化合物半導體裝置以及制造該化合物半導體裝置的方法

專利名稱：化合物半導體裝置以及制造該化合物半導體裝置的方法
技術領域：
本發明涉及化合物半導體裝置以及制造該化合物半導體裝置的方法。
背景技術：
包括GaAs等的化合物半導體裝置已被廣泛用作發光裝置。作為化合物半導體裝置的電極，已使用由金(Au)合金制成的電極，以獲得良好的歐姆接觸。通常，將信號從外部直接應用到由Au合金制成的電極上而使化合物半導體裝置工作。同時，在諸如裝有邏輯電路的發光裝置陣列(例如，自掃描型發光裝置(SLED)陣列)之類的高集成微裝置中，芯片上的布線密度變高，因此，如同傳統的硅集成電路那樣， 需要形成層間絕緣膜、接觸孔和纖細金屬布線的組合體。在該組合體中，層間絕緣膜形成在由Au合金制成的電極上，但是Au合金和層間絕緣膜材料之間的粘附性通常較低，因此，需要改善由Au合金制成的電極與層間絕緣膜之間的粘附性。在下面將列出的專利文獻1中，披露了這樣的方法在具有Au布線的半導體集成電路中，為了改善Au電極與層間絕緣膜之間的粘附性，在半導體裝置(其形成在半導體基板上)上形成Au布線之后，將鈦膜濺射在所獲得的構造體的整個表面上并對該鈦膜進行氧化，從而形成氧化鈦膜，由此，在該氧化鈦膜的整個表面上形成等離子體氧化膜。在下面將列出的專利文獻2中披露了這樣的內容通過等離子體CVD法，在Au布線上用富含硅的組合物沉積具有Si-H鍵和N-H鍵的、厚度為30nm的氮化硅膜，然后在該膜上形成厚度為500nm的氧化硅膜，從而改善Au布線和無機絕緣膜之間的粘附性。在下面將列出的專利文獻3中披露了這樣的內容在Au布線上形成Cr膜，進而進行熱處理，從而在Au布線周圍形成對絕緣膜具有優良的附性、并且耐腐蝕性和耐熱性優良的反應層，然后，將未反應的Cr膜除去，接著在反應層上形成氧化硅膜。在下面將列出的專利文獻4中披露了這樣的內容在形成金膜之后，形成構成布線的鍍金膜，然后采用離子注入法全面地注入鈦離子，從而在鍍金膜上形成鈦-金合金膜， 接著，在Au-Ti合金膜上形成氧化硅膜作為層間絕緣膜。在下面將列出的專利文獻5中披露了這樣的內容在Au布線上涂覆薄的硅膜之后，采用等離子體CVD法或者進行熱處理，形成由金和硅構成的合金膜，隨后形成絕緣膜。[技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻UJP-A1933--109721
[專利文獻2] JP-A1933--275547
[專利文獻3] JP-A1933--315332
[專利文獻4] JP-A1994--061225
[專利文獻5] JP-A1994--084905
發明內容
本發明的目的是提供一種Au合金電極和層間絕緣膜之間的粘附性得以改善的化合物半導體裝置、以及制造該化合物半導體裝置的方法。[1]根據本發明的一個方面，一種化合物半導體裝置，包括形成在化合物半導體上的Au合金電極；形成在所述Au合金電極上的層間絕緣膜；通過在所述層間絕緣膜中所形成的接觸孔與所述Au合金電極相連接的金屬布線；以及形成在所述Au合金電極和層間絕緣膜之間的界面處的氧化膜，并且所述氧化膜的主成分為所述化合物半導體的構成元素。[2]在上述[1]的構成中，所述化合物半導體為AlGaAs，并且所述氧化膜的主成分為Al。[3]在上述[1]的構成中，所述化合物半導體為AlGaAs，并且所述氧化膜的主成分為Ga。[4]在上述[1]的構成中，述化合物半導體為GaAs，并且所述氧化膜的主成分為
