El顯示面板、el顯示裝置以及el顯示面板的制造方法

專利名稱：El顯示面板、el顯示裝置以及el顯示面板的制造方法
技術領域：
本發明涉及薄膜半導體裝置和使用了它的EL顯示面板、EL顯示裝置以及EL顯示面板的制造方法，尤其涉及用于有源矩陣方式的顯示裝置的薄膜半導體裝置及其制造方法。
背景技術：
以往，在液晶顯示裝置或有機EL顯示裝置等有源矩陣驅動型的顯示裝置中，使用薄膜晶體管(TFT:Thin Film Transistor)作為選擇像素的開關元件或驅動像素的驅動元件。薄膜晶體管用于顯示裝置的有源矩陣基板，當前，正在積極進行面向高性能化的開發。尤其是隨著顯示裝置的大型化、高精細化，要求薄膜晶體管的高驅動能力，在這其中使用已結晶的半導體薄膜(多晶硅、微晶硅)作為溝道層(活性層)正受到關注。作為半導體薄膜的結晶化工藝，取代已經確立的采用1000°C以上的處理溫度的高溫工藝技術，開發出采用600°C以下的處理溫度的低溫工藝。在低溫工藝中，無需使用耐熱性優良的石英等高價基板，能夠謀求制造成本的降低。作為低溫工藝的一個環節，使用激光束進行加熱的激光退火正受到關注。在該激光退火中，對在玻璃等低耐熱性絕緣基板上成膜的非晶硅等非單晶性的半導體薄膜，照射激光束，使局部加熱熔融，然后在其冷卻過程中使半導體薄膜結晶。該結晶了的半導體薄膜中載流子的遷移率變高，因此能夠使薄膜晶體管高性能化(例如，參照專利文獻1)。另外，作為薄膜晶體管的構造，以柵電極配置在溝道層之下的底柵(bottom gate) 型構造為主流。以下，使用圖25、圖26A 圖^C以及圖27說明以往的底柵型薄膜晶體管。 圖25是顯示裝置的1個像素中的現有的顯示裝置用薄膜半導體裝置的俯視圖。圖26A是沿著圖25的Χ1-ΧΓ線剖切的、現有的顯示裝置用薄膜半導體裝置的剖面圖。圖26B是沿著圖25的X2-X2’線剖切的、現有的顯示裝置用薄膜半導體裝置的剖面圖。圖26C是沿著圖25的Y-Y，線剖切的、現有的顯示裝置用薄膜半導體裝置的剖面圖。圖27是與圖26A對應的、表示從圖25的Χ1-ΧΓ的剖面觀察時的現有的顯示裝置用薄膜半導體裝置的主要部分的立體圖。如圖25、圖26A 圖^C以及圖27所示，現有的顯示裝置用薄膜半導體裝置9具有沿著像素的行方向(橫方向)形成的柵極布線921、沿著像素的列方向(縱方向)形成的源極布線922、以及設置在柵極布線921和源極布線922交叉的部位的薄膜晶體管910。如圖26A所示，薄膜晶體管910為底柵型薄膜晶體管，是在基板900上依次形成的柵電極910G、柵極絕緣膜930、半導體層911(溝道層)以及源電極910S和漏電極910D所構成的層疊構造體。如圖25和圖26A所示，柵電極9IOG從柵極布線921延伸設置，形成在與柵極布線 921同層的第1金屬層ML1，。柵極絕緣膜930以覆蓋柵極布線921和柵電極910G的方式形成在基板900上。半導體層911以與柵電極910G重疊的方式在柵極絕緣膜930上呈島狀形成。源電極910S和漏電極910D形成為與半導體層911的一部分重疊，另外分離配置以使它們相互對置。源電極910S和漏電極910D形成在與源極布線922同層的第2金屬層 ML2’。另外，以覆蓋薄膜晶體管910、柵極布線921以及源極布線922的方式層疊有層間絕緣膜940。在此，在底柵型的薄膜晶體管910中，通過在柵電極910G上形成非晶硅，激光退火進行結晶化，形成半導體層911的情況下，在非晶硅的熔融時激光退火的熱通過柵電極 910G而發散。因此，為了抑制激光退火的熱的發散，優選采用熱傳導率小的材料構成柵電極 910G。另一方面，對于柵極布線921而言，若布線電阻高，則會出現信號延遲，或者由于電壓降而導致顯示裝置的發光輝度不均。特別是在顯示裝置的面板面積大型化、驅動頻率變大時，布線電阻的影響會變大。因此，柵極布線921優選以電阻率(比電阻)低的材料構成。如上所述，由于柵電極910G和柵極布線921形成在同一層上，因此往往以同一材料構成。因此，若從上述的半導體層911的結晶的觀點考慮，以熱傳導率小的材料構成柵電極910G，則柵極布線921也以相同的熱傳導小的材料構成。另一方面，若從柵極布線921的布線電阻的觀點考慮，以電阻率低的材料構成柵極布線921，則也以相同的電阻率低的材料構成柵電極910G。但是，熱傳導率小的金屬材料幾乎都是電阻率高的物質，難以同時滿足半導體層 911的結晶的觀點和柵極布線921的布線電阻的觀點的雙方。因此，以往提出了同時滿足上述兩個觀點的顯示裝置用薄膜半導體裝置(參照專利文獻2)。在專利文獻2中，公開了下述技術以兼顧柵電極的熱傳導性和柵極布線的低電阻化為目的，設為將柵極布線分成2個部分的結構。即，在專利文獻2的顯示裝置用薄膜半導體裝置中，柵極布線由與柵電極一體地形成的一體部、和介由接觸孔與該一體部連接的分體部構成。另外，成為使柵極布線的一體部和源極布線夾著柵極絕緣膜立體交叉的構造。并且，對于柵電極和柵極布線的一體部，使用具有比柵極布線的分體部低的熱傳導率的材料。另一方面，對于柵極布線的分體部，使用具有比柵電極低的電阻率的材料。專利文獻1 日本特開平07-235490號公報專利文獻2 日本特開2007-047808號公報

發明內容
但是，在專利文獻2所公開的顯示裝置用薄膜半導體裝置中，柵電極和柵極布線的一體部采用相同的材料構成，因此若以熱傳導率低的材料構成柵電極，則柵極布線的一體部的電阻率變高，導致高電阻化。其結果，會出現無法充分地降低柵極布線的布線電阻、 顯示裝置的發光輝度產生不均的問題。另外，柵極布線中的一體部和分體部按各像素介由接觸孔而連接，因此也會有在一體部和分體部的連接部分中產生頂降(在布線上產生的電流I和電阻R之乘積所得到的電壓降)的問題。而且，由于1行的柵極布線為一體部和分體部為交替地連接的構造，因此只要一體部和分體部的連接部分中的一個部位出現連接不良，也就會出現沿著柵極布線的1行所有的像素變得不良的問題。另外，柵電極與漏電極之間的間隔由柵極絕緣膜的膜厚所規定。柵極絕緣膜的膜厚為例如200nm左右。若從與柵電極設置在同一層的柵極布線延伸設置柵電極，從與漏電極設置在同一層的電源布線延伸設置所述漏電極，則柵極布線與漏極布線之間的間隔也與柵電極和漏電極之間的間隔同樣，成為柵極絕緣膜的膜厚即200nm左右。此時，在柵極布線與電源布線交叉的區域中，柵極布線與漏極布線的間隔狹小，因此存在柵極布線與電源布線之間的寄生電容變大的問題。因該寄生電容有可能會導致顯示裝置的發光輝度產生不均。另外，為了減小寄生電容即使使柵極絕緣膜的膜厚變厚，但由于為了保障作為薄膜半導體裝置的性能而存在局限性，所以也無法增厚得那么多。進而，在例如為EL顯示裝置的情況下，在各像素中用于對具有發光層的EL部提供電源的EL輔助電源線被設置在EL部，因此EL電源線導致顯示裝置的面板的開口率降低， 結果會出現無法足夠得到EL顯示裝置的壽命的問題。另外，多個像素的電源布線按各像素設置，因此薄膜晶體管的配置空間就會受到布線空間的限制。本發明是為了解決上述問題而作出的，其目的在于，提供一種EL顯示面板，該EL 顯示面板中發光輝度不會產生不均、能夠提高壽命、薄膜晶體管的配置區域不會受到布線空間的限制。本發明的一個技術方案的EL顯示面板，具有EL部和控制所述EL部的發光的薄膜半導體部，所述EL部包括陽極電極、陰極電極、以及介于所述陽極電極和所述陰極電極之間的發光層，所述薄膜半導體部具備基板；柵電極，其形成在基板上；柵極絕緣膜，其以覆蓋所述柵電極的方式形成在所述基板上；半導體層，其形成在所述柵極絕緣膜上并在所述柵電極的上方；第1電極，其形成在所述半導體層的上方；第2電極，其與所述第1電極形成在同一層；層間絕緣膜，其覆蓋所述第1電極和所述第2電極形成在所述柵極絕緣膜的上方、是與形成有所述柵電極的層不同的層；柵極布線，其配置在所述層間絕緣膜上；電源布線，其在形成有所述柵極布線的所述層間絕緣膜上與所述柵極布線同層、并且與所述柵極布線并行地配置；以及輔助布線，其在所述層間絕緣膜上與所述柵極布線和所述電源布線同層、并且與所述柵極布線和所述電源布線并行地配置，所述柵電極和所述柵極布線介由設置成貫穿所述柵極絕緣膜和所述層間絕緣膜的第1導電部電連接，所述第1電極和所述第2電極中的任一方與所述電源布線介由設置成貫穿所述層間絕緣膜的第2導電部電連接，所述輔助布線與所述陰極電極電連接。根據本發明的EL顯示面板，能夠將柵極布線和柵電極在不同的層構成，因此可選擇適合于各自的材料，降低布線電阻、提高EL顯示面板的發光輝度。另外，作為TFT電源線的電源布線與柵極布線形成在同一層，因此能夠降低在電源布線與柵極布線之間產生的寄生電容。另外，作為EL電源線的輔助布線與柵極布線形成在同一層，因此無需在EL部設置輔助布線，因此可提高EL顯示面板的開口率(aperture ratio)，提高壽命。進而，電源布線和輔助布線形成在與柵極布線同一層，并且與柵極布線并行地配置，因此能夠通過電源布線和輔助布線減少層間絕緣膜上的因柵極布線產生的凹凸。由此， 能夠使平坦度提高、提高EL顯示面板的壽命。
進而，由于將多個像素的電源布線共用地設置，因此可減少按各像素設置的電源布線的配置空間。因此，能夠提供一種薄膜晶體管的配置空間不受到布線空間限制的EL顯示面板。


