專利名稱：半導體器件中的圖案結構及其形成方法
半導體器件中的圖案結構及其形成方法技術領域
本發明的總的構思的示例實施方式涉及半導體器件中的圖案結構以及形成半導 體器件中的圖案結構的方法。更特別地，本發明的總的構思的示例實施方式涉及包括焊 墊的圖案結構以及形成包括焊墊的圖案結構的方法。
背景技術：
在制造半導體器件的常規方法中，非常難以準確地形成具有約40nm以下寬度的 微小圖案。為了形成這樣的微小圖案，通常使用二次構圖方法。在二次構圖方法中，間 隔物形成層形成在通過光刻工藝形成的圖案上，然后使用間隔物形成層作為蝕刻掩模能 夠獲得微小圖案。
然而，通過二次構圖方法形成的微小圖案可能不具有與通過光刻工藝獲得的圖 案的結構一致的期望結構。因此，通過僅包括一道光刻工藝的二次構圖方法，微小圖案 可能不確保期望的結構和尺寸。通常，會需要超過三道光刻工藝來形成微小圖案和在微 小焊墊的端部的具有較大寬度的焊墊。結果，形成微小圖案和焊墊的工藝會很復雜，工 藝的成本和時間會增加。此外，由于復雜的工藝，會頻繁發生微小圖案和/或焊墊的未 對準(mis-alignment)。發明內容
本發明的總的構思的示例實施方式提供包括焊墊的圖案結構。
本發明的總的構思的示例實施方式提供通過簡化的工藝制造包括焊墊的圖案結 構的方法。
本發明的總的構思的其他特征和功用將部分地闡述于下面的描述中，且部分地 將從該描述變得顯然，或者可通過實踐本發明的總的構思而習得。
根據本發明的總的構思的示例實施方式，一種圖案結構設置于半導體器件中。 該圖案結構包括延伸線和與該延伸線的端部相連的焊墊。該焊墊具有比該延伸線的寬度 更大的寬度，該焊墊包括從該焊墊的側部延伸的突出部分。
在示例實施方式中，該突出部分可沿第一延伸線的方向突出。例如，該突出部 分可具有線形。
在示例實施方式中，線圖案可形成為與該延伸線的另一端部相連。該線圖案可 沿第一方向延伸。
在示例實施方式中，該第一方向可不同于該延伸線的延伸方向，從而該線圖案 可以從該延伸線彎曲。
在示例實施方式中，該線圖案可具有比該延伸線的寬度更小的寬度。
根據本發明的總的構思的示例實施方式，一種圖案結構設置于半導體器件中， 該圖案結構包括第一圖案和第二圖案。該第一圖案包括第一延伸線和第一焊墊，該第一 焊墊具有從該第一焊墊的側部延伸的第一突出部分。該第一焊墊與該第一延伸線的端部相連且該第一焊墊具有比該第一延伸線的寬度更大的寬度。該第二圖案包括第二延伸線 和第二焊墊，該第二焊墊具有從該第二焊墊的側部延伸的第二突出部分。該第二延伸線 與該第一延伸線傾斜地分開。該第二焊墊與該第二延伸線的端部相連，該第二焊墊具有 比該第二延伸線的寬度更大的寬度。
在示例實施方式中，該第二延伸線可垂直于該第一延伸線。
在示例實施方式中，該第一和第二突出部分可分別沿該第一和第二延伸線的方 向延伸。
在示例實施方式中，第一線圖案可形成為連接到該第一延伸線的另一端部。該 第一線圖案可沿第一方向延伸。此外，第二線圖案可形成為連接到該第二延伸線的另一 端部。該第二線圖案可沿與該第一方向平行的方向延伸。
在示例實施方式中，該第一方向可不同于該第一和第二延伸線的延伸方向，從 而該第一和第二線圖案可分別從該第一和第二延伸線彎曲。
在示例實施方式中，該第一線圖案可具有與該第二線圖案不同的長度。
在示例實施方式中，該第一和第二線圖案可分別具有比該第一和第二延伸線的 寬度小的寬度。
在示例實施方式中，該第一和第二線圖案的每個可對應于柵電極。
根據本發明的總的構思的示例實施方式，提供一種形成半導體器件中的圖案結 構的方法。在制造該圖案結構的方法中，包括第一材料膜圖案和第二材料膜圖案的犧 牲圖案結構形成在待蝕刻的層上。該犧牲圖案結構包括具有第一寬度且沿第一方向延伸 的犧牲線，傾斜地連接到該犧牲線的端部且具有比該第一寬度更大的寬度的第一犧牲焊 墊部分，以及與該犧牲線的端部相連且具有比該第一寬度更大的寬度的第二犧牲焊墊部 分。間隔物形成層形成在犧牲圖案結構的側壁上。該第一和第二犧牲焊墊部分之間的該 犧牲線和該間隔物形成層的至少一些部分被選擇性去除從而將該第一和第二犧牲焊墊部 分的下部分分離。該間隔物形成層被各向異性蝕刻以形成間隔物。通過去除該犧牲線且 同時保留該間隔物和該第一和第二犧牲焊墊部分而形成蝕刻掩模結構。利用該蝕刻掩模 結構蝕刻該待蝕刻層從而形成包括第一線圖案、第一延伸線和第一焊墊的第一圖案以及 形成包括第二線圖案，第二延伸線和第二焊墊的第二圖案。
在示例實施方式中，該第一材料膜圖案可包括聚合物，該第二材料膜圖案可包 括硅氧氮化物。
在示例實施方式中，包括在該犧牲線中的該第二材料膜圖案可具有比包括在該 第一和第二犧牲焊墊部分中的該第二材料膜圖案的厚度更小的厚度。
在根據示例實施方式的犧牲圖案結構的形成中，第一材料膜和第二材料膜可形 成在該待蝕刻層上。該第一和第二材料膜可以通過光刻工藝被構圖。
在根據示例實施方式的該間隔物形成層和該犧牲線的至少一些部分的選擇性去 除中，光致抗蝕劑圖案可形成在該間隔物形成層上。該光致抗蝕劑圖案可選擇性暴露該 第一和第二犧牲焊墊部分之間的該犧牲線和該間隔物形成層的一些部分。該光致抗蝕劑 圖案還可選擇性暴露與該第一和第二犧牲焊墊部分相反的犧牲線的另一端部和間隔物形 成層的另一部分。間隔物形成層和犧牲線的暴露部分可利用光致抗蝕劑圖案作為蝕刻掩 模被各向異性蝕刻從而形成第一和第二犧牲焊墊部分之間的開口以及形成間隔物。在去除光致抗蝕劑圖案之后，通過開口暴露的犧牲線的部分可被蝕刻從而隔離第一和第二犧 牲焊墊部分的下部。在去除光致抗蝕劑圖案期間，第一材料膜圖案可被去除而保留第二 材料膜圖案。
在示例實施方式中，第一和第二犧牲焊墊部分可分別包括與犧牲線相連的預延 伸部分以及其上形成焊墊的預焊墊部分。預延伸部分中的至少一個可相對于犧牲線以預 定角設置。預延伸部分中的每個可具有與去除光致抗蝕劑圖案期間去除的犧牲線中的第 一材料膜圖案的寬度基本相同或者比之更大的長度。
在根據示例實施方式的蝕刻掩模結構的形成中，包括在犧牲線中的第二材料膜 圖案可被蝕刻而保留包括在第一和第二犧牲焊墊部分中的第二材料膜圖案。包括在犧牲 線中的第一材料膜圖案也可被蝕刻。包括在第一和第二犧牲焊墊部分中的第二材料膜圖 案可被選擇性蝕刻而保留包括在第一和第二犧牲焊墊部分中的第一材料膜圖案。
在示例實施方式中，蝕刻掩模結構可包括具有沿第一方向延伸的線形的第一間 隔物，與第一間隔物的端部接觸的第一犧牲焊墊部分的一部分，具有與第一間隔物平行 的線形的第二間隔物，以及接觸第二間隔物的端部的第二犧牲焊墊部分的一部分。
在示例實施方式中，與第一和第二犧牲焊墊部分相反的犧牲線的另一端部可沿 與第一方向不同的方向彎曲。
在示例實施方式中，蝕刻掩模結構可包括沿第一方向延伸的線形部分，以及部 分地包圍第一和第二犧牲焊墊部分且從第一和第二犧牲焊墊部分突出的突出部分。
在示例實施方式中，由于蝕刻負載效應(etcWng loading effect)，第一和第二延伸線可分別具有比第一和第二線圖案的寬度更大的寬度。
根據本發明的總的構思的示例實施方式，一種圖案結構具有微小圖案和與該微 小圖案相連的焊墊，該圖案結構可通過僅兩道光刻工藝形成，從而用于形成圖案結構的 成本和時間可顯著減小。此外，由于圖案結構可具有期望的形狀和尺寸，所以相鄰微小 圖案之間的橋接故障可減少。因此，當該圖案結構用在半導體器件中時，具有該圖案結 構的半導體器件可具有增大的集成度且可改善制造半導體器件的工藝產率。例如，當該 圖案結構用作NAND型閃存器件的控制柵極時，NAND型閃存器件可提供改善的性能和 集成度。此外，由于具有較大寬度的焊墊可與微小圖案直接相連，所以微小圖案和焊墊 之間的未對準可被最小化和/或防止，由此改善了包括該圖案結構的半導體器件的性能 和可靠性。
本發明的總的構思的示例實施方式提供一種半導體器件的圖案結構，該圖案結 構包括形成在基板上以傳輸數據的線圖案單元，以及形成為連接到該線圖案單元從而接 收和輸出數據的焊墊，該焊墊具有一周邊線以定義該焊墊的形狀，且具有形成在該周邊 線中的凹部。
該圖案結構可包括這樣的結構，其中該線圖案單元具有線圖案和設置于線圖案 和焊墊之間的延伸單元，該延伸單元具有與該線圖案和該焊墊中的至少一個不同的寬度。
該圖案結構可包括這樣的結構，其中該線圖案連接到該延伸單元且設置為關于 該延伸單元與該焊墊相對，該延伸單元沿與該線圖案和該焊墊中的至少一個不同的方向 設置。
該圖案結構可包括這樣的結構，其中該延伸單元包括連接到周邊線的相反末端 的兩個末端，該凹陷部分連接到該延伸單元的兩個末端之一。該圖案結構可包括這樣的結構，其中該延伸單元包括連接到周邊線的相反末端 的兩個線末端，該兩個線末端具有與該焊墊的該周邊線的對應的相反末端的寬度相同的寬度。該圖案結構可包括這樣的結構，其中該延伸單元具有一寬度，該焊墊關于該線 圖案具有與該延伸單元的寬度不同的可變寬度。該圖案結構可包括 這樣的結構，其中該焊墊的凹陷部分設置為鄰近該延伸單兀。該圖案結構可包括這樣的結構，其中該周邊線包括直接連接到該延伸單元的一 個末端以及通過該凹陷部分連接到該延伸單元的另一末端。該圖案結構可包括這樣的結構，其中該焊墊關于該線圖案的縱向具有恒定寬度 和可變寬度，該可變寬度對應于該凹陷部分。該圖案結構可包括這樣的結構，其中該周邊線包括連接到該線圖案單元的對應 末端的兩個末端以及連接到該兩個末端以定義該焊墊的形狀的線。該圖案結構可包括這樣的結構，其中該凹陷部分形成在該周邊線的所述線上。該圖案結構可包括這樣的結構，其中該凹陷部分設置于該周邊線的所述末端之 一和所述線之間。該圖案結構可包括這樣的結構，其中該焊墊的周邊線包括連接到該線圖案單元 的一個末端的末端和連接到該凹陷部分的一個末端的另一末端，該凹陷部分具有連接到 該線圖案單元的另一末端的另一末端。該圖案結構可包括這樣的結構，其中該焊墊包括具有恒定寬度的第一部分和根 據該凹陷部分的位置在一方向上具有可變寬度的第二部分。該圖案結構可包括這樣的結構，其中該焊墊的周邊線形成該焊墊的區域，該焊 墊的區域具有第一部分和第二部分，在該第一部分中，該區域的沿與該線圖案單元的縱 向平行的方向的寬度不變化，在該第二部分中，該區域的沿與該線圖案單元的縱向平行 的方向的寬度根據離該線圖案單元的距離而改變。該圖案結構可包括這樣的結構，其中該焊墊包括將該周邊線連接到該線圖案單 元的連接部分，該連接部分在第一區域中彎曲，該凹陷部分在比該第一區域大的第二區 域中彎曲。該圖案結構可包括這樣的結構，其中該焊墊包括連接到該線圖案單元的連接部 分，該凹陷部分設置于與該連接部分不同的區域中。該圖案結構可包括這樣的結構，其中該焊墊具有連接到該線圖案單元的連接部 分，該凹陷部分連接于該連接部分的末端之間。該圖案結構可包括這樣的結構，其中該焊墊包括具有第一末端和第二末端的連 接部分，該第一末端連接于該線圖案單元與該周邊線的一個末端之間，該第二末端連接 于該線圖案單元與該凹陷部分的一個末端之間。該圖案結構可包括這樣的結構，其中該焊墊包括至少四側，該周邊線定義該四 側中的三個，該凹陷部分定義該四側中的一個。
該圖案結構可包括設置于該凹陷部分和該周邊線之間的突出部。該圖案結構可包括從該凹陷部分和該周邊線突出一長度的突出部。該圖案結構可包括這樣的結構，其中該長度短于該凹陷部分和該周邊線之一的 長度。該圖案結構可包括這樣的結構，其中該長度短于該焊墊的最小寬度。該圖案結構可包括這樣的結構，其中該長度長于該線圖案單元的寬度。該圖案結構可包括這樣的結構，其中該突出部具有比該長度更窄的寬度。該圖案結構可包括這樣的結構，其中該突出部具有比該凹陷部分的長度更窄的寬度。該圖案結構可包括這樣的結構，其中該線圖案單元沿一方向設置，該突出部沿 另一方向設置。該圖案結構可包括這樣的結構，其中該線圖案單元包括沿第一方向形成的線圖 案和在該線圖案和該焊墊之間沿第二方向形成的延伸部分，且該突出部沿該第一方向和 該第二方向之一形成。本發明的總的構思的示例實施方式還提供一種半導體器件的圖案結構，包括 線圖案，形成在基板上且具有第一寬度；延伸線，形成在該基板上，從該線圖案沿一方 向延伸，且具有第二寬度；以及焊墊，形成在形成于該基板上的該延伸線的端部上，具 有第三寬度，且具有凹陷部分和突出部。本發明的總的構思的示例實施方式還提供一種半導體器件的圖案結構，包括 線圖案，沿第一方向設置且具有第一寬度；延伸線，從該線圖案延伸，且具有第二寬 度；焊墊，形成在該延伸線的端部上，且具有第三寬度；以及突出部分，從該焊墊的一 部分沿該第一方向和與該第一方向具有一角度的第二方向中的一個突出。本發明的總的構思的示例實施方式還提供一種半導體器件的圖案結構，包括 線圖案，形成在基板上，從該基板的第一位置沿一方向延伸，且具有第一寬度；延伸 線，從該線圖案的端部延伸且具有第二寬度；焊墊，形成在該基板的第二位置上，沿另 一方向從該延伸線延伸，且具有第三寬度；以及突出部分，從沿所述一方向和另一方向 之一從該焊墊突出，其中該基板的第一位置能連接到內部電路，該基板的第二位置能連 接到外部電路以驅動該內部電路。本發明的總的構思的示例實施方式還提供一種半導體器件的圖案結構，包括 線圖案，形成在基板上且具有第一寬度；延伸線，從該線圖案的端部延伸且具有第二寬 度；焊墊，形成在該延伸線的端部且具有第三寬度和比該第三寬度更窄的第四寬度；以 及突出部，從該焊墊的該第四寬度的部分突出。本發明的總的構思的示例實施方式還提供一種半導體器件的圖案結構，包括 線圖案，沿第一方向設置且在與該第一方向有一角度的第二方向上具有第一寬度；延 伸線，沿該第二方向從該線圖案延伸且在該第一方向上具有比該第一寬度更寬的第二寬 度；以及焊墊，形成在該延伸線的端部上，具有比該第二寬度更寬的第三寬度，且具有 形成有凹陷部分的周邊表面。 本發明的總的構思的示例實施方式提供一種半導體器件的圖案結構，包括第 一圖案結構，具有第一線圖案單元和連接到該第一線圖案單元并具有第一凹陷部分的第一焊墊；以及第二圖案結構，具有平行于該第一線圖案單元設置的第二線圖案單元和連接到該第二線圖案單元并具有面對該第一凹陷部分的第二凹陷部分的第二焊墊。本發明的總的構思的示例實施方式提供一種半導體器件的圖案結構，包括第 一圖案結構，具有第一線圖案單元和連接到該第一線圖案單元并具有第一突出的第一焊 墊；以及第二圖案結構，具有第二線圖案單元和連接到該第二線圖案單元并具有面對該 第一突出設置的第二突出的第二焊墊。本發明的總的構思的示例實施方式還提供一種半導體器件的圖案結構，包括 第一圖案結構，具有第一線圖案、從該第一線圖案延伸的第一延伸線、以及第一焊墊， 該第一焊墊連接到該第一延伸線并具有周邊線、凹陷部分和設置于該周邊線和該凹陷部 分之間的突出部；以及第二圖案結構，設置為鄰近該第一圖案結構，該第二圖案結構具 有第二線圖案、從該第二線圖案延伸的第二延伸線、以及第二焊墊，該第二焊墊連接到 該第二延伸線且具有第二周邊線、第二凹陷部分和設置于該第二周邊線和該第二凹陷部 分之間的第二突出部。