Ga0[5]根據本發明的另一方面，一種制造化合物半導體裝置的方法，包括在化合物半導體上形成Au合金電極；在氧化性氣體的存在下對所述Au合金電極進行退火，從而在所述Au合金電極的表面上形成氧化膜，該氧化膜的主成分為所述化合物半導體的構成元素；在退火后的所述Au合金電極上形成層間絕緣膜；在所述層間絕緣膜中形成接觸孔，同時除去一部分所述氧化膜；以及在所述接觸孔中形成金屬布線。與在Au合金電極和層間絕緣膜之間的界面處未形成主成分為化合物半導體的構成元素的氧化膜的情況相比，采用上述[1]的構成，可以提高Au合金電極和層間絕緣膜之間的粘附性。采用上述[2]的構成，可以形成以下層的構成元素作為主成分的氧化膜，由此，使制造工序簡化，而且能夠適用于現有的工藝。采用上述[3]的構成，可以形成以下層的構成元素作為主成分的氧化膜，由此，使制造工序簡化，而且能夠適用于現有的工藝。采用上述W]的構成，可以形成以下層的構成元素作為主成分的氧化膜，由此，使制造工序簡化，而且能夠適用于現有的工藝。與在Au合金電極和層間絕緣膜之間的界面處未形成主成分為化合物半導體的構成元素的氧化膜的情況相比，采用上述[5]的構成，可以提高Au合金電極和層間絕緣膜之間的粘附性，而不會增加制造工序的步驟數。附圖簡要說明基于下面的附圖對本發明的示例性實施方案進行詳細說明，其中

圖1是根據本發明的一個示例性實施方案的半導體裝置的構成圖；圖2是圖1中的陰極的構成圖；圖3是圖1中的柵電極的構成圖4是示出陰極的元素分布的示意圖；圖5A和5B是柵電極的顯微照片圖；圖6是有針孔生成時的半導體裝置的構成圖；圖7是示出根據本發明的一個示例性實施方案的制造方法的流程圖；圖8是示出根據本發明的一個示例性實施方案的制造方法的構成圖(第一個圖)；圖9是示出根據本發明的一個示例性實施方案的制造方法的構成圖(第二個圖)；圖10是示出根據本發明的一個示例性實施方案的制造方法的構成圖(第三個圖)；圖11是示出根據本發明的一個示例性實施方案的制造方法的構成圖(第四個圖)；圖12是示出根據本發明的一個示例性實施方案的制造方法的構成圖(第五個圖)；圖13是示出根據本發明的一個示例性實施方案的制造方法的構成圖(第六個圖)；圖14是示出根據本發明的一個示例性實施方案的制造方法的構成圖(第七個圖)；以及圖15是示出根據本發明的一個示例性實施方案的制造方法的構成圖(第八個圖)。
具體實施例方式以下將對本發明的示例性實施方案進行說明，其中，作為化合物半導體裝置的一個例子，對安裝在成像裝置的打印頭中的自掃描型發光裝置(SLED)陣列的發光裝置進行說明。但是，所述半導體裝置并不局限于該發光裝置，反而，本發明可適用于包括非發光裝置在內的其它半導體裝置。1.半導體裝置的基本構成圖1示出多個發光裝置中的任意一個的構成，其中所述發光裝置包括在安裝在成像裝置的打印頭中的自掃描型發光裝置(SLED)陣列中。具體地說，所述發光裝置為發光晶閘管，并且控制所述多個發光晶閘管使得它們以一組(或一塊)為單位打開/關閉。在圖1中，所述化合物半導體裝置包括形成在半導體基板上的AKiaAs柵半導體層10 ；形成在AWaAs柵半導體層10的預定區域上的AWaAs陰極半導體層12 ；形成在 AlGaAs陰極半導體層12上的Au合金陰極14 ；形成在AlGaAs柵半導體層10上的Au合金柵電極16 ；層間絕緣層18 ；形成在陰極14和柵電極16上的Al布線20 ；襯墊21 ；以及保護膜22。所述陰極14和所述柵電極16分別由不同的Au合金制成，例如，所述陰極14由 AuGeNi制成，而柵電極16由AuSbSi制成。所述層間絕緣層18為通過(例如)CVD方法形成的氧化硅膜，并且在所述陰極14 和柵電極16上的層間絕緣層18中，形成接觸孔。在這種裝置中，所述Au合金陰極14和層
