密封樹脂的方法為主流，但近年來由于顯色性的問題，使用在發光波長帶域中包含近紫外區的LED芯片的方法不斷受到關注。對應于這樣的要求，在安裝LED元件的引線框架上，大多情況下特別為了提高可見光區域的光反射率(以下稱為反射率)而形成有由銀或銀合金構成的層(覆膜)。已知銀的覆膜在可見光區域中的反射率較高，具體而言，已知在反射面形成鍍銀層(專利文獻I);或在形成銀或銀合金覆膜之后在200°C以上實施30秒以上的熱處理，使該覆膜的結晶粒徑成為O. 5 μ m 30 μ m(專利文獻2)等。專利文獻I :(日本)特開昭61-148883號公報專利文獻2 :(日本)特開2008-016674號公報然而，已知在如專利文獻I般僅單純地形成銀或其合金覆膜的情況下，特別是近紫外區域(波長340 400nm)的反射率明顯下降，無法避免可見光區域的約400nm附近至近紫外區域的300nm附近的反射率下降。又，已知若如專利文獻2般使銀或銀合金的覆膜的結晶粒徑成為O. 5 μ m 30 μ m，則可見光區域的反射率良好，但有時無法獲得近紫外區域(340 400nm)的反射率改善的效果。對此，關于詳細情況尚且不清楚，但可認為，僅簡單地調整結晶粒徑時無法看到反射率改善的效果，而與結晶粒徑不同的其它特性似有助于反射率改善。又，若藉由熱處理調整成上述結晶粒徑，則可能由于殘留氧的影響而使銀氧化，反而導致反射率下降，反射率改善無法獲得充分效果。再者，專利文獻2中，關于底層的表面粗糙度，有日本工業規格(JIS B0601)中規定的最大高度Ry為O. 5 μ m以上的記載，但電鍍法中底層的表面粗糙度對最表面的粗糙度的影響較大，若底層的表面粗糙度(最大高度)Ry為O. 5 μ m以上，則覆蓋于底層表面的銀或銀合金表面的粗糙度(最大高度)亦成為O. 5μπι以上的傾向極強。該情形下，為了藉由電鍍將凹凸完全覆蓋，需要采取增加覆蓋厚度等的對策，如此容易導致量產性下降，成本上升。又，于光的反射方面，反射層的粗糙度對正反射或擴散反射造成較大影響。另一方面，由于對于光半導體用引線框架的光學特性而言重要的是反射層的表面粗糙度，因此即便簡單地規定底層的粗糙度，亦無法規定反射層的光學特性。進而，近年來照明用途中開始積極采用LED，光的指向性變得重要。于反射層的表面粗糙度不適當時，指向性會產生偏差，故特別是照明用途中被期望指向性的適當控制，但專利文獻I及專利文獻2的技術內容中，并未公開對應于該期望的技術
發明內容
因此，本發明的課題在于提供一種光半導體裝置用引線框架及其制造方法，該光半導體裝置用引線框架用于LED、光電耦合器、光斷續器等，其近紫外區域(波長340 400nm)的反射率良好，且擴散反射率經適當調整，藉此可實現特別是對于照明用途或包含近紫外區域的測定/分析用途的光源而言為良好的光指向特性。本發明者們鑒于上述問題進行了仔細研究的結果，發現，在導電性基體上的最表面形成有由銀或銀合金構成的反射層的光半導體裝置用引線框架中，使其反射層的厚度為O. 2 5.0 μ m，且以X射線衍射法測定該反射層的銀或銀合金時，使(200)面的強度比為總計數值的20%以上，藉此可獲得波長340 400nm的近紫外區域的光的反射率優異的半導體裝置用引線框架，并基于該見解而完成了本發明。又，進一步考慮光的指向性的平衡時發現，藉由將反射層的表面粗糙度設定為以算術平均高度Ra計為O. 05 O. 30 μ m，可獲得特別是照明用途的指向特性的平衡良好的引線框架，從而完成了本發明。