專利名稱：發光裝置的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種發光裝置以及一種制造該發光裝置的方法，更具體地講，涉及一 種可通過應用基底剝離(lift-off·)工藝制造的發光裝置以及一種制造該發光裝置的方法。
背景技術：
發光二極管指的是具有半導體p-n結并通過電子-空穴復合發光的半導體器件。 這種發光二極管的應用范圍廣，如應用于顯示裝置、背光等。此外，發光二極管的優點在于， 與現有的電燈泡或熒光燈相比，發光二極管的功耗低且壽命長，并且作為替代現有的電燈 泡和熒光燈的發光二極管的應用已經擴展到普通照明。近年來，已經生產出直接連接到AC電源以連續發光的AC發光二極管。在Sakai 等人的名為"Light emitting device having light emitting elements，，(具有發光兀件 的發光裝置)的第WO 2004/023568 (Al)號PCT公布中公開了一種直接連接到高電壓AC電 源的AC發光二極管的用途的一個示例。根據第WO 2004/023568A1號PCT公布，LED元件二維地串聯在如藍寶石基底的絕 緣基底上，以形成LED陣列。這些LED陣列相互連接，從而提供可以在高電壓進行操作的發 光裝置。此外，將這些LED陣列在藍寶石基底上彼此反向并聯，從而提供可通過AC電源進 行操作的單芯片發光裝置。由于AC-LED包括用作生長基底的基底(例如，藍寶石基底)上的發光單元， 所以在發光單元的結構和提高光提取效率方面存在局限性。為了解決這些問題，名為 “Light emitting diode employing thermally conductive substrateand method of fabricating the same”(采用導熱基底的發光二極管及其制造方法)的第10-0599012號 韓國專利公開了一種通過基底剝離工藝制造AC-LED的方法。圖1至圖4是示出了制造發光裝置的傳統方法的剖視圖。參照圖1，在犧牲基底21上形成半導體層，所述半導體層包括緩沖層23、N型半導 體層25、有源層27和P型半導體層四。此外，在半導體層上形成第一金屬層31，并在與犧 牲基底21分開的基底51上形成第二金屬層53。第一金屬層31可包括反射金屬層。第二 金屬層53結合到第一金屬層31，從而基底51結合到半導體層的上部。參照圖2，在結合基底51之后，利用激光剝離工藝去除犧牲基底21。此外，在去除 了犧牲基底21之后，去除剩下的緩沖層23并暴露N型半導體層25的表面。參照圖3，利用光刻和蝕刻技術對半導體層25、27、四和金屬層31、53進行圖案化 工藝，以形成彼此分離的金屬圖案40和位于金屬圖案40上的發光單元30。每個發光單元 30包括經圖案化的P型半導體層^a、有源層27a和N型半導體層25a。參照圖4，形成金屬引線57以將發光單元30的上表面電連接到與該發光單元30 相鄰的金屬圖案40。金屬引線57將發光單元30相互連接，以形成發光單元的串聯陣列。 為了使金屬引線57連接到發光單元，可在N型半導體層25a上形成電極焊盤55，并且還可在金屬圖案40上形成電極焊盤。可形成兩個或更多個串聯陣列，并將所述這些串聯陣列相 互反向并聯，從而提供可通過AC電源驅動的發光二極管。這樣，傳統方法可以通過選擇適當的基底51來改善發光裝置的散熱，并可經過對 N型半導體層2 的表面進行處理來提高光提取效率。此外，由于第一金屬層31a包括反射 金屬層以反射光，所述光從發光單元30引向基底51，從而進一步提高發光效率。然而，由于在對半導體層25、27、四和金屬層31、53進行圖案化的過程中金屬蝕刻 的副產品粘附到發光單元30的側壁，所以傳統的方法可能會導致N型半導體層2 和P型 半導體層29a之間的短路。此外，當蝕刻半導體層25、27、四時，第一金屬層31a的表面被 暴露并有可能被等離子體損壞。