專利名稱：高壓半導(dǎo)體器件制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說(shuō)，涉及一種高壓半導(dǎo)體器件制造方法。
背景技術(shù)：
目前的集成電路生產(chǎn)過(guò)程中，有多種方式生產(chǎn)高壓器件，采用較厚的柵介質(zhì)層來(lái)實(shí)現(xiàn)高壓就是其中的一種，其中柵介質(zhì)層多選用柵氧化層。一般形成柵氧化層之前，都要先在有源區(qū)形成STI淺槽隔離區(qū)，由于STI淺槽隔離區(qū)結(jié)構(gòu)的特殊性，在STI淺溝槽邊角上形成的柵氧化層通常要比平坦的有源區(qū)薄很多，這樣會(huì)導(dǎo)致器件的擊穿電壓降低，從而使器件的可靠性降低，而且從圖1所示的VGID(VG表示柵極電壓，ID表示漏極電流)曲線上可以看出，出現(xiàn)了雙駝峰(hump)現(xiàn)象，使器件的閾值電壓下降，圖1中Vgs表示柵極與源極的電壓差，Vtlin表示閾值電壓，W為溝道寬度，Leff為有效溝道長(zhǎng)度。現(xiàn)有技術(shù)中為了解決STI淺溝槽角上柵氧偏薄的問(wèn)題，一般采取氮化硅回刻的方法，這種方法主要是用干法刻蝕或濕法腐蝕等方法，去除掉一定橫向距離的STI淺溝槽角上的氮化硅，露出STI淺溝槽周邊的襯底材料，該方法形成的柵氧化層較不做氮化硅回刻的情況均勻。下面結(jié)合附圖對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的氮化硅回刻工藝做詳細(xì)介紹。步驟1 參見(jiàn)圖2，提供基底，所述基底包括本體層101、隔離氧化層102、刻蝕阻擋層以及STI淺溝槽104，其中，所述本體層101可以包括外延層、硅襯底等結(jié)構(gòu)，這里的刻蝕阻擋層以氮化硅層103為例，厚度約為1500 A-2000 A,隔離氧化層102可采用熱氧化的方式形成，厚度約為80 A-200 A;步驟2 如圖3所示，采用干法刻蝕或濕法腐蝕的方式將氮化硅層103回刻掉 100 A -500 A,如標(biāo)號(hào)105所示，該步驟的主要目的就是橫向上去除掉STI淺溝槽角上的部分氮化硅，露出部分本體層101的材料即可，不過(guò)從圖中可以看出，該步驟同時(shí)在橫向上去除掉了部分氮化硅層103下方的隔離氧化層102，以及氮化硅層103的厚度也減薄了 ；步驟3 采用熱氧化法在STI淺溝槽的側(cè)壁、底部以及因氮化硅層的回刻露出的 STI角上的本體層上生長(zhǎng)襯墊氧化層，該襯墊氧化層的厚度約為100 A-500 A;步驟4 在STI淺溝槽內(nèi)填充氧化物4000 A -8000 A,之后進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光，去除STI開(kāi)口外多余的氧化物，并除去氮化硅層，同時(shí)隔離氧化層也被腐蝕到60 A -150 A;步驟5 形成高壓N阱和P阱，并形成高壓器件的N型或P型的漂移區(qū)；步驟6 如圖4和圖5所示，根據(jù)器件不同的電壓需求，采用熱氧化法形成厚度約為300 A -1000 A的柵氧化層106。圖5為上述方法形成的STI淺槽隔離區(qū)角上的柵氧化層106的電子顯微照片，從圖中可以看出，現(xiàn)有技術(shù)中形成的STI淺槽隔離區(qū)角上的柵氧化層(標(biāo)號(hào)106a所示區(qū)域) 仍然比較薄，測(cè)試得出的器件的擊穿電壓仍然較低，器件性能仍然不穩(wěn)定。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例提供了一種高壓半導(dǎo)體器件制造方法，改善了 STI淺槽隔離區(qū)角上的柵介質(zhì)層偏薄的現(xiàn)象，使器件性能得到明顯的提高。