5間絕緣層18之間的粘附性、以及所述Au合金柵電極16和層間絕緣層18之間的粘附性成為問題。因此，本實施方案通過這樣的方法來改善所述粘附性在所述Au合金陰極14和柵電極16的表面上分別形成氧化膜15、17，使得所述氧化膜15布置在所述陰極14和層間絕緣膜18之間的界面處，同時使得所述氧化膜17布置在柵電極16和層間絕緣膜18之間的界面處。2.陰極的構成圖2是所述Au合金陰極14的放大圖。所述陰極14由AuGeNi合金制成，并形成在陰極半導體層12上。所述氧化膜15形成在所述陰極14的表面及周圍。除去一部分氧化膜15 (即，將要形成Al布線20的區域中的氧化膜15)，從而在所述Al布線20和陰極14 之間獲得歐姆接觸。通過蝕刻處理除去將要形成Al布線20的區域中的氧化膜15(換言之， 形成所述氧化膜15的開口)，同時，蝕刻處理在后述的層間絕緣膜18中形成接觸孔。在氧化性氣體的存在下，對所述的形成在AlGaAs陰極半導體層12上的AuGeNi陰極14進行退火，從而形成所述氧化膜15。也就是說，在MGaAs陰極半導體層12上形成所述AuGeNi陰極14之后，在氧化性氣體的存在下，對所獲得的構造體進行退火處理，結果，下面的陰極半導體層12的構成元素Al或( 擴散到AuGeNi合金中，并在AuGeNi合金陰極14 的表面處被氧化，從而在所述陰極14的表面上形成所述氧化膜15。形成在所述陰極14的表面及其周圍的氧化膜15改善了所述陰極14和層間絕緣膜18之間的粘附性。3.柵電極的構成圖3是所述Au合金柵電極16的放大圖。所述柵電極16由AuSbSi合金制成，并形成在柵半導體層10上。所述氧化膜17形成在所述柵電極16的表面及其周圍。除去一部分氧化膜17 (即，將要形成Al布線20的區域中的氧化膜17)，從而在所述Al布線20和柵電極16之間獲得歐姆接觸。通過蝕刻處理除去將要形成Al布線20的區域中的氧化膜 17 (換言之，形成氧化膜17的開口)，同時，如同形成氧化膜15的開口時那樣，蝕刻處理在層間絕緣膜18中形成接觸孔。在氧化性氣體的存在下，對形成在AWaAs柵半導體層10上的AuSbSi柵電極16 進行退火，從而形成所述氧化膜17。也就是說，在所述AlGaAs柵半導體層10上形成所述 AuSbSi柵電極16之后，在氧化性氣體的存在下，對所獲得的構造體進行退火處理，結果，下面的柵半導體層10的構成元素Al或( 擴散到AuSbSi合金中，并在AuSbSi合金層16的表面處被氧化，從而在所述柵電極16的表面上形成所述氧化膜17。形成在所述柵電極16 的表面及其周圍的氧化膜17改善了所述柵電極16和層間絕緣膜18之間的粘附性。4.陰極和柵電極的氧化膜圖4示出了退火后被氧化的陰極14的分析結果。在該圖中，橫軸表示對所述陰極 14的表面進行濺射處理時的濺射時間(分鐘)，其相當于距離所述陰極14的表面的深度。 縱軸表示原子濃度％。在濺射時間短的情況下，在所述陰極14的表面區域，氧原子0和鋁原子Al的原子濃度變高。之后，隨著濺射時間增加，氧原子0和鋁原子Al的原子濃度降低， 而金原子Au的原子濃度變高。該結果表明，在所述陰極14的表面形成了主成分為Al的氧化膜。此外，本發明的申請人采用與對氧化-退火后的陰極14進行分析的方法相同的方法，對退火后被氧化的柵電極16進行了分析。在濺射時間短的情況下，在柵電極16的表面區域，氧原子0和鎵原子( 的原子濃度變高。之后，隨著濺射時間增加，氧原子0和鎵原子 Ga的原子濃度降低，而金原子Au的原子濃度變高。該結果表明，在柵電極16的表面形成了主成分為( 的氧化膜。據推測，通過氧化退火，下面的AWaAs的構成元素擴散到Au合金后被氧化，從而導致這樣的情況在所述陰極14的表面上形成了主成分為Al的氧化膜15，并在所述柵電極16的表面上形成了主成分為( 的氧化膜17。而且，這樣的推測基于下面的想法所述陰極14和柵電極16的下面的AKiaAs分別具有互不相同的組成，并且所述陰極14和柵電極16的厚度相互不同。