薄膜沉積設(shè)備和制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法

專利名稱：薄膜沉積設(shè)備和制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的各方面涉及一種薄膜沉積設(shè)備和一種利用該薄膜沉積設(shè)備來制造有機(jī) 發(fā)光顯示裝置的方法，更具體地講，涉及一種可以容易地用于大規(guī)模制造大尺寸的顯示裝 置及改善生產(chǎn)率并改善沉積的薄膜的厚度均勻性的薄膜沉積設(shè)備和一種利用該薄膜沉積 設(shè)備來制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。
背景技術(shù)：
與其他顯示裝置相比，有機(jī)發(fā)光顯示裝置具有更大的視角、更好的對比度特性、更 快的響應(yīng)速度，因此，有機(jī)發(fā)光顯示裝置作為下一代顯示裝置已備受矚目。通常，有機(jī)發(fā)光顯示裝置具有堆疊的結(jié)構(gòu)，堆疊的結(jié)構(gòu)包括陽極、陰極、設(shè)置在陽 極和陰極之間的發(fā)射層。當(dāng)從陽極和陰極分別注入的空穴和電子在發(fā)射層中復(fù)合從而發(fā)光 時(shí)，裝置顯示彩色的圖像。然而，以這樣的結(jié)構(gòu)難以實(shí)現(xiàn)高發(fā)光效率，因此選擇性地將包括 電子注入層、電子傳輸層、空穴傳輸層、空穴注入層等的中間層另外地設(shè)置在發(fā)射層和每個(gè) 電極之間。此外，在實(shí)踐中，難以在諸如發(fā)射層和中間層的有機(jī)薄膜中形成精細(xì)圖案，且紅光 發(fā)射效率、綠光發(fā)射效率、藍(lán)光發(fā)射效率根據(jù)有機(jī)薄膜而變化。由于這些原因，通過利用傳 統(tǒng)的薄膜沉積設(shè)備不容易在諸如尺寸為5G或更大的母玻璃的大基底上形成有機(jī)薄膜圖 案。因此，難以制造具有滿意的驅(qū)動(dòng)電壓、電流密度、亮度、色純度、發(fā)射效率、壽命特性的大 的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。因此，存在對于這方面進(jìn)行改進(jìn)的需要。有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括中間層，中間層包括設(shè)置在布置為彼此相對的第一電極和 第二電極之間的發(fā)射層。可以利用各種方法來形成中間層、第一電極、第二電極，所述方法 之一是沉積方法。當(dāng)利用沉積方法來制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置時(shí)，將圖案與將要形成的薄膜 的圖案相同的精細(xì)金屬掩模(FMM)設(shè)置為與基底緊密接觸，并在FMM上方沉積薄膜材料，以 形成具有期望的圖案的薄膜。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的各方面提供一種可以容易地制造的薄膜沉積設(shè)備和一種通過利用該薄 膜沉積設(shè)備來制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，該薄膜沉積設(shè)備可以容易地用于大規(guī)模地制 造大尺寸顯示裝置，該薄膜沉積設(shè)備改善了生產(chǎn)率和沉積效率，該薄膜沉積設(shè)備允許沉積 材料被再利用，并改善沉積的薄膜的厚度均勻性。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了一種用于在基底上形成薄膜的薄膜沉積設(shè)備，所述 設(shè)備包括沉積源，排放沉積材料；沉積源噴嘴單元，設(shè)置在沉積源的一側(cè)處，并包括沿第一方向布置的多個(gè)沉積源噴嘴；圖案化縫隙片，設(shè)置為與沉積源相對，并包括沿第一方向布 置的多個(gè)圖案化縫隙；障礙板組件，沿第一方向設(shè)置在沉積源噴嘴單元和圖案化縫隙片之 間，并包括將沉積源噴嘴單元和圖案化縫隙片之間的空間劃分為多個(gè)子沉積空間的多個(gè)障 礙板，其中，與每個(gè)子沉積空間對應(yīng)的圖案化縫隙的長度彼此不同，薄膜沉積設(shè)備與基底分 開預(yù)定距離，薄膜沉積設(shè)備和基底可相對于彼此移動(dòng)。圖案化縫隙距每個(gè)子沉積空間的中心越遠(yuǎn)，圖案化縫隙的長度可以越長。與每個(gè)子沉積空間的中心對應(yīng)的圖案化縫隙的長度可以小于與每個(gè)子沉積空間 的端部對應(yīng)的圖案化縫隙的長度。所述設(shè)備還可以包括支撐構(gòu)件，用于支撐圖案化縫隙片，從而防止圖案化縫隙片 朝向沉積源凹陷。支撐構(gòu)件可以設(shè)置為與圖案化縫隙的縱向方向交叉。支撐構(gòu)件可以延伸為垂直于圖案化縫隙的縱向方向。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，所述設(shè)備還可以包括校正板，設(shè)置在沉積源噴嘴單元和 圖案化縫隙片之間，并阻擋從沉積源排放的沉積材料中的至少一部分沉積材料。校正板可以設(shè)置為使得沉積的薄膜的部分的厚度基本相同。距每個(gè)子沉積空間的中心越遠(yuǎn)，校正板的高度越小。校正板可以是弧形或余弦曲線形狀。校正板的在每個(gè)子沉積空間的中心中的高度可以小于校正板的在每個(gè)子沉積空 間的端部處的高度。由校正板在每個(gè)子沉積空間的中心中阻擋的沉積材料的量可以大于由校正板在 每個(gè)子沉積空間的端部處阻擋的沉積材料的量。校正板可以設(shè)置在相鄰的障礙板之間。校正板可以設(shè)置在每個(gè)子沉積空間中，校正板的尺寸或形狀可以是可根據(jù)排放通 過設(shè)置在每個(gè)子沉積空間中的沉積源噴嘴的沉積材料的特性而改變的。校正板的尺寸或形狀可以是可改變的，使得薄膜的在多個(gè)子沉積空間中沉積的部 分的厚度相同。每個(gè)障礙板可以沿與第一方向基本垂直的第二方向延伸，以將沉積源噴嘴單元和 圖案化縫隙片之間的空間劃分為多個(gè)子沉積空間。所述多個(gè)障礙板可以按相等的間距布置。障礙板可以與沉積源噴嘴單元分開預(yù)定的距離。每個(gè)障礙板組件可以包括第一障礙板組件和第二障礙板組件，第一障礙板組件包 括多個(gè)第一障礙板，第二障礙板組件包括多個(gè)第二障礙板。每個(gè)第一障礙板和每個(gè)第二障礙板可以沿與第一方向基本垂直的第二方向延伸， 以將沉積源噴嘴單元和圖案化縫隙片之間的空間劃分為多個(gè)子沉積空間。第一障礙板可以布置為分別對應(yīng)于第二障礙板。彼此對應(yīng)的每對第一障礙板和第二障礙板可以布置在基本同一平面上。