當第一金屬層31a包括諸如Ag或Al的反射金屬層時，這 種蝕刻帶來的損壞會被進一步劣化。等離子體對金屬層31a的表面的損害會劣化引線57 或電極焊盤與金屬層之間的接觸，從而導致器件失效。在傳統的方法中，第一金屬層31可包括反射金屬層，因此反射光，所述光從發光 單元30引向基底。然而，位于發光單元30之間的空間中的反射金屬層經常由于蝕刻或氧 化被損壞，反射層的反射率劣化。此外，由于基底51暴露在金屬圖案40之間的區域上，所 以基底51可吸收光，從而導致光損失。而且，由于引線57連接到N型半導體層25a的上表面(即，發光表面)，所以發光 表面上的引線57和/或電極焊盤55可吸收有源層2 產生的光，從而導致光損失。
發明內容
本發明的示例性實施例提供了一種用于高電壓操作的發光裝置以及一種制造該 發光裝置的方法，該發光裝置可防止由于金屬蝕刻的副產品導致的發光單元中的電短路。本發明的另一示例性實施例提供了一種發光裝置以及一種制造該發光裝置的方 法，該發光裝置可減少在發光單元之間的空間中引向基底的光的損失。本發明的又一示例性實施例提供了一種發光裝置以及一種制造該發光裝置的方 法，該發光裝置可減少從發光表面發射的光的損失，以提高整體發光效率。本發明的另一示例性實施例提供了一種發光裝置以及一種制造該發光裝置的方 法，該發光裝置可有助于發光單元內的電流擴散。本發明的另外方面將在下面的描述中部分地闡明，并且從描述中部分是清楚的， 或者通過本發明的實施可以被理解。本發明的示例性實施例公開了一種發光裝置。該發光裝置包括基底；第一發光 單元和第二發光單元，每個發光單元包括第一導電型上半導體層、有源層、第二導電型下半 導體層以及穿過第二導電型下半導體層和有源層以暴露第一導電型上半導體層的孔；連接 件，位于第一發光單元和基底之間及位于第二發光單元與基底之間，并將第一發光單元和 第二發光單元相互電連接。孔可分別位于第一發光單元和第二發光單元的中心區域處，并 且連接件可將第一發光單元的第二導電型下半導體層電連接到暴露于第二發光單元的孔 中的第一導電型上半導體層。由于連接件位于基底和發光單元之間，所以能夠通過連接件防止光的損失。此外， 由于孔位于發光單元的中心區域處，所以連接件可在中心區域處連接到第一導電型上半導 體層，從而允許電流在發光單元的大面積上擴散。
此外，第一發光單元和第二發光單元中的每個發光單元可包括暴露第一導電型上 半導體層的單個孔，但是并不限于此。可選擇地，第一發光單元和第二發光單元中的每個發 光單元可包括多個孔。發光裝置還可包括隔離溝槽，使發光單元相互隔離；絕緣層，設置在隔離溝槽和 連接件之間。當蝕刻半導體層以形成隔離溝槽時，絕緣層防止連接件暴露，從而可防止蝕刻 時損壞連接件。絕緣層可包括分布布格拉反射器(DBR)。因此，能夠反射從發光單元之間的區域引 向基底的光，從而進一步提高發光效率。可穿過第一導電型上半導體層、有源層和第二導電型下半導體層來形成隔離溝 槽。即，可通過蝕刻包括第一導電型上半導體層、有源層和第二導電型下半導體層的半導體 層來形成隔離溝槽，從而簡化形成發光單元的工藝。發光裝置還可包括覆蓋孔的側壁的絕緣層。絕緣層防止連接件導致第一導電型上 半導體層和第二導電型下半導體層的短路。此外，絕緣層可包括DBR。因此，能夠防止發光 單元中產生的光被孔中的連接件吸收并防止光損失。在一些實施例中，發光裝置還可包括接觸每個發光單元的第二導電型下半導體層 的歐姆接觸層。這里，連接件與第二發光單元的歐姆接觸層絕緣，同時連接到第一發光單元 的歐姆接觸層。在一些實施例中，絕緣層可設置在第二發光單元的歐姆接觸層和連接件之 間，從而連接件可經絕緣層與歐姆接觸層絕緣。此外，DBR可設置在歐姆接觸層和第二導電型下半導體層之間。這里，DBR可包括 通孔，歐姆接觸層可通過通孔連接到第二導電型下半導體層。隔離絕緣層可設置在連接件和基底之間。