發光元件、發光裝置和電子裝置的制作方法

專利名稱：發光元件、發光裝置和電子裝置的制作方法
發光元件、發光裝置和電子裝置本申請是申請日為2007年3月21日、申請號為200710087898. 0、發明名稱為“發
光元件、發光裝置和電子裝置”的發明專利申請的分案申請。
背景技術：
背景技術：
本發明涉及使用磷光化合物的發光元件。此外，本發明涉及使用發光元件的發光 裝置。而且，本發明涉及使用發光裝置的電子裝置。現有技術近年來，人們活躍地開發出使用發光的有機化合物或無機化合物作為發光物質的 發光元件。特別是，被稱作EL元件的發光元件具有簡單的結構，其中在電極之間提供含有 發光物質的發光層。所以，發光元件作為下一代平板顯示元件由于其特征例如形狀薄、重量 輕、高響應速度和低電壓下的直流驅動吸引人們的興趣。此外，使用這樣發光元件的顯示器 具有對比度和圖像質量優異的特征，并且具有寬視角。而且，由于這些發光元件是平面光 源，人們考慮將這些發光元件用作光源，例如液晶顯示器和照明的背光。在使用發光的有機化合物作為發光物質的情況下，發光元件的發射原理是載流子 注入型。也就是，通過向插入電極之間的發光層施加電壓，從電極注入的載流子(空穴和電 子)復合并且使發光物質處于激發態。當激發態回到基態時發射出光。作為激發態的類型， 單線激發態(s*)和三重激發態cn是可能的。其在發光元件中的統計學產生比例被認為 是 S* T* = 1 3。通常，發光的有機化合物的基態是單線激發態。所以，單線激發態(S*)的光發射被 稱作熒光，因為電子在相同的多重態之間躍遷。另一方面，三重激發態cn的光發射被稱作 磷光，因為電子在不同的多重態之間躍遷。所以，在發射熒光的化合物(此后稱作熒光化合 物)中，通常，在室溫下無法觀察到磷光，并且只能觀察到熒光。所以，在使用熒光化合物的 發光元件中，內部量子效率的理論界限(生成的質子與注入的載流子的比例)基于S* T* =1 3被認為是25%。另一方面，當使用發磷光的化合物(此后稱作磷光化合物)時，內部量子效率在理 論上可以是75-100%。換言之，發光效率可以是熒光化合物的3-4倍高。對于這些原因，為 了獲得具有高效率的發光元件，建議了使用磷光化合物的發光元件(例如，參見非專利文 獻1和專利文獻1)。此外，幾年來，通過將磷光化合物與不同于磷光化合物的發光材料組合，人們嘗試 獲得具有高效能的白色發光元件(例如，參見專利文獻2)。[非專利文獻1]Tetsuo TSUTSUI，禾口 8 名其他人員，Japanese Journal of Applied Physics, 38 卷，L1502-1504(1999)[專利文獻1]日本專利申請公報2003-229275[專利文獻2]
日本專利申請公報2004-311420發明概述按照上述非專利文獻1的報告內容，當在恒定電流驅動下初始亮度設定在500cd/ m2時亮度的半衰期為約170小時，問題在于元件的壽命。在非專利文獻1中，據稱該元件壽 命短，因為BCP的穩定性不夠，雖然用BCP作為空穴阻擋層。然而，如果從非專利文獻1中的元件結構中除去BCP，則不能得到具有有利的效能 的光發射。原因在于，如果沒有BCP提供空穴阻擋層，則空穴穿過電子傳輸層，這是因為在 非專利文獻1中發光層的主體材料所用的CBP具有高空穴傳輸性質。另一原因在于BCP具 有阻擋激子的作用，由此發光層內產生的激發能(在這種情況中，三重態激發能)無法逃逸 到電子傳輸層。所以，空穴阻擋層在非專利文獻1中是不可缺少的，并且建議引入穩定的空 穴阻擋材料作為BCP的替代物。另一方面，在專利文獻1中，由于發光層是以將磷光化合物加入到電子傳輸主體 材料中的方式構成的，因此不必使用BCP。然而，與非專利文獻1相反，必須以有限的方式選 擇空穴傳輸層的材料。所以，必須尋找穩定的空穴傳輸材料用于空穴傳輸層以保證元件的
壽命ο從上述觀點看，本發明的一個目的在于提供適用于采用磷光化合物的發光元件的 元件結構。另一目的在于通過使用該元件結構提供具有高光視效能的發光元件。特別是， 本發明的另一目的在于提供具有高發光效率和長壽命的發光元件。此外，另一目的在于通過使用上述發光元件制造發光裝置提供了具有低功耗和長 壽命的發光裝置。此外，另一目的在于通過將所述發光裝置應用到電子裝置中提供了具有 低功耗和長壽命的電子裝置。經過艱苦的研究之后，本發明人發現可以達到目的的發光元件可以通過采用下面 的元件結構來制造。也就是，本發明的一個方面在于包括第一發光層和第二發光層并且它們彼此接觸 并且介于第一電極和第二電極之間的發光元件，其中第一發光層含有空穴傳輸主體材料和 磷光化合物，并且第二發光層含有電子傳輸主體材料和磷光化合物。在本發明的發光元件中，空穴傳輸主體材料用于第一發光層，并且電子傳輸主體 材料用于第二發光層。所以，第一發光層適宜位于陽極側。也就是，本發明的另一方面是包 括第一發光層和第二發光層并且它們彼此接觸并且介于作為陽極的第一電極和作為陰極 的第二電極之間的發光元件，其中第一發光層含有空穴傳輸主體材料和磷光化合物，第二 發光層含有電子傳輸主體材料和磷光化合物，并且第一發光層更接近第一電極側而不是第 二發光層。在這樣的發光元件中，含有空穴傳輸化合物的空穴傳輸層可以進一步與第一發光 層接觸。此時，在本發明的元件結構中，當空穴傳輸化合物的三重態激發能低于磷光化合物 的三重態激發能時可以獲得高發光效率。所以，優勢之處在于可以使用多種穩定的和通用 目的(便宜)的物質，不受空穴傳輸層中三重態激發能的限制。所以，本發明的另一方面是 發光元件，其中在上述發光元件中，含有空穴傳輸化合物的空穴傳輸層位于第一電極和第 一發光層之間，空穴傳輸層與第一發光層接觸，并且空穴傳輸化合物具有的三重態激發能 低于磷光化合物的三重態激發能。
