專利名稱：疏水化處理裝置、疏水化處理方法以及存儲(chǔ)介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及疏水化處理裝置、疏水化處理方法以及存儲(chǔ)介質(zhì)。
背景技術(shù)：
以往在半導(dǎo)體器件、IXD基板等的制造工藝中，抗蝕圖案的形成處理中的工序之一 是對(duì)基板例如半導(dǎo)體晶圓(以下簡(jiǎn)稱晶圓)進(jìn)行疏水化處理。之所以進(jìn)行該處理，是為了向 晶圓的表面噴射HMDS(六甲基二硅氮烷，hexamethyldisilazane)的蒸氣而使晶圓表面從 親水性變成疏水性，以能在將抗蝕劑涂敷在晶圓上之前提高基底膜與抗蝕膜的密合性。此 時(shí)，多將疏水化處理進(jìn)行至晶圓的表面和斜面(bavel)部(外周部端面)，通過上述那樣進(jìn) 行疏水化處理，在實(shí)施浸液曝光處理的情況下，具有抗蝕膜不容易被剝離這一優(yōu)點(diǎn)，該浸液 曝光處理使水介于晶圓和曝光裝置之間而進(jìn)行曝光。作為對(duì)晶圓進(jìn)行上述疏水化處理的裝置，公知下述專利文獻(xiàn)1所述那樣的裝置。 即、該裝置將作為液體原料的藥液的HMDS液貯存在罐內(nèi)，且借助各配管分別使載氣供給源 和用于進(jìn)行疏水化處理的處理室與該罐相連接。自載氣供給源將載氣供給到罐內(nèi)，從而使 罐內(nèi)的HMDS液例如鼓泡(bubbling)而氣化，然后利用載氣將該氣化了的HMDS氣體輸送到
處理室內(nèi)。另外，由于在半導(dǎo)體器件的制造工序中希望可以提高生產(chǎn)率，因而也希望可以縮 短在該疏水化處理中的處理時(shí)間。因此，正在研究向晶圓供給濃度比較高的HMDS氣體(疏 水化氣體)以謀求提高生產(chǎn)率。由于上述疏水化氣體的產(chǎn)生速度相對(duì)于HMDS液與載氣的接觸面積成正比，因此 可以使用大型的罐為作為貯存HMDS液的罐而向晶圓供給高濃度的HMDS氣體，從而能夠提 高生產(chǎn)率。但是，上述那樣大型化的罐無法配置在處理容器的附近，由此導(dǎo)致用于連接處理 室和罐的配管變長(zhǎng)。在配管如上所述那樣變長(zhǎng)時(shí)，擔(dān)心在含有濃度比較高的HMDS氣體的 疏水化氣體流過配管的情況下，該HMDS氣體發(fā)生結(jié)露而不能向晶圓供給預(yù)定濃度的疏水 化氣體，加之由于每次處理晶圓時(shí)都要使上述配管內(nèi)充滿疏水化氣體，因此可能無法充分 地提高生產(chǎn)率。作為防止出現(xiàn)上述結(jié)露現(xiàn)象的對(duì)策，可以通過在配管中設(shè)置加熱單元而防 止疏水化氣體發(fā)生結(jié)露，但該方法使裝置大型化，導(dǎo)致占有空間(footprint)(占有地面面 積)變大。另外，在罐內(nèi)，HMDS液是與被一直供給的載氣持續(xù)接觸的，因此若片刻沒有產(chǎn)生疏 水化氣體，則HMDS液與載氣在罐內(nèi)反應(yīng)而有可能引發(fā)HMDS液的變質(zhì)。一旦HMDS液發(fā)生變 質(zhì)，則不能使晶圓的表面充分疏水化，從而難以提高晶圓表面與抗蝕膜的密合性。專利文獻(xiàn)1 日本特開平11-214292號(hào)公報(bào)(第
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段)
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述問題而做成的，目的在于提供藥液的氣化效率高、且能夠向基 板供給高濃度的疏水化氣體、此外還能抑制藥液發(fā)生變質(zhì)的疏水化處理裝置、疏水化處理
4方法以及含有用于實(shí)施該方法的計(jì)算機(jī)程序的存儲(chǔ)介質(zhì)。本發(fā)明的疏水化處理裝置的特征在于，該裝置包括氣化面形成部，其表面位于氣 化室內(nèi)；氣化面加熱部件，其用于加熱上述氣化面形成部；藥液供給口，其用于將疏水化處 理用的藥液供給到上述氣化面形成部的表面上；氣體導(dǎo)入口，其用于將載氣導(dǎo)入上述氣化 室內(nèi)；引出口，其用于引出在上述氣化室內(nèi)被氣化了的疏水化氣體；處理容器，其用于利用 自上述引出口供給的疏水化氣體對(duì)被載置在該處理容器內(nèi)部的基板進(jìn)行疏水化處理。也可以將上述氣化室例如設(shè)在上述處理容器的頂板上，將上述氣化面形成部形成 為隨著向下去而逐漸變寬的形狀，上述藥液供給口位于上述氣化面形成部的上方側(cè)。另外， 也可以在上述氣化面形成部上形成用于使藥液利用毛細(xì)管現(xiàn)象擴(kuò)散的槽部。上述疏水化處 理裝置也可以具有氣體加熱部件，在將上述載氣導(dǎo)入氣化室中之前，利用該氣體加熱部件 加熱上述載氣。另外，上述疏水化處理裝置例如還包括濃度檢測(cè)部，其用于檢測(cè)自上述引 出口引出的疏水化氣體的濃度；控制部，其根據(jù)該濃度檢測(cè)部的檢測(cè)值輸出控制信號(hào)，以便 增加自藥液供給口供給到氣化室中的藥液的供給流量，在上述疏水化處理裝置包括上述濃 度檢測(cè)部和控制部的情況下，在即使增加了藥液的供給流量、但濃度檢測(cè)部的檢測(cè)值仍低 于規(guī)定值時(shí)，上述控制部輸出控制信號(hào)，以便升高氣化面加熱部件的加熱溫度。本發(fā)明的疏水化處理方法的特征在于，該方法包括下述工序利用氣化面加熱部 件加熱表面位于氣化室內(nèi)的氣化面形成部的工序；利用藥液供給口將疏水化處理用的藥液 供給到上述氣化面形成部的表面上的工序；自氣體導(dǎo)入口將載氣導(dǎo)入上述氣化室內(nèi)的工 序；自引出口引出在上述氣化室內(nèi)被氣化了的疏水化氣體的工序；將基板載置在處理容器 內(nèi)的工序；利用自上述引出口供給的疏水化氣體對(duì)基板進(jìn)行疏水化處理的工序。