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種用于在基底上形成薄膜的薄膜沉積設(shè)備，所 述設(shè)備包括沉積源，排放沉積材料；沉積源噴嘴單元，設(shè)置在沉積源的一側(cè)處，并包括沿 第一方向布置的多個(gè)沉積源噴嘴；圖案化縫隙片，設(shè)置為與沉積源噴嘴單元相對，并包括沿與第一方向垂直的第二方向布置的多個(gè)圖案化縫隙，其中，所述多個(gè)圖案化縫隙形成為具 有彼此不同的長度，在基底或薄膜沉積設(shè)備沿第一方向相對于彼此移動(dòng)的同時(shí)執(zhí)行沉積， 沉積源、沉積源噴嘴單元、圖案化縫隙片彼此一體化地形成。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種用于在基底上形成薄膜的薄膜沉積設(shè)備，所 述設(shè)備包括沉積源，排放沉積材料；沉積源噴嘴單元，設(shè)置在沉積源的一側(cè)處，并包括沿 第一方向布置的多個(gè)沉積源噴嘴；圖案化縫隙片，設(shè)置為與沉積源噴嘴單元相對，并包括沿 與第一方向垂直的第二方向布置的多個(gè)圖案化縫隙，圖案化縫隙片包括校正板，從而阻擋 從沉積源排放的沉積材料中的至少一些沉積材料，其中，在基底或薄膜沉積設(shè)備沿第一方 向相對于彼此移動(dòng)的同時(shí)執(zhí)行沉積，沉積源、沉積源噴嘴單元、圖案化縫隙片彼此一體化地 形成。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種通過使用用于在基底上形成薄膜的薄膜沉積 設(shè)備來制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，所述方法包括如下步驟將基底布置為與薄膜沉積 設(shè)備分開預(yù)定距離；在薄膜沉積設(shè)備或基底相對于彼此移動(dòng)的同時(shí)將從薄膜沉積設(shè)備排放 的沉積材料沉積在基底上。在基底上沉積沉積材料的步驟可進(jìn)一步包括在薄膜沉積設(shè)備或基底相對于彼此 移動(dòng)的同時(shí)連續(xù)地沉積從薄膜沉積設(shè)備排放的沉積材料。本發(fā)明的另外的方面和/或優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中進(jìn)行一定程度地闡述，并且在 一定程度上通過描述而變得明顯，或者可以通過實(shí)施本發(fā)明來獲知。


通過下面結(jié)合附圖對實(shí)施例的描述，本發(fā)明的這些和/或其他方面和優(yōu)點(diǎn)將變得 明顯并更易于理解，在附圖中圖1是通過利用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的薄膜沉積設(shè)備制造的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的 平面圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖1中示出的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的子像素的剖視圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的薄膜沉積設(shè)備的示意性透視圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖3中示出的薄膜沉積設(shè)備的示意性剖視圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖3中示出的薄膜沉積設(shè)備的示意性平面圖；圖6A是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于描述圖3的薄膜沉積設(shè)備中沉積材料的沉積的 示意圖；圖6B示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的當(dāng)如圖6A中所示沉積空間通過障礙板劃分時(shí)沉積 在基底上的薄膜的陰影區(qū)域(shadow zone)；圖6C示出當(dāng)沉積空間沒有被劃分時(shí)沉積在基底上的薄膜的陰影區(qū)域；圖7是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的通過利用圖3的薄膜沉積設(shè)備在基底上沉積的薄 膜的部分的分布的示意圖；圖8是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的從圖3的薄膜沉積設(shè)備的沉積源排放沉積材料的 示意圖；圖9是圖案化縫隙片的一部分的視圖；圖10是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖3的薄膜沉積設(shè)備的圖案化縫隙片的平面圖11是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的圖3的薄膜沉積設(shè)備的圖案化縫隙片的平面 圖；圖12是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的圖3的薄膜沉積設(shè)備的圖案化縫隙片的平面 圖；圖13是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的圖3的薄膜沉積設(shè)備的圖案化縫隙片的后透視 圖；圖14是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的薄膜沉積設(shè)備的示意性透視圖；圖15是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖14的薄膜沉積設(shè)備的圖案化縫隙片的后透視圖；圖16是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖15中的A的放大視圖；圖17是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的圖14的薄膜沉積設(shè)備的圖案化縫隙片的后透視 圖；圖18是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的薄膜沉積設(shè)備的示意性透視圖；圖19是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖18的薄膜沉積設(shè)備的示意性側(cè)視圖；圖20是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖18的薄膜沉積設(shè)備的示意性平面圖；圖21是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖18的薄膜沉積設(shè)備的圖案化縫隙片的平面圖；圖22是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的圖18的薄膜沉積設(shè)備的圖案化縫隙片的平面 