其中含有電子傳輸化合物的電子傳輸層與第二發光層接觸的情況也如此。此時， 在本發明的元件結構中，即使當電子傳輸化合物的三重態激發能低于磷光化合物的三重態 激發能時也可獲得高發光效率。所以，優勢之處在于可以使用多種穩定的和通用目的(便 宜)的物質，不受空穴傳輸層中三重態激發能的限制。所以，本發明的另一方面是元件， 其中在上述發光元件中，含有電子傳輸化合物的電子傳輸層位于第二電極和第二發光層之 間，電子傳輸層與第二發光層接觸，并且電子傳輸化合物具有的三重態激發能低于磷光化 合物的三重態激發能。此外，還可以將上述空穴傳輸層和電子傳輸層組合。也就是，本發明的另一方面是 發光元件，其中含有空穴傳輸化合物的空穴傳輸層介于第一電極和第一發光層之間，含有 電子傳輸化合物的電子傳輸層介于第二電極和第二發光層之間，空穴傳輸層與第一發光層 接觸，并且空穴傳輸化合物和電子傳輸化合物具有的三重態激發能低于磷光化合物的三重 態激發能。作為上述本發明的發光元件，優選使用芳香胺化合物作為空穴傳輸主體材料。作 為芳香胺化合物，叔胺化合物因其高三重態激發能而特別優選作為主體材料。作為電子傳輸主體材料，優選雜芳族化合物。作為雜芳族化合物，特別優選卩惡二 唑衍生物、卩惡唑衍生物、咪唑衍生物、三唑衍生物、三嗪衍生物等等，因其具有高三重態激 發能。尤其優選的化合物是下面結構式(1)表示的螺.二唑衍生物。因為下面的卩惡二唑衍
生物是新的物質，下面結構式(1)表示的卩惡二唑衍生物也是本發明的一個方面。
N-N因此，本發明的上述發光元件具有有效的元件結構，尤其是在磷光化合物的三重 態激發能高的情況下。所以，本發明的另一方面是發光元件，其中在本發明的上述發光元件 中，磷光化合物的發射顏色是藍色、藍綠色、綠色、或黃綠色。此外，本發明的另一方面是一 種發光元件，其中磷光化合物的發生波長大于或等于450nm并且小于或等于540nm。以這種方式得到的本發明的發光元件具有高發光效率和長壽命的特征。所以，利 用本發明的發光元件可以獲得具有低功耗和長壽命的發光裝置(圖像顯示裝置或發光裝 置)。所以，本發明包括使用本發明的發光元件的發光裝置以及包括該發光裝置的電子裝 置。本說明書中的發光裝置包括使用發光元件的圖像顯示裝置或發光裝置。此外，下 列模塊均包括在發光裝置內模塊，其中連接口，例如各向異性導電膜、TAB(帶狀自動粘 合)帶，或TCP (帶狀載流子包裹)連接于發光元件；在TAB或TCP的末端帶有印刷接線板 的模塊；和其中IC(集成電路)通過COG(玻璃上切削)方法直接裝在發光元件上的模塊。 此外，在此還包括用于發光設備等的發光裝置。通過本發明的實施，可以提供具有高發光效率的發光元件。特別是，可以提供具有 高發光效率的發光元件
此外，通過采用上述發光元件來生產發光裝置，可以提供具有低功耗和長壽命的 發光裝置。此外，通過將這樣的發光裝置應用到電子裝置上，可以得到具有低功耗和長壽命 的電子裝置。附圖簡述在附圖中

圖1是本發明的發光元件的元件結構的說明視圖；圖2是本發明的發光元件的元件結構的說明視圖；圖3A和3B是常規發光元件的元件結構的說明視圖；圖4A-4C是使用本發明的發光元件的發光裝置的說明視圖；圖5A-5C是使用本發明的發光裝置的電子裝置的說明視圖；圖6A和6B是每個顯示卩惡二唑衍生物COl 1的1H NMR圖譜的圖形；圖7A和7B是每個顯示卩惡二唑衍生物COll的紫外-可見光譜和發射光譜的圖形；圖8A和8B是每個顯示實施例2中制備的發光元件的操作特性的視圖；圖9是實施例2中制備的發光元件的操作特性的視圖；圖IOA和IOB是每個顯示實施例3中制備的發光元件的操作特性的視圖；圖11表示是顯示實施例3中制備的發光元件的操作特性的視圖；圖12A和12B是顯示實施例4中制備的發光元件的操作特性的視圖；圖13是顯示實施例4中制備的發光元件的操作特性的視圖；圖14A和14B是每個顯示實施例6中制備的發光元件的操作特性的視圖；圖15是顯示實施例6制備的發光元件的操作特性的視圖；圖16A和16B是每個顯示實施例6中制備的發光元件的操作特性的視圖；圖17是顯示實施例7中制備的發光元件的操作特性的視圖。發明詳述下面，將參考附圖詳細地解釋本發明的實施方式。然而，本發明不限于下面給出的 解釋，很容易理解在不脫離本發明的目的和范圍下本領域技術人員顯然可以對方式及其內 容進行多種改變和改進。所以，本發明不應當局限于下面實施方式的描述。在實施方式1中，參考附圖1說明本發明的發光元件的最基本結構。圖1表示具有第一發光層113和第二發光層114本發明的發光元件，提供這些發 光層使它們彼此接觸并且位于第一電極101和第二電極102之間，其中第一發光層113包 括空穴傳輸主體材料121和磷光化合物120，并且第二發光層114包括電子傳輸主體材料 122和磷光化合物120。也就是說，加入到第一發光層113中的磷光化合物和加入到第二發 光層114中的磷光化合物是相同的化合物。所述的磷光化合物被分散在第一發光層113和 第二發光層114中作為客體材料。對于這種結構，不依賴于第一發光層113和第二發光層114的堆積順序，在第一發 光層113和第二發光層114之間的界面的附近或者在第一發光層113和第二發光層114兩 者中形成發光區。也就是說，在遠離界面周圍的區域(例如，如圖1所示在第一發光層113 和第一電極101相互接觸的區域內)不容易形成發光區。所以，認為可以提高元件的發光 效率和壽命。在圖1中，在第一電極101側面上提供第一發光層113并且在第二電極102側面上提供第二發光層114。然而，以相反的順序，可以在第一電極101側面上提供第二發光層 114并且可以在第二電極102側面上提供第一發光層113。磷光化合物120可以被加入到第一發光層113的整個區域或部分區域內。以相同 的方式，磷光化合物120可以被加入到第二發光層114的整個區域或部分區域中。隨后，具體舉例說明可以用于本發明的發光元件的材料。然而，多種材料可以用于 本發明的發光元件，不限于下面給出的解釋。