專利名稱：芯片固定基座和芯片固定連接方式的制作方法
技術領域：
本發明涉及半導體制造領域，尤其涉及一種芯片固定基座和芯片固定連接方式。
背景技術：
對于存儲類芯片，暫時失效將會極大影響數據以及系統工作的可靠性。所以能夠有效測量計算存儲芯片的暫時失效率，對于數據以及系統工作的可靠性是非常重要的。其中，加速軟錯誤測試(alpha particle accelerate soft error rate)是判斷存儲芯片暫時失效的一種方法，其具體的通過放射源alpha粒子的照射，惡化存儲芯片的使用環境，對其進行暫時失效分析，以檢測存儲芯片的性能。公開號為CN 101620254A的中國專利申請提供了一種加速軟錯誤測試的系統及方法。如圖1所示為存儲芯片結構示意圖，包括芯片管腳區02和位于所述管腳區02兩側的數據存儲區oil和012。其中，所述芯片管腳區02具有62個管腳。圖2是現有技術的暫時失效分析示意圖，如圖2所示，將圖1中所述存儲芯片放置于圖2所示的芯片固定基座中，所述芯片固定基座包括底座04，位于所述底座04上的焊盤區03和位于所述焊盤區03上的基臺(未示出)，并通過導線將所述存儲芯片的管腳區02 的管腳與焊盤區03的管腳對應連接。然后，通過放射源05，將alpha粒子照射至所述存儲芯片的表面，以對所述存儲芯片進行暫時失效分析。但是，現有技術常導致暫時失效分析結果不準確。
發明內容
本發明解決的問題是提供一種芯片固定基座和芯片固定連接方式，提高暫時失效分析結果的準確性。為解決上述問題，本發明提供一種芯片固定基座，用于對存儲芯片進行暫時失效分析，包括底座、位于底座上的至少一個焊盤區、位于焊盤區上的基臺，所述基臺用于放置具有管腳的存儲芯片，焊盤區形成有管腳，其中位于同一側的焊盤區管腳數量大于或等于存儲芯片管腳數量，以使存儲芯片管腳對應連接至一側焊盤區管腳。可選的，包括位于底座上的第一焊盤區，位于同一側的第一焊盤區管腳數量大于或等于存儲芯片管腳數量，以使存儲芯片管腳對應連接至一側的第一焊盤區管腳。可選的，包括依次位于底座上的第一焊盤區和第二焊盤區，位于同一側的第一焊盤區和第二焊盤區的管腳數量大于或等于存儲芯片管腳數量，以使存儲芯片管腳對應連接至一側的第一焊盤區和第二焊盤區管腳。可選的，包括依次位于底座上的第一焊盤區、第二焊盤區和第三焊盤區，位于同一側的第一焊盤區、第二焊盤區和第三焊盤區的管腳數量大于或等于存儲芯片管腳數量， 以使存儲芯片管腳對應連接至一側的第一焊盤區、第二焊盤區和第三焊盤區管腳。可選的，第一焊盤區和第二焊盤區的管腳位于同一側。可選的，第一焊盤區管腳位于第一焊盤區的兩側，第二焊盤區管腳位于第二焊盤區的兩側。可選的，第一焊盤區一側的管腳與位于第一焊盤區另一側的管腳相連接，位于第二焊盤區一側的管腳與第二焊盤區另一側的管腳相連接。可選的，位于第一焊盤區一側的管腳與另一側的第二焊盤區管腳相連接。可選的，所述底座、第一焊盤區、第二焊盤區和基臺的高度依次遞增，即第二焊盤區位于基座的上層，第一焊盤區位于第二焊盤區的上層，基臺位于第一焊盤區的上層。本發明還提供一種所述芯片固定基座的芯片固定連接方式，用于對存儲芯片進行暫時失效分析，包括提供存儲芯片及芯片固定基座，并將所述存儲芯片放置在所述芯片固定基座的基臺上，所述存儲芯片包括芯片管腳區和位于所述管腳區兩側的數據存儲區；通過導線將所述存儲芯片的管腳區的管腳對應地與位于一側的焊盤區管腳連接， 所述導線覆蓋有位于同一側的數據存儲區，另一側的數據存儲區未被導線覆蓋。可選的，還包括通過放射源將放射粒子入射至所述存儲芯片的表面，以對所述存儲芯片進行暫時失效分析。可選的，所述存儲芯片表面與放射源的高度差小于1mm。與現有技術相比，本發明具有以下優點本發明中位于同一側的焊盤區管腳數量與功能至少包括有存儲芯片的數量與功能，可以使得用于連接存儲芯片管腳和焊盤區管腳之間的導線僅覆蓋一側的數據存儲區，進行暫時失效分析時，可以完全暴露出存儲芯片的另一側的數據存儲區，提高暫時失效分析的準確性。進一步地，所述第一焊盤區一側管腳與另一側的第一焊盤區管腳相連接，第二焊盤區一側管腳與另一側第二焊盤區管腳相連接，或者可以第一焊盤區一側管腳與位于與其相對的另一側的第二焊盤區管腳相連接。通過上述不同的管腳連接方式，擴展所述芯片固定基座使用環境，可以根據測試需求，靈活性地選擇第一焊盤區和第二焊盤區兩側的管腳進行搭配。