亦即，根據本發明可提供以下方式。(I) 一種光半導體用引線框架，其在導電性基體上的最表面形成有由銀或銀合金構成的反射層者，其特征在于，上述反射層的厚度為O. 2 5. O μ m，且以X射線衍射法測定該反射層的銀或銀合金時，(200)面的強度比為總計數值的20%以上。(2)如(I)所述的光半導體裝置用引線框架，其特征在于，上述反射層的表面粗糙度以算術平均高度Ra計為O. 05 O. 30 μ m。(3)如⑴或⑵所述的光半導體裝置用引線框架，其特征在于，上述導電性基體由銅、銅合金、鐵、鐵合金、鋁及鋁合金構成。(4)如(3)所述的光半導體裝置用引線框架，其特征在于，上述導電性基體的導電率以 IACS (International Annealed Copper Standard,國際退火銅標準)計為 10% 以上。(5)如⑴至(4)中任一項所述的光半導體裝置用引線框架，其特征在于，形成上述反射層的銀或銀合金由從銀、銀-錫合金、銀-銦合金、銀-銠合金、銀-釕合金、銀-金合金、銀-鈀合金、銀-鎳合金、銀-硒合金、銀-銻合金及銀-鉬合金所組成的組中選擇的材料構成。
(6)如(I)至(5)中任一項所述的光半導體裝置用引線框架，其特征在于，在上述導電性基體與上述反射層的間形成有至少一層以上的中間層，該中間層由從鎳、鎳合金、鈷、鈷合金、銅及銅合金所組成的組中選擇的金屬或合金構成。(7)如(6)所述的光半導體裝置用引線框架，其特征在于，上述中間層的厚度以總厚計為O. 2 2. O μ m。(8) 一種光半導體裝置用引線框架的制造方法，其是制造如上述(I)至(J)中任一項所述的半導體裝置用引線框架的方法，其特征在于，以電鍍法形成至少上述反射層。(9)如⑶所述的光半導體裝置用引線框架的制造方法，其特征在于，以上述電鍍法形成上述反射層時的電流密度為O. 005 lA/dm2。(10) 一種光半導體裝置，其具備上述(I)至(7)中任一項所述的半導體裝置用引線框架、及光半導體元件，其特征在于，至少在搭載上述光半導體元件的部位設有上述反射 層。根據本發明的光半導體裝置用引線框架，以O. 2 5. O μ m的厚度而形成由銀或銀合金構成的反射層，且使以X射線衍射法測定的該反射層的(200)面的強度比為總計數值的20%以上，藉此使近紫外區域即340 400nm的反射率提升，特別是發光波長包含近紫外區域的波長的搭載于光半導體芯片的LED可獲得良好的反射率。又，藉由將反射層的表面粗糙度Ra設定為O. 05 O. 30 μ m為好，可獲得特別是照明用途的指向性的平衡良好的引線框架。即，根據本發明，可提供遍及近紫外區域至可見光區域的廣范圍中反射特性良好，照明用途或包含近紫外區域的測定/分析用途的指向特性亦優異的光半導體裝置用引線框架。本發明的上述及其它特征及優點，可適當參照附圖并根據下述記載而清楚明了。


圖I是本發明的光半導體裝置用引線框架的第I實施方式的概略剖面圖。圖2是本發明的光半導體裝置用引線框架的第2實施方式的概略剖面圖。圖3是本發明的光半導體裝置用引線框架的第3實施方式的概略剖面圖。圖4是本發明的光半導體裝置用引線框架的第4實施方式的概略剖面圖。圖5是本發明的光半導體裝置用引線框架的第5實施方式的概略剖面圖。圖6是本發明的光半導體裝置用引線框架的第6實施方式的概略剖面圖。圖7是用以說明本發明的光半導體裝置用引線框架的上述各實施方式中的算術平均高度Ra的概略剖面圖。符號說明I:導電性基體2 :反射層2-1 :反射層的下層2-2 :反射層的表層3 :光半導體元件4:中間層