本發明的總的構思的示例實施方式還提供一種半導體器件的圖案結構，包括 連接到控制器的第一圖案結構，該第一圖案結構具有沿第一方向設置且具有沿與該第一 方向有一角度的第二方向的第一寬度的第一線圖案、沿該第二方向從該第一線圖案延伸 且具有比該第一寬度更大的沿該第一方向的第二寬度的第一延伸線、以及形成在該第一 延伸線的端部且具有比該第二寬度更大的第三寬度的第一焊墊；以及設置得面對該第一 圖案結構且連接到該控制器的第二圖案結構，該第二圖案結構具有形成在基板上且具有 第四寬度的第二線圖案、從該第二線圖案的端部延伸且具有第五寬度的第二延伸線、形 成在該第二延伸線的端部且具有第六寬度和比該第六寬度更窄的第七寬度的第二焊墊、 以及從該第二焊墊的該第七寬度的部分突出的突出部。本發明的總的構思的示例實施方式還提供一種半導體器件的圖案結構，包括 形成在基板的第一位置上的第一圖案結構，該第一圖案結構具有沿第一方向設置且具有 沿與該第一方向有一角度的第二方向的第一寬度的第一線圖案、沿該第二方向從該第一 線圖案延伸且具有比該第一寬度更大的沿該第一方向的第二寬度的第一延伸線、以及形 成在該第一延伸線的端部且具有比該第二寬度更大的第三寬度的第一焊墊；以及形成在 該基板的第二位置上的第二圖案結構，該第二圖案結構具有沿該第一方向設置且具有沿 與該第一方向有一角度的第二方向的第四寬度的第二線圖案、沿該第二方向從該第二線 圖案延伸且具有比該第一寬度更大的沿該第一方向的第五寬度的第二延伸線、以及形成 在該第二延伸線的端部且具有比該第五寬度更大的第六寬度的第二焊墊。本發明的總的構思的示例實施方式還提供一種電子裝置，該電子裝置包括半 導體器件；進行操作的功能單元；以及控制器，控制該半導體器件以讀取和寫入數據， 且控制該功能單元以根據所述數據進行所述操作，該半導體器件具有基板，具有存儲 數據的存儲單元；以及連接到該存儲單元與驅動器之間以驅動該存儲單元的圖案結構， 該圖案結構包括形成在基板上以傳輸數據的線圖案單元和形成為連接到該線圖案單元以 接收和輸出所述數據的焊墊，該焊墊具有定義該焊墊的形狀的周邊線且具有形成在該周 邊線中的凹陷部分。本發明的總的構思的示例實施方式還提供一種形成半導體器件的圖案結構的方法，該方法包括在基板上形成線圖案單元以傳輸數據；以及形成連接到該線圖案單元 以接收和輸出所述數據的焊墊，該焊墊具有定義該焊墊的形狀的周邊線且具有形成在該 周邊線中的凹陷部分。本發明的總的構思的示例實施方式還提供一種形成半導體器件的圖案結構的方 法，該方法包括在基板上形成具有第一寬度的線圖案；在該基板上形成延伸線，該延 伸線沿一方向從該線圖案延伸且具有第二寬度；以及在形成于該基板上的該延伸線的端 部形成焊墊，該焊墊具有第三寬度且具有凹陷部分和突出部。本發明的總的構思的示例實施方式還提供一種形成半導體器件的圖案結構的方 法，該方法包括形成沿第一方向設置且具有第一寬度的線圖案；形成從該線圖案延伸 且具有第二寬度的延伸線；在該延伸線的端部形成具有第三寬度的焊墊；以及形成沿該 第一方向和與該第一方向有一角度的第二方向之一從該焊墊的一部分突出的突出部。
本發明的總的構思的示例實施方式還提供一種形成半導體器件的圖案結構的方 法，該方法包括在基板上形成線圖案，該線圖案沿一方向從該基板的第一位置延伸且 具有第一寬度；形成從該線圖案的端部延伸且具有第二寬度的延伸線；形成焊墊，該焊 墊形成在該基板的第二位置上，沿另一方向從該延伸線延伸，且具有第三寬度；以及形 成沿所述一方向和另一方向之一從該焊墊突出的突出部，其中該基板的第一位置能連接 到內部電路，該基板的第二位置能連接到外部電路以驅動該內部電路。本發明的總的構思的示例實施方式還提供一種形成半導體器件的圖案結構的方 法，該方法包括在基板上形成具有第一寬度的線圖案；形成從該線圖案的端部延伸且 具有第二寬度的延伸線；在該延伸線的端部形成焊墊，該焊墊具有第三寬度和比該第三 寬度更窄的第四寬度；以及形成從該焊墊的該第四寬度的一部分突出的突出部分。本發明的總的構思的示例實施方式還提供一種形成半導體器件的圖案結構的方 法，該方法包括形成線圖案，該線圖案沿第一方向設置且具有在與該第一方向有一角 度的第二方向上的第一寬度；形成延伸線，該延伸線沿該第二方向從該線圖案延伸且具 有比該第一寬度更寬的在該第一方向上的第二寬度；以及形成焊墊，該焊墊形成在該延 伸線的端部，具有比該第二寬度更大的第三寬度，且具有形成有凹陷部分的周邊表面。本發明的總的構思的示例實施方式還提供一種形成半導體器件的圖案結構的方 法，該方法包括在基板上形成線圖案單元以傳輸數據；以及形成連接到該線圖案單元 的焊墊以接收和輸出所述數據，該焊墊具有定義該焊墊的至少一部分的形狀的周邊線， 具有形成在該周邊線上的凹陷部分和設置于該凹陷部分和該周邊線之間的突出部。本發明的總的構思的示例實施方式還提供一種形成半導體器件的圖案結構的方 法，該方法包括在基板上形成待蝕刻層；在該待蝕刻層的預定部分上形成作為光致抗 蝕劑膜的犧牲層；在該犧牲層和該待蝕刻層上形成間隔物形成層；在該間隔物形成層上 形成作為第二光致抗蝕劑膜的第二犧牲層，該第二犧牲層具有暴露該間隔物形成層的一 部分的第一開口；通過該第二犧牲層的該第一開口蝕刻部分該間隔物形成層以形成第二 開口；蝕刻殘留的第二犧牲層；去除部分該間隔物形成層以形成圖案；以及根據該圖案 蝕刻部分該待蝕刻層以形成圖案結構。在該方法的示例實施方式中，該圖案結構包括線圖案單元，形成在基板上以 傳輸數據；以及焊墊，形成為連接到該線圖案單元以接收和輸出所述數據，所述焊墊具有定義該焊墊的形狀的周邊線，且具有形成在該周邊線上的凹陷部分。本發明 的總的構思的示例實施方式還提供一種形成半導體器件的圖案結構的方 法，該方法包括形成第一圖案結構，該第一圖案結構具有第一線圖案單元和連接到該 第一線圖案單元且具有第一凹陷部分的第一焊墊；以及形成第二圖案結構，該第二圖案 結構具有平行于該第一線圖案單元設置的第二線圖案單元以及連接到該第二線圖案單元 且具有面對該第一凹陷部分的第二凹陷部分的第二焊墊。本發明的總的構思的示例實施方式還提供一種形成半導體器件的圖案結構的方 法，該方法包括形成第一圖案結構，該第一圖案結構具有第一線圖案單元和連接到該 第一線圖案單元且具有第一突出部的第一焊墊；以及形成第二圖案結構，該第二圖案結 構具有第二線圖案單元以及連接到該第二線圖案單元且具有面對該第一突出部設置的第 二突出部的第二焊墊。本發明的總的構思的示例實施方式還提供一種形成半導體器件的圖案結構的方 法，該方法包括形成第一圖案結構，該第一圖案結構具有第一線圖案、從該第一線圖 案延伸的第一延伸線、以及連接到該第一延伸線的第一焊墊，該第一焊墊具有周邊線、 凹陷部分、以及設置在該周邊線和該凹陷部分之間的突出部；以及形成與該第一圖案結 構相鄰地設置的第二圖案結構，該第二圖案結構具有第二線圖案、從該第二線圖案延伸 的第二延伸線、以及連接到該第二延伸線的第二焊墊，該第二焊墊具有第二周邊線、第 二凹陷部分、以及設置在該第二周邊線和該第二凹陷部分之間的第二突出部。
可以從下面結合附圖的描述更詳細地理解本發明的總的構思的示例實施方式， 附圖中圖IA是橫截面圖，示出根據本發明的總的構思的示例實施方式的圖案結構；圖IB是俯視圖，示出圖IA的圖案結構；圖2是放大橫截面圖，示出圖IB中的圖案結構的端部；圖3A至12B是橫截面圖和俯視圖，示出根據本發明的總的構思的示例實施方式 的形成圖IA的圖案結構的方法；圖13是俯視圖，示出根據本發明的總的構思的示例實施方式的圖案結構陣列， 該圖案結構陣列包括交替布置的圖IA和IB中的第一圖案和第二圖案；圖14和15是俯視圖，示出根據本發明的總的構思的示例實施方式形成圖13中 的圖案結構陣列的方法；圖16是電路圖，示出根據本發明的總的構思的示例實施方式的NAND型閃存器 件的單位單元；圖17A是俯視圖，示出根據本發明的總的構思的示例實施方式的包括圖IA和IB 中的圖案結構的NAND型閃存器件的單位單元；圖17B是橫截面圖，示出根據本發明的總的構思的示例實施方式的包括圖IA和 IB中的圖案結構的NAND型閃存器件的單位單元；圖18至21、22A和23A是橫截面圖，示出根據本發明的總的構思的示例實施方 式的形成具有圖17A和17B中的圖案結構的NAND型閃存器件的單位單元的方法；
圖22B和23B是俯視圖，示出根據本發明的總的構思的示例實施方式的形成具 有圖17A和17B的圖案結構的NAND型閃存器件的單位單元的方法；圖24是俯視圖，示出根據本發明的總的構思的示例實施方式的圖案結構陣列；圖25和26是俯視圖，示出根據本發明的總的構思的示例實施方式的形成圖24 中的圖案結構陣列的方法；圖27是俯視圖，示出根據本發明的總的構思的示例實施方式的包括圖24的圖案 結構陣列的NAND型閃存器件的單位單元；圖28是俯視圖，示出根據示例實施方式的圖案結構陣列； 圖29和30是俯視圖，示出根據本發明的總的構思的示例實施方式的形成圖28 的圖案結構陣列的方法；圖31是俯視圖，示出根據本發明的總的構思的示例實施方式的包括圖28中的圖 案結構陣列的NAND型閃存器件的單位單元；圖32是俯視圖，示出根據本發明的總的構思的示例實施方式的圖案結構陣列；圖33和34是俯視圖，示出根據本發明的總的構思的示例實施方式的形成圖32 中的圖案結構陣列的方法；圖35是俯視圖，示出根據本發明的總的構思的示例實施方式的包括圖32的圖案 結構陣列的NAND型閃存器件的單位單元；圖36是俯視圖，示出根據本發明的總的構思的示例實施方式的圖案結構陣列；圖37和38是俯視圖，示出根據本發明的總的構思的示例實施方式的形成圖36 的圖案結構陣列的方法；圖39是俯視圖，示出根據本發明的總的構思的示例實施方式的包括圖36的圖案 結構陣列的NAND型閃存器件的單位單元；以及圖40是框圖，示出根據本發明的總的構思的示例實施方式的包括圖案結構陣列 的存儲系統。
具體實施例方式下面參照附圖更充分地描述本發明構思的示例實施方式。然而，本發明概念可 以以許多不同形式體現，不應理解為局限于這里闡述的示例實施方式。附圖中，層和區 域的尺寸和相對尺寸可為了清楚而被夸大。現在將詳細參考本發明的總的構思的實施方式，實施方式的示例示于附圖中， 附圖中相似的附圖標記始終表示相似的元件。下面通過參照附圖來描述實施方式以說明 本發明的一般概念。將理解，當元件或層被稱為在另一元件或層“上”，“連接到”或“耦接到” 另一元件或層時，它可以直接在另一元件或層上，直接連接到或耦接到另一元件或層， 或者可以存在居間元件或層。相反，當元件被稱為“直接在”另一元件或層“上”，
“直接連接到”或“直接耦接到”另一元件或層時，沒有居間元件或層存在。相同或相 似的附圖標記始終表示相同或相似的元件。這里使用時，術語“和/或”包括相關所列 項的一個或更多的任意和全部組合。將理解，盡管術語第一、第二、第三等可在這里用來描述各種元件、部件、區域、層、圖案和/或部分，但是這些元件、部件、區域、層、圖案和/或部分不應被這 些術語限制。這些術語僅用于將一個元件、部件、區域、層、圖案或部分與另一區域、 層、圖案或部分區別開。因此，下面論述的第一元件、部件、區域、層或部分可被稱為 第二元件、部件、區域、層或部分而不偏離示例實施方式的教導。
空間相關術語諸如“下面”、“之下”、“下”、“之上”、“上”等可為了易于描述而在這里用來描述如圖所示的一個元件或特征與另一元件(或多個元件)或特征 (或多個特征)的關系。將理解，空間相關術語意在涵蓋除了圖示取向之外器件在使用或 操作中的不同取向。例如，如果圖中的器件被倒轉，則描述為在另外的元件或特征“之 下”或“下面”的元件將取向為在另外的元件或特征“之上”。因此，示例性術語“之 下”可涵蓋之上和之下兩種取向。器件可以另外地取向(旋轉90度或在其他取向)，這 里使用的空間相關描述語將相應地解釋。
這里使用的術語僅用于描述特定的示例實施方式，無意限制發明概念。這里使 用時，單數形式“一”、“一個”和“該”意在也包括復數形式，除非上下文清除地另 外表明。還將理解，在說明書中使用時，術語“包括”和/或“包含”指明所述特征、 整體、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但是不排除一個或更多其他特征、整體、 步驟、操作、元件、部件和/或它們的群組的存在或添加。
這里參照橫截面圖描述本發明的總的構思的示例實施方式，該橫截面圖是本發 明的總的構思的說明性理想化示例實施方式(和中間結構)的示意圖。同樣地，例如制 造技術和/或容差導致的圖示形狀的變化是可以預期的。因此，本發明的總的構思的示 例實施方式不應解釋為局限于這里所示區域的特定形狀，而是包括例如制造導致的形狀 偏差。例如，示出為矩形的注入區域將通常在其邊緣具有圓化或彎曲的特征和/或注入 濃度梯度，而不是從注入區到非注入區的二元改變。同樣，通過注入形成的掩埋區可導 致該掩埋區和進行注入時所經過的表面之間的區域中的一些注入。因此，圖中顯示的區 域實質上是示意性的，它們的形狀不意圖示出器件的區域的實際形狀并且不意圖限定本 發明概念的范圍。
除非另外定義，這里使用的所有術語(包括科技術語)具有與本發明概念所屬 技術領域的普通技術人員一般理解的意思相同的意思。還將理解，術語，例如一般使用 的字典中定義的那些術語，應被理解為具有與它們在相關技術的背景中的意思一致的意 思，且將不會在理想化或過于正式的意義上來理解，除非這里清楚地這樣定義。
圖IA是橫截面圖，示出根據本發明的總的構思的示例實施方式的圖案結構。圖 IB是俯視圖，示出圖IA的圖案結構。圖IA是沿圖IB的I-I'線取得的示出圖案結構 的橫截面圖。圖2是放大橫截面圖，示出圖IB的圖案結構的端部。
參照圖1A、IB和2，圖案結構122包括第一圖案12 和第二圖案122b。第一 和第二圖案12 和122b可彼此平行地布置在基板100上。第一和第二圖案12 和122b 可將基板100的第一部分連接到基板100的另一部分。例如，基板100的第一部分的第一 和第二圖案12 和122b可連接到內部電路，基板100的第二部分的第一和第二圖案12 和12 可連接到外部電路。也就是說，在本發明的總的構思的示例實施方式中，具有第 一和第二圖案12 和122b的基板100的第二部分的端子H可連接到外部電路。
第一圖案12 包括第一線圖案E、第一延伸線F和第一焊墊G。第一線圖案E可具有第一寬度(例如沿B方向的寬度)且沿第一方向A在基板100上延伸。第一延伸 線F可連接到第一線圖案E的端部。第一焊墊G可接觸第一延伸線F的端部。第一焊 墊G可具有比第一寬度更大的寬度。第一線圖案E的第一寬度可小于光刻工藝的臨界寬度。
第一延伸線F可沿與第一線圖案E的第一方向不同的方向設置。例如，第一延 伸線F可垂直于第一線圖案E。也就是說，第一延伸線F可從第一線圖案E的端部垂直 地彎曲。
