專利名稱：晶片傳送方法及裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體晶片的制程，具體涉及一種晶片傳送方法及裝置。背景技術(shù)：
半導(dǎo)體制造過程中，晶片傳送腔體中的晶片存儲升降裝置負(fù)責(zé)晶片的傳送及其存儲。晶片被傳送到晶片存儲升降裝置的指定位置進(jìn)行傳送和存儲。晶片存儲升降裝置對晶片進(jìn)行傳送時，晶片必須在指定位置時才能夠進(jìn)行。但是， 晶片在傳送到晶片存儲升降裝置上時，由于機(jī)臺的不穩(wěn)定以及振動等原因，晶片會發(fā)生位置偏離，偏離晶片存儲升降裝置的指定位置(晶舟)。晶片的位置發(fā)生偏移時，若不及時發(fā)現(xiàn)，晶片存儲升降裝置會繼續(xù)上下動作，傳送晶片，造成晶片破片。同時，晶片破片時會產(chǎn)生破片碎屑，掉落在晶片傳送腔體中的其他晶片上，使其他晶片顆粒超標(biāo)，不符合制造規(guī)格造成報廢，從而造成晶片的大量浪費，提高了制造成本。
發(fā)明內(nèi)容有鑒于此，有必要針對上述晶片傳送時偏離指定位置造成破片的問題，提供一種防止晶片破片的晶片傳送方法。此外，還有必要提供一種防止晶片破片的晶片傳送裝置?！N晶片傳送方法，包括如下步驟檢測晶片是否偏離指定位置；晶片偏離指定位置時，停止傳送晶片。優(yōu)選的，所述檢測晶片是否偏離指定位置的步驟通過至少3組檢測光路完成，所述檢測光路設(shè)置在指定位置的邊緣且位于同一圓上，并且以任一檢測光路為起點依次連接所有檢測光路形成的圓弧都為優(yōu)弧。優(yōu)選的，每組檢測光路包括至少一個光電傳感器以及至少一個反光鏡，所述反光鏡設(shè)置在指定位置的邊緣且在同一圓上，并且以任一反光鏡為起點依次連接所有反光鏡形成的圓弧都為優(yōu)?。凰龉怆妭鞲衅髟O(shè)置在所述反光鏡的法線方向上，包括發(fā)射端和接收端，所述發(fā)射端向反光鏡發(fā)射光束，所述接收端接收反光鏡反射的光束。優(yōu)選的，所述檢測晶片是否偏離指定位置的步驟具體為根據(jù)所述接收端是否全部接收到反光鏡反射的光束來檢測晶片是否偏離指定位置；當(dāng)晶片未偏離指定位置時，所述接收端全部能夠接收到光束；當(dāng)晶片偏離指定位置時，所述接收端至少有一個不能接收到光束。優(yōu)選的，所述檢測晶片是否偏離指定位置的步驟采用距離傳感器，所述距離傳感器檢測到指定位置邊緣的距離是否發(fā)生變化，來判斷晶片是否偏離指定位置；當(dāng)晶片偏離指定位置時，晶片覆蓋在指定位置邊緣，所述距離傳感器與指定位置邊緣的距離因晶片厚度而變小，從而檢測到晶片的偏離。優(yōu)選的，晶片偏離指定位置，停止傳送后還包括對對晶片進(jìn)行校正的步驟。
一種晶片傳送裝置，包括位置檢測模塊，用于檢測晶片是否偏離指定位置；控制模塊，用于在所述位置檢測模塊檢測到晶片偏離指定位置時，停止傳送晶片。優(yōu)選的，所述位置檢測模塊包括至少3組連接控制模塊的檢測光路，所述檢測光路設(shè)置在指定位置的邊緣且位于同一圓上，并且以任一檢測光路為起點依次連接所有檢測光路形成的圓弧都為優(yōu)弧。優(yōu)選的，每組檢測光路包括至少一個反光鏡以及至少一個光電傳感器；反光鏡設(shè)置在指定位置的邊緣且位于同一圓上，并且以任一反光鏡為起點依次連接所有反光鏡形成的圓弧為優(yōu)??；所述光電傳感器設(shè)置于所述反光鏡的法線方向，包括發(fā)射端和接收端，所述發(fā)射端向所述反光鏡發(fā)射光束，所述接收端接收所述反光鏡反射的光束。