隔離絕緣層通過使接合金屬與連接件隔 離來防止電短路。本發明的另一示例性實施例公開了一種發光裝置。發光裝置包括基底；第一發 光單元，包括第一導電型上半導體層、有源層、第二導電型下半導體層以及穿過第二導電型 下半導體層和有源層以暴露第一導電型上半導體層的孔；第一連接件，通過孔電連接到第 一導電型上半導體層；第二連接件，電連接到第二導電型下半導體層。孔可位于發光單元的 中心區域處，并且第一連接件可與第二導電型下半導體層電絕緣。這樣，第一連接件和第二 連接件設置在發光單元和基底之間以防止光損失，第二連接件連接到發光單元的中心區域 以有助于發光單元中的電流擴散。第一發光單元可包括暴露第一導電型上半導體層的多個孔。絕緣層可形成在孔的側壁上。絕緣層防止第二連接件導致第一導電型上半導體層 和第二導電型下半導體層的短路。絕緣層可包括DBR，從而通過第二連接件防止第一發光單 元中產生的光的損失。在一些實施例中，發光單元還可包括接觸第二導電型下半導體層的歐姆接觸層。 第二連接件可連接到歐姆接觸層。此外，歐姆接觸層可包括反射金屬層以當第一發光單元 中產生的光被引向基底時將第一發光單元中的光向上側反射。此外，絕緣層可設置在第一連接件和歐姆接觸層之間。結果，第一連接件可經絕緣 層與歐姆接觸層絕緣。絕緣層可包括DBR。發光裝置還可包括第二發光單元，第二發光單元包括第一導電型上半導體層、有源層和第二導電型下半導體層，并且第二連接件可電連接到第二發光單元的第一導電型上 半導體層。在一些實施例中，第二發光單元可包括穿過第二導電型下半導體層和有源層以暴 露第一導電型上半導體層的孔，并且第二連接件可通過孔電連接到第二發光單元的第一導 電型上半導體層。第一發光單元和第二發光單元通過隔離溝槽相互隔離，絕緣層可設置在隔離溝槽 和第二連接件之間。絕緣層可包括DBR。這樣，本發明的示例性實施例提供了一種用于高電壓操作的發光裝置，該發光裝 置可通過防止產生金屬蝕刻副產品來防止發光單元內的電短路。此外，發光裝置采用包括 DBR的絕緣層以反射引向基底的光，從而提高發光效率。此外，連接發光單元的連接件掩埋 在發光裝置中，從而通過連接件防止從發光表面發射的光的損失。此外，發光單元在其中心 區域處形成有孔，連接件通過孔連接到第一導電型上半導體層以有助于發光單元內的電流 擴散。應該理解，前述的一般描述和下面的詳細描述是示例性和解釋性的，并意圖對權 利要求所述的本發明提供進一步解釋。
包括附圖是為了提供對本發明的進一步理解，并且附圖包括在此并構成說明書的 一部分，示出了本發明的實施例，并與描述一起來解釋本發明的原理。圖1至圖4是示出了制造發光裝置的傳統方法的剖視圖。圖5是根據本發明的一個示例性實施例的發光裝置的示意性平面圖。圖6是沿圖5中的線A-A截取的剖視圖。圖7至圖12是示出了根據本發明的一個示例性實施例的制造發光裝置的方法的 剖視圖。圖13是根據本發明的另一示例性實施例的發光裝置的剖視圖。
具體實施例方式在下文中參照附圖更充分地描述本發明，附圖中示出了本發明的示例性實施例。 然而，本發明可以以許多不同的形式來實施，并不應該被解釋為限于在此提出的示例性實 施例。相反，提供這些示例性實施例，是為了使本公開是徹底的并將本發明的范圍充分地傳 達給本領域的技術人員。在附圖中，為了清晰起見，會夸大層和區域的尺寸和相對尺寸。附 圖中相同的標號表示相同的元件。還應該理解，當諸如層、膜、區域或基底的元件被稱作在另一元件“上”時，該元件 可以直接在另一元件上或者可以存在中間元件。相反，當元件被稱作“直接在”另一元件 “上”時，不存在中間元件。圖5是根據本發明的一個示例性實施例的發光裝置的示意性平面圖，圖6是沿圖 5中的線A-A截取的剖視圖。參照圖5和圖6，發光裝置包括基底151、第一發光單元Sl和第二發光單元S2、隔 離溝槽161和連接件135。此外，發光裝置可包括孔130a、歐姆接觸層131、絕緣層133、隔離絕緣層137、粘合層139和接合金屬141。