首先，作為磷光化合物120，具體地可以給出有機金屬配合物，例如二 [2_(4’， 6’-二氟苯基)吡啶_N，C2’]合銥(III)四(1-吡唑基)硼酸鹽(縮寫FIr6)，二 [2_(4’， 6’-二氟苯基)吡啶_N，C2’]合銥(III)吡啶甲酸鹽(縮寫=FIrpic),^ [2_(3，，5，_雙三 氟甲基苯基)吡啶-N，C2’]合銥(III)吡啶甲酸鹽(縮寫:Ir(CF3ppy)2(pic)),^ [2_(3，， 5’ - 二氟苯基)吡啶-N，C2’]合銥(III)乙酰丙酮鹽(縮寫:Fir(acac)),H (2-苯基吡 啶-N，C2’)合銥(III)(縮寫Ir(ppy)3)，二 [2-苯基吡啶-N，C2’ ]合銥(III)乙酰丙酮鹽 (縮寫Ir(ppy)2(acac))，二(1，2_ 二苯基-IH-苯并咪唑)合銥(III)乙酰丙酮鹽(縮 寫Ir(pbi)2(aCaC))，二(苯并[h]喹啉)合銥(III)乙酰丙酮(縮寫:Ir(bzq)2(acac)), 二(2，4_ 二苯基-1，3-卩惡唑-N，C2’)合銥(III)乙酰丙酮鹽(縮寫Ir(dp0)2(acac))， 二 [2-4，-全氟苯基苯基)吡啶]合銥(III)乙酰丙酮鹽(縮寫Ir (p-PF-ph)2(acac))， 二(2-苯基苯并噻唑)合銥(III)乙酰丙酮鹽(縮寫Ir(bt)2(acac))，三(2-苯基喹 啉-N，C2’)合銥(III)乙酰丙酮鹽(縮寫lr(pq)3(acac))，三(2_苯基喹啉-N，C2’)合 銥(III)(縮寫=Ir(Pq)3),- [2_(2，-苯并[4, 5-α]噻吩基)吡啶-N，C3’]合銥(III) 乙酰丙酮鹽(縮寫Ir(btp)2(acac))，二(1-苯基異喹啉-N，C2’)合銥(III)乙酰丙酮鹽 (縮寫:Ir(piq)2(acac)),(乙酰丙酮)二 [2，3_ 二 (4_氟苯基)喹喔啉]合銥(III)(縮 寫Ir (Fdpq) 2(acac))或 2，3，7，8，12，13，17，18-八乙基-21H，23H-卟啉合鉬(II)(縮寫 PtOEP)。此外，稀土金屬配合物例如由稀土金屬得到的三(乙酰基丙酮)(一菲咯啉)合鋱 (III)(縮寫=Tb (acac)3(Phen)),H (1，3-二苯基-1，3-丙二酮)(一菲咯啉)合銪(III) (縮寫=Eu(DBM)3(Phen),或三[1_ (2-噻吩甲酰基)-3，3，3-三氟丙酮](一菲咯啉)合銪 (III)(縮寫=Eu(TTA)3(Phen)；所以，此類稀土金屬配合物可以用作本發明的磷光化合物。 因此，也可以使用無機化合物的磷光體例如其中加入了稀土金屬的金屬氧化物。作為空穴傳輸主體材料121，具體可以使用芳族胺化合物，例如4，4’_二 [N-(l-萘 基)-N-苯基氨基]聯苯(縮寫ΝΡΒ)，4，4’_ 二 [N-(9-菲基)-N-苯基氨基]聯苯(縮寫 PPB)，4，4，-二 [N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]聯苯(縮寫:TPD)，4，4，_ 二 [N-(9，9-二 甲基芴-2-基)-N-苯基氨基]聯苯(縮寫DFLDPBi)，4，4，，4”_三(N，N-二苯基氨基)三 苯基胺(縮寫4041幻，4，4，，4”-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基)三苯基胺(縮寫 m-MTDATA)，4，4，，4”_三(3-咔唑基)三苯基胺(縮寫TCTA)，1，1_ 二 [4-( 二苯基氨基) 苯基]環己烷(縮寫TPAC)，9，9-二 [4-( 二苯基氨基)苯基]芴(縮寫TPAF)，4-(9-咔 唑基)-4，-(5-苯基-1，3-卩惡二唑-2-基)三苯基胺(縮寫YGA011)，或N-[4-(9-咔唑 基)苯基]-N-苯基-9，9-二甲基芴基-2-胺(縮寫YGAF)。此外，還可以使用高分子化合 物例如聚(4-乙烯基三苯基胺)(縮寫PVTPA)。作為電子傳輸主體材料122，具體可以使用雜芳族化合物，例如1，3_ 二 [5-(對-叔丁基苯基)-1，3，4-嗯二唑-2-基]苯(縮寫0XD-7)，2- (4-聯苯基)-5- (4-叔丁基苯基)-1，3，4-Ρ惡二唑(縮寫PBD)，三[2-(2_羥基苯基)-5_苯基-1，3，4-P惡二 唑]合鋁(III)(縮寫Al (OXD)3), 二 [2-(2_羥基苯基)苯并卩惡唑]合鋁(III)，(縮 寫:211(卩08)2)，2，2，，2”-(1，3，5-苯三基)三(1-苯基-IH-苯并咪唑)(縮寫=TPBI), H [2- (2-羥基苯基)-1-苯基-IH-苯并咪唑]合鋁(III)(縮寫A1 (BIZ) 2)，3- (4-叔丁基苯 基)-4-苯基-5-(4-聯苯基)-1，2，4-三唑(縮寫:丁八2)，3-(4-叔丁基苯基)-4-(4-乙基 苯基)-5- (4-聯苯基)-1，2，4-三唑(縮寫 φ-EtTAZ)，9，9，，9” -[1，3，5-三嗪-2,4,6-三 基]三咔唑(縮寫:丁(^1^)，2，2，，2”-(1，3，5-苯三基)三(6，7-二甲基-3-苯基喹喔啉) (縮寫=TriMeQn), H (8_喹啉)合鋁(III)(縮寫=Alq3)，三(4_甲基_8_喹啉)合鋁(III) (縮寫=Almq3)，二(10-羥基苯并[h]喹啉)合鈹(II)(縮寫=BeBq2)，二(2_甲基_8_喹 啉)(4-苯基酚)合鋁(III)(縮寫BAlq)，二 [2_(2_羥基苯基)苯并噻唑]合鋅(II)(縮 寫Zn (BTZ)2)，二 (5-羥基喹喔啉)合鋅(II)(縮寫Zn (Qn) 2)，紅菲繞啉(縮寫BPhen)， 或浴銅靈(縮寫BCP)，以及.P惡二唑衍生物，9-[4-(5_苯基-1，3，4-嗯二唑-2-基)苯基] 咔唑(縮寫C011)，用下面的結構式(1)表示。此外，還可以使用高分子化合物例如聚(2， 5-吡啶-二基)(縮寫PPy)。特別是，優選使用能隙為3. 3ev或更小的材料作為電子傳輸 主體材料122。
