專利名稱：散熱基板以及制造該散熱基板的方法
技術領域：
本發明涉及一種散熱基板以及制造該散熱基板的方法。
背景技術：
近來，為解決與應用至各個領域的功率元件及功率模塊的散熱相關的問題，已致力于通過使用具有高熱導率的金屬材料來制造各種類型的散熱基板。進一步地，已對可通過使用陽極氧化來使散熱率最大化的散熱基板進行了研究。圖1 -圖3為示出了通過使用陽極氧化處理來制造散熱基板的傳統方法的截面圖。 下文中，將參考圖1-圖3描述制造散熱基板的傳統方法。首先，提供一種陽極氧化基板111，該陽極氧化基板111通過使用陽極氧化處理來在鋁基板的一側形成氧化鋁層120而形成。之后，通過電鍍或化學鍍，在所述陽極氧化基板111的一側形成電路層130。在傳統的陽極氧化散熱基板中，由于鋁展現出良好的熱傳遞效果，所以可通過鋁基板來將發射自發熱元件的熱量釋放至外面。因此，安裝于陽極氧化散熱基板上的發熱元件可持續發出高溫熱量，從而解決了發熱元件性能惡化的問題。然而，隨著電子組件變得愈加小且薄，局部布置于散熱基板上的發熱元件的密度變得愈加高，從而散熱基板必須迅速將發射自發熱元件的熱量送至外面。為解決此類問題，可通過使用具有優良吸熱性及高散熱性能的材料來制作散熱基板。然而，底板(base plate)(該底板可用于通過使用陽極氧化處理來制造散熱基板的過程中)的原料限于鋁或鋁合金。因此，當將銅板用作底板時，存在這樣一問題，即難以在銅板上形成氧化鋁層。圖4為示出了傳統散熱基板封裝200的截面圖，該散熱基板封裝200包括安裝于其上的發熱元件。在傳統散熱基板封裝200中，將環氧樹脂層220形成于鋁板或銅板210上以作為絕緣層，并通過使用鋁或銅將電路層230形成于所述環氧樹脂層220上。之后，在電路層 230的襯墊(pad) 240上順序安裝熱擴散器250以及發熱元件沈0，且該發熱元件260通過使用鋁線270而被連接至電路層的電路圖案。然而，由于通常被用作絕緣層的環氧樹脂層220的熱導率低于氧化鋁層的熱導率，從而限制了傳統散熱基板封裝200的散熱能力。
發明內容
因此，已提出本發明以解決上述問題，本發明意欲提供一種散熱基板，該散熱基板可通過利用陽極氧化處理，將鋁基板替換為具有高熱導率的銅基板來改善散熱特性。進一步地，本發明意欲提供一種散熱基板，該散熱基板可通過使用氧化鋁層而非環氧樹脂層作為絕緣層，以解決絕緣層在高溫時分離的問題。此外，本發明意欲提供一種散熱基板，該散熱基板可通過將形成于銅基板上的氧化鋁層部分移除、之后直接將發熱元件安裝于開口所暴露的銅基板上，以改善散熱特性。本發明的一方面提供一種散熱基板，該散熱基板包括銅基板；氧化鋁層，該氧化鋁層形成于所述銅基板的一側上；以及第一電路層，該第一電路層形成于所述氧化鋁層上且包括第一電路圖案和第一襯墊。該散熱基板可進一步包括種子層(seed layer)，該種子層形成于所述銅基板與所述氧化鋁層之間。在此，所述第一電路層可由銅或鋁制成。進一步地，所述第一襯墊可包括安裝于其上的發熱元件。進一步地，可在所述氧化鋁層中形成開口，且可將發熱元件安裝于由該開口所暴露的銅基板上。本發明的另一方面提供一種散熱基板，該散熱基板包括銅基板；氧化鋁層，該氧化鋁層形成于所述銅基板的一側；第一電路層，該第一電路層形成于所述氧化鋁層上且包括第一電路圖案和第一襯墊；以及第二電路層，該第二電路層形成于所述第一電路層上，且包括對應于所述第一電路圖案的第二電路圖案以及對應于所述第一襯墊的第二襯墊。所述散熱基板可進一步包括種子層，該種子層形成于所述銅基板與所述氧化鋁層之間。在此，所述第一電路層可由鋁制成，而所述第二電路層可由銅制成。進一步地，所述第二襯墊可包括安裝于其上的發熱元件。進一步地，可在所述氧化鋁層中形成開口，且可將發熱元件安裝于由該開口所暴露的銅基板上。