專利名稱：帶有可升降擋板的多層腔體裝置的制作方法
技術領域：
本發明涉及半導體行業晶片濕法處理領域，具體為一種帶有可升降擋板的多層 腔體裝置。
背景技術：
目前，多層腔體濕法處理時承片臺需要升降，而在承片臺處于低位時，排風主 要排走了腔體上部的氣體，對于低位的晶片上方的氣流影響不大，此時在晶片上方容易 形成湍流，可能引起液滴的反濺，污染晶片。
發明內容
為了克服上述的種種不足，本發明的目的在于提供一種帶有可升降擋板的多層 腔體裝置，解決現有技術中晶片上方會形成湍流等問題。本發明的技術方案是一種帶有可升降擋板的多層腔體裝置，在每層腔體外側的排風口處設有可單獨 控制升降的環形擋風板。所述的帶有可升降擋板的多層腔體裝置，該裝置設有腔體上層、腔體中層、腔 體底層，腔體上層、腔體中層、腔體底層上下設置，形成層疊式結構的多層腔體。所述的帶有可升降擋板的多層腔體裝置，與每層腔體的環形擋風板相應設置有 伸縮氣缸，環形擋風板與伸縮氣缸的伸出端連接。通過伸縮氣缸的動作自由關閉或開啟 排風口。所述的帶有可升降擋板的多層腔體裝置，多層腔體為中空結構，多層腔體的中 空部分為供承片臺升降的通道，承片臺底部設置于電機的輸出端，承片臺頂部設置晶 片，晶片上方與用于噴灑化學液的化學液臂相對應。本發明的優點及有益效果是1、本發明通過在濕法處理所用的多層腔體結構的排風口處增加了環形檔風板， 從而可以有效的分別控制每層腔體的氣體進出，有利于在腔體內部調整出更穩定流暢的 氣流。
2、本發明采用氣缸控制環形檔風板的升降，具有反應迅速、安裝方便、價格低 廉等特點。3、本發明能實現環形檔風板兩種位置的自動轉換，并且采用氣動的方法實現， 具有方便、快速和清潔等特點。4、本發明用以控制濕法處理時腔體內部的氣流形態和速度，以達到控制液滴飛 濺方向的目的。根據承片臺的位置自動調整每個環形擋風板的升降，每層的環形擋風板 可以獨立動作，從而可以自由控制排氣口開合，使承片臺在每個位置時晶片上方都有流 暢的氣流通過，不會形成湍流。
圖1是本發明的剖面示意圖。圖2是本 發明的俯視示意圖。其中，1、腔體底層；2、排風管；3、氣流方向；4、伸縮氣缸；5、環形擋風 板；6、化學液；7、腔體上層；8、腔體中層；9、晶片；10、承片臺；11、排風口； 12、電機；13、化學液臂。
具體實施例方式下面結合附圖對本發明作詳細描述。如圖1-2所示，本發明帶有可升降擋板的多層腔體裝置主要包括腔體底層1、 排風管2、氣流方向3、伸縮氣缸4、環形擋風板5、化學液6、腔體上層7、腔體中層8、 晶片9、承片臺10、排風口 11、電機12、化學液臂13等，具體結構如下腔體上層7、腔體中層8、腔體底層1上下設置，形成層疊式結構的多層腔體， 腔體中層8可以為至少一層，可根據工藝需要自由增減層數。在每層腔體外側的排風口 11處設有環形擋風板5、伸縮氣缸4，伸縮氣缸4的伸出端與環形擋風板5連接，伸縮氣 缸4可帶動環形擋風板5升降，可以通過伸縮氣缸4的動作自由關閉或開啟排風口 11。多層腔體為中空結構，多層腔體的中空部分為供承片臺10升降的通道，承片臺 10底部設置于電機12的輸出端，承片臺10頂部用于設置晶片9，晶片9上方與用于噴灑 化學液6的化學液臂13相對應。當晶片9處于某一工作位(某層腔體)時，此層腔體的排風口打開，其他層腔體 的排風口關閉，使氣流集中在這一層通過多層腔體外側的排風管2排出，減少了湍流的 產生，可有效防止化學液飛濺污染晶片。每層腔體獨立設置環形擋風板5和伸縮氣缸4，每層腔體的環形擋風板5均可由 伸縮氣缸4單獨控制升降，互相間不受干擾。環形擋風板5處于高位時可完全遮擋住排 氣口 11，環形擋風板5位于低位時可完全露出排氣口 11。本發明的工作過程如下多層腔體主要由腔體底層1、腔體中層8、腔體上層7構成，承片臺10可帶動晶 片9在腔體內部升降，停在不同的工藝層完成不同的工藝處理。當承片臺10停在某一層 的位置上時，化學液臂13伸出，在晶片上噴灑某種化學液6。同時，其他層腔體處的環 形擋風板5升起，擋柱排風口 11，使上部進入的氣流只能從本層的排風口氣流方向3通 過，最終經排風管2吸走。這樣，就增大了晶片上方的氣流速度，將飛濺的化學液隨氣 流方向帶走。減少對晶片表面的污染。該多層腔體全部采用PTFE材質制作，可以在需要強酸強堿對晶片處理的場合使 用，故使用范圍非常廣泛。
權利要求
1.一種帶有可升降擋板的多層腔體裝置，其特征在于在每層腔體外側的排風口處 設有可單獨控制升降的環形擋風板。
2.按照權利要求1所述的帶有可升降擋板的多層腔體裝置，其特征在于該裝置設 有腔體上層、腔體中層、腔體底層，腔體上層、腔體中層、腔體底層上下設置，形成層 疊式結構的多層腔體。
3.按照權利要求1所述的帶有可升降擋板的多層腔體裝置，其特征在于與每層腔 體的環形擋風板相應設置有伸縮氣缸，環形擋風板與伸縮氣缸的伸出端連接。通過伸縮 氣缸的動作自由關閉或開啟排風口。
4.按照權利要求1所述的帶有可升降擋板的多層腔體裝置，其特征在于多層腔體 為中空結構，多層腔體的中空部分為供承片臺升降的通道，承片臺底部設置于電機的輸 出端，承片臺頂部設置晶片，晶片上方與用于噴灑化學液的化學液臂相對應。
全文摘要
本發明涉及半導體行業晶片濕法處理領域，具體為一種帶有可升降擋風板的多層腔體裝置，用以更好的控制處理晶片的腔體內部氣流形態。該裝置設有若干環形擋風片、伸縮氣缸、若干層腔體等。腔體為層疊式結構，可根據工藝需要自由增減層數。每層腔體排風口處配有一環形擋風板，可以通過伸縮氣缸的動作自由關閉或打開排風口。當晶片處于某一工作位時，此層腔體的排風口打開，其他層腔體的排風口關閉，使氣流集中在這一層通過，減少了湍流的產生，可有效防止化學液飛濺污染晶片。本發明通過在濕法處理所用的多層腔體結構的排風口處增加了環形檔風板，從而可以有效的分別控制每層腔體的氣體進出，有利于在腔體內部調整出更穩定流暢的氣流。
文檔編號H01L21/02GK102024682SQ20101028459
公開日2011年4月20日 申請日期2010年9月17日 優先權日2010年9月17日
發明者谷德君 申請人:沈陽芯源微電子設備有限公司