該疏水化處理方法也可以包括在上述氣化面形成部上形成槽部且利用毛細(xì)管現(xiàn) 象使藥液在上述槽部中擴(kuò)散的工序，還可以包括在將上述載氣導(dǎo)入氣化室中之前利用氣體 加熱部件加熱該載氣的工序。另外，該疏水化處理方法還可以包括利用濃度檢測(cè)部檢測(cè)自 上述引出口引出的疏水化氣體的濃度的工序；根據(jù)該濃度檢測(cè)部的檢測(cè)值增加自藥液供給 口供給到氣化室中的藥液的供給流量的工序；在該疏水化處理方法包括上述2個(gè)工序的情 況下，還包括下述工序在例如即使增加了藥液的供給流量、但濃度檢測(cè)部的檢測(cè)值仍低于 規(guī)定值時(shí)、升高氣化面加熱部件的加熱溫度的工序。本發(fā)明的存儲(chǔ)介質(zhì)存儲(chǔ)有疏水化處理裝置所用的計(jì)算機(jī)程序，該疏水化處理裝置 用于將疏水化氣體供給到處理容器內(nèi)的基板上，其特征在于，在上述程序中編有用于執(zhí)行 上述疏水化處理方法的步驟組。采用本發(fā)明，由于將疏水化處理用的藥液供給到加熱后的氣化面形成部上且使該 藥液在該氣化面形成部上擴(kuò)散并使該藥液氣化，因此能夠獲得高濃度的疏水化氣體。因而， 在不進(jìn)行氣化時(shí)，不會(huì)像使用罐時(shí)那樣發(fā)生載氣與所貯存的藥液接觸這樣的情況，因此能 夠抑制藥液的變質(zhì)。另外，由于不使用罐，因此不僅能夠?qū)崿F(xiàn)裝置的小型化，而且由于氣化 效率高，所以使用少量的載氣即可。另外，由于能夠小型化地構(gòu)成用于獲得疏水化氣體的部 分(氣化裝置)，因此能夠?qū)⒃摬糠衷O(shè)在處理容器的頂部，由此能夠縮短配管，因此即使輸 送高濃度的疏水化氣體，也不易引發(fā)結(jié)露。
圖1是表示本發(fā)明的疏水化處理裝置的剖視圖。圖2是表示上述疏水化處理裝置的氣體供給通路的詳細(xì)結(jié)構(gòu)的圖。圖3是設(shè)在上述疏水化處理裝置中的氣化單元的縱剖視圖。圖4是上述氣化單元的橫剖視圖。圖5是表示上述疏水化處理裝置的配管的立體圖。圖6是表示上述氣化單元中的氣流的說明圖。圖7是表示上述疏水化處理裝置的處理容器內(nèi)的氣流的說明圖。圖8是表示利用上述疏水化處理裝置進(jìn)行的疏水化處理的步驟的流程圖。圖9是表示配管的另一結(jié)構(gòu)例的立體圖。圖10是表示加熱單元的加熱部件的另一結(jié)構(gòu)例的側(cè)視圖。圖11是具有上述疏水化處理裝置的涂敷、顯影裝置的俯視圖。圖12是上述涂敷、顯影裝置的縱剖視圖。圖13是表示參考試驗(yàn)的結(jié)果的曲線圖。
具體實(shí)施例方式下面，參照
本發(fā)明的疏水化處理裝置的實(shí)施方式。如圖1所示，該疏水化 處理裝置1包括處理容器2和氣化單元(氣化裝置)5 ；上述處理容器2用于對(duì)基板例如晶 圓W進(jìn)行疏水化處理；上述氣化單元5用于產(chǎn)生被送入該處理容器2中的HMDS氣體(疏水 化氣體)。該疏水化處理裝置1以氣密狀態(tài)被收納在未圖示的外殼體中。處理容器2包括上部形成為開口部的容器主體21和以覆蓋該開口部的方式設(shè)置 的蓋體22。該容器主體21具有側(cè)壁部21a和底部21b，且在容器主體21內(nèi)設(shè)有被底部21b 支承的晶圓W的載置臺(tái)23。也就是說在本實(shí)施方式的處理容器2中，底部21b形成至用于 支承載置臺(tái)23的周緣部的區(qū)域，形成載置臺(tái)23為容器主體21的一部分的形態(tài)。并且，載 置臺(tái)23由支承構(gòu)件24和熱板25構(gòu)成；上述支承構(gòu)件24為有底的扁平的筒狀體；上述熱 板25以封閉該支承構(gòu)件24上側(cè)的方式設(shè)置、且被支承在該支承構(gòu)件24上。在熱板25的 背面?zhèn)仍O(shè)有加熱器26。另外，熱板25具有未圖示的溫度測(cè)量部件，后述的控制部100依據(jù) 該溫度測(cè)量部件的輸出而控制加熱器26的溫度。蓋體22包括側(cè)壁部22a和頂板22b，使形成容器主體21的周緣部的側(cè)壁部21a的 上表面和形成蓋體22的周緣部的側(cè)壁部22a的下表面對(duì)齊地靠近，從而利用蓋體22覆蓋容 器主體21的開口部而劃分形成處理室2a。在上述那樣形成的處理室2a的內(nèi)部，從載置臺(tái)23 的晶圓W的載置面到蓋體22的頂板22b的下表面的距離被設(shè)定為例如3mm 1Omm左右。該容器主體21和蓋體22能夠彼此相對(duì)地自由升降，利用未圖示的升降機(jī)構(gòu)能夠 使蓋體22在與容器主體21接觸的處理位置和位于容器主體21上方的基板搬入搬出位置 之間自由升降。另外，在載置臺(tái)23中設(shè)有多根升降銷27，該升降銷27用于在載置臺(tái)23與 未圖示的外部的輸送部件之間交接晶圓W，能夠利用升降機(jī)構(gòu)27a使該升降銷27自由升降。 該多根升降銷27分別貫穿形成在載置臺(tái)23中的通孔23a地配置，通過使該升降銷27上 升，使載置臺(tái)23上的晶圓W自載置臺(tái)23上離開。另外，利用設(shè)在載置臺(tái)23的背面?zhèn)鹊恼?28覆蓋升降銷27的周圍。