本發明的另一方面提供一種制造散熱基板的方法，該方法包括提供陽極氧化基板，該陽極氧化基板包括鋁基板和形成于該鋁基板兩側上的氧化鋁層；在所述陽極氧化基板的一側上形成銅基板；移除所述陽極氧化基板的除了該陽極氧化基板的與所述銅基板相接觸的氧化鋁層部分之外的部分；以及在與所述銅基板相接觸的氧化鋁層的暴露表面上， 形成第一電路層，該第一電路層包括第一電路圖案和第一襯墊。該方法進一步包括在提供所述陽極氧化基板與形成所述銅基板之間，在所述陽極氧化基板的一側上形成種子層。進一步地，在形成所述第一電路層之后，所述方法可進一步包括在所述氧化鋁層中形成開口 ；以及將發熱元件安裝于由該開口所暴露的銅基板上。進一步地，在形成所述第一電路層之后，該方法可進一步包括在所述第一襯墊上安裝發熱元件。進一步地，所述第一電路層可由銅制成。本發明的再一方面提供一種制造散熱基板的方法，該方法包括提供陽極氧化基板，該陽極氧化基板包括鋁基板和形成于該鋁基板兩側上的氧化鋁層；在所述陽極氧化基板的一側上形成銅基板；移除形成于所述鋁基板的未形成銅基板的一側上的氧化鋁層，并之后對所述鋁基板進行局部移除以形成第一電路層，該第一電路層包括第一電路圖案和第一襯墊；以及形成第二電路層，該第二電路層包括對應于所述第一電路層的第一電路圖案的第二電路圖案以及對應于所述第一電路層的第一襯墊的第二襯墊。在提供所述陽極氧化基板與形成所述銅基板之間，該方法可進一步包括在所述陽極氧化基板的一側上形成種子層。進一步地，在形成所述第二電路層之后，所述方法可進一步包括在所述氧化鋁層中形成開口 ；以及將發熱元件安裝于由該開口暴露的銅基板上。進一步地，在形成所述第二電路層之后，所述方法可進一步包括在所述第二襯墊上安裝發熱元件。進一步地，所述第二電路層可由銅制成。通過以下結合附圖對實施方式的詳細描述，本發明的以上及其他目的、特征以及優點將被更為顯而易見。本說明書及權利要求書中所使用的術語及詞語不應被解釋為限于一般含義或字典定義，而是應當基于發明人可適當地對術語概念進行定義以更為適當地對其所知的用于執行本發明的最佳方法進行描述這一原則，被解釋為具有與本發明的技術范圍相關的含義及概念。
通過以下結合附圖的詳細描述，本發明的以上及其他目的、特征以及優點將被更為清晰地理解，附圖中圖1-圖3為示出了制造散熱基板的傳統方法的截面圖；圖4為示出了包含了安裝于其上的發熱元件的傳統散熱基板的截面圖；圖5為示出了根據本發明第一實施方式的散熱基板的截面圖；圖6為示出了根據本發明第二實施方式的散熱基板的截面圖；圖7-圖11為示出了制造根據本發明第一實施方式的散熱基板的方法的截面圖；圖12-圖19為示出了制造根據本發明第二實施方式的散熱基板的方法的截面圖； 以及圖20-圖21為示出了均安裝有發熱元件的散熱基板的截面圖。
具體實施例方式通過以下結合附圖對優選實施方式的詳細描述，本發明的目的、特征以及優點將被更為清晰地理解。附圖中，相同的參考標記用于指代相同或相類似的組件，且省略了對其的多余描述。進一步地，在以下描述中，術語“第一”、“第二”、“一側”、“另一側”等用于區分某一組件與其他組件，但此類組件的配置不應被解釋為受該術語的限制。進一步地，在本發明的描述中，當確定對相關技術的詳細描述可能會晦澀本發明的主旨時，將省略其描述。下文中，將參考附圖詳細描述本發明的優選實施方式。散熱基板的結構圖5為示出了根據本發明第一實施方式的散熱基板的截面圖。如圖5所示，根據該實施方式的散熱基板300包括銅基板330、形成于該銅基板 330 一側上的氧化鋁層320、以及形成于該氧化鋁層320上的第一電路層340。在此，第一電路層340包括第一電路圖案340a和第一襯墊340b。進一步地，散熱基板300可進一步包括形成于所述銅基板330與所述氧化鋁層320之間的種子層380。