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實(shí)施例提供了如下技術(shù)方案一種高壓半導(dǎo)體器件制造方法，包括提供基底，所述基底包括本體層、隔離氧化層、刻蝕阻擋層以及STI淺溝槽；在橫向上去除掉STI淺溝槽角上的部分刻蝕阻擋層材料，以露出部分本體層材料；去除掉STI淺溝槽角上的本體層材料，以使STI淺溝槽的尖角變圓滑；在STI淺溝槽側(cè)壁、底部以及露出的本體層材料區(qū)域形成襯墊氧化層；形成STI淺槽隔離區(qū)以及該高壓半導(dǎo)體器件阱區(qū)和漂移區(qū)；在包括STI淺槽隔離區(qū)以及該高壓半導(dǎo)體器件阱區(qū)和漂移區(qū)的基底表面上形成柵介質(zhì)層。優(yōu)選的，在橫向上去除掉的STI淺溝槽角上的刻蝕阻擋層的寬度為100 A-500 A0優(yōu)選的，采用各向同性刻蝕工藝去除掉STI淺溝槽角上的本體層材料，以使STI淺溝槽的尖角變圓滑。優(yōu)選的，采用氧氣和CF4氣體對(duì)STI淺溝槽角上的本體層材料進(jìn)行各項(xiàng)同性刻蝕。優(yōu)選的，去除掉的STI淺溝槽角上的本體層材料厚度小于100 A。優(yōu)選的，采用熱氧化法形成所述襯墊氧化層，所述襯墊氧化層的厚度為 100 A-500 A。優(yōu)選的，在去除掉STI淺溝槽角上的部分刻蝕阻擋層之后，去除掉STI淺溝槽角上的本體層材料之前還包括在橫向上去除部分隔離氧化層。優(yōu)選的，橫向上去除掉的隔離氧化層寬度為100 A -300 A。優(yōu)選的，采用氫氟酸在橫向上去除部分隔離氧化層。優(yōu)選的，形成STI淺槽隔離區(qū)以及該高壓半導(dǎo)體器件阱區(qū)和漂移區(qū)的過(guò)程包括在STI淺溝槽內(nèi)填充STI淺槽隔離區(qū)材料，去除STI淺溝槽開(kāi)口外多余的填充材料；去除刻蝕阻擋層，形成STI淺槽隔離區(qū)；形成該高壓半導(dǎo)體器件阱區(qū)和漂移區(qū)。與現(xiàn)有技術(shù)相比，上述技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明實(shí)施例提供的高壓半導(dǎo)體器件制造方法，通過(guò)去除掉STI淺溝槽角上的本體層材料，以使STI淺溝槽的尖角變圓滑，即減小了 STI淺溝槽角上的應(yīng)力，從而使后續(xù)步驟形成的襯墊氧化層在STI淺溝槽角上的分布變的更加均勻，較現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)施例STI淺溝槽角上以及露出的本體層材料區(qū)域的襯墊氧化層變厚了，進(jìn)而改善了 STI淺槽隔離區(qū)角上的柵介質(zhì)層偏薄的現(xiàn)象，使器件性能得到明顯的提高。
通過(guò)附圖所示，本發(fā)明的上述及其它目的、特征和優(yōu)勢(shì)將更加清晰。在全部附圖中相同的附圖標(biāo)記指示相同的部分。并未刻意按實(shí)際尺寸等比例縮放繪制附圖，重點(diǎn)在于示出本發(fā)明的主旨。圖1為現(xiàn)有技術(shù)中高壓半導(dǎo)體器件的VGID曲線；圖2-圖4為現(xiàn)有技術(shù)中氮化硅回刻工藝各步驟的剖面圖；圖5為采用現(xiàn)有技術(shù)中的氮化硅回刻工藝形成的STI淺槽隔離區(qū)角上的柵氧化層的電子顯微照片；圖6-圖13為本發(fā)明實(shí)施例一公開(kāi)的高壓半導(dǎo)體器件制造方法的剖面圖；圖14為采用本發(fā)明實(shí)施例一公開(kāi)的高壓半導(dǎo)體器件制造方法形成的STI淺槽隔離區(qū)角上的柵氧化層的電子顯微照片；圖15-圖17為本發(fā)明實(shí)施例二公開(kāi)的高壓半導(dǎo)體器件制造方法的剖面圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說(shuō)明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開(kāi)的具體實(shí)施例的限制。其次，本發(fā)明結(jié)合示意圖進(jìn)行詳細(xì)描述，在詳述本發(fā)明實(shí)施例時(shí)，為便于說(shuō)明，表示器件結(jié)構(gòu)的剖面圖會(huì)不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應(yīng)限制本發(fā)明保護(hù)的范圍。