圖1是存儲芯片的結構示意圖。圖2是現有技術的暫時失效分析示意圖。圖3至圖5為本發明一個實施例的芯片固定基座示意圖。圖6為本發明又一個實施例的芯片固定基座示意圖。圖7為本發明再一個實施例的芯片固定基座示意圖。圖8至圖11為本發明一個實施例的芯片固定連接方式示意圖。圖12為本發明又一個實施例的芯片固定連接方式示意圖。
具體實施例方式現有技術中，采用加速軟錯誤測試對存儲芯片進行暫時失效分析時，常常出現測試結果不準確。發明人對芯片固定基座及其連接方式進行研究發現，是因為采用alpha particle放射源對存儲芯片的存儲區進行照射測試時，應盡量避免在存儲區上有覆蓋物， 若存在有覆蓋物，將造成存儲芯片的存儲區暫時失效測試結果不準確。
但是如圖2所示，用于連接焊盤區03的和管腳區02的導線將覆蓋存儲芯片上的數據存儲區011和012，則導致入射至數據存儲區011和012的放射源強度大大降低，無法測試存儲芯片的存儲區真實性能，影響暫時失效分析結果。為解決上述問題，發明人提供一種芯片固定基座，用于對存儲芯片進行暫時失效分析，包括底座、位于底座上的至少一個焊盤區、位于焊盤區上的基臺，所述基臺用于放置具有管腳的存儲芯片，焊盤區形成有管腳，其中位于同一側的焊盤區管腳數量大于或等于存儲芯片管腳數量，以使存儲芯片管腳對應連接至一側焊盤區管腳。本發明同一側的焊盤區管腳的數量不少于存儲芯片管腳的數量，使得位于一側的焊盤區管腳即可以滿足存儲芯片管腳的連接，用于連接焊盤區管腳和存儲芯片管腳的導線僅覆蓋有一側的數據存儲區，進行暫時失效分析時可以暴露出另一側的數據存儲區，提高暫時失效分析的準確性。為使本發明的上述目的、特征和優點能夠更為明顯易懂，下面結合附圖對本發明的具體實施方式
做詳細的說明。在以下描述中闡述了具體細節以便于充分理解本發明。但是本發明能夠以多種不同于在此描述的其它方式來實施，本領域技術人員可以在不違背本發明內涵的情況下做類似推廣。因此本發明不受下面公開的具體實施的限制。如圖3所示，為本發明一個實施例的芯片固定基座示意圖，包括底座100，依次位于所述底座100上的第一焊盤區210、第二焊盤區220和用于放置存儲芯片的基臺300。所述芯片固定基座通過所述底座100上的管腳，與外部的測試儀器相連。所述底座100為具有機械強度的無導電性可成型材料。所述基臺300為導電材料。其中，位于一側的焊盤區總的管腳數量和功能不少于存儲芯片的數量和功能，即位于一側的第一焊盤區210和第二焊盤區220的管腳數量相加不少于存儲芯片管腳的數量，位于一側的第一焊盤區210和第二焊盤區220的管腳功能相加至少包括有存儲芯片管腳的功能。本實施例中，用于測試的存儲芯片的管腳具有64個，所以位于一側的第一焊盤區 210和第二焊盤區220的管腳數量和為64個，第一焊盤區210和第二焊盤區220的管腳功能與存儲芯片的管腳功能一一對應。本實施例中，所述第一焊盤區210或第二焊盤區220 的管腳分別位于對應的第一焊盤區210或第二焊盤區220的兩側，分別為32個。其中，所述管腳為導電材料。如圖4所示為本發明芯片固定基座剖面示意圖，包括底座100，依次位于所述底座100上的第一焊盤區210、第二焊盤區220和基臺300。且高度依次遞增。