作為散熱基板300的基底部件(base member)的銅基板330用于將發射自發熱元件的熱量釋放至空氣中。由于相比于樹脂基板，銅基板330具有高強度，所以其針對外部施加至散熱基板300的壓力具有很高的抵抗力。進一步地，就熱導率而言，鋁具有238W/mK的熱導率，而銅具有397W/mK的熱導率。因此，當將銅基板330而非鋁基板310用作散熱基板 300的基底部件時(參見圖7-圖10)，可使散熱基板300的散熱效果最大化。所述氧化鋁層320通過對鋁基板310 (參見圖7和圖8)進行陽極氧化處理而形成。 在此，作為形成于銅基板330上的絕緣層的氧化鋁層320用于防止第一電路層340與銅基板330短路。進一步地，由于所述氧化鋁層320通過陽極氧化處理而形成，可實現高純度絕緣層。與此同時，通常用于形成絕緣層的環氧樹脂具有2 4W/mK的熱導率，而通過陽極氧化處理形成的氧化鋁層320具有20 25W/mK的熱導率。因此，當具有高熱導率的氧化鋁層320用作絕緣層時，可進一步改善散熱基板300的散熱特性。與此同時，在以下對制造散熱基板的方法的描述中，包含了對在銅基板330上形成氧化鋁層320的過程的描述。所述第一電路層340包括第一電路圖案340a和第一襯墊340b，且形成于氧化鋁層 320上。進一步地，所述第一電路層340可由鋁或銅制成。當在氧化鋁層320上形成銅基板330時，所述種子層380 (該種子層380為通過化學鍍或濺射形成于氧化鋁層320上的薄金屬層)用作引入線(incoming line)。然而，取決于形成銅基板330的方法，可不形成種子層380。圖6為示出了根據本發明第二實施方式的散熱基板的截面圖。如圖6所示，根據該實施方式的散熱基板400包括銅基板330、形成于該銅基板 330的一側上的氧化鋁層320、形成于該氧化鋁層320上的第一電路層340、以及形成于該第一電路層340上的第二電路層350。在此，所述第一電路層340包括第一電路圖案340a和第一襯墊340b，而所述第二電路層350包括對應于所述第一電路圖案340a的第二電路圖案 350a以及對應于所述第一襯墊340b的第二襯墊350b。進一步地，所述散熱基板400可進一步包括形成于銅基板330與氧化鋁層320之間的種子層380。在此將省略對根據該實施方式的散熱基板400中的銅基板330、氧化鋁層320以及種子層380的描述，因為他們與根據以上第一實施方式的散熱基板300中的是一樣的。所述第一電路層340包括第一電路圖案340a和第一襯墊340b，且形成于所述氧化鋁層320上。在此，在制造散熱基板400的過程中，所述第一電路層340可通過利用陽極氧化處理形成氧化鋁層320、并在之后在鋁基板310(該鋁基板310已在陽極氧化處理中被用作基底部件)上選擇性地移除和形成圖案而形成。所述第二電路層350包括第二電路圖案350a和第二襯墊350b，且形成于第一電路層340上。具體地，所述第二電路圖案350a對應于第一電路圖案340a，且所述第二襯墊 350b對應于第一襯墊340b。在此，所述第二電路層350可由銅制成，但本發明并不限于此。制造散熱基板的方法圖7-圖11為是出了制造根據本發明第一實施方式的散熱基板的方法的截面圖。、