在一些實施例中，發光裝置還可包括保護絕緣層。基底151與用于生長化合物半導體的生長基底相區分，并且為將被附著到已經生 長過的化合物半導體的基底。基底151可為藍寶石基底，但是不限于此。可選擇地，基底 151可為一種不同的絕緣基底或導電基底。具體地講，當使用藍寶石基底作為半導體的生長 基底時，期望基底151為具有與生長基底的熱膨脹系數相同的熱膨脹系數的藍寶石基底。發光單元S1、S2通過隔離溝槽161相互分隔開。發光單元S1、S2中的每個發光單 元包括半導體疊層130，所述半導體疊層130包括第一導電型上半導體層125、有源層127 和第二導電型下半導體層129。有源層127置于第一導電型上半導體層125和第二導電型 下半導體層1 之間。發光單元S1、S2中的每個發光單元包括穿過第二導電型下半導體層 129和有源層127形成的孔130a，以暴露第一導電型上半導體層125。孔130a分別位于發 光單元S1、S2的中心區域處。發光單元S1、S2中的每個發光單元可包括單個孔130a，但是 不限于此。可選擇的，發光單元Si、S2中的每個發光單元可包括多個孔130a。有源層127以及上半導體層125和下半導體層1 可由III-N類的化合物半導體 形成，例如，由(Al、Ga、h)N半導體形成。上半導體層125和下半導體層129中的每個可為 單層或多層。在一些實施例中，上半導體層125和/或下半導體層1 可包括接觸層和蓋 層(clad layer)。在其它實施例中，上半導體層125和/或下半導體層1 還可包括上晶 格層。有源層127可具有單量子阱結構或多量子阱結構。在一些實施例中，第一導電型為 η型且第二導電型為ρ型。由于上半導體層125可由具有相對低的電阻的η型半導體層形 成，所以能夠形成相對厚的上半導體層125。因此，可易于在上半導體層125的上表面上形 成粗糙化的表面R，從而提高有源層127中產生的光的提取效率。隔離溝槽161穿過第一導電型上半導體層125、有源層127和第二導電型下半導體 層1 形成，從而隔離溝槽161的內壁由半導體疊層130形成。由于所有的隔離溝槽161 可形成為具有相同的深度，所以可穩定地執行形成隔離溝槽161的蝕刻工藝。連接件135位于發光單元Si、S2與基底151之間，以將發光單元Si、S2相互電連 接。兩個連接件135連接到一個發光單元Sl或S2，并分別電連接到所述一個發光單元Sl 或S2的第一導電型上半導體層125和第二導電型下半導體層129。此外，每個連接件135 將相鄰的發光單元相互電連接。例如，連接件135將第一發光單元Sl的第二導電型下半導 體層129電連接到第二發光單元S2的第一導電型上半導體層125。這里，連接件135可電 連接到暴露在第二發光單元的孔130a中的第一導電型上半導體層125。這樣，多個發光單元可經連接件135相互串聯連接，以形成發光單元的串聯陣列， 從而提供可以在高電壓下進行操作的發光裝置。此外，可提供多個串聯陣列，并將多個串聯 陣列相互反向并聯，從而提供可用AC電源進行操作的AC發光裝置。歐姆接觸層131可接觸第二導電型下半導體層129。歐姆接觸層131形成在第二 導電型下半導體層1 的大部分的上方，以有助于發光單元S1、S2中的電流擴散。歐姆接觸 層131可包括反射金屬層，因而可反射從發光單元Si、S2引向基底51的光。這里，電連接 到第一發光單元Sl的第二導電型下半導體層129的連接件135可連接到歐姆接觸層131。 連接件135與第二發光單元S2的第二導電型下半導體層1 和歐姆接觸層131絕緣，而電 連接到第二發光單元S2的第一導電型上半導體層125。