圖1是本發明第1實施方式的EL顯示面板的局部剖切立體圖。圖2是示出本發明第1實施方式的EL顯示面板中的顯示裝置用薄膜半導體陣列裝置的母基板的圖。圖3是本發明第1實施方式的EL顯示面板的一個像素的電路構成圖。圖4是示意是表示出本發明第1實施方式的EL顯示面板中的一個像素的一部分的像素結構的剖面圖。圖5是本發明第1實施方式的EL顯示面板中的顯示裝置用薄膜半導體陣列裝置的俯視圖。圖6是本發明第1實施方式的EL顯示面板中的顯示裝置用薄膜半導體陣列裝置 (一部分透過)的俯視圖。圖7是本發明第1實施方式的EL顯示面板中的顯示裝置用薄膜半導體陣列裝置 (一部分透過)的俯視圖。圖8是本發明第1實施方式的EL顯示面板中的顯示裝置用薄膜半導體裝置的俯視圖。圖9是本發明第1實施方式的EL顯示面板中的顯示裝置用薄膜半導體裝置(一部分透過)的俯視圖。圖10是本發明第1實施方式的EL顯示面板中的顯示裝置用薄膜半導體裝置(一部分透過)的俯視圖。圖11是本發明第1實施方式的EL顯示面板中的顯示裝置用薄膜半導體裝置的剖面圖(圖8的Χ1-ΧΓ線剖面圖)。圖12是本發明第1實施方式的EL顯示面板中的顯示裝置用薄膜半導體裝置的剖面圖(圖8的X2-X2’線剖面圖)。圖13是本發明第1實施方式的EL顯示面板中的顯示裝置用薄膜半導體裝置的剖面圖(圖8的X3-X3’線剖面圖)。圖14是圖9的顯示裝置用薄膜半導體裝置的立體圖。圖15是圖9的顯示裝置用薄膜半導體裝置的立體圖。圖16A是表示第1實施方式的EL顯示面板的制造工序的剖面圖。圖16B是表示第1實施方式的EL顯示面板的制造工序的剖面圖。圖16C是表示第1實施方式的EL顯示面板的制造工序的剖面圖。圖16D是表示第1實施方式的EL顯示面板的制造工序的剖面圖。圖16E是表示第1實施方式的EL顯示面板的制造工序的剖面圖。圖16F是表示第1實施方式的EL顯示面板的制造工序的剖面圖。圖16G是表示第1實施方式的EL顯示面板的制造工序的剖面圖。圖16H是表示第1實施方式的EL顯示面板的制造工序的剖面圖。
圖161是表示第1實施方式的EL顯示面板的制造工序的剖面圖。圖16J是表示第1實施方式的EL顯示面板的制造工序的剖面圖。圖17是用于說明本發明第1實施方式的顯示裝置用薄膜半導體裝置中的薄膜晶體管的TFT特性的圖。圖18是本發明第1實施方式的變形例的EL顯示面板中的顯示裝置用薄膜半導體裝置的剖面圖。圖19是本發明第2實施方式的EL顯示面板中的顯示裝置用薄膜半導體裝置的俯視圖。圖20是本發明第2實施方式的EL顯示面板中的顯示裝置用薄膜半導體裝置的剖面圖(圖19的X2-X2’線剖面圖)圖21是用于說明本發明第2實施方式的顯示裝置用薄膜半導體裝置中的薄膜晶體管的TFT特性的圖。圖22是本發明第2實施方式的變形例的EL顯示面板中的顯示裝置用薄膜半導體裝置的剖面圖。圖23A是表示本發明的EL顯示面板的一例的剖面立體圖。圖2 是表示本發明的EL顯示面板的其他例的剖面立體圖。圖M是表示本發明的EL顯示裝置的一例的外觀立體圖。圖25是顯示裝置的1個像素中的現有的顯示裝置用薄膜半導體裝置的俯視圖。圖^A是現有的顯示裝置用薄膜半導體裝置的剖面圖(圖25的Χ1-ΧΓ線剖面圖)。圖26B是現有的顯示裝置用薄膜半導體裝置的剖面圖(圖25的X2-X2’線剖面圖)。圖^C是現有的顯示裝置用薄膜半導體裝置的剖面圖(圖25的Y-Y'線剖面圖)。圖27是表示從圖25的Χ1-ΧΓ的剖面觀察時現有的顯示裝置用薄膜半導體裝置的主要部分的立體圖。附圖標記說明1 =EL顯示面板2、2’、3、3’、9 顯示裝置用薄膜半導體裝置(薄膜半導體部)10 有機EL元件(EL部)12:下部電極(陽極電極)13:有機EL層(發光層)14 上部電極(陰極電極)15 提20 顯示裝置用薄膜半導體陣列裝置(薄膜半導體部)21,921 柵極布線22,922 源極布線23 電源布線25 輔助布線30:像素電路
100 像素100R、100G、100B 子像素111 第1接觸部(第1導電部)112:第2接觸部(第2導電部)113:第3接觸部114:第4接觸部115:第5接觸部(第3導電部)120:電極部300、900 基板300C:電容器301 非晶性半導體膜310 第1薄膜晶體管310D:第1漏電極310G:第1柵電極310S:第1源電極311:第1半導體層311A、321A 第 1 溝道層311B、321B 第 2 溝道層320:第2薄膜晶體管320D:第2漏電極320G:第2柵電極320S:第2源電極321:第2半導體層330、930 柵極絕緣膜340:第1層間絕緣膜350:第2層間絕緣膜400 平板電視系統(EL顯示裝置)910 薄膜晶體管910D:漏電極910G:柵電極910S:源電極911:半導體層940:層間絕緣膜
具體實施例方式本發明的EL顯示面板的一個方式，具有EL部和控制所述EL部的發光的薄膜半導體部，所述EL部包括陽極電極、陰極電極、以及介于所述陽極電極和所述陰極電極之間的發光層，所述薄膜半導體部具備基板；柵電極，其形成在基板上；柵極絕緣膜，其以覆蓋所述柵電極的方式形成在所述基板上；半導體層，其形成在所述柵極絕緣膜上并在所述柵電極的上方；第1電極，其形成在所述半導體層的上方；第2電極，其與所述第1電極形成在同一層；層間絕緣膜，其覆蓋所述第1電極和所述第2電極形成在所述柵極絕緣膜的上方、是與形成有所述柵電極的層不同的層；柵極布線，其配置在所述層間絕緣膜上；電源布線，其在形成有所述柵極布線的所述層間絕緣膜上與所述柵極布線同層、并且與所述柵極布線并行地配置；以及輔助布線，其在所述層間絕緣膜上與所述柵極布線和所述電源布線同層、并且與所述柵極布線和所述電源布線并行地配置，所述柵電極和所述柵極布線介由設置成貫穿所述柵極絕緣膜和所述層間絕緣膜的第1導電部電連接，所述第1電極和所述第2電極中的任一方與所述電源布線介由設置成貫穿所述層間絕緣膜的第2導電部電連接，所述輔助布線與所述陰極電極電連接。根據本方式，柵極布線和電源布線并不夾著對EL顯示面板中的薄膜半導體部的特性帶來影響的柵極絕緣膜配置，而是配置在不會對薄膜半導體部的特性帶來影響的層間絕緣膜上。因此，能夠防止由于無法將柵極絕緣膜的膜厚設計得厚而產生在柵極布線與電源布線之間的寄生電容。并且，柵極布線和電源布線分別配置在與柵電極、第1電極和第2電極不同的層，因此能夠將柵極布線和電源布線在層間絕緣膜上平行地配置。因此，柵極布線和電源布線配置在作為同一層的層間絕緣膜上。因此，不會產生柵極布線和電源布線的交叉點 (crosspoint)。其結果能夠使因存在柵極布線與電源布線交叉的區域而產生寄生電容得到完全防止。進而，根據本方式，將用于防止伴隨EL顯示面板的大畫面化而在顯示畫面的中央區域產生的電壓降的輔助布線(EL電源線)設置在薄膜半導體部而不是設置在EL部。而且，將該輔助布線在作為薄膜半導體的上部的層間絕緣膜的上面，與柵極布線和電源布線一起并行地配置。因此，能夠有效地靈活運用已應用在柵極布線和電源布線的配置中的既有層，還配置了輔助布線。其結果，將設置在EL部的輔助布線轉移到薄膜半導體部的既有層，由此能夠對薄膜半導體部不會帶來空間上的負擔、開放配置了 EL部的輔助布線的空間。因此，能夠擴大所述EL部的設計的自由度，使EL部所包括的各像素的開口率增大。另外，根據本方式，電源布線和輔助布線形成在與柵極布線同一層并與柵極布線并行地配置，因此能夠通過電源布線和輔助布線使層間絕緣膜上的因柵極布線所產生的凹凸減少。由此，能夠使平坦度提高，使EL顯示面板的壽命提高。進而，根據本方式，將電源布線共用地配置在層間絕緣膜上，例如，從共用的電源布線對紅、綠、藍的各像素提供電源即可，所以不需要例如按紅、綠、藍的各像素單獨地配置電源布線，相應地例如能夠削減紅、綠、藍的各像素的電源布線的配置空間。由此，能夠提供一種擴大晶體管設計的自由度、晶體管的配置空間不受布線空間限制的EL顯示面板。另外，在本發明的EL顯示面板的一個方式中，所述電源布線和所述輔助布線優選形成在與所述柵極布線相同或預定的近似值的高度。根據本方式，能夠進一步減少因層間絕緣膜上的柵極布線產生的凹凸。由此，能夠使平坦度進一步提高，提高EL顯示面板的壽命。另外，在本發明的EL顯示面板的一個方式中，優選所述電源布線和所述輔助布線配置在所述柵極布線和與所述柵極布線并行、與所述柵極布線相鄰的其他柵極布線之間， 組合所述電源布線和所述輔助布線這兩者而得到的寬度對應于所述柵極布線和與所述柵
