專利名稱：改良式硅芯片承載裝置的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種硅芯片承載裝置，特別是涉及這樣一種改良式硅芯片承載裝 置，該承載裝置中的承載板體具有鉆孔，可使供氣單元提供的氣流通過，以破除硅芯片與承 載板體之間的真空吸附狀態。
背景技術：
在太陽能產業中，硅芯片的傳送過程在產能的提升或產品合格率及缺陷上均扮演 著舉足輕重的角色。換言之，承載硅芯片的承載板體與吸取硅芯片的吸盤之間的配合必須 效率化及最佳化。然而，公知的柏努力吸盤在吸取承載板體上的硅芯片常需耗時10至15 秒。如此一來，不僅對產能有很大的影響，更容易因該公知的承載板體具有定位孔的設計， 而使得硅芯片嚴重回鍍(back-plating)。有鑒于此，本申請的發明人提出了一種改良式硅 芯片承載裝置，以改善上述問題。
實用新型內容針對公知技術的問題，本實用新型的目的就是提供一種改良式硅芯片承載裝置， 在該承載裝置中，承載板體具有至少一個鉆孔以及至少一個導槽，并通過供氣單元提供氣 流以通過鉆孔，從而破除硅芯片與承載板體之間的真空吸附狀態。參照本實用新型的目的，提出一種改良式硅芯片承載裝置，其包括承載板體及供 氣單元。具體地說，承載板體具有至少一個鉆孔，而承載板體與被承載的硅芯片呈真空吸附 狀態。供氣單元設置在承載板體的周圍，并提供氣流以通過上述鉆孔，從而破除承載板體與 硅芯片之間的真空吸附狀態。具體地說，鉆孔的數量及形式并不具有局限性，不論是以直鉆或是任何形式斜鉆 的方式都可以，該斜角在O至90度的范圍內，且承載板體由石墨和碳纖聚合材料所組成的 復材板制成。再者，供氣單元設置的位置可調整，只要供氣單元所提供的氣流可順利地通過 承載板體的鉆孔即可。同樣，供氣單元的氣流的大小及方向與鉆孔配合，從而可調整。最后， 承載板體與硅芯片之間的真空吸附力被解除后，可利用吸附單元來快速吸取硅芯片。通過上述說明，根據本實用新型的改良式硅芯片承載裝置可具有下述優點(1)依據本實用新型的改良式硅芯片承載裝置，當承載板體與硅芯片之間的真空 吸附狀態被破除時，吸附單元可快速吸取硅芯片。所謂快速吸取對本實用新型而言，被定義 為約0.2秒。(2)依據本實用新型的改良式硅芯片承載裝置，承載板體并未設有定位孔，因而可 改善硅芯片嚴重回鍍的問題。
圖1為本實用新型的改良式硅芯片承載裝置的承載板體的示意圖。圖2為本實用新型的改良式硅芯片承載裝置的示意圖。[0011]圖3為本實用新型的改良式硅芯片承載裝置的供氣單元及吸附單元的示意圖。主要組件符號說明100:承載板體；110:鉆孔；120:導槽;200 硅芯片；300:供氣單元；310:氣流;400:吸附單元。
具體實施方式
根據本實用新型的技術特征，以下將參照相關附圖圖說明根據本實用新型的改良 式硅芯片承載裝置的實施例，為便于理解，下述實施例中的相同組件以相同的符號標示來 說明。首先，請參閱圖1，該圖為本實用新型的改良式硅芯片承載裝置的承載板體的示意 圖。如圖1所示，本實用新型的改良式硅芯片承載裝置的承載板體100具有至少一個鉆孔 110及至少一個導槽120，所述鉆孔110的斜角在0至90度的范圍內，所述斜角是鉆孔110 與承載板體100的平面法線的夾角。換言之，本實用新型的承載板體100上的鉆孔110可 以只有一個，當然也可以布滿整個承載板體100，且鉆孔110不論采用直鉆或任何形式斜鉆 的方式，皆為本實用新型所欲主張的技術范圍的樣態。因此，在圖1中舉例示出承載板體100具有4個鉆孔110及4個導槽120的例子， 且鉆孔110及導槽120有共同的幾何中心，鉆孔110及導槽120都由該幾何中心往外呈放 射狀排列。其中，導槽120的功能在于將從外部所導入的氣流均勻化且可用于釋放多余的 氣流，以使承載板體100內分布的氣流平穩。當然，無論是鉆孔110或導槽120的數量或排 列的位置都僅為舉例，并不具限制性。值得注意的是，本實用新型的承載板體100由石墨和 碳纖聚合材料所組成的復材板制成，且承載板體100并未設有定位孔。請同時參閱圖2和圖3，圖2和圖3分別為本實用新型的改良式硅芯片承載裝置的 示意圖及本實用新型的改良式硅芯片承載裝置的供氣單元及吸附單元的示意圖。如圖2及 圖3所示，承載板體100用于承載至少一個硅芯片200，而承載板體100與被承載的硅芯片 200之間呈真空吸附狀態。也就是說，當承載板體100在傳送的過程中，每一片硅芯片200 與承載板體100都通過真空吸附而彼此緊密貼合。