圖；圖23是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的圖18的薄膜沉積設(shè)備的圖案化縫隙片的后透視 圖；圖24是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的薄膜沉積設(shè)備的示意性透視圖；圖25是示意性示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的當(dāng)在圖24的薄膜沉積設(shè)備中的沉積源噴 嘴沒有傾斜時(shí)形成在基底上的沉積的膜的分布圖案的曲線圖；圖26是示意性示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的當(dāng)在圖24的薄膜沉積設(shè)備中的沉積源噴 嘴傾斜時(shí)形成在基底上的沉積的膜的分布圖案的曲線圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在將對本發(fā)明的當(dāng)前實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明，在附圖中示出了本發(fā)明的示例，其 中，相同的標(biāo)號始終表示相同的元件。下面通過參照附圖來描述實(shí)施例以說明本發(fā)明。此 外，應(yīng)該理解的是，在這里陳述一個(gè)膜或?qū)印靶纬稍凇被颉霸O(shè)置在”第二層或膜“上”時(shí)，第一 層或膜可以直接形成或設(shè)置在第二層或膜上，或者可以在第一層或膜與第二層或膜之間存
在中間層或膜。此外，如這里使用的，術(shù)語“形成在......上”以含義與“位于......上”
或“設(shè)置在......上”的含義相同來使用，且不意在對任何具體的制造工藝進(jìn)行限制。圖1是通過利用根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的薄膜沉積設(shè)備制造的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的 平面圖。參照圖1，根據(jù)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括像素區(qū)域30和設(shè)置在像素區(qū)域30 的邊緣處的電路區(qū)域40。像素區(qū)域30包括多個(gè)像素，每個(gè)像素包括發(fā)射光以顯示圖像的發(fā) 射單元。在本發(fā)明的實(shí)施例中，發(fā)射單元可以包括多個(gè)子像素，每個(gè)子像素包括有機(jī)發(fā)光 裝置。在全色彩有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，按各種圖案來布置紅(R)、綠(G)、藍(lán)(B)子像素，例
8如，按線(line)、m0Saic(g卩，馬賽克)或格子圖案來布置紅(R)、綠(G)、藍(lán)(B)子像素，以構(gòu) 成像素。然而，有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以是單色平板顯示裝置，而不是全色彩平板顯示裝置。 電路區(qū)域40控制例如輸入到像素區(qū)域30的圖像信號。在根據(jù)本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝 置中，至少一個(gè)薄膜晶體管(TFT)可以安裝在像素區(qū)域30和電路區(qū)域40中的每個(gè)中。安裝在像素區(qū)域30中的至少一個(gè)TFT可以包括像素TFT，諸如根據(jù)柵極線信號 而將數(shù)據(jù)信號傳輸?shù)接袡C(jī)發(fā)光裝置以控制有機(jī)發(fā)光裝置的操作的開關(guān)TFT ；驅(qū)動(dòng)TFT，通過 根據(jù)數(shù)據(jù)信號提供電流來驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光裝置。安裝在電路區(qū)域40中的至少一個(gè)TFT可以 包括電路TFT以實(shí)現(xiàn)預(yù)定的電路。TFT的數(shù)量和布置可以根據(jù)顯示裝置及其驅(qū)動(dòng)方法的特征而改變。圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖1中示出的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的子像素的剖視圖。參照圖2，緩沖層51形成在由玻璃或塑料形成的基底50上。TFT和有機(jī)發(fā)光裝置 形成在緩沖層51上。具有預(yù)定圖案的有源層52形成在基底50的緩沖層51上。柵極絕緣層53形成在 有源層52上，柵電極54形成在柵極絕緣層53的預(yù)定的區(qū)域中。柵電極54連接到施加TFT 0N/0FF信號的柵極線(未示出)。層間絕緣層55形成在柵電極54上。源/漏電極56和57 形成為分別通過接觸孔接觸有源層52的源/漏區(qū)域52b和52c。柵極區(qū)域52a設(shè)置在源/ 漏區(qū)域52b和52c之間。鈍化層58由Si02、SiNx等形成在源/漏電極56和57上。由諸如丙 烯?；牧?即，acryl)、聚酰亞胺(即，polyimide)、苯并環(huán)丁烯(即，benzocyclobutene， BCB)等的有機(jī)材料形成的平坦化層59形成在鈍化層58上。用作有機(jī)發(fā)光裝置的陽極的 像素電極61形成在平坦化層59上，由有機(jī)材料形成的像素限定層60形成為覆蓋像素電極 61。在像素限定層60中形成開口，有機(jī)層62形成在像素限定層60的表面上并在通過所述 開口暴露的像素電極61的表面上。有機(jī)層62包括發(fā)射層。本發(fā)明的各方面不限于上述的 有機(jī)發(fā)光顯示裝置的結(jié)構(gòu)，且可以將有機(jī)發(fā)光顯示裝置的各種結(jié)構(gòu)應(yīng)用于本發(fā)明。有機(jī)發(fā)光裝置通過根據(jù)電流流動(dòng)而發(fā)射紅光、綠光、藍(lán)光來顯示預(yù)定的圖像信息。 有機(jī)發(fā)光裝置包括像素電極61，連接到TFT的漏電極57，并施加有正電源電壓；相對電極 63，形成為覆蓋整個(gè)子像素，并施加有負(fù)電源電壓；有機(jī)層62，設(shè)置在像素電極61和相對電 極63之間以發(fā)射光。