此外，在實(shí)際制作中應(yīng)包含長(zhǎng)度、寬度及深度的三維空間尺寸。正如背景技術(shù)部分所述，現(xiàn)有技術(shù)的氮化硅回刻的方法，形成的STI淺溝槽角上的柵氧化層仍然偏薄，不能滿足高壓器件的需求，為了解決上述問(wèn)題，發(fā)明人研究發(fā)現(xiàn)，STI 淺溝槽角上的柵氧化層偏薄的原因是，進(jìn)行氮化硅回刻后，STI淺溝槽角上仍然比較尖銳， 使得STI淺溝槽角上的襯墊氧化層因應(yīng)力較大而不能均勻分布，即STI淺溝槽角上的襯墊氧化層較薄，由于STI淺溝槽角上的襯墊氧化層較薄，而且由于去除掉氮化硅層之后的STI 的頂部結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)，即STI淺槽隔離區(qū)高于襯墊氧化層的部分，在橫向上與襯墊氧化層邊緣的間距是逐漸變大的，進(jìn)而導(dǎo)致熱氧化形成的柵氧化層在STI淺溝槽角上分布較薄。綜上所述，出現(xiàn)上述問(wèn)題的根源在于STI淺溝槽角上比較尖銳，因此若要使柵氧化層在STI淺槽隔離區(qū)角上的厚度滿足高壓器件的需求，應(yīng)使STI淺溝槽角上變圓滑。實(shí)施例一基于此，本發(fā)明實(shí)施例提供的高壓半導(dǎo)體器件制造方法各步驟的剖面圖如圖 6-圖13所示，下面結(jié)合附圖對(duì)該方法進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。步驟1 提供基底，所述基底包括本體層201、隔離氧化層202、刻蝕阻擋層203以及STI淺溝槽204 ；需要說(shuō)明的是，本實(shí)施例中的基底可以包括半導(dǎo)體元素，例如單晶、多晶或非晶結(jié)構(gòu)的硅或硅鍺(SiGe)，也可以包括混合的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，例如碳化硅、銻化銦、碲化鉛、砷化銦、磷化銦、砷化鎵或銻化鎵、合金半導(dǎo)體或其組合；也可以是絕緣體上硅(SOI)。此外，半導(dǎo)體基底還可以包括其它的材料，例如外延層或掩埋層的多層結(jié)構(gòu)。雖然在此描述了可以形成基底的材料的幾個(gè)示例，但是可以作為半導(dǎo)體基底的任何材料均落入本發(fā)明的精神和范圍。如圖6所示，在本體層201上采用熱氧化或CVD的方式形成隔離氧化層202，所述隔離氧化層202的厚度為80 A -200 A,之后采用CVD、LPCVD(低于化學(xué)氣相淀積)或 HDP (高密度等離子體化學(xué)氣相淀積)等方法，在隔離氧化層202表面上形成刻蝕阻擋層 203，本實(shí)施例中的刻蝕阻擋層203可以為氮化硅層、氮氧化硅或二者的混合層，本實(shí)施例僅以氮化硅層為例進(jìn)行說(shuō)明。另外，本實(shí)施例中的本體層201可以包括襯底和位于襯底表面上的外延層，所述襯底為硅襯底，所述外延層可以為采用熱氧化法一次性生長(zhǎng)的N型或P型外延，外延層的厚度可按照器件的具體應(yīng)用要求確定。如圖7所示，在所述刻蝕阻擋層203表面旋涂光刻膠層，為了保證曝光精度，還可在光刻膠層和刻蝕阻擋層203之間形成抗反射層(圖中未示出)，以減少不必要的反射； 之后采用具有STI淺溝槽圖形的掩膜版對(duì)光刻膠層進(jìn)行曝光，在所述光刻膠層表面上形成 STI淺溝槽圖案，之后以具有STI淺溝槽圖案的光刻膠層為掩膜，采用干法或濕法刻蝕工藝，在所述本體層201表面內(nèi)形成STI淺溝槽204，其中，STI淺溝槽204傾斜的側(cè)壁和圓滑的底面有助于提高后續(xù)填充過(guò)程的質(zhì)量和STI淺槽隔離區(qū)的電學(xué)特性。完成S TI淺溝槽的刻蝕后，可采用化學(xué)清洗等方法去除光刻膠層、抗反射層等。步驟2 在橫向上去除掉STI淺溝槽角上的部分刻蝕阻擋層材料，以露出部分本體層材料；如圖8所示，采用干法刻蝕或濕法腐蝕的方式對(duì)刻蝕阻擋層203進(jìn)行回刻，以在橫向上去除掉STI淺溝槽角上的部分刻蝕阻擋層材料，露出部分本體層材料，即露出STI淺溝槽角上的本體層材料，如標(biāo)號(hào)205所示。