上述依次遞增的高度設計可以使得基臺300上放置的存儲芯片與放射源的位置最接近，且不會被第一焊盤區210和第二焊盤區220遮擋放射源粒子，避免降低入射至存儲芯片上的放射源強度。如圖5所示為本發明芯片固定基座俯視示意圖，包括底座100，依次位于所述底座100上的第一焊盤區210和第二焊盤區220，及位于所述第二焊盤區220上的基臺300， 所述基臺300用于放置存儲芯片。其中，所述第一焊盤區210具有64個管腳，分別位于所述第一焊盤區210的兩側， 一側的管腳為Al，另一側的管腳為Bl ；所述第二焊盤區220具有64個管腳，分別位于所述第二焊盤區220的兩側，一側的管腳為B2，另一側的管腳為A2。其中，所述管腳A2和管腳Bl位于同一側，所述管腳B2和管腳Al位于同一側。本實施例中，管腳A2和管腳Al為連接狀態，即與管腳A2連接的同時連接有管腳Al ；管腳B2和管腳Bl為連接狀態，即與管腳B2 連接的同時連接有管腳Bi，所述連接位于第一焊盤區210和第二焊盤區220的內部，本圖未示出。作為其他實施例，管腳A2和管腳B2為連接狀態，即與管腳A2連接的同時連接有管腳B2;管腳B 1和管腳Al為連接狀態，即與管腳Bl連接的同時連接有管腳Al。通過上述結構，可以更為靈活的實現管腳之間的搭配。通過第一焊盤區210和第二焊盤區220的管腳分別與存儲芯片的管腳的數量相同，且分別位于所述第一焊盤區210或第二焊盤區220的兩側，可以使得存儲芯片管腳與第一焊盤區210和第二焊盤區220的導線位于同一側，所述導線僅覆蓋存儲芯片的一側的數據存儲區；暫時失效分析時，可以完全暴露出存儲芯片的另一側的數據存儲區，提高暫時失效分析的準確性。同時所述第一焊盤區210 —側的管腳與另一側的第一焊盤區210的管腳相連接， 所述第二焊盤區220 —側的管腳與另一側的第二焊盤區220的管腳相連接，或者可以第一焊盤區210 —側的管腳與位于與其相對的另一側的第二焊盤區220的管腳相連接。通過上述不同的管腳連接方式，擴展所述芯片固定基座使用環境，可以根據測試需求，靈活性地選擇第一焊盤區和第二焊盤區兩側的管腳進行搭配。本實施例中，所述第一焊盤區210和第二焊盤區220的管腳分別位于所述第一焊盤區210和第二焊盤區220的兩側。作為其他實施例，所述第一焊盤區210的管腳可以僅位于所述第一焊盤區210的一側，同樣地，所述第二焊盤區220的管腳也可以僅位于所述第二焊盤區220的一側。本實施例中，所述焊盤區的數量為2個，作為其他實施例，也可以為其他數量，同時滿足位于一側的焊盤區管腳的數量和功能不少于存儲芯片的數量和功能。如圖6所示，為本發明又一個實施例的芯片固定基座結構示意圖，包括底座100， 位于所述底座100上的第一焊盤區210a，及位于所述第一焊盤區210a上的基臺300，所述基臺300用于放置存儲芯片，位于同一側的第一焊盤區210a的管腳數量大于或等于存儲芯片管腳數量，以使存儲芯片管腳對應連接至一側的第一焊盤區210a管腳。作為其他實施例，所述第一焊盤區210a的兩側具有一定數量的管腳，同時滿足位于同一側的第一焊盤區 210a的管腳數量大于或等于存儲芯片管腳數量。如圖7所示，為本發明再一個實施例的芯片固定基座結構示意圖，包括底座100， 依次位于所述底座100上的第一焊盤區210b、第二焊盤區220b及第三焊盤區230b，及位于所述第三焊盤區230b上的基臺300，所述基臺300用于放置存儲芯片，位于同一側的第一焊盤區210b、第二焊盤區220b及第三焊盤區230b的管腳數量和大于或等于存儲芯片管腳數量，以使存儲芯片管腳對應連接至一側的焊盤區管腳，包括第一焊盤區210b、第二焊盤區 220b及第三焊盤區230b的管腳。作為其他實施例，所述第一焊盤區210b、第二焊盤區220b 及第三焊盤區230b的兩側具有一定數量的管腳，同時滿足位于同一側的第一焊盤區210b、 第二焊盤區220b及第三焊盤區230b的管腳數量大于或等于存儲芯片管腳數量。