專利名稱：Tft-lcd、陣列基板及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明實施例涉及液晶顯示器技術領域，尤其涉及一種薄膜晶體管液晶顯示器 (Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，簡稱 TFT-LCD)、陣列基板及其制造方法。
背景技術：
TFT-LCD包括陣列基板和彩膜基板，陣列基板和彩膜基板分別形成在兩張大尺寸的玻璃基板上，并且是對應形成在每張玻璃基板的液晶面板區(qū)域，一塊玻璃基板包括多個液晶面板區(qū)域，玻璃基板上液晶面板區(qū)域之間的區(qū)域通常稱為空白區(qū)域。將陣列基板和彩膜基板對盒后中間填充液晶，再經過切割等后續(xù)的加工處理，便可形成TFT-LCD成品。在陣列基板和彩膜基板進行對盒之前，需要對陣列基板進行測試，測試通過的陣列基板可以進入對盒的工藝，測試沒有通過的陣列基板則需要進行檢修。為了對陣列基板進行測試，通常陣列基板上形成有各種測試線。如圖1所示為現(xiàn)有技術中TFT-LCD陣列基板的結構示意圖，包括柵線2b、數(shù)據(jù)線5d和公共電極線9，柵線2b 與顯示區(qū)域10內的薄膜晶體管的柵極連接，數(shù)據(jù)線5d與顯示區(qū)域10內的薄膜晶體管的源極連接。為了測試柵線2b、數(shù)據(jù)線5d和公共電極線9，還設有柵線測試端子2G、公共電極線測試端子9C和數(shù)據(jù)線測試端子5E。柵線測試端子2G可以包括多個，各個柵線測試端子2G 分別與一條柵線測試線5c連接，各條柵線測試線5c分別與一部分柵線2b連接。數(shù)據(jù)線測試端子5E也可以包括多個，各個數(shù)據(jù)線測試端子5E分別與一條數(shù)據(jù)線測試線5L連接，各條數(shù)據(jù)線測試線5L分別與一部分數(shù)據(jù)線連接。其中，各測試端子形成在玻璃基板的空白區(qū)域，經過對盒、切割工序后，液晶面板僅包括圖中虛線所示區(qū)域，形成有測試端子和部分數(shù)據(jù)線、柵線、公共電極線引出端的空白區(qū)域則被切割掉。目前，在一些液晶顯示器中，將柵線驅動電路做到了陣列基板上，這種柵線驅動電路稱為GOA (Gate On Array，簡稱G0A)電路。GOA電路用于驅動柵線，因此，GOA電路與各條柵線連接。對于包含有GOA電路的TFT-IXD陣列基板，可以將測試線與GOA電路連接，通過向 GOA電路中輸入控制信號來測試柵線，這樣就需要輸入較為復雜的控制信號，增加了測試成本。
發(fā)明內容
本發(fā)明提供一種TFT-IXD、陣列基板及其制造方法，用以解決現(xiàn)有技術中包含有 GOA電路的陣列基板上的柵線測試輸入控制信號復雜，測試成本高的問題。本發(fā)明實施例提供一種TFT-LCD陣列基板，包括柵線、柵線測試線、柵線測試端子和GOA電路，所述GOA電路與所述柵線連接，還包括多個測試TFT，每個測試TFT的柵極和漏極與所述柵線測試線連接，各個測試TFT的漏極分別與一條柵線連接；所述柵線測試端子與所述柵線測試線連接。
本發(fā)明還提供了一種TFT-IXD，包括如前所述的TFT-IXD陣列基板，其中柵線測試線與GOA電路中的第一端子連接，所述第一端子用于輸出使所述測試TFT保持截止的信號。本發(fā)明還提供了一種如前所述的TFT-IXD陣列基板的制造方法，包括步驟11，在陣列基板上形成柵線和測試TFT的柵極；步驟12，在所述陣列基板上形成所述測試TFT的有源層、源極、漏極和溝道，并形成柵線測試線和柵線測試端子，所述測試TFT的漏極和柵極與所述柵線測試線連接，所述測試TFT的源極與所述柵線連接，所述柵線測試端子與所述柵線測試線連接。本發(fā)明提供的TFT-IXD、陣列基板及其制造方法，通過測試TFT將柵線與柵線測試線連接，測試TFT的柵極和漏極分別與柵線測試線連接，測試TFT的柵極與柵線連接，只需要通過柵線測試端子輸入所需的測試信號即可，無需復雜的控制信號，節(jié)省了測試成本。
