專利名稱：用于存儲多位值的只讀存儲單元的制作方法
技術領域：
本發明涉及ROM位單元以及它們的制造方法。
背景技術：
ROM單元用于永久地存儲值，使得在斷電時所存儲的值不丟失。ROM單元傳統上已 經存儲了單位值。由位單元列構成的高密度ROM位單元陣列已經通過實現在同一列中的鄰 近位單元共享到鄰近位線或虛地線的源極/漏極連接的布置而被獲得了。在美國專利5，917，224中，公開了一種緊湊ROM矩陣，其中兩個鄰近列的位單元 共享虛地線。圖9示意地示出了所公開的布置。ROM位單元陣列100由按列布置的晶體管 112構成，只示出了其中的三個(114、116和118)。高密度單元在垂直方向上依靠共享源極 或漏極(本文統稱為“漏極”)連接的每列中的鄰近位單元被獲得。這些漏極連接將每列中 的每個晶體管連接到與鄰近列的晶體管共享的虛地線，或連接到與那個特定列唯一相關聯 的位線。例如，在列118中示出的兩個晶體管112a和112b共享到位線BL2的共漏極連接。 晶體管112a與它上面的晶體管共享到虛地線120的漏極連接，而晶體管112b與它下面的 晶體管共享到位線BL2的漏極連接。每個晶體管通過連接到同一線(位或虛地)的其漏極 連接，或者通過連接到每種線的一個漏極連接，編碼邏輯“0”或“1”。由此，當特定位線被充 電(例如BL2)并且特定字線啟用(例如WL1)時，則位于那些線交叉處的晶體管(在這個示 例中是晶體管112a)將表明通過在虛地線120上對位線BL2放電而由其漏極連接編碼的邏 輯“0”。相反，如果代替地是字線WL2啟用(以便讀取晶體管112b)，則不會發生位線的顯著 放電(晶體管112b的兩個漏極都連接到同一線)，指示由其漏極連接編碼的邏輯“1” (將 理解，上面描述的“1”和“0”的編碼只是一種慣例選擇，并且可以反過來，無關緊要)。列 116和118共享虛地線120，并分別具有它們自己的位線BL1和見2。類似地，列114與其左 邊的晶體管列(未示出)共享虛地線122，并具有其自己的專用位線Β‘由字線化、WLp WL2和WL3按行開關晶體管112。為清晰起見，字線未全部示出。諸如上面描述的系統中位單元的設計已經集中在如何減小單元的面積。然而，這 些單元的陣列所占據的面積也可通過允許它們存儲多個位值并由此減少所需數量來改進。US6636434公開了已經設計成存儲多位值的ROM位單元。它類似于圖9的器件，但 具有多個位線和對應的互補位線，并可通過連接到適當的線將多位值存儲在單個單元中。 通過使用讀出放大器(sense amplifier)讀出(sense)位線與其互補位線之間的電壓電平 之差來讀取所存儲的值。由此，對于單元可存儲的每個附加位，需要位線及其互補位線和附 加讀出放大器電路，這在面積上是代價高的。期望提供多位ROM單元，而無需增大單元面積或過度需要的輸出器件的成本。
發明內容
本發明的第一方面提供一種用于存儲多位值的只讀存儲單元，所述只讀存儲單元 包括至少三個輸出線，所述至少三個輸出線中的每個表示不同的多位值；開關器件，其連接在所述至少三個輸出線中單個線與用于供應預定電壓的電壓源之間或被連接到所述電 壓源但不連接到所述至少三個輸出線中的任一個，并配置成響應于開關信號提供所述預定 電壓與所述至少三個輸出線中所述單個線之間的電連接或不提供所述預定電壓與所述至 少三個輸出線中的任一個之間的電連接，所述連接的輸出線的電壓響應于到所述預定電壓 的連接而切換值，并由此選擇由所述輸出線表示的所述多位值；以及輸出器件，用于輸出所 述選擇的多位值。本發明通過給ROM單元提供多個預解碼輸出線來提供可存儲多位值的所述ROM單 元，這些輸出線中的每個表示不同的多位值。這允許單元只是通過提供到適當輸出線的連 接來存儲期望的多位值。