N-N^iV對第一電極101和第二電極102沒有特別限制，并且可以使用多種導電材料，例如 Al、Ag和Cr。此外，只要第一電極101和第二電極102的至少一個是透明電極就可以接受， 其中光發射可以被該透明電極吸收。例如，可以使用透明的導電材料例如氧化銦錫(ITO)， 含有氧化硅的氧化銦錫(ITSO)，或含有2-20wt%的氧化鋅的氧化銦。實施方式2在實施方式2中，更詳細地說明本發明的發光元件的結構。圖2表示其元件結構。圖2表示具有第一發光層213和第二發光層214的本發明的發光元件，它們彼此 接觸并且位于作為陽極的第一電極201和作為陰極的第二電極202之間，其中第一發光層 213包括空穴傳輸主體材料221和磷光化合物220，并且第二發光層214包括電子傳輸主體 材料222和磷光化合物220。也就是說，加入到第一發光層213中的磷光化合物和加入到 第二發光層214中的磷光化合物相同。所述的磷光化合物被分散在第一發光層和第二發光 層中作為客體材料。參考編號211代表空穴注入層；212，空穴傳輸層；215，電子傳輸層；和 216，電子注入層。如圖2所示，當將電壓施加到所述的發光元件上時，由第一電極201側面注入的空 穴和由第二電極202側面注入的電子在第一發光層213和第二發光層213中復合。磷光化 合物220受這種復合的激發，當磷光化合物的激發態回到基態時發射出光。此時，第一發光 層213包括空穴傳輸主體材料221，并且第二發光層214包括電子傳輸主體材料222。所 以，在第一發光層213和第二發光層214之間的界面的附近或者在第一發光層213和第二發光層214兩者中形成發光區。也就是說，在第一發光層213和空穴傳輸層212之間的界 面的附近以及在第二發光層214和電子傳輸層215之間的界面的附近不容易形成發光區。 所以，可以獲得下面的效果。首先，空穴傳輸主體材料221和電子傳輸主體材料222具有比作為發光物質的磷 光化合物220更高的三重態激發能。所以，磷光化合物220的三重態激發能在第一發光層 213和第二發光層214中精細地關閉，由此本發明的發光元件可以有效地發光。術語“三重 態激發能”是指某些物質形成三重激發態時所需的能量。雖然難以直接得到其絕對值，但是 從磷光發射的顏色或發射波長可以知道大致的數值關系。當在第一發光層213和第二發光層214之間的界面的附加或者在第一發光層213 和第二發光層214兩者中形成發光區時，載流子平衡不容易被打破。所以，可以達到提高元 件壽命的效果。其次，比較本發明所述的元件結構和常規的元件結構(如圖3A和3B)所示。圖2 中的參考編號也用于圖3A和3B中。圖3A表示常規的發光元件，其中只用空穴傳輸發光層 313形成發光層，其中將磷光化合物220加入到空穴傳輸主體材料221中。在這種元件結 構的情況中，由于發光區存在于空穴傳輸發光層313和電子傳輸層215之間的界面的附近， 用于電子傳輸層215的物質的三重態激發能必須高于磷光化合物220的三重態激發能。所 以，用于電子傳輸層215的物質也受到限制。另一方面，對于本發明的元件結構，對三重態 激發能沒有限制，所以，具有低三重態激發能的穩定的和通用目的(不昂貴)的物質(例如 Alq3)可以被用作電子傳輸層215。圖3B表示常規的發光元件，其中只使用電子傳輸發光層來形成發光層，其中向電 子傳輸主體材料222中加入磷光化合物220。在這種元件結構的情況中，由于發光區存在于 電子傳輸發光層314和空穴傳輸層212之間的界面的附近，有必要使得將要被用于空穴傳 輸層212的物質的三重態激發能高于磷光化合物220的三重態激發能。所以，用于空穴傳 輸層212的物質也受限制。另一方面，對于本發明的元件結構，對三重態激發能沒有限制， 所以，具有低三重態激發能的穩定的和一般目的(不昂貴)的物質(例如NPB)可以用作空 穴傳輸層212。磷光化合物220可以被加入到第一發光層213的一部分中，而不是其整個區域。 以相同的方式，磷光化合物220可以被加入到第二發光層214的一部分中，而不是其整個區域。所以，將會對用于本發明發光元件的材料進行具體的舉例。然而，多種材料可以用 于本發明，不限于下面給出的解釋。首先，作為磷光化合物220，具體地可以給出有機金屬配合物，例如[2-(4’，6’_ 二 氟苯基)吡啶_N，C2’]合銥(III)四(1-吡唑基)硼酸鹽(縮寫FIr6)，二 [2_(4’，6’_ 二 氟苯基)吡啶-N，C2’]合銥(III)吡啶甲酸鹽(縮寫=FIrpic),^ [2-(3，，5，-雙三氟 甲基苯基)吡啶-N，C2’]合銥(III)吡啶甲酸鹽(縮寫Ir(CF3ppy)2(pic))，二 [2_(3，， 5’ - 二氟苯基)吡啶-N，C2’]合銥(III)乙酰丙酮鹽(縮寫:FIr(acac)),H (2-苯基吡 啶-N，C2’)合銥(III)(縮寫Ir(ppy)3)，二 [2-苯基吡啶-N，C2’ ]合銥(III)乙酰丙酮鹽 (縮寫Ir(ppy)2(acac))，二(1，2_ 二苯基-IH-苯并咪唑)合銥(III)乙酰丙酮鹽(縮 寫Ir(pbi)2(aCaC))，二(苯并[h]喹啉)合銥(III)乙酰丙酮(縮寫:Ir(bzq)2(acac)),二(2，4_ 二苯基-1，3-P惡唑-N，C2’)合銥(III)乙酰丙酮鹽(縮寫Ir(dp0)2(acac))， 二 [2_(4，_全氟苯基苯基)吡啶]合銥(III)乙酰丙酮鹽(縮寫Ir (p-PF-ph)2(acac))， 二(2-苯基苯并噻唑)合銥(III)乙酰丙酮鹽(縮寫Ir(bt)2(acac))，三(2-苯基喹 啉-N，C2’)合銥(III)乙酰丙酮鹽(縮寫lr(pq)3(acac))，三(2_苯基喹啉-N，C2’)合 銥(III)(縮寫=Ir(Pq)3),- [2_(2，-苯并[4, 5-α]噻吩基)吡啶-N，C3’]合銥(III) 乙酰丙酮鹽(縮寫Ir(btp)2(acac))，二(1-苯基異喹啉-N，C2’)合銥(III)乙酰丙酮鹽 (縮寫:Ir(piq)2(acac)),(乙酰丙酮)二 [2，3_ 二 (4_氟苯基)喹喔啉]合銥(III)(縮 寫Ir (Fdpq) 2(acac))或 2，3，7，8，12，13，17，18-八乙基-21H，23H-卟啉合鉬(II)(縮寫 PtOEP)。