具體實施例方式
本發明的引線框架在導電性基體上的最表面具有由銀或銀合金構成的反射層，該反射層的厚度為O. 2 5.0 μ m，且根據日本工業規格JIS K 0131的「X射線衍射分析通貝U」以X射線衍射法對該反射層的銀或銀合金進行測定時，(200)面的強度比為總計數值的20%以上。藉由設定為此種構成，可充分提高近紫外區域(波長340 400nm)的反射率，特別是發光波長包含近紫外區域的波長的搭載于光半導體芯片的LED可獲得良好的反射率。若(200)面的定向未滿20%，則(111)面的定向優先變強，其結果，導致波長340 400nm的反射率未滿60%而特性惡化。此外，所謂總計數值，是指在X射線衍射法中以薄膜法進行測定時的所有計數值。此處，計算(200)面的計數值的比例時，是以{(200)面的計數值}/(所有計數值)X100(% )而計算出的值。此外，雖(200)面的定向的上限并無特別限制，但例如以電鍍法形成時，最大值約為40%。 又，本發明的光半導體裝置用引線框架中，例如以電鍍法制造時，為了在不受下層的定向性的影響的情況下調整(200)面的強度比，由銀或銀合金構成的反射層的厚度為
O.2 μ m以上是所需要的最小限度的厚度，藉此可靠性較高而可獲得穩定的反射率，且可確保長期可靠性。另一方面，藉由使反射層的厚度為5. Ομπι以下，可不使用必要程度以上的貴金屬而實現成本下降，而可提供善待環境的引線框架。另外其原因在于，長期可靠性的效果當反射層的厚度超過5. O μ m時即飽和。又，關于反射層的最表面的表面粗糙度，藉由將日本工業規格(JIS B0601 2001)中所規定的算術平均高度Ra控制為O. 05 O. 30 μ m,而可達成用作照明用途或測定/分析用途的良好指向特性，從而可均勻地照亮較廣范圍。藉由控制Ra，可控制擴散反射率相對于全反射率的比率，特別可使照明用途的指向性的平衡良好。此外，若Ra過小則正反射成分變得過強，搭載于LED時難以均勻地照射整體，相反地若Ra過大則擴散反射成分較強，故所取出的光量下降而照明效率變低。因此較理想的是，Ra = O. 10 O. 25 μ m，更理想的是Ra=O. 10 O. 15 μ m。其結果為，將擴散反射率相對于全反射率的比率在波長340 400nm中調整為45 85%，而可獲得就照明用途而言良好的指向特性。又，本發明的光半導體裝置用引線框架中，藉由使基體為銅或銅合金、鐵或鐵合金、鋁或鋁合金，如此反射率特性較佳且容易形成覆膜，而可提供亦有助于成本下降的引線框架。又，將此等金屬作為基體的引線框架系散熱特性優異，可將發光體發光時產生的熱量經由引線框架而順利地向外部釋放，而可望實現發光元件的長使用壽命化及長期的反射率特性的穩定化。其依存于基體的導電率IACS(International Annealed CopperStandard)，導電率越高則散熱性越優異。因此，導電率理想的是至少10%以上，更理想的是50%以上。該導電率只要為通常可獲得的值，則其上限值并無特別限制。又，形成本發明的光半導體裝置用引線框架的反射層的銀或銀合金系由從銀、銀-錫合金、銀-銦合金、銀-銠合金、銀-釕合金、銀-金合金、銀-鈀合金、銀-鎳合金、銀-硒合金、銀-銻合金及銀-鉬合金所組成的組中選擇的材料構成，藉此可獲得反射率良好且生產性佳的引線框架。