第一延伸線F可具有比該第一線圖案E的沿B方向的寬度更大的寬度(例如在B 方向上)，而第一延伸線F的在B方向上的寬度可小于第一焊墊G在B方向上的寬度。 當第一延伸線F和第一線圖案E通過蝕刻工藝形成在基板100上時，蝕刻工藝的負載效應 (loading effect)可發生在具有較大圖案密度的第一延伸線F處。因此，第一延伸線F在 B方向上的寬度可大于第一線圖案E在B方向上的第一寬度。
第一焊墊G包括從第一焊墊G的一部分延伸的突出部分124。突出部分IM可 沿與第一延伸線F的方向基本相同的方向延伸。例如，突出部分1 可相對于沿B方向 的第一延伸線F平行延伸。突出部分IM可具有線形，該線形具有一寬度(例如在B方 向上的寬度)，該寬度與第一延伸線F的寬度基本相同或相近似。圖案結構122可以通 過第一焊墊G的突出部分IM容易地識別。也就是說，圖案結構122可具有包括第一焊 墊G的突出部分124的結構特征。
第二圖案12 可通過預定距離與第一圖案12 相鄰。也就是說，第二圖案12 可以與第一圖案12 間隔開預定距離。第二圖案122b包括第二線圖案E'、第二延伸 線F'和第二焊墊G'。第二線圖案E'可相對于第一線圖案E平行延伸，第一線圖案E 和第二線圖案E'沿A方向延伸。
第二線圖案E'可具有與第一線圖案E的第一寬度(例如B方向的寬度)基本 相同或相近似的第二寬度。第二延伸線F'可連接到第二線圖案E'的端部。第二焊墊 G'可接觸第二延伸線F'的端部。第二焊墊G'可具有在B方向上比第一寬度更大的寬 度。第二焊墊G'的寬度尺寸可被調節以接收傳送信號的插塞。
在本發明的總的構思的示例實施方式中，第二延伸線F'可沿相對于第一線圖案 E延伸的第一方向基本平行的方向延伸。也就是說，第二延伸線F'可沿A方向延伸。 第二延伸線F'可具有比第二線圖案E'的寬度更大的寬度(例如沿B方向的寬度)，而 第二延伸線F'的寬度(例如沿B方向的寬度)可小于第二焊墊G'的寬度。
第二焊墊G'可沿相對于第二延伸線F'延伸的方向(例如A方向)基本垂直的 方向(例如B方向)彎曲。第二焊墊G'可包括從第二焊墊G'的一部分沿例如A方向 突出的第二突出部分125。第二突出部分125可相對于第二延伸線F'平行布置。也就 是說，第二突出部分125和第二延伸線F'可都沿A方向延伸且彼此平行。第二突出部 分125可以與第二延伸線F'(例如在B方向上)間隔開預定距離。
在本發明的總的構思的示例實施方式中，第一圖案12 的第一線圖案E的另一 端部和第二圖案12 的第二線圖案E'的另一端部可分別沿與第一方向(例如A方向) 不同的一個或更多方向延伸。例如，第一線圖案E的另一端部和第二線圖案E'的另一 端部可沿垂直于第一方向的方向彎曲。也就是說，第一線圖案E和第二線圖案E'可沿A方向延伸，且可具有部分H，部分H可沿B方向垂直地延伸。
當第一線圖案E和第二線圖案E'具有彎曲端部時，橋接圖案可不形成在第一和 第二線圖案E和E'的彎曲端部(例如H部分)處。這樣，第一圖案12 和第二圖案 122b之間的短路可被最小化和/或被防止。
第一圖案12 可具有與第二圖案12 的長度不同的長度(例如沿A方向延伸的 長度)。例如，第一圖案12 的長度可以小于第二圖案122b的長度。
圖3A至12B是橫截面圖和俯視圖，示出根據本發明的總的構思的示例實施方式 的形成圖IA的圖案結構的方法。圖3A、4A、5A、6A、7A、8A、9A、10A、IlA和12A 是示出圖案結構的橫截面圖，圖3B、4B、5B、6B、7B、8B、9B、10B、IlB和12B是俯 視圖，示出根據本發明的總的構思的示例實施方式的圖案結構。圖3A、4A、5A、6A、 7A、8A、9A、10A、IlA 禾口 12A 分別是沿圖 3B、4B、5B、6B、7B、8B、9B、10B、 IlB和12B的線I-I'取得的橫截面圖。圖3C是放大橫截面圖，示出犧牲圖案結構。
參照圖3A至3C，待蝕刻層102形成在基板100上。待蝕刻層102可包括用于 在后續工藝中蝕刻下面的層(例如與層102的表面相鄰的層)的掩模圖案。待蝕刻層102 可利用氧化物例如硅氧化物形成。例如，待蝕刻層102可包括硼磷硅酸鹽玻璃(BPSG)、 tonensilazane(TOSZ),高密度等離子體化學氣相沉積(HDP-CVD)氧化物、等離子體增 強原硅酸四乙酯(PE-TEOS)等。
犧牲層(未示出)可形成在待蝕刻層102上。犧牲層可以是形成蝕刻掩模的緩 沖層，蝕刻掩模在其不同部分具有第一寬度和第二寬度，第二寬度大于第一寬度。犧牲 層可包括第一材料膜和第二材料膜。
在本發明的總的構思的示例實施方式中，第一材料膜可形成在待蝕刻層102 上。第一材料膜可利用第一材料形成，第一材料可通過灰化工藝和/或剝離工藝容易地 去除。第一材料膜可包括聚合物。例如，第一材料膜可利用旋涂硬掩模60H)材料或 碳旋涂硬掩模(C-SOH)材料形成。第一材料膜的一部分可以是蝕刻掩模。第一材料膜 可具有預定厚度，該預定厚度包括蝕刻掩模的厚度。
第二材料膜可以形成在第一材料膜上。第二材料膜可包括第二材料，第二材 料包括氮化物或氧氮化物。例如，第二材料膜可利用硅氮化物MiNx)或硅氧氮化物 MiOxNy)形成。第二材料膜可在蝕刻待蝕刻層102之前被完全去除。因此，第二材料 膜可具有比第一材料膜的厚度更小的厚度。
犧牲層可通過光刻工藝被構圖從而提供犧牲圖案結構104。在本發明的總的構 思的示例實施方式中，兩個圖案可與一個犧牲圖案結構104的兩側相鄰地形成在基板100 上，從而犧牲圖案結構的數量可以是基板100上的圖案的數量的一半。
因為蝕刻掩模的結構可根據犧牲圖案結構104的形狀而改變，所以犧牲圖案結 構104的形狀可根據圖案結構的形狀而改變。
如圖3A至3C所示，犧牲圖案結構104可包括在待蝕刻層102的第一部分上的一 個第一材料膜圖案105a和一個第二材料膜圖案10 ，或者/以及可包括在待蝕刻層102 的第二部分上的另一第一材料膜圖案10 和另一第二材料膜圖案105d。第二材料膜圖 案10 和105d可根據犧牲圖案結構104的寬度(例如沿B方向的寬度)而具有不同厚度 (例如沿C方向的厚度)。此外，第一材料膜圖案105a和10 可根據犧牲圖案結構104的寬度(例如沿B方向)而具有不同的寬度(例如沿B方向的寬度)。
在本發明的總的構思的示例實施方式中，第一光致抗蝕劑膜可涂覆在第二材料 膜上。第一光致抗蝕劑膜可通過曝光工藝和顯影工藝被構圖以形成第一光致抗蝕劑圖 案。第一光致抗蝕劑圖案可包括中心部分和端部。第一光致抗蝕劑圖案的中心部分可具 有線形，第一光致抗蝕劑圖案的端部可具有比第一光致抗蝕劑圖案的中心部分的寬度更 大的寬度(例如沿B方向的寬度)。
第二材料膜可利用第一光致抗蝕劑圖案作為蝕刻掩模被蝕刻從而形成第二材料 膜圖案10 和105d。第二材料膜可被各向異性蝕刻。使用第二材料膜圖案10 和105d 作為蝕刻掩模，第一材料膜可被蝕刻以形成在第二材料膜圖案105b和105d下面的第一 材料膜圖案105a和10&。一個犧牲圖案結構104可包括第一和第二材料膜圖案105a和 105b,其具有比另一犧牲圖案結構104的第一和第二材料膜圖案10 和105d的寬度更小 的寬度(例如沿B方向的寬度)。
當犧牲圖案結構104通過各向異性蝕刻工藝形成時，由于寬度差異和三維蝕刻 效果，具有比第二材料膜圖案105d的寬度(例如沿B方向)更小的寬度(例如沿B方向) 的第二材料膜圖案10 可具有比第二材料膜圖案105d更大的蝕刻損傷。因此，具有較 小寬度(例如沿B方向)的第二材料膜圖案10 可在形成犧牲圖案結構104之后減小， 如圖3A所示。S卩，第二材料膜圖案10 可具有減小的沿B方向的寬度，從而材料層圖 案10 和105d之間的沿B方向的寬度差異會更加增大。因此，圖案結構可具有根據包 括材料膜圖案105a、105c> 105b和105d的犧牲圖案結構104的形狀而改變的形狀。
在本發明的總的構思的示例實施方式中，犧牲圖案結構104可包括犧牲線10 以及第一犧牲焊墊部分104b和第二犧牲焊墊部分104c。犧牲線104a可沿第一方向(例 如A方向)延伸且可具有第一寬度dl。第一犧牲焊墊部分104b可連接到犧牲線l(Ma的 端部。第一犧牲焊墊部分104b可沿基本垂直于第一方向的方向延伸(例如第一犧牲焊墊 部分104b可沿B方向延伸)。第一犧牲焊墊部分104b可具有寬度d2，寬度d2大于犧牲 線l(Ma的第一寬度dl。第二犧牲焊墊部分l(Mc可接觸第一犧牲焊墊部分104b的端部。 第二犧牲焊墊部分l(Mc可具有比第一寬度dl更大的寬度d3。第二犧牲焊墊部分l(Mc可 與第一犧牲焊墊部分104b間隔開預定距離。
在本發明的總的構思的示例實施方式中，兩個蝕刻掩模可形成為相鄰于犧牲圖 案結構104的側壁。這里，蝕刻掩模可通過去除犧牲線l(Ma而彼此間隔開。為了減小 蝕刻掩模之間的距離，犧牲線l(Ma的第一寬度可以是光刻工藝的臨界寬度。例如，犧牲 線l(Ma的第一寬度可以在約40nm到約60nm的范圍。
在本發明的總的構思的示例實施方式中，第一犧牲焊墊部分104b可包括線形蝕 刻掩模圖案和焊墊形蝕刻掩模圖案。此外，第二犧牲焊墊部分104c可包括另一線形蝕刻 掩模圖案和另一焊墊形蝕刻掩模圖案。
現在參照圖3C，第一犧牲焊墊部分104b包括第一預延伸部分A和第一預焊墊 部分B。第一預延伸部分A可沿基本垂直于第一方向的方向與犧牲線l(Ma的端部相連。 也就是說，第一預延伸部分A可沿B方向與犧牲線l(Ma的端部相連。第一預焊墊部分 B可從第一預延伸部分A延伸。
焊墊可位于第一預焊墊部分B上。第二犧牲焊墊部分104c包括第二預延伸部分A'和第二預焊墊部分B'。第二預延伸部分A’可沿與第一方向基本平行的方向從第 一犧牲焊墊部分104b的端部延伸。也就是說，第二預延伸部分A'可沿A方向從從第一 犧牲焊墊部分104b端部延伸。第二預焊墊部分B'可從第二預延伸部分A'延伸。例 如，第二預焊墊部分B'可從第二預延伸部分A'沿B方向延伸。另一焊墊可位于第二 預焊墊部分B'上。
在本發明的總的構思的示例實施方式中，第一預焊墊部分B可具有與第二預焊 墊部分B'的尺寸基本相同或相近似的尺寸。此外，第一和第二預焊墊部分B和B'中 的每個可具有與設置在其上的焊墊的寬度基本相同或基本相近似的寬度。第一和第二預 延伸部分A和A'中的至少一個可相對于第一方向(例如A方向)垂直地彎曲或者可以 相對于第一方向以預定角彎曲。
第一和第二犧牲焊墊部分104b和104c的另一端部可沿基本垂直于第一方向(例 如沿A方向)的方向(例如沿B方向)彎曲。此外，犧牲線104a的另一端部可相對于 第一方向(例如A方向)以預定角沿一方向彎曲。也就是說，犧牲線l(Ma的兩端部可分 別沿不同方向延伸。
在本發明的總的構思的示例實施方式中，第一預焊墊部分104b的端部的寬度 (第一預延伸部分A)可對應于與犧牲圖案結構104的兩側壁相鄰地形成的兩個蝕刻掩模 之間的距離。也就是說，寬度d2與第一寬度dl之間的差可以是第一預延伸部分A沿B 方向的寬度。因此，第一預焊墊部分104b的端部可具有一寬度以最小化和/或防止蝕刻 掩模的端部之間的短接。例如，犧牲線l(Ma的端部可具有比第一寬度dl更大的寬度(例 如圖3B所示的寬度d4)。
參照圖4A和4B，沿待蝕刻層102和犧牲圖案結構104的輪廓形成間隔物形成 層108。也就是說，間隔物形成層108可共形地形成在犧牲圖案結構104和待蝕刻層102上。
間隔物形成層108可利用氧化物形成，例如硅氧化物。間隔物形成層108可具 有與后續形成的蝕刻掩模的厚度基本相同或相近似的厚度(例如沿C方向的厚度)。例 如，間隔物形成層108可具有比光刻工藝的臨界寬度更小的厚度。
參照圖5A和5B，第二光致抗蝕劑膜涂覆在間隔物形成層108上，第二光致抗蝕 劑膜可通過曝光工藝和顯影工藝被處理。于是，第二光致抗蝕劑圖案110設置在間隔物 形成層108上。在示例實施方式中，兩道光刻工藝可形成圖案結構而沒有任何額外的光 刻工藝。
第二光致抗蝕劑圖案110具有第一開口 112，第一開口 112選擇性暴露間隔物形 成層108的位于犧牲圖案結構104之間的一部分。例如，第一開口 112可暴露間隔物形 成層108的在第一和第二犧牲焊墊部分104b和104c之間的部分。這里，第一和第二犧 牲焊墊部分104b和104c的彎曲部分位于其下的間隔物形成層108的一部分可通過經第二 光致抗蝕劑圖案110形成的第一開口 112暴露。
在本發明的總的構思的示例實施方式中，第一開口 112的側壁和犧牲線104a的 端部之間的距離d5可為約30nm以上到約lOOnm。當第一開口 112與犧牲圖案結構104 的側壁之間的距離小于或等于預定距離時，由于該預定距離，會發生由于未對準引起的 蝕刻掩模的失效。當第一開口 112與犧牲圖案結構104的側壁之間的距離大于或等于另一預定距離時，微小圖案可被連接，這可使相鄰的微小圖案短路。
第二光致抗蝕劑圖案110還暴露與犧牲線l(Ma的端部的側壁相鄰設置的間隔物 形成層108的另一部分，所述犧牲線104a的該端部是與第一和第二犧牲焊墊部分104b和 l(Mc相反的端部。
參照圖6A和6B，間隔物形成層108的暴露部分和部分犧牲圖案結構104利用第 二光致抗蝕劑圖案110作為蝕刻掩模而被蝕刻。
在利用第二光致抗蝕劑圖案110的蝕刻工藝中，間隔物形成層108可通過蝕刻在 與犧牲線104a相反的第一和第二犧牲焊墊部分104b和104c的端部上的間隔物形成層108 的一部分而被分成至少兩個部分。此外，可從第一和第二犧牲焊墊部分104b和104c之 間的第一開口 112形成第二開口 114。這里，被部分蝕刻的犧牲圖案結構104的側壁可 通過第二開口 114被暴露。由于犧牲圖案結構104的其他部分被間隔物形成層108所覆 蓋，所以犧牲圖案結構104的其他部分可不被暴露。
參照圖7A和7B，從間隔物形成層108去除第二光致抗蝕劑圖案110。第二光 致抗蝕劑圖案110可通過灰化工藝和/或剝離工藝被去除。
在第二光致抗蝕劑圖案110的去除中，在第二開口 114的側壁和犧牲線l(Ma的 端部被暴露的犧牲圖案結構104的第一材料膜圖案105a的部分與第二光致抗蝕劑圖案110 一起被去除。
由于第一材料膜圖案105a包括與第二光致抗蝕劑圖案110類似的有機材料，所 以在各向同性地蝕刻第二光致抗蝕劑圖案Iio時第一材料膜圖案105a的所述部分可與第 二光致抗蝕劑圖案110 —起被去除。
當部分第一材料膜圖案105a被去除時，槽或凹陷130產生在第二開口 114的下 側，從而第二開口 114可具有比其上寬度更大的下寬度。然而，當去除第二光致抗蝕劑 圖案110時，第二材料膜圖案10 和105d不會被蝕刻。
在去除第二光致抗蝕劑圖案110之后，第一和第二犧牲焊墊部分104b和104c的 下部可彼此分隔開。也就是說，在第一和第二犧牲焊墊部分104b和104c之間的第一材 料膜圖案105a的部分可被去除從而由此通過第二開口 114的下側壁暴露與犧牲線104a的 兩端部相鄰的部分間隔物形成層108。