這具有另外的優點，因為值的存儲通過連接到輸出線進行，因此只是這個輸出線 的選擇需要被檢測來檢測所存儲的值，這與像在現有技術器件中檢測位線及其互補位線的 電壓電平之差相反，并且這更容易檢測。由此，通過提供預解碼輸出線和對應的輸出器件，生成可存儲多位值的位單元。在一些實施例中，所述輸出器件配置成響應于沒選擇所述至少三個輸出線中的任 何一個而輸出另外的多位值。雖然在一些實施例中，存在用于位單元可存儲的多位值中的每一個的輸出線，但 是在一些實施例中，存在少了一個(one fewer)，并且沒選擇輸出線由輸出器件解碼成對應 于選擇未由任一輸出線表示的預定多位值。用這種方式，可提供附加輸出值，而無需增加輸 出線的數量。應該注意，輸出線的數量隨著單元可存儲的位數η增大，并且一般為至少2η_1。在一些實施例中，所述輸出器件包括對在兩個值之間的進行切換的信號進行響應 的邏輯門。因為只是線的選擇需要被檢測，即，那個線到預定電壓的連接，因此包括簡單邏輯 門的數字檢測器件可用作輸出器件以檢測和輸出值。用這種方式，不再需要對于檢測兩個 互補線之間的電壓電平的模擬變化的讀出放大器。這提供了優于現有技術器件的面積上的 大大節省。雖然開關器件可以是許多東西，但在一些實施例中，它包括晶體管。晶體管是簡單的面積有效率的開關器件，并通常用于形成ROM單元。在一些實施例中，所述開關器件包括具有柵極和兩個漏極的MOS晶體管，第一漏 極連接到所述預定電壓，并且第二漏極連接到所述至少三個輸出線之一或一個也不連接。布置晶體管的常規方式是將一個漏極(有時稱為源極)連接到預定電壓，而另一 個漏極連接到輸出線。在一些實施例中，所述第一漏極通過金屬化層連接而連接到所述預定電壓。本發明實施例的另外優點是，可由金屬化層連接進行連接。在一些實施例中，所述第二漏極通過金屬化層連接而連接到所述多個輸出線之一。當形成到輸出線的連接以編程只讀存儲單元時，如果可由金屬化層進行到所選輸 出線的連接是非常有利的。金屬化層連接當編程這些電路時實現起來比通過通路連接便 宜，這是因為通路掩模實現起來昂貴，并且由此，創建用于金屬化層的新掩模比創建新通路掩模便宜相當多。在一些實施例中，所述至少三個輸出線中的至少一些包括在布置成一個在另一個 之上的不同金屬化層中的線，所述第二漏極具有用于經所述金屬化層到所選輸出線的連接 的對應層。雖然可用許多方式布置輸出線，但如果它們中的至少一些設置在布置成一個在另 一個之上的不同層中，其中連接到它們之一的晶體管的漏極具有對應層，使得金屬化連接 可只是形成在漏極與所需輸出線之間，則是方便的。應該注意，可布置成一個在另一個之上 的輸出線的數量取決于形成單元的方式。由此，可能方便的是，兩位單元具有布置成一個在 另一個之上的三個或四個輸出線，而三位單元則需要七個輸出線。可能還方便的是，將三個 或四個輸出線布置成一個在另一個之上，并通過將輸出線布置在形成單元的晶體管的任一 側上生成所需的七個輸出線。在一些實施例中，所有所述至少三個輸出線都布置成一個在另一個之上，并且所 述輸出線延伸到相鄰單元中。如果輸出線僅提供在單元的一側上，則它們可延伸到陣列中的下一單元中，因為 在形式上一樣(即便在連接上不一樣)的該單元在交疊側上不會有輸出線。這樣，可以產 生縮小面積的單元。然而，如果位單元在晶體管的兩側上都有輸出線，則它們不能延伸到相 鄰單元中。本發明的第二方面提供包括多個根據本發明第一方面的只讀存儲單元的存儲器， 每個只讀存儲單元與相鄰存儲單元共享到所述預定電壓的連接，使得一個單元的所述第一 漏極連接到所述相鄰單元的所述第一漏極，所述兩個相鄰單元的所述第二漏極與其它單元 的漏極分開，并連接到所述輸出線之一或一個也不連接。當將這些只讀存儲單元連接在一起形成存儲器時，兩個相鄰單元可共享漏極，但 用這種方式可將不多于兩個的單元連接在一起。這意味著，例如與在US5，917，224中公開 的器件相比，限制了從連接相鄰單元的漏極的面積節省。