此外，稀土金屬配合物例如由稀土金屬得到的三(乙酰基丙酮)(一菲咯啉)合鋱 (III)(縮寫=Tb (acac)3(Phen)),H (1，3-二苯基-1，3-丙二酮)(一菲咯啉)合銪(III) (縮寫=Eu(DBM)3(Phen),或三[1_ (2-噻吩甲酰基)-3，3，3-三氟丙酮](一菲咯啉)合銪 (III)(縮寫=Eu(TTA)3(Phen)；所以，此類稀土金屬配合物可以用作本發明的磷光化合物。 因此，也可以使用無機化合物的磷光體，例如其中加入了稀土金屬的金屬氧化物。作為空穴傳輸主體材料221，具體可以使用芳族胺化合物，例如4，4’_二 [N-(l-萘 基)-N-苯基氨基]聯苯(縮寫ΝΡΒ)，4，4’_ 二 [N-(9-菲基)-N-苯基氨基]聯苯(縮寫 PPB)，4，4，-二 [N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]聯苯(縮寫:TPD)，4，4，_ 二 [N-(9，9-二 甲基芴-2-基)-N-苯基氨基]聯苯(縮寫DFLDPBi)，4，4，，4”_三(N，N-二苯基氨基)三 苯基胺(縮寫4041幻，4，4，，4”-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基)三苯基胺(縮寫 m-MTDATA)，4，4，，4”_三(3-咔唑基)三苯基胺(縮寫TCTA)，1，1_ 二 [4-( 二苯基氨基) 苯基]環己烷(縮寫TPAC)，9，9-二 [4-( 二苯基氨基)苯基]芴(縮寫TPAF)，4-(9-咔 唑基)-4，- (5-苯基-1，3-卩惡二唑-2-基)三苯基胺(縮寫YGA011)，或N-[4-(9-咔唑 基)苯基]-N-苯基-9，9-二甲基芴基-2-胺(縮寫YGAF)。此外，還可以使用高分子化合 物例如聚(4-乙烯基三苯基胺)(縮寫PVTPA)。雖然這些材料都是芳香胺化合物，優選以這樣的方式使用芳香胺作為空穴傳輸材 料，因為第一發光層213的空穴傳輸性質變高，并且容易在第一發光層213和第二發光層 214之間的界面的附近設計發光區。此外，還因為第一發光層213的薄膜性質變穩定而導 致長的元件壽命。在芳香胺化合物中，三芳基胺化合物例如TDATA、m-MTDATA、TCTA, TPAC, TPAF、YGAOll或YGAF因其高的三重態激發能而特別優選作為主體材料。作為電子傳輸主體材料222，具體可以使用雜芳族化合物，例如1，3_ 二 [5-(對-叔丁基苯基)-1，3，4-嗯二唑-2-基]苯(縮寫0XD-7)，2- (4-聯苯基)-5- (4-叔 丁基苯基)-1，3，4-Ρ惡二唑(縮寫PBD)，三[2-(2_羥基苯基)-5_苯基-1，3，4-P惡二 唑]合鋁(III)(縮寫Al (OXD)3)，二 [2-(2_羥基苯基)苯并卩惡唑]合鋁(III)，(縮 寫:211(卩08)2)，2，2，，2”-(1，3，5-苯三基)三(1-苯基-IH-苯并咪唑)(縮寫=TPBI), H [2- (2-羥基苯基)-1-苯基-IH-苯并咪唑]合鋁(III)(縮寫A1 (BIZ) 2)，3- (4-叔丁基苯 基)-4-苯基-5-(4-聯苯基)-1，2，4-三唑(縮寫:丁八2)，3-(4-叔丁基苯基)-4-(4-乙基 苯基)-5- (4-聯苯基)-1，2，4-三唑(縮寫 φ-EtTAZ)，9，9，，9” -[1，3，5-三嗪-2,4,6-三 基]三咔唑(縮寫:丁(^1^)，2，2，，2”-(1，3，5-苯三基)三(6，7-二甲基-3-苯基喹喔啉) (縮寫=TriMeQn), H (8_喹啉)合鋁(III)(縮寫=Alq3)，三(4_甲基_8_喹啉)合鋁(III) (縮寫=Almq3)，二(10-羥基苯并[h]喹啉)合鈹(II)(縮寫=BeBq2)，二(2_甲基_8_喹啉)(4-苯基酚)合鋁(III)(縮寫BAlq)，二 [2_(2_羥基苯基)苯并噻唑]合鋅(II)(縮 寫Zn (BTZ)2)，二 (5-羥基喹喔啉)合鋅(11)(縮寫Zn (Qn) 2)，紅菲繞啉(縮寫BPhen)， 或浴銅靈(縮寫BCP)，以及.嗯二唑衍生物，944-(5-苯基-1，3，4-嗯二唑-2-基)苯基] 咔唑(縮寫C011)，用下面的結構式(1)表示。此外，還可以使用高分子化合物例如聚(2， 5-吡啶-二基)(縮寫PPy)。特別是，優選使用能隙為3. 3ev或更小的材料作為電子傳輸 主體材料222。雖然這些材料都是雜芳族胺化合物，優選以這樣的方式使用雜芳族胺化合物作為 電子傳輸主體材料，因為第二發光層214的電子傳輸性質變高，并且容易在在第一發光層 213和第二發光層214之間的界面的附近設計發光區。在雜芳族胺化合物中，特別優選P惡 二唑衍生物例如COl U0XD-UPBD或Al (OXD) 3，卩惡唑衍生物例如Si (PBO)2,咪唑衍生物例如 TPBI或Al (BIZ)3或三嗪衍生物例如TCzTRZ作為主體材料，因其高的三重態激發能。不必需要空穴傳輸層212和空穴注入層211，并且可以適當地提供它們。作為形 成這些層的具體材料，優選空穴傳輸化合物。除了上述NPB、PPB、TPD、DFLDPBi, TDATA, m-MTDATA、TCTA, TPAC, TPAF, YGAOl U YGAF 和 PVTPA 夕卜，還可以使用蒽衍生物例如 9，10- 二 W-( 二苯基氨基)苯基]蒽(縮寫TPA2A)或2-叔丁基-9，10- 二 [2-萘基]蒽(縮寫 t-BuDNA)。通過混合這些材料和電子接受體可以形成空穴傳輸層212和空穴注入層。作 為電子接受體，除了有機化合物例如氯醌或7，7，8，8-四氰基-2，3，5，6-四氟喹諾二甲烷 (quinodimethane)(縮寫F4_TCNQ)外，還可以使用過渡金屬氧化物例如氧化鉬、氧化釩或 氧化錸。