像素電極61和相對電極63因有機(jī)層62而彼此絕緣，并分別將極性相對的電壓施 加到有機(jī)層62，以引發(fā)有機(jī)層62中的光發(fā)射。有機(jī)層62可以包括低分子量有機(jī)層或高分子量有機(jī)層。當(dāng)將低分子量有機(jī)層 用作有機(jī)層62時(shí)，有機(jī)層62可以具有包括從由空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、發(fā) 射層(EML)、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)等組成的組選擇的至少一種的單層或 多層結(jié)構(gòu)?？捎玫挠袡C(jī)材料的示例包括銅酞菁(即，copper phthalocyanine, CuPc), N, N' -二(萘-1-基)-N，N' - 二苯基-聯(lián)苯胺(即，N，N' -di(naphthalene-l-yl)-N， N ‘ -diphenyl-benzidine, NPB)、三-8-輕基喹啉招(艮口，tris-8-hydroxyquinoline aluminum, Alq3)等。低分子量有機(jī)層可以通過真空沉積形成。當(dāng)將高分子量有機(jī)層用作有機(jī)層62時(shí)，在大多數(shù)情況下，有機(jī)層62可以 具有包括HTL和EML的結(jié)構(gòu)。在這樣的情況下，HTL可以由聚(乙烯二氧噻吩) (艮口，poly(ethylenedioxythiophene), PED0T)形成，EML 可以由聚苯撐乙烯(艮口，polyphenylenevinylene, PPV)或聚芴(即，polyfluorene)形成。HTL 和 EML 可以通過絲 網(wǎng)印刷(screen printing)、噴墨印刷(inkjet printing)或類似方法形成。有機(jī)層62不限于上述有機(jī)層，且可以以各種方式來實(shí)施。像素電極61用作陽極，相對電極63用作陰極。可選擇地，像素電極61可以用作 陰極，相對電極63可以用作陽極。像素電極61可以為透明電極或反射電極。這樣的透明電極可以由氧化銦錫 (ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)或氧化銦(In2O3)形成。這樣的反射電極可以通過由 銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉬(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)或它 們的化合物形成反射層并在反射層上由ΙΤΟ、IZO、ZnO或In2O3形成層來形成。相對電極63可以形成為透明電極或反射電極。當(dāng)相對電極63形成為透明電極時(shí)， 相對電極63用作陰極。為此，可以通過在有機(jī)層62的表面上沉積功函數(shù)低的諸如鋰(Li)、 鈣(Ca)、氟化鋰/鈣(LiF/Ca)、氟化鋰/鋁(LiF/Al)、鋁(Al)、銀(Ag) M (Mg)的金屬或它 們的化合物，并由諸如ITO、IZO、ZnO, In2O3或類似物的透明電極形成材料在其上形成輔助 電極層或匯流電極線，來形成這樣的透明電極。當(dāng)相對電極63形成為反射電極時(shí)，可以通 過在有機(jī)層62的整個(gè)表面上沉積Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或它們的化合物來形 成反射層。在上述有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備中，可以利用將在下面描述的薄膜沉積設(shè)備100(見圖 4)來形成包括發(fā)射層的有機(jī)層62。在下文中，將詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的薄膜沉積設(shè)備和利用該薄膜沉積設(shè)備 來制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。圖3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的薄膜沉積設(shè)備100的示意性透視圖，圖4是圖3中示 出的薄膜沉積設(shè)備100的示意性剖視圖，圖5是圖3中示出的薄膜沉積設(shè)備100的示意性 平面圖。參照圖3、圖4、圖5，薄膜沉積設(shè)備100包括沉積源110、沉積源噴嘴單元120、障礙 板組件130、圖案化縫隙片150。雖然為了方便說明而沒有在圖3、圖4、圖5中示出室(chamber)，但是薄膜沉積設(shè) 備100的所有組件可以設(shè)置在保持適當(dāng)程度的真空的室內(nèi)。將室保持在適當(dāng)?shù)恼婵?，以?許沉積材料沿基本上為直線地運(yùn)動(dòng)通過薄膜沉積設(shè)備100。具體地講，為了將從沉積源110發(fā)射并排放通過沉積源噴嘴單元120和圖案化縫 隙片150的沉積材料115以期望的圖案沉積到基底400上，與在利用精細(xì)金屬掩模(FMM)的 沉積方法中相似，應(yīng)將室保持在高真空狀態(tài)。另外，障礙板131和圖案化縫隙片150的溫度 應(yīng)足夠低于沉積源110的溫度。因此，障礙板131和圖案化縫隙片150的溫度可以為大約 100°C或更低。這是與障礙板131碰撞的沉積材料115沒有再次蒸發(fā)(re-vaporize)的原 因。另外，當(dāng)圖案化縫隙片150的溫度充分地低于沉積源110的溫度時(shí)，圖案化縫隙片150 的熱膨脹可以最小化。障礙板組件130面對處于高溫的沉積源110。另外，障礙板組件130 的最靠近沉積源110的一部分的溫度可以達(dá)到大約167°C的最大溫度，因此，如果需要，則 可以進(jìn)一步包括局部冷卻設(shè)備。因此，障礙板組件130可以包括冷卻構(gòu)件(未示出)。構(gòu)成將在沉積有沉積材料115的目標(biāo)(target)的基底400設(shè)置在室中?；?00 可以為用于平板顯示器的基底。用于制造多個(gè)平板顯示器的諸如母玻璃的大基底可以用作基底400。也可以采用其他的基底。可以在基底400或薄膜沉積設(shè)備100相對于彼此移動(dòng)的同時(shí)執(zhí)行沉積。具體地講，在傳統(tǒng)的FMM沉積方法中，F(xiàn)MM的尺寸需要等于基底的尺寸。因此，隨 著基底變得更大，需要增加FMM的尺寸。然而，不易于制造大尺寸的FMM，也不易于延展FMM 以與圖案精確對準(zhǔn)。為了克服這樣的問題，在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的薄膜沉積設(shè)備100中，可以在薄膜 沉積設(shè)備100或基底400相對于彼此移動(dòng)的同時(shí)執(zhí)行沉積。