為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作一簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1所示為現(xiàn)有技術中TFT-IXD陣列基板的結構示意圖；圖2所示為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板的結構示意圖；圖3a所示為圖2中測試TFT與柵線以及柵線測試線的連接示意圖；圖北為圖3a中A4-A4方向的截面圖；圖3c為圖3a中B4-B4方向的截面圖；圖3d為圖3a中C4-C4方向的截面圖；圖如所示為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第一次構圖工藝后的平面示意圖；圖4b為圖4a中Al-Al方向的截面圖；圖4c為圖4a中Bl-Bl方向的截面圖；圖4d為圖如中Cl-Cl方向的截面圖；圖fe所示為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第二次構圖工藝后的平面示意圖；圖恥為圖fe中A2-A2方向的截面圖；圖5c為圖fe中B2-B2方向的截面圖；圖5d為圖fe中C2-C2方向的截面圖；圖6a所示為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第三次構圖工藝后的平面示意圖；圖乩為圖6a中A3-A3方向的截面圖；圖6c為圖6a中B3-B3方向的截面圖；
圖6d為圖6a中C3-C3方向的截面圖；圖7所示為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板的制造方法的流程圖。
具體實施例方式為使本發(fā)明實施例的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。如圖2所示為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板的結構示意圖，包括柵線2b、柵線測試線 5c、柵線測試端子2G和GOA電路11，GOA電路11與各條柵線2b連接，還包括多個測試TFT， η為柵線條數(shù)。每個測試TFT的柵極加和漏極fe與柵線測試線5c連接，各個測試TFT的源極恥分別與一條柵線2b連接；柵線測試端子2G與柵線測試線5c連接。其中，測試TFT設置在GOA電路11和柵線2b之間，即測試TFT連接在GOA電路11 和柵線2b之間，通常測試TFT是位于GOA電路11與柵線2b所在的區(qū)域之間的區(qū)域。之所以將測試TFT的如此設置，是由于測試TFT相當于一個開關，柵線測試線5c上施加信號就可以驅動測試TFT打開，同時向柵線上施加信號；將測試TFT設置在GOA電路11與柵線2b 之間，就無需通過GOA電路來向柵線施加信號，而是可以直接向柵線施加信號。施加到柵線上的信號既可以作為柵線的測試信號又可以作為測試TFT的驅動信號。另外，由于施加到柵線上的信號無需經過GOA電路，這樣可以減小施加的信號的復雜性，降低測試成本。