11極布線并行配置的與所述柵極布線相鄰的其他柵極布線之間的寬度，并使與相鄰的2個所述柵極布線接近地配置以使得填埋相鄰的2個所述柵極布線之間。在僅有柵極布線形成在層間絕緣膜上的情況下，薄膜半導體部的上面比未形成柵極布線的區域突出與柵極布線的膜厚相應的量。另一方面，根據本方式，為了進行薄膜半導體部的上面平坦化，使用電源布線和輔助布線，并且組合電源布線和輔助布線這兩者而得到的寬度對應于柵極布線和與柵極布線平行且與柵極布線相鄰的其他柵極布線之間的寬度，因此，在該薄膜半導體部上配置具有 EL元件的EL部來構成EL顯示面板的情況下，EL部難以受到成為其下層的薄膜半導體部的上面的凹凸的影響。其結果，使用作為既有材料的電源布線和輔助布線以簡單的結構確保平坦性，能夠容易地防止由于平坦性不充分導致的壽命降低。另外，在本發明的EL顯示面板的一個方式中，所述柵極布線與所述電源布線的距離、所述電源布線與所述輔助布線的距離、所述輔助布線與所述柵極布線的距離優選分別在4μ m以上。根據本方式，將柵極布線、電源布線和輔助布線配置成相互不影響，能夠使薄膜半導體部的平坦性提高。另外，在本發明的EL顯示面板的一個方式中，優選所述電源布線和所述輔助布線的至少一方具有比所述柵極布線的寬度寬的寬度。根據本方式，通過將電源布線設為寬度大的布線，能夠使用電源布線使薄膜半導體部的上面平坦化。例如，在該薄膜半導體部上配置具有EL元件的EL部來構成EL顯示面板時，EL部受到成為其下層的薄膜半導體部的上面的凹凸的影響。通過將電源布線設為寬度大的布線，使用作為既有材料的電源布線以簡單的結構確保平坦性，能夠容易地防止由于平坦性不充分導致的壽命降低。另外，通過將電源布線設為寬度大的大致為平板形狀的布線，能夠將電源布線設為低電阻的布線。因此，從布線電阻低的電源布線對第1電極或第2電極直接進行電源供給，所以針對伴隨EL顯示面板的大畫面化而在顯示區域的中央區域產生的電壓下降aR 降)，能夠大幅度地降低其下降量。 另外，在本發明的EL顯示面板的一個方式中，優選所述半導體層為P溝道型，所述電源布線形成為與所述半導體層重疊。在薄膜半導體部的溝道區域中，在半導體層表面與層間絕緣膜表面存在制造時的晶格缺陷。若產生該晶格缺陷，則產生不穩定的界面態(interface state)，會導致溝道區域的背溝道的電位不穩定。根據本方式，在半導體層為ρ溝道型的薄膜半導體部的溝道區域的上方，為由正電位的電源布線或輔助布線覆蓋在層間絕緣膜上的結構。由此，能夠使背溝道的電位穩定。 其結果能夠實現抑制薄膜半導體部的截止泄漏，因此能夠實現具有截止特性優異的薄膜半導體部的EL顯示面板。另外，在本發明的EL顯示面板的一個方式中，優選所述半導體層為η溝道型，所述電源布線和所述輔助布線形成為與所述半導體層不重疊。在半導體層為η溝道型的薄膜半導體部的溝道區域的上方，正電位的電源布線和輔助布線的至少一方覆蓋在層間絕緣膜上時，在溝道區域的背溝道感應出負載流子，因此由負載流子產生電流。由這樣產生的載流子，電流變為薄膜半導體部的截止態泄漏電流。因此，即便不施加柵極電壓也會產生電流，因此會使薄膜半導體部的截止態特性降低。根據本方式，能夠避免由于輔助布線而在η溝道型TFT的背溝道感應出載流子。其結果能夠實現抑制薄膜半導體部的截止態泄漏，因此能夠實現具有截止態特性優異的薄膜半導體部的EL顯示面板。另外，在本發明的EL顯示面板的一個方式中，優選所述第1電極為源電極，所述第 2電極為漏電極。根據本方式，能夠將第1電極設為源電極，將第2電極設為漏電極。另外，在本發明的EL顯示面板的一個方式中，優選所述第1電極為漏電極，所述第 2電極為源電極。根據本方式，能夠將第1電極設為漏電極，將第2電極設為源電極。另外，在本發明的EL顯示面板的一個方式中，優選所述半導體層包括多晶性半導體層。根據本方式，能夠通過多晶性半導體層使載流子的遷移率提高。由此，能夠實現具有導通特性優異的薄膜晶體管的EL顯示面板。另外，在本發明的EL顯示面板的一個方式中，優選構成所述電源布線和所述輔助布線的材料包括Al、Cu、Ag中的任一種。根據本方式，電源布線和輔助布線能夠以包括在布線用材料中電阻率小的Al、Cu、 Ag的材料構成，因此能夠進一步減小電源布線和輔助布線的電阻。另外，在本發明的EL顯示面板的一個方式中，優選所述EL部作為所述發光層，為具有有機發光層的有機EL部。根據本方式，能夠實現顯示性能優異的EL顯示面板。另外，本發明的EL顯示裝置的一個方式，具有包含所述特征的EL顯示面板。根據本方式，能夠實現具有所述特征的EL顯示裝置。另外，本發明一個方式的EL顯示面板的制造方法，包括第1工序，準備基板；第 2工序，在所述基板上形成柵電極；第3工序，覆蓋所述柵電極，在所述基板上形成柵極絕緣膜；第4工序，在所述柵極絕緣膜上在所述柵電極的上方形成半導體層；第5工序，在所述半導體層的上方形成第1電極，并形成與第1電極電連接的源極布線和第2電極；第6工序，覆蓋所述第1電極和所述第2電極，在所述柵極絕緣膜的上方形成第1層間絕緣膜；第 7工序，形成貫穿所述柵極絕緣膜和所述第1層間絕緣膜的第1接觸孔；第8工序，形成貫穿位于所述柵電極的上方的所述第1層間絕緣膜、與所述第1接觸孔不同的第2接觸孔；第 9工序，在所述第1層間絕緣膜上形成金屬膜并進行圖形化，由此形成介由所述第1接觸孔與所述柵電極電連接的柵極布線、與所述柵極布線平行、介由所述第2接觸孔與所述第1電極或所述第2電極電連接的所述電源布線、以及與所述柵極布線和所述電源布線并行、與所述陰極電極電連接的輔助布線；第10工序，以覆蓋所述第1層間絕緣膜、所述電源布線、 和所述輔助布線的上面的方式形成第2層間絕緣膜；第11工序，形成貫穿所述第2層間絕緣膜的第3接觸孔；以及第12工序，在所述第2層間絕緣膜的上方，形成包括一組陽極電極和陰極電極、以及介于所述陽極電極和所述陰極電極之間的發光層的EL部，在所述第12工序中，介由所述第3接觸孔將所述陰極電極與所述輔助布線電連接。
根據本方式，能夠容易制造出上述的本發明的EL顯示裝置。另外，在本發明的EL顯示面板的制造方法的一個方式中，優選在所述第4工序中形成的半導體層為非晶性半導體層，在所述第4工序和所述第5工序之間包括如下的工序 從所述非晶性半導體層的上方照射預定的激光，通過所述預定的激光照射將所述非晶性半導體層的溫度設為預定的溫度范圍，使所述非晶性半導體層結晶。根據本方式，能夠形成包括多晶性半導體膜的半導體層。另外，在本發明的EL顯示面板的制造方法的一個方式中，優選所述EL部為用有機發光層形成所述發光層的有機EL部。根據本方式，能夠制造顯示性能優異的EL顯示面板。以下，參照附圖詳細地說明本發明的實施方式。(第1實施方式)首先，使用圖1說明本發明第1實施方式的EUElectro Luminescence，電致發光) 面板。圖1是本發明第1實施方式的有機EL顯示面板的局部剖切立體圖。如圖1所示，本發明第1實施方式的EL顯示面板1為有機EL顯示面板(有機EL 顯示器)，具備作為自發光型顯示元件的有機EL元件10、以及由形成有薄膜晶體管和各種布線等的有源矩陣基板構成的顯示裝置用薄膜半導體陣列裝置20。另外，有機EL元件10 相當于本發明中的EL部，顯示裝置用薄膜半導體陣列裝置20相當于本發明中的薄膜半導體部。有機EL元件10具有在顯示裝置用薄膜半導體陣列裝置20上依次形成的下部電極12、有機EL層13以及上部電極14。有機EL層13為層疊有電子輸送層、發光層、空穴輸送層等的結構。顯示裝置用薄膜半導體陣列裝置20具有多個像素100呈矩陣狀(行列狀)配置的像素100，在各像素100設有包括薄膜晶體管(未圖示)的像素電路30。另外，顯示裝置用薄膜半導體陣列裝置20具有呈矩陣狀配置的柵極布線21和源極布線22。柵極布線21 在行方向(橫方向)排列有多條，源極布線22在列方向(縱方向)排列有多條。另外，柵極布線21和源極布線22正交地配置，分別將各像素電路30和控制電路(未圖示)連接。在各像素電路30至少設有2個薄膜晶體管作為用于選擇像素100的開關元件和用于驅動有機EL元件10的驅動元件。顯示裝置用薄膜半導體陣列裝置20具有在行方向排列的多個電源布線23(在圖 1中沒有圖示)。多個電源布線23與作為各像素100的驅動元件的薄膜晶體管連接。對于電源布線23將在后面詳細說明。這樣，在本實施方式的有機EL顯示面板1中，采用按由柵極布線21和源極布線22 劃分出的各像素100進行顯示控制的有源矩陣方式。接著，使用圖2說明本發明第1實施方式的顯示裝置用薄膜半導體陣列裝置的一例。圖2示出本發明第1實施方式的顯示裝置用薄膜半導體陣列裝置的母基板。如圖2所示，母基板包括2個顯示部200，通過將該母基板切斷為2個，能夠得到2 個顯示裝置用薄膜半導體陣列裝置20。如上所述，各顯示部200為像素100呈矩陣狀(行列狀)配置的結構。在圖2中，對于像素100僅示出像素100的角部的像素。另外，在圖2 中，母基板被設為包括2個顯示部200，但也可以是母基板包括2個以上的多個顯示部200，另外也可以是僅包括1個。接著，使用圖3說明本發明第1實施方式的EL顯示面板中的像素的電路構成。圖 3是本發明第1實施方式的EL顯示面板1中的一個像素的電路構成圖。另外，以下以及在圖3 圖18中示出的第1實施方式中，對第1薄膜晶體管、第2薄膜晶體管為ρ溝道型的 TFT進行說明。如圖3所示，各像素100具有像素電路30和有機EL元件10，所述像素電路30包括第1薄膜晶體管310、第2薄膜晶體管320和電容器300C。第1薄膜晶體管310是用于選擇像素100的選擇晶體管(開關晶體管)，第2薄膜晶體管320是用于驅動有機EL元件 10的驅動晶體管。第1薄膜晶體管310具有第1源電極310S、第1漏電極310D和第1柵電極310G。 第1源電極310S與源極布線22連接，第1柵電極310G與柵極布線21連接。另外，第1漏電極310D與電容器300C和第2薄膜晶體管320的第2柵電極320G連接。第1薄膜晶體管310，當電壓施加于柵極布線21和源極布線22時，將施加在源極布線22的電壓值作為顯示數據保存在電容器300C中。第2薄膜晶體管320具有第2源電極320S、第2漏極電極320D和第2柵電極320G。 第2漏電極320D與有機EL元件10的陽極連接，第2源電極320S與電源布線23連接。另外，第2柵電極320G與第1薄膜晶體管310的第1漏電極310D連接。第2薄膜晶體管320 將與電容器300C所保持的電壓值對應的電流從電源布線23經由第2源電極320S、第2漏電極320D提供給有機EL元件10的下部電極12。在這樣構成的像素100中，當柵極信號被輸入到柵極布線21中、將第1薄膜晶體管310設為導通狀態時，經由源極布線22提供的信號電壓被寫入電容器300C中。然后，寫入到電容器300C中的保持電壓在整個1幀期間內被保持。通過該保持電壓，第2薄膜晶體管320的電導模擬性地發生變化，與發光灰度對應的驅動電流從作為有機EL元件10的陽極的下部電極12流向作為陰極的上部電極14。由此，有機EL元件10發光，作為圖像而顯