下文中，將參考圖7-圖11描述制造根據本實施方式的散熱基板的方法。首先，如圖7所述，提供了鋁基板310。在此，用于通過使用陽極氧化處理形成氧化鋁層320的鋁基板310可在稍后已于氧化鋁層320上形成銅基板330之后被全部或部分移除。之后，如圖8所示，所述鋁基板310被陽極氧化，以在該鋁基板310的兩側上形成具有氧化鋁層320的被陽極氧化的基板311。在此，作為絕緣層所述氧化鋁層320用于防止第一電路層340與銅基板330(該銅基板330將在后續過程中形成)短路。現詳細描述形成氧化鋁層320的過程。也就是說，通過將鋁基板310連接至直流電源的兩個電極、并將該鋁基板310浸入酸性溶液(電解質溶液)中，在該鋁基板310的兩側上形成氧化鋁層320。具體地，鋁基板310的表面與電解質溶液相反應，以在其之間的結合處形成鋁離子(Al3+)，且通過施加至鋁基板的電壓以局部生熱來增大鋁基板310的表面的電流密度，從而通過該熱量形成大量鋁離子。因此，可在鋁基板310的表面形成大量凹坑， 并且氧離子移至該凹坑并之后與鋁離子進行反應，從而形成氧化鋁層320。在此，由于相比于其他絕緣部件，氧化鋁層320具有高熱導率，因此，即使氧化鋁層320形成在了鋁基板310的整個表面上，鋁基板310亦可以很容易地散熱。之后，如圖9所示，在被陽極氧化的基板311的一側上形成銅基板330。該銅基板通過濺射或鍍覆(plating)工藝而形成。在此，濺射工藝為通過將金屬微粒噴射至目標表面而形成金屬薄膜的過程。通過使用該濺射工藝，可形成金、銀或銅薄膜。與此同時，在形成氧化鋁層320之后(如圖8所示)，可預先形成種子層380，以通過使用電鍍來形成銅基板330。在此情況下，種子層380(該種子層380為通過使用濺射 (sputter)或化學鍍形成于氧化鋁層上的薄金屬層)具有適于電鍍的厚度，且用作用于通過使用電鍍形成銅基板330的引入線。之后，如圖10所示，將被陽極氧化的基板311中除了與銅基板330相接觸的氧化鋁層320之外的部分移除。具體地，將一側提供有銅基板330的被陽極氧化的基板311浸入蝕刻溶液，調節該蝕刻溶液的成分與蝕刻時間，從而移除鋁基板310以及形成在該鋁基板310另一側上的氧化鋁層320。最后，將用于形成氧化鋁層320的鋁基板310整體移除， 并在該鋁基板310的具有氧化鋁層320的一側上設置銅基板330。之后，如圖11所示，在鄰近銅基板330的氧化鋁層320的暴露面上形成第一電路層340。該第一電路層340包括第一電路圖案340a和第一襯墊340b。具體地，將干膜覆于氧化鋁層320之上，之后利用紫外線(UV)對該干膜進行照射， 該紫外線被掩膜所阻斷。此后，當將顯影劑涂覆至所述干膜時，可留下該干膜被紫外線照射加工的部分，并移除該干膜未被紫外線照射加工的其他部分，從而形成抗鍍圖案。之后，通過使用鍍覆工藝，在由所述抗鍍圖案所暴露的氧化鋁層320上形成第一電路層340，并在之后移除抗鍍圖案。圖12-圖19為示出了制造根據本發明第二實施方式的散熱基板的方法的截面圖。 下文中，將參考圖12-圖19描述制造根據該實施方式的散熱基板400的方法。首先，制造根據本實施方式的圖12-圖14所示的散熱基板的過程與上述制造根據第一實施方式的圖7-圖9所示的散熱基板的過程相同。
之后，如圖15所示，將形成于鋁基板310另一側上的氧化鋁層320移除，并之后將鋁基板310部分移除，直至具有預定厚度。在此，術語“預定厚度”意指第一電路層340的厚度，該第一電路層340將在后續過程中通過使用所剩余的鋁基板310而形成。在此情況下，將被陽極氧化的基板311(該被陽極氧化的基板311的一側提供有銅基板330)浸入蝕刻溶液，并調節該蝕刻溶液的成分和蝕刻時間，從而對鋁基板310進行局部蝕刻。之后，如圖16所示，將干膜覆于所剩余的鋁基板310上，并在之后對其形成圖案以形成抗蝕刻圖案325。可以以與上述方式相同的方式，執行形成該抗蝕刻圖案的方法。之后，如圖17和圖18所示，對由所述抗蝕刻圖案325所暴露的鋁基板310進行蝕刻，以選擇性地移除鋁基板310(參見圖17)，并之后移除抗蝕刻圖案325，以形成第一電路層340(參見圖18)。在此，該第一電路層340包括第一電路圖案340a和第一襯墊340b。