柵線測試線5c的條數(shù)可以是多個，各個柵線測試線5c通過各個測試TFT與部分柵線2b連接，使得各個柵線2b都能被測試，為了便于描述，圖2中示出了兩條柵線測試線 5c。每個柵線測試線5c與一個柵線測試端子2G連接。較佳地，測試端子可以包括兩個，第奇數(shù)條柵線與其中一個測試端子連接，第偶數(shù)條測試端子與另一個測試端子連接。如果向與第奇數(shù)條柵線連接的測試端子施加信號時檢測出不良，則可以檢測第奇數(shù)條柵線，而無需檢測第偶數(shù)條柵線。如果向與第偶數(shù)條柵線連接的測試端子施加信號時檢測出不良，則可以檢測第偶數(shù)條柵線，而無需檢測第奇數(shù)條柵線。這樣，當檢測出不良時，可以縮小待檢測柵線的范圍，提高檢測效率。如圖2所示的陣列基板中，各條柵線測試線通過測試TFT與柵線連接。測試TFT 的柵極和漏極均與柵線測試線連接，當一條柵線測試線上施加電壓時，與該柵線測試線連接的測試TFT導通，與測試TFT連接的柵線上也被施加了電壓，從而能夠進行柵線的測試。 當柵線測試線上沒有施加電壓時，與該柵線測試線連接的測試TFT截止，各條柵線之間互不影響，能夠正常工作。如圖2所示的陣列基板中，在測試完畢之后，玻璃板的空白區(qū)域切除掉，各條柵線測試端子被切掉，一條柵線測試線將多個測試TFT連接，如果在對盒、切割工序形成液晶盒之后，留在液晶盒內的柵線測試線末端接收到了如干擾信號等電信號，則有可能導致液晶顯示器的各條柵線連通，導致無法正常顯示。為了避免上述問題，如圖2所示的陣列基板中，柵線測試線除了與柵線測試端子連接之外，還可以與GOA電路中的第一端子連接(圖2中未示出第一端子)，該第一端子可以是一個用于輸出使測試TFT保持截止的信號的端子。例如，可以是接地端，或者，如果測試TFT是N型TFT的話，第一端子還可以是低電壓端。需要說明的是，在圖2所示的TFT-IXD陣列基板的測試階段，GOA電路不上電，相當于第一端子上沒有輸出低電壓信號或接地信號，這樣，當通過柵線測試端子向測試TFT施加測試信號時，第一端子不會影響測試。但是，在成盒后，GOA電路上電，第一端子輸出低電壓信號或接地信號，可以使得測試TFT在柵線測試端子被切去之后，可靠地保持截止。本發(fā)明提供的陣列基板，在測試階段，在柵線測試線上施加電壓，能夠使得測試TFT導通，進而分別向各個柵線施加電壓。在制成成品后，柵線測試線上不再施加電壓，各個測試TFT截止，各個柵線之間沒有連通，互不影響，從而可以正常工作。本發(fā)明提供的液晶顯示器陣列基板，通過測試TFT將柵線與柵線測試線連接，測試TFT的柵極和漏極分別與柵線測試線連接，測試TFT的柵極與柵線連接，使得在含有GOA 電路的陣列基板上可以進行柵線的測試，只需要通過柵線測試端子輸入所需的測試信號即可，無需復雜的控制信號，節(jié)省了測試成本。圖2中，陣列基板上還形成有數(shù)據(jù)線5d和公共電極線9，對于數(shù)據(jù)線5d和公共電極線9可以采用現(xiàn)有的測試方法進行測試。如圖3a所示為圖2中測試TFT與柵線以及柵線測試線的連接示意圖，圖北為圖 3a中A4-A4方向的截面圖，圖3c為圖3a中B4-B4方向的截面圖，圖3d為圖3a中C4-C4方向的截面圖。圖3a中主要示出了測試TFT的平面結構，測試TFT可以和顯示區(qū)域的TFT同時形成。本發(fā)明提供的TFT-IXD陣列基板中，測試TFT的柵極加、柵線2b和顯示區(qū)域的TFT的柵極形成在基板上1。測試TFT的有源層形成在柵極加上，顯示區(qū)域的TFT的有源層形成在其柵極上，測試TFT的有源層可以包括半導體層如和摻雜半導體層4b，顯示區(qū)域的TFT 的有源層也可以包括半導體層和摻雜半導體層。