然而這是不利的，這種不利大于能 夠存儲多位值并且不需要讀出放大器檢測所存儲的值的這些單元所減輕的不利。在一些實施例中，所述多個只讀單元布置成陣列，所述只讀單元陣列的每列共享 所述至少三個輸出線，一行單元連接起來接收同一開關信號，并響應于所述接收的開關信 號來均輸出所述存儲的多位值。本發明的第三方面提供一種用于存儲多位值的只讀位單元的制造方法，包括形 成至少三個輸出線，所述至少三個輸出線中的每個表示不同的多位值；將開關器件連接在 所述至少三個輸出線中單個線與預定電壓之間或將所述開關器件連接到所述電壓源但不 連接到所述至少三個輸出線中的任一個，所述開關器件配置成響應于開關信號提供所述預 定電壓與所述連接的至少三個輸出線中所述單個線之間的電連接或不提供所述預定電壓 與所述至少三個輸出線中的任一個之間的電連接，并由此選擇由所述輸出線表示的所述多 位值；提供根據所選的所述輸出線輸出所述選擇的多位值的輸出器件。本發明的以上和其它目的、特征和優點根據結合附圖閱讀的說明性實施例的如下 詳細描述將變得顯而易見。
圖1示意性示出根據本發明實施例的多位ROM單元；圖2示意性示出根據本發明不同實施例的多位ROM單元；圖3示出根據本發明實施例的包括多個多位ROM單元的存儲器的一部分；圖4a以布局形式示出根據本發明實施例的設計成存儲兩位數的多位ROM單元；圖4b以布局形式示出根據本發明實施例的設計成存儲三位數的多位ROM單元；圖5a示出沿圖4a單元的線XX的截面；圖5b示出沿圖4b單元的線XX的截面；圖6示出布置成形成存儲器陣列的圖4的多個單元；圖7以布局形式示出圖4a的層；圖8示出了說明根據本發明實施例的多位ROM單元制造方法中的各步驟的流程圖。圖9示出了現有技術ROM位單元陣列的示意圖。
具體實施例方式圖1示出根據本發明實施例的ROM位單元。ROM位單元包括其漏極連接到輸出線 20之一且其源極連接到虛地的晶體管10。輸出線是預解碼輸出線，因為輸出線中每一個都 表示預定值。在讀周期期間，輸出線被預充電，并響應于施加到附連于晶體管10的柵極的字線 的信號，晶體管導通，并且連接到該晶體管的輸出線通過該晶體管放電，使得晶體管10將 預充電的線的值從標稱1下拉到標稱0。由此，在這種情況下，表示00的輸出線被下拉到 0，并且輸出器件30檢測這個相應線上的這個電壓變化，并輸出對應的00。輸出器件30配置成檢測任一輸出線開關狀態，并響應于檢測到這個狀態，它選擇 由相應輸出線表示的輸出值。這樣，雖然只選擇了單個線，但輸出兩位輸出值，因為每個線 表示兩位值。應該注意，如果沒選擇任何線，并且所有線都保持它們的標稱1，則輸出器件 30配置成輸出11。這樣，響應于三個輸出線，輸出器件可輸出四個值。因為輸出器件只是必須檢測其中一個線的值從邏輯1到邏輯0的下降，所以它可 使用邏輯開關器件來進行上述動作(邏輯開關器件實現起來便宜)，而不是通過使用檢測 已經使用常規位單元的模擬信號變化的傳統讀出放大器來進行上述動作。圖2示出ROM位單元的替換實施例，其中晶體管10連接到四個輸出線22。在這個 實施例中，存在表示值11的第四輸出線，并且如果這個值要存儲在ROM位單元中，則該位單 元的漏極連接到這個輸出線。圖3示出包括多個位單元51-58的存儲器40的一部分。兩個鄰近位單元具有共 享的漏極，并且這些連接到虛地Vss。與兩個鄰近位單元相鄰的其它單元不連接在一起。這 與諸如圖9中示出的現有技術器件形成對比，在圖9所示的器件中，在一列位單元中，每個 位單元的漏極連接到鄰近單元。僅將兩個鄰近單元連接在一起比所有單元都連接在一起在 面積上更昂貴，然而，在這個器件中，不存在到每個輸出線的互補線，并且不需要讀取輸出 值的讀出放大器。在整個列中漏極不能被連接在一起，因為每一個晶體管都通過經其漏極之一連接 到輸出線而存儲特定值，所以根據單元存儲的值來選擇輸出線。