優(yōu)選的，所述位置檢測模塊根據(jù)所述接收端是否全部接收到光束來判斷晶片是否偏離指定位置；晶片未偏離指定位置時，所述接收端全部接收到光束；晶片偏離指定位置時，所述接收端至少有一個不能接收到光束。優(yōu)選的，所述位置檢測模塊包括距離傳感器，所述距離傳感器檢測到指定位置邊緣的距離是否發(fā)生變化來判斷晶片是否偏離指定位置；晶片偏離指定位置時，晶片覆蓋在指定位置邊緣，所述距離傳感器與指定位置邊緣的距離因晶片厚度而變化小，從而檢測到晶片的偏離。優(yōu)選的，所述晶片傳送裝置還包括校正機(jī)械手臂以及報警模塊；所述校正機(jī)械手臂用于在晶片偏離指定位置時，接收所述控制模塊的校正信號， 對晶片進(jìn)行校正，使晶片在限定時間內(nèi)回到指定位置；所述報警模塊用于在晶片在限定時間內(nèi)未回到指定位置時進(jìn)行報警。與現(xiàn)有技術(shù)相比本發(fā)明的技術(shù)效果是上述晶片傳送方法及裝置，傳送晶片之前， 檢測晶片是否偏離指定位置，當(dāng)晶片偏離指定位置時，使晶片存儲升降裝置停止傳送晶片， 從而避免了晶片偏離指定位置繼續(xù)傳送造成晶片破片的問題，提高了晶片傳送的穩(wěn)定性和安全性，降低了破片率，大大節(jié)約了成本。本發(fā)明進(jìn)一步的技術(shù)效果還在于采用檢測光路和距離傳感器避免在指定位置處過多的引入線路和進(jìn)行過多的改造，影響機(jī)臺的工作性能以及節(jié)約成本。本發(fā)明通過設(shè)置校正機(jī)械手臂在晶片發(fā)生偏離時對晶片進(jìn)行校正，使晶片在限定時間內(nèi)回到指定位置，避免發(fā)生破片。本發(fā)明的報警模塊在無法在限定時間內(nèi)對晶片進(jìn)行校正時，進(jìn)行報警，通知機(jī)組人員及時進(jìn)行及時處理，提高生產(chǎn)效率并提供雙重保障。
圖1是一實施例中的晶片傳送裝置結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是一個實施例中位置檢測模塊的結(jié)構(gòu)圖。圖3是位置檢測模塊檢測晶片是否偏離指定位置的原理圖。圖4是位置檢測模塊檢測晶片是否偏離指定位置的原理圖。圖5是一個實施例中晶片傳送裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
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圖6是一實施例中的晶片傳送方法的流程圖。
具體實施方式下面結(jié)合附圖，對本發(fā)明的具體實施方式
進(jìn)行詳細(xì)描述。圖1是一實施例中的晶片傳送裝置結(jié)構(gòu)示意圖。該裝置包括位置檢測模塊100、 控制模塊200、校正機(jī)械手臂300以及報警模塊400。位置檢測模塊100用于檢測晶片是否偏離指定位置，并將檢測結(jié)果傳送給控制模塊 200。該實施例中，指定位置為晶片存儲升降裝置上承載晶片的位置。圖2是一個實施例中位置檢測模塊100的結(jié)構(gòu)圖。該實施例中，位置檢測模塊100 包括至少3組檢測光路。檢測光路設(shè)置在指定位置的邊緣，位于同一圓上，并且以任一檢測光路為起點依次連接所有檢測光路形成的圓弧都為優(yōu)弧。該實施例中，每組檢測光路包括至少一個反光鏡110以及至少一個光電傳感器120，用來檢測晶片是否偏離指定位置。