又，本發明的光半導體裝置用引線框架中，在導電性基體與由銀或銀合金構成的反射層的間形成至少一層的中間層，該中間層由從鎳、鎳合金、鈷、鈷合金、銅及銅合金所組成的組中的金屬或合金構成，藉此可防止構成導電性基體的材料因發光元件發光時所產生的發熱而朝反射層擴散所導致的反射率特性的劣化，反射率特性長期穩定，且基體與由銀或銀合金構成的反射層的密接性亦提高。此處，該中間層的厚度考慮壓制性、成本、生產性、耐熱性等而決定。通常該中間層的總厚理想的是O. 2 2. O μ m，更加理想的是O. 5 2.0μπι。又，亦能以多個層形成中間層，但一般而言，考慮到生產性，設為2層以下為好。在形成2層以上的中間層的情況下，只要分別由上述金屬或合金(中間層構成材料)形成各層并使總計層厚在上述范圍內，則各層可由彼此相同的材料形成亦可由不同材料形成，其厚度亦可彼此相同或亦可不同。又，本發明的光半導體裝置用引線框架以電鍍法形成為好。關于其它形成方法雖有包覆法、濺射法，但此等方法難以控制厚度且成本變高。作為可以微米級適當控制厚度的制造方法，電鍍法較優異。又，作為本發明的光半導體裝置用引線框架的制造方法，在以電鍍法形成由銀或銀合金構成的反射層的情況下，將其鍍敷電流密度設定為O. 005 I. OA/dm2。其原因在于，藉由在使電流密度為I. OA/dm2以下的范圍內進行制造，可容易地將反射層的(200)面的定 向性調整為總計數值的20%以上，表面粗糙度亦可調整至適當范圍。若將電流密度提升至較上述大，則反射層的銀或銀合金會于(111)面優先定向，故導致近紫外區域(波長340 400nm)的反射率下降。再者，自生產性的觀點而言，理想的是O. 05 I. OA/dm2、更加理想的是O. 05 O. 5A/dm2的電流密度來進行制造。又，若以此等電流密度進行制造，則析出速度變得非常慢。因此，雖為了獲得必要的鍍敷厚度而必須調整處理時間或鍍敷槽長，但除此之外，例如藉由以該電流密度形成自反射層的最表面起到至少O. 2 μ m以上的深度的部分，亦可獲得目標定向性，反射率提高。以該電流密度自最表面起形成O. 2μπι以上的厚度的原因在于，該厚度在不受下層的定向性的影響的情況下調整(200)面的強度比所需要的最小限度的厚度。若自最表面起以該電流密度形成的厚度過薄，則會受到形成于下層的中間層或反射層的下層對定向的影響，故近紫外區域(340 400nm)的反射率低于60%的可能性變高。又，本發明的光半導體裝置，藉由至少于搭載光半導體元件的部位使用本發明的引線框架，而能以低成本而有效地獲得良好的反射率特性。其原因在于藉由僅于光半導體元件的搭載部形成由銀或銀合金構成的反射層，反射率特性的效果即可充分提高。此情形下，由銀或銀合金構成的反射層亦可局部地形成，例如亦能以條紋狀鍍敷或點狀鍍敷等的局部鍍敷形成。制造局部形成有反射層的引線框架時，可削減未形成反射層的部分的金屬使用量，故可制造出對環境的影響較少、且低成本的光半導體裝置。以下，使用附圖對本發明的光半導體裝置用引線框架的實施方式加以說明。在各圖中，表示將光半導體元件搭載于引線框架的狀態。此外，各實施方式只不過是一例，本發明的范圍不限定于各實施方式。圖I是本發明的光半導體裝置用引線框架的第I實施方式的概略剖面圖。本實施方式的引線框架在導電性基體I上形成有由銀或銀合金構成的反射層2，在反射層2的一部分表面上搭載有光半導體兀件3。在本發明中,本實施方式的引線框架為反射層2的以X射線衍射法測定的(200)面的強度比達到總計數值的20%以上，而成為近紫外區域至可見光區域的反射特性優異的光半導體裝置用引線框架。更加理想的是，反射層2的表面粗糙度以算術平均高度Ra計為O. 