之后，如圖19所示，在第一電路層240上形成第二電路層350。在此，該第二電路層350包括第二電路圖案350a和第二襯墊350b。進一步地，所述第二電路層350被配置成使得第二電路圖案350a對應于第一電路圖案340，且第二襯墊350b對應于第一襯墊340b。在此情況下，所述第二電路層350可由銅制成，但本發明并不限于此。與此同時， 形成第二電路層350的過程與以上在制造根據本發明第一實施方式的散熱基板300的方法中形成第一電路層340的過程相同。此外，根據本發明第一或第二實施方式的散熱基板300或400可將發射自發熱元件的熱量釋放至空氣。下文中，將描述散熱基板，每一散熱基板均安裝有散熱元件。圖20為示出了根據本發明第二實施方式的安裝有發熱元件的散熱基板的截面圖。在根據本發明第二實施方式的散熱基板400中，可將發熱元件600安裝到第二電路層350的第二襯墊350b上。當第一襯墊340b由鋁制成，且第二襯墊350b由銅制成時， 散熱基板400可有效地釋放自發熱元件600發射的熱量，因為銅具有高熱導率。進一步地， 當第一襯墊340b由鋁制成時，第一襯墊340與發熱元件600之間的粘結力很小，從而，為了改善它們之間的粘結力，所述第二襯墊350b可為粘結層。與此同時，在根據本發明第一實施方式的散熱基板300中，可將發熱元件600安裝于第一電路層340的第一襯墊340b上。也就是說，可選擇性地省略圖20所示的第二電路層350。當第一襯墊340b由銅制成時，散熱基板300可有效地將自發熱元件600發射的熱量釋放至空氣，因為銅具有高熱導率。圖21為示出了根據本發明第一或第二實施方式的散熱基板的截面圖，在該散熱基板中，發熱元件600直接安裝于銅基板330上。具體地，在根據本發明第一或第二實施方式的散熱基板300或400中，可在氧化鋁層320中形成開口 390，并將焊料隆起焊盤(solder pad) 610粘結至由形成于氧化鋁層320 中的開口 390所暴露的銅基板330上，并之后將發熱元件600安裝于焊料隆起焊盤610上。 在此情況下，由于移除了熱導率比銅低的氧化鋁層320，從而可將發熱元件600直接連接至銅基板330，散熱基板300或400可更為有效地將自發熱元件600發射的熱量釋放至空氣。 與此同時，在傳統的將環氧樹脂層用作絕緣層的散熱基板封裝200 (參見圖4)中，不可能直接將散熱基板200與發熱元件600 —起安裝，因為環氧樹脂層難以從散熱基板200移除。然而，根據本發明第一或第二實施方式的散熱基板300或400可解決上述問題，從而使得散熱基板封裝700的散熱效果最大化。如上所述，根據本發明，在通過陽極氧化處理、并將鋁基板作為基底部件所制造的散熱基板中，將具有高熱導率的銅基板而非鋁基板用作基底部件，從而改善了散熱特性。進一步地，根據本發明的散熱基板，使用由陽極氧化處理形成的氧化鋁層來替代通常用作絕緣層的環氧樹脂層，從而解決了絕緣層在高溫時分離的問題。進一步地，由于由陽極氧化處理所形成的氧化鋁層為高純度絕緣層，因此可進一步改善散熱基板的散熱特性。此外，根據本發明的散熱基板，相比于環氧樹脂層，可很容易地將氧化鋁層移除， 從而可將發熱元件直接安裝于通過局部移除氧化鋁層而暴露的銅基板上，從而使得散熱基板的散熱特性最大化。雖然已出于示例性的目的，公開了本發明的優選實施方式，但本領域技術人員可以理解，在不背離所附權利要求書所公開的本發明的范圍及實質的情況下，各種修改、添加以及替換均是可能的。
權利要求
1.一種散熱基板，該散熱基板包括 銅基板；氧化鋁層，該氧化鋁層形成于所述銅基板的一側上；以及第一電路層，該第一電路層形成于所述氧化鋁層上，且包括第一電路圖案和第一襯墊。