特別是，作為空穴注入層211，也可以使用無機化合物例如酞菁銅、酞菁釩或碳氟化 合物，或無機化合物例如氧化鉬、氧化錸或氧化鋁。空穴注入層211具有通過堆積兩層或多 層形成的多層結構。此外，空穴注入層211和空穴傳輸層212可以通過混合兩種或多種物 質來形成。不一定需要電子傳輸層215和電子注入層216，并且可以適當地提供它們。作為形 成這些層的具體材料，優選電子傳輸化合物。可以使用上述coil、0XD-7、PBD、Al (OXD)3,、 Zn (PBO) 2、TPBI、Al (BIZ) 2、TAZ> p-EtTAZ、TCzTRZ、TriMeQn、Alq3、Almq3、BeBq2、Balq、 Zn(BTZ)2, Zn(Qn)2, BPhen、BCP、PPy等。通過混合這些材料和電子供體可以形成電子傳輸 層215和電子注入層216。作為電子供體，除了有機化合物例如四硫雜富瓦烯以外，還可以 使用堿金屬例如鋰或銫，堿土金屬例如鎂或鈣，稀土金屬例如鉺或鐿，或者這些金屬的氧化 物。特別是，作為電子注入層216，可以使用堿金屬化合物例如氧化鋰、氟化鋰、氟化鈣、氟化 鉺，堿土金屬化合物，或稀土金屬化合物本身。電子注入層216可以具有通過堆積兩個或多 個層而形成的多層結構。此外，電子傳輸層215和電子注入層216可以通過混合兩種或多 種物質來形成。偶然地，在本發明的發光元件中，甚至當上述用于空穴傳輸層212的空穴傳輸化 合物和用于電子傳輸層215的電子傳輸化合物具有的三重態激發能低于磷光化合物220的 三重態激發能時，可以有效地發光。所以，本發明的發光元件具有一個特征具有低三重態 激發能的穩定的和一般目的(不昂貴)的物質(例如NPB)可以被用作空穴傳輸層212。此 外，本發明的發光元件具有一個特征具有低三重態激發能的穩定的和一般目的(不昂貴) 的物質(例如Alq3)可以被用作電子傳輸層215。例如，據報告作為穩定的和一般目的(不昂貴)空穴傳輸化合物的NPB的磷光的發射顏色是黃色(在540-550nm附近)。所以，在其中使用圖所示的常規元件結構的情 況中，即使在使用發射出比黃綠色波長更短(尤其是，相當于藍色、藍綠色、綠色，或黃綠色 光發射并且最大峰波長為450-M0nm)的光的物質作為磷光化合物220時也無法有效地發 射光。然而，采用本發明的元件結構，可以有效地發光。作為具有比黃綠色波長短(尤其 是，相當于藍色、藍綠色、綠色，或黃綠色光發射并且最大峰波長為450-M0nm)的光發射的 磷光化合物，在上述磷光化合物中，FIr6、FIrpic、Ir (CF3ppy) 2 (pic)、FIr (acac)、Ir (ppy) 3、 Ir (ppy) 2 (acac)、Ir (pbi) 2 (acac)、Ir (bzq) 2 (acac)、Tb (acac) 3 (Phen)等。例如，據報告作為穩定的和一般目的(不昂貴)電子傳輸化合物的的磷光 的發射顏色是深紅色(在650-700nm附近)。所以，在其中使用圖3A所示的常規元件結 構的情況中，即使在使用發射出比深紅色波長更短的光的物質作為磷光化合物220時也 無法有效地發射光。然而，采用本發明的元件結構，可以有效地發光。作為具有比深紅色 波長更短的光發射的磷光化合物，在上述磷光化合物中，FIr6、FIrpic、Ir (CF3ppy)2 (pic)、 FIracac、Ir (ppy) 3、Ir (ppy) 2 (acac)、Ir (pbi) 2 (acac)、Ir (bzq) 2 (acac)、Tb (acac) 3 (Phen)、 Ir (dpo) 2 (acac)、Ir (p_PF_ph) 2 (acac)、Ir (bt) 2 (acac)、Ir(pq)3、Ir (pq) 3 (acac)、 Ir(btp)2(acac)> Ir(piq)2(acac)> Ir (Fdpq)2(acac)> PtOEP、Eu (DBM) 3(Phen)、 Eu (TTA) 3 (Phen)或相應化合物。對雖然第一電極101沒有具體限制，如實施方式2所述，當第一電極101作為陽極 時，第一電極101優選采用具有高自由能的物質形成。特別是，除了氧化銦錫(ITO)以外， 還可以使用含氧化硅的氧化銦錫(ITSO)或含有2-20wt%氧化鋅的氧化銦(IZO)、金(Au)、 鉬(Pt)、鎳(Ni)、鎢(W)、鉻(C r)、鉬(Mo)、鐵 0 )、鈷(C ο)、銅(Cu)、鉛(Pd)等等。雖然對第二電極102沒有具體限制，如實施方式2所述，當第二電極102作為陰極 時，第二電極102優選采用具有高自由能的物質形成。特別是，除了鋁(Al)或銦(In)以外， 還可以使用堿金屬例如鋰(Li)或銫(Cs)，堿土金屬例如鎂(Mg)或鈣(Ca)，或稀土金屬例 如鉺(Er)或鐿( )。此外，也可以使用合金例如鋁-鋰合金(AlLi)或鎂-銀合金(MgAg)。 第二電極102可以通過例如噴鍍法、蒸發法等制成。為了吸取發射光，優選第一電極101和第二電極102之一或兩者是用導電薄膜形 成的可以傳輸可見光的電極，例如ΙΤ0，或者具有幾或幾十nm厚度的由此可以傳輸可見光 的電極。在本發明上述發光元件中，空穴注入層211、空穴傳輸層212、第一發光層213、第 二發光層214、電子傳輸層215和電子注入層216各自可以通過任何方法，例如蒸發法、噴墨 法或涂層法形成。第一電極101或第二電極102還可以通過任何方法例如噴鍍法、蒸發法、 噴墨法或涂層法形成。實施方式3實施方式3參考圖4A-4C解釋了一種包括本發明發光元件的發光裝置。圖4A-4C 顯示了發光裝置的截面圖。在圖4A-4C中，被矩形的虛線包圍的一個部分是晶體管11，提供它用來驅動本發 明的發光元件12。發光元件12是本發明的發光元件，其中包括發光層的層15在第一電極 13和第二電極14之間形成。特別地，發光元件12具有實施方式1和2中所示的結構。晶 體管11的漏區通過電線17與第一電極13在電學上連接，該電線17穿透第一中間層絕緣膜16 (16a，16b和16c)。