7J\ ο接著，使用圖4說明本發明第1實施方式的EL顯示面板1中的像素的結構。圖4 是示意地表示出本發明第1實施方式的EL顯示面板1中的一個像素的一部分的像素構成的剖面圖。如圖4所示，本發明第1實施方式的EL顯示面板1中的各像素具有作為開關晶體管的第1薄膜晶體管310、和作為用于驅動有機EL元件10的驅動晶體管的第2薄膜晶體管320。如上所述，第1薄膜晶體管310具有第1源電極310S、第1漏電極310D和第1柵電極310G。另外，第2薄膜晶體管320具有第2源電極320S、第2漏電極320D和第2柵電極 320G。如圖4所示，在各像素中，在基板300上形成有第1柵電極310G和第2柵電極 320G。另外，以覆蓋第1柵電極310G和第2柵電極320G的方式形成有柵極絕緣膜330。在第1柵電極370G的上方、在柵極絕緣膜330上，形成有第1半導體層311。另外，在第2柵電極320G的上方、在柵極絕緣膜330上，形成有第2半導體層321。第1源電極310S和第1漏電極310D覆蓋第1半導體層311的一部分、相互對向地分離配置。另外，第2漏電極320D和第2源電極320S覆蓋第2半導體層321的一部分、相互對向地分離配置。第1薄膜晶體管310的第1源電極310S與源極布線22電連接。進而，以覆蓋第1薄膜晶體管310和第2薄膜晶體管320的方式形成有第1層間絕緣膜340 (下部層間絕緣膜)。在第1層間絕緣膜340上形成有電源布線23。電源布線23介由形成在第1層間絕緣膜340的接觸孔與第2源電極320S電連接。另外，以覆蓋電源布線23的方式在第1層間絕緣膜340上形成有第2層間絕緣膜 ；350(上部層間絕緣膜)。在第2層間絕緣膜350上形成有依次層疊著下部電極12、有機EL層13和上部電極14的有機EL元件10。在第2層間絕緣膜350上，在與相鄰的像素的邊界部分形成有提 15。在由相鄰的提15所構成的開口形成下部電極12和有機EL層13。下部電極12為以像素為單位配置的陽極，形成在第2層間絕緣膜350上。下部電極12介由貫穿第1層間絕緣膜340和第2層間絕緣膜350的接觸孔，與第2薄膜晶體管的第2漏電極320D電連接。有機EL層13 (有機發光層)以色(子像素列)為單位或以子像素為單位形成，由預定的有機發光材料構成。上部電極14配置在有機EL層13的上方，為跨多個像素地形成的陰極，由ITO等透明電極構成。在本實施方式中，上部電極14是所有像素共用的共用電極。在這樣構成的EL顯示面板1中，將形成最下層的薄膜晶體管的層設為TFT層(TFT 部)Ll，將形成最上層的有機EL元件10的層設為有機EL層(有機EL部)L3，將位于TFT 層Ll和有機EL層L3之間、形成各種布線的層設為布線層(布線部)L2。如圖4所示，在布線層L2形成有例如電源布線23、輔助布線25 (參照圖6)、柵極布線21 (參照圖6)。輔助布線25與有機EL元件10的上部電極14電連接，具有作為EL電源線對上部電極14施加預定的電壓、或使上部電極14接地的功能。輔助布線25是為了防止由于EL顯示面板的大畫面化導致在EL顯示面板1的中央區域產生電壓降而設置的。另外，TFT層Ll和布線層L2相當于本發明中的薄膜半導體部，有機EL層L3相當于本發明中的EL部。另外，在TFT層Ll中，將形成第1柵電極310G和第2柵電極320G的層設為第1 金屬層MLl。另外，將形成第1源電極310S和第1漏電極310D、以及第2源電極320S和第 2漏電極320D的層設為第2金屬層ML2。因此，如圖4所示，在本實施方式中，源極布線22 形成在第2金屬層ML2。另外，在布線層L2中，將形成柵極布線21 (參照圖6)、電源布線23、輔助布線 25(圖6參照)的層設為第3金屬層ML3。在這些第1金屬層MLl 第3金屬層ML3中，形成在同一金屬層的電極和布線等的金屬部件能夠通過對同一金屬膜進行圖形化而同時形成。接著，參照圖5 圖7說明本發明第1實施方式的EL顯示面板1。圖5是構成本發明第1實施方式的EL顯示面板1的顯示裝置用薄膜半導體陣列裝置20的俯視圖。另外， 圖6是本發明第1實施方式的顯示裝置用薄膜半導體陣列裝置20的俯視圖，示出透過(透視)了形成在有機EL層L3的陽極和第2層間絕緣膜的狀態。另外，圖7是本發明第1實施方式的顯示裝置用薄膜半導體陣列裝置20的俯視圖，示出透過了形成在布線層L2的布線和絕緣膜的狀態。如圖5所示，本發明第1實施方式的顯示裝置用薄膜半導體陣列裝置20具有呈矩陣狀(行列狀)排列的像素100。如圖6所示，在下部電極12之下沿著像素100的行方向配置有多個柵極布線21、多個電源布線23和多個輔助布線25。電源布線23與柵極布線21并行地配置。另外，輔助布線25在電源布線23和相鄰的像素100的柵極布線21之間，與電源布線23和柵極布線21并行地配置。也就是說， 柵極布線21、電源布線23和輔助布線25在行方向上相互并行地配置。另外，柵極布線21、 電源布線23和輔助布線25形成在同一層。圖6是在圖5透過了柵極布線21、電源布線23和輔助布線25的狀態的圖。如圖6所示，本發明第1實施方式的顯示裝置用薄膜半導體陣列裝置20具有沿著像素100的列方向相互平行地配置的多個源極布線22。源極布線22形成在圖4所示的TFT 層Ll的第2金屬層ML2上，并被配置成與形成在上層的布線層L2的柵極布線21、電源布線 23和輔助布線25立體交叉。另外，顯示裝置用薄膜半導體陣列裝置20具有第1薄膜晶體管310和第2薄膜晶體管320。另外，參照圖8 圖13說明構成本發明第1實施方式的EL顯示面板1的1個像素100。圖8是本發明第1實施方式的EL顯示面板的像素100的俯視圖，示出配置了陽極的狀態。另外，圖9是本發明第1實施方式的像素100的俯視圖，示出透過了形成在有機EL 層L3的陽極的狀態。另外，圖10是本發明第1實施方式的像素100的俯視圖，示出透過了形成在布線層L2的布線和絕緣膜的狀態。另外，圖11是沿著圖8 圖10的Χ1-ΧΓ線剖切的像素100的剖面圖。圖12是沿著圖8 圖10的X2-X2’線剖切的像素100的剖面圖。 圖13是沿著圖8 圖10的X3-X3’線剖切的像素100的剖面圖。如圖8 圖10所示，構成本發明第1實施方式的EL顯示面板1的像素100具有基板300、第1薄膜晶體管310和第2薄膜晶體管320、柵極布線21、源極布線22、電源布線 23、輔助布線25以及第1層間絕緣膜340。在圖9 圖12中，位于第1層間絕緣膜340之上的結構省略圖示。第1薄膜晶體管310為第1柵電極310G、柵極絕緣膜330、第1半導體層311(溝道層)、和第1源電極310S以及第1漏電極310D的層疊構造體。另外，第2薄膜晶體管320 為第2柵電極320G、柵極絕緣膜330、第2半導體層321 (溝道層)、和第2源電極320S以及第2漏電極320D的層疊構造體。在本實施方式中，第1薄膜晶體管310、第2薄膜晶體管320和源極布線22形成在圖4所示的TFT層Li。另外，柵極布線21、電源布線23和輔助布線25形成在圖4所示的布線層L2。以下，從下層的結構要素開始依次詳細說明本發明第1實施方式的EL顯示面板1 的各結構要素。如圖8 圖12所示，第1柵電極310G和第2柵電極320G在圖4所示的基板300 上圖形形成為島狀。另外，如圖11和圖12所示，在基板300上以覆蓋第1柵電極310G和第2柵電極 320G的方式形成柵極絕緣膜330。