當去除部分第一材料膜圖案105a時，分別在第一和第二犧牲焊墊部分104b和 104c中的第一和第二預延伸部分A和A'的下部可被去除。然而，第一和第二預焊墊部 分B和B'不會被蝕刻，因為焊墊可形成在其上。
因為當第二光致抗蝕劑圖案110被去除時第二材料膜圖案105d未被蝕刻，所以 第一和第二犧牲焊墊部分104b和104c的上部可保留。
參照圖8A和8B，通過蝕刻間隔物形成層108 (示于圖7B)而形成第一和第二間 隔物108a和108b。第一和第二間隔物108a和108b可通過各向異性蝕刻工藝來獲得。 第一和第二間隔物108a和108b可位于犧牲圖案結構104的兩個側壁上。
由于之前在第二開口 114處去除了部分間隔物形成層108，所以第一和第二間隔 物108a和108b沒有形成在第二開口 114(如圖7B所示)的側壁處。因此，兩個間隔物 108a和108b可形成在一個犧牲圖案結構104的兩個側壁處。這里，第一和第二間隔物 108a和108b的端部可分開。此外，間隔物108a和108b中的一個(例如第一間隔物108a)可圍繞第一犧牲焊墊部分104b的側壁，而間隔物108a和108b中的另一個(例如第二間 隔物108b)可圍繞第二犧牲焊墊部分104c的側壁(例如，第一和第二犧牲焊墊部分104b 和104c示于圖3B中)。
參照圖9A和9B，包括在具有第一寬度的犧牲線104a中的第二材料膜圖案105b 被去除，同時保留包括在第一和第二犧牲焊墊部分104b和104c中(例如，其中第一和第 二犧牲焊墊部分104b和104c示于圖3B中)的第二材料膜圖案105d。
如上所述，具有第一寬度的犧牲線104a(見圖3B)中的第二材料膜圖案10 可 具有較小厚度，而第一和第二犧牲焊墊部分104b和104c(見圖3B)中的第二材料膜圖案 105d可具有較大厚度。因此，可通過控制蝕刻時間去除犧牲線l(Ma中的第二材料膜圖案 105b而沒有形成任何額外的蝕刻掩模，同時保留第一和第二犧牲焊墊部分104b和104c中 的第二材料膜圖案105d。
參照圖IOA和10B，去除第二材料膜圖案10 之后暴露的第一材料膜圖案105a 被去除。然而，殘留的第二材料膜圖案105d下面的第一材料膜圖案10 未被暴露，從 而第一和第二犧牲焊墊部分104b和104c中的第一材料膜圖案10 未被蝕刻。第一材料 膜圖案105a可通過各向異性蝕刻工藝被去除。
在本發明的總的構思的示例實施方式中，包括在犧牲線l(Ma中的第一材料膜圖 案105a可被去除，從而可在第一和第二間隔物108a和108b之間提供間隙。第一和第二 犧牲焊墊部分104b和104c中的第一材料膜圖案10 可不被去除，因為保留的第二材料 膜圖案105d覆蓋第一材料膜圖案10&。
在本發明的總的構思的示例實施方式中，與預延伸部分A和A'對應的第二材 料膜圖案105d可保留在第一和第二犧牲焊墊部分104b和104c中。因此，第一和第二犧 牲焊墊部分104b和104c的下部可彼此分隔開。第一和第二犧牲焊墊部分104b和104c的 預焊墊部分B和B'可被覆蓋以第一和第二材料膜圖案10 和105d，從而第一和第二間 隔物108a和108b可保留以圍繞預焊墊部分B和B'的側壁。
參照圖IlA和11B，保留的第二材料膜圖案105d被去除。當第二材料膜圖案 105d被蝕刻完成時，蝕刻掩模結構120提供在形成于基板100上的待蝕刻層102上。
蝕刻掩模結構120可包括第一間隔物108a、第二間隔物10池、第一焊墊掩模圖 案118a和第二焊墊掩模圖案118b。第一和第二焊墊掩模圖案118a和118b可接觸第一和 第二間隔物108a和108b的端部。
在本發明的總的構思的示例實施方式中，蝕刻掩模結構120可具有與犧牲圖案 結構對應的構造。對于蝕刻掩模結構120，第一和第二間隔物108a和108b可彼此平行設置。
第一和第二間隔物108a和108b的每個可具有線和/或矩形形狀。第一和第二 間隔物108a和108b可間隔開預定距離。第一和第二焊墊掩模圖案118a和118b可包括 保留的第一材料膜圖案10&。焊墊將設置在第一和第二焊墊圖案118a和118b上。
如圖IlB所示，第一間隔物108a可圍繞第一焊墊掩模圖案118a的側壁，第一間 隔物108a可從第一焊墊掩模圖案118a的側面突出。第二間隔物10 也可圍繞第二焊墊 掩模圖案11 的側壁，且可從第二焊墊掩模圖案11 的側面延伸。
在去除第二光致抗蝕劑110期間，可從通過第二開口 114暴露的第一材料膜圖案105a形成第一和第二間隔物108a和108b的突出部分P，同時保留第一和第二間隔物108a和108b。也就是說，第一和第二間隔物108a和108b的突出部分P可突出有與去除的第 一材料膜圖案105a的厚度深度相對應的B方向高度。在本發明的總的構思的示例實施方式中，當去除第二光致抗蝕劑圖案110時， 與第一和第二犧牲焊墊部分104b和104c中的預延伸部分A和A'對應的第一材料膜圖案 105a的部分可被去除。因此，突出部分P可分別平行于預延伸部分A和A'(如圖3C 所示)。此外，預延伸部分A和A'的每個可具有與在第二光致抗蝕劑圖案110的去除 中去除的犧牲線104a中的第一材料膜圖案105a的寬度(沿B方向)基本相同或更大的長 度(沿A方向)。在本發明的總的構思的一些示例實施方式中，與第一和第二間隔物108a和108b 相反的第一和第二焊墊掩模圖案118a和118b的端部可沿基本垂直于第一方向(例如A方 向)的方向(例如B方向)彎曲，或者可相對于第一方向以預定角彎曲。在第一和第二間隔物108a和108b的端部可以沒有圖案，從而蝕刻負載效果可不 發生在第一和第二間隔物108a和108b的端部處。在后續蝕刻工藝中，蝕刻負載效果可在 位于第一和第二間隔物108a和108b的端部下面的部分待蝕刻層102處增大。換言之， 在第一和第二間隔物108a和108b的端部處的部分待蝕刻層102可由于增大的蝕刻負載效 果而具有增大的寬度(例如沿B方向)。當部分待蝕刻層102具有增大的寬度時，橋接故障會發生在待蝕刻層102的擴大 部分處。然而，如上所述，與第一和第二焊墊掩模圖案118a和118b相反的第一和第二 間隔物108a和108b的端部可具有從第一方向(例如A方向)彎曲的形狀(例如沿B方 向彎曲)，從而可減少從待蝕刻層102形成的圖案結構中的橋接故障。參照圖12A和12B，利用蝕刻掩模結構120蝕刻待蝕刻層102從而在基板100上 形成期望的圖案結構。該圖案結構包括第一圖案122a和第二圖案122b。第一圖案122a 可平行于第二圖案122b布置。在本發明的總的構思的示例實施方式中，圖案結構的第一圖案122a包括第一線 圖案E、第一延伸線F和第一焊墊G。第一線圖案E可沿第一方向(例如A方向)延伸。 第一線圖案E可具有第一寬度(例如沿B方向的寬度)。第一延伸線F可與第一線圖案 E的端部連接。第一焊墊G可接觸第一線圖案E的端部。第一焊墊G可具有比第一寬度更大的 寬度(例如沿B方向)。第一焊墊G可包括從第一焊墊G的側部延伸的突出部分Pl。 與第一焊墊G相反的第一線部分E的另一端部Hl可沿基本垂直于第一方向(例如A方 向)的方向(例如B方向)彎曲。第一焊墊G的突出部分可通過用第一和第二間隔物108a和108b遮蓋部分待蝕刻 層102而形成。此外，第一延伸線F也可通過用第一和第二間隔物108a和108b遮蓋部 分待蝕刻層102而形成。因此，第一焊墊G的突出部分Pl可具有與第一延伸線F的寬 度基本相同或相近似的寬度(例如沿B方向)。此外，由于蝕刻負載效應，第一焊墊G 的突出部分和第一延伸線F每個的寬度(例如沿B方向)可分別具有比第一和第二間隔物 108a和108b的寬度更大的寬度(例如沿B方向)。圖案結構的第二圖案122b包括第二線圖案E'、第二延伸線F'和第二焊墊G'。第二圖案122b的第二線圖案E'可與第一圖案122a的第一線圖案E相鄰。第二 線圖案E'可相對于第一線圖案E平行延伸。第二線圖案E'也可具有第一寬度(例如 沿B方向的寬度)。第二延伸線F'可與第二線圖案E'的端部連接。第二焊墊G'可接觸第二延伸線圖案F'的端部。第二焊墊G'可具有比第一寬度更大的寬度(例如沿B方向)。第 二焊墊G'可包括從第二焊墊G'的側部延伸的突出部分。與第二焊墊G'相反的第二 線圖案E'的另一端部H2也可沿基本垂直于第一方向(例如A方向)的方向(例如B方 向)彎曲。盡管第一延伸線F和第一線圖案E可以通過用間隔物108a和108b遮蓋部分待蝕 刻層102來形成，但是由于蝕刻負載效應，第一延伸線F可具有與第一線圖案E的寬度不 同的寬度(例如沿B方向)。當利用蝕刻掩模結構120蝕刻待蝕刻層102時，第二線圖 案E'可接近第一線圖案E，從而蝕刻負載效應會由于第一和第二線圖案E和E'之間增 大的圖案密度而減小。然而，第一延伸線F可與第二延伸線F'間隔開預定距離，從而 蝕刻負載效應會由于第一和第二延伸線F和F'之間的較低圖案密度而增大。因此，第 一延伸線F可具有比第一線圖案E的寬度更大的寬度(例如沿B方向)。蝕刻負載效應 可不影響圖案的寬度，從而第一延伸線F的寬度(例如沿B方向)可小于第一焊墊G的 寬度。在上述蝕刻負載效應中，第二延伸線F'可具有比第二線圖案E'的寬度大的寬 度(例如，沿B方向)。另外，第二延伸線F'的寬度可小于第二焊墊G'的寬度。如參照圖7A至12B所述，多個層可以被順序蝕刻而沒有額外的光刻工藝。因 此，參照圖7A至12B描述的工藝可原位進行而沒有中斷真空。因為可以不進行額外的光刻工藝來形成半導體器件中的圖案結構，所以形成圖 案結構的成本和時間可減小，而且也可以減小圖案結構的故障。根據本發明的總的構思的示例實施方式，可通過采用兩道光刻工藝獲得具有增 大的可靠性的包括微小圖案和焊墊的圖案結構。例如，圖案結構可包括微小圖案和具有 比該微小圖案的寬度更大的寬度的焊墊。因為微小圖案和焊墊可同時形成，所以微小圖 案和焊墊之間的未對準可被最小化和/或被防止。下面，將參照附圖描述包括多個微小圖案的圖案結構陣列。圖案結構陣列中的 每個微小圖案可具有與上述與圖1A-12B相關的第一圖案和/或第二圖案基本相同或相似 的構造。圖13是俯視圖，示出根據本發明的總的構思的示例實施方式的包括交替布置的 圖IA和IB中的第一圖案和第二圖案的圖案結構陣列。如圖13所示，圖案結構陣列包括多個第一圖案122a和多個第二圖案122b。每個 第一圖案122a可具有與參照圖IA和IB描述的第一圖案的結構基本相同或相似的結構， 每個第二圖案122b也可具有與參照圖IA和IB描述的第一圖案的結構基本相同或相似的結構。第一和第二圖案122a和122b可彼此平行布置。第一和第二圖案122a和122b可 具有不同長度，而第一和第二圖案122a和122b可分別具有相同形狀。例如，第一和第 二圖案122a和122b的線圖案E可具有不同長度。
在本 發明的總的構思的示例實施方式中，第一圖案122a可位于奇數線處，而第 二圖案122b可位于偶數線處。然而，第一和第二圖案122a和122b的位置可根據圖案結 構陣列的構造而變化。在圖案結構陣列中，設置在基本垂直于第一方向(例如A方向)的方向(例如B 方向)上的圖案結構的中心處的第一和第二圖案122a和122b可具有較大長度。其他的 第一和第二圖案122a和122b從圖案結構陣列的中心朝向圖案結構陣列的邊界可具有逐步 減小的長度。第一和第二圖案122a和122b能以設置在圖案結構的中心處的圖案122a和122a' 為中心在與第一方向(例如A方向)垂直的方向上(例如B方向)彼此對稱設置。第一和第二圖案122a和122b中的線圖案E可以相對第一和第二圖案122a和122b 的焊墊G布置而沒有產生線圖案E之間和焊墊之間的短路。為了最小化和/或防止線圖 案E之間和焊墊G之間的短路，設置在沿與第一方向(例如A方向)垂直的方向(例如 B方向)上的圖案結構的中心處的圖案122a和122a'中的線圖案E和焊墊G可以突出得 超過相鄰的第一和第二圖案122b和122b ‘中的線圖案E和焊墊G。與線圖案E和焊墊G相反的第一和第二圖案122a和122b的端部也可被布置而沒 有使第一和第二圖案122a和122b的端部短路。考慮到第一和第二圖案122a和122b的 端部之間的短路，設置在沿與第一方向(例如A方向)垂直的方向(例如B方向)上的 圖案結構的中心處的圖案122a和122a'的端部可突出得超過相鄰的第一和第二圖案122b 和122b ‘中的線圖案E和焊墊G。在本發明的總的構思的示例實施方式中，圖13所示的圖案結構陣列可通過與參 照圖4A至12B描述的工藝基本相同或相似的工藝形成。例如，具有不同長度的多個犧 牲圖案結構可設置在待蝕刻層上以形成圖13所示的圖案結構陣列。下面將參照附圖描述形成圖13所示的圖案結構陣列的方法。圖14和15是俯視圖，示出形成圖13的圖案結構陣列的方法。參照圖14，多個犧牲圖案結構154形成在位于基板上的待蝕刻目標上。犧牲圖 案結構154可分別具有不同的長度。每個犧牲圖案結構154包括犧牲線154a、第一犧牲 焊墊部分154b和第二犧牲焊墊部分154c。犧牲圖案結構154中，設置在目標的與犧牲圖案結構154延伸的方向(例如A方 向)垂直的方向(例如B方向)上的中心上的犧牲圖案結構154與其他犧牲圖案結構154 相比可具有最大長度。此外，其他犧牲圖案結構154能以設置在目標的所述中心處的犧 牲圖案結構154為中心彼此對稱布置。參照圖15，通過與參照圖4A至IlB描述的工藝基本相同或相似的工藝，在目標 上形成蝕刻掩模結構180。在圖15中，附圖標記160表示在參照圖5A和5B描述的工藝中被第二光致抗蝕 劑圖案暴露的部分犧牲圖案結構154。在形成第二光致抗蝕劑圖案之后，暴露部分下的部 分犧牲圖案結構154被蝕刻，從而與焊墊相反的犧牲圖案結構的線圖案可被分開，由此 在一個犧牲圖案結構154中定義兩個焊墊掩模圖案148a和148b。可利用犧牲圖案結構154中的線圖案和突出部分P產生蝕刻掩模結構180的間隔 物 158a 和 158b ο
目標，例如待蝕刻層，可利用蝕刻掩模結構180被構圖，從而由此形成具有與 參照圖13描述的圖案結構陣列的構造基本相同或相似的構造的圖案結構陣列。根據本發明的總的構思的示例實施方式，圖案結構陣列可用于半導體存儲器件 的柵電極和/或字線。例如，圖案結構陣列可用作NAND型閃存器件的字線。圖16是電路圖，示出NAND型閃存器件的單位單元。圖17A是俯視圖，示出 包括圖IA和IB的圖案結構的NAND型閃存器件的單位單元。圖17B是橫截面圖，示 出包括圖IA和IB的圖案結構的NAND閃存器件的單位單元。參照圖16，NAND型閃存器件的單位單元設置在基板上。基板的單元區域中的 每個單元串(cell string)包括多條字線WLl、WL2、WL3、…、WLm。通常，32條字
線可設置在一個串中。單元晶體管可設置得分別電連接字線WL1、 WL2、WL3.....