發光元件12與其他相鄰提供的發光元件通過分隔層18分開。具 有本發明的這種結構的發光裝置在實施方式3中被提供在基底10上。注意圖4A-4C所示的每個晶體管11是頂閘型，其中閘電極位于與基底相反的一側 上，以半導體層作為中心。然而，對于晶體管11的結構沒有特別限制；例如，可以采用底閘 型。在底閘型的情況中，晶體管11可以具有其中在形成通道的半導體層上形成保護膜的結 構(通道保護型)或其中形成通道的半導體層一部分的是凹陷的結構(通道刻蝕型)。可供選擇地，晶體管11中包括的半導體層可以是晶體或者無定形的。此外，可以 是半無定形的或類似情形。注意半無定形的半導體如下所述。在無定形結構和晶體結構(包括單晶和多晶) 之間具有中間結構和自由能穩定的第三態，并且包括具有近程有序和晶格形變的結晶區 域。在薄膜中至少一部分的區域含有0. 5nm-20nm的晶粒。由L-O聲子衍生的拉曼光譜向 低于520cm—1的低波數移動。在X射線衍射中觀察到由Si晶格引起的(111)和Q20)的衍 射峰。包含至少1原子％的氫或鹵素來終止懸空鍵。它也被稱作微晶半導體。通過對包括 硅化物的氣體進行輝光放電分解(等離子體CVD)形成半無定形半導體。給出SiH4作為包 括硅化物的氣體。此夕卜，Si2H6, SiH2Cl2, SiHCl3、SiCl4, SiF4或類似物質也可以用作包括硅 化物的氣體。包括硅化物的氣體可以用吐稀釋或者用吐和He、Ar、Kr和Ne的一種或多種 稀有氣體元素來稀釋。其稀釋比例可以是2倍-1000倍；壓力，約0. lPa-133Pa;電源頻率， 1ΜΗζ-120ΜΗζ，優選13MHz_60MHz。基底加熱溫度可以小于或等于300°C，優選100°C -250°C。 作為薄膜中的雜質元素，氣氛組成雜質例如氧、氮或碳的濃度優選為1X102°原子/cm3或更 小；特別是，氧的濃度小于或等于切1019原子/cm3，優選小于或等于IxlO19原子/cm3。注意 使用半無定形半導體的TFT(薄膜晶體管)的遷移率是約lcm7V sec-10cm3/V sec。作為晶體半導體層的具體實例，可以舉出由單晶或多晶硅、硅鍺或類似物質形成 的層。通過激光結晶法可以形成它或者可以利用固相生長法使用例如鎳通過結晶形成它。當半導體層由無定形物質例如無定形硅形成時，發光裝置優選具有一個回路，其 中晶體管11和其他晶體管(回路中所含的用于驅動發光元件的晶體管)都是η-通道晶體 管。除此之外，發光裝置可以具有包含η-通道晶體管或-P-通道晶體管的回路，或者發光 裝置可以具有含有兩種類型的晶體管的回路。第一中間層絕緣膜16a和16c可以具有如圖4A和4C表示的多層結構或具有單層 結構。注意中間層絕緣膜16a由無機材料例如氧化硅或氮化硅制成；中間層絕緣膜16b由 丙烯酸、硅氧烷(包含硅-氧鍵(Si-O鍵)的主鏈并且包含至少氫作為取代基的有機基團) 或自平面化物質(其可以通過涂覆法形成為薄膜)，例如氧化硅制成。此外，中間層絕緣膜 16c由含氬氣(Ar)的氮化硅形成。注意對形成每一層的材料沒有特別限制，并且還可以使 用除上述材料以外的材料。還可以將由除上述材料以外的材料制成的層組合。如上所述， 第一中間層絕緣膜16a_16c可以用無機材料或者有機材料或其兩者形成。分隔層18優選具有其中在邊緣部分中曲率半徑連續變化的形狀。此外，分隔層18 采用丙烯酸、硅氧烷、抗蝕劑、氧化硅或類似物構成。注意分隔層18可以用無機材料或有機 材料或兩者形成。在圖4A和4C中，只有第一中間層絕緣膜16a_16c被布置在晶體管11和發光元件 12之間。然而，如圖4B所示，除第一中間層絕緣膜16(16a和16b)以外，還可以提供第二中
14間層絕緣膜19(19a和19b)。在圖4B所示的發光裝置中，第一電極13穿透第二中間層絕緣 膜19并且連接到線17。第二中間層絕緣膜19可以按照與第一中間層絕緣膜16相似的方式具有多層結構 或單層結構。第二中間層絕緣膜19a由丙烯酸、硅氧烷(包括硅-氧鍵(Si-O鍵)主鏈并 且包括至少氫作為取代基的有機基團)或自平面化物質(其可以通過涂覆法形成為薄膜)， 例如氧化硅制成。第二中間層絕緣膜19b由含有氬氣(Ar)的氮化硅薄膜形成。注意對形 成每一層的材料沒有特別的限制，并且也可以使用除上述材料之外的材料。還可以將由除 上述材料以外的材料制成的層組合。如上所述，第二中間層絕緣膜19可以采用無機材料或 有機材料或其兩者形成。當采用透光材料在發光元件12中形成第一電極13和第二電極14兩者時，光發射 可以穿過第一電極13和第二電極14按照圖4A給出的箭頭所示輸出。當只有第二電極14 采用發光材料形成時，光發射可以只穿過第二電極14按照圖14B所示箭頭輸出。在這種情 況中，優選用高反射材料制成第一電極13或者在第一電極13下提供用高反射材料(反射 薄膜)形成的薄膜。當只有第一電極13采用發光材料制成時，光發射可以只穿過第一電極 13按照圖14C給出的箭頭所示輸出。在這種情況中，優選用高反射材料形成第二電極14或 者在第二電極14上提供反射薄膜。在發光元件12中，層15可以具有這樣的堆積結構以致于當施加電壓使得第二電 極14的電勢變得高于第一電極13的電勢時，操作發光元件12，或者層15可以具有這樣的 堆積結構以致于在施加電壓使得第二電極14的電勢變得低于第一電極13的電勢時操作發 光元件12。在前一種情況中，晶體管11是η-通道晶體管，而在后一種情況中，晶體管11是 P-通道晶體管。如上所述，在實施方式3中解釋了其中發光元件的驅動受晶體管控制的主動發光 裝置。然而，也可以使用其中不用特定的驅動元件例如晶體管來驅動發光元件的被動發光