2.根據權利要求1所述的散熱基板，該散熱基板進一步包括第二電路層，該第二電路層包括對應于所述第一電路圖案的第二電路圖案以及對應于所述第一襯墊的第二襯墊。
3.根據權利要求1所述的散熱基板，其中所述第一襯墊包括安裝于該第一襯墊上的發熱元件。
4.根據權利要求2所述的散熱基板，其中所述第二襯墊包括安裝于該第二襯墊上的發熱元件。
5.根據權利要求1所述的散熱基板，該散熱基板進一步包括開口，該開口形成于所述氧化鋁層中，其中發熱元件通過使用焊料隆起焊盤而被安裝于由所述開口所暴露的銅基板上。
6.根據權利要求2所述的散熱基板，該散熱基板進一步包括開口，該開口形成于所述氧化鋁層中，其中發熱元件通過使用焊料隆起焊盤而被安裝于由所述開口所暴露的銅基板上。
7.根據權利要求1所述的散熱基板，其中所述第一電路層由銅或鋁制成。
8.根據權利要求2所述的散熱基板，其中所述第一電路層由鋁制成，所述第二電路層由銅制成。
9.根據權利要求1所述的散熱基板，該散熱基板進一步包括種子層，該種子層形成于所述銅基板與所述氧化鋁層之間。
10.一種制造散熱基板的方法，該方法包括提供陽極氧化基板，該陽極氧化基板包括鋁基板和形成于該鋁基板兩側上的氧化鋁層；在所述陽極氧化基板的一側上形成銅基板；移除所述陽極氧化基板的除了該陽極氧化基板的與所述銅基板相接觸的氧化鋁層部分之外的部分；以及在與所述銅基板相接觸的氧化鋁層的暴露表面上形成第一電路層，該第一電路層包括第一電路圖案和第一襯墊。
11.根據權利要求10所述的方法，在形成所述第一電路層之后，該方法進一步包括 在所述氧化鋁層中形成開口；以及通過使用焊料隆起焊盤，將發熱元件安裝于通過所述開口暴露的銅基板上。
12.根據權利要求10所述的方法，在形成所述第一電路層之后，該方法進一步包括將發熱元件安裝于所述第一襯墊上。
13.根據權利要求10所述的方法，其中所述第一電路層由銅制成。
14.根據權利要求10所述的方法，在提供所述陽極氧化基板與形成所述銅基板之間， 該方法進一步包括在所述陽極氧化基板的所述一側上形成種子層。
15.一種制造散熱基板的方法，該方法包括提供陽極氧化基板，該陽極氧化基板包括鋁基板和形成于該鋁基板兩側上的氧化鋁層；在所述陽極氧化基板的一側上形成銅基板；移除形成于所述鋁基板的未形成所述銅基板的一側上的氧化鋁層，并之后對所述鋁基板進行局部移除以形成第一電路層，該第一電路層包括第一電路圖案和第一襯墊；以及形成第二電路層，該第二電路層包括與所述第一電路層的第一電路圖案對應的第二電路圖案以及與所述第一電路層的第一襯墊對應的第二襯墊。
16.根據權利要求15所述的方法，在形成所述第二電路層之后，該方法進一步包括 在所述氧化鋁層中形成開口 ；以及通過使用焊料隆起焊盤，將發熱元件安裝于通過所述開口暴露的銅基板上。
17.根據權利要求15所述的方法，在形成所述第二電路層之后，該方法進一步包括在所述第二襯墊上安裝發熱元件。
18.根據權利要求15所述的方法，其中所述第二電路層由銅制成。
19.根據權利要求15所述的方法，在提供所述陽極氧化基板與形成所述銅基板之間， 該方法進一步包括在所述陽極氧化基板的所述一側上形成種子層。
全文摘要
在此公開了一種散熱基板，該散熱基板包括銅基板；氧化鋁層，該氧化鋁層形成于所述銅基板的一側上；第一電路層，該第一電路層形成于所述氧化鋁層上；以及第二電路層，該第二電路層形成于所述第一電路層上，其中發熱元件安裝于所述第一電路層的第一襯墊或所述第二電路層的第二襯墊上，或者在所述氧化鋁層上形成開口之后直接安裝于所述銅基板的暴露側上。
文檔編號H01L23/373GK102403280SQ20101060976
公開日2012年4月4日 申請日期2010年12月20日 優先權日2010年9月16日
發明者姜貞恩, 崔碩文, 樸成根, 林昶賢, 金洸洙 申請人:三星電機株式會社