WLm。單元選擇線SSL可定位得與最外的字線之一(即字線WLl)相鄰，接地選擇線 GSL可定位得與最外的字線中的另一條(即字線WLm)相鄰。單元選擇晶體管和接地選 擇晶體管可分別電連接到單元選擇線SSL和接地選擇線GSL。單元晶體管的雜質區可電連接到位線，接地選擇晶體管的雜質區可電連接到公 共源極線CSL。公共源極線CSL可延伸從而公共源極線CSL電連接沿字線WLl、WL2、 WL3、…、WLm延伸的方向設置的串。在本發明的總的構思的示例實施方式中，單元串 能以一條公共源極線CLS為中心接連地對稱設置。控制解碼器電路165可控制NAND型閃存器件的單位單元的操作。圖16所示 的NAND型閃存器件的單位單元可設置在半導體基板例如單晶硅基板上。參照圖17A和17B，基板可包括有源區和隔離區。NAND型閃存器件的各種元 件可形成在有源區中，隔離區可將一個有源區中的元件與相鄰有源區中的相鄰元件電隔罔。有源圖案350設置在有源區中。每個有源圖案350可具有線形且可沿第二方向 (例如B方向)延伸。有源圖案350可交替設置在有源區中。在本發明的總的構思的示 例實施方式中，每個有源圖案350可具有與光刻工藝的臨界寬度基本相近似或相同的小 寬度。溝槽可位于相鄰有源圖案350之間，隔離層圖案352分別形成在溝槽中。單元晶體管354、字線360和選擇晶體管356設置在有源圖案350上。每個單元晶體管354可包括隧道絕緣層圖案360a、浮置柵極360b、電介質層圖 案360c和控制柵極360。隧道絕緣層圖案360a形成在有源圖案350上。浮置柵極360b 可與相鄰浮置柵極隔離。多個浮置柵極可彼此以預定間隔布置在隧道絕緣層圖案360a上。電介質層圖案 360c可設置在浮置柵極360b上。控制柵極360可位于電介質層圖案360c上。控制柵極 360可具有線形且可沿基本垂直于第一方向的第二方向延伸。控制柵極360與浮置柵極 360b可通過在其間插入電介質層圖案360c而相對。多個控制柵極可被稱為閃存器件的字 線 360。在本發明的總的構思的示例實施方式中，字線360可具有圖案結構陣列的結 構，圖案結構陣列具有一個或更多如上所述的構造。如圖17A和17B所示，字線360可 具有與參照圖13描述的圖案結構的構造基本相似或相同的結構。
每條字線360可具有比光刻工藝的臨界寬度更小的寬度。此外，相鄰字線360 之間的距離也可以小于光刻工藝的臨界寬度。具有預定寬度的焊墊361可與每條字線360 的端部連接。第一 接觸插塞368a可設置在焊墊361上。因此，接觸插塞368a可電連接 到每條字線360。每個選擇晶體管356可包括柵絕緣層和柵極電極362。柵絕緣層可形成在有源圖 案350上。柵絕緣層可包括氧化物例如硅氧化物。柵極電極362可具有線形且可沿第一 方向(例如A方向)延伸。選擇晶體管356中的柵極電極362可具有比單元晶體管的控 制柵極360(即字線)更大的寬度(例如沿B方向的寬度)。當選擇晶體管356中的柵極電極362具有比預定寬度更大或相等的寬度(例如沿 B方向的寬度)時，第二接觸插塞368b可設置在柵極電極362上。因此，選擇晶體管356 中的柵極電極362可以不需要用于第二接觸插塞368b的額外的焊墊。在本發明的總的構思的示例實施方式中，選擇晶體管356的柵極電極362與單元 晶體管的控制柵極340之間的距離可以與單元晶體管的相鄰控制柵極360之間的距離基本 相同或相近似。也就是說，選擇晶體管356和單元晶體管之間的距離可以小于或等于預 定距離，從而閃存器件可具有增大的集成度。下面將參照附圖描述制造圖17A和17B中的NAND型閃存器件的方法。圖18至21、22A和23A是橫截面圖，示出形成具有圖17A和17B中的圖案結構 的NAND型閃存器件的單位單元的方法。圖22B和23B是俯視圖，示出形成具有圖17A 和17B中的圖案結構的NAND型閃存器件的單位單元的方法。參照圖18，隧道絕緣層402可形成在基板400上。隧道絕緣層402可通過熱氧 化基板400而形成。隧道絕緣層402可包括氧化物，例如硅氧化物。第一柵極電極層404可形成在隧道絕緣層402上。第一柵極電極層404可包括 通過低壓化學氣相沉積(LPCVD)工藝或任何其他合適的工藝形成的多晶硅。第一柵極電 極層404可以是通過后續工藝而形成的浮置柵極。硬掩模圖案406可形成在第一柵極電極層404上。硬掩模圖案406可利用氧化 物例如硅氧化物形成。硬掩模圖案406可以是形成隔離區和有源區的至少一部分的蝕刻 掩模。硬掩模圖案406可具有線形且可沿基本垂直于第一方向(例如A方向)的第二方 向(例如B方向)延伸。在本發明的總的構思的示例實施方式中，硬掩模層可形成在第一柵極電極層404 上，硬掩模層可通過光刻工藝或者任何其他合適的工藝被蝕刻從而形成硬掩模圖案406。 或者，硬掩模圖案406可以通過包括光刻工藝的二次構圖(doubling patterning)工藝來形 成。參照圖19，第一柵極電極層404、隧道絕緣層402和基板400可利用硬掩模圖案 406作為蝕刻掩模被部分蝕刻從而在基板400上形成溝槽。當溝槽被填充絕緣材料時，隔 離層圖案350分別設置于溝槽中。因此，基板400可分成有源區和隔離區。參照圖20和21，電介質層412和第二柵極電極層414可形成在第一柵極電極層 404和隔離層圖案350上。硬掩模形成層416可形成在第二柵極電極層414上。硬掩模形成層416可用作 待蝕刻層。
參照圖22A和22B，犧牲圖案結構370可形成在硬掩模形成層416上。每個犧 牲圖案結構370可沿基本垂直于第一方向(例如A方向)的第二方向(例如B方向)延 伸。利用犧牲圖案結構370-蝕刻掩模來形成單元晶體管的控制柵極和選擇晶體管的柵極 電極。單元晶體管的控制柵極可用作閃存器件的字線。犧牲圖案結構370包括第一犧牲圖案結構372和第二犧牲圖案結構374。第一犧 牲圖案結構372可用來形成控制柵極，第二犧牲圖案結構374可用來形成選擇晶體管的柵 極電極。每個柵極電極可具有比每個控制柵極的寬度相對更大的寬度。第二犧牲圖案結 構374可定位為與最外面的第一犧牲圖案結構372相鄰。第一犧牲圖案結構372可具有 與參照圖3A至3C描述的圖案結構104的構造基本相同或 相似的構造。每個第二犧牲圖案結構374可具有比每個第一犧牲圖案結構372的寬度更大的寬 度。第二犧牲圖案結構374可相對于第一犧牲圖案結構372平行布置。在本發明的總的 構思的示例實施方式中，相鄰的第一犧牲圖案結構372之間的距離dl可以與相鄰的第一 犧牲圖案結構372和第二犧牲圖案結構374之間的距離d2基本相同。參照圖23A和23B，通過用與參照圖3A至12B描述的工藝基本相同或相似的工 藝蝕刻硬掩模形成層416來提供蝕刻掩模380。在圖23B中，附圖標記382表示通過參 照圖5A描述的工藝中的第二光致抗蝕劑圖案暴露的部分蝕刻掩模380。當蝕刻掩模380 的暴露部分被去除時，與焊墊部分相反的線圖案可彼此分開，且焊墊部分可被定義。如圖23A所示，由于第二犧牲圖案結構374的寬度，第二犧牲圖案結構374的第 一材料膜圖案369保留在蝕刻掩模380上。采用蝕刻掩模380，第二柵極電極層414、電介質層412和第一柵極電極層404 可被順序蝕刻從而形成單元晶體管的控制柵極圖案360且形成選擇晶體管的柵極電極 362。此外，電介質層圖案360c和浮置柵極圖案360b可形成在控制柵極圖案360下面。 控制柵極圖案360和柵極電極362可與參照圖17A和17B描述的那些基本相同或相似。絕緣中間層可形成在基板400上以覆蓋控制柵極圖案360和柵極電極362。在 部分去除絕緣中間層之后，第一接觸插塞368a和第二接觸插塞368b可穿過絕緣中間層形 成。第一接觸插塞368a可與控制柵極圖案360的焊墊部分連接。第二接觸插塞368b可 直接接觸柵極電極362。根據本發明的總的構思的示例實施方式，微小圖案結構例如控制柵極圖案360 和柵極電極362可通過兩道光刻工藝制造。這里，每個控制柵極圖案360可包括具有預 定尺寸的焊墊部分和微小圖案。焊墊部分可與微小圖案的端部連接。每個柵極電極362 可具有比每個控制柵極圖案360的寬度更大的寬度。根據本發明的總的構思的示例實施方式，閃存器件中的控制柵極和焊墊圖案可 同時形成而不需分開的光刻工藝，從而控制柵極和焊墊圖案之間的未對準可被最小化和/ 或被防止。閃存器件的故障可通過最小化和/或防止控制柵極和焊墊之間的對準故障而 減少。圖24是俯視圖，示出根據本發明的總的構思的示例實施方式的圖案結構陣列。 圖24所示的圖案結構陣列可具有與圖13中的圖案結構陣列的構造相似的構造。例如， 圖24中的圖案結構陣列包括與圖13中的第一和第二圖案基本相同或相似的第一和第二圖案。然而，圖24的圖案陣列結構中的第一和第二圖案的端部可不同于圖13中的圖案結 構陣列中的第一和第二圖案的端部。如圖24所示，圖案結構陣列包括第一圖案123a和第二圖案123b。每個第一圖 案123a包括第一線圖案E、第一延伸線F和第一焊墊G。第一線圖案E可沿第一方向延 伸且可具有第一寬度。第一延伸線F可與第一線圖案E的端部連接。第一焊墊G可接 觸第一延伸線F的端部且可具有比第一寬度更大的寬度。第一圖案123a中的第一焊墊G和第一延伸線F可具有與圖13中的第一圖案的那 些基本相同的構造。然而，第一圖案123a中的第一線圖案E的另一端部可以不相對于第 一方向(例如A方向)彎曲。第二圖案123b可 分別布置得通過預定距離與第一圖案123a相鄰。每個第二圖 案123b可包括第二線圖案E'、第二延伸線F'和第二焊墊G'。第二線圖案E'可相 對于第一線圖案E平行延伸且可具有第一寬度。第二延伸線F'可與第二線圖案E'的端 部連接。第二焊墊G'可接觸第二延伸線F'的端部且可具有比第一寬度更大的寬度。 第二圖案123b中的第二焊墊G'和第二延伸線F'也可具有與圖13中的第一圖案的那些 基本相同的構造。然而，第二圖案123b中的第二線圖案E'的另一端部可以不相對于第 一方向(例如A方向)彎曲。在本發明的總的構思的示例實施方式中，第一和第二圖案123a和123b可以在與 第一和第二圖案123a和123b延伸的方向(例如A方向)基本垂直的方向(例如B方向) 上對稱地布置。設置在待蝕刻目標的第二方向(例如B方向)上的中心處的第二圖案123b'可 突出得超過相鄰的第一和第二圖案123a和123' a。也就是說，設置在目標的第二方向 (例如B方向)上的中心處的第二圖案123b'的延伸線和焊墊可以突出得超過相鄰的第一 和第二圖案123a和123b的延伸線和焊墊。然而，設置在第二方向(例如B方向)上的 目標的中心處的第二圖案123b'的端部可以不從相鄰的第一和第二圖案123a和123b的端 部突出。即，第一和第二圖案123a和123b的端部可以設置得相對于虛設圖案168基本 平行。在本發明的總的構思的示例實施方式中，虛設圖案168可與第一和第二圖案 123a和123b的端部間隔開預定距離d3。虛設圖案168可具有比第一和第二圖案123a和 123b中的線圖案的寬度更大的寬度。虛設圖案168可沿基本垂直于第一和第二圖案123a 和123b延伸的方向(例如A方向)的方向(例如B方向)延伸。當第一和第二圖案123a 和123b的端部可被放大時，虛設圖案168可最小化和/或防止第一和第二圖案123a和 123b之間的短路。當虛設圖案168與第一和第二圖案123a和123b的端部之間的距離d3可為約 IOOnm以上時，可能產生第一和第二圖案123a和123b之間的橋接故障。因此，虛設圖 案168與第一和第二圖案123a和123b的端部之間的距離d3可為約IOOnm以下從而最小 化和/或防止第一和第二圖案123a和123b之間產生橋接故障。下面參照附圖描述形成圖24所示的圖案結構陣列的方法。圖25和26是俯視圖，示出形成圖24的圖案結構陣列的方法。圖25和26所示 的方法可與參照圖4A至12B描述的方法基本相同或相似，除了犧牲圖案結構的構造和第二光致抗蝕劑圖案中的第二開口的位置以外。參照圖25，多個犧牲圖案結構164形成在位于基板上的待蝕刻目標上。犧牲圖案結構164可以基本彼此平行地布置在目標上。犧牲圖案結構164可分別具有不同的長度。每個犧牲圖案結構164中的第一犧牲焊墊部分164b和第二犧牲焊墊部分164c可 具有與參照圖13描述的第一和第二犧牲焊墊部分的形狀基本相同或相似的形狀。然而， 犧牲圖案結構164的犧牲線164a可具有與第一和第二犧牲焊墊部分164b和164c相反的 彼此平行布置的端部。虛設結構166形成在目標上，與犧牲線164的與第一和第二犧牲焊墊部分164b 和164c相反的端部相鄰。參照圖26，蝕刻掩模結構200可通過與參照圖4A至12B描述的工藝基本相同或 相似的工藝形成在目標上。在圖26中，附圖標記194表示通過與圖5A和5B中的第二 光致抗蝕劑圖案類似的第二光致抗蝕劑圖案暴露的間隔物形成層的部分。間隔物形成層的暴露部分194可利用第二光致抗蝕劑圖案被蝕刻，從而犧牲線 164的端部可以彼此分隔開。這里，兩個焊墊掩模圖案192a和192b可以定義在一個犧牲 圖案結構164中。蝕刻掩模結構200還可包括第一材料膜圖案158a和間隔物158b，如圖 26所示。當目標(例如待蝕刻層)利用蝕刻掩模結構200被蝕刻時，可在基板上提供圖案 結構陣列。