本實(shí)施例在橫向上去除掉的STI淺溝槽角上的刻蝕阻擋層的寬度為100 A -500 A。從圖中可以看出，該步驟在橫向上和縱向上都去除掉了部分刻蝕阻擋層材料，同時(shí)在橫向上也去除掉了一定寬度的隔離氧化層材料，所述橫向是指垂直于STI淺溝槽深度的方向。步驟3 去除掉STI淺溝槽204角上的本體層材料，以使STI淺溝槽的尖角變圓滑；如圖9所示，可采用各向同性刻蝕工藝或濕法腐蝕工藝去除掉STI淺溝槽角上的本體層材料，從而使STI淺溝槽的尖角變圓滑，如標(biāo)號(hào)206所示。本實(shí)施例中可采用氧氣和 CF4氣體對(duì)STI淺溝槽角上的本體層材料進(jìn)行各項(xiàng)同性刻蝕，另外，本實(shí)施例中只要保證去除掉的STI淺溝槽角上的本體層材料厚度小于100 A即可，對(duì)兩種氣體的配比、濃度以及刻蝕時(shí)間不做特別限定。需要說(shuō)明的是，本步驟的各向同性刻蝕過(guò)程在橫向上和縱向上均去除了部分STI 淺溝槽角上的本體層材料，并且，對(duì)STI淺溝槽的側(cè)壁和底部也有一定的損傷，因此為了避免對(duì)STI淺溝槽的側(cè)壁和底部的損傷過(guò)大，需嚴(yán)格控制氣體成分的配比、濃度以及刻蝕時(shí)間，最好能夠?qū)涛g進(jìn)度進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)。另外，由于刻蝕過(guò)程會(huì)產(chǎn)生多種顆粒，為避免刻蝕過(guò)程對(duì)本體層材料和STI淺溝槽的側(cè)壁和底部造成顆粒沾污等不良影響，該步驟刻蝕完成之后，需將晶片放入一系列化學(xué)試劑中進(jìn)行濕法清洗，之后最好對(duì)特征尺寸和刻蝕缺陷等進(jìn)行檢測(cè)，以免影響后續(xù)工藝以及器件質(zhì)量。步驟4:在STI淺溝槽側(cè)壁、底部以及露出的本體層材料區(qū)域形成襯墊氧化層 207 ；如圖10所示，可采用熱氧化法或CVD等方法形成襯墊氧化層207，襯墊氧化層207 可消除上一步驟的刻蝕過(guò)程對(duì)STI淺溝槽側(cè)壁、底部以及露出的本體層材料造成的損傷， 以減少器件的缺陷，還可以使STI淺溝槽的角上變得更圓滑。本實(shí)施例中的襯墊氧化層207 的厚度約為100 A-500 A。步驟5 參見(jiàn)圖11-圖13，形成STI淺槽隔離區(qū)以及該高壓半導(dǎo)體器件阱區(qū)和漂移區(qū)；如圖11所示，采用CVD、PECVD、LPCVD或HDP等方式，在STI淺溝槽內(nèi)填充厚度約為4000 A -8000 A的STi淺槽隔離區(qū)材料208，本實(shí)施例的填充材料為氧化物，可為氧化硅等材料，只要滿足填充物的要求即可，本實(shí)施例不做具體限定。去除STI淺溝槽開(kāi)口外多余的填充材料；如圖12所示，可采用化學(xué)機(jī)械研磨的方法去除STI淺溝槽開(kāi)口外多余的STI填充層材料，使STI淺溝槽表面齊平，由于本體層上覆蓋有氮化硅等材料作為刻蝕阻擋層，可以防止過(guò)度研磨，完成研磨后檢查隔離氧化層的厚度、顆粒以及缺陷等。去除刻蝕阻擋層，形成STI淺槽隔離區(qū)209 ；化學(xué)機(jī)械研磨之后，利用濕法腐蝕法或其他方法，去除刻蝕阻擋層的氮化硅等，本實(shí)施例中可選用磷酸去除剩余的氮化硅，以形成STI淺槽隔離區(qū)209，該步驟同時(shí)可將隔離氧化層腐蝕到60 A-150 A。形成該高壓半導(dǎo)體器件阱區(qū)和漂移區(qū)。可采用光刻工藝定義該高壓半導(dǎo)體器件的阱區(qū)，之后以具有阱區(qū)圖案的光刻膠層為掩膜，采用離子注入工藝形成N型或P型阱區(qū)；形成漂移區(qū)的過(guò)程類似，采用光刻工藝定義該高壓半導(dǎo)體器件的漂移區(qū)，之后以具有該漂移區(qū)圖案的光刻膠層為掩膜，采用離子注入工藝形成N型或P型漂移區(qū)。步驟6 在包括STI淺槽隔離區(qū)以及該高壓半導(dǎo)體器件阱區(qū)和漂移區(qū)的基底表面上形成柵介質(zhì)層。