另外，在頂板22b的例如中央部形成有用于將HMDS氣體供給到處理室2a內(nèi)的氣 體供給部22c，且在頂板22b上設(shè)有氣化單元5。如圖2所示，氣體供給部22c為在內(nèi)部形 成有氣體流路22d的圓柱狀的構(gòu)件。氣體供給部22c的截面形狀相對(duì)于氣體流路22d的鉛 垂方向?yàn)榇笾绿菪?，且氣體供給部22c自頂板22b向下逐漸變細(xì)。并且，在氣體供給部22c 的下端側(cè)的側(cè)面上、在氣體供給部22c的整個(gè)周向上隔開規(guī)定間隔形成有許多例如直徑為 0. 5mm 2mm的程度的供給孔22e。另外，在蓋體22的側(cè)壁部22a上形成有環(huán)狀的連續(xù)空間即緩沖室31。緩沖室31 沿處理室2a的周向設(shè)置，緩沖室31的下方向容器主體21開口。該緩沖室31具有暫時(shí)將 所供給的吹掃氣體(在本例中為N2氣體)存積起來的功能。圖中的附圖標(biāo)記32表示吹掃 氣的流出通路，流出通路32以自緩沖室31貫穿蓋體22的方式向上方延伸。沿處理室2a 的周向以規(guī)定間隔設(shè)置多個(gè)該流出通路32，在將剩余的吹掃氣體供給到緩沖室31中時(shí)，該 流出通路32起到將該吹掃氣排放到緩沖室31的外部的作用。此外，在容器主體21的側(cè)壁部21a上以分別沿上下方向貫穿的方式沿容器主體 21的周向形成有多個(gè)吹掃氣體供給通路35，該吹掃氣體供給通路35用于將吹掃氣體供給 到該緩沖室31內(nèi)。另外，設(shè)在容器主體21的下表面?zhèn)鹊?、沿容器主體21的周向的環(huán)狀的 氣體供給室36與該吹掃氣體供給通路35相連接，吹掃氣體供給管37的一端與氣體供給室 36相連接。吹掃氣體供給管37的另一端借助閥V6與貯存有N2氣體(氮?dú)?的氣體供給 源40相連接。另外，在為了對(duì)晶圓W進(jìn)行疏水化處理而使容器主體21與蓋體22靠近時(shí)，在容器 主體21與蓋體22之間形成環(huán)狀且連續(xù)的間隙，該間隙用于向處理室2a側(cè)供給緩沖室31 內(nèi)的吹掃氣體。該間隙為吹掃氣體供給孔41，且與緩沖室31連通，并且沿緩沖室31在周向 形成該吹掃氣體供給孔41。該吹掃氣體供給孔41形成在比載置臺(tái)23的上表面稍高的位置 上。另外，蓋體22具有用于將被供給到處理室2a內(nèi)的HMDS氣體以及N2氣體排出的 排氣孔43，在吹掃氣體供給孔41的上側(cè)沿周向隔開規(guī)定間隔開設(shè)多個(gè)該排氣孔43。此外， 蓋體22具有與該排氣孔43連通且在該蓋體22的內(nèi)部沿水平方向擴(kuò)展的環(huán)狀的空心部44， 在蓋體22上表面的上述空心部的內(nèi)周側(cè)設(shè)有多個(gè)排氣孔45，該排氣孔45沿蓋體22的周向 開口。排氣管46的一端與排氣孔45相連接，排氣管46的另一端借助閥V7與排氣部件30 相連接，該排氣部件30例如由排氣泵等構(gòu)成。接下來，使用圖3以及圖4說明氣化單元5。氣化單元5具有殼體51，殼體51設(shè) 在蓋體22的頂板22b上。在殼體51內(nèi)劃分有用于加熱被導(dǎo)入的N2氣體的氣體加熱室52 和用于使被供給的HMDS液氣化的氣化室53，橫向并列配置上述氣體加熱室52以及氣化室 53。在例如氣體加熱室52的側(cè)下方部形成有用于將N2氣體導(dǎo)入該氣體加熱室52內(nèi)的開 口部54。圖中的附圖標(biāo)記55表示構(gòu)成氣體導(dǎo)入口的流通路徑，且橫向設(shè)置該流通路徑，以 連接氣體加熱室52和氣化室53。圖中的附圖標(biāo)記56表示氣流限制構(gòu)件，在氣體加熱室52 中起到限制N2氣體的氣流、能夠利用后述的加熱部件61充分加熱N2氣體的作用。氣體供給管50的一端與開口部54相連接，氣體供給管50的另一端側(cè)借助閥Vl 與N2氣體供給源40相連接。該閥VI、后述的閥V2 閥V5、閥V8以及已述閥V6、V7具有 開閉功能和流量調(diào)整功能，它們?cè)诮邮兆钥刂撇?00輸出的控制信號(hào)后控制流向下游側(cè)的氣體或液體的流量。另外，如圖5所示，在閥Vl與氣化單元5之間將氣體供給管50卷繞在 載置臺(tái)23的側(cè)周，在圖1中為了方便說明而省略表示該結(jié)構(gòu)。利用熱板25的熱量加熱氣 體供給管50，從而能夠利用氣體供給管50中的熱量加熱自N2氣體供給源40供給的N2氣 體直到將該N2氣體供給到氣化單元5內(nèi)。返回圖3、圖4繼續(xù)說明。加熱部件61自氣體加熱室52向氣化室53以橫跨上述 各室的方式延伸。加熱部件61在內(nèi)部具有構(gòu)成氣化面加熱部件的電熱絲62，利用該電熱絲 62能夠加熱整個(gè)該加熱部件61。圖中的附圖標(biāo)記63表示電纜。另外，圖中的附圖標(biāo)記64 表示用于調(diào)整向電熱絲62供給的電力的電力控制器，如后所述，該電力控制器接收自控制 部100輸出的控制信號(hào)來控制向電熱絲62供給的電力。另外，加熱部件61形成有用于在氣化室53中構(gòu)成氣化面形成部的圓錐部65。在 圓錐部65的表面上自圓錐的頂部向底部形成有許多個(gè)槽部66。如后所述，在將HMDS液供 給到圓錐部65的頂部時(shí)，該槽部66起到能夠使HMDS液利用毛細(xì)管現(xiàn)象向上述底部擴(kuò)散的 作用，通過上述那樣使HMDS液向底部擴(kuò)散，能夠增加該HMDS液與朝向該圓錐部65供給的N2 氣體的接觸面積，從而能夠?qū)⒋罅康腍MDS氣體供給到處理容器2中。在該氣化單元5中， 有時(shí)根據(jù)加熱部件61的溫度控制向晶圓W供給的HMDS的濃度，因此作為構(gòu)成該加熱部件 61的材質(zhì)，優(yōu)選使用導(dǎo)熱系數(shù)高、熱容量小的鋁、SUS等。另外，為了提高圓錐部65表面的 濕潤(rùn)性而使HMDS液容易擴(kuò)散，也可以利用DLC(類金剛石，diamond-like carbon)形成圓 錐部65的表面、或者利用非電解鍍鎳覆蓋圓錐部65的表面。