圖案結構陣列可具有與圖24所示的圖案結構陣列的構造基本相同或相似的構造。圖27是俯視圖，示出包括圖24的圖案結構陣列的NAND型閃存器件的單位單元。如圖27所示，圖24的圖案結構陣列可用作NAND型閃存器件的字線360。在NAND型閃存器件的形成中，隔離層圖案和有源圖案可通過與參照圖18至21 描述的工藝基本相同或相似的工藝形成在基板上。隧道絕緣層、第一柵極電極層、電介 質層和第二柵極電極層可接續地形成在基板上。蝕刻掩模結構可通過與參照圖25和26 描述的工藝基本相同或相似的工藝形成在第二柵極電極層上。利用蝕刻掩模結構，第二 柵極電極層、電介質層和第一柵極電極層可被蝕刻，從而形成浮置柵極、電介質層圖案 和作為字線360的控制柵極。選擇晶體管可設置得鄰近單元串的兩個端部。第一接觸插塞368a可形成在與字線360相連的焊墊上，第二接觸插塞368b可形 成在選擇晶體管的柵極圖案上。這樣，NAND型閃存器件可制造在基板上。圖28是俯視圖，示出根據本發明的總的構思的示例實施方式的圖案結構陣列。參照圖28，圖案結構陣列包括第一圖案222a和第二圖案222b，其布置在位于基 板上的目標上。第一和第二圖案222a和222b可彼此平行設置。第一圖案222a包括第一線圖案E、第一延伸線F和第一焊墊G。第一線圖案E 可沿第一方向(例如A方向)延長且可具有第一寬度(例如第一寬度是沿B方向)。第 一延伸線F可接觸第一線圖案E的端部。第一焊墊G可連接第一延伸線F的端部且可具 有比第一寬度更大的寬度(例如沿B方向的寬度)。第一焊墊G可具有隨后形成在第一 焊墊G上用于傳輸信號的接觸焊墊的寬度。第一線圖案E的第一寬度(例如沿B方向的寬度)可以小于光刻工藝的臨界寬度。第一延伸線F可具有比第一延伸線E的第一寬度 相對更大的寬度。在本發明的總的構思的示例實施方式中，第一延伸線F可沿基本垂直于第一線 圖案E的第一方向(例如A方向)的方向(例如B方向)彎曲。第一焊墊G可具有從第 一焊墊G的側部延伸的突出部分125。第一焊墊G的突出部分125可具有線形。突出部 分125可沿與第一延伸線F的端部延伸的方向基本平行的方向突出。也就是說，突出部 分125和延伸線F兩者可都沿B方向延伸。第一焊墊G的突出部分125可以是根據本發 明的總的構思的示例實施方式的圖案結構陣列的結構特征。第二圖案222b可鄰近第一圖案222a平行布置，第二圖案222b和第一圖案222a 間隔開預定距離。第二圖案222b包括第二線圖案E'、第二延伸線F'和第二焊墊G'。 第二線圖案E'可相對于第一圖案222a的第一線圖案E平行延伸。第二線圖案E'也可 具有第一寬度(例如沿B方向的寬度)。第二延伸線F'可與第二線圖案E'的端部連 接。第二焊墊G'可接觸第二延伸線F'的端部。第二焊墊G'也可具有比第二線圖案 E'的第一寬度更大的寬度(例如沿B方向的寬度)。第二延伸線F'可以沿相對于第二 線圖案E'基本平行的方向延伸。第二延伸線F'可具有比第二線圖案E'的第一寬度更 大的寬度。第二焊墊G'也可具有隨后形成在第二焊墊G'上用于傳輸信號的接觸焊墊 的寬度。如圖28所示，第一延伸線F可垂直于第二延伸線F'。也就是說，第一延伸線 F可 沿B方向延伸，第二延伸線F'可沿A方向延伸。第一和第二焊墊G和G'可以分 別沿基本平行于第一和第二延伸線F和F'的方向設置。也就是說，第一焊墊G可以沿 B方向設置，第二焊墊G'可沿A方向設置。因此，第一焊墊G可以不平行于第二焊墊 G'，因為第一和第二焊墊G和G'分別從第一和第二延伸線F和F'延伸。第一焊墊G 可以垂直于第二焊墊G'。圖案結構陣列還包括第三圖案222c和第四圖案222d。第三圖案222c可相對于 第一圖案222a以A方向為中心對稱布置，第四圖案222d可相對于第二圖案222b以B方 向為中心對稱地布置。這里，第三圖案222c的延伸線和焊墊可具有與第一圖案222a中 的第一延伸線F和第一焊墊G的形狀基本相同或相似的形狀。此外，第四圖案222d的延 伸線和焊墊可具有與第二圖案222b中的第二延伸線F'和第二焊墊G'的形狀基本相同 或相似的形狀。在圖28中，第一和第三圖案222a和222c可分別具有與第二和第四圖案222b和 222d的長度不同的長度。然而，根據用作各種半導體器件中的元件的圖案結構陣列的構 造，第一和第三圖案222a和222c可分別具有與第二和第四圖案222b和222d的長度基本 相同或相似的長度(例如沿A方向的長度)。下面將參照附圖描述形成圖28的圖案結構陣列的方法。圖29和30是俯視圖，示出形成圖28的圖案結構陣列的方法。圖29和30所示 的方法可與參照圖4A至12B描述的方法基本相同或相似，除了犧牲圖案結構的構造和第 二光致抗蝕劑圖案中的第二開口的位置以外。參照圖29，犧牲圖案結構234和236形成在位于基板上的待蝕刻目標上。犧牲 圖案結構234和236可基本彼此平行地布置在目標上。犧牲圖案結構234和236的長度(例如沿A方向的長度)可彼此不同或者可彼此基本相同。犧牲圖案結構234和236可 具有基本相同的構造。犧牲圖案結構234和236可交替布置于基板之上或者可以對稱設 置于目標上。
在本發明的總的構思的示例實施方式中，犧牲圖案結構234和236可分成上犧牲 圖案236和下犧牲圖案234。下犧牲圖案234包括第一犧牲線234a、第一預焊墊部分234b和第二預焊墊部分 234c。第一犧牲線234a可具有第一寬度(例如沿B方向的寬度)。第一預焊墊部分234b 可從第一犧牲線234a的端部延伸。第一預焊墊部分234b可沿與第一犧牲線234a延伸的 方向(例如A方向)基本垂直的方向(例如B方向)彎曲。第二預焊墊部分234c可沿 第一犧牲線234a延伸的方向(例如A方向)從第一犧牲線234a的端部延伸。第一和第二預焊墊部分234b和234c每個可具有比第一犧牲線234a的第一寬度 更大的寬度(例如沿B方向的寬度)。例如，第一和第二預焊墊部分234b和234c每個 可具有與形成在其上的焊墊的寬度相似或者比之更大的寬度(例如沿B方向的寬度)。上犧牲圖案236包括第二犧牲線236a、第三預焊墊部分236b和第四預焊墊部分 236c。第二犧牲線236a也可具有第一寬度(例如沿B方向的寬度)。第三預焊墊部分 236b可從第二犧牲線236a的端部延伸。第三預焊墊部分236b也可沿與第二犧牲線236a 延伸的方向(例如A方向)基本垂直的方向(例如B方向)彎曲。第四預焊墊部分236c 可沿第二犧牲線236a延伸的方向(例如A方向)從第二犧牲線236a的端部延伸。在本發明的總的構思的示例實施方式中，第三和第四預焊墊部分236b和236c可 以與第一和第二預焊墊部分234b和234c對稱地布置。或者，第一和第二預焊墊部分234b 和234c可與第三和第四預焊墊部分236b和236c平行布置。當犧牲圖案結構234和236具有上述構造時，形成在基板上的圖案結構陣列可具 有與如上所述的犧牲圖案結構234和236的構造相似或相同的構造。參照圖30，蝕刻掩模結構240通過與參照圖4A至12B描述的工藝基本相同或 相似的工藝形成在目標上。在圖30中，附圖標記246表示被與圖5A中的第二光致抗蝕 劑圖案相似的第二光致抗蝕劑圖案暴露的間隔物形成層的一部分。間隔物形成層的暴露 部分246可利用第二光致抗蝕劑圖案被蝕刻，從而犧牲線的端部可彼此分隔開。這樣， 可分別在犧牲圖案結構234和236之一中定義焊墊區域242b、244b、248b和249b中的兩 個。在目標(例如待蝕刻層)利用蝕刻掩模結構240被蝕刻之后，可在基板上提供圖 案結構陣列242a和244a。這里，圖案結構陣列具有與圖28所示的圖案結構陣列的構造 基板相同或相似的構造。圖31是俯視圖，示出包括圖28中的圖案結構陣列的NAND型閃存器件的單位單元。圖28所示的圖案結構陣列(例如第一陣列圖案222a、第二陣列圖案222b、第三 陣列圖案222c和第四陣列圖案222d)可用作NAND型閃存器件的字線390。在圖31中的NAND型閃存器件的形成中，隔離層圖案和有源圖案可通過與參照 圖18至21描述的工藝基本相同或相似的工藝形成在基板上。隧道絕緣層、第一柵極電 極層、電介質層和第二柵極電極層可順序形成在基板上。蝕刻掩模結構可通過與參照圖25和26描述的工藝基 本相同或相似的工藝形成在第二柵極電極層上。使用蝕刻掩模結 構，第二柵極電極層、電介質層和第一柵極電極層可被蝕刻，從而形成浮置柵極、電介 質層圖案和用作字線390的控制柵極。選擇晶體管可設置得鄰近于單元串的兩個端部。絕緣中間層形成在基板上以覆蓋字線390和選擇晶體管的柵極圖案391，然后第 一接觸插塞392可穿過絕緣中間層形成在與字線390連接的焊墊上。此外，第二接觸插 塞394可穿過絕緣中間層形成在選擇晶體管的柵極圖案391上。因此，NAND型閃存器 件可制造在基板上。圖32是平面圖，示出根據本發明的總的構思的示例實施方式的圖案結構陣列。參照圖32，圖案結構陣列包括布置在基板上的第一圖案250a和第二圖案250b。 第一和第二圖案250a和250b可彼此平行設置(例如第一和第二圖案250a和250b可彼此 平行地沿A方向延伸)。此外，第一和第二圖案250a和250b可交替布置在基板上。圖案結構陣列的第一圖案250a包括第一線圖案E、第一延伸線F和第一焊墊G。 第一圖案250a的第一線圖案E可沿第一方向(例如A方向)延伸且可具有第一寬度(例 如寬度可以在B方向上)。第一延伸線F可接觸第一線圖案E的端部。第一焊墊G可 與第一線圖案E的端部連接且可具有比第一寬度更大的寬度。第一焊墊G可具有隨后形 成在第一焊墊G上的用于傳輸信號的接觸焊墊的足夠的寬度。第一線圖案E的第一寬度 (例如沿B方向的寬度)可小于光刻工藝的臨界寬度。在本發明的總的構思的示例實施方式中，第一圖案250a的第一延伸線F可沿與 第一線圖案E的第一方向基本垂直的方向彎曲。第一圖案250a的第一焊墊G可具有從第 一焊墊G的側部延伸(例如沿B方向)的突出部分253。第一焊墊G的突出部分253可 為線形。突出部分253可沿相對于第一延伸線F的端部延伸的方向(例如B方向)平行 的方向(例如B方向)突出。第二圖案250b可通過預定距離與第一圖案250a相鄰地平行布置。圖案結構陣 列的第二圖案250b包括第二線圖案E'、第二延伸線F'和第二焊墊G'。第二線圖案 E'可相對于第一圖案250a的第一線圖案E平行延伸。第二圖案250b的第二線圖案E' 也可具有第一寬度(例如沿B方向)。第二延伸線F'可與第二線圖案E'的端部連接。 第二焊墊G'可接觸第二線圖案E'的端部。第二圖案250b的第二焊墊G'也可具有比 第二線圖案E'的第一寬度更大的寬度(例如沿B方向)。第二延伸線F'可至少部分地 沿相對于第二線圖案E'基本平行的方向(例如B方向)延伸。第二圖案250b的第二延伸線F'可沿與第二線圖案E'延伸的方向(例如A方 向)基本垂直的方向(例如B方向)彎曲。第二圖案250b的第二焊墊G'可以與第一圖 案250a的第一焊墊G相對。第二圖案250b的第二焊墊G'可具有從第二焊墊G'的側部 延伸(例如沿B方向)的突出部分253。第二焊墊G'的突出部分253可具有線形。第 二焊墊G'的突出部分253可沿相對于第二延伸線F'的端部延伸的方向(例如B方向) 基本平行的方向(例如B方向)突出。第二圖案250b的第二焊墊G'也可具有隨后形成 在第二焊墊G'上的用于傳輸信號的接觸焊墊的足夠的寬度。如圖32所示，第一圖案250a的第一延伸線F(例如沿B方向延伸)可垂直于第 二圖案250b的第二延伸線F'的一部分(例如沿A方向延伸)。第一和第二焊墊G和 G'可與第一和第二延伸線F和F'連接且可基本彼此平行地設置(例如，焊墊G和G'可以沿B方向彼此平行設置)。例如，第一和第二焊墊G和G'可沿相對于第一和第二 延伸線F和F'的方向基本平行的方向對稱布置。第一圖案250a的第一焊墊G可具有與 第二圖案250b的第二焊墊G'的形狀基本相同或相似的形狀。 在本發明的總的構思的示例實施方式中，多個第一和第二圖案250a和250b可分 別間隔開預定距離地布置在基板上。第一和第二圖案250a和250b可交替設置在基板上。 此外，第一和第二圖案250a和250b可具有彼此不同的長度(例如，沿A方向的長度)。 然而，第一和第二圖案250a和250b的每個可具有基本相同或相似的構造。圖33和34是俯視圖，示出形成圖32的圖案結構陣列的方法。在圖32所示的 圖案結構陣列的形成中，形成圖案結構的方法可與參照圖4A至12B描述的方法基本相同 或相似，除了犧牲圖案結構和第二光致抗蝕劑圖案的構造和位置以外。參照圖33，犧牲圖案結構260形成在位于基板上的待蝕刻目標上。犧牲圖案結 構260可彼此基本平行地布置于基板之上。盡管犧牲圖案結構260的長度可彼此不同， 但是犧牲圖案結構260可具有基本相同或相似的構造。犧牲圖案結構260可交替布置于 基板之上或者可以以參考線為中心對稱設置在目標上。在本發明的總的構思的示例實施方式中，每個犧牲圖案結構260包括第一犧牲 線260a、第一犧牲焊墊部分260b和第二犧牲焊墊部分260c。第一犧牲線260a可具有第 一寬度(例如沿B方向)且可沿第一方向(例如沿A方向)延伸。第一犧牲焊墊部分 260b可沿與第一犧牲線260a的第一方向(例如A方向)基本垂直的方向(例如B方向) 從第一犧牲線260a的端部彎曲。第二犧牲焊墊部分260c可從第一犧牲線260a的端部延 伸(例如沿B方向)。第二犧牲焊墊部分260c可在預定位置沿與第一犧牲線260a的第 一方向(例如A方向)基本垂直的方向(例如B方向)彎曲。第一和第二犧牲焊墊部分260b和260c可具有比第一犧牲線260a的第一寬度(例 如沿B方向)更大的寬度(例如沿B方向的寬度)。例如，第一和第二犧牲焊墊部分260b 和260c可分別具有與形成在第一和第二犧牲焊墊部分260b和260c上的焊墊的寬度相似 或更大的寬度。在本發明的總的構思的示例實施方式中，多個犧牲圖案結構260可形成于基板 之上。犧牲圖案結構260可彼此平行布置(例如，犧牲圖案結構沿A方向延伸)。犧牲 圖案結構260的犧牲線可分別具有不同的長度(例如，沿A方向的長度)。如上所述，形成在基板上的圖案結構陣列可具有與犧牲圖案結構260基本相同 或相似的構造。也就是說，圖案結構可具有由犧牲圖案結構260的構造確定的構造。參照圖34，蝕刻掩模結構270可通過與參照圖4A至12B描述的工藝基本相同 或相似的工藝形成在目標上。在圖34中，附圖標記272表示被與圖5A中的第二光致抗 蝕劑圖案基本相似的第二光致抗蝕劑圖案暴露的間隔物形成層的一部分。間隔物形成層 的暴露部分272可以利用第二光致抗蝕劑圖案被蝕刻，從而犧牲線的端部可以彼此分隔 開。因此，兩個焊墊區域274a和274b可通過將焊墊區域274a和274b中的線圖案的端 部分分開而定義在一個犧牲圖案結構260中。目標(例如待蝕刻層)利用蝕刻掩模結構270被蝕刻，從而可在基板上提供圖案 結構陣列。圖案結構陣列可具有與圖32所示的圖案結構陣列的構造基本相同或相似的構造。