測試TFT的源極恥和漏極fe形成在有源層上，源極恥和漏極fe之間形成溝道。顯示區(qū)域的TFT的源極和漏極形成在顯示區(qū)域的有源層上，源極和漏極之間形成溝道。顯示區(qū)域的TFT的源極與數(shù)據(jù)線連接，漏極通過過孔與像素電極連接。對于測試TFT而言，漏極fe和柵線測試線5c可以是同層設置，即由同一層金屬形成，漏極如和柵線測試線5c直接連接(如圖3a所示)?；蛘撸Ofe和柵線測試線5c也可以不同層設置，可以通過連接電極和過孔將漏極fe和柵線測試線連接。測試TFT的柵極加通過第一連接電極7a與柵線測試線5c連接。由于柵極加和柵線測試線5c是設置在不同的金屬層，因此需要通過過孔將二者連接。具體地，在柵極加上方形成有第一連接過孔6a，柵線測試線5c上方形成有第二連接過孔6b，第一連接電極7a 分別通過第一連接過孔6a和第二連接過孔6b將測試TFT的柵極加與柵線測試線5c連接。測試TFT的源極恥通過第二連接電極7b與柵線2b連接。由于柵線2b和源極恥是設置在不同的金屬層，因此需要通過過孔將二者連接。具體地，源極恥上方形成有第三連接過孔6c，在柵線2b的上方形成有第四連接過孔6d，第二連接電極7b分別通過第三連接過孔6c和第四連接過孔6d將源極恥與柵線2b連接。測試TFT中第一連接電極7a和第二連接電極7b可以與顯示區(qū)域的TFT同層設置， 艮口，可以采用同一層透明導電薄膜形成。下面結合具體的例子來說明本發(fā)明液晶顯示器的制造工藝。在以下說明中，本發(fā)明所稱的構圖工藝包括光刻膠涂覆、掩模、曝光、刻蝕等工藝。如圖如所示為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第一次構圖工藝后的平面示意圖，圖4b 為圖如中Al-Al方向的截面圖，圖如為圖如中Bl-Bl方向的截面圖，圖4d為圖如中 Cl-Cl方向的截面圖。采用濺射或熱蒸發(fā)的方法，在基板1(如玻璃基板或石英基板)上沉積一層柵金屬薄膜。柵金屬薄膜可以使用Cr、W、Ti、Ta、M0、Al、Cu等金屬及其合金，柵金屬薄膜也可以由多層金屬薄膜組成。采用普通掩膜板，通過第一次構圖工藝對柵金屬薄膜進行刻蝕，在基板1上形成測試TFT的柵極加和柵線2b圖形。在第一次構圖工藝中，同時還可以形成顯示區(qū)域的TFT的柵極。如圖fe所示為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第二次構圖工藝后的平面示意圖，圖恥為圖fe中A2-A2方向的截面圖，圖5c為圖fe中B2-B2方向的截面圖，圖5d為圖fe中C2-C2 方向的截面圖。通過等離子體增強化學氣相沉積(簡稱PECVD)方法連續(xù)沉積柵絕緣薄膜， 形成柵絕緣層3。柵絕緣薄膜可以選用氧化物、氮化物或者氧氮化合物，對應的反應氣體可以為SiH4、NH3、N2的混合氣體或SiH2Cl2、NH3、N2的混合氣體。之后，在形成有柵絕緣薄膜的基板上形成有緣層薄膜，有緣層薄膜可以包括半導體薄膜和摻雜半導體薄膜。之后，在摻雜半導體薄膜上通過濺射或熱蒸發(fā)的方法，沉積源漏金屬薄膜，源漏金屬薄膜可以選用Cr、W、 Ti、Ta、Mo、Al、Cu等金屬及其合金。在沉積完源漏金屬薄膜后，通過第二次構圖工藝進行刻蝕，形成測試TFT的有源層、源極恥、漏極fe、柵線測試線5c、柵線測試端子(圖5a-5d中沒有示出柵線測試端子)以及測試TFT的溝道的圖形，漏極fe與柵線測試線5c連接，柵線測試端子與柵線測試線5c連接，溝道處的摻雜半導體薄膜被刻蝕掉，半導體層薄膜被部分刻蝕掉。