圖3中的附圖標(biāo)記Hl所示的圓錐部65的高度以及附圖標(biāo)記Rl所示的構(gòu)成圓錐 部65的底部的圓的半徑的長(zhǎng)度越大、N2氣體與HMDS液的接觸面積越大，能夠供給大量的 HMDS氣體，但是在Rl過大時(shí)，不能將氣化單元5設(shè)在蓋體22上，擔(dān)心因?yàn)樵摎饣瘑卧?與 處理容器2的距離拉開而使HMDS氣體發(fā)生結(jié)露，在Hl過大時(shí)，在將疏水化處理裝置1收納 在涂敷、顯影裝置等中的情況下，搭載數(shù)量受限。因而，為了均衡上述情況，可以適當(dāng)設(shè)計(jì)圓 錐部65的大小。作為一例，將圖中的附圖標(biāo)記Hl所示的高度設(shè)為IOmm 15mm，將附圖標(biāo) 記R 1所示的長(zhǎng)度設(shè)為25mm 30mm。另外，各槽部66的寬度為例如3mm 5mm。另外，加熱部件61在氣體加熱室52中具有沿上下方向延伸的多個(gè)散熱片67，利用 上述散熱片67能夠高效地加熱自氣體加熱室52流向氣化室53的N2氣體。在氣化室53的頂部，HMDS液供給管58的一端借助固定構(gòu)件57朝向圓錐部65的 頂部開口。該HMDS液供給管58的一端構(gòu)成藥液供給口，且優(yōu)選利用具有抗液性且耐熱性、 耐腐蝕性優(yōu)異的原料構(gòu)成，例如由聚四氟乙烯(商標(biāo)名特氟隆)、氮化硼等原料構(gòu)成。另 外，如圖1所示，HMDS液供給管58的另一端借助閥V8、泵59與HMDS液供給源5A相連接。 閥V8為回吸閥(suck back valve)，在停止供給HMDS液時(shí)，起到防止剩余的少量HMDS液流 到下游側(cè)的功能。泵59具有將HMDS液自HMDS液供給源5A供給到下游側(cè)的功能，利用控 制部100控制該泵59的動(dòng)作的時(shí)刻。在氣化室53中，在與形成有流通路55的側(cè)壁相對(duì)的側(cè)壁上形成有用于構(gòu)成氣體 引出口的開口部68，氣體供給管71的一端與開口部68相連接。如圖1所示，氣體供給管 71的另一端按照閥V3、V4的順序借助閥V3、V4與處理容器2的氣體流路22d相連接。另 外，在氣體供給管71中的閥V4的后段側(cè)設(shè)有濃度傳感器76。濃度傳感器76用于檢測(cè)配管 71內(nèi)的HMDS的濃度、然后依據(jù)所檢測(cè)到的濃度將信號(hào)輸出到控制部100中。另外，為了防止HMDS氣體在氣體供給管71的管內(nèi)發(fā)生結(jié)露而使氣體供給管71具有較高的絕熱性。詳 細(xì)而言，例如圖3所示將氣體供給管71形成為雙重管構(gòu)造，外管72與內(nèi)管73之間為真空 構(gòu)造。另外，也可以利用發(fā)泡特氟隆、玻璃棉等絕熱材料覆蓋氣體供給管71的外側(cè)。另外，在閥V3、V4之間配管73、74的一端分別與氣體供給管71相連接。配管73 的另一端側(cè)借助閥V2與N2氣體供給源40相連接，配管74的另一端側(cè)借助閥V5與排氣部 件30相連接。接下來說明控制部100。用于控制該疏水化處理裝置1的控制部100由例如計(jì)算 機(jī)構(gòu)成，該控制器100包括程序、存儲(chǔ)器、CPU等，在程序中編入有命令(各步驟)，以自該控 制部100向疏水化處理裝置1的各部分發(fā)送控制信號(hào)，從而使該各部分進(jìn)行規(guī)定的疏水化 處理。該程序被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)介質(zhì)例如軟盤、光盤、硬盤、MO(光磁盤)等的存儲(chǔ)部中，且能在 控制部100中以可被執(zhí)行的狀態(tài)展開該程序。在該程序中還包含用于控制蓋體22的升降 機(jī)構(gòu)、排氣部件30、閥Vl V8等的程序，該程序能夠依據(jù)被預(yù)先存儲(chǔ)在控制部100的存儲(chǔ) 器中的工藝制程程序控制疏水化處理裝置1的各部分。另外，用戶能夠利用未圖示的設(shè)定部件設(shè)定向晶圓W供給的HMDS的濃度，且該設(shè) 定值被存儲(chǔ)在上述存儲(chǔ)器中。如后所述，以能夠使由濃度傳感器76檢測(cè)到的HMDS濃度達(dá) 到該設(shè)定值的方式進(jìn)行控制。另外，能夠利用上述設(shè)定部件設(shè)定如后所述那樣作為發(fā)出警 報(bào)的基準(zhǔn)的HMDS濃度的容許范圍。在利用濃度傳感器76檢測(cè)到的HMDS濃度為該容許范 圍之外的值時(shí)，在設(shè)于控制部100的未圖示的顯示畫面上如上所述顯示旨在濃度大于容許 范圍的警報(bào)。接下來，參照分別表示氣化單元5中的氣流、處理容器2中的氣流的圖6、圖7說 明本實(shí)施方式的疏水化處理裝置1的疏水化處理方法。首先，疏水化處理裝置1的用戶利 用上述設(shè)定部件設(shè)定向晶圓W供給的氣體中所含的HMDS的濃度，且根據(jù)該設(shè)定值選擇用于 供給HMDS氣體的工藝制程程序。然后，用戶設(shè)定作為發(fā)出上述警報(bào)的基準(zhǔn)的容許范圍。這 里，假設(shè)用戶將供給到晶圓W上的氣體中的HMDS的濃度設(shè)為3.0%、將上述容許范圍分別設(shè) 為 1. 5% 5%。然后，根據(jù)所設(shè)定的工藝制程程序自控制部100向疏水化處理裝置1的各部分輸 出控制信號(hào)，從而利用加熱器26加熱載置臺(tái)23上的熱板25而使熱板25的溫度達(dá)到所設(shè) 定的規(guī)定溫度。然后，利用熱板25加熱支承構(gòu)件24，由此加熱被卷繞在支承構(gòu)件24上的氣 體供給管50。在該時(shí)刻，閥Vl V8全部關(guān)閉。然后，氣化單元5中的加熱部件61的溫度上升，達(dá)到所設(shè)定的溫度例如80°C 90°C。