另外，如圖11和圖12所示，在柵極絕緣膜330上、在第1柵電極310G的上方，第 1半導體層311圖形形成為島狀。另外，在柵極絕緣膜330上、在第2柵電極320G的上方， 第2半導體層321圖形形成為島狀。在此，第1半導體層311和第2半導體層321使用ρ溝道型的半導體。在電源布線23中提供正電位。另外，在第1薄膜晶體管310中，如圖10和圖12所示，第1源電極310S和第1漏電極310D形成為在第1半導體層311的上方與第1半導體層311局部重疊。另外，在圖10 所示的俯視圖中，第1源電極310S和第1漏電極310D在夾著第1半導體層311相互對向的位置形成。這些第1源電極310S和第1漏電極310D形成在圖4所示的TFT層Ll中的第2金屬層ML2。在本說明書中，“重疊”指的是從像素100的上下方向觀察處于互相重合的位置關系。另外，如圖11和圖12所示，第1漏電極310D形成為與第2薄膜晶體管320的第 2柵電極320G重疊。第1漏電極310D和第2柵電極320G通過第4接觸部114(第4導電部)電連接。第4接觸部114通過在第1漏電極310D和第2柵電極320G重疊的位置沿厚度方向形成的接觸孔(孔部)中埋入導電部件而構成。在本實施方式中，如圖12所示，第4 接觸部114通過在以貫穿柵極絕緣膜330的方式形成的接觸孔中埋入第1漏電極310D的一部分而構成。如圖12所示，第4接觸部114中的接觸孔形成在柵極絕緣膜330。在本實施方式中，如圖10所示，第4接觸部114被設在3個部位。另外，如圖10和圖12所示，在第2薄膜晶體管320中，第2源電極320S和第2漏電極320D形成為在第2半導體層321的上方與第2半導體層321重疊。另外，在圖10所示的俯視圖中，第2源電極320S和第2漏電極320D形成在夾著第2半導體層321相互相對的位置上。這些第2源電極320S和第2漏電極320D形成在TFT層Ll中的第2金屬層 ML2。進而，如圖10所示，第2漏電極320D沿著列方向呈直線狀延伸設置，在與設有第 2半導體層321的端部相反一側的端部附近形成有寬度大于延伸設置部分的島狀的電極部 120。電極部120介由第3接觸部113與有機EL元件10的下部電極12電連接。第3 接觸部113通過在以貫穿形成在電極部120的上層的第1層間絕緣膜340和第2層間絕緣膜350的方式形成的接觸孔(孔部)中埋入導電材料而構成。如圖8 圖10所示，源極布線22沿著像素100的列方向呈線狀形成。源極布線 22配置成通過第1薄膜晶體管310的附近，與第1源電極310S電連接。在本實施方式中，形成為源極布線22與第1半導體層311重疊，以使得線狀的源極布線22的一部分作為第1源電極310S發揮作用。在本實施方式中，源極布線22形成在圖4所示的TFT層Ll中的第2金屬層ML2。如圖12所示，源極布線22的除了與第1薄膜晶體管310重疊的部分以外的部分， 形成在柵極絕緣膜330上。另外，源極布線22構成為隔著第1層間絕緣膜340與后述的柵極布線21、電源布線23和輔助布線25立體交叉。另外，如圖11和圖12所示，以覆蓋第1薄膜晶體管310、第2薄膜晶體管320、源極布線22和電源布線23的方式形成有第1層間絕緣膜340。第1層間絕緣膜340構成為位于圖4所示的TFT層Ll的最上層且覆蓋形成在下部的全體電極、布線。進而，在第1層間絕緣膜340上形成有柵極布線21、電源布線23、輔助布線25。柵極布線21、電源布線23和輔助布線25均形成在圖4所示的布線層L20的第3金屬層ML3。如圖9和圖11所示，柵極布線21沿著像素100的行方向呈線狀形成。進而，如圖 11所示，柵極布線21形成在第1層間絕緣膜340上，形成在圖4所示的布線層L2中的第3 金屬層ML3。S卩，柵極布線21形成在與形成有第1柵電極310G的層不同的層。另外，柵極布線21配置成通過第1薄膜晶體管310的附近，構成為與第1柵電極 310G電連接。在本實施方式中，如圖9和圖11所示，柵極布線21和第1柵電極310G被配置在重疊的位置上，介由第1接觸部111 (第1導電部)與第1柵電極310G電連接。第1 接觸部111通過在柵極布線21和第1柵電極310G重疊的位置上沿著厚度方向形成的接觸孔(孔部)中埋入導電部件而構成。在本實施方式中，如圖11所示，第1接觸部111通過在以貫穿第1層間絕緣膜340和柵極絕緣膜330的方式形成的接觸孔(孔部)中埋入柵極布線21的一部分而構成。如圖9和圖12所示，電源布線23沿著像素100的行方向呈線狀形成。如圖12所示，電源布線23也形成在第1層間絕緣膜340上，形成在圖4所示的布線層L2中的第3金屬層ML3。即，電源布線23與柵極布線21形成在同一層。另外，如圖9所示，電源布線23與柵極布線21并行地配置。進而，如圖12所示， 電源布線23配置在與第2源電極320S重疊的位置，介由第2接觸部112 (第2導電部)與第2源電極320S電連接。如圖12所示，第2接觸部112通過在電源布線23與第2源電極 320S重疊的位置在厚度方向上形成的接觸孔(孔部)中埋入導電材料而構成。在本實施方式中，第2接觸部112通過在形成為貫穿第1層間絕緣膜340的接觸孔中埋入電源布線 23的一部分而構成。另外，在本實施方式中，如圖9所示，第2接觸部112設有6個O行3 列)。如圖9和圖13所示，輔助布線25沿著像素100的行方向呈線狀形成。如圖13所示，輔助布線25也形成在第1層間絕緣膜340上，形成在圖4所示的布線層L2中的第3金屬層ML3。S卩，輔助布線25與柵極布線21和電源布線23形成在同一層。另外，如圖9所示，輔助布線25與柵極布線21和電源布線23并行地配置。進而， 在輔助布線25之上形成有第2層間絕緣膜350和圖4所示的有機EL層L3。也就是說，在第2層間絕緣膜350之上形成有下部電極12、EL層13和上部電極14。并且，如圖13所示， 上部電極14和輔助布線25介由第5接觸部115(第3導電部)電連接。如圖13所示，第5 接觸部115通過在上部電極14和輔助布線25重疊的位置沿著厚度方向形成的接觸孔(孔部)中埋入導電材料而構成。在本實施方式中，第5接觸部115通過在形成為貫穿第2層間絕緣膜350的接觸孔中埋入上部電極14的一部分而構成。另外，在本實施方式中，如圖 9所示，第5接觸部115設有14個O行7列)。在本實施方式中，構成電源布線23和輔助布線25的材料由包含從Al (鋁)、 Cu(銅)、Ag(銀)中選擇出的任一種的材料而形成。另外，也可以將電源布線23和輔助布線25設為多層布線，構成電源布線23和輔助布線25的主布線包含從Al、Cu、Ag中選擇出的任一種。另外，電源布線23和輔助布線25可以含有上述這些金屬中的多種金屬，也可以由其他材料構成。圖14是從配置有電極部120 —側的端部觀察圖9所示的顯示裝置用薄膜半導體裝置2時的立體圖。圖15是從配置有電極部120 —側的端部觀察圖10所示的顯示裝置用薄膜半導體裝置2時的立體圖。如圖14所示，柵極布線21、電源布線23和輔助布線25形成在同一層。也就是說， 柵極布線21、電源布線23和輔助布線25形成在第1層間絕緣膜340上的布線層L2，形成于與在TFT層Ll形成的源極布線22不同的層。另外，柵極布線21、電源布線23和輔助布線25配置成與源極布線22正交且立體交叉。另外，如圖15所示，源極布線22、第2源電極 320S和第2漏電極320D形成在TFT層Ll。接著，參照圖16A 圖16J說明制造實施方式1的EL顯示面板1的顯示裝置用薄膜半導體裝置2的方法。圖16A 圖16J是示意地表示本發明第1實施方式的顯示裝置用薄膜半導體裝置的制造方法的各工序的剖面圖。圖16A 圖16J的剖面圖與圖9的X2-X2’ 剖面相對應。首先，如圖16A所示，準備基板300。基板300 —般使用由玻璃、石英等構成的具有絕緣性的材料。為了防止從基板300擴散雜質，也可以在基板300的上面形成未圖示的由氧化硅膜或氮化硅膜構成的內涂(undercoat)層。作為一例，內涂層的膜厚為IOOnm左右。接著，在以純水等洗凈之后，在基板300上形成具有耐熱性的第1金屬層。接著， 如圖16B所示，通過光刻法、蝕刻法等將第1金屬層圖形化為預定的形狀，形成柵電極310G、 320G。作為第1金屬膜的材料，可舉出具有耐熱性的Mo、W、Ta、Ti、Ni中任一種的金屬、或這些金屬的合金。在本實施方式中，作為一例，使用Mo形成膜厚IOOnm左右的第1金屬膜。接著，如圖16C所示，在基板300上的整個面形成柵極絕緣膜330，以使得覆蓋第1 柵電極310G和第2柵電極320G。作為柵極絕緣膜330的材料，可舉出氧化硅膜(SiO2)、氮化硅膜(SiN)或它們的復合膜。在本實施方式中，作為一例，通過等離子體CVD法形成由膜厚200nm左右的氧化硅膜構成的柵極絕緣膜330。進而，如圖16D所示，在柵極絕緣膜330上形成非晶性半導體膜301。在本實施方式中，使用非晶硅膜(無定形硅膜)作為非晶性半導體膜301，通過等離子體CVD法形成膜厚50nm左右的非晶硅膜。柵極絕緣膜330和非晶性半導體膜301也可以通過等離子體CVD 法等不破壞真空地連續形成。此后，如圖16D的箭頭所示，通過對非晶性半導體膜301照射由激元激光器等產生的激光，使非晶性半導體膜301結晶化、改性為多晶性半導體膜。具體而言，例如對非晶硅膜照射激元激光等，使非晶硅膜的溫度上升到預定的溫度范圍，由此將非晶硅膜結晶化、使結晶粒徑擴大，變為多晶性半導體膜。在此，預定的溫度范圍例如是1100°C 1414°C。另外，多晶性半導體層內的平均結晶粒徑為20nm 60nm。在此，第1柵電極310G和第2柵電極320G在該激光照射工序中曝露在高溫中，因此優選以熔點高于上述溫度范圍的上限值(1414°C)的金屬構成。另一方面，在接下來的工序中形成在第2金屬層ML2和第3金屬層ML3的布線和電極，可以由熔點低于上述溫度范圍的下限值(1100°C )的金屬形成。優選在照射激光之前，作為前處理以400°C 500°C進行30分鐘的退火處理。另外，優選在激光照射后在真空中進行幾秒 幾十秒的氫等離子體處理。