圖35是俯視圖，示出包括圖32的圖案結構陣列的NAND型閃存器件的單位單元。圖32所示的圖案結構陣列可用作NAND型閃存器件的字線390。在圖32的NAND型閃存器件的形成中，隔離層圖案和有源圖案可通過與參照圖 18至21描述的工藝基本相同或相似的工藝形成在基板上。隧道絕緣層、第一柵極電極 層、電介質層和第二柵極電極層可以順序形成在基板上。蝕刻掩模結構可通過與參照圖33和34描述的工藝基本相同或相似的工藝形成在第二柵極電極層上。利用蝕刻掩模結 構，第二柵極電極層、電介質層和第一柵極電極層可被蝕刻，從而形成浮置柵極、電介 質層圖案和用作字線390的控制柵極。此外，選擇晶體管可設置得與單元串的兩端部相 鄰。絕緣中間層形成在基板上以覆蓋字線390和選擇晶體管的柵極圖案391，然后第 一接觸插塞392可穿過絕緣中間層形成在與字線360連接的焊墊上。此外，第二接觸插 塞394可穿過絕緣中間層形成在選擇晶體管的柵極圖案391上。這樣，NAND型閃存器 件可制造在基板上。圖36是俯視圖，示出根據第五實施例的圖案結構陣列。參照圖36，圖案結構陣列280包括布置在基板上的第一圖案280a和第二圖案 280b。第一和第二圖案280a和280b可彼此平行地設置在基板上。圖案結構陣列的第一圖案280a包括第一線圖案E、第一延伸線F和第一焊墊G。 第一圖案280a的第一線圖案E可沿第一方向(例如沿A方向)延伸且可具有第一寬度(例 如該寬度可以在B方向上)。第一延伸線F可接觸第一線圖案E的端部。第一圖案280a 的第一焊墊G可連接第一線圖案E的端部且可具有比第一寬度更大的寬度(例如沿B方 向)。第一焊墊G可具有隨后形成在第一圖案280a的第一焊墊G上的用于傳輸信號的接 觸焊墊的足夠的寬度。第一圖案280a中的第一線圖案E的第一寬度(例如沿B方向)可 以小于光刻工藝的臨界寬度。在本發明的總的構思的示例實施方式中，第一圖案280a的第一焊墊G可具有從 第一焊墊G的側部延伸的突出部分253。第一焊墊G的突出部分253可具有線形。第一 焊墊G的突出部分253可沿相對于第一延伸線F的端部延伸的方向(例如B方向)基本 平行的方向(例如B方向)突出。第二圖案280b可與第一圖案280a相鄰且間隔開預定距離地平行布置。圖案結構 陣列的第二圖案280b包括第二線圖案E'、第二延伸線F'和第二焊墊G'。第二圖案 280b的第二線圖案E'可相對于第一圖案280a中的第一線圖案E的第一方向(例如A方 向)平行延伸。第二圖案280b的第二線圖案E'也可具有第一寬度(例如沿B方向)。 第二延伸線F'可連接第二線圖案E'的端部。第二焊墊G'可接觸第二延伸線F'的端部。第二圖案280b的第二焊墊G'也 可具有從第二焊墊G'的側部延伸(例如沿A方向)的突出部分284。第二焊墊G'的 突出部分284可具有線形。第二焊墊G'的突出部分284可沿相對于第二延伸線F'的端 部延伸的方向(例如A方向)平行的方向(例如A方向)突出。第二圖案280b的第二 焊墊G'也可具有隨后形成在第二焊墊G'上的用于傳輸信號的接觸焊墊的足夠的寬度。如圖36所示，第一圖案280a的第一焊墊G可布置得基本平行于第二圖案280b的第二焊墊G'。也就是 說，第一焊墊G和第二焊墊G'兩者可都沿A方向延伸且彼此平 行。此外，第一圖案280a的第一延伸線F(例如沿B方向延伸)可垂直于第二圖案280b 的第二延伸線F'(例如沿A方向延伸)。在本發明的總的構思的示例實施方式中，多個第一和第二圖案280a和280b可分 別以預定距離布置在基板上。第一和第二圖案280a和280b可交替設置在基板上。第一 和第二圖案280a和280b可具有彼此不同的長度(例如沿A方向的長度)，然而，第一和 第二圖案280a和280b的每個可具有基本相同或相似的構造。下面將參照附圖描述形成圖36的圖案結構陣列的方法。圖37和38是俯視圖，示出形成圖36的圖案結構陣列的方法。在圖37和38 中，形成圖案結構的方法可與參照圖4A至12B描述的方法基本相同或相似，除了犧牲圖 案結構和第二光致抗蝕劑圖案的構造和位置之外。參照圖37，犧牲圖案結構290形成在基板上。各犧牲圖案結構290可彼此平行 布置。犧牲圖案結構290可具有不同的長度，而犧牲圖案結構290的構造可彼此相似或 基本相同。犧牲圖案結構290可周期性設置于基板上，或者可以預定線為中心對稱布置 于基板上。每個犧牲圖案結構290包括第一犧牲線290a、第一犧牲焊墊部分290b和第二犧 牲焊墊部分290c。犧牲線290a可具有第一寬度(例如沿B方向的寬度)且沿第一方向 (例如A方向)延伸。第一犧牲焊墊部分290b可包括沿與第一方向(例如A方向)基 本垂直的方向(例如B方向)從犧牲線290a的端部延伸的一個部分。第一犧牲焊墊部分 290b的另一部分可沿相對于第一方向(例如A方向)基本平行的方向(例如A方向)彎 曲。第二犧牲焊墊部分290c可沿第一方向(例如A方向)從第一犧牲線290a的端部延 伸。每個第一和第二犧牲焊墊部分290b和290c可具有比犧牲線290a的第一寬度相 對更大的寬度(例如沿B方向)。第一和第二犧牲焊墊部分290b和290c可具有與形成 在其上的焊墊的寬度基本相似或比之更大的寬度。在本發明的總的構思的示例實施方式 中，多個犧牲圖案結構290可設置于基板上。這里，犧牲圖案結構290的犧牲線可具有 彼此不同的長度(例如沿A方向)。如上所述，圖案結構可具有根據犧牲圖案結構290的形狀而改變的最終構造。參照圖38，通過與參照圖4A至12B描述的工藝相似或基本相同的工藝，基于犧 牲圖案結構290，在基板上形成蝕刻掩模300。在圖38中，附圖標記302表示表示被通過 參照圖5A描述的工藝形成的第二光致抗蝕劑圖案暴露的蝕刻掩模結構300的一部分。附 圖標記362可以是通過被第二光致抗蝕劑圖案暴露的蝕刻掩模結構300形成的柵極電極。 蝕刻掩模結構300的暴露部分302可利用第二光致抗蝕劑圖案被蝕刻，從而焊墊部分304a 和304b的端部可分隔開，由此從一個犧牲圖案結構290定義兩個焊墊部分304a和304b。利用蝕刻掩模結構300，下面的待蝕刻層可被部分蝕刻從而形成具有與參照圖 36描述的圖案結構陣列的構造相似或基本相同的構造的圖案結構陣列。圖39是俯視圖，示出包括圖36的圖案結構陣列的NAND型閃存器件的單位單元。如圖39所示，參照圖36描述的圖案結構陣列可以是NAND型閃存器件的字線390。在NAND型閃存器件的制造中，通過與參照圖18和19描述的工藝基本相同或 相似的工藝，隧道絕緣層和第一柵極電極層可形成在基板上，然后隔離層圖案可形成在 基板上以定義基板的有源區和隔離區。電介質層和第二柵極電極層可通過與參照圖20描述的工藝基本相同或相似的工 藝形成在第一柵極電極層和隔離層圖案上。蝕刻掩模可通過與參照圖37和38描述的工 藝基本相同或相似的工藝設置在第二柵極電極層上。第二柵極電極層、電介質層和第一 柵極電極層可利用蝕刻掩模被部分蝕刻，從而可以獲得對應于控制柵極的字線390。選擇 晶體管可設置得臨界單元串的兩個端部。絕緣中間層可形成得覆蓋字線390和選擇晶體管的柵極圖案391。第一接觸插 塞392和第二接觸插塞394可以形成得穿過絕緣中間層。第一接觸插塞392可接觸連接 到控制柵極的焊墊，第二接觸插塞394可直接接觸柵極圖案391。圖40是框圖，示出包括根據示例實施方式的圖案結構陣列的存儲系統。參照圖40，存儲系統550包括主機500、存儲控制器510和閃存器件520。存儲控制器510可用作主機500與閃存器件520之間的接口。存儲控制器510 包括緩沖存儲器510a。此外，存儲控制器510可包括中央處理單元(CPU)、只讀存儲器 (ROM)、隨機存取存儲器(RAM)、接口塊等。閃存器件520包括單元陣列522、解碼器524、頁緩沖526、位線選擇電路528、 數據緩沖530和控制單元532。在本發明的總的構思的示例實施方式中，數據、地址信號和寫指令可從主機500 傳輸到存儲控制器510中。存儲控制器510可控制閃存器件520以根據輸入指令寫數據 到單元陣列522中。此外，存儲控制器510可控制閃存器件520以用于基于從主機500 傳輸的讀指令讀取存儲于單元陣列522中的數據。數據緩沖530可臨時存儲主機500和 閃存器件520之間傳輸的數據。閃存器件520的單元陣列522包括多個存儲單元。解碼器524可通過字線WL0、 WLU…、WLn與單元陣列522電連接。解碼器524可接收來自存儲控制器510的地址信 號，然后解碼器524可產生選擇信號用于選擇字線WLO、WLU…、WLn或位線BLO、 BLU…、BLn之一。頁緩沖526可通過位線BLO、BLU…、BLn電連接到單元陣列 522。在本發明的總的構思的示例實施方式中，閃存器件520可包括具有微小圖案和 連接到微小圖案的端部的焊墊的圖案結構。閃存器件520中的每個圖案結構可具有與上 述圖案結構之一的構造相似或基本相同的構造。例如，閃存器件中的每條字線或每條位 線可包括與上述圖案結構陣列之一相似或基本相同的圖案結構陣列。 在本發明的總的構思的示例實施方式中，存儲系統550可額外包括動態隨機存 取存儲器(DRAM)和/或靜態隨機存取存儲器(SRAM)器件。此外，包括在DRAM器件 和/或SRAM器件中的圖案結構可具有與上述圖案結構的構造相似或基本相同的構造。 例如，DRAM器件和/或SRAM器件中的每條字線或每條位線可包括與上述圖案結構陣 列之一相似或基本相同的圖案結構陣列。根據本一般發明概念，具有微小圖案和連接到微小圖案的端部的焊墊的圖案結構，或者所述圖案結構 的圖案結構陣列可通過簡化的工藝容易地獲得。圖案結構和/或 圖案結構陣列可廣泛用于各種半導體器件例如易失性半導體器件或非易失性半導體器件 中。前面是對示例實施方式的舉例說明，不應理解為對示例實施方式的限制。盡管 已經描述了數個示例實施方式，但是本領域技術人員將容易地意識到，在示例實施方式 中許多修改是可行的而本質上沒有偏離示例實施方式的新穎教導和優點。因此，所有這 樣的修改意在包括在權利要求書定義的本發明概念的范圍內。在權利要求書中，裝置加 功能條款意在覆蓋這里描述為進行所述功能的結構以及結構上的等價物和等效的結構。 因此，將理解，前面是對發明概念的舉例說明，不應理解為局限于這里公開的具體實施 方式，對所公開的示例實施方式以及其他示例實施方式的修改意在包括于所附權利要求 的范圍內。發明概念由所附權利要求和權利要求書中包括的權利要求的等價物定義。本申請要求2009年9月15日向韓國知識產權局提交的韓國專利申請 No.2009-0086808的權益，在此通過引用而全部引入其公開內容。
權利要求
1.一種半導體器件的圖案結構，包括 線圖案單元，形成在基板上以傳輸數據；以及焊墊，形成為連接到該線圖案單元以接收和輸出所述數據，所述焊墊具有定義該焊 墊的形狀的周邊線，且具有形成在該周邊線中的凹陷部分。
2.如權利要求1所述的圖案結構，其中該線圖案單元包括 線圖案；以及延伸單元，設置在該線圖案和該焊墊之間且具有與該線圖案和該焊墊中的至少一個 不同的寬度。
3.如權利要求2所述的圖案結構，其中該線圖案連接到該延伸單元且關于該延伸單元與該焊墊相反地設置；且 該延伸單元沿與該線圖案和該焊墊中的至少一個不同的方向設置。
4.如權利要求2所述的圖案結構，其中該延伸單元包括兩個末端，所述兩個末端連接到周邊線的相反末端；以及 該凹陷部分連接到該延伸單元的所述兩個末端之一。
5.如權利要求2所述的圖案結構，其中該延伸單元包括兩個線末端，所述兩個線末端連接到周邊線的相反末端，且該延伸 單元具有與該焊墊的該周邊線的對應相反末端的寬度相同的寬度。