這樣，當在氧化性氣體的存在下對所述陰極14和柵電極16進行退火處理時，在所述陰極14和柵電極16的表面上，分別形成了主成分互不相同的氧化膜15、17。這種氧化膜 15、17不僅改善了與層間絕緣膜18的粘附性，而且抑制了所述陰極14和柵電極16的缺陷不良(即，所謂的空隙)。圖5示出了經氧化-退火的柵電極16的顯微照片平面圖。圖5A示出了在不含氧的N2氣存在下退火后的柵電極16的顯微照片平面圖，而圖5B示出了經氧化-退火的柵電極16的顯微照片平面圖。如圖5A所示，在不含氧的隊氣的存在下退火后的柵電極16中， 特別是，在所述柵電極16的側面形成了空隙。據認為，這是由于作為所述柵電極16的主成分的Au原子流動造成的。與此相反的是，如圖5B所示，在其表面上形成有氧化膜17的經氧化-退火的柵電極16中，基本上未形成任何空隙。據認為，這是由于較硬的氧化膜17抑制了 Au原子的流動、或者氧原子進入到Au原子的晶界中而抑制了 Au原子的移動。此外，當分別在所述陰極14和柵電極16的表面上形成氧化膜15、17時，這種氧化膜15、17起到絕緣膜的作用，從而提高介質擊穿電壓。圖6是在層間絕緣膜18中生成針孔時的半導體裝置的構成圖，其中所述層間絕緣膜18形成在陰極14上。如上所述，在層間絕緣膜18中形成接觸孔時，陰極14表面上的將要形成接觸孔的區域中的一部分氧化膜15被除去，因此，除了將要形成接觸孔的表面區域之外，所述氧化膜15包覆陰極14的整個表面。由此，在采用CVD法在所述陰極14上形成層間絕緣膜18時，即使由于成膜不良而在層間絕緣膜18中形成有針孔M，介質擊穿電壓也不會降低而是保持在相同程度，這是因為，由于所述氧化膜15以絕緣方式包覆所述陰極14 的表面，因而所述Al布線20不與陰極14電接觸。在未形成針孔M的區域中，由于由氧化膜15和層間絕緣層18構成的雙層絕緣結構，因而提高了介質擊穿電壓。5.制造化合物半導體裝置的方法圖7是示出根據本發明的一個示例性實施方案的制造發光裝置的方法的流程圖。首先，在半導體基板上形成柵半導體層10和陰極半導體層12之后，采用沉積法和光刻膠剝離法(resist lift off method)，形成Au合金陰極14和Au合金柵電極16(SlOl)。其次，在氧化性氣體的存在下，在預定溫度下，對所獲得的構造體進行退火處理 (S102)。通過氧化退火，下層的陰極14的構成元素擴散到Au合金中，然后在其表面被氧化， 從而形成氧化膜15。同樣，通過氧化退火，下層的柵電極16的構成元素擴散到Au合金中， 然后在其表面被氧化，從而形成氧化膜17。通過這樣的氧化退火，形成氧化膜15、17，同時， 所述陰極14與其下面的柵半導體層12之間形成歐姆接觸，而且所述柵電極16與其下面的柵半導體層10之間形成歐姆接觸。
隨后，采用CVD法形成諸如氧化硅膜之類的層間絕緣膜18(S103)。接著，采用光刻法和反應離子刻蝕法，在層間絕緣膜18中在陰極14和柵電極16 上形成接觸孔(S104)。此時，同時除去陰極14表面上的一部分氧化膜15以及柵電極16表面上的一部分氧化膜17。然后，在接觸孔中形成Al布線20作為金屬布線(S105)。而且， 還形成襯墊21。最后，形成保護膜22，并除去襯墊21上的一部分保護膜，從而形成接觸孔(S106)。圖8至圖15示出了根據本發明的一個示例性實施方案的具體的制造發光裝置的方法。首先，如圖8所示，在半導體基板上，依次層疊AWaAs柵半導體層10和AWaAs陰極半導體層50。其次，如圖9所示，蝕刻除去一部分的AWaAs柵半導體層10和AWaAs陰極半導體層50，從而使AKiaAs陰極半導體層12保持在將要形成陰極的區域。隨后，如圖10所示，采用沉積法和光刻膠剝離法，在AWaAs陰極半導體層12上， 以圖案形成方式，形成由AuGeNi合金制成的Au合金陰極14，并且，采用沉積法和光刻膠剝離法，在AlGaAs柵半導體層10上，以圖案形成方式，形成由AuSbSi合金制成的Au合金柵電極16。