下面結合所述本發明芯片固定基座，對所述本發明芯片固定基座的連接方式進行說明，包括提供存儲芯片及芯片固定基座，并將所述存儲芯片放置在所述芯片固定基座的基臺上，所述存儲芯片包括芯片管腳區和位于所述管腳區兩側的數據存儲區；通過導線將所述存儲芯片的管腳區的管腳對應地與位于一側的焊盤區管腳連接，所述導線覆蓋有位于同一側的數據存儲區，另一側的數據存儲區未被導線覆蓋。為使本發明的上述目的、特征和優點能夠更為明顯易懂，下面結合附圖對本發明的具體實施方式
做詳細的說明。首先，如圖1所示，提供存儲芯片，所述存儲芯片包括芯片管腳區02和位于所述管腳區02兩側的數據存儲區011和012。如圖5所示，提供芯片固定基座，包括底座100，依次位于所述底座100上的第一焊盤區210、第二焊盤區220和用于放置存儲芯片的基臺300。其具體結構可以參考前述。如圖8所示，將所述存儲芯片放置于芯片固定基座中，具體地，放置于所述基臺 300上。其中，與一側第一焊盤區210靠近的區域為數據存儲區011，與另一側第一焊盤區 210靠近的區域為數據存儲區012。如圖9所示，通過導線將第二焊盤區220的一側管腳A2與所述存儲芯片的管腳區 02對應相連，所述第二焊盤區220的一側管腳A2具有32個管腳。如圖10所示，通過導線將第一焊盤區210的一側管腳Bl與所述存儲芯片的管腳區02對應相連，所述第一焊盤區210的一側管腳Bl具有32個管腳。本實施例中，選擇第一焊盤區210的一側管腳Bl和第二焊盤區220的一側管腳A2 與所述存儲芯片的管腳區02相連，作為其他實施例，也可以選擇第一焊盤區210的管腳Al 和第二焊盤區220的一側管腳B2與所述存儲芯片的管腳區02相連。其中，本實施中第一焊盤區210的管腳Al和第二焊盤區220的管腳A2為連接狀態；第一焊盤區210的管腳Bl和第二焊盤區220的管腳B2為連接狀態。所以任意選擇連接位于一側的管腳，均同時連接有位于另一側對應的管腳。作為其他實施例，還可以第一焊盤區210的管腳Al和第一焊盤區210的管腳Bl為連接狀態；第二焊盤區220的管腳B2和第二焊盤區220的管腳A2為連接狀態。如圖11所示，通過alpha particle放射源500，將放射粒子入射至所述存儲芯片的表面，以對所述存儲芯片進行暫時失效分析。其中，所述存儲芯片表面與射源的高度差小于1mm。本實施例中，所述存儲芯片的一半存儲區012完全裸露在外，有利于放射源的穿透， 提供暫時失效分析結果的可靠性。如圖12所示，為本發明的又一個實施例，其提供的芯片固定基座及芯片的固定連接方式與前一個實施例相同，區別在于與一側第一焊盤區210靠近的區域同時包括有數據存儲區011、012和管腳區02。通過與上述實施例相同的連接方式，可以使得用于連接的導線僅僅覆蓋有管腳區02，未覆蓋位于所述管腳區02兩側的數據存儲區011和012，最大可能使得所述數據存儲區011和012暴露在放射源下方，有利于放射源的穿透，提供暫時失效分析結果的可靠性。與現有技術相比，本發明具有以下優點本發明中位于同一側的焊盤區管腳數量與功能至少包括有存儲芯片的數量與功能，可以使得用于連接存儲芯片管腳和焊盤區管腳之間的導線僅覆蓋一側的數據存儲區，進行暫時失效分析時，可以完全暴露出存儲芯片的另一側的數據存儲區，提高暫時失效分析的準確性。進一步地，所述第一焊盤區一側管腳與另一側的第一焊盤區管腳相連接，第二焊盤區一側管腳與另一側第二焊盤區管腳相連接，或者可以第一焊盤區一側管腳與位于與其相對的另一側的第二焊盤區管腳相連接。通過上述不同的管腳連接方式，擴展所述芯片固定基座使用環境，可以根據測試需求，靈活性地選擇第一焊盤區和第二焊盤區兩側的管腳進行搭配。 在以上描述中闡述了具體細節以便于充分理解本發明。但是本發明能夠以多種不同于在此描述的其它方式來實施，本領域技術人員可以在不違背本發明內涵的情況下做類似推廣。因此本發明不受下面公開的具體實施的限制。
