專利名稱：二極管芯片的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及的是一種半導體分立器件，尤其涉及一種集圓形、SIP0S(半絕緣 多晶硅)鈍化和PHOTO GLASS制程于一體的二極管芯片。
背景技術：
目前二極管市場絕大多數產品，為分裂加工方便，均為方形，如圖3所示。若在空 氣中進行測試的話，其中的折角(90°角)之間容易產生放電，甚至將芯片燒毀。隨著二極管在保護電路中應用的要求的提高，為了解決因尖端放電、耐壓狀況較 差的問題，目前普遍采用的芯片解決辦法較單一要么沒有SIP0S鈍化層，無法克服芯片表 面可動離子的干擾，容易造成反向擊穿；要么芯片邊緣直角轉折處沒有玻璃保護，不能有效 防止溝槽尖端放電現象，易導致芯片被燒毀，要么就是方形結合SIP0S和PHOTO GLASS制 程，不能有效防止方形尖角產生的放電現象。并且，采用上述工藝加工出的芯片，還存在分 裂后芯片側面“爬電”的現象。
發明內容本實用新型針對以上問題，提供了一種能克服檢測中放電，使用中“爬電”現象的 二極管芯片。本實用新型二極管芯片的技術方案是所述芯片邊沿設有一圈玻璃質保護層，所 述芯片的水平投影為無折角的封閉形狀；所述芯片的縱向截面呈凸字形，側邊上部為凹弧 形，下部為直邊；所述側邊的凹弧形段上設有一圈半絕緣多晶硅膜；所述玻璃質保護層覆 蓋所述半絕緣多晶硅膜上部的70-95%。本實用新型的二極管芯片是一種具有良好性能的綜合性二極管芯片，其水平投影 形狀可有效的防止方形芯片尖角造成的尖端放電，同時有效的提高二極管耐壓能力，避免 造成的二極管失效或者電路故障。本實用新型中無折角的封閉形狀定義為圓形、橢圓形、 腰圓形、角部為弧形的四邊形、角部為弧形的五邊形或角部為弧形的六邊形等。上述形狀由 于不含直線相交形成的折角，因此在晶片加工工程(本實用新型芯片的上道工序)中，能有 效避免相鄰芯片間折角處放電的現象。此外，在采用玻璃鈍化之前先用一層SIP0S膜(半 絕緣多晶硅膜)鈍化，其作用為吸收芯片表面可動離子(雜質)，增強器件穩定性、提高二極 管耐壓能力。溝槽底部仍會保留SIP0S膜和SI02膜，防止在蒸金時會有金層附著在上面。
圖1是本實用新型的結構示意圖，圖中1是晶片，2是芯片；圖2是本實用新型中芯片的結構示意圖，圖中3是玻璃質保護層，4是半絕緣多晶硅膜，5是暴露段。圖3是本實用新型背景技術示意圖。
具體實施方式
本實用新型二極管芯片如圖1、2所示所述芯片2邊沿設有一圈玻璃質保護層3， 所述芯片2的水平投影為無折角的封閉形狀；所述芯片2的縱向截面呈凸字形，側邊上部為 凹弧形，下部為直邊；所述側邊的凹弧形段上設有一圈半絕緣多晶硅膜4;所述玻璃質保 護層3覆蓋所述半絕緣多晶硅膜4上部的70-95%。保留底部弧形段為暴露段5。在加工 上述半絕緣多晶硅膜4、玻璃質保護層3、蒸金后，將晶片1分裂，即得本實用新型的芯片2。半導體表面鈍化的研究對半導體器件和集成電路的發展有著極其重要的影響。熱 生長二氧化硅的發現奠定了平面晶體管和集成電路的基礎，但Si-Si02(硅-二氧化硅)結 構的器件在靠近硅襯底界面的二氧化硅中有固定正電荷，難于制造高壓平面晶體管和集成 電路。摻氧半絕緣多晶硅(Semi-Insulating Polycrystalline-Silicon，簡寫 SIP0S)表面 鈍化工藝即是為解決這些問題而研制的。由于SIP0S (半絕緣多晶硅)薄膜的電中性和半絕 緣性，它具備作為一種良好鈍化膜的基礎條件，它可兼用于P型和N型硅的鈍化。SIP0S (半 絕緣多晶硅)彌補了二氧化硅的不足，從根本上改變了二氧化硅的鈍化效果。被廣泛地應 用于各種功率器件。
權利要求二極管芯片，所述芯片邊沿設有一圈玻璃質保護層，其特征在于，所述芯片的水平投影為無折角的封閉形狀；所述芯片的縱向截面呈凸字形，側邊上部為凹弧形，下部為直邊；所述側邊的凹弧形段上設有一圈半絕緣多晶硅膜；所述玻璃質保護層覆蓋所述半絕緣多晶硅膜上部的70 95％。
專利摘要二極管芯片。涉及一種半導體分立器件。能克服檢測中放電，使用中“爬電”現象。芯片邊沿設有一圈玻璃質保護層，芯片的水平投影為無折角的封閉形狀；芯片的縱向截面呈凸字形，側邊上部為凹弧形，下部為直邊；側邊的凹弧形段上設有一圈半絕緣多晶硅膜；玻璃質保護層覆蓋半絕緣多晶硅膜上部的70-95％。本實用新型可有效的防止方形芯片尖角造成的尖端放電，提高耐壓能力，避免失效或故障。SIPOS膜作用為吸收芯片表面可動離子(雜質)，增強器件穩定性、提高二極管耐壓能力。溝槽底部仍會保留SIPOS膜和SIO2膜，防止在蒸金時會有金層附著在上面。
文檔編號H01L23/60GK201708159SQ201020185410
公開日2011年1月12日 申請日期2010年5月11日 優先權日2010年5月11日
發明者汪良恩, 裘立強, 魏興政 申請人:揚州杰利半導體有限公司