接著，如圖11所示，通過在預定的條件下，對所獲得的構造體進行氧化退火，從而在Au合金陰極14的表面形成主成分為Al的氧化膜15，同時，在Au合金柵電極16的表面形成主成分為( 的氧化膜17。例如，在預定的條件下的氧化退火為在N2(IOslm)和 02(0.5slm)的氣氛下、于400°C的溫度退火10分鐘。雖然下面的陰極14和柵電極16的半導體基板均由AlGaAs制成，但是下面的陰極14和柵電極16的化合物半導體層中Al的組成比不同，而且陰極14和柵電極16的厚度也相互不同，因此，出現在陰極14和柵電極16的表面處的元素相互不同。總之，下面的AlGaAs半導體層的構成元素擴散到該層上的電極的 Au合金中，并在電極的表面被氧化，從而形成所述氧化膜15、17。下層的構成元素擴散到其上面的膜中、進而在下層對側的膜表面處形成氧化膜的這種現象與在制造硅集成電路的方法中所使用的鎢一多晶硅(其為由WSi2膜和多晶硅膜構成的雙層結構)的氧化現象相似。通過氧化退火而形成的主成分為Al的氧化膜15、以及通過氧化退火而形成的主成分為( 的氧化膜17不僅與下面的Au合金層具有優異的粘附性，而且與將在隨后形成的層間絕緣膜18具有優異的粘附性。此外，在本實施方案中，由于水蒸氣容易到達陰極14和 /或柵電極16的側面、以及/或者陰極14和/或柵電極16中的微孔的內部空間，在陰極 14和/或柵電極16的整個表面及其周圍高密度地形成氧化膜15、17，從而獲得優異的包覆性。同時，雖然在未形成Au合金層的區域中，半導體基板暴露于氧化性氣體中，但是在基板的表面上僅僅形成薄的自然氧化膜，并且該薄的自然氧化膜不會導致特別的問題，而與化合物半導體制造方法具有良好的適應性。如上所述，由于氧化退火處理起到進行熱處理以形成陰極14和柵電極16與下面的半導體基板之間的歐姆接觸的作用，因而不需要與該氧化退火處理相獨立的其它的用于形成歐姆接觸的熱處理。換言之，如果為了形成歐姆接觸而進行熱處理，在該熱處理的同時，在陰極14和柵電極16的表面上形成氧化膜15、17。隨后，如圖12所示，采用CVD法，在半導體基板的整個表面上形成氧化硅膜作為層間絕緣膜18。
接著，如圖13所示，采用光刻法和反應離子刻蝕法，除去陰極14和柵電極16上的層間絕緣膜18，從而形成接觸孔60。此時，也同時除去形成在陰極14表面上的氧化膜15 和形成在柵電極16表面上的氧化膜17。接著，如圖14所示，在接觸孔60和襯墊形成區域，分別形成Al布線20和襯墊21。最后，如圖15所示，在所獲得的構造體的整個表面上形成保護膜22，然后在襯墊形成區域形成開口 26。根據本實施方案，通過采用氧化退火處理，在陰極14和柵電極16的表面分別形成氧化膜15、17，可以改善陰極14和層間絕緣膜18之間的粘附性、以及柵電極16和層間絕緣膜18之間的粘附性。此外，由于氧化膜17的存在，防止在柵電極16中形成空隙。此外，由于氧化膜15、17的存在，可以提高發光裝置的介質擊穿電壓。而且，在本實施方案中，關于在形成氧化膜15、17時所采用的氧化退火處理，在形成與下層的陰極14和柵電極16的歐姆接觸時進行退火處理，因此，在退火處理時，僅通過引入氧化性氣體就可實現氧化退火處理，從而不會增加氧化退火處理的步驟，而且與現有的半導體制造方法具有良好的適應性。6.變形例以上雖然對本發明的實施方案進行了說明，但是本發明并不局限于該實施方案， 而是可以進行各種變形。例如，雖然在上述的實施方案中氧化退火處理的條件是在N2和&的氣氛下、于 400°C的溫度下退火10分鐘，但是退火時間和溫度并不局限于這些，而可以是不同的退火時間和溫度。對氧化膜15、17的厚度沒有特別的限定，可根據所需要的粘附性和介質擊穿電壓進行變更。