反光鏡110設(shè)置在指定位置的邊緣，位于同一圓圈上，并且以任一反光鏡110為起點依次連接所有反光鏡110形成的所有圓弧(所有圓弧是指從任意一個反光鏡開始，朝任意方向連接其他反光鏡的形成的圓弧)都為優(yōu)弧。反光鏡110的這種分布方式使得無論晶片向哪個方向偏離，都會遮擋到反光鏡110，實現(xiàn)對晶片任意偏離方向的檢測，同時降低反光鏡110的使用個數(shù)。光電傳感器120設(shè)置于反光鏡110的上方，其包括發(fā)射端122和接收端124，發(fā)射端122向反光鏡110發(fā)射光束，光束被反光鏡110反射后入射到接收端124，接收端IM接收反光鏡110發(fā)射的光束。結(jié)合圖3和圖4是位置檢測模塊100檢測晶片是否偏離指定位置的原理圖。檢測模塊100在指定位置的邊緣設(shè)置反光鏡110，采用反射的方式進(jìn)行檢測，避免在指定位置處過多的引入線路和進(jìn)行過多的改造，影響機(jī)臺的工作性能以及節(jié)約成本。晶片30未偏離指定位置時，光束不被晶片30阻擋，接收端IM全部能夠接收到反光鏡110發(fā)射的光束；晶片30偏離指定位置時，晶片30覆蓋在至少一個反光鏡110上，光束被晶片30阻擋，不能入射到反光鏡110上進(jìn)行反射，則至少有一個接收端IM無法接收到反光鏡110反射的光束。位置檢測模塊100根據(jù)接收端IM是否接收到光束，判斷晶片是否偏離指定位置。在其他的實施方式，位置檢測模塊100可只包括光電傳感器120，發(fā)射端122設(shè)置在指定位置的邊緣，垂直向上發(fā)射光束，接收端1 位于發(fā)射端122正上方，接收光束?；蛘呓邮斩薎M設(shè)置在指定位置的邊緣，發(fā)射端122設(shè)置在接收端124的正上方，向接收端IM 發(fā)射光束，接收端1 接收光束。晶片30在指定位置時，全部接收端IM能夠接收到光束。 晶片30未偏離指定位置時，至少一個接收端IM接收不到光束，從而檢測晶片30是否偏離指定位置。在只采用光電傳感器120的情況下，將至少三個光電傳感器120位于同一圓圈上， 并且依次連接所有光電傳感器120形成的所有圓弧都為優(yōu)弧。光電傳感器120的這種分布方式使得無論晶片向哪個方向偏離，都會遮擋到光電傳感器120發(fā)出的光線。此外，位置檢測模塊100還可使用距離傳感器，通過向指定位置邊緣發(fā)射聲波或者光束，探測距離傳感器與指定位置邊緣的距離，檢測晶片是否偏離指定位置。距離傳感器至少為3個，位于同一圓上，并且以任一距離傳感器為起點依次連接所有距離傳感器形成的圓弧都為優(yōu)弧。晶片偏離指定位置時，晶片的厚度覆蓋在指定位置邊緣，距離傳感器與指定位置邊緣的距離會發(fā)生變化，從而檢測到晶片的偏離。同時根據(jù)距離變化情況以及晶片的厚度，可以確定晶片的邊緣，確定晶片偏離后的位置?？刂颇K200用于在位置檢測模塊100檢測到晶片偏離指定位置時，停止傳送晶片?？刂颇K200在位置檢測模塊100檢測到晶片偏離指定位置時，控制電源斷電，使
晶片存儲升降裝置停止傳送晶片。控制模塊200根據(jù)檢測模塊100的檢測，確定晶片偏離后的位置(可以通過距離傳感器檢測晶片的邊緣，確定晶片的圓心，從而確定晶片的位置)，計算晶片的偏離方向 (晶片的圓心相對于指定位置的圓心)以及偏離距離，并向校正機(jī)械手臂300發(fā)出校正命令，控制校正機(jī)械手臂300對晶片進(jìn)行校正，將晶片沿偏離方向反方向移動偏離距離后，使晶片在限定時間內(nèi)回到指定位置。晶片回到指定位置后，控制模塊200控制晶片存儲升降裝置繼續(xù)傳送晶片。報警模塊400在控制模塊200的控制下在晶片偏離指定位置時或者在校正機(jī)械手臂300無法在限定時間內(nèi)對晶片進(jìn)行校正時，進(jìn)行報警，通知機(jī)組人員及時進(jìn)行及時處理，