05 O. 30 μ m而形成，是光的指向特性的平衡優異的光半導體用引線框架。圖2是本發明的光半導體裝置用引線框架的第2實施方式的概略剖面圖。圖2所示的實施方式的引線框架與圖I所示的引線框架的不同之處在于，在導電性基體I與反射層2之間形成有中間層4。其它方面與圖I所示的引線框架相同。圖3是本發明的光半導體裝置用引線框架的第3實施方式的概略剖面圖。圖3所示的引線框架中，僅在搭載有光半導體元件3的部分及其附近形成有反射層2。該區域以外的部分則無益于光的反射，例如為由模塑樹脂所覆蓋的部分。本發明中，亦可如上述般僅在有助于光反射的部分形成由銀或銀合金構成的反射層2。本實施方式中，中間層4形成于導電性基體I的整個表面，但只要是介于導電性基體I與反射層2的間的方式，則亦可局部地形成。圖4是本發明的光半導體裝置用引線框架的第4實施方式的概略剖面圖。圖4所 示的引線框架與圖3所示的相同，僅在搭載有光半導體元件3的部分及其附近形成有反射層2，但反射層2為下層2-1和上層(表層)2-2的雙層構造。此處，反射層的上層2-2為以(200)面的強度比為總計數值的20%以上而形成的層，其厚度至少為O. 2μπι以上。如此，例如以鍍敷法形成反射層2的情況下，以常法的相對較高電流密度、例如I. 5A/dm2形成反射層的第I層(下層)2-1，其后，關于自反射層表面起到至少O. 2μπι以上的深度的反射層的第2層(上層)2-2，為了容易地將(200)面的強度比調整為總計數值的20%以上，可使鍍敷的電流密度為O. 005 I. 0A/dm2而形成。如此，藉由一邊改變鍍敷時的電流密度一邊形成上下2層的反射層，與以O. 005 I. OA/dm2來形成反射層的總厚度的情形相較可縮短制造時間，故為有效。圖5是本發明的光半導體裝置用引線框架的第5實施方式的概略剖面圖。圖5所示的是在導電性基體I設置凹部并于該凹部內側搭載光半導體元件3。如此實施方式所示，本發明的光半導體裝置用引線框架亦可適用于設有凹部以提高聚光性的引線框架形狀。圖6是本發明的光半導體裝置用引線框架的第6實施方式的概略剖面圖。圖6所示的是在導電性基體I設置凹部并于該凹部內側搭載光半導體元件3，而且僅在該凹部形成反射層2。在具有凹部的引線框架中，亦可僅在有助于光半導體元件發出的光的反射的部分設置反射層2。圖7是用以說明本發明的光半導體裝置用引線框架的實施方式中的算術平均高度Ra的概略剖面圖。圖7表示在形成有導電性基體I、中間層4、反射層2的引線框架中，反射層2的算術平均高度Ra為O. 05 O. 30 μ m的狀態。藉由如上述地控制Ra以控制擴散反射率相對于全反射率的比率，藉此可獲得上述優異效果，特別是照明用途的指向性的平衡變得良好。此外，作為Ra的控制方法，除了上述電流密度的調整以外，藉由調整實施鍍敷處理的處理時間的長短或調整鍍敷液成分的添加劑的種類、含量等，亦可適當控制Ra值。例如，雖會因鍍敷液中所用的添加劑的種類不同而使最適濃度或電流密度亦不同，但藉由降低添加劑的濃度或提高電流密度作為控制方法，即可獲得表面粗糙度具有更大的Ra值的反射層。另一方面，例如，藉由提高添加劑的濃度或降低電流密度，而可獲得表面粗糙度具有更小的Ra值的反射層。本發明的半導體裝置用引線框架的制造雖可使用任意方法，但理想的是由銀或銀合金構成的反射層2 (可為單層亦可為多個層的各層)及中間層4分別藉由電鍍法而形成。