此外，雖然在本實施方案中使用氧氣作為氧化性氣體，但是氧化性氣體并不局限于此，而可以使用包括氧在內的任意氣體。例如，可以使用H2O氣或隊0氣體。此外，雖然在本實施方案中使用AWaAs基板作為半導體基板，但是半導體基板并不局限于此，例如，可以使用GaAs基板。在后一種情況下，氧化膜15、17的主成分變成Ga。另外，雖然在本實施方案中氧化膜15含有Al作為其主成分，且氧化膜17含有( 作為其主成分，但是本發明并不局限于這些。例如，氧化膜15可以包含( 作為其主成分。 此外，氧化膜17可以包含Al作為其主成分。而且，可以形成含有Al作為其主成分的氧化膜和含有Au合金的構成元素(Ge或Ni)作為其主成分的氧化膜的組合體作為氧化膜15 ；或者僅形成含有Au合金的構成元素(Ge或Ni)作為其主成分的氧化膜作為氧化膜15。這同樣適用于氧化膜17，具體來說，可以形成含有( 作為其主成分的氧化膜和含有Au合金的構成元素(Sb或Zn)作為其主成分的氧化膜的組合體作為氧化膜17 ；或者僅形成含有Au合金的構成元素(Sb或Zn)作為其主成分的氧化膜作為氧化膜17。具體地說，所述“主成分” 通常是指，在氧化膜中所包含的元素(除了氧之外)中，在氧化膜中具有主要的或占優勢的組成比的元素，更具體地說，“主成分”是指，化合物半導體的構成元素的量比氧化膜的構成元素的量的一半大。在大多數情況下，所述主成分可以是一種元素，但是并非總是如此，所述主成分可以是多種元素。為了解釋和說明的目的而對本發明實施方案進行了上述說明。這并非意在窮舉或將本發明限定為所公開的具體形式。很明顯，多種修改和改變對于本領域技術人員來說都是顯而易見的。為了更好地說明本發明的原理和實際應用，選擇并描述了示例性實施方案，從而使本領域技術人員理解本發明的各種實施方案及其適于特定預期用途的各種修改。本發明的范圍應由所附權利要求及其等同含義來限定。
權利要求
1.一種化合物半導體裝置，包括 形成在化合物半導體上的Au合金電極； 形成在所述Au合金電極上的層間絕緣膜；通過在所述層間絕緣膜中所形成的接觸孔而與所述Au合金電極相連接的金屬布線；以及在所述Au合金電極和層間絕緣膜之間的界面處所形成的氧化膜，該氧化膜的主成分為所述化合物半導體的構成元素。
2.根據權利要求1所述的化合物半導體裝置，其中所述化合物半導體為AWaAs，并且所述氧化膜的主成分為Al。
3.根據權利要求1所述的化合物半導體裝置，其中所述化合物半導體為AWaAs，并且所述氧化膜的主成分為fe。
4.根據權利要求1所述的化合物半導體裝置，其中所述化合物半導體為GaAs，并且所述氧化膜的主成分為fe。
5.一種制造化合物半導體裝置的方法，包括 在化合物半導體上形成Au合金電極；在氧化性氣體的存在下對所述Au合金電極進行退火，從而在所述Au合金電極的表面上形成氧化膜，該氧化膜的主成分為所述化合物半導體的構成元素； 在退火后的所述Au合金電極上形成層間絕緣膜； 在所述層間絕緣膜中形成接觸孔，同時除去所述氧化膜的一部分；以及在所述接觸孔中形成金屬布線。
全文摘要
一種化合物半導體裝置，包括Au合金電極、層間絕緣膜、金屬布線、以及氧化膜。所述Au合金電極形成在化合物半導體上。所述層間絕緣膜形成在所述Au合金電極上。所述金屬布線通過在所述層間絕緣膜中所形成的接觸孔而與所述Au合金電極相連接。所述氧化膜形成在所述Au合金電極和層間絕緣膜之間的界面處，該氧化膜的主成分為所述化合物半導體的構成元素。
文檔編號H01L29/201GK102254936SQ20101056042
公開日2011年11月23日 申請日期2010年11月18日 優先權日2010年5月20日
發明者太田恭久, 宇佐美浩之, 村田道昭, 高橋均 申請人:富士施樂株式會社