如圖13所示，根據(jù)不同高壓器件的需求，采用熱氧化法或CVD等方法形成厚度約為300 A -1000 A的柵介質(zhì)層210。其中，柵介質(zhì)層材料可為SrTi03、HfO2, ZrO2或氧化硅等，本實(shí)施例中選用氧化硅，即為柵氧化層。圖14為本實(shí)施例形成的STI淺槽隔離區(qū)角上的柵氧化層的電子顯微照片，從圖14 和圖5的對(duì)比中可以看出，本實(shí)施例中的STI淺槽隔離區(qū)角上的柵氧化層(標(biāo)號(hào)210a所示區(qū)域)的厚度明顯增加了。以上所述的“本體層表面內(nèi)”是指由本體層201表面向下延伸的一定深度的區(qū)域， 該區(qū)域?qū)儆诒倔w層201的一部分；所述“本體層201表面上”是指由本體層201表面向上的區(qū)域，該區(qū)域不屬于本體層201本身。本實(shí)施例通過(guò)去除掉STI淺溝槽角上的本體層材料，以使STI淺溝槽的尖角變圓滑，即減小了 STI淺溝槽角上的應(yīng)力，從而使后續(xù)步驟形成的襯墊氧化層在STI淺溝槽角上的分布變的更加均勻，較現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)施例STI淺溝槽角上以及露出的本體層材料區(qū)域的襯墊氧化層變厚了，進(jìn)而改善了 STI淺槽隔離區(qū)角上的柵介質(zhì)層偏薄的現(xiàn)象，使器件性能得到明顯的提高。實(shí)施例二與上一實(shí)施例相比較，本實(shí)施例公開(kāi)的高壓半導(dǎo)體器件制造方法，在去除掉STI 淺溝槽角上的部分刻蝕阻擋層之后，去除掉STI淺溝槽角上的本體層材料之前還包括在橫向上去除部分隔離氧化層。該步驟的剖面圖如圖15所示，本實(shí)施例中可采用氫氟酸在橫向上去除寬度為 100 A -300 A的隔離氧化層，效果如標(biāo)號(hào)211所示。本實(shí)施例對(duì)隔離氧化層進(jìn)行橫向腐蝕，有助于形成襯墊氧化層時(shí)，氧氣進(jìn)入刻蝕阻擋層的氮化硅下面，以形成鳥(niǎo)嘴形狀，如圖17中的標(biāo)號(hào)213所示。參見(jiàn)圖16，經(jīng)過(guò)在橫向上去除部分隔離氧化層之后，后續(xù)對(duì)STI淺溝槽的尖角進(jìn)行各向同性刻蝕，以將STI淺溝槽的尖角削圓的步驟中，可以使各向同性刻蝕的效果更好， 以使得STI淺溝槽的角上更加圓滑，如圖16中的標(biāo)號(hào)212所示。參見(jiàn)圖17，同樣是因?yàn)楸緦?shí)施例中增加的步驟，可使后續(xù)生長(zhǎng)出的襯墊氧化層在 STI淺溝槽角上的厚度進(jìn)一步增加，如標(biāo)號(hào)213所示，從而使后續(xù)形成的柵氧化層在STI角上的厚度進(jìn)一步增加。本實(shí)施例去除刻蝕阻擋層層下面的部分隔離氧化層，可使去除掉STI淺溝槽角上的本體層材料之后的STI淺溝槽角上更加圓滑，從而可以進(jìn)一步的減小應(yīng)力，并且由于上層氮化硅的作用，還可使STI淺溝槽角上生長(zhǎng)的襯墊氧化層厚度更大，使后續(xù)生長(zhǎng)出的柵氧化層更均勻，進(jìn)一步改善了高壓半導(dǎo)體器件STI淺槽隔離區(qū)角上柵氧偏薄的問(wèn)題，改善了高壓器件的電學(xué)特性，包括漏極與源極之間的擊穿電壓均得到了提高，從而提高了器件的可靠性。以上所述實(shí)施例，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制。雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，然而并非用以限定本發(fā)明。任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動(dòng)和修飾，或修改為等同變化的等效實(shí)施例。