由此，存在每個晶體管的漏極不連接到另一個晶體管的要求，使得它能獨立于其它單元而連接到特定輸出線。在這方 面，如果晶體管要存儲11，則它將選擇不連接到任何輸出線，因為這個陣列中的位單元類似 于圖1所示的位單元，并且沒選擇輸出線被視為等效于存儲11。晶體管56例如是存儲11 的單元的一部分。響應于字線上的信號，經其柵極連接到字線的晶體管被導通，并且它連接到的輸 出線被放電。這由輸出該值的輸出器件識別。由此，如果信號在字線WLtl上發送，則晶體管 54和58將導通。響應于它們導通，對應于輸出線01，01的預充電位線將被放電，并且由此， 輸出器件30將輸出0101。如果選擇了字線WL1,則晶體管53將對表示00的輸出線放電，而晶體管57將對表 示10的輸出線放電。在這種情況下，輸出器件30將輸出0010。如果響應于選擇字線的信號，沒有輸出線被檢測為對于單元正被放電，則輸出器 件30將對于對應的單元輸出11。雖然本發明實施例已經示出了來自位單元的兩位值的輸出，但是本領域技術人員 應該清楚，用附加輸出線，可將附加位值存儲在ROM單元中。由此，如果提供了七個輸出線， 則可編碼八個不同的值，并由此可輸出三位值。一般情況下存儲η位數，將需要2η-1個輸 出線來編碼所需數量的值。應該注意，雖然虛地連接Vss被示為水平連接在陣列上，但是它們也可垂直布置， 將器件的各列的共享漏極連接到虛地。圖4a示出根據本發明實施例的設計成存儲兩位數的位單元10的布局示例。這示 出與單元的邊界62交叉并延伸到相鄰單元中的共享漏極60、連接到所選輸出線的漏極70、 用于導通晶體管的字線、以及位線，這雖然顯示為單個實體，但實際上是布置成一個在另一 個之上并對應于前面圖中的輸出線的幾個位線。由此，漏極70根據ROM單元已經被編程存 儲的多位值而連接到位線或輸出線之一，并響應于字線上的信號，晶體管導通，并在所連接 的位線與連接到虛地Vss的共享漏極之間形成連接。這樣，所連接的位線被放電，并然后可 輸出用這種方式選擇的這個輸出線的值。如可看到的，位線/輸出線延伸到單元的邊緣以外。這是可接受的，因為在單元的 另一側上沒有位線，由此交疊未對那個單元引起問題。在本發明的實施例中，其中存儲更大 的多位值，例如其中存儲3位值，則輸出線可布置在單元的任一側，并且然后，它們不能交 疊在相鄰單元上。這意味著單元需要被做得稍微大些。圖4b示出了類似于圖4a的布局示例，但是位單元設計成存儲三位數。如在這個 圖中可看到的，在漏極連接的任一側上存在兩個輸出線或位線，并且這樣，它們不能延伸超 出單元的邊界。圖5a示出通過線XX的圖4a的晶體管的截面。在這個實施例中，存在四個金屬化 層，上面三個金屬化層Met 2到Met 4對應于圖1的三個輸出線。這些與連接到圖4a中所 示的晶體管漏極70的連接金屬化層對齊。由此，當將ROM單元編程為存儲期望值時，在所 選輸出線與連接到漏極的鄰近金屬化線之間進行連接。在這個實施例中，示出了四個金屬化層，三個金屬化層的輸出線具有預解碼值，第 四個值對應于沒有線被選擇，并且提供附加金屬化層，使得存在附加觸點，如果需要的話。 例如，如果期望不對“沒有線選擇”進行編碼，或者它可用于其它目的，則它可用于編程附加
8輸出線11。本領域技術人員應該清楚，不需要這個附加層，并且可以只用三個金屬化層來構 建器件。圖5b示出通過線XX的圖4b的晶體管的截面。位單元具有四個金屬化層，類似于 圖5a的位單元，但相比之下，它的輸出線或位線布置在漏極連接的任一側上。用這種方式， 提供更多的輸出線，而無需提供附加金屬化層，但有附加的面積要求，因為位線不再能與相 鄰單元交疊。圖6示出彼此并排布置的圖4中所示的多個位單元。該圖示出如何共享兩個相鄰 單元IOa和IOb以及IOc和IOd的漏極60，而不共享單元IOb與IOc之間的漏極70。