接著，如圖16E所示，通過光刻法、蝕刻法等將非晶性半導體膜301圖形形成為島狀，形成第1半導體層311、第2半導體層321。接著，如圖16F所示，為了電連接第1漏電極3IOD和第2柵電極320G，通過光刻法和濕法蝕刻等形成貫穿柵極絕緣膜330的第4接觸孔CH4。之后，如圖16G所示，形成第2金屬膜以使得覆蓋柵極絕緣膜330、第1半導體層 311和第2半導體層321。接著，通過光刻法和濕法蝕刻法等將第2金屬膜圖形形成為預定的形狀，從而形成源極布線22、第1源電極310S和第1漏電極310D、第2源電極320S和第 2漏電極320D。此時，構成第2金屬膜的材料也填充在第4接觸孔CH4中、形成第4接觸部 114。作為第2金屬層的材料，優選低電阻金屬，可舉出Al、Cu、Ag中的任一金屬或者這些金屬的合金。在本實施方式中，作為一例使用Al，形成膜厚300nm左右的第2金屬層。進而，優選在Al的上部、下部或這兩方形成Mo等高耐熱性的金屬作為勢壘金屬 (barrier metal) 0勢壘金屬的厚度為50nm左右。另外，在進一步要求布線的低電阻化的情況下，優選使用Cu而不是Al。另外，不是替代材料而是使第2金屬膜的厚度增加，由此也可以實現低電阻化。另外，優選在第1源電極310S和第1半導體層311之間以及在第1漏電極310D和第1半導體層311之間形成低電阻半導體膜。一般而言，該低電阻半導體膜使用作為雜質摻雜了磷等η型摻雜劑的非晶硅膜、或者使用作為雜質摻雜了硼等ρ型摻雜劑的非晶硅膜。 作為低電阻半導體膜的膜厚可以設為20nm左右。進而，也可以在結晶化了的第1半導體層 311和低電阻半導體膜(摻雜了雜質的非晶硅膜)之間形成由非晶硅構成的無摻雜(不進行有意識地摻雜雜質)的半導體層。通過形成這些膜，能夠使TFT特性提高等、得到所期待的TFT特性。另外，對于第2薄膜晶體管320也是同樣的。接著，如圖16H所示，以覆蓋第1源電極310S、第1漏電極310D、第2源電極320S 和第2漏電極320D等露出的電極和布線的方式，在基板300上的整個面形成第1層間絕緣膜340。第1層間絕緣膜340可以由氧化硅膜、氮化硅膜或這些膜的層疊膜構成。接著，如圖161所示，為了連接電源布線23和第2源電極320S，通過光刻法和蝕刻法等形成貫穿第1層間絕緣膜340的第2接觸孔CH2。此時，為了連接第1柵電極310G和柵極布線21，還形成連續地貫穿第1層間絕緣膜340和柵極絕緣膜330的第1接觸孔(參照圖11)。接著，如圖16J所示，在第1層間絕緣膜340上形成第3金屬膜，通過光刻法和蝕刻法等對第3金屬膜進行圖形化形成為預定形狀，由此形成柵極布線21、電源布線23和輔助布線25。此時，構成第3金屬膜的材料還填充在第2接觸孔CH2和第1接觸孔(參照圖 11)中，形成第2接觸部112和第1接觸部111。構成柵極布線21、電源布線23和輔助布線25的第3金屬膜的材料優選低電阻的材料，可以用與第2金屬層相同的金屬材料構成。例如，可以在形成50nm的Mo作為勢壘金屬之后，形成300nm的Al，由此構成第3金屬膜。如上述那樣，能夠制造本發明第1實施方式的顯示裝置用薄膜半導體裝置2。之后，如圖13所示，在第1層間絕緣膜340上形成第2層間絕緣膜350，以使得覆蓋柵極布線21、電源布線23和輔助布線25。第2層間絕緣膜350可以用與第1層間絕緣膜340同樣的材料構成，例如可以用氧化硅膜、氮化硅膜或這些膜的層疊膜構成。接著，在第2層間絕緣膜350上形成圖4所示的有機EL層L3。具體而言，在第2 層間絕緣膜350上依次層疊下部電極12、提15、有機EL層13以及上部電極14。首先，通過光刻法、蝕刻法形成貫穿第2層間絕緣膜350的接觸孔(未圖示)。該接觸孔成為圖13所示的第5接觸部115。接著，下部電極12形成在第2層間絕緣膜350上。提15形成在第2層間絕緣膜 350上的與各像素100的邊界對應的位置上。另外，有機EL層13在下部電極12上按各像素100形成在提15的開口部內。進而，上部電極14形成在第2層間絕緣膜350上以使得覆蓋提15、有機EL層13。 此時，構成上部電極14的材料填充在形成于第2層間絕緣膜350的接觸孔中，形成第5接觸部115。介由該第5接觸部115，上部電極14和輔助布線25電連接。下部電極12的材料例如為Mo、Al、Au、Hg、Cu等導電性金屬中的任一種或者它們的合金、PEDOT :PSS等有機導電性材料、氧化鋅或添加鉛的氧化銦中的任一種的材料。由這些材料構成的膜通過真空蒸鍍法、電子束蒸鍍法、RF濺射法、或印刷法等做成，形成電極圖形。有機EL層13在下部電極12上按各顏色(子像素列)或各子像素形成在提15的開口部內。該有機EL層13層疊空穴注入層、空穴輸送層、發光層、電子輸送層、和電子注入層等各層而構成。作為空穴注入層可以使用酞菁銅，作為空穴輸送層可以使用α-NPD(雙 [N-(1-萘基)-N-苯基]聯苯胺)，作為發光層可以使用Alq3 (三(8-羥基)鋁)，作為電子輸送層可以使用噁唑衍生物，作為電子注入層可以使用Alq3。另外，這些材料只是一例而已，也可以使用其他的材料。上部電極14是連續地形成在有機EL層13上、具有透射性的電極。上部電極14 的材料例如為ITOandium Tin Oxide，銦錫氧化物)、Sn02、In2O3、&ι0或它們的組合等。如以上那樣，能夠制造本發明第1實施方式的EL顯示面板1。以上，根據本發明第1實施方式的EL顯示面板1，EL顯示面板1的顯示裝置用薄膜半導體裝置2的柵極布線21形成在第1層間絕緣膜340上的布線層L2，配置在與第1柵電極310G(和第2柵電極320G)另外的層(不同的層)。由此，對于柵極布線21與第1柵電極310G(以及第2柵電極320G)能夠選擇各自適合的材料。另外，根據本實施方式的EL顯示面板1，電源布線23在第1層間絕緣膜340上與柵極布線21形成在同一層，并與柵極布線21并行地配置。另外，輔助布線25在第1層間絕緣膜340上與柵極布線21和電源布線23形成在同一層上，并且與柵極布線21和電源布線23并行地配置。由此，能夠將由于在第1層間絕緣膜340上配置柵極布線21所形成的凹凸的凹部由電源布線23和輔助布線25填埋。即，能夠通過電源布線23和輔助布線25 減輕第1層間絕緣膜340上的凹凸，使顯示裝置用薄膜半導體裝置2的上面的平坦度提高。 其結果，在顯示裝置用薄膜半導體裝置2上例如構成布線層L2或有機EL層L3時，能夠減輕第1層間絕緣膜340上的凹凸對布線層L2或有機EL層L3帶來的影響，能夠抑制在平坦性不充分的情況下產生的壽命降低等。另外，在本實施方式的顯示裝置用薄膜半導體裝置2中，如圖12所示，電源布線23 構成為覆蓋第1半導體層311和第2半導體層321，因此優選第1半導體層311和第2半導體層321均為ρ溝道型。在薄膜晶體管的半導體層(溝道區域)中，在覆蓋半導體層的表面和薄膜晶體管的層間絕緣膜的表面，在制造時有時會產生晶格缺陷。若產生該晶格缺陷，則會產生不穩定的界面態，半導體層的背溝道的電位變得不穩定。在本實施方式中，為ρ溝道型的第1半導體層311和第2半導體層321構成為與成為正電位的電源布線23重疊，能夠使背溝道的電位穩定。圖17是用于說明本發明第1實施方式的顯示裝置用薄膜半導體裝置中的薄膜晶體管的TFT特性的圖。在本實施方式中，為ρ溝道型的第1半導體層311和第2半導體層 321構成為與成為正電位的電源布線23重疊，能夠構成具有背柵的ρ溝道TFT，因此能夠使背溝道的電位穩定。其結果，如圖17所示，作為具有背柵的ρ溝道TFT的第1薄膜晶體管 310和第2薄膜晶體管320，與沒有背柵的P溝道TFT同等地，既能夠抑制截止時的泄漏電流(截止泄漏(off leak)電流)，而且還能夠實現降低來自外部噪聲的影響。這是因為 上述背柵覆蓋溝道區域的上方，所以起到對外部噪聲的電磁波屏蔽的作用。因此，能夠實現具有截止特性優異、且抗外部噪聲性強的薄膜晶體管的顯示裝置用薄膜半導體裝置。另外，在本實施方式的顯示裝置用薄膜半導體裝置2中，優選電源布線23和輔助布線25形成在與柵極布線21大致相同的高度、即形成在相同高度或近似高度，并且形成為具有與相鄰的2個柵極布線21之間的寬度對應的寬度。進而，優選電源布線23和輔助布線25與相鄰的2個柵極布線21的距離、即柵極布線21與電源布線23、電源布線23與輔助布線25、輔助布線25與柵極布線21的距離設為4μ m以上。在本實施方式中，柵極布線21形成在第1層間絕緣膜340上，因此這樣會比沒有形成柵極布線21的區域突出柵極布線21的膜厚的量，在相鄰的柵極布線21之間形成凹部。對此，如上所述，將電源布線23和輔助布線25設為與柵極布線21大致相同的高度，并設為與相鄰的2個柵極布線21之間的寬度對應的寬度，由此能夠由電源布線23和輔助布線25確保顯示裝置用薄膜半導體裝置2的上面的平坦性。由此，在形成有機EL元件 10的情況下，能夠容易地防止由于布線層L2上面的平坦性不充分導致的壽命降低。