換句話說，可以在設(shè)置為諸如 面對薄膜沉積設(shè)備100的基底400沿Y軸方向移動(dòng)的同時(shí)連續(xù)地執(zhí)行沉積。即，以掃描的 方式來執(zhí)行沉積。雖然基底400被示出為在執(zhí)行沉積時(shí)在室(未示出)內(nèi)沿圖3中的Y軸 方向移動(dòng)，但是本發(fā)明的各方面不限于此?？梢栽诒∧こ练e設(shè)備100沿Y軸方向移動(dòng)的同 時(shí)執(zhí)行沉積，而將基底400固定。因此，在薄膜沉積設(shè)備100中，圖案化縫隙片150可以明顯小于在傳統(tǒng)的沉積方法 中使用的FMM。換句話說，在薄膜沉積設(shè)備100中，在基底400沿Y軸方向移動(dòng)的同時(shí)，連 續(xù)地，即，以掃描的方式執(zhí)行沉積。因此，當(dāng)圖案化縫隙片150的沿X軸方向的寬度與基底 400的沿X軸方向的寬度基本相同時(shí)，圖案化縫隙片150的沿Y軸方向的長度可以明顯小于 基底400的沿Y軸方向的長度。如上所述，因?yàn)閳D案化縫隙片150可以形成為明顯小于在 傳統(tǒng)的沉積方法中使用的FMM，所以制造圖案化縫隙片150相對容易。換句話說，與使用更 大的FMM的傳統(tǒng)的沉積方法相比，在包括蝕刻和后續(xù)的其他工藝的所有的工藝(諸如精確 延展、焊接、移動(dòng)、清潔工藝)中，使用小于在傳統(tǒng)的沉積方法中使用的FMM的圖案化縫隙片 150更加方便。這樣更有利于相對大的顯示裝置。為了如上所述地在薄膜沉積設(shè)備100或基底400相對于彼此移動(dòng)的同時(shí)執(zhí)行沉 積，薄膜沉積設(shè)備100和基底400可以彼此分開預(yù)定的距離。這將在下面進(jìn)行詳細(xì)描述。包含并加熱沉積材料115的沉積源110設(shè)置在室的與設(shè)置有基底400的一側(cè)相對 的一側(cè)中。隨著包含在沉積源110中的沉積材料115蒸發(fā)，沉積材料115沉積在基底400上。具體地講，沉積源110包括坩堝111，填充有沉積材料115 ；加熱器112，加熱坩堝 111以使包含在坩堝111中的沉積材料115朝向坩堝111的一側(cè)蒸發(fā)，具體地講，朝向沉積 源噴嘴單元120蒸發(fā)。沉積源噴嘴單元120設(shè)置在沉積源110的一側(cè)處，具體地講，在沉積源110的面對 基底400的一側(cè)處。沉積源噴嘴單元120包括沿X軸方向布置的多個(gè)沉積源噴嘴121。在 沉積源110中蒸發(fā)的沉積材料115穿過沉積源噴嘴單元120朝向基底400。障礙板組件130設(shè)置在沉積源噴嘴單元120的一側(cè)處。障礙板組件130包括多個(gè) 障礙板131和覆蓋障礙板131的側(cè)部的障礙板框架132。多個(gè)障礙板131可以沿X軸方向 按相等的間隔布置為彼此平行。另外，每個(gè)障礙板131可以布置為平行于圖3中的YZ平面， 即，可以布置為垂直于X軸方向。如上所述地布置的多個(gè)障礙板131將沉積源噴嘴單元120 和圖案化縫隙片150之間的空間劃分為多個(gè)子沉積空間S(見圖5)。在薄膜沉積設(shè)備100 中，沉積空間被障礙板131劃分為分別與排放沉積材料115的沉積源噴嘴121對應(yīng)的子沉 積空間S。障礙板131可以分別設(shè)置在相鄰的沉積源噴嘴121之間。換句話說，每個(gè)沉積源噴嘴121可以設(shè)置在兩個(gè)相鄰的障礙板131之間，但本發(fā)明的各方面不限于此，多于一個(gè)的 沉積源噴嘴121可以設(shè)置在兩個(gè)相鄰的障礙板131之間。沉積源噴嘴121可以分別位于兩 個(gè)相鄰的障礙板131之間的中點(diǎn)處。如上所述，因?yàn)檎系K板131將沉積源噴嘴單元120和 圖案化縫隙片150之間的空間劃分為多個(gè)子沉積空間S，所以通過每個(gè)沉積源噴嘴121排放 的沉積材料115沒有與通過其他的沉積源噴嘴121排放的沉積材料115混合，并穿過圖案 化縫隙151，從而沉積在基底400上。換句話說，障礙板131將通過沉積源噴嘴121排放的 沉積材料115引導(dǎo)為沿Z軸方向基本上直線運(yùn)動(dòng)，且不沿X軸方向流動(dòng)。如上所述，沉積材料115因安裝障礙板131而受迫以直線運(yùn)動(dòng)，從而與沒有安裝障 礙板的情況下相比，可在基底400上形成更小的陰影區(qū)域。因此，薄膜沉積設(shè)備100和基底 400可以彼此分開預(yù)定距離。這將在下面詳細(xì)描述。形成障礙板131的上側(cè)部和下側(cè)部的障礙板框架132保持障礙板131的位置，并 將通過沉積源噴嘴121排放的沉積材料115引導(dǎo)為基本上沿Z軸方向運(yùn)動(dòng)，且不沿Y軸方 向流動(dòng)。雖然沉積源噴嘴單元120和障礙板組件130被示出為彼此分開預(yù)定距離，但是本 發(fā)明的各方面不限于此，且沉積源噴嘴單元120可以設(shè)置在障礙板組件130上。為了防止 從沉積源110發(fā)射的熱傳導(dǎo)到障礙板組件130，沉積源噴嘴單元120和障礙板組件130可 以彼此分開預(yù)定距離?？蛇x擇地，如果將熱絕緣體設(shè)置在沉積源噴嘴單元120和障礙板組 件130之間，則沉積源噴嘴單元120和障礙板組件130可以與它們之間的熱絕緣體的彼此
纟口口。另外，障礙板組件130可以被構(gòu)造為可從薄膜沉積設(shè)備100拆卸。傳統(tǒng)的FMM沉積 方法具有低沉積效率。這里，沉積效率是沉積在基底上的沉積材料115與在沉積源110中 蒸發(fā)的沉積材料115的比。此外，在傳統(tǒng)的FMM沉積方法中，沒有沉積在基底上的大約68% 的有機(jī)沉積材料剩余為附著于沉積設(shè)備，因此不易于再利用這些沉積材料。為了克服這些問題，在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的薄膜沉積設(shè)備100中，通過使用障 礙板組件130來圍繞沉積空間，使得沒有沉積在基底400上的沉積材料115大部分沉積在 障礙板組件130內(nèi)。因此，當(dāng)在長期的沉積工藝之后大量沉積材料115處于障礙板組件130 中時(shí)，可以將障礙板組件130從薄膜沉積設(shè)備100拆卸，然后置于單獨(dú)的沉積材料回收設(shè)備 中以回收沉積材料115。因薄膜沉積設(shè)備100的結(jié)構(gòu)，提高了沉積材料115的再利用率，從 而改善了沉積效率，并因此降低了制造成本。圖案化縫隙片150和框架155可以設(shè)置在沉積源110和基底400之間，圖案化縫 隙片150結(jié)合在框架155中?？蚣?55可以以與窗口框架(windowframe)類似的格子形狀 (lattice shape)形成。