另外，泵59工作，并且閥V8打開，從而自HMDS液供給管58以選定的制程程序所規(guī) 定的流量向氣化室53中的圓錐部65的頂部供給HMDS液，然后利用圓錐部65加熱該HMDS 液。由于在上述圓錐部65上自頂部向底部形成有多個(gè)槽部66，因此能夠一邊加熱HMDS液 一邊利用重力作用以及該槽部66所具有的毛細(xì)管現(xiàn)象使HMDS液自動(dòng)且快速地向上述底部 擴(kuò)散。與供給該HMDS液大致同時(shí)地使蓋體22上升至基板搬入搬出位置，利用未圖示的 外部的輸送部件將晶圓W搬入處理室2a內(nèi)，利用未圖示的外部的輸送部件與升降銷27的 協(xié)作操作而將晶圓W載置在載置臺(tái)23上。之后，如圖1以及圖7所示，使蓋體22下降至處 理位置而利用容器主體21和蓋體22形成處理室2a。將晶圓W載置在載置臺(tái)23上，從而將晶圓W加熱到規(guī)定的工藝溫度、例如85°C。然后，例如在溫度測(cè)量部件確認(rèn)了已經(jīng)將晶圓W加熱到上述工藝溫度之后，閥VI、 V3、V4打開，從而使自氣體供給源40供給的常溫N2氣體在氣體供給管50中以規(guī)定流量流 向下游側(cè)。另外，閥V6幾乎與上述閥同時(shí)打開，從而自氣體供給源40經(jīng)過氣體供給管37、 處理容器2下部的氣體供給室36向緩沖室31內(nèi)供給作為吹掃氣體的N2氣體。此外，使閥 V7打開而自處理器2的排氣孔43進(jìn)行排氣。被供給到氣體供給管50內(nèi)的作為載氣的N2氣體一邊被利用熱板25加熱的該氣 體供給管50的熱量加熱、一邊被供給到氣化單元5的氣體加熱室52中。N2氣體在自該氣 體加熱室52流向氣化室53的期間內(nèi)被加熱部件61進(jìn)一步加熱而達(dá)到例如50°C 80°C。然后，被加熱了的N2氣體如圖6中點(diǎn)劃線的箭頭所示那樣被噴射到圓錐部65上。 利用圓錐部65的熱量進(jìn)行HMDS的氣化，利用被加熱的N2氣體在氣化室53內(nèi)進(jìn)一步促進(jìn) HMDS的氣化。而且，由于載氣被加熱，因此，能夠防止被氣化的HMDS結(jié)露。這樣被氣化的 HMDS氣體(疏水化氣體)與N2氣體一起經(jīng)由氣體供給管71、氣體流路22d以及供給孔22e 被供給到處理室2a的中央部。然后，HMDS氣體以及N2氣體如圖7的箭頭所示那樣被排氣 孔43的吸引力吸引而向處理室2a的周緣部擴(kuò)散，從而上述氣體充滿處理室2a的內(nèi)部。于 是，晶圓W的整個(gè)表面暴露在HMDS氣體中，進(jìn)行晶圓W的疏水化處理。另外，在進(jìn)行疏水化處理時(shí)，控制氣體的供給量以及排氣量，以使排氣部件30的 排氣量大于作為吹掃氣體被供給到蓋體22的緩沖室33中的N2氣體和作為載氣被供給到處 理室2a中的N2氣體的供給量的總量。因此，自間隙41向處理室2a側(cè)吸引緩沖室31中的 吹掃氣體，然后利用排氣孔43使緩沖室31中的吹掃氣體與自處理室2a流向排氣孔43的 氣體合流而被排出。這樣，吹掃氣體的氣流始終以圍繞處理室2a的方式流入吹掃氣體供給 孔41，因此成為在處理室2a的周圍形成吹掃氣體的氣簾的狀態(tài)，利用該氣簾將處理室2a與 外部隔斷。因而，即使非封閉地形成處理室2a，也能夠防止處理室2a內(nèi)的疏水化氣體泄漏 到外部。另外，在使閥V8打開而開始供給HMDS液起經(jīng)過規(guī)定時(shí)間后，如圖8的流程所示， 控制部100進(jìn)行如下控制根據(jù)自濃度傳感器76發(fā)送的輸出信號(hào)檢測(cè)在氣體供給管71中 流通的氣體中的HMDS的濃度，判斷所檢測(cè)到的HMDS的濃度是否為設(shè)定值(這里設(shè)定值如 上所述被設(shè)定為3% )(步驟Si)。當(dāng)判斷在步驟Sl中檢測(cè)的HMDS的濃度為設(shè)定值的情況 下，控制部100繼續(xù)判斷HMDS的濃度是否為該設(shè)定值。在判斷所檢測(cè)的HMDS的濃度不是設(shè)定值的情況下，控制部100判斷HMD S的濃度 是否在容許范圍(這里容許范圍如上所述被設(shè)定為1.5% 5%)內(nèi)(步驟S2)。當(dāng)判斷 HMDS的濃度不在容許范圍內(nèi)的情況下，控制部100在顯示畫面上顯示警報(bào)(步驟S3)。當(dāng)判 斷HMDS的濃度未超出容許范圍內(nèi)的情況下，控制部100判斷所檢測(cè)的HMDS的濃度是否高 于上述設(shè)定值(步驟S4)。在判斷HMDS氣體的濃度高于上述設(shè)定值的情況下，控制部100 向閥V8發(fā)送控制信號(hào)，將向氣化單元5供給的HMDS液的流量減少一定量(步驟S5)。然 后，在將上述控制信號(hào)發(fā)送到閥V8中后的規(guī)定時(shí)間后，控制部100重復(fù)實(shí)施步驟Sl以后的 各步驟。另外，當(dāng)在步驟S4中判斷HMDS的濃度不高于設(shè)定值的情況下，控制部100向閥V8 發(fā)送控制信號(hào)，將向氣化單元5供給的HMDS液的流量增加一定量(步驟S6)。然后，在將上述控制信號(hào)發(fā)送到閥V8中后的規(guī)定時(shí)間后，控制部100判斷HMDS的濃度是否低于設(shè)定值 (步驟S7)。當(dāng)在步驟S7中判斷HMDS的濃度不低于設(shè)定值的情況下，控制部100重復(fù)實(shí)施步 驟Sl以后的各步驟。另外，當(dāng)在步驟S7中判斷HMDS的濃度低于設(shè)定值的情況下，控制部 100向電力控制器64發(fā)送控制信號(hào)，將向加熱部件61供給的電力增加一定量，從而提高加 熱部件61的溫度(步驟S8)。在判斷距離上述控制信號(hào)的發(fā)送已經(jīng)經(jīng)過了規(guī)定時(shí)間后，控 制部100重復(fù)實(shí)施步驟S7以后的各步驟。