[實施例](實施例I)作為實施例I,對厚O. 3mm、寬50mm的表I所示的導電性基體進行以下所示的前處理后，實施以下所示的電鍍處理，藉此制作表I所示的構成的發明例I 25、參考例I、現有例I以及比較例I的引線框架。此外，在形成反射層之前，實施了厚O. Ο μπι的打底鍍銀。作為導電性基體而使用的材料中，“C19400 (Cu-Fe系合金材料Cu-2. 3Fe-0. 03P-0. 15Zn) ”、“C52100 (磷青銅Cu-8Sn-P) ”、“C26000 (黃銅:Cu_30Zn) ”、及“C72500 (Cu-Ni-Sn系合金材料Cu-9Ni_2. 4Sn) ”表示銅合金的基體，C后的數值表示依據CDA (Copper Development Association,銅業發展協會)規格的種類。再者，各元素前的數值的單位為質量％。
又，“A1100”、“A2014”、“A3003”、及“A5052”表示鋁或鋁合金的基體，分別在日本工業規格(Jis H 4000 2006等)中規定其成分。又，“SPCC”、及“SUS304”表示鐵系基體，“SUS304”表示日本工業規格(JIS G 4305 2005)規定的不銹鋼(含有18質量％的鉻及8質量％的鎳、其余部分系由鐵及不可避免的雜質構成的鐵基合金)，“SPCC”表示日本工業規格(JIS G 3141 :2009)規定的冷軋鋼板。(前處理條件)[電解脫脂]脫脂液Na0H60g/L脫脂條件2. 5A/dm2、溫度60°C、脫脂時間60秒、陰極脫脂[酸洗]酸洗液10%硫酸酸洗條件浸潰30秒、室溫[鋅置換]在基體為鋁的時使用鋅置換液NaOH500g/L、ZnO 100g/L、酒石酸(C4H6O6) 10g/L、FeCl22g/L處理條件浸潰30秒、室溫[打底鍍Ag]被覆厚度O.01 μ m鍍敷液KAg(CN) 25g/L、KCN 60g/L 鍍敷條件電流密度2A/dm2、鍍敷時間4秒、溫度25°C以下表示實施例I中使用的各鍍敷的鍍敷液組成及鍍敷條件。此外，在發明例I 25及鍍銀厚度薄于本發明的比較例I中，在0. 008 I. OA/dm2范圍內適當調整電流密度而調整了定向。另一方面，在現有例I中，將電流密度設定為常法的鍍敷條件即1.5A/dm2來制作。在表I中表示該等電流密度條件。(鍍敷條件)[鍍Ag]發明例I 15與18 25、參考例I及比較例I中的反射層形成條件鍍敷液AgCN50g/L、KCN 100g/L、K2CO3 30g/L鍍敷條件電流密度0. 008 I. OA/dm2、溫度30°C[鍍Ag]現有例I中的反射層形成條件鍍敷液AgCN50g/L、KCN 100g/L、K2CO3 30g/L
鍍敷條件電流密度1. 5A/dm2、溫度30 V[鍍Ag-Sn合金]發明例16中的反射層形成條件鍍敷液KCN100g/L、Na0H 50g/L、AgCN 10g/L、K2Sn (OH) 680g/L鍍敷條件電流密度I A/dm2、溫度40 V[鍍Ag-Pd合金]發明例17中的反射層形成條件鍍敷液KAg(CN) 220g/L、PdCl225g/L、K407P260g/L、KSCN 150g/L鍍敷條件電流密度O. 25A/dm2、溫度40°C[鍍Ni]中間層形成條件 鍍敷液Ni(SO3NH2) 2 · 4H20 500g/L、NiCl230g/L、H3B0330g/L鍍敷條件電流密度5A/dm2、溫度50 V[鍍Co]中間層形成條件鍍敷液Co(SO3NH2)2 · 4H20 500g/L、CoCl230g/L、H3B0330g/L鍍敷條件電流密度5A/dm2、溫度50°C[鍍Cu]中間層形成條件鍍敷液=CuSO4· 5H20 250g/L、H2SO4 50g/L、NaCl O. lg/L鍍敷條件電流密度6A/dm2、溫度40 V又，反射層的銀或銀合金的(200)面強度比由如下的強度比測定方法而求出。