有源層包括半導體層如和摻雜半導體層4b。在第二次構圖工藝中，還可以一并形成顯示區(qū)域的TFT的柵絕緣層、有源層、源極、漏極、溝道以及數(shù)據(jù)線的圖形。第二次構圖工藝可以是一個多次刻蝕的工藝，可以采用半色調或灰色調掩模板。具體地，在沉積完源漏金屬薄膜后，涂覆光刻膠，然后曝光。測試TFT的源極恥、漏極5a、柵線測試線5c以及柵線測試端子的圖形對應于光刻膠完全保留區(qū)域，測試TFT的溝道處對應于光刻膠半保留區(qū)域，其他區(qū)域可以對應于光刻膠完全去除區(qū)域。需要說明的是， 由于在顯示區(qū)域也需要形成TFT，顯示區(qū)域的TFT可以與測試TFT同步形成，顯示區(qū)域的源極、漏極和數(shù)據(jù)線也可以對應于光刻膠完全保留區(qū)域，溝道處對應于光刻膠半保留區(qū)域，其他的不需要保留源漏金屬薄膜的區(qū)域可以對應于光刻膠完全去除區(qū)域。第一次刻蝕后，去掉光刻膠完全去除區(qū)域的半導體薄膜、摻雜半導體薄膜和源漏金屬薄膜。進行光刻膠灰化工藝，去除測試TFT和顯示區(qū)域的TFT的溝道處的光刻膠。然后通過第二次刻蝕，去除溝道部分的摻雜半導體薄膜，去除部分半導體薄膜，形成測試TFT和顯示區(qū)域的TFT的源極和漏極，并且形成柵線測試線、柵線測試端子和數(shù)據(jù)線的圖形。如圖6a所示為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板第三次構圖工藝后的平面示意圖，圖6b 為圖6a中A3-A3方向的截面圖，圖6c為圖6a中B3-B3方向的截面圖，圖6d為圖6a中C3-C3 方向的截面圖。在陣列基板上通過PECVD方法沉積鈍化層薄膜，鈍化層薄膜可采用氧化物、 氮化物或者氧氮化合物，對應的反應氣體可以為SiH4、NH3、&的混合氣體或SiH2Cl2、NH3、N2 的混合氣體。然后采用普通掩膜板，通過第三次構圖工藝，在柵極加上方的鈍化層6形成第一連接過孔6a，在柵線測試線5c上方的鈍化層6形成第三連接過孔6b，在源極恥上方的鈍化層6形成第三連接過孔6c，在柵線2b上方的鈍化層6形成第四連接過孔6d。在第三次溝通工藝中，還可以形成顯示區(qū)域的TFT的漏極對應的過孔。在形成各個過孔之后的基板上，通過濺射或熱蒸發(fā)的方法，沉積透明導電薄膜，透明導電薄膜可以為氧化銦錫andium Tin Oxide，簡稱ΙΤ0)，采用普通掩膜板，通過第四次構圖工藝形成第一連接電極7a和第二連接電極7b的圖形。第一連接電極7a分別通過第一連接過孔6a和第二連接過孔6b將柵極加與柵線測試線5c連接，第二連接電極7b分別通過第三連接過孔6c和6d將源極恥與柵線2b連接起來。第四次構圖工藝后的平面圖和截面圖如圖如、仙、如和4d所示。在第四次構圖工藝中，還可以一并形成顯示器區(qū)域的TFT 的像素電極。本發(fā)明的TFT-IXD陣列基板，不限于前述提及的制造工藝，還可以采用五次構圖工藝等其他構圖工藝。例如，可以不采用半色調和灰色調掩膜板，將測試TFT的有源層和源漏極分別通過兩次構圖工藝形成。具體地，可以在第一次溝通工藝之后，通過第二次構圖工藝，采用普通掩膜板，形成測試TFT的有源層。再沉積源漏金屬薄膜，通過第三次溝通工藝， 采用普通掩膜板，形成測試TFT的源極、漏極和溝道，并形成柵線測試線和柵線測試端子。 各個過孔以及兩個連接電極，分別可以通過另外兩次構圖工藝形成。本發(fā)明的各個實施例中，測試TFT的結構不限于前述提及的TFT結構，如可以是底柵結構，也可以是頂柵結構。