因此， 凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所做的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種高壓半導(dǎo)體器件制造方法，其特征在于，包括提供基底，所述基底包括本體層、隔離氧化層、刻蝕阻擋層以及STI淺溝槽； 在橫向上去除掉STI淺溝槽角上的部分刻蝕阻擋層材料，以露出部分本體層材料； 去除掉STI淺溝槽角上的本體層材料，以使STI淺溝槽的尖角變圓滑； 在STI淺溝槽側(cè)壁、底部以及露出的本體層材料區(qū)域形成襯墊氧化層； 形成STI淺槽隔離區(qū)以及該高壓半導(dǎo)體器件阱區(qū)和漂移區(qū)；在包括STI淺槽隔離區(qū)以及該高壓半導(dǎo)體器件阱區(qū)和漂移區(qū)的基底表面上形成柵介質(zhì)層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在橫向上去除掉的STI淺溝槽角上的刻蝕阻擋層的寬度為100 A-500 A。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，采用各向同性刻蝕工藝去除掉STI淺溝槽角上的本體層材料，以使STI淺溝槽的尖角變圓滑。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，采用氧氣和CF4氣體對(duì)STI淺溝槽角上的本體層材料進(jìn)行各項(xiàng)同性刻蝕。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，去除掉的STI淺溝槽角上的本體層材料厚度小于100 A。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，采用熱氧化法形成所述襯墊氧化層，所述襯墊氧化層的厚度為100 A -500 A。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，在去除掉STI淺溝槽角上的部分刻蝕阻擋層之后，去除掉STI淺溝槽角上的本體層材料之前還包括在橫向上去除部分隔離氧化層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，橫向上去除掉的隔離氧化層寬度為 100 A-300 A。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，采用氫氟酸在橫向上去除部分隔離氧化層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成STI淺槽隔離區(qū)以及該高壓半導(dǎo)體器件阱區(qū)和漂移區(qū)的過(guò)程包括在STI淺溝槽內(nèi)填充STI淺槽隔離區(qū)材料，去除STI淺溝槽開(kāi)口外多余的填充材料； 去除刻蝕阻擋層，形成STI淺槽隔離區(qū)； 形成該高壓半導(dǎo)體器件阱區(qū)和漂移區(qū)。
全文摘要
本實(shí)施例公開(kāi)了一種高壓半導(dǎo)體器件制造方法，包括提供基底；在橫向上去除掉STI淺溝槽角上的部分刻蝕阻擋層材料；去除掉STI淺溝槽角上的本體層材料，以使STI淺溝槽的尖角變圓滑；形成襯墊氧化層；形成STI淺槽隔離區(qū)以及該高壓半導(dǎo)體器件阱區(qū)和漂移區(qū)；在包括STI淺槽隔離區(qū)以及該高壓半導(dǎo)體器件阱區(qū)和漂移區(qū)的基底表面上形成柵介質(zhì)層。本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)去除掉STI淺溝槽角上的本體層材料，以使STI淺溝槽的尖角變圓滑，減小了STI淺溝槽角上的應(yīng)力，從而使后續(xù)形成的襯墊氧化層在STI淺溝槽角上的分布變的更加均勻，進(jìn)而改善了STI淺槽隔離區(qū)角上的柵介質(zhì)層偏薄的現(xiàn)象，使器件性能得到明顯的提高。
文檔編號(hào)H01L21/762GK102569159SQ201010598548
公開(kāi)日2012年7月11日 申請(qǐng)日期2010年12月21日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月21日
發(fā)明者李偉 申請(qǐng)人:無(wú)錫華潤(rùn)上華半導(dǎo)體有限公司, 無(wú)錫華潤(rùn)上華科技有限公司