另外，在本實施方式的顯示裝置用薄膜半導體裝置2中，優選電源布線23和輔助布線25形成在與柵極布線21大致相同的高度上，并且與相鄰的2個柵極布線21接近地配置以使得填埋相鄰的2個柵極布線21之間。由此，能夠在相鄰的柵極布線21之間由電源布線23和輔助布線25填埋凹部，因此能夠確保顯示裝置用薄膜半導體裝置2的上面的平坦性。進而，能夠使電源布線23和輔助布線25低電阻化。(第1實施方式的變形例)接著，使用圖18說明本發明第1實施方式的變形例的EL顯示面板的顯示裝置用薄膜半導體裝置2'。圖18是設置在本變形例的EL顯示面板的顯示裝置用薄膜半導體裝置2'的剖面圖。圖18與圖12所示的設置在第1實施方式的EL顯示面板的顯示裝置用薄膜半導體裝置2的剖面圖對應。顯示裝置用薄膜半導體裝置2’與本發明第1實施方式的EL顯示面板1的顯示裝置用薄膜半導體裝置2為基本相同的結構。因此，在圖18中，對于與圖12所示的結構要素相同的結構要素標注相同的附圖標記，省略或簡化詳細的說明。另外，圖12所示的結構以外的結構與第1實施方式相同。顯示裝置用薄膜半導體裝置2’與顯示裝置用薄膜半導體裝置2的不同之處在于， 第1薄膜晶體管310的第1半導體層和第2薄膜晶體管320的第2半導體層的結構。如圖18所示，在顯示裝置用薄膜半導體裝置2’中，第1薄膜晶體管310的第1半導體層由第1溝道層311A和第2溝道層311B構成，所述第1溝道層311A由多晶性半導體膜構成，所述第2溝道層311B由非晶性半導體膜構成。另外，第2薄膜晶體管320的第2 半導體層也由第1溝道層321A和第2溝道層321B構成，所述第1溝道層321A由多晶性半導體膜構成，所述第2溝道層321B由非晶性半導體膜構成。第1溝道層311A和第1溝道層321A可以由通過使非晶硅膜(無定形硅膜)結晶而形成的多晶硅膜構成。第2溝道層31IB和第2溝道層321B，與圖12所示的第1半導體層311和第2半導體層321同樣，可以由非晶性半導體膜構成。這樣構成的第1半導體層和第2半導體層可以通過對非晶硅膜(無定形硅膜)的上層部進行激光照射使其結晶而形成。另外，在俯視觀察時，第1溝道層311A(或第1溝道層321A)和第2溝道層311B (或第2溝道層321B)成為相同的形狀，均在柵極絕緣膜330 上形成為島狀。顯示裝置用薄膜半導體裝置2’起到與上述設置在本發明第1實施方式的EL顯示面板1的顯示裝置用薄膜半導體裝置2同樣的作用效果。進而，在顯示裝置用薄膜半導體裝置2’中，薄膜晶體管中的第1半導體層和第2 半導體層由由非晶硅膜構成的第2溝道層311B (或第2溝道層321B)、和形成在第2溝道層311B(或第2溝道層321B)之下的由多晶性半導體膜構成的第1溝道層311A(或第1溝道層321A)構成。由此，在第1薄膜晶體管和第2薄膜晶體管中，能夠降低截止電流并增大導通電流。(第2實施方式)接著，使用圖19 圖21說明本發明第2實施方式的EL顯示面板。圖19是設置在本發明第2實施方式的EL顯示面板的顯示裝置用薄膜半導體裝置的俯視圖。圖20是沿著圖19的X2-X2’線剖切的顯示裝置用薄膜半導體裝置的剖面圖。圖21是用于說明本實施方式的顯示裝置用薄膜半導體裝置中的薄膜晶體管的TFT特性的圖。設置在本發明第2實施方式的EL顯示面板的顯示裝置用薄膜半導體裝置3是與設置在本發明第1實施方式的EL顯示面板的顯示裝置用薄膜半導體裝置2基本相同的結構。因此，在圖19和圖20中，對于與圖8 圖13所示的結構要素相同的結構要素標注相同的附圖標記，省略或簡化詳細的說明。顯示裝置用薄膜半導體裝置3與設置在本發明第1實施方式的EL顯示裝置的顯示裝置用薄膜半導體裝置2的不同之處在于第1半導體層311和第2半導體層321的溝道型均為η溝道型；由于第1半導體層311和第2半導體層321的溝道型均為η溝道型，其結果第1實施方式中的源電極和漏電極分別在第2實施方式中相反地各自變為漏電極和源電極；以及電源布線23的結構。除此之外的結構與第1實施方式相同。如圖19和圖20所示，在顯示裝置用薄膜半導體裝置3中，電源布線23構成為與第1半導體層311和第2半導體層321不重疊，具有形成在第1半導體層311上的第1開口部131和形成在第2半導體層321上的第2開口部132。另外，第1半導體層311和第2半導體層321均為η溝道型。這樣構成的顯示裝置用薄膜半導體裝置3可以與第1實施方式同樣地制造。但是， 在本實施方式中，需要在電源布線23形成第1開口部131和第2開口部132。第1開口部 131和第2開口部132在對第3金屬膜圖形化時形成在電源布線23。以上，根據顯示裝置用薄膜半導體裝置3，能夠與第1實施方式同樣地將柵極布線 21和第1柵電極310G用不同的層構成，所以能夠選擇適合于各自的材料。進而，電源布線23和輔助布線25形成在與柵極布線21同一層上，并且與柵極布線21并行地配置，因此能夠減輕因形成在第1層間絕緣膜340上的柵極布線21產生的凹凸，能夠使平坦度提高。進而，根據顯示裝置用薄膜半導體裝置3能夠實現以下的作用效果。在為η溝道型的第1半導體層311和第2半導體層321的上方中，在為正電位的電源布線23覆蓋在第1層間絕緣膜340上的情況下，在第1半導體層311和第2半導體層 321的背溝道感應出負載流子，由此產生截止泄漏電流。因此，即使不施加柵極電壓也會產生電流，所以就會使第1薄膜晶體管310和第2薄膜晶體管320的截止特性降低。對此，在顯示裝置用薄膜半導體裝置3中，為η溝道型的第1半導體層311和第2 半導體層321構成為與正電位的電源布線23不重疊。也就是說，設為無背柵的結構。由此，如圖21所示，與有背柵時相比，能夠抑制由于為正電位的電源布線23導致在為η溝道型TFT的第1薄膜晶體管310和第2薄膜晶體管320中在背溝道感應出載流子。其結果， 能夠抑制在第1薄膜晶體管310和第2薄膜晶體管320產生截止泄漏電流，因此能夠實現截止特性優異的EL顯示面板。(第2實施方式的變形例)接著，使用圖22說明本發明第2實施方式的變形例的EL顯示面板。圖22是設置在本發明第2實施方式的變形例的EL顯示面板的顯示裝置用薄膜半導體裝置3’的剖面圖。 圖22與圖20的設置在本發明第2實施方式的EL顯示面板的顯示裝置用薄膜半導體裝置 3的剖面圖對應。顯示裝置用薄膜半導體裝置3’是與本發明第2實施方式的顯示裝置用薄膜半導體裝置3基本相同的結構。因此，在圖22中，對于與圖20所示的結構要素相同的結構要素， 標注相同的附圖標記，省略或簡化詳細的說明。另外，與圖22所示的結構以外的結構與第 2實施方式相同。顯示裝置用薄膜半導體裝置3'與顯示裝置用薄膜半導體裝置3的不同之處在于，第1薄膜晶體管310的第1半導體層和第2薄膜晶體管320的第2半導體層的結構。如圖22所示，在顯示裝置用薄膜半導體裝置3’中，第1薄膜晶體管310的第1半導體層由由多晶性半導體膜構成的第1溝道層311Α和由非晶性半導體膜構成的第2溝道層311Β構成。另外，第2薄膜晶體管320的第2半導體層也由由多晶性半導體膜構成的第1溝道層321Α和由非晶性半導體膜構成的第2溝道層321Β構成。第1溝道層311Α和第1溝道層321Α可以由通過使非晶硅膜(無定形硅膜)結晶而形成的多晶硅膜構成。
第2溝道層311B和第2溝道層321B可以由非晶性半導體膜構成。這樣構成的第1半導體層和第2半導體層可以通過對非晶硅膜(無定形硅膜)進行激光照射而結晶化、然后形成非晶硅膜來形成。另外，在俯視觀察時，第1溝道層311A(或第1溝道層321A)和第2溝道層311B (或第2溝道層321B)為相同形狀，均在柵極絕緣膜 330上形成為島狀。本實施方式的EL顯示面板起到與上述的本發明第2實施方式的具有顯示裝置用薄膜半導體裝置3的EL顯示面板同樣的作用效果。進而，在顯示裝置用薄膜半導體裝置3’中，薄膜晶體管中的第1半導體層和第2 半導體層由由非晶硅膜構成的第2溝道層31IB (或第2溝道層321B)、以及形成在由非晶硅膜構成的第2溝道層311B(或第2溝道層321B)之下的由多晶性半導體膜構成的第1溝道層311A(或第1溝道層321A)構成。由此，在第1薄膜晶體管和第2薄膜晶體管中，能夠減少截止電流并使導通電流增大。本發明不限于上述實施方式，可以在不脫離本發明要旨的范圍內進行各種改良和變形。例如，如圖23A和圖2 所示，有機EL顯示面板1的各像素100也可以由3色(紅色、綠色、藍色)的子像素100R、100G、100B構成。子像素100R、100G、100B分別沿著圖23A 的進深方向排列有多個(將其表述為“子像素列”)。圖23A是表示線型提(line bank)的例子的圖。如圖23A所示，各子像素列可以通過提15相互分離。圖23A所示的提15是在相互相鄰的子像素列之間在與源極布線22 平行的方向延伸的突條，且形成在薄膜半導體陣列裝置20上。換言之，各子像素列分別形成在相互相鄰的突條之間(即提15的開口部)。下部電極12在薄膜半導體陣列裝置20上(更具體而言是在上部層間絕緣膜11 上)在提15的開口部內，按各子像素100R、100G、100B而形成。有機EL層13在下部電極 12上在提15的開口部內按各子像素列(即，以覆蓋各列的多個下部電極12的方式)形成。 上部電極14在多個有機EL層13和提15 (多個突條)上以覆蓋所有子像素100R、100G、100B 的方式連續地形成。另外，圖2 是表示像素型提(pixel bank)的例子的圖，各子像素100R、100G、 100B通過提15相互分離。圖2 所示的提15形成為與柵極布線21平行地延伸的突條和與源極布線22平行地延伸的突條相互交叉。并且，由該突條包圍的部分(即提15的開口部)形成有子像素100R、100G、100B。下部電極12在薄膜半導體陣列裝置20上(更具體而言是在上部層間絕緣膜11 上)在提15的開口部內按各子像素100R、100G、100B形成。同樣地，有機EL層13在下部電極12上在提15的開口部內按各子像素100R、100G、100B形成。上部電極14在多個有機 EL層13和提15 (多個突條)上以覆蓋所有子像素100R、100G、100B的方式連續地形成。進而，在薄膜半導體陣列裝置20按各子像素100R、100G、100B形成有像素電路 30(在圖23A和圖23B中省略圖示)。并且，各子像素100R、100G、100B和對應的像素電路 30電連接。子像素100R、100G、100B除了有機EL層13的特性(發光色)不同之外其余為相