提高生產(chǎn)效率并提供雙重保障。圖5是一個實施例中晶片傳送裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。該實施例中，位置檢測模塊100 包括四個相同的光電傳感器120以及四個反光鏡110，反光鏡110包括四個，位于同一圓圈上，并且依次連接所有反光鏡100形成的所有圓弧都為優(yōu)弧，既能與現(xiàn)有晶片存儲升降裝置結(jié)構(gòu)合理的組合，又能全方位的檢測晶片不同方向的偏離，最大限度的防止晶片產(chǎn)生破片。晶片未偏離指定位置時，四個接收端IM都能夠接收到光束，晶片偏離指定位置時，至少有一個接收端1 接收不到光束。控制模塊200接收位置檢測模塊100的檢測結(jié)果對晶片的傳送進(jìn)行控制，晶片偏離指定位置時，停止傳送并進(jìn)行校正從而保證晶片傳送的安全性，防止晶片偏離指定位置時繼續(xù)傳送造成破片。此外，還提供一種晶片的傳送方法。圖6是一實施例中的晶片傳送方法的流程圖。該方法包括如下步驟SlO 檢測晶片是否偏離指定位置。該實施例中，指定位置為晶片存儲升降裝置上承載晶片的位置。檢測晶片是否偏離指定位置，采用至少3組檢測光路。檢測光路設(shè)置在指定位置的邊緣，位于同一圓上，并且以任一檢測光路為起點依次連接所有檢測光路形成的圓弧都為優(yōu)弧。該實施例中，每組檢測光路包括至少一個光電傳感器以及至少一個反光鏡來實現(xiàn)。反光鏡設(shè)置在指定位置的邊緣，位于同一圓圈上，并且以任意一反光鏡為起點依次連接所有反光鏡形成的所有圓弧都為優(yōu)弧。反光鏡的這種分布方式使得無論晶片向哪個方向偏離，都會遮擋到反光鏡，實現(xiàn)對晶片任意偏離方向的檢測，同時降低反光鏡的使用個數(shù)。光電傳感器設(shè)置于反光鏡的上方，其包括發(fā)射端和接收端，發(fā)射端向反光鏡發(fā)射光束，光束被反光鏡反射后入射到接收端，接收端接收反光鏡發(fā)射的光束。在該實施例中，檢測晶片是否偏離指定位置的方法具體為根據(jù)接收端是否接收到光束，檢測晶片是否偏離指定位置。晶片未偏離指定位置時，光束不被晶片阻擋，全部的接收端能夠接收到反光鏡發(fā)射的光束；晶片偏離指定位置時，晶片覆蓋在至少一個反光鏡上，光束被晶片阻擋，不能入射到反光鏡上進(jìn)行反射，至少一個接收端無法接收到反光鏡反射的光束。在其他的實施方式，檢測晶片是否偏離指定位置，也可只采用光電傳感器來實現(xiàn)。 發(fā)射端設(shè)置在指定位置的邊緣，垂直向上發(fā)射光束，接收端位于發(fā)射端正上方，接收光束。 或者接收端設(shè)置在指定位置的邊緣，發(fā)射端設(shè)置在接收端的正上方，向接收端發(fā)射光束，接收端接收光束。晶片未偏離指定位置時，全部的接收端能夠接收到光束。晶片偏離指定位置時，光束被晶片阻擋，至少一個接收端接收不到光束，從而檢測晶片是否偏離指定位置。采用光電傳感器的情況下，也可以將至少三個光電傳感器位于同一圓圈上，并且依次連接所有光電傳感器形成的所有圓弧都為優(yōu)弧。光電傳感器的這種分布方式使得無論晶片向哪個方向偏離，都會遮擋到光電傳感器發(fā)出的光線。檢測晶片是否偏離指定位置還可使用距離傳感器，通過向指定位置邊緣發(fā)射聲波或者光束，探測距離傳感器與指定位置邊緣的距離，檢測晶片是否偏離指定位置。距離傳感器至少為3個，位于同一圓上，并且以任一距離傳感器為起點依次連接所有距離傳感器形成的圓弧都為優(yōu)弧。晶片偏離指定位置時，晶片的厚度覆蓋在指定位置邊緣，距離傳感器與指定位置邊緣的距離會發(fā)生變化，從而檢測到晶片的偏離。同時根據(jù)距離變化情況以及晶片的厚度，可以確定晶片的邊緣，確定晶片偏離后的位置。S20 晶片偏離指定位置時，停止傳送晶片。檢測結(jié)果為晶片偏離指定位置時，控制電源斷電，使晶片存儲升降裝置停止傳送
