專利名稱：直通硅穿孔連接結構的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種直通硅穿孔連接結構，尤指一種可使晶粒利用穿孔與導電膏 的配合，進而導通晶粒兩面的電路布局區，而達到易于制作以及節省制作成本的直通硅穿 孔連接結構。
背景技術：
一般已用的半導體制程中，通常需于相關晶粒上設置多數通孔，并于通孔設置導 電層，藉以使晶粒的兩表面進行導通，而目前一般的作法系以工具在晶粒上鉆設有多數的 通孔，之后再于各通孔的內壁面上以化學汽相沉積(DVD)、物理汽相沉積(PVD)、電鍍或非 電鍍的方式形成有導電層，進而達到導通晶粒兩表面的功效。但是，由于已用的制程必須于晶粒鉆孔后再于各通孔的內壁面上以化學汽相沉積 (DVD)、物理汽相沉積(PVD)、電鍍或非電鍍的方式形成導電層，如此，不但制造過程較為復 雜，且制作成本較高；故，以已用的制程而言，較無法符合實際運用所需。
實用新型內容本實用新型的主要目的在于，提供一種直通硅穿孔連接結構，可使晶粒利用穿孔 與導電膏的配合，進而導通晶粒兩面的電路布局區，而達到易于制作以及節省制作成本的 功效。為達上述目的，本實用新型提供了一種直通硅穿孔連接結構，包括有一晶粒，其兩 面上分別設有一電路布局區，且該晶粒上設有多數貫穿電路布局區的直徑為IOOum以內的 穿孔；其特征在于，各穿孔中分別填充有導電膏，使晶粒兩面上的電路布局區相互導通。于本實用新型的一實施例中，該晶粒可為硅晶圓。于本實用新型的一實施例中，該晶粒可為藍寶石材質。于本實用新型的一實施例中，各穿孔的內緣可環設有導電層。于本實用新型的一實施例中，該導電膏盛裝于一容器中。于本實用新型的一實施例中，該導電膏盛裝于一容器中，且填充于各穿孔后以刮 刀于晶粒的兩面上進行抹平。于本實用新型的一實施例中，該晶粒的一面上可進一步對應設置一印刷模具，而 該印刷模具上具有分別與各穿孔對應的通孔，可讓導電膏利用印刷模具的通孔并配合刮刀 填充于各穿孔中。本實用新型所具有的有益效果為本實用新型利用導電膏填充于各穿孔而實現晶 粒兩面電路布局區的導通，而且在填充后利用刮刀于晶粒的兩面上進行抹平，甚至可進一 步利用印刷模具將導電膏填充于穿孔中，并利用刮刀刮平，這樣就不僅使制程簡單了，而且 使制作成本大幅降低。
圖1系本實用新型的外觀示意圖。圖2系本實用新型的剖面示意圖。圖3及圖4系本實用新型的第一實施狀態示意圖。圖5及圖6系本實用新型的第二實施狀態示意圖。標號說明晶粒1電路布局區1 1、1 2穿孔1 3導電層13 1導電膏2容器3刮刀4印刷模具5通孔 5 1。
具體實施方式
請參閱圖1及圖2所示，分別為本實用新型的外觀示意圖及本實用新型的剖面示意圖。 如圖所示本實用新型系一種直通娃穿 1 接結構，其至少包含一晶粒ι以及導電膏2所構成。上述所提的晶粒1其兩面上分別設有一電路布局區1 1、1 2，且該晶粒1上設 有多數貫穿電路布局區1 1、1 2的直徑為IOOum以內的穿孔1 3，而該晶粒1可為硅晶 圓或為藍寶石材質，且各穿孔1 3的內緣可環設有導電層1 3 1 (亦可依所需不設置導電 層 1 3 1 )。該導電膏2分別填充于各穿孔1 3中，而使晶粒1兩面上的電路布局區1 1、 1 2相互導通。如是，藉由上述結構構成一全新的直通硅穿孔連接結構。請參閱圖3及圖4所示，為本實用新型的第一實施狀態示意圖。如圖所示當本實 用新型于運用時，可將該導電膏2盛裝于一容器3中，之后再擠壓該容器3而直接使導電 膏2填充于各穿孔1 3中，使晶粒1兩面上的電路布局區1 1、1 2相互導通，而由于該導 電膏2于填充之后常會有多余的膏體溢出各穿孔1 3的表面，此時便可利用刮刀4于晶粒 1的一面上(或兩面上)進行來回刮除，而將導電膏2抹平。請參閱圖5及圖6所示，系為本實用新型的第二實施狀態示意圖。如圖所示當本 實用新型于運用時，更可于該晶粒1的一面上進一步對應設置有一印刷模具5，而該印刷 模具5上具有分別與各穿孔1 3對應的通孔5 1，可將容器3內的導電膏2直接擠壓于印 刷模具5上，之后再利用刮刀4于印刷模具5上進行來回刮除，讓導電膏2利用印刷模具 5的通孔5 1并配合刮刀4填充于各穿孔1 3中，之后再將該印刷模具5由晶粒1的一面 上移除，而使晶粒1兩面上的電路布局區1 1、1 2相互導通。綜上所述，本實用新型直通硅穿孔連接結構可有效改善已用的種種缺點，可使晶 粒利用穿孔與導電膏的配合，進而導通晶粒兩面的電路布局區，而達到易于制作以及節省 制作成本的功效。
權利要求1.一種直通硅穿孔連接結構，包括有一晶粒，其兩面上分別設有一電路布局區，且該晶 粒上設有多數貫穿電路布局區的直徑為IOOum以內的穿孔；其特征在于，各穿孔中分別填 充有導電膏，使晶粒兩面上的電路布局區相互導通。
2.根據權利要求1所述的直通硅穿孔連接結構，其特征在于，該晶粒為硅晶圓。
3.根據權利要求1所述的直通硅穿孔連接結構，其特征在于，該晶粒為藍寶石材質。
4.根據權利要求1所述的直通硅穿孔連接結構，其特征在于，各穿孔的內緣環設有導 電層。
5.根據權利要求1所述的直通硅穿孔連接結構，其特征在于，該導電膏盛裝于一容器中。
6.根據權利要求1所述的直通硅穿孔連接結構，其特征在于，該導電膏盛裝于一容器 中，且使導電膏填充于各穿孔后以刮刀于晶粒的兩面上進行抹平。
7.根據權利要求1所述的直通硅穿孔連接結構，其特征在于，該晶粒的一面上對應設 置一印刷模具，該印刷模具上具有分別與各穿孔對應的通孔，使導電膏利用印刷模具的通 孔并配合刮刀填充于各穿孔中。
專利摘要一種直通硅穿孔連接結構，其包含兩面上分別設有一電路布局區的晶粒，且該晶粒上設有多數貫穿電路布局區的直徑為100um以內的穿孔；以及分別填充于各穿孔中的導電膏，使晶粒兩面上的電路布局區相互導通。藉此，可使晶粒利用穿孔與導電膏的配合，進而導通晶粒兩面的電路布局區，而達到易于制作以及節省制作成本的功效。
文檔編號H01L23/52GK201829492SQ20102050993
公開日2011年5月11日 申請日期2010年8月31日 優先權日2010年8月31日
發明者璩澤明, 賴東昇 申請人:茂邦電子有限公司