圖案化縫隙片150結(jié)合在框架155內(nèi)部。圖案化縫隙片150包括 沿X軸方向布置的多個(gè)圖案化縫隙151。形成在每個(gè)子沉積空間S中的圖案化縫隙151的 長度可以不同，如圖3中所示。這樣用于改善沉積薄膜的厚度均勻性。這將在后面詳細(xì)描 述。在沉積源110中蒸發(fā)的沉積材料115穿過沉積源噴嘴單元120和圖案化縫隙片 150朝向基底400?？梢酝ㄟ^作為在制造FMM(具體地講，條紋式FMM)的傳統(tǒng)方法中使用的 方法相同的方法的蝕刻來制造圖案化縫隙片150。在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的薄膜沉積設(shè)備100中，圖案化縫隙151的總數(shù)可以多于沉積源噴嘴121的總數(shù)。另外，可以有數(shù)量比沉積源噴嘴121的數(shù)量多的圖案化縫隙151 設(shè)置在兩個(gè)相鄰的障礙板131之間。換句話說，至少一個(gè)沉積源噴嘴121可以設(shè)置在每兩個(gè)相鄰的障礙板131之間。同 時(shí)，多個(gè)圖案化縫隙151可以設(shè)置在每兩個(gè)相鄰的障礙板131之間。沉積源噴嘴單元120 和圖案化縫隙片150之間的空間被障礙板131劃分為與沉積源噴嘴121分別對應(yīng)的子沉積 空間S。因此，從每個(gè)沉積源噴嘴121排放的沉積材料115穿過設(shè)置在與沉積源噴嘴121對 應(yīng)的子沉積空間S中的多個(gè)圖案化縫隙151，然后沉積在基底400上。另外，障礙板組件130和圖案化縫隙片150可以形成為彼此分開預(yù)定距離?？蛇x 擇地，障礙板組件130和圖案化縫隙片150可以通過連接構(gòu)件135來連接。障礙板組件130 的溫度可以因高溫的沉積源110而升高到100°C或更高。因此，為了防止障礙板組件130的 熱傳導(dǎo)到圖案化縫隙片150，將障礙板組件130和圖案化縫隙片150彼此分開預(yù)定的距離。如上所述，薄膜沉積設(shè)備100在相對于基底400移動(dòng)的同時(shí)執(zhí)行沉積。為了相對 于基底400來移動(dòng)薄膜沉積設(shè)備100，將圖案化縫隙片150與基底400分開預(yù)定的距離。另 外，當(dāng)將圖案化縫隙片150與基底400彼此分開時(shí)，為了防止在基底400上形成相對大的陰 影區(qū)域，將障礙板131布置在沉積源噴嘴單元120和圖案化縫隙片150之間，以迫使沉積材 料115基本上沿直線運(yùn)動(dòng)穿過薄膜沉積設(shè)備100。因此，顯著地減小了形成在基底400上的 陰影區(qū)域的尺寸。具體地講，在利用FMM的傳統(tǒng)的沉積方法中，利用與基底緊密接觸的FMM來執(zhí)行沉 積，以防止在基底上形成陰影區(qū)域。然而，當(dāng)與基底緊密接觸地使用FMM時(shí)，這樣的接觸可 造成缺陷。另外，在傳統(tǒng)的沉積方法中，因?yàn)檠谀２荒芟鄬τ诨滓苿?dòng)，所以掩模的尺寸需 要與基底的尺寸相同。因此，隨著顯示裝置變得更大，需要增加掩模的尺寸。然而，不易于 制造這樣的大掩模。為了克服這樣的問題，在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的薄膜沉積設(shè)備100中，圖案化縫 隙片150設(shè)置為與基底400分開預(yù)定距離。通過安裝障礙板131可以有助于此，以減小形 成在基底400上的陰影區(qū)域的尺寸。如上所述，掩模形成為小于基底，在掩模相對于基底移動(dòng)的同時(shí)執(zhí)行沉積。因此， 可以容易地制造掩模。另外，可以防止在傳統(tǒng)的沉積方法中出現(xiàn)的因基底和FMM之間的接 觸而導(dǎo)致的缺陷。此外，因?yàn)樵诔练e工藝期間不需要與基底緊密接觸地使用FMM，所以可以 改善制造速度。下文中，對在安裝有障礙板時(shí)形成在基底上的陰影區(qū)域的尺寸和在沒有安裝障礙 板時(shí)形成在基底上的陰影區(qū)域的尺寸進(jìn)行比較。圖6A是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于描述薄膜沉積設(shè)備100中的沉積材料115的沉 積的示意圖。圖6B示出當(dāng)通過障礙板131劃分沉積空間時(shí)沉積在基底400上的薄膜的陰 影區(qū)域。圖6C示出當(dāng)沒有通過障礙板131劃分沉積空間時(shí)沉積在基底400上的薄膜的陰 影區(qū)域。參照圖6A，在沉積源110中蒸發(fā)的沉積材料115通過排放穿過沉積源噴嘴單元 120和圖案化縫隙片150而沉積在基底400上。因?yàn)檎系K板131將沉積源噴嘴單元120和 圖案化縫隙片150之間的空間劃分為多個(gè)子沉積空間S，所以因障礙板131使得通過每個(gè)沉 積源噴嘴121排放的沉積材料115沒有與通過其他相鄰的沉積源噴嘴121排放的沉積材料115混合。當(dāng)障礙板組件130劃分沉積源噴嘴單元120和圖案化縫隙片150之間的空間時(shí)， 如圖6A和圖6B中所示，形成在基底400上的陰影區(qū)域的寬度SHl可以利用下面的式1來確定。式1SH1 = s X ds/h其中，s表示圖案化縫隙片150和基底400之間的距離，ds表示每個(gè)沉積源噴嘴 121的寬度，h表示沉積源110和圖案化縫隙片150之間的距離。然而，當(dāng)沒有通過障礙板131劃分沉積源噴嘴單元120和圖案化縫隙片150之間 的空間時(shí)，如圖6C中所示，與圖6B的情況相比，沉積材料115通過圖案化縫隙片150以更 寬范圍的角度排放。這是因?yàn)椴粌H通過直接面對圖案化縫隙151的沉積源噴嘴121而且通 過除了上述的沉積源噴嘴121之外的沉積源噴嘴121排放的沉積材料115穿過上述的圖案 化縫隙151，然后沉積在基底400上。因此，形成在基底400上的陰影區(qū)域的寬度SH2遠(yuǎn)大 于當(dāng)通過障礙板131劃分沉積空間時(shí)的寬度。形成在基底400上的陰影區(qū)域的寬度SH2利 用式2來確定。式2SH2 = s X 2d/h其中，s表示圖案化縫隙片150和基底400之間的距離，d表示相鄰的障礙板131 之間的間距，相鄰的障礙板131之間的間距基本等于相鄰的沉積源噴嘴121之間的間距，h 表示沉積源110和圖案化縫隙片150之間的距離。參照式1和式2，每個(gè)沉積源噴嘴121的寬度ds是相鄰的障礙板131之間的間距 d的幾分之一至幾十分之一。因此，當(dāng)障礙板131劃分沉積源噴嘴單元120和圖案化縫隙 片150之間的空間時(shí)，陰影區(qū)域可以具有更小的寬度?？梢酝ㄟ^如下方式中的任一種來減 小形成在基底400上的陰影區(qū)域的寬度SH2 (1)減小相鄰的障礙板131之間的間距d，(2) 減小圖案化縫隙片150和基底400之間的距離s，或(3)通過增加沉積源110和圖案化縫隙 片150之間的距離h。