本發(fā)明還提供一中TFT-IXD，該TFT-IXD包括如前述各個實施例中所述的TFT-IXD 陣列基板，其中，柵線測試線與GOA電路中的第一端子連接，該第一端子可以是用于輸出使測試TFT保持截止的信號的端子。例如，該第一端子可以是GOA電路的接地端，或者，對于 N型TFT而言，該第一端子可以是低電壓端。在前述實施例中提及，在對盒后，柵線測試端子需要被切掉。在對盒后，TFT-LCD進行正常的顯示。由于柵線測試線與測試TFT連接，如果柵線測試線不與第一端子連接，則處于懸空狀態(tài)，容易受到其他信號的干擾，一旦柵線測試線上的信號觸發(fā)測試TFT打開，則會影響顯示區(qū)域的正常顯示。為了避免柵線測試線對顯示造成干擾，可以將柵線測試線與第一端子連接，液晶顯示器正常工作時，GOA電路上電，第一端子輸出低電壓信號或接地信號， 使得各個測試TFT可靠地保持在低電平，這樣各個柵線就不會受到柵線測試線上的信號的影響，能夠正常工作。TFT-LCD可以采用扭曲向列(Twisted Nematic，簡稱TN)型，也可以采用邊緣場開關(Fringe Field Switching，簡稱FFS)型等各種類型的液晶顯示器。如圖7所示為本發(fā)明TFT-IXD陣列基板的制造方法的流程圖，包括步驟11，在陣列基板上形成柵線和測試TFT的柵極。在該步驟中還可以形成顯示區(qū)域的TFT的柵極。在該步驟中可以同時形成顯示區(qū)域的TFT的柵極。步驟12，在陣列基板上形成測試TFT的有源層、源極、漏極和溝道，并形成柵線測試線和柵線測試端子，測試TFT的漏極和柵極與柵線測試線連接，測試TFT的源極與柵線連接，柵線測試端子與柵線測試線連接。在該步驟中，還可以形成顯示區(qū)域的TFT的有源層、 源極、漏極和數(shù)據(jù)線。其中，步驟12具體可以包括步驟121，在陣列基板上形成測試TFT的有源層、源極、漏極和溝道，并形成柵線測試線和柵線測試端子，柵線測試端子與柵線測試線連接。步驟122，在陣列基板上形成鈍化薄膜，通過構圖工藝，在柵線上方形成第一連接過孔，在柵線測試線上方形成第二連接過孔，在測試TFT的源極上方形成第三連接過孔，在柵線上方形成第四連接過孔。步驟123，在陣列基板上形成透明導電薄膜，通過構圖工藝，形成第一連接電極和第二連接電極，第一連接電極分別通過第一連接過孔和第二連接過孔將測試TFT的柵極與柵線測試線連接，第二連接電極分別通過第三連接過孔和第四連接過孔將測試TFT的源極與柵線連接。其中，步驟121可以包括步驟121a，在陣列基板上形成柵絕緣層薄膜、半導體薄膜、摻雜半導體薄膜和源漏金屬薄膜，在源漏金屬薄膜上涂覆光刻膠。步驟121b，對光刻膠進行曝光，測試TFT的源極和漏極的圖形，柵線測試線的圖形以及柵線測試端子的圖形，對應于光刻膠完全保留區(qū)域；測試TFT的溝道的圖形對應于光刻膠半保留區(qū)域；其他區(qū)域可以對應于光刻膠完全去除區(qū)域。步驟121c，通過刻蝕去掉光刻膠完全去除區(qū)域的半導體薄膜、摻雜半導體薄膜和源漏金屬薄膜。步驟121d，進行光刻膠灰化，去除測試TFT的溝道處的光刻膠，去除溝道處的摻雜半導體薄膜，形成測試TFT的源極、漏極、溝道和有源層，并形成柵線測試線和柵線測試端子，柵線測試端子與柵線測試線連接，漏極與柵線測試線連接。本發(fā)明提供的TFT-IXD陣列基板的制造方法，可以在形成顯示區(qū)域的TFT的同時， 形成測試TFT，測試TFT的柵極和漏極分別與柵線測試線連接，測試TFT的柵極與柵線連接， 使得在含有GOA電路的陣列基板上可以進行柵線的測試，只需要通過柵線測試端子輸入所需的測試信號即可，無需復雜的控制信號，節(jié)省了測試成本。最后應說明的是以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術方案，而非對其限制；盡管參照前述實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分技術特征進行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應技術方案的本質脫離本發(fā)明各實施例技術方案的精神和范圍。