絕緣層133設置在隔離溝槽161和連接器135之間，以防止連接件135暴露到外 部。因此，盡管通過蝕刻形成隔離溝槽161，也能夠保護連接件不會被蝕刻壞。絕緣層133位于孔130a的側壁上，以防止連接件135導致上半導體層125和下半 導體層129的短路。此外，絕緣層133設置在歐姆接觸層131和連接件135之間，以使歐姆 接觸層131和連接件135相互絕緣。在這個實施例中，孔130a上的絕緣層、用于防止蝕刻損壞的絕緣層以及歐姆接觸 層131上的絕緣層可由單個絕緣層133形成，并可包括分布布拉格反射器(DBR)。可選擇 地，這些絕緣層可通過不同的工藝形成。接合金屬141可設置在發光單元S1、S2與基底151之間。接合金屬141可由例如 Au/Sn的金屬材料形成，以將基底151接合到發光單元Si、S2。此外，隔離絕緣層137可設 置在發光單元Si、S2與接合金屬141之間，以使連接件135與接合金屬141電絕緣。在一 些實施例中，例如Cr/Au的粘合層139可形成在隔離絕緣層137下方，以提高接合金屬141 的粘合力。第一導電型上半導體層125可包括粗糙化的表面R。此外，保護絕緣層(未示出) 可覆蓋發光單元Si、S2，以保護發光單元。保護絕緣層可填充隔離溝槽161。圖7至圖12是示出了根據本發明的一個示例性實施例的制造發光裝置的方法的 剖視圖。參照圖7，在犧牲基底121上形成化合物半導體層的半導體疊層130。犧牲基底 121可為藍寶石基底，但不限于此。可選擇地，犧牲基底121可為異質的基底。化合物半導 體層可包括第一導電型半導體層125、第二導電型半導體層129以及置于第一導電型半導 體層125和第二導電型半導體層1 之間的有源層。第一導電型半導體層125位于犧牲基 底121附近。第一導電型半導體層125和第二導電型半導體層129中的每個層可為單層或 多層。此外，有源層127可具有單量子阱結構或多量子阱結構。可通過金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)或分子束外延(MBE)在犧牲基底121上形 成由III-N類化合物半導體形成的這些化合物半導體層125、127和129。可在形成化合物半導體層之前形成緩沖層(未示出)。采用緩沖層是為了減少犧 牲基底121與化合物半導體層之間的晶格不匹配，并且緩沖層可為諸如氮化鎵或氮化鋁之 類的氮化鎵基材料。通過將半導體疊層130圖案化來形成孔130a，以暴露第一導電型半導體層125。孔 130a形成在發光單元的中心區域處，用于將連接件連接到第一導電型半導體層125。有源 層127和第二導電型半導體層129的側表面暴露在孔130a的內壁上。為了形成孔130a，通過與臺面蝕刻(mesa etching)工藝非常相似的光刻與蝕刻 對化合物半導體層進行圖案化。然而，通常執行臺面蝕刻來提供網形狀，以使發光單元的第 二導電型半導體層1 相互絕緣，而在本發明的實施例中，孔130a是相互分隔開的。因此， 可減小孔130a的面積，以使得隔離絕緣層和接合金屬易于被平坦化，從而可將基底151穩 定地附著于半導體層。參照圖8，可在第二導電型半導體層1 上形成歐姆接觸層131。歐姆接觸層131 可與第二導電型半導體層1 形成歐姆接觸。歐姆接觸層131形成在每個發光單元上，并 具有暴露每個孔130a的開口。歐姆接觸層131可包括反射金屬層。在一些實施例中，歐姆接觸層131可包括用于保護反射金屬層的障礙層。可形成絕緣層133以覆蓋孔130a的側壁，同時覆蓋歐姆接觸層131的一部分。絕 緣層133覆蓋位于發光單元之間的區域中的第二導電型半導體層129。覆蓋孔130a的側壁 的絕緣層、歐姆接觸層131上的絕緣層以及位于發光單元之間的絕緣層可通過同一工藝由 相同的材料形成。可選擇地，可通過不同的工藝來形成這些絕緣層。絕緣層133可由例如Si02、SiN, MgO、TaO, TiO2或聚合物形成，并可包括分布布拉 格反射器(DBR)。參照圖9，在絕緣層133上形成連接件135。每個連接件135將暴露在孔130a中 的第一導電型半導體層125電連接到相鄰的發光單元區域中的第二導電型半導體層129。 