直ο由于實施方式3中所示的發光裝置使用了本發明的發光元件，實施方式3中所示 的發光裝置具有高的發光效率和長壽命。所以，該發光裝置具有低功耗和長壽命的特征。實施方式4使用本發明的發光元件的發光裝置可以顯示優選的圖像。所以，能夠提供優良圖 像的電子裝置可以通過將本發明的發光裝置用于電子裝置的顯示器部分來達到。此外，含 有本發明發光元件的發光裝置消耗低功率并且具有長壽命。所以，可以通過將本發明的發 光裝置用于電子裝置的顯示器部分來得到具有低功耗的電子裝置，并且例如可以得到具有 長電池放置時間的電話以及類似裝置。以下顯示整合了本發明發光元件的發光裝置的電子 裝置的一個實施方式。圖5A是通過應用本發明而制造的計算機，它包括機身511、外殼512、顯示器部分 513、鍵盤514等。該計算機可以通過將含有本發明發光元件的發光裝置整合在顯示器部分 中而完成。圖5B是通過應用本發明制造的電話機，其中主體522包括顯示器部分521、聲音輸 出部分524、聲音輸入部分525，操作鍵5 和527、天線523等。該電話可以通過將含有本 發明發光元件的發光裝置整合在顯示器部分中而完成。
圖5C是通過應用本發明制造的電視機，其包括顯示器部分531、外殼532、揚聲器 533等。該電視機可以通過將含有本發明發光元件的發光裝置整合在顯示器部分中而完成。如上所述，本發明的發光裝置非常適合于不同種類的電子裝置的顯示器部分。雖然實施方式4中描述了計算機等，除此之外，具有本發明發光元件的發光裝置 還可以被安裝在航海系統、照明裝置等中。實施例1《合成實施例》實施例1具體例舉了 944-(5-苯基-1，3，4-卩惡二唑-2-基)苯基]咔唑(縮寫 coil)的合成實施例，它可在本發明發光元件中用作電子傳輸主體材料。結構式(ι)顯示了 COll的結構式。
權利要求
1.一種發光元件，包含相互接觸并且位于第一電極和第二電極之間的第一發光層和第二發光層，和 在第一電極和第一發光層之間形成的空穴傳輸層，其中第一發光層含有空穴傳輸主體材料和磷光化合物，并且第二發光層含有電子傳輸 主體材料和磷光化合物，其中磷光化合物為有機金屬配合物，且 其中空穴傳輸層為蒽衍生物。
2.一種發光元件，包含相互接觸并且位于第一電極和第二電極之間的第一發光層和第二發光層， 在第一電極和第一發光層之間形成的空穴傳輸層，和 在第二電極和第二發光層之間形成的的電子傳輸層，其中第一發光層含有空穴傳輸主體材料和磷光化合物，并且第二發光層含有電子傳輸 主體材料和磷光化合物，其中磷光化合物為有機金屬配合物，且 其中空穴傳輸層為蒽衍生物。
3.根據權利要求2的發光元件，其中所述電子傳輸主體材料和所述電子傳輸層的材料 是相同的化合物。
4.一種發光元件，包含相互接觸并且位于第一電極和第二電極之間的第一發光層和第二發光層， 在第一電極和第一發光層之間形成的空穴注入層；和 在空穴注入層和第一發光層之間形成的的空穴傳輸層，其中第一發光層含有空穴傳輸主體材料和磷光化合物，并且第二發光層含有電子傳輸 主體材料和磷光化合物，其中磷光化合物為有機金屬配合物，且 其中空穴傳輸層為蒽衍生物。
5.根據權利要求4的發光元件，其中所述空穴注入層的材料和所述空穴傳輸層的材料 是相同的化合物。
6.一種發光元件，包含相互接觸并且位于第一電極和第二電極之間的第一發光層和第二發光層，和 在第一電極和第一發光層之間形成的空穴傳輸層； 在第二電極和第二發光層之間形成的的電子傳輸層；和 在第二電極和電子傳輸層之間形成的的電子注入層，其中第一發光層含有空穴傳輸主體材料和磷光化合物，并且第二發光層含有電子傳輸 主體材料和磷光化合物，其中磷光化合物為有機金屬配合物，且 其中空穴傳輸層為蒽衍生物。
7.根據權利要求6的發光元件，其中所述電子傳輸主體材料和所述電子傳輸層的材料 是相同的化合物。
8.根據權利要求6的發光元件，其中所述電子傳輸層的材料和所述電子注入層的材料是相同的化合物。
9.根據權利要求1、2、4或6中任一項的發光元件，其中所述空穴傳輸層具有的三重態 激發能低于所述磷光化合物的三重態激發能。
10.根據權利要求1、2、4或6中任一項的發光元件，其中所述空穴傳輸主體材料是芳香 胺化合物。
11.根據權利要求1、2、4或6中任一項的發光元件，其中所述空穴傳輸主體材料是三芳基胺化合物。
12.根據權利要求1、2、4或6中任一項的發光元件，其中所述電子傳輸主體材料是雜芳 族化合物。
13.根據權利要求1、2、4或6中任一項的發光元件，其中所述電子傳輸主體材料是一種 選自卩惡二唑衍生物、卩惡’唑衍生物、咪唑衍生物、三唑衍生物和三嗪衍生物的材料。
14.根據權利要求1、2、4或6中任一項的發光元件，其中所述電子傳輸主體材料是下面 結構式(1)表示的卩惡二唑衍生物
15.根據權利要求1、2、4或6中任一項的發光元件，其中所述磷光化合物的發射波長大 于或等于450nm并且小于或等于540nm。
16.根據權利要求1、2、4或6中任一項的發光元件，其中所述磷光化合物的發射波長大 于或等于650nm并且小于或等于700nm。
17.根據權利要求1、2、4或6中任一項的發光元件，其中所述磷光化合物是客體材料。
18.根據權利要求1、2、4或6中任一項的發光元件，其中所述電子傳輸主體材料的能隙 等于或小于3. 3eV。
19.根據權利要求2或6中任一項的發光元件，其中所述電子傳輸層具有的三重態激發 能低于所述磷光化合物的三重態激發能。
20.具有根據權利要求1、2、4或6中任一項的發光元件的電子裝置，其中所述電子裝置 是一種選自計算機、電話機、電視機、導航系統和照明設備的電子裝置。
全文摘要
本發明的目的在于提供一種適合采用磷光化合物的發光元件的元件結構。另一目的在于利用所述元件結構提供具有高發光效率的發光元件。特別是，另一目的是提供具有高發光效率和長壽命的發光元件。制備了一種發光元件，其包括所提供的彼此接觸并且位于第一電極和第二電極之間的第一發光層和第二發光層，其中第一發光層包含空穴傳輸主體材料和磷光化合物，并且第二發光層包含電子傳輸主體材料和磷光化合物。
文檔編號H01L51/50GK102097596SQ20101053759
公開日2011年6月15日 申請日期2007年3月21日 優先權日2006年3月21日
發明者大澤信晴, 村田洸子, 瀨尾哲史 申請人:株式會社半導體能源研究所