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權利要求
1.一種TFT-LCD陣列基板，包括柵線、柵線測試線、柵線測試端子和GOA電路，所述GOA 電路與所述柵線連接，其特征在于，還包括多個測試TFT，每個測試TFT的柵極和漏極與所述柵線測試線連接，各個測試TFT的漏極分別與一條柵線連接；所述柵線測試端子與所述柵線測試線連接。
2.根據(jù)權利要求1所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述測試TFT設置在所述 GOA電路和柵線之間。
3.根據(jù)權利要求1所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述測試TFT的柵極通過第一連接電極與所述柵線測試線連接。
4.根據(jù)權利要求3所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述測試TFT的柵極上方形成有第一連接過孔，所述柵線測試線上方形成有第二連接過孔，所述第一連接電極分別通過所述第一連接過孔和第二連接過孔將所述測試TFT的柵極與所述柵線測試線連接。
5.根據(jù)權利要求4所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述測試TFT的漏極與所述柵線測試線同層設置。
6.根據(jù)權利要求5所述的TFT-IXD陣列基板，其特征在于，所述第一連接電極與顯示區(qū)域的TFT的像素電極同層設置。
7.根據(jù)權利要求1所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述測試TFT的源極通過第二連接電極與所述柵線連接。
8.根據(jù)權利要求7所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述測試TFT的源極上方形成有第三連接過孔，所述柵線上方形成有第四連接過孔，所述第二連接電極分別通過所述第三連接過孔和所述第四連接過孔將所述測試TFT的源極與所述柵線連接。
9.根據(jù)權利要求8所述的TFT-IXD陣列基板，其特征在于，所述第二連接電極與顯示區(qū)域的TFT的像素電極同層設置。
10.根據(jù)權利要求1-9中任一權利要求所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述柵線測試端子數(shù)目為兩個；第奇數(shù)條柵線與所述其中一個柵線測試端子連接，第偶數(shù)條柵線與另一個柵線測試端子連接。
11.一種TFT-IXD，其特征在于，包括如權利要求1-10中任一權利要求所述的TFT-IXD 陣列基板，所述柵線測試線與GOA電路中的第一端子連接，所述第一端子用于輸出使所述測試TFT保持截止的信號。
12.根據(jù)權利要求11所述的TFT-LCD，其特征在于，所述第一端子為GOA電路的接地端。