電連接到第二導電型半導體層129的連接件135可連接到歐姆接觸層131。這里，期望在 一些區域中連接件135與歐姆接觸層131和第二導電型半導體層1 絕緣。為此，絕緣層 133設置在連接件135和歐姆接觸層131之間。參照圖10，隔離絕緣層137基本形成在犧牲基底121的其上形成有連接件135的 整個表面上。隔離絕緣層137覆蓋連接件135和絕緣層133。隔離絕緣層137可由氧化硅 膜、氮化硅膜等形成。此外，隔離絕緣層137可為其內周期性形成有Si02/Ti02&DBR。粘合 層139可形成在隔離絕緣層137上，并且接合金屬141可形成在粘合層139上。然后，可將 基底151接合到接合金屬141。接合金屬141可由例如AuSn(80/20Wt% )形成。基底151 可具有與犧牲基底121的熱膨脹系數相同的熱膨脹系數。在一些實施例中，基底151可由 藍寶石基底形成，但是不限于此。參照圖11，然后去除犧牲基底121，并暴露第一導電型半導體層125。可通過激光 剝離(LLO)或其它機械或化學技術來去除犧牲基底121。這里，還去除緩沖層以暴露第一導 電型半導體層125。參照圖12，形成隔離溝槽161，以將半導體疊層130劃分成發光單元S1、S2。通過 蝕刻半導體疊層130直到暴露絕緣層133來形成隔離溝槽161。這里，絕緣層133防止連 接件135被暴露。隔離溝槽161的側壁由半導體疊層130形成，第一導電型半導體層125、 有源層127和第二導電型半導體層129的側表面暴露在隔離溝槽內。可通過光增強化學 (PEC)蝕刻等在第一導電型半導體層125上形成粗糙化表面R。然后，在第一導電型半導體層125上形成保護絕緣層(未示出)和電極焊盤(未 示出)，并將基底151分成均包括發光單元S1、S2的發光裝置單元，從而提供單個芯片發光
直ο圖13是根據本發明的另一示例性實施例的發光裝置的剖視圖。參照圖13，根據本實施例的發光裝置具有與參照圖5和圖6描述的發光裝置的結 構相似的結構。然而，在這個實施例中，在形成歐姆接觸層171之前形成DBR 170。DBR 170設置在歐姆接觸層171和第二導電型下半導體層1 之間。DBR170可覆 蓋孔130a中的側壁，并可設置在隔離溝槽161和連接件175之間。DBR 170可包括歐姆接觸層171和第二導電型下半導體層1 之間的通孔170a， 并且歐姆接觸層171可通過通孔170a連接到第二導電型下半導體層129。絕緣層173形成在歐姆接觸層171的一些區域上，并使連接件175與歐姆接觸層 171電絕緣。
在這個實施例中，在歐姆接觸層171和第二導電型下半導體層1 之間的區域上， DBR 170形成在孔130a內的側壁上，并且DBR 170形成在隔離溝槽161與連接件175之間 的區域上，從而改善發光單元Si、S2中產生的光的反射，因而提高發光效率。盡管已經結合附圖參照一些示例性實施例示出了本發明，但是對本領域技術人員 清楚的是，在不脫離本發明的精神和范圍的情況下，可在本發明中做出各種變形和修改。因 此，應該理解，僅通過示出的方式提供了實施例，并且給出實施例是為了提供本發明的完整 的公開，并對本領域技術人員提供對本發明的完整理解。因此，本發明意圖覆蓋落在權利要 求及其等同物范圍內的本發明的修改和變化。
權利要求
1.一種發光裝置，所述發光裝置包括 基底；第一發光單元和第二發光單元，每個發光單元包括第一導電型上半導體層、有源層、第 二導電型下半導體層以及穿過第二導電型下半導體層和有源層以暴露第一導電型上半導 體層的孔；連接件，位于第一發光單元和基底之間及位于第二發光單元與基底之間，并將第一發 光單元和第二發光單元相互電連接，其中，孔分別位于第一發光單元和第二發光單元的中心區域處，并且連接件將第一發 光單元的第二導電型下半導體層電連接到暴露于第二發光單元的孔中的第一導電型上半 導體層。