當(dāng)自搬入晶圓W開始經(jīng)過了設(shè)定的時(shí)間而完成了該晶圓W的疏水化處理時(shí)，在疏 水化處理裝置1中使閥V8關(guān)閉而停止供給HMDS液，且使控制部100停止下述控制，即、根 據(jù)濃度傳感器76的檢測(cè)結(jié)果控制HMDS液的流量以及控制向加熱部件61供給的電力。然 后，控制部100使閥Vl關(guān)閉并且打開閥V2而切換N2氣體的流路，將該N2氣體不經(jīng)由氣化 單元5就供給到處理室2a中。另一方面，繼續(xù)自排氣孔43進(jìn)行排氣，吸引殘留在處理室2a 中的N2氣體以及HMDS氣體。由此，將處理室2a內(nèi)的氣體從HMDS氣體與N2氣體的混合氣 體替換為不合HMDS氣體的N2氣體。在切換了上述N2氣體的流路經(jīng)過了規(guī)定時(shí)間后，使閥V2、V4關(guān)閉并且打開閥VI、 V3、V5，從而切換N2氣體的流路，將該N2氣體經(jīng)由氣化單元5但不經(jīng)由處理容器2就排出。 由此，殘留在氣體加熱室52、氣化室53中的HMDS氣體被N2氣體沖走而被去除。在切換了 上述N2氣體的流路起經(jīng)過規(guī)定時(shí)間后，關(guān)閉閥V1、V3、V5，按照與搬入晶圓W時(shí)的步驟相反 的步驟自處理容器2搬出該晶圓W。在上述本實(shí)施方式的疏水化處理裝置1中，將HMDS液供給到加熱部件61的圓錐 部65上而使HMDS液擴(kuò)散且使HMDS液氣化，因此能夠獲得HMDS的濃度較高的疏水化氣體。 因而，在不進(jìn)行氣化時(shí)，由于不會(huì)像使用罐時(shí)那樣發(fā)生載氣與所貯存的HMDS液接觸這樣的 情況，因此能夠抑制HMDS液的變質(zhì)。另外，由于不使用罐，因此不僅能夠?qū)崿F(xiàn)裝置的小型 化，而且由于氣化效率高，所以使用少量的載氣即可。另外，由于能夠小型化地構(gòu)成氣化單 元5，因此能夠?qū)⒃摎饣瘑卧?設(shè)在處理容器2的頂部，由此能夠縮短用于自氣化單元5向 處理容器2供給疏水化氣體的氣體供給管71，因此即使輸送HMDS的濃度較高的疏水化氣 體，也不易引發(fā)結(jié)露。另外，由于無需采用例如在氣體供給管71中設(shè)置加熱器的方法來防 止HMDS氣體發(fā)生結(jié)露，因此能夠防止裝置1的大型化。另外，圓錐部65具有許多個(gè)槽部66，利用毛細(xì)管現(xiàn)象使HMDS液在該槽部66內(nèi)擴(kuò) 散，由此能夠增大HMDS液與作為載氣的N2氣體的接觸面積，從而進(jìn)一步提高HMDS液的氣化 效率。另外，利用載置臺(tái)23的熱板25的熱量加熱N2氣體供給管50、此外還在氣化單元5 中設(shè)置用于加熱被導(dǎo)入氣化室53內(nèi)的N2氣體的氣體加熱室52，從而能夠進(jìn)一步提高HMDS 液的氣化效率。另外，作為在上述例中用于向氣化單元5內(nèi)供給N2氣體的N2氣體供給管50，代替 以圍繞載置臺(tái)23的方式設(shè)置該N2氣體供給管50的方法，也可以如圖9所示那樣在處理容 器2的頂板22b上以盤繞(日文引t回t )的方式設(shè)置該N2氣體供給管50。利用熱板 25的熱量加熱頂板22b，從而加熱氣體供給管50，由此能夠利用該熱量加熱被供給到氣體 單元5中的N2氣體。另外，同樣也可以在頂板22b上或載置臺(tái)23的周圍以盤繞的方式配 置用于連接氣化單元5和處理容器2的氣體供給管71。
11
另外，作為形成在圓錐部65上的槽部66，并不限定于上述例子，也可以如圖10所 示斜向形成該槽部66。另外，加熱部件61中的作為被供給HMDS液的部位，并不限定于構(gòu)成 為圓錐狀，但采用像該圓錐那樣向下逐漸變寬的形狀，除了利用槽部66的毛細(xì)管現(xiàn)象，還 可以利用重力作用使HMDS液擴(kuò)散，從而能夠提高氣化效率，因此采用該圓錐狀的結(jié)構(gòu)是有 利的。接下來，簡(jiǎn)單說明含有作為裝入有本實(shí)施方式的各疏水化處理裝置1的一例的涂 敷、顯影裝置8的抗蝕圖案形成裝置。如圖11及圖12所示，涂敷、顯影裝置8由彼此相連 接的轉(zhuǎn)運(yùn)區(qū)(carrier block)8a、處理區(qū)8b和轉(zhuǎn)接區(qū)(interface block)8c構(gòu)成。將例如 用于進(jìn)行浸液曝光的曝光裝置8d與該涂敷、顯影裝置8相連接，從而構(gòu)成抗蝕圖案形成裝 置。轉(zhuǎn)運(yùn)區(qū)8a構(gòu)成為利用第1交接臂82自載置在載置臺(tái)80上的密閉式托架(Carrier)Sl 取出晶圓W，然后將該晶圓W交接到與轉(zhuǎn)運(yùn)區(qū)8a相鄰配置的處理區(qū)8b中，并且利用第1交 接臂82接受在處理區(qū)中處理完畢的晶圓W而將該晶圓W送回到托架81中。在處理區(qū)8b中設(shè)有第1區(qū)(DEV層)Bi、第2區(qū)(BCT層)B2、第3區(qū)(COT層)B3 和第4區(qū)(ITC層)B4 ；上述第1區(qū)Bl用于進(jìn)行顯影處理；上述第2區(qū)B2用于在抗蝕膜的 下層側(cè)進(jìn)行防反射膜的形成處理；上述第3區(qū)B3用于進(jìn)行抗蝕液的涂敷處理；上述第4區(qū) B4用于在抗蝕膜的上層側(cè)進(jìn)行防反射膜的形成處理，該處理區(qū)8b通過自下部依次層疊各 區(qū)而構(gòu)成。另外，在各區(qū)中設(shè)有處理單元組83，該處理單元組83是通過層疊加熱部、冷卻部 等而構(gòu)成的，在第3區(qū)B3的處理單元組83中裝入有疏水化處理裝置1。