即，在X射線衍射法中，使用X射線分析裝置(RAD-A =Rigaku股份有限公司制造)，利用薄膜法以測定角度2 Θ = 20 100°、X射線的入射角為1°而進行測定，計算出此時的(200)面方位強度與總強度值(總計數值)之比，將該比作為(200)面強度比。結果示于表I中。此外，本實施例中得到的試樣的反射層均為I層，對于該反射層的表面粗糙度，使用接觸式表面粗糙度儀(SE-30H:商品名，小坂研究所(股)制造)以測定距離4mm測定任意3個部位的平均值，結果所有樣品中Ra均為O. 13 O. 15 μ m。[表I]
權利要求
1.一種光半導體裝置用引線框架，其在導電性基體上的最表面形成有由銀或銀合金構成的反射層，其特征在于， 上述反射層的厚度為0. 2 5. O i! m，且以X射線衍射法測定上述反射層的銀或銀合金時，(200)面的強度比為總計數值的20%以上。
2.如權利要求I所述的光半導體裝置用引線框架，其特征在于，上述反射層的表面粗糙度以算術平均高度(Ra)計為0. 05 0. 30 ii m。
3.如權利要求I或2所述的光半導體裝置用引線框架，其特征在于，上述導電性基體由銅、銅合金、鐵、鐵合金、招或招合金構成。
4.如權利要求3所述的光半導體裝置用引線框架，其特征在于，上述導電性基體的導電率以IACS計為10%以上。
5.如權利要求I 4中任一項所述的光半導體裝置用引線框架，其特征在于，形成上述反射層的銀或銀合金由從銀、銀-錫合金、銀-銦合金、銀-銠合金、銀-釕合金、銀-金合金、銀-鈀合金、銀-鎳合金、銀-硒合金、銀-銻合金及銀-鉬合金所組成的組中選擇的材料構成。
6.如權利要求I 5中任一項所述的光半導體裝置用引線框架，其特征在于，在上述導電性基體與上述反射層之間形成有至少一層以上的中間層，該中間層由從鎳、鎳合金、鈷、鈷合金、銅及銅合金所組成的組中選擇的金屬或合金構成。
7.如權利要求6所述的光半導體裝置用引線框架，其特征在于，上述中間層的厚度以總厚計為0. 2 2. Oii m。
8.一種光半導體裝置用引線框架的制造方法，其是制造權利要求I 7中任一項所述的半導體裝置用引線框架的方法，其特征在于，以電鍍法形成至少上述反射層。
9.如權利要求8所述的光半導體裝置用引線框架的制造方法，其特征在于，以上述電鍍法形成上述反射層時的電流密度為0. 005 lA/dm2。
10.一種光半導體裝置，其具備權利要求I 7中任一項所述的半導體裝置用引線框架、及光半導體元件，其特征在于，至少在搭載上述半導體元件的部位設有上述反射層。
全文摘要
本發明提供一種光半導體裝置用引線框架及其制造方法、以及使用該光半導體裝置用引線框架的光半導體裝置。本發明的光半導體裝置用引線框架在導電性基體1上的最表面形成有由銀或銀合金構成的反射層2，其中，上述反射層的厚度為0.2～5.0μm，且以X射線衍射法測定上述反射層的銀或銀合金時，(200)面的強度比為總計數值的20％以上。
文檔編號H01L33/60GK102804429SQ201080031370
公開日2012年11月28日 申請日期2010年6月23日 優先權日2009年6月24日
發明者小林良聰, 菊池伸 申請人:古河電氣工業株式會社