如上所述，可以通過安裝障礙板131來減小形成在基底400上的陰影區(qū)域。因此， 圖案化縫隙片150可以與基底400分開。下文中，將詳細(xì)描述用于得到沉積在基底400的整個(gè)表面上的薄膜的厚度均勻性 的圖案化縫隙片。圖7是示出通過利用傳統(tǒng)的薄膜沉積設(shè)備和根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的薄膜沉積設(shè)備 100而沉積在基底上的薄膜的部分的分布的示意圖。圖7示出通過每個(gè)開口，即，圖3的每 個(gè)沉積源噴嘴121排放的沉積材料115的輻射的量或系數(shù)相同的情況。在圖7中，S表示 每個(gè)子沉積空間，d表示相鄰的障礙板之間的距離。在圖7中，由包括具有長度相同的圖案化縫隙的圖案化縫隙片的傳統(tǒng)的薄膜沉積 設(shè)備沉積的薄膜的部分的形狀由A線指示。由包括長度不同的圖案化縫隙151的圖案化縫 隙片150的薄膜沉積設(shè)備100沉積的薄膜的部分的形狀由B線指示。參照圖7，在真空狀態(tài)下，根據(jù)余弦定理(cosine rule)，最大量的沉積材料115排 放在與每個(gè)沉積源噴嘴(見圖3的121)垂直的部分中，即，在每個(gè)子沉積空間S的中部中，且排放的沉積材料115的量在靠近障礙板(見圖3的131)的部分中減小。因此，由包括 具有長度相同的圖案化縫隙的圖案化縫隙片的傳統(tǒng)的薄膜沉積設(shè)備沉積的薄膜可以按圖7 中的A線的形狀形成。即，在子沉積空間S中，膜的中部突出。對于形成在基底400上的薄 膜的整個(gè)表面來說，薄膜具有由重復(fù)的突出部分和凹進(jìn)部分形成的不規(guī)則的表面。在這樣的情況下，通過實(shí)驗(yàn)可以容易地推導(dǎo)出與每個(gè)子沉積空間S的中部的距離 和沉積的薄膜的部分的厚度之間的關(guān)系。在大多數(shù)情況下，可以利用COSn(Q)的函數(shù)來表 示該關(guān)系。為了消除如上所述的在每個(gè)子沉積空間S中的沉積的薄膜的部分的厚度的不均 勻性，圖案化縫隙151的長度可以彼此不同。圖8是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的從圖3的薄膜沉積設(shè)備100的沉積源排放沉積材 料115的示意圖。沉積的薄膜的輪廓可以通過沉積源110和基底400之間的距離并通過cosn( θ )中 的η來確定。圖3的薄膜沉積設(shè)備100在相對于基底400移動(dòng)的同時(shí)執(zhí)行沉積，因此，沉積 材料沿圖3的薄膜沉積設(shè)備100的移動(dòng)方向彼此疊置。沉積的薄膜的部分的根據(jù)位置的厚 度可以利用下面的式3來確定式3
權(quán)利要求
一種薄膜沉積設(shè)備，用于在基底上形成薄膜，所述設(shè)備包括沉積源，排放沉積材料；沉積源噴嘴單元，設(shè)置在沉積源的一側(cè)處，并包括沿第一方向布置的多個(gè)沉積源噴嘴；圖案化縫隙片，設(shè)置為與沉積源相對，并包括沿第一方向布置的多個(gè)圖案化縫隙；障礙板組件，沿第一方向設(shè)置在沉積源噴嘴單元和圖案化縫隙片之間，并包括將沉積源噴嘴單元和圖案化縫隙片之間的空間劃分為多個(gè)子沉積空間的多個(gè)障礙板，其中，與每個(gè)子沉積空間對應(yīng)的圖案化縫隙的長度彼此不同，薄膜沉積設(shè)備與基底分開預(yù)定距離，薄膜沉積設(shè)備和基底能夠相對于彼此移動(dòng)。
2.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，圖案化縫隙距每個(gè)子沉積空間的中心越遠(yuǎn)，圖案化 縫隙的長度越長。
3.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，與每個(gè)子沉積空間的中心對應(yīng)的圖案化縫隙的長 度小于與每個(gè)子沉積空間的端部對應(yīng)的圖案化縫隙的長度。
4.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，所述設(shè)備還包括支撐構(gòu)件，用于支撐圖案化縫隙片，從而防止圖案化縫隙片朝向沉積源凹陷。
5.如權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其中，支撐構(gòu)件設(shè)置為與圖案化縫隙的縱向方向交叉。
6.如權(quán)利要求5所述的設(shè)備，其中，支撐構(gòu)件延伸為垂直于圖案化縫隙的縱向方向。
7.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，所述設(shè)備還包括校正板，設(shè)置在沉積源噴嘴單元和圖案 化縫隙片之間，并阻擋從沉積源排放的沉積材料中的至少一部分。
8.如權(quán)利要求7所述的設(shè)備，其中，校正板設(shè)置為使得沉積的薄膜的部分的厚度基本 相同。
9.如權(quán)利要求7所述的設(shè)備，其中，距每個(gè)子沉積空間的中心越遠(yuǎn)，校正板的高度越
10.如權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其中，校正板是弧形或余弦曲線形狀。
11.如權(quán)利要求7所述的設(shè)備，其中，校正板在每個(gè)子沉積空間的中心中的高度小于校 正板在每個(gè)子沉積空間的端部處的高度。
12.如權(quán)利要求7所述的設(shè)備，其中，由校正板在每個(gè)子沉積空間的中心中阻擋的沉積 材料的量大于由校正板在每個(gè)子沉積空間的端部處阻擋的沉積材料的量。
13.如權(quán)利要求7所述的設(shè)備，其中，校正板設(shè)置在相鄰的障礙板之間。
14.如權(quán)利要求7所述的設(shè)備，其中， 校正板設(shè)置在每個(gè)子沉積空間中，校正板的尺寸或形狀是根據(jù)通過設(shè)置在每個(gè)子沉積空間中的沉積源噴嘴排放的沉積 材料的特性而能夠改變的。
15.如權(quán)利要求14所述的設(shè)備，其中，校正板的尺寸或形狀是能夠改變的，使得在多個(gè) 子沉積空間中沉積的薄膜的部分的厚度相同。
16.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，每個(gè)障礙板沿與第一方向基本垂直的第二方向延 伸，以將沉積源噴嘴單元和圖案化縫隙片之間的空間劃分為多個(gè)子沉積空間。
17.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述多個(gè)障礙板按相等的間距布置。
18.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，障礙板與沉積源噴嘴單元分開預(yù)定的距離。