2.根據權利要求1所述的發光裝置，還包括 隔離溝槽，使發光單元相互隔離；絕緣層，設置在隔離溝槽和連接件之間。
3.根據權利要求2所述的發光裝置，其中，絕緣層包括DBR。
4.根據權利要求2所述的發光裝置，其中，隔離溝槽穿過第一導電型上半導體層、有源 層和第二導電型下半導體層形成。
5.根據權利要求1所述的發光裝置，還包括覆蓋孔的側壁的絕緣層。
6.根據權利要求5所述的發光裝置，其中，絕緣層包括DBR。
7.根據權利要求1所述的發光裝置，還包括歐姆接觸層，接觸每個發光單元的第二導電型下半導體層；其中，連接件與第二發光單元的歐姆接觸層絕緣，同時連接到第一發光單元的歐姆接 觸層。
8.根據權利要求7所述的發光裝置，還包括設置在第二發光單元的歐姆接觸層與連接 件之間的絕緣層。
9.根據權利要求7所述的發光裝置，還包括設置在歐姆接觸層與第二導電型下半導體 層之間的DBR，其中，DBR包括通孔，并且歐姆接觸層通過通孔連接到第二導電型下半導體層。
10.根據權利要求1所述的發光裝置，還包括設置在連接件和基底之間的隔離絕緣層。
11.根據權利要求1所述的發光裝置，其中，每個發光單元包括暴露第一導電型上半導 體層的多個孔。
12.一種發光裝置，所述發光裝置包括 基底；第一發光單元，包括第一導電型上半導體層、有源層、第二導電型下半導體層以及穿過 第二導電型下半導體層和有源層以暴露第一導電型上半導體層的孔； 第一連接件，通過孔電連接到第一導電型上半導體層； 第二連接件，電連接到第二導電型下半導體層，其中，孔位于發光單元的中心區域處，并且第一連接件與第二導電型下半導體層電絕緣。
13.根據權利要求12所述的發光裝置，還包括絕緣層，形成在孔的側壁上，絕緣層包括DBR。
14.根據權利要求12所述的發光裝置，還包括歐姆接觸層，接觸第二導電型下半導體層，其中，第二連接件連接到歐姆接觸層。
15.根據權利要求14所述的發光裝置，其中，歐姆接觸層包括反射金屬層。
16.根據權利要求14所述的發光裝置，還包括設置在第一連接件和歐姆接觸層之間的 絕緣層。
17.根據權利要求16所述的發光裝置，其中，絕緣層包括DBR。
18.根據權利要求12所述的發光裝置，還包括第二發光單元，包括第一導電型上半導體層、有源層和第二導電型下半導體層，其中，第二連接件電連接到第二發光單元的第一導電型上半導體層。
19.根據權利要求18所述的發光裝置，其中，第二發光單元包括穿過第二導電型下半 導體層和有源層以暴露第一導電型上半導體層形成的孔，并且第二連接件通過孔電連接到 第二發光單元的第一導電型上半導體層。
20.根據權利要求18所述的發光裝置，其中，第一發光單元和第二發光單元通過隔離 溝槽相互隔離，并且絕緣層設置在隔離溝槽和第二連接件之間。
21.根據權利要求20所述的發光裝置，其中，設置在隔離溝槽和第二連接件之間的絕 緣層包括DBR。
22.根據權利要求12所述的發光裝置，其中，第一發光單元包括暴露第一導電型上半 導體層的多個孔。
全文摘要
公開了一種發光裝置。發光裝置包括基底；第一發光單元和第二發光單元，每個發光單元包括第一導電型上半導體層、有源層、第二導電型下半導體層以及穿過第二導電型下半導體層和有源層以暴露第一導電型上半導體層的孔；連接件，位于第一發光單元和第二發光單元與基底之間，并將第一發光單元和第二發光單元相互電連接。孔分別位于第一發光單元和第二發光單元的中心區域處，并且連接件將第一發光單元的第二導電型下半導體層電連接到暴露于第二發光單元的孔中的第一導電型上半導體層。由于連接件位于基底和發光單元之間，所以能夠通過連接件防止光損失。此外，由于孔位于發光單元的中心區域處，所以允許電流在發光單元的大面積上擴散。
文檔編號H01L27/15GK102117821SQ20101062238
公開日2011年7月6日 申請日期2010年12月30日 優先權日2009年12月31日
發明者徐源哲, 李剡劤 申請人:首爾Opto儀器股份有限公司