可通過間隔來布置漏極之間的分離，如該圖中所示的，或者它可以通過使用隔離 結構(諸如連接到虛地的多晶結構(poly structure))來提供。字線可提供在上層或下層中。預解碼位線提供在幾個金屬層中，如圖5中所示的， 并且這些可在單元之間被共享，或不共享。應該注意，通過使用用于編程ROM位單元的金屬化層，進行這些單元的制造比使 用通路更簡單。圖7示出了已經編程的一行位單元的截面。在這些單元中，頂層M4中的輸出線表 示輸出值10，下一層M3中的輸出線表示01，并且M2層中的輸出線表示00，沒有連接表示 11。在這個示例中，通過在輸出線與M4層中的漏極之間進行連接，頂部單元80被編成為存 儲10。下一單元82通過M3層中的連接來存儲01，并且下一單元84通過M2層中的連接來 存儲00。左手邊三個視圖示出相應層M4、M3和M2，并且右手邊視圖示出截面，類似于圖5 的截面，但已經形成了到所選輸出線的連接。圖8示出了說明根據本發明實施例的制造多位ROM單元的方法的流程圖。最初， 形成三個輸出線，第一個表示00，第二個表示01，并且第三個表示10。那么，根據單元要存 儲的值，電壓源經開關連接到輸出線中的適當一個(或者一個也不連接)，使得連接可接通 或斷開。輸出器件然后連接到輸出線。輸出器件配置成響應于檢測到第一輸出線開關電壓 值而輸出00，響應于檢測到第二輸出線開關電壓值而輸出01，響應于檢測到第三輸出線開 關電壓值而輸出10，并響應于未檢測到任何輸出線開關電壓值而輸出11。用這種方式，制 造能夠被編程為存儲兩位值的多位ROM單元。雖然本文已經參考附圖詳細描述了本發明的說明性實施例，但要理解，本發明不 限于那些精確實施例，并且本領域技術人員可在不脫離由所附權利要求所限定的本發明的 范圍和精神的情況下實現各種改變和修改。例如，在不脫離本發明的范圍的情況下，下面從 屬權利要求的特征可以與獨立權利要求的特征進行各種組合。
權利要求
1.一種用于存儲多位值的只讀存儲單元，所述只讀存儲單元包括至少三個輸出線，所述至少三個輸出線中的每個表示不同的多位值；開關器件，其被連接在所述至少三個輸出線中單個線與用于供應預定電壓的電壓源之 間或被連接到所述電壓源但不連接到所述至少三個輸出線中的任一個，并配置成響應于開 關信號提供所述預定電壓與所述至少三個輸出線中所述單個線之間的電連接或不提供所 述預定電壓與所述至少三個輸出線中的任一個之間的電連接，所述連接的輸出線的電壓響 應于到所述預定電壓的連接來切換值，并由此選擇由所述輸出線表示的所述多位值；輸出器件，用于輸出所述選擇的多位值。
2.如權利要求1所述的只讀存儲單元，其中所述輸出器件配置成響應于沒選擇所述至少三個輸出線中的任何一個而輸出另外的 多位值。
3.如權利要求1所述的只讀存儲單元，其中所述輸出器件包括響應于在兩個值之間進 行切換的信號的邏輯門。
4.如權利要求1所述的只讀存儲單元，其中所述開關器件包括晶體管。
5.如權利要求4所述的只讀存儲單元，其中所述開關器件包括具有柵極和兩個漏極的 MOS晶體管，第一漏極連接到所述預定電壓，并且第二漏極連接到所述至少三個輸出線之一 或一個也不連接。
6.如權利要求5所述的只讀存儲單元，其中所述第一漏極通過金屬化層連接而連接到 所述預定電壓。
7.如權利要求5所述的只讀存儲單元，其中所述第二漏極通過金屬化層連接而連接到 所述多個輸出線之一。
8.如權利要求5所述的只讀存儲單元，其中所述至少三個輸出線中的至少一些包括在 布置成一個在另一個之上的不同金屬化層中的線，所述第二漏極具有用于經所述金屬化層 到所選輸出線的連接的對應層。
9.如權利要求8所述的只讀存儲單元，其中所有所述至少三個輸出線都布置成一個在 另一個之上，并且所述輸出線延伸到相鄰單元中。
