專利名稱：非晶硅薄膜太陽能電池的制作方法
技術領域：
本發明屬于基本電氣元件范疇，尤其是關于非晶硅薄膜太陽能電池。
背景技術：
現有的非晶硅薄膜太陽能電池均將非晶硅薄膜芯片，封裝在上下兩塊玻璃基板， 即所謂的頂玻璃和底玻璃之間。因此當陽光照射到太陽能電池表面時，頂玻璃會將部分陽 光反射，而透過芯片的陽光則通過玻離逸出電池外，所以未能充分利用照射在電池上的太 陽能，其轉化效率不高。
發明內容
本發明的目的在于提供一種非晶硅薄膜太陽能電池，解決太陽能電池頂玻璃的陽 光反射和底玻璃的陽光逸出，以提高陽光在電池內部轉換為電能的效率的技術問題。本發明解決上述技術問題采用的技術方案是一種非晶硅薄膜太陽能電池，包含頂玻璃和底玻璃，其特征在于該頂玻璃外表面 設置有厚度≤80納米的氮化硅膜，該底玻璃的內表面設置有厚度< 0. 06微米的真空鍍鋁層。上述氮化硅膜最佳厚度為75納米，真空鍍鋁層最佳厚度為0. 05微米。本發明將低反射率的氮化硅膜設置在非晶硅薄膜太陽能電池面對太陽光的表面， 目的是使陽光盡量多地進入電池內部，而又將高反射率的真空鍍鋁層設置在電池背光的底 部，使原本已穿過太陽能電池后將逸出電池的陽光反射回到非晶硅太陽能電池中去再次進 行光電轉換，從而提高了電池4 5%的光電轉換率。
圖1是本發明的結構剖面示意圖。
具體實施例方式請參閱圖1所示，本發明首先在洗凈的頂玻璃2的一個表面沉積一層具有減反射 作用的氮化硅薄膜1，該氮化硅膜1的厚度< 80納米，以厚度為75納米的氮化硅薄膜為最 佳，因為在該厚度可獲得最佳的對陽光的減反射效果。這一過程使用等離子體增強化學相 沉積(PECVD)法控制氨氣(NH3)和硅烷(SiH4)的流量能獲得均勻、優質的氮化硅薄膜。在洗凈的底玻璃7的一個表面用真空法鍍一層厚度< 0. 06微米的真空鍍鋁層6， 該真空鍍鋁層6的最佳厚度為0. 05微米，反射率可達97 %。在該真空鍍鋁層6上敷設0. 4 毫米厚度的乙烯一醋酸乙酯(EVA)層5，將沉積在兩層透明導電薄膜3之間的非晶硅層4設 置在該乙烯一醋酸乙酯(EVA)層5與頂玻璃2的另一面之間。依據上述本發明的結構，使射入非晶硅太陽能電池的陽光盡量多，再把通過非晶 硅太陽能電池的陽光用底玻璃7上的真空鍍鋁層6又反射回到非晶硅太陽能電池中去。如此本發明可比普通常規的非晶硅太陽能電池的轉換率提高4 5%，其中減反射的氮化硅 膜1可提高2. 5 3%的轉換率，真空鍍鋁層6可提高1. 5 2%的轉換率。
權利要求
1.一種非晶硅薄膜太陽能電池，包含頂玻璃和底玻璃，其特征在于該頂玻璃外表面 設置厚度< 80納米的氮化硅膜，該底玻璃內表面設置有厚度< 0. 06微米的真空鍍鋁層。
2.根據權利要求1所述的非晶硅薄膜太陽能電池，其特征在于該氮化硅膜最佳厚度 為75納米。
3.根據權利要求1所述的非晶硅薄膜太陽能電池，其特征在于該真空鍍鋁層最佳厚 度為0. 05微米。
全文摘要
本發明屬于基本電氣元件范疇。一種非晶硅薄膜太陽能電池，包含頂玻璃和底玻璃，其特征在于該頂玻璃外表面設置厚度≤80納米的氮化硅膜，該底玻璃內表面設置有厚度≤0.06微米的真空鍍鋁層。解決太陽能電池頂玻璃的陽光反射和底玻璃的陽光逸出以提高光電轉換效率的技術問題。
文檔編號H01L31/052GK102117856SQ201010619859
公開日2011年7月6日 申請日期2010年12月28日 優先權日2010年12月28日
發明者王振龍, 錢惠富 申請人:王振龍, 錢惠富