另外，在處理區(qū)8b中，在轉(zhuǎn)運(yùn)區(qū)8a側(cè)設(shè)有第1架單元84，在轉(zhuǎn)接區(qū)8c側(cè)設(shè)有第2 架單元85，為了在第1架單元84的各部分之間輸送晶圓W，在第1架單元84附近設(shè)有升降 自由的第2交接臂86。在該第1架單元84、第2架單元85上設(shè)有多個(gè)交接單元，在該交接 單元中，在圖12中標(biāo)注了 CPL的交接單元中設(shè)有溫度調(diào)節(jié)用的冷卻單元，在標(biāo)注了 BF的交 接單元中以能夠載置多張晶圓W的方式設(shè)有緩沖單元。轉(zhuǎn)接區(qū)8c具有轉(zhuǎn)接臂87，利用該轉(zhuǎn) 接臂87在第2架單元與曝光裝置8d之間交接晶圓W。曝光裝置8d對(duì)被轉(zhuǎn)接臂87輸送來 的晶圓W進(jìn)行規(guī)定的曝光處理。在第1區(qū)Bl中層疊有例如兩層顯影單元88，在該兩層的顯影單元88中設(shè)有用于 輸送晶圓W的輸送臂89a。第2區(qū)B2和第4區(qū)B4分別包括涂敷單元，其利用旋涂法涂敷 用于形成各防反射膜的藥液；加熱、冷卻系統(tǒng)的處理單元組，其用于進(jìn)行該涂敷單元所進(jìn)行 的處理的前處理以及后處理；輸送臂89b、89d，其設(shè)在涂敷單元與處理單元組之間、用于在 涂敷單元與處理單元組之間交接晶圓W。在第3區(qū)B3中，除了將藥液變更為抗蝕液、且裝入 有本實(shí)施方式的疏水化處理裝置1之外，其他結(jié)構(gòu)與第2、第4區(qū)B2、B4相同。在該抗蝕圖案形成裝置中，當(dāng)在晶圓W上形成抗蝕圖案的情況下，首先，利用第1 交接臂82自轉(zhuǎn)運(yùn)區(qū)8a將晶圓W依次輸送到第1架單元84的交接單元、例如與第2區(qū)B2 對(duì)應(yīng)的交接單元CPL2中，然后借助交接單元CPL3以及輸送臂89c將該晶圓W搬入第3區(qū) B3中，在利用疏水化處理裝置1對(duì)晶圓W的表面進(jìn)行了疏水化處理后，在晶圓W的表面上 形成抗蝕膜。然后，利用輸送臂89c將晶圓W交接到第1架單元84的交接單元BF3中。利 用第2交接臂86將被交接到交接單元BF3中的晶圓W交接到交接單元CPL4中，然后利用 輸送臂89d將該晶圓W輸送到第4區(qū)B4中。之后，在第4區(qū)B4中在晶圓W的抗蝕膜上形 成防反射膜，然后將該晶圓W交接到交接單元TRS4中。另外，在該抗蝕圖案形成裝置中，有時(shí)依據(jù)期望的規(guī)格等不在抗蝕膜上形成防反射膜、有時(shí)不對(duì)晶圓W進(jìn)行疏水化處理而在第 2區(qū)B2中直接在晶圓W上形成防反射膜。 另外，在第1區(qū)Bl內(nèi)的上部設(shè)有作為專用的輸送部件的梭式件(shuttle) 90，該梭 式件90用于自第1架單元84的交接部91a直接將晶圓W輸送到第2架單元85的交接部 91b中。利用第2交接臂86將形成有抗蝕膜、防反射膜的晶圓W自交接單元BF2、BF3或者 TRS4中取出而在交接部91a處將該晶圓W交接到梭式件90上，然后利用梭式件90將該晶 圓W輸送到交接部91b中。利用轉(zhuǎn)接區(qū)8c的轉(zhuǎn)接臂87將借助梭式件90被輸送到交接部91b中的晶圓W引入 轉(zhuǎn)接區(qū)8c中，然后將該晶圓W輸送到曝光裝置8d中。在利用曝光裝置8d對(duì)晶圓W進(jìn)行了 規(guī)定的曝光處理之后，利用轉(zhuǎn)接臂87將晶圓W交接到第2架單元85的交接單元TRS6中。 然后利用輸送臂89a將晶圓W輸送到第1區(qū)Bl內(nèi)，在對(duì)該晶圓W進(jìn)行了顯影處理之后，利 用輸送臂89a將晶圓W交接到第1架單元中的、第1交接臂82能夠接近(access)的范圍 內(nèi)的交接單元中，然后利用第1交接臂82將晶圓W輸送到托架81中。由此能夠在本實(shí)施 方式的抗蝕圖案形成裝置中在晶圓W上形成抗蝕圖案。參考試騎使用具有上述處理容器2的疏水化處理裝置對(duì)晶圓W進(jìn)行了疏水化處理。作為試 驗(yàn)1，代替使上述氣化裝置5與上述處理容器2相連接的結(jié)構(gòu)、使具有用于進(jìn)行鼓泡的罐的 氣化裝置與上述處理容器相連接。然后，將晶圓W搬入處理容器2內(nèi)，以90°C的溫度加熱該 晶圓W且供給30秒的疏水化氣體，從而對(duì)晶圓W進(jìn)行了處理。在進(jìn)行疏水化處理的過程中 使用被設(shè)在處理容器2內(nèi)的濃度傳感器測(cè)量了 HMDS的體積濃度。在疏水化處理結(jié)束后向 處理容器2內(nèi)供給10秒的N2氣體，從而將處理容器內(nèi)的氣體置換成N2氣體，之后自處理容 器2搬出晶圓W，測(cè)量了晶圓W表面的接觸角(Contact angle)。另外，作為試驗(yàn)2，使用與試驗(yàn)1相同的裝置進(jìn)行了相同的試驗(yàn)，但試驗(yàn)2中的用于 進(jìn)行鼓泡的罐的溫度高于試驗(yàn)1的溫度。作為試驗(yàn)3，代替使具有上述鼓泡用的罐的氣化裝 置與處理容器相連接的結(jié)構(gòu)、構(gòu)成用于向罐內(nèi)的HMDS液的液面供給載氣的氣化裝置，進(jìn)行 了與試驗(yàn)1、2相同的處理。圖13是表示各試驗(yàn)結(jié)果的曲線圖。曲線圖的縱軸表示接觸角、曲線圖的橫軸表 示所檢測(cè)到的HMDS的體積濃度。接觸角越大、晶圓越能被較好地疏水化。如曲線圖所示， HMDS的濃度越高、晶圓W的接觸角越大。因而可知，通過將高濃度的HMDS供給到處理容器 2內(nèi)，能夠提高疏水化處理的生產(chǎn)率。
權(quán)利要求