10.一種存儲器，包括多個如權利要求5所述的只讀存儲單元，每個只讀存儲單元與相 鄰存儲單元共享到所述預定電壓的連接，使得一個單元的所述第一漏極連接到所述相鄰單 元的所述第一漏極，所述兩個相鄰單元的所述第二漏極與其它單元的漏極分開，并連接到 所述輸出線之一或一個也不連接。
11.如權利要求10所述的存儲器，其中所述多個只讀單元布置成陣列，所述只讀單元 陣列的每列共享所述至少三個輸出線，一行單元被連接起來以接收相同的開關信號，并響 應于所述接收的開關信號來均輸出所述存儲的多位值。
12.一種用于存儲多位值的只讀位單元的制造方法，包括形成至少三個輸出線，所述至少三個輸出線中的每個表示不同的多位值；將開關器件連接在所述至少三個輸出線中單個線與預定電壓之間或將所述開關器件 連接到所述電壓源但不連接到所述至少三個輸出線中的任一個，所述開關器件配置成響應 于開關信號來提供所述預定電壓與所述連接的至少三個輸出線中所述單個線之間的電連 接或不提供所述預定電壓與所述至少三個輸出線中的任一個之間的電連接，并由此選擇由所述輸出線表示的所述多位值；提供用于根據所選的所述輸出線輸出所述選擇的多位值的輸出器件。
13.如權利要求12所述的方法，其中所述輸出器件配置成響應于沒選擇所述至少三個 輸出線中的任何一個而輸出另外的多位值。
14.如權利要求12所述的方法，包括用響應于在兩個值之間進行切換的信號的邏輯門 形成所述輸出器件。
15.如權利要求12所述的方法，其中所述開關器件由具有柵極和兩個漏極的MOS晶體 管來配置，并且將所述開關器件連接在所述至少三個輸出線中所述一個線與所述預定電壓 之間或將所述開關器件連接到所述電壓源但不連接到所述至少三個輸出線中的任一個的 步驟包括將第一漏極連接到所述預定電壓并將第二漏極連接到所述至少三個輸出線之一 或一個也不連接。
16.如權利要求15所述的方法，其中將所述開關器件連接到所述預定電壓的所述步驟 包括在所述晶體管與所述電壓源之間形成金屬化層連接。
17.如權利要求15所述的方法，其中將所述第二漏極連接到所述多個輸出線之一的所 述步驟包括形成金屬化層連接。
18.如權利要求15所述的方法，其中所述多個輸出線由布置成一個在另一個之上但彼 此分開的金屬化層形成，所述第二漏極由用于經金屬化層到所選輸出線的連接的對應層形 成。
19. 一種用于永久存儲多位值的裝置，所述裝置包括至少三個輸出線裝置，其均用于表示不同的多位值；用于開關的裝置，其被連接在所述至少三個輸出線裝置中單個輸出線裝置與用于供應 預定電壓的裝置之間或被連接到所述用于供應預定電壓的裝置但不連接到所述至少三個 輸出線裝置中的任一個，并且所述用于開關的裝置用于響應于開關信號提供所述用于供應 所述預定電壓的裝置與所述至少三個輸出線裝置中所述連接的一個輸出線裝置之間的電 連接或不提供所述用于供應預定電壓的裝置與所述至少三個輸出線裝置中的任一個之間 的電連接，所述連接的輸出線裝置的電壓響應于到所述預定電壓的連接來切換值，并由此 選擇由所述輸出線裝置表示的所述多位值；輸出裝置，用于輸出所述選擇的多位值。
全文摘要
本發明涉及一種用于存儲多位值的只讀存儲單元。該只讀存儲單元包括至少三個輸出線，至少三個輸出線中的每個表示不同的多位值；開關器件，其連接在所述三個輸出線中單個線與電壓源之間。開關器件響應于開關信號而提供電壓源與所述三個輸出線中的所述單個線之間的電連接，所連接的輸出線的電壓響應于到預定電壓的連接來切換值，并由此選擇由該輸出線表示的多位值。還存在被提供用于輸出所選擇的多位值的輸出器件。
文檔編號H01L21/8246GK102005247SQ20101026749
公開日2011年4月6日 申請日期2010年8月27日 優先權日2009年8月28日
發明者C·D·L·弗里, M·布倫, N·K·J·范溫克爾霍夫, Y·M·內弗斯 申請人:Arm有限公司