同的結構。
另外，在上述實施方式中，也可以將第1源電極310S和第1漏電極310D互換而構成。具體而言，構成為圖3、圖4的310S為第1漏電極，310D則是第1源電極。同樣地，也可以將第2漏電極320D和第2源電極320S互換而構成。具體而言，構成為圖3、圖4的 320S為第1漏電極、320D則是第1源電極。另外，在上述實施方式中，第1源電極310S設為線狀的源極布線22的一部分，但不限于此。例如，也可以構成為在源極布線22的圖形形成時，圖形形成從源極布線22的一部起在行方向延伸設置的延伸設置部，將該延伸設置部和另外形成的第1源電極310S電連接。同樣地，在上述實施方式中，第2源電極320S設為線狀的第1電源布線23的一部分，但不限于此。例如，也可以構成為在第1電源布線23A的圖形形成時，圖形形成從第1 電源布線23A的一部分起在行方向延伸設置的延伸設置部，將該延伸設置部和另外形成的第2源電極320S電連接。另外，在上述實施方式中，電源布線23在相鄰的柵極布線21之間排列1條，但不限于此。例如，也可以在相鄰的柵極布線21之間排列多條電源布線23。另外，在上述實施方式中，在1個像素形成2個薄膜晶體管，但不限于此。例如，也可以在1個像素形成3個以上的薄膜晶體管。此時，也可以與薄膜晶體管的個數相一致地排列多條電源布線23。由此，能夠通過多個電源布線23對需要供電的薄膜晶體管如所希望那樣提供電力。另外，在上述實施方式中，關于本發明的EL顯示面板例示出有機EL顯示面板，但不限于此。例如，本發明的EL顯示面板也可以適用于無機EL面板、或具有液晶顯示元件等使用有源矩陣基板的其他顯示元件的顯示器。另外，只要不脫離本發明的宗旨，將本領域技術人員所能想到的各種變形施加在本實施方式中而得到的方式、組合不同實施方式中的結構要素而構建的方式也包含在本發明的范圍內。例如，如圖M所示的具有本發明的EL顯示面板1的薄型平板電視系統400 等EL顯示裝置也包含在本發明中。產業上的可利用性本發明的圖像顯示裝置用薄膜半導體裝置作為用于有機EL顯示裝置、液晶顯示裝置等的驅動用背板(back plane)是有用的。
2權利要求
1.一種EL顯示面板，具有EL部和控制所述EL部的發光的薄膜半導體部，所述EL部包括陽極電極、陰極電極、以及介于所述陽極電極和所述陰極電極之間的發光層，所述薄膜半導體部具備 基板；柵電極，其形成在基板上；柵極絕緣膜，其以覆蓋所述柵電極的方式形成在所述基板上； 半導體層，其形成在所述柵極絕緣膜上并在所述柵電極的上方； 第1電極，其形成在所述半導體層的上方； 第2電極，其與所述第1電極形成在同一層；層間絕緣膜，其覆蓋所述第1電極和所述第2電極并形成在所述柵極絕緣膜的上方、是與形成有所述柵電極的層不同的層；柵極布線，其配置在所述層間絕緣膜上；電源布線，其在形成有所述柵極布線的所述層間絕緣膜上、與所述柵極布線同層、并且與所述柵極布線并行地配置；以及輔助布線，其在所述層間絕緣膜上與所述柵極布線和所述電源布線同層、并且與所述柵極布線和所述電源布線并行地配置，所述柵電極和所述柵極布線介由設置成貫穿所述柵極絕緣膜和所述層間絕緣膜的第1 導電部電連接，所述第1電極和所述第2電極中的任一方與所述電源布線介由設置成貫穿所述層間絕緣膜的第2導電部電連接，所述輔助布線與所述陰極電極電連接。
2.根據權利要求1所述的EL顯示面板，所述電源布線和所述輔助布線形成在與所述柵極布線相同或預定的近似值的高度。
3.根據權利要求1或權利要求2所述的EL顯示面板，所述電源布線和所述輔助布線配置在所述柵極布線和與所述柵極布線并行、與所述柵極布線相鄰的其他柵極布線之間，組合了所述電源布線和所述輔助布線雙方的寬度對應于所述柵極布線和與所述柵極布線并行配置的與所述柵極布線相鄰的其他柵極布線之間的寬度，所述電源布線和所述輔助布線與相鄰的2個所述柵極布線接近地配置以使得填埋相鄰的2個所述柵極布線之間。
4.根據權利要求1 3中任一項所述的EL顯示面板，所述柵極布線和所述電源布線的距離、所述電源布線和所述輔助布線的距離、所述輔助布線和所述柵極布線的距離分別為4 μ m以上。
5.根據權利要求1 4中任一項所述的EL顯示面板，所述電源布線和所述輔助布線中的至少任一方具有比所述柵極布線的寬度寬的寬度。
6.根據權利要求1 5中任一項所述的EL顯示面板， 所述半導體層為P溝道型，所述電源布線形成為與所述半導體層重疊。
7.根據權利要求1 5中任一項所述的EL顯示面板，所述半導體層為η溝道型，所述電源布線和所述輔助布線形成為與所述半導體層不重疊。
8.根據權利要求1 7中任一項所述的EL顯示面板， 所述第1電極為源電極，所述第2電極為漏電極。
9.根據權利要求1 7中任一項所述的EL顯示面板， 所述第1電極為漏電極，所述第2電極為源電極。
10.根據權利要求1 9中任一項所述的EL顯示面板， 所述半導體層包括多晶性半導體層。
11.根據權利要求1 10中任一項所述的EL顯示面板，構成所述電源布線和所述輔助布線的材料包括Al、Cu、Ag中的任一種。
12.根據權利要求1 11中任一項所述的EL顯示面板， 所述EL部為具有有機發光層作為所述發光層的有機EL部。
13.一種EL顯示裝置，具有權利要求1 12中任一項所述的EL顯示面板。
14.一種EL顯示面板的制造方法，包括 第1工序，準備基板；第2工序，在所述基板上形成柵電極； 第3工序，覆蓋所述柵電極在所述基板上形成柵極絕緣膜； 第4工序，在所述柵極絕緣膜上在所述柵電極的上方形成半導體層； 第5工序，在所述半導體層的上方形成第1電極，并形成與第1電極電連接的源極布線和第2電極；第6工序，覆蓋所述第1電極和所述第2電極并在所述柵極絕緣膜的上方形成第1層間絕緣膜；第7工序，形成貫穿所述柵極絕緣膜和所述第1層間絕緣膜的第1接觸孔； 第8工序，形成貫穿位于所述柵電極的上方的所述第1層間絕緣膜、與所述第1接觸孔不同的第2接觸孔；第9工序，通過在所述第1層間絕緣膜上形成金屬膜并進行圖形化，形成介由所述第 1接觸孔與所述柵電極電連接的柵極布線，與所述柵極布線平行、介由所述第2接觸孔與所述第1電極或所述第2電極電連接的所述電源布線，以及與所述柵極布線和所述電源布線并行、與所述陰極電極電連接的輔助布線；第10工序，以覆蓋所述第1層間絕緣膜、所述電源布線、和所述輔助布線的上面的方式形成第2層間絕緣膜；第11工序，形成貫穿所述第2層間絕緣膜的第3接觸孔；以及第12工序，在所述第2層間絕緣膜的上方，形成包括一組陽極電極和陰極電極、以及介于所述陽極電極和所述陰極電極之間的發光層的EL部，在所述第12工序中，介由所述第3接觸孔將所述陰極電極與所述輔助布線電連接。
15.根據權利要求14所述的EL顯示面板的制造方法， 在所述第4工序中形成的半導體層為非晶性半導體層，在所述第4工序和所述第5工序之間包括如下的工序從所述非晶性半導體層的上方照射預定的激光，通過所述預定的激光照射將所述非晶性半導體層的溫度設為預定的溫度范圍，使所述非晶性半導體層結晶化。
16.根據權利要求14或權利要求15所述的EL顯示面板的制造方法， 所述EL部為用有機發光層形成所述發光層的有機EL部。
全文摘要
EL顯示面板具有EL部和薄膜半導體部，EL部包括陽極電極、陰極電極和發光層，薄膜半導體部具有基板、柵電極、柵極絕緣膜、半導體層、第1電極、第2電極、層間絕緣膜、在層間絕緣膜上配置的柵極布線(21)、在層間絕緣膜上與柵極布線(21)同層且與柵極布線(21)并行地配置的電源布線(23)、在層間絕緣膜上與柵極布線(21)和電源布線(23)同層且與柵極布線(21)和電源布線(23)并行地配置的輔助布線(25)。
文檔編號H01L29/786GK102576722SQ20108000340
公開日2012年7月11日 申請日期2010年9月29日 優先權日2010年9月29日
發明者鐘之江有宣 申請人:松下電器產業株式會社