曰曰/Τ。S30 在優(yōu)選實施方式中，晶片偏離指定位置時，停止傳送晶片后還包括對晶片進(jìn)行校正的步驟，通過對檢測結(jié)果的分析，確定晶片的偏離方向和偏離距離，將晶片沿偏離方向反方向移動偏離距離后，使晶片在限定時間內(nèi)回到指定位置。晶片回到指定位置后繼續(xù)進(jìn)行傳送。如果在限定時間內(nèi)無法對晶片進(jìn)行校正則進(jìn)行報警，通知機(jī)組人員及時進(jìn)行及時處理，提高生產(chǎn)效率并提供雙重保障。上述晶片傳送方法及裝置，傳送晶片之前，檢測晶片是否偏離指定位置，當(dāng)晶片偏離指定位置時，使晶片存儲升降裝置停止傳送晶片，從而避免了晶片偏離指定位置繼續(xù)傳送造成晶片破片的問題，提高了晶片傳送的穩(wěn)定性和安全性，降低了破片率，大大節(jié)約了成本。以上所述實施例僅表達(dá)了本發(fā)明的實施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說， 在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種晶片傳送方法，包括如下步驟檢測晶片是否偏離指定位置；晶片偏離指定位置時，停止傳送晶片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片傳送方法，其特征在于，所述檢測晶片是否偏離指定位置的步驟通過至少3組檢測光路完成，所述檢測光路設(shè)置在指定位置的邊緣且位于同一圓上，并且以任一檢測光路為起點依次連接所有檢測光路形成的圓弧都為優(yōu)弧。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片傳送方法，其特征在于，每組檢測光路包括至少一個光電傳感器以及至少一個反光鏡，所述反光鏡設(shè)置在指定位置的邊緣且在同一圓上，并且以任一反光鏡為起點依次連接所有反光鏡形成的圓弧都為優(yōu)??；所述光電傳感器設(shè)置在所述反光鏡的法線方向上，包括發(fā)射端和接收端，所述發(fā)射端向反光鏡發(fā)射光束，所述接收端接收反光鏡反射的光束。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶片傳送方法，其特征在于，所述檢測晶片是否偏離指定位置的步驟具體為根據(jù)所述接收端是否全部接收到反光鏡反射的光束來檢測晶片是否偏離指定位置；當(dāng)晶片未偏離指定位置時，所述接收端全部能夠接收到光束；當(dāng)晶片偏離指定位置時，所述接收端至少有一個不能接收到光束。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片傳送方法，其特征在于，所述檢測晶片是否偏離指定位置的步驟采用距離傳感器，所述距離傳感器檢測到指定位置邊緣的距離是否發(fā)生變化，來判斷晶片是否偏離指定位置；當(dāng)晶片偏離指定位置時，晶片覆蓋在指定位置邊緣，所述距離傳感器與指定位置邊緣的距離因晶片厚度而變小，從而檢測到晶片的偏離。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任意一項所述的晶片傳送方法，其特征在于，晶片偏離指定位置，停止傳送后還包括對對晶片進(jìn)行校正的步驟。