權利要求
1.一種芯片固定基座，用于對存儲芯片進行暫時失效分析，其特征在于，包括底座、 位于底座上的至少一個焊盤區、位于焊盤區上的基臺，所述基臺用于放置具有管腳的存儲芯片，焊盤區形成有管腳，其中位于同一側的焊盤區管腳數量大于或等于存儲芯片管腳數量，以使存儲芯片管腳對應連接至一側焊盤區管腳。
2.根據權利要求1所述芯片固定基座，其特征在于，包括位于底座上的第一焊盤區， 位于同一側的第一焊盤區管腳數量大于或等于存儲芯片管腳數量，以使存儲芯片管腳對應連接至一側的第一焊盤區管腳。
3.根據權利要求1所述芯片固定基座，其特征在于，包括依次位于底座上的第一焊盤區和第二焊盤區，位于同一側的第一焊盤區和第二焊盤區的管腳數量大于或等于存儲芯片管腳數量，以使存儲芯片管腳對應連接至一側的第一焊盤區和第二焊盤區管腳。
4.根據權利要求1所述芯片固定基座，其特征在于，包括依次位于底座上的第一焊盤區、第二焊盤區和第三焊盤區，位于同一側的第一焊盤區、第二焊盤區和第三焊盤區的管腳數量大于或等于存儲芯片管腳數量，以使存儲芯片管腳對應連接至一側的第一焊盤區、第二焊盤區和第三焊盤區管腳。
5.根據權利要求3所述芯片固定基座，其特征在于，第一焊盤區和第二焊盤區的管腳位于同一側。
6.根據權利要求3所述芯片固定基座，其特征在于，第一焊盤區管腳位于第一焊盤區的兩側，第二焊盤區管腳位于第二焊盤區的兩側。
7.根據權利要求6所述芯片固定基座，其特征在于，第一焊盤區一側的管腳與位于第一焊盤區另一側的管腳相連接，位于第二焊盤區一側的管腳與第二焊盤區另一側的管腳相連接。
8.根據權利要求6所述芯片固定基座，其特征在于，位于第一焊盤區一側的管腳與另一側的第二焊盤區管腳相連接。
9.根據權利要求1所述芯片固定基座，其特征在于，所述底座、第一焊盤區、第二焊盤區和基臺的高度依次遞增，即第二焊盤區位于基座的上層，第一焊盤區位于第二焊盤區的上層，基臺位于第一焊盤區的上層。
10.一種如權利要求1所述的芯片固定基座的芯片固定連接方式，用于對所述芯片進行暫時失效分析，其特征在于，包括提供存儲芯片及芯片固定基座，并將所述存儲芯片放置在所述芯片固定基座的基臺上，所述存儲芯片包括芯片管腳區和位于所述管腳區兩側的數據存儲區；通過導線將所述存儲芯片的管腳區的管腳對應地與位于一側的焊盤區管腳連接，所述導線覆蓋有位于同一側的數據存儲區，另一側的數據存儲區未被導線覆蓋。
11.根據權利要求10所述芯片固定連接方式，其特征在于，還包括通過放射源將放射粒子入射至所述存儲芯片的表面，以對所述存儲芯片進行暫時失效分析。
12.根據權利要求11所述芯片固定連接方式，其特征在于，所述存儲芯片表面與射源的高度差小于1mm。
全文摘要
本發明提供一種芯片固定基座，用于對存儲芯片進行暫時失效分析，包括底座、位于底座上的至少一個焊盤區、位于焊盤區上的基臺，所述基臺用于放置具有管腳的存儲芯片，焊盤區形成有管腳，其中位于同一側的焊盤區管腳數量大于或等于存儲芯片管腳數量。本發明還提供一種所述芯片固定基座的芯片固定連接方式。本發明中位于同一側的焊盤區管腳數量大于或等于存儲芯片的數量，可以使得用于連接存儲芯片管腳和焊盤區管腳的導線僅覆蓋一側的數據存儲區，進行暫時失效分析時，可以完全暴露出存儲芯片的另一側的數據存儲區，提高暫時失效分析的準確性。
文檔編號H01L21/60GK102467977SQ20101053252
公開日2012年5月23日 申請日期2010年11月1日 優先權日2010年11月1日
發明者何俊明, 謝君強 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司