一種疏水化處理裝置，其特征在于，該疏水化處理裝置包括氣化面形成部，其表面位于氣化室內(nèi)；氣化面加熱部件，其用于加熱上述氣化面形成部；藥液供給口，其用于將疏水化處理用的藥液供給到上述氣化面形成部的表面上；氣體導(dǎo)入口，其用于將載氣導(dǎo)入上述氣化室內(nèi)；引出口，其用于引出在上述氣化室內(nèi)被氣化了的疏水化氣體；處理容器，其用于利用自上述引出口供給的疏水化氣體對(duì)被載置在該處理容器內(nèi)部的基板進(jìn)行疏水化處理。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疏水化處理裝置，其特征在于， 上述氣化室被設(shè)在上述處理容器的頂板上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的疏水化處理裝置，其特征在于，上述氣化面形成部形成為隨著向下方去而逐漸變寬的形狀，上述藥液供給口位于上述 氣化面形成部的上方側(cè)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的疏水化處理裝置，其特征在于，在上述氣化面形成部上形成有用于使藥液利用毛細(xì)管現(xiàn)象擴(kuò)散的槽部。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的疏水化處理裝置，其特征在于，該疏水化處理裝置具有氣體加熱部件，在將上述載氣導(dǎo)入氣化室之前，利用該氣體加 熱部件加熱上述載氣。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的疏水化處理裝置，其特征在于，該疏水化處理裝置還包括濃度檢測(cè)部，其用于檢測(cè)自上述引出口引出的疏水化氣體 的濃度；控制部，其根據(jù)該濃度檢測(cè)部的檢測(cè)值輸出控制信號(hào)，以增加自藥液供給口供給到 氣化室中的藥液的供給流量。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的疏水化處理裝置，其特征在于，在即使增加了藥液的供給流量而濃度檢測(cè)部的檢測(cè)值仍低于規(guī)定值時(shí)，上述控制部輸 出控制信號(hào)，以升高氣化面加熱部件的加熱溫度。
8.一種疏水化處理方法，其特征在于， 該疏水化處理方法包括下述工序利用氣化面加熱部件加熱氣化面形成部的工序，該氣化面形成部的表面位于氣化室內(nèi)；利用藥液供給口將疏水化處理用的藥液供給到上述氣化面形成部的表面上的工序； 自氣體導(dǎo)入口將載氣導(dǎo)入上述氣化室內(nèi)的工序； 自引出口弓丨出在上述氣化室內(nèi)被氣化了的疏水化氣體的工序； 將基板載置在處理容器內(nèi)的工序；利用自上述引出口供給的疏水化氣體對(duì)基板進(jìn)行疏水化處理的工序。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的疏水化處理方法，其特征在于，該疏水化處理方法還包括在上述氣化面形成部上形成槽部且利用毛細(xì)管現(xiàn)象使藥液 在上述槽部中擴(kuò)散的工序。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的疏水化處理方法，其特征在于，該疏水化處理方法還包括在將上述載氣導(dǎo)入氣化室之前利用氣體加熱部件加熱該載 氣的工序。
11.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的疏水化處理方法，其特征在于， 該疏水化處理方法還包括下述工序利用濃度檢測(cè)部檢測(cè)自上述弓丨出口引出的疏水化氣體的濃度的工序；根據(jù)該濃度檢測(cè)部的檢測(cè)值增加自藥液供給口供給到氣化室中的藥液的供給流量的工序。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的疏水化處理方法，其特征在于，該疏水化處理方法還包括在即使增加了藥液的供給流量而濃度檢測(cè)部的檢測(cè)值仍低 于規(guī)定值時(shí)升高氣化面加熱部件的加熱溫度的工序。
13.一種存儲(chǔ)介質(zhì)，其存儲(chǔ)有疏水化處理裝置所用的計(jì)算機(jī)程序，該疏水化處理裝置用 于將疏水化氣體供給到處理容器內(nèi)的基板上，其特征在于，在上述程序中編有用于執(zhí)行疏水化處理方法的步驟組，該疏水化處理方法是權(quán)利要求 8 12中任一項(xiàng)所述的疏水化處理方法。
全文摘要
本發(fā)明提供一種藥液的氣化效率高、且能向基板供給高濃度的疏水化氣體、還能抑制藥液發(fā)生變質(zhì)的疏水化處理裝置、疏水化處理方法以及存儲(chǔ)介質(zhì)。疏水化處理裝置包括氣化面形成部，其表面位于氣化室內(nèi)；氣化面加熱部件，其用于加熱該氣化面形成部；藥液供給口，其用于將疏水化處理用的藥液供給到上述氣化面形成部的表面上；氣體導(dǎo)入口，其用于將載氣導(dǎo)入上述氣化室內(nèi)；引出口，其用于引出疏水化氣體；處理容器，其用于將自上述引出口供給的疏水化氣體供給到基板上。利用該結(jié)構(gòu)能夠?qū)⒏邼舛鹊氖杷瘹怏w供給到基板上，且由于在不進(jìn)行處理時(shí)所貯存的藥液不會(huì)與載氣接觸，因此能夠抑制藥液變質(zhì)。
文檔編號(hào)H01L21/00GK101996859SQ201010262548
公開日2011年3月30日 申請(qǐng)日期2010年8月24日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月24日
發(fā)明者北野高廣, 新村聰, 福岡哲夫 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社