在此強調，上述承載板體100位于所承 載的硅芯片200處都包括至少一個鉆孔110及至少一個導槽120，當然本實用新型的承載板 體100也可承載多個硅芯片200。總之，本實用新型的承載板體100在對應每個硅芯片200 處都包含至少一個鉆孔110及至少一個導槽120，以利于破除硅芯片200與承載板體100之 間的真空吸附狀態。此外，本實用新型還包括供氣單元300，其設置于承載板體100的周圍， 該供氣單元300可提供氣流310以通過上述鉆孔110，并以此破除硅芯片200與承載板體 100之間的真空吸附狀態，使得承載板體100與硅芯片200得以分離。由此，可以了解的是 本實用新型的主要技術特征在于可通過外在的供氣單元300提供氣流310，并將氣流310吹 向承載板體100的鉆孔110，從而使承載板體100與硅芯片200之間的真空吸附力被解除。
4從而，供氣單元300設置的位置能夠被調整，只要供氣單元位于承載板體100的周圍以使得 供氣單元300所提供的氣流310可順利地通過承載板體100的鉆孔110即可。雖然圖3示 出了供氣單元300設置于承載板體100下方，但值得注意的是，這僅是舉例性的示意，而非 為限制性表示。也就是說，供氣單元300的氣流310的大小及方向與鉆孔110配合。舉例來說，供 氣單元300可設置于承載板體100的鉆孔110的下方，所以供氣單元300的氣流310可往 上輕易地吹至上方的承載板體100的鉆孔110，并以此解除承載板體100與被承載的硅芯片 200之間的真空吸附狀態；然而，這僅為舉例，并非具有限制性，只要供氣單元300設置的位 置可使氣流310通過承載板體100上的鉆孔110，并以此解除承載板體100與被承載的硅芯 片200之間的真空吸附狀態即可。如果供氣單元300離承載裝置100較遠時，即可調整放 大該氣流310的流量。反之，供氣單元300離承載裝置100較近時，可調整減低該氣流310 的流量。總之，供氣單元300的氣流310的大小及方向可調整，在生產在線的使用非常具有 便利性。總的來說，本實用新型的承載板體100與硅芯片200之間的真空吸附力被解除后， 可利用吸附單元400快速吸取硅芯片200。對于本實用新型而言，所謂快速吸取的定義為約 0. 2秒。也就是說，供氣單元300解除該真空吸附力所耗時相當短，吸附單元400不需在硅 芯片200上停留太久的時間，因而可增大生產線的產能并提高硅芯片200的合格率。另外， 所述吸附單元400為符合柏努力定律的吸盤，在供氣單元300強制破除真空后，以快速有效 率的方式吸取硅芯片200，同時可減少破壞硅片發生的機率。上述描述僅為舉例性，而非為限制性。任何未脫離本實用新型的精神與范疇，而對 其進行的等效修改或變更，均應落入本申請的專利范圍中。
權利要求1.一種改良式硅芯片承載裝置，其特征在于該裝置包括 承載板體，具有至少一個鉆孔；以及供氣單元，設置于所述承載板體的周圍，該供氣單元提供氣流，該氣流通過所述至少一 個鉆孔，以破除所述承載板體與被承載的硅芯片之間所呈現的真空吸附狀態。
2.如權利要求1所述的改良式硅芯片承載裝置，其特征在于該裝置還包括吸附單元， 當所述承載板體與所述硅芯片之間的真空吸附狀態被破除時，該吸附單元用于吸取所述硅芯片。
3.如權利要求1所述的改良式硅芯片承載裝置，其特征在于所述供氣單元被設置于所 述承載板體的下方。
4.如權利要求1所述的改良式硅芯片承載裝置，其特征在于設置所述供氣單元的位置 能夠被調整。
5.如權利要求1所述的改良式硅芯片承載裝置，其特征在于所述供氣單元的氣流的方 向與所述至少一個鉆孔配合。
6.如權利要求1所述的改良式硅芯片承載裝置，其特征在于所述承載板體由石墨和碳 纖聚合材料所組成的復材板制成。
7.如權利要求1所述的改良式硅芯片承載裝置，其特征在于所述承載板體還具有至少 一個導槽。
8.如權利要求1所述的改良式硅芯片承載裝置，其特征在于所述至少一個鉆孔的斜角 在0至90度的范圍內。
專利摘要本實用新型公開了一種改良式硅芯片承載裝置，其包括承載板體及供氣單元。所述承載板體具有至少一個鉆孔及至少一個導槽，而承載板體與被承載的硅芯片呈真空吸附狀態。此外，供氣單元設置于承載板體的周圍，并提供氣流以通過承載板體的鉆孔，從而破除承載板體與硅芯片的真空吸附狀態。由此，承載板體與硅芯片之間的真空吸附力被解除后，可利用吸附單元快速吸取硅芯片。
文檔編號H01L21/683GK201868407SQ201020624458
公開日2011年6月15日 申請日期2010年11月23日 優先權日2010年11月23日
發明者葉耿偉, 張育升, 張顥騫, 楊新興, 林俊良, 陳威有 申請人:茂迪股份有限公司