19.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，每個(gè)障礙板組件包括第一障礙板組件和第二障礙 板組件，第一障礙板組件包括多個(gè)第一障礙板，第二障礙板組件包括多個(gè)第二障礙板。
20.如權(quán)利要求19所述的設(shè)備，其中，每個(gè)第一障礙板和每個(gè)第二障礙板沿與第一方 向基本垂直的第二方向延伸，以將沉積源噴嘴單元和圖案化縫隙片之間的空間劃分為多個(gè) 子沉積空間。
21.如權(quán)利要求19所述的設(shè)備，其中，第一障礙板布置為分別對應(yīng)于第二障礙板。
22.如權(quán)利要求21所述的設(shè)備，其中，彼此對應(yīng)的每對第一障礙板和第二障礙板布置 在基本同一平面上。
23.如權(quán)利要求19所述的薄膜沉積設(shè)備，其中，第一障礙板組件和第二障礙板組件中 的至少一個(gè)包括冷卻構(gòu)件。
24.如權(quán)利要求19所述的薄膜沉積設(shè)備，其中，第一障礙板和第二障礙板具有相同的厚度。
25.如權(quán)利要求19所述的薄膜沉積設(shè)備，其中，第一障礙板厚于第二障礙板。
26.一種薄膜沉積設(shè)備，用于在基底上形成薄膜，所述設(shè)備包括 沉積源，排放沉積材料；沉積源噴嘴單元，設(shè)置在沉積源的一側(cè)處，并包括沿第一方向布置的多個(gè)沉積源噴嘴；圖案化縫隙片，設(shè)置為與沉積源噴嘴單元相對，并包括沿與第一方向垂直的第二方向 布置的多個(gè)圖案化縫隙， 其中，所述多個(gè)圖案化縫隙形成為具有彼此不同的長度，在基底或薄膜沉積設(shè)備沿第一方向相對于彼此移動(dòng)的同時(shí)執(zhí)行沉積，沉積源、沉積源噴嘴單元、圖案化縫隙片彼此一體化地形成。
27.如權(quán)利要求26所述的設(shè)備，其中，所述多個(gè)圖案化縫隙設(shè)置為使得形成在基底上 的薄膜在整個(gè)基底上具有恒定的厚度。
28.如權(quán)利要求26所述的設(shè)備，其中，根據(jù)圖案化縫隙的長度來控制沉積在基底上的 沉積材料的量。
29.如權(quán)利要求26所述的設(shè)備，其中，位于圖案化縫隙片的中部處的圖案化縫隙的長 度短于位于圖案化縫隙片的端部處的圖案化縫隙的長度。
30.如權(quán)利要求26所述的設(shè)備，其中，沉積源和沉積源噴嘴單元與圖案化縫隙片通過 連接構(gòu)件彼此連接。
31.如權(quán)利要求30所述的設(shè)備，其中，連接構(gòu)件引導(dǎo)排放的沉積材料的運(yùn)動(dòng)。
32.如權(quán)利要求30所述的設(shè)備，其中，連接構(gòu)件密封沉積源和沉積源噴嘴單元與圖案 化縫隙片之間的空間。
33.如權(quán)利要求26所述的設(shè)備，其中，薄膜沉積設(shè)備與基底分開預(yù)定距離。
34.如權(quán)利要求26所述的設(shè)備，其中，在基底或薄膜沉積設(shè)備沿第一方向相對于彼此 移動(dòng)的同時(shí)，從薄膜沉積設(shè)備排放的沉積材料連續(xù)地沉積在基底上。
35.如權(quán)利要求26所述的設(shè)備，其中，薄膜沉積設(shè)備的圖案化縫隙片小于基底。
36.如權(quán)利要求26所述的設(shè)備，所述設(shè)備還包括支撐構(gòu)件，用于支撐圖案化縫隙片，從而防止圖案化縫隙片朝向沉積源凹陷。
37.如權(quán)利要求36所述的設(shè)備，其中，支撐構(gòu)件與圖案化縫隙的縱向方向交叉。
38.如權(quán)利要求37所述的設(shè)備，其中，支撐構(gòu)件與圖案化縫隙的縱向方向垂直。
39.一種薄膜沉積設(shè)備，用于在基底上形成薄膜，所述設(shè)備包括 沉積源，排放沉積材料；沉積源噴嘴單元，設(shè)置在沉積源的一側(cè)處，并包括沿第一方向布置的多個(gè)沉積源噴嘴；圖案化縫隙片，設(shè)置為與沉積源噴嘴單元相對，并包括沿與第一方向垂直的第二方向 布置的多個(gè)圖案化縫隙，校正板，設(shè)置在沉積源噴嘴單元和圖案化縫隙片之間，從而阻擋從沉積源排放的沉積 材料中的至少一些沉積材料， 其中，在基底或薄膜沉積設(shè)備沿第一方向相對于彼此移動(dòng)的同時(shí)執(zhí)行沉積， 沉積源、沉積源噴嘴單元、圖案化縫隙片彼此一體化地形成。
40.如權(quán)利要求39所述的設(shè)備，其中，校正板設(shè)置為使得形成在基底上的薄膜在基底 的整個(gè)表面上具有恒定的厚度。
41.如權(quán)利要求396所述的設(shè)備，其中，校正板的高度隨著與圖案化縫隙片的中部分開 而逐漸減小。
42.如權(quán)利要求41所述的設(shè)備，其中，校正板具有圓弧形狀或余弦曲線形狀。
43.如權(quán)利要求40所述的設(shè)備，其中，校正板形成為在圖案化縫隙片的中部處阻擋的 沉積材料多于在圖案化縫隙片的端部上阻擋的沉積材料。
44.一種通過使用用于在基底上形成薄膜的薄膜沉積設(shè)備來制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的 方法，所述方法包括如下步驟將基底布置為與薄膜沉積設(shè)備分開預(yù)定距離；在基底或薄膜沉積設(shè)備相對于彼此移動(dòng)的同時(shí)將從薄膜沉積設(shè)備排放的沉積材料沉 積在基底上。
45.如權(quán)利要求44所述的方法，在基底上沉積沉積材料的步驟進(jìn)一步包括在薄膜沉積設(shè)備或基底相對于彼此移動(dòng)的同時(shí)連續(xù)地沉積從薄膜沉積設(shè)備排放的沉 積材料。
全文摘要
本發(fā)明提供一種薄膜沉積設(shè)備和制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。提供了一種可以應(yīng)用于大規(guī)模制造大尺寸顯示裝置并改善了生產(chǎn)率的薄膜沉積設(shè)備和通過利用該薄膜沉積設(shè)備來制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。所述方法包括如下步驟將基底布置為與薄膜沉積設(shè)備分開預(yù)定距離；在薄膜沉積設(shè)備或基底相對于彼此移動(dòng)的同時(shí)將從薄膜沉積設(shè)備排放的沉積材料沉積在基底上。
文檔編號H01L51/56GK101997092SQ20101026341
公開日2011年3月30日 申請日期2010年8月25日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月25日
發(fā)明者吳枝淑, 樸鉉淑, 李潤美, 柳在光, 金相洙, 金鐘憲 申請人:三星移動(dòng)顯示器株式會社