6.如權利要求2所述的圖案結構，其中 該延伸單元具有一寬度；且該焊墊具有關于該線圖案與該延伸單元的寬度不同的可變寬度。
7.如權利要求2所述的圖案結構，其中 該焊墊的凹陷部分與該延伸單元相鄰設置。
8.如權利要求2所述的圖案結構，其中該周邊線包括直接連接到該延伸單元的一個末端和通過該凹陷部分連接到該延伸單 元的另一末端。
9.如權利要求1所述的圖案結構，其中該焊墊關于該線圖案的縱向具有恒定寬度和可變寬度；且 該可變寬度對應于該凹陷部分。
10.如權利要求1所述的圖案結構，其中該周邊線包括連接到該線圖案單元的對應末端的兩個末端以及連接到該兩個末端以 定義該焊墊的形狀的線。
11.如權利要求10所述的圖案結構，其中 該凹陷部分形成在該周邊線的所述線上。
12.如權利要求10所述的圖案結構，其中該凹陷部分設置于該周邊線的所述末端之一和所述線之間。
13.如權利要求1所述的圖案結構，其中該焊墊的周邊線包括連接到該線圖案單元的一個末端的末端和連接到該凹陷部分的 一個末端的另一末端；且該凹陷部分具有連接到該線圖案單元的另一末端的另一末端。
14.如權利要求1所述的圖案結構，其中該焊墊包括具有恒定寬度的第一部分和根據該凹陷部分的位置在一方向上具有可變 寬度的第二部分。
15.如權利要求1所述的圖案結構，其中 該焊墊的周邊線形成該焊墊的區域；且該焊墊的區域具有第一部分和第二部分，在該第一部分中，該區域的寬度沿與該線 圖案單元的縱向平行的方向不變化，在該第二部分中，該區域的寬度沿與該線圖案單元 的縱向平行的方向根據距該線圖案單元的距離而改變。
16.如權利要求1所述的圖案結構，其中該焊墊包括將該周邊線連接到該線圖案單元的連接部分； 該連接部分在第一區域中彎曲；且 該凹陷部分在比該第一區域大的第二區域中彎曲。
17.如權利要求1所述的圖案結構，其中該焊墊包括連接到該線圖案單元的連接部分；且 該凹陷部分設置于與該連接部分不同的區域中。
18.如權利要求1所述的圖案結構，其中該焊墊具有連接到該線圖案單元的連接部分；且 該凹陷部分連接于該連接部分的末端之間。
19.如權利要求1所述的圖案結構，其中該焊墊包括具有第一末端和第二末端的連接部分，該第一末端連接于該線圖案單元 與該周邊線的一個末端之間，該第二末端連接于該線圖案單元與該凹陷部分的一個末端 之間。
20.如權利要求1所述的圖案結構，其中 該焊墊包括至少四個側面；該周邊線定義該四個側面中的三個；且該凹陷部分定義該四個側面中的剩余一個。
21.如權利要求1所述的圖案結構，還包括 突出部，設置于該凹陷部分和該周邊線之間。
22.如權利要求1所述的圖案結構，還包括突出部，從該凹陷部分和該周邊線突出一長度。
23.如權利要求22所述的圖案結構，其中 該長度短于該凹陷部分和該周邊線之一的長度。
24.如權利要求22所述的圖案結構，其中 該長度短于該焊墊的最小寬度。
25.如權利要求22所述的圖案結構，其中 該長度長于該線圖案單元的寬度。
26.如權利要求22所述的圖案結構，其中 該突出部具有比該長度更窄的寬度。
27.如權利要求22所述的圖案結構，其中 該突出部具有比該凹陷部分的長度更窄的寬度。
28.如權利要求22所述的圖案結構，其中 該線圖案單元沿一方向設置；且該突出部沿另一方向設置。
29.如權利要求22所述的圖案結構，其中該線圖案單元包括沿第一方向形成的線圖案和在該線圖案和該焊墊之間沿第二方向 形成的延伸部分；且該突出部沿該第一方向和該第二方向之一形成。
30.—種半導體器件的圖案結構，包括 線圖案，形成在基板上且具有第一寬度；延伸線，形成在該基板上，從該線圖案沿一方向延伸，且具有第二寬度；以及 焊墊，形成在形成于該基板上的該延伸線的端部，具有第三寬度，且具有凹陷部分 和突出部。
31.—種半導體器件的圖案結構，包括線圖案，沿第一方向設置且具有第一寬度；延伸線，從該線圖案延伸，且具有第二寬度；焊墊，形成在該延伸線的端部，且具有第三寬度；以及突出部分，從該焊墊的一部分沿該第一方向和與該第一方向具有一角度的第二方向 中的一個突出。
32.—種半導體器件的圖案結構，包括線圖案，形成在基板上，從該基板的第一位置沿一方向延伸，且具有第一寬度； 延伸線，從該線圖案的端部延伸且具有第二寬度；焊墊，形成在該基板的第二位置上，沿另一方向從該延伸線延伸，且具有第三寬 度；以及突出部分，沿所述一方向和另一方向之一從該焊墊突出，其中該基板的第一位置能連接到內部電路，該基板的第二位置能連接到外部電路以 驅動該內部電路。
33.—種半導體器件的圖案結構，包括 線圖案，形成在基板上且具有第一寬度；延伸線，從該線圖案的端部延伸且具有第二寬度；焊墊，形成在該延伸線的端部且具有第三寬度和比該第三寬度更窄的第四寬度；以及突出部，從該焊墊的該第四寬度的部分突出。
34.—種半導體器件的圖案結構，包括線圖案，沿第一方向設置且在與該第一方向有一角度的第二方向上具有第一寬度； 延伸線，沿該第二方向從該線圖案延伸且在該第一方向上具有比該第一寬度更寬的 第二寬度；以及焊墊，形成在該延伸線的端部，具有比該第二寬度更寬的第三寬度，且具有形成有 凹陷部分的周邊表面。
35.—種半導體器件的圖案結構，包括第一圖案結構，具有第一線圖案單元和連接到該第一線圖案單元并具有第一凹陷部 分的第一焊墊；以及第二圖案結構，具有平行于該第一線圖案單元設置的第二線圖案單元和連接到該第 二線圖案單元并具有面對該第一凹陷部分的第二凹陷部分的第二焊墊。
36.—種半導體器件的圖案結構，包括第一圖案結構，具有第一線圖案單元和連接到該第一線圖案單元并具有第一突出的 第一焊墊；以及第二圖案結構，具有第二線圖案單元和連接到該第二線圖案單元并具有面對該第一 突出設置的第二突出的第二焊墊。
37.—種半導體器件的圖案結構，包括第一圖案結構，具有第一線圖案、從該第一線圖案延伸的第一延伸線、以及第一焊 墊，該第一焊墊連接到該第一延伸線并具有周邊線、凹陷部分和設置于該周邊線和該凹 陷部分之間的突出部；以及第二圖案結構，與該第一圖案結構相鄰設置，該第二圖案結構具有第二線圖案、從 該第二線圖案延伸的第二延伸線、以及第二焊墊，該第二焊墊連接到該第二延伸線且具 有第二周邊線、第二凹陷部分和設置于該第二周邊線和該第二凹陷部分之間的第二突出 部。
38.—種半導體器件的圖案結構，包括連接到控制器的第一圖案結構，該第一圖案結構包括第一線圖案，沿第一方向設置且具有沿與該第一方向有一角度的第二方向的第一寬度；第一延伸線，沿該第二方向從該第一線圖案延伸且具有比該第一寬度更大的沿該第 一方向的第二寬度；以及第一焊墊，形成在該第一延伸線的端部且具有比該第二寬度更大的第三寬度；以及 面對該第一圖案結構設置且連接到該控制器的第二圖案結構，該第二圖案結構包括第二線圖案，形成在基板上且具有第四寬度；第二延伸線，從該第二線圖案的端部延伸且具有第五寬度；第二焊墊，形成在該第二延伸線的端部且具有第六寬度和比該第六寬度更窄的第七 寬度；以及突出部，從該第二焊墊的該第七寬度的部分突出。
39.—種半導體器件的圖案結構，包括形成在基板的第一位置上的第一圖案結構，該第一圖案結構包括第一線圖案，沿第一方向設置且具有沿與該第一方向有一角度的第二方向的第一寬度；第一延伸線，沿該第二方向從該第一線圖案延伸且具有比該第一寬度更大的沿該第 一方向的第二寬度；以及第一焊墊，形成在該第一延伸線的端部上且具有比該第二寬度更大的第三寬度；以及形成在該基板的第二位置上的第二圖案結構，該第二圖案結構包括 第二線圖案，沿該第一方向設置且具有沿與該第一方向有一角度的第二方向的第四 寬度；第二延伸線，沿該第二方向從該第二線圖案延伸且具有比該第一寬度更大的沿該第 一方向的第五寬度；以及第二焊墊，形成在該第二延伸線的端部上且具有比該第五寬度更大的第六寬度。
40.—種電子裝置，包括 半導體器件，包括基板，具有存儲數據的存儲單元；以及連接到該存儲單元與驅動器之間以驅動該存儲單元的圖案結構，該圖案結構包括 形成在基板上以傳輸數據的線圖案單元和形成為連接到該線圖案單元以接收和輸出所述 數據的焊墊，該焊墊具有定義該焊墊的形狀的周邊線且具有形成在該周邊線中的凹陷部 分；進行操作的功能單元；以及控制器，控制該半導體器件以讀取和寫入所述數據，且控制該功能單元根據所述數 據進行所述操作。
41.一種形成半導體器件的圖案結構的方法，該方法包括 在基板上形成傳輸數據的線圖案單元；以及形成連接到該線圖案單元以接收和輸出所述數據的焊墊，該焊墊具有定義該焊墊的 形狀的周邊線且具有形成在該周邊線中的凹陷部分。
42.一種形成半導體器件的圖案結構的方法，該方法包括 在基板上形成具有第一寬度的線圖案；在該基板上形成延伸線，該延伸線沿一方向從該線圖案延伸且具有第二寬度；以及 在形成于該基板上的該延伸線的端部形成焊墊，該焊墊具有第三寬度且具有凹陷部 分和突出部。
43.一種形成半導體器件的圖案結構的方法，該方法包括 形成沿第一方向設置且具有第一寬度的線圖案；形成從該線圖案延伸且具有第二寬度的延伸線； 在該延伸線的端部形成具有第三寬度的焊墊；以及形成沿該第一方向和與該第一方向有一角度的第二方向之一從該焊墊的一部分突出 的突出部。
44.一種形成半導體器件的圖案結構的方法，該方法包括在基板上形成線圖案，該線圖案沿一方向從該基板的第一位置延伸且具有第一寬度；形成從該線圖案的端部延伸且具有第二寬度的延伸線；形成焊墊，該焊墊形成在該基板的第二位置上，沿另一方向從該延伸線延伸，且具 有第三寬度；以及形成沿所述一方向和另一方向之一從該焊墊突出的突出部，其中該基板的第一位置能連接到內部電路，該基板的第二位置能連接到外部電路以驅動該內部電路。
45.一種形成半導體器件的圖案結構的方法，該方法包括 在基板上形成具有第一寬度的線圖案；形成從該線圖案的端部延伸且具有第二寬度的延伸線；在該延伸線的端部上形成焊墊，該焊墊具有第三寬度和比該第三寬度更窄的第四寬 度；以及形成從該焊墊的該第四寬度的一部分突出的突出部分。
46.一種形成半導體器件的圖案結構的方法，該方法包括形成線圖案，該線圖案沿第一方向設置且具有在與該第一方向有一角度的第二方向 上的第一寬度；形成延伸線，該延伸線沿該第二方向從該線圖案延伸且具有比該第一寬度更寬的在 該第一方向上的第二寬度；以及形成焊墊，該焊墊形成在該延伸線的端部，具有比該第二寬度更大的第三寬度，且 具有形成有凹陷部分的周邊表面。
47.一種形成半導體器件的圖案結構的方法，該方法包括 在基板上形成傳輸數據的線圖案單元；以及形成連接到該線圖案單元的焊墊以接收和輸出所述數據，該焊墊具有定義該焊墊的 至少一部分的形狀的周邊線，具有形成在該周邊線上的凹陷部分和設置于該凹陷部分和 該周邊線之間的突出部。
48.一種形成半導體器件的圖案結構的方法，該方法包括 在基板上形成待蝕刻層；在該待蝕刻層的預定部分上形成作為光致抗蝕劑膜的犧牲層； 在該犧牲層和該待蝕刻層上形成間隔物形成層；在該間隔物形成層上形成作為第二光致抗蝕劑膜的第二犧牲層，該第二犧牲層具有 暴露該間隔物形成層的一部分的第一開口；通過該間隔物形成層的該第一開口蝕刻部分該第二犧牲層以形成第二開口； 蝕刻殘留的第二犧牲層； 去除部分該間隔物形成層以形成圖案；以及 根據該圖案蝕刻部分該待蝕刻層以形成圖案結構。
49.如權利要求48所述的方法，其中該圖案結構包括 線圖案單元，形成在基板上以傳輸數據；以及焊墊，形成為連接到該線圖案單元以接收和輸出所述數據，所述焊墊具有定義該焊 墊的形狀的周邊線，且具有形成在該周邊線上的凹陷部分。
50.一種形成半導體器件的圖案結構的方法，該方法包括形成第一圖案結構，該第一圖案結構具有第一線圖案單元和連接到該第一線圖案單 元且具有第一凹陷部分的第一焊墊；以及形成第二圖案結構，該第二圖案結構具有平行于該第一線圖案單元設置的第二線圖 案單元以及連接到該第二線圖案單元且具有面對該第一凹陷部分的第二凹陷部分的第二 焊墊。
51.一種形成半導體器件的圖案結構的方法，該方法包括形成第一圖案結構，該第一圖案結構具有第一線圖案單元和連接到該第一線圖案單 元且具有第一突出部的第一焊墊；以及形成第二圖案結構，該第二圖案結構具有第二線圖案單元以及連接到該第二線圖案 單元且具有面對該第一突出部設置的第二突出部的第二焊墊。
52.一種形成半導體器件的圖案結構的方法，該方法包括形成第一圖案結構，該第一圖案結構具有第一線圖案、從該第一線圖案延伸的第一 延伸線、以及連接到該第一延伸線的第一焊墊，該第一焊墊具有周邊線、凹陷部分、以 及設置在該周邊線和該凹陷部分之間的突出部；以及形成與該第一圖案結構相鄰地設置的第二圖案結構，該第二圖案結構具有第二線圖 案、從該第二線圖案延伸的第二延伸線、以及連接到該第二延伸線的第二焊墊，該第二 焊墊具有第二周邊線、第二凹陷部分、以及設置在該第二周邊線和該第二凹陷部分之間 的第二突出部。
全文摘要
本發明提供一種半導體器件中的圖案結構及其形成方法。該圖案結構包括延伸線和與該延伸線的端部連接的焊墊。該焊墊可具有比該延伸線的寬度更大的寬度。該焊墊包括從該焊墊的側部延伸的突出部分。該圖案結構可通過簡化的工藝形成且可用于需要微小圖案和焊墊的各種半導體器件中。
文檔編號H01L23/498GK102024779SQ20101028294
公開日2011年4月20日 申請日期2010年9月15日 優先權日2009年9月15日
發明者李宰翰, 沈載煌, 金建秀, 閔在豪 申請人:三星電子株式會社