7.一種晶片傳送裝置，其特征在于，包括位置檢測模塊，用于檢測晶片是否偏離指定位置；控制模塊，用于在所述位置檢測模塊檢測到晶片偏離指定位置時，停止傳送晶片。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶片傳送裝置，其特征在于，所述位置檢測模塊包括至少3組連接控制模塊的檢測光路，所述檢測光路設(shè)置在指定位置的邊緣且位于同一圓上，并且以任一檢測光路為起點依次連接所有檢測光路形成的圓弧都為優(yōu)弧。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶片傳送裝置，其特征在于，每組檢測光路包括至少一個反光鏡以及至少一個光電傳感器；反光鏡設(shè)置在指定位置的邊緣且位于同一圓上，并且以任一反光鏡為起點依次連接所有反光鏡形成的圓弧為優(yōu)??；所述光電傳感器設(shè)置于所述反光鏡的法線方向，包括發(fā)射端和接收端，所述發(fā)射端向所述反光鏡發(fā)射光束，所述接收端接收所述反光鏡反射的光束。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶片傳送裝置，其特征在于，所述位置檢測模塊根據(jù)所述接收端是否全部接收到光束來判斷晶片是否偏離指定位置；晶片未偏離指定位置時，所述接收端全部接收到光束；晶片偏離指定位置時，所述接收端至少有一個不能接收到光束。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶片傳送裝置，其特征在于，所述位置檢測模塊包括距離傳感器，所述距離傳感器檢測到指定位置邊緣的距離是否發(fā)生變化來判斷晶片是否偏離指定位置；晶片偏離指定位置時，晶片覆蓋在指定位置邊緣，所述距離傳感器與指定位置邊緣的距離因晶片厚度而變化小，從而檢測到晶片的偏離。
12.根據(jù)權(quán)利要求7-11任意一項所述的晶片傳送裝置，其特征在于，所述晶片傳送裝置還包括校正機(jī)械手臂以及報警模塊；所述校正機(jī)械手臂用于在晶片偏離指定位置時，接收所述控制模塊的校正信號，對晶片進(jìn)行校正，使晶片在限定時間內(nèi)回到指定位置；所述報警模塊用于在晶片在限定時間內(nèi)未回到指定位置時進(jìn)行報警。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種晶片傳送方法及裝置，該方法包括如下步驟檢測晶片是否偏離指定位置；晶片偏離指定位置時，停止傳送晶片。本發(fā)明傳送晶片之前，檢測晶片是否偏離指定位置，當(dāng)晶片偏離指定位置時，使晶片存儲升降裝置停止傳送晶片，從而避免了晶片偏離指定位置繼續(xù)傳送造成晶片破片的問題，提高了晶片傳送的穩(wěn)定性和安全性，降低了破片率，大大節(jié)約了成本。
文檔編號H01L21/677GK102376608SQ20101026331
公開日2012年3月14日 申請日期2010年8月25日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月25日
發(fā)明者畢磊 申請人:無錫華潤上華半導(dǎo)體有限公司, 無錫華潤上華科技有限公司