13.一種如權利要求1-10中任一權利要求所述的TFT-IXD陣列基板的制造方法，其特征在于，包括步驟11，在陣列基板上形成柵線和測試TFT的柵極；步驟12，在所述陣列基板上形成所述測試TFT的有源層、源極、漏極和溝道，并形成柵線測試線和柵線測試端子，所述測試TFT的漏極和柵極與所述柵線測試線連接，所述測試 TFT的源極與所述柵線連接，所述柵線測試端子與所述柵線測試線連接。
14.根據(jù)權利要求13所述的TFT-LCD陣列基板的制造方法，其特征在于，所述步驟12 包括步驟121，在陣列基板上形成測試TFT的有源層、源極、漏極和溝道，并形成柵線測試線和柵線測試端子，所述柵線測試端子與所述柵線測試線連接；步驟122，在陣列基板上形成鈍化薄膜，通過構圖工藝，在柵線上方形成第一連接過孔， 在柵線測試線上方形成第二連接過孔，在測試TFT的源極上方形成第三連接過孔，在柵線上方形成第四連接過孔；步驟123，在陣列基板上形成透明導電薄膜，通過構圖工藝，形成第一連接電極和第二連接電極，第一連接電極分別通過第一連接過孔和第二連接過孔將測試TFT的柵極與柵線測試線連接，第二連接電極分別通過第三連接過孔和第四連接過孔將測試TFT的源極與柵線連接。
15.根據(jù)權利要求14所述的TFT-LCD陣列基板的制造方法，其特征在于，所述步驟121 包括步驟121a，在陣列基板上形成柵絕緣層薄膜、半導體薄膜、摻雜半導體薄膜和源漏金屬薄膜，在源漏金屬薄膜上涂覆光刻膠；步驟121b，對光刻膠進行曝光，測試TFT的源極和漏極的圖形、柵線測試線的圖形以及柵線測試端子的圖形，對應于光刻膠完全保留區(qū)域；測試TFT的溝道的圖形對應于光刻膠半保留區(qū)域；不需要保留源漏金屬薄膜的其他區(qū)域對應于光刻膠完全去除區(qū)域；步驟121c，去掉光刻膠完全去除區(qū)域的半導體薄膜、摻雜半導體薄膜和源漏金屬薄膜步驟121d，進行光刻膠灰化，去除測試TFT的溝道處的光刻膠，去除溝道處的摻雜半導體薄膜，形成測試TFT的源極、漏極、溝道和有源層，并形成柵線測試線和柵線測試端子，柵線測試端子與柵線測試線連接，漏極與柵線測試線連接。
16.根據(jù)權利要求13-15中任一權利要求所述的TFT-IXD陣列基板的制造方法，其特征在于，在步驟11中形成所述測試TFT的柵極的同時，還形成顯示區(qū)域的TFT的柵極。
17.根據(jù)權利要求13-15中任一權利要求所述的TFT-IXD陣列基板的制造方法，其特征在于，在步驟12中形成所述測試TFT的有源層、源極、漏極和溝道的同時，還形成顯示區(qū)域的TFT的有源層、源極、漏極和溝道。
18.根據(jù)權利要求14或15所述的TFT-LCD陣列基板的制造方法，其特征在于，在形成第一連接電極和第二連接電極的同時，還形成顯示區(qū)域的TFT的像素電極。
全文摘要
本發(fā)明提供一種TFT-LCD、陣列基板及其制造方法，其中陣列基板包括柵線、柵線測試線、柵線測試端子和GOA電路，所述GOA電路與所述柵線連接，其特征在于，還包括多個測試TFT，每個測試TFT的柵極和漏極與所述柵線測試線連接，各個測試TFT的漏極分別與一條柵線連接；所述柵線測試端子與所述柵線測試線連接。本發(fā)明提供的液晶顯示器陣列基板及其制造方法，通過測試TFT將柵線與柵線測試線連接，測試TFT的柵極和漏極分別與柵線測試線連接，測試TFT的源極與柵線連接，只需要通過柵線測試端子輸入所需的測試信號即可，無需復雜的控制信號，節(jié)省了測試成本。
文檔編號H01L21/77GK102455553SQ20101052313
公開日2012年5月16日 申請日期2010年10月22日 優(yōu)先權日2010年10月22日
發(fā)明者呂敬, 孫陽, 黃應龍 申請人:京東方科技集團股份有限公司