專利名稱：射頻ldmos器件中金屬源襯通路的實現方法
技術領域：
本發明涉及一種射頻LDMOS器件中金屬源襯通路的實現方法。
背景技術：
LDMOS是目前RF射頻工藝中的常用器件之一。基于LDMOS可以形成低成本，高性能高集成度的RFLDM0S器件，被應用于高頻通信領域以及其他對于速度要求很高的應用領域。普通的RFLDM0S結構如圖1所示。為了提高器件的響應頻率，如何提高工作頻率，降低源襯通路電阻是一個很難的問題，要么是通過注入加推阱的方法，這需要進行高能量和高劑量的注入，并且高溫推阱后，載流子橫向擴散增加了尺寸，并且工藝控制精度很難把握， 而對于用摻雜的多晶，雖然電阻也能降低但沒有金屬低。
發明內容
本發明要解決的技術問題是提供一種金屬源襯通路的實現方法，其能實現低阻的金屬源襯通路。為解決上述技術問題，本發明的金屬源襯通路的實現方法，在形成柵極后的器件上淀積第一層絕緣層之后，包括如下步驟1)采用光刻工藝定義出源襯接觸通孔的位置，之后刻蝕該位置處的第一層絕緣層至柵氧，去除光刻膠；2)接著進一步刻蝕外延層至襯底，形成源襯接觸通孔；3)之后采用光刻工藝定義出有源區和第一層金屬之間的接觸孔的位置，刻蝕第一層絕緣層形成接觸孔；4)淀積金屬，以完全填充源襯接觸通孔和接觸孔；5)采用CMP工藝去除第一層絕緣層上的金屬。本發明的實現方法，通過自對準進行源襯接觸通孔的刻蝕，可以大大降低接觸通孔的寬度，提高器件的密度，增加器件的增益。由于以金屬作為源襯之間的通路，極大降低了源襯之間的電阻和有利于器件的散熱。同時提高了器件的可靠性，并且本方法集成了有源區和第一層金屬層的接觸孔形成的工藝，只需一次金屬淀積就同時形成了源襯間低阻通路與有源區和第一層金屬的互聯結構。
下面結合附圖與具體實施方式
對本發明作進一步詳細的說明圖1為本發明的實現方法的流程示意圖；圖2為本發明的一個實例中形成柵極后的結構示意圖；圖3為本發明的一個實例中淀積第一層絕緣層后的結構示意圖；圖4為本發明的一個實例中定義出源襯接觸通孔的位置并刻蝕第一絕緣層后的結構示意圖5為本發明的一個實例中刻蝕形成源襯接觸通孔后的結構示意圖；圖6為本發明的一個實例中刻蝕形成有源區和第一層金屬件的接觸孔后的結構示意圖；圖7為本發明的一個實例中淀積金屬后的結構示意圖；圖8為本發明的一個實例中CMP去除多余金屬后的結構示意圖。
具體實施例方式本發明的射頻LDMOS器件中金屬源襯通路的實現方法，其為在形成柵極后(見圖 2)的器件上淀積第一層絕緣層(見圖幻之后，包括如下步驟(見圖1)1)采用光刻工藝定義出源襯接觸通孔的位置，之后刻蝕該位置處的第一層絕緣層至柵氧，去除光刻膠(見圖4)。2)接著進一步刻蝕外延層至襯底，形成源襯接觸通孔(見圖幻。源襯接觸通孔的孔寬可為0. 2 1微米。3)之后采用光刻工藝定義出有源區和第一層金屬之間的接觸孔的位置，刻蝕第一層絕緣層形成接觸孔(見圖6)。接觸孔的孔寬為常規的工藝尺寸，一個具體實例中可為 0. 2 1微米。在光刻的同時，光刻膠會蓋住上面形成的源襯接觸通孔。刻蝕形成接觸孔之后，去除剩余的光刻膠。4)淀積金屬，以完全填充源襯接觸通孔和接觸孔(見圖7)。上述金屬可選鎢或銅， 采用物理濺射淀積法進行淀積。5)采用CMP工藝去除第一層絕緣層上的金屬(見圖8)。本發明的實現方法，通過自對準進行源襯接觸通孔的刻蝕，可以大大降低接觸通孔的寬度，提高器件的密度，增加器件的增益。由于以金屬作為源襯之間的通路，極大降低了源襯之間的電阻和有利于器件的散熱。同時提高了器件的可靠性，并且本方法集成了有源區和第一層金屬層的接觸孔形成的工藝，只需一次金屬淀積就同時形成了源襯間低阻通路與有源區和第一層金屬的互連結構。
權利要求
1.一種射頻LDMOS器件中金屬源襯通路的實現方法，其特征在于，在形成柵極后的器件上淀積第一層絕緣層之后，包括如下步驟1)采用光刻工藝定義出源襯接觸通孔的位置，之后刻蝕該位置處的第一層絕緣層至柵氧，去除光刻膠；2)接著進一步刻蝕外延層至襯底，形成源襯接觸通孔；3)之后采用光刻工藝定義出有源區和第一層金屬之間的接觸孔的位置，刻蝕所述第一層絕緣層形成接觸孔；4)淀積金屬，以完全填充所述源襯接觸通孔和所述接觸孔；5)采用CMP工藝去除所述第一層絕緣層上的金屬。
2.按照權利要求1所述的實現方法，其特征在于所述源襯接觸通孔的孔寬為0.2 1 微米。
3.按照權利要求1所述的實現方法，其特征在于所述步驟3)中接觸孔的孔寬為 0. 2 1微米。
4.按照權利要求1-3中任一項權利要求所述的實現方法，其特征在于步驟4)中所述的金屬為鎢或銅，采用物理濺射淀積法進行淀積。
全文摘要
本發明的射頻LDMOS器件中金屬源襯通路的實現方法，通過自對準進行源襯接觸通孔的刻蝕，并將其集成在有源區和第一層金屬層的接觸孔形成的工藝中，只需一次金屬淀積就同時形成了源襯間低阻通路與有源區和第一層金屬的互聯結構。本發明的實現方法，可以大大降低源襯接觸通孔的寬度，提高器件的密度，增加器件的增益。且由于以金屬作為源襯之間的通路，極大降低了源襯之間的電阻和有利于器件的散熱，同時提高了器件的可靠性。
文檔編號H01L21/336GK102456614SQ20101052807
公開日2012年5月16日 申請日期2010年11月1日 優先權日2010年11月1日
發明者王海軍, 陳儉 申請人:上海華虹Nec電子有限公司