專利名稱：集成型半導體激光元件及其制造方法和光裝置的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種集成型半導體激光元件的制造方法、集成型半導體激光元件以及 光裝置，特別涉及包括接合第一半導體激光元件和第二半導體激光元件的工序的集成型半 導體激光元件的制造方法、集成型半導體激光元件以及光裝置。
背景技術：
現有技術中，已知一種在藍紫色半導體激光元件上接合紅色半導體激光元件和 紅外半導體激光元件的集成型半導體激光裝置。這種半導體激光裝置例如在日本特開 2005-317919號公報中公開了。在上述日本特開2005-317919號公報中，公開了在使用GaN基板形成的藍紫色半 導體激光元件中，接合了使用GaAs基板形成的紅色半導體激光元件和紅外半導體激光元 件的集成型半導體激光裝置。在這種半導體激光裝置的制造工藝中，通過除去在藍紫色半 導體激光元件晶片的表面上接合的紅色/紅外半導體激光元件晶片中不需要的部分，在藍 紫色半導體激光元件晶片的表面上的預定位置上形成互相分離狀的紅色和紅外半導體激 光元件。然后，在這種狀態下，將晶片劈開成條形(長方形)，在各個半導體激光元件上形成 諧振器面。但是，對于在上述日本特開2005-317919號公報中公開的集成型半導體激光元 件，在制造工藝中，晶片彼此接合之后，除去紅色·紅外半導體激光元件晶片中的不需要部 分之后，為了在藍紫色半導體激光元件晶片的預定位置上形成互相分離的紅外和紅外半導 體激光元件，必須從晶片上除去不需要的部分，因此存在效率降低的問題。
發明內容
根據本發明的第一方案的集成型半導體激光元件的制造方法，其是一種接合了第 一半導體激光元件和第二半導體激光元件的集成型半導體激光元件的制造方法，其包括 通過接合形成有多個第一半導體激光元件的第一長方形基板和形成有多個第二半導體激 光元件的第二長方形基板而形成第三長方形基板的工序；和分割第三長方形基板的工序， 使得具有沿著諧振器延伸的第一方向延伸的第一側面和第二側面的第一半導體激光元件 的第一側面從形成具有沿著第一方向延伸的第三側面和第四側面的第二半導體激光元件 的第三側面的位置突出，并且與第三側面相反側的第四側面從與第一側面相反側的第二側 面的位置突出，第一長方形基板沿著第一方向和與基板面內方向垂直的第二方向排列形成 有多個第一半導體激光元件，第二長方形基板沿著第二方向排列形成有多個第二半導體激 光元件。根據本發明的第一方案的集成型半導體激光元件的制造方法，如上所述，按照具 有第一側面和第二側面的第一半導體激光元件的第一側面從形成具有第三側面和第四側 面的第二半導體激光元件的第三側面的位置突出的同時，與第三側面相對的第四側面從形 成與第一側面相對的第二側面的位置突出的方式，分割第三長方形基板，由此在分割第三
6長方形基板的同時，第一半導體激光元件和第二半導體激光元件所具有的各個側面可以形 成在沿著預定方向互相偏移的位置上接合的半導體激光元件。由此，由于不用除去晶片的 不需要的部分，就可以在分割第三長方形基板之后形成半導體激光元件，因此可以提高效率。此外，根據第一方案的集成型半導體激光元件的制造方法，包括將形成多個第一 半導體激光元件的第一長方形基板和形成多個第二半導體激光元件的第二長方形基板接 合起來形成第三長方形基板的工序。即，例如，在由第一半導體激光元件構成的晶片的表面 上接合由第二半導體激光元件構成的晶片之后劈開晶片、并形成由第一長方形基板和第二 長方形基板構成的第三長方形基板的情況下，對應劈開形成第一半導體激光元件的晶片的 位置，可以只在形成第二半導體激光元件的晶片的端部形成第二半導體激光元件用的劈開 導入用槽。由此，由于可以在共同所希望的位置劈開第一半導體激光元件側的晶片和第二 半導體激光元件側的晶片，因此可以形成第一半導體激光元件的諧振器面和第二半導體激 光元件的諧振器面處于同一面上的第三長方形基板。結果是，可以抑制各個半導體激光元 件的諧振器面向諧振器方向偏移。此外，作為其他方法，即使在接合預先形成的在預定方向 延伸的第一長方形基板和第二長方形基板而形成第三長方形基板的情況下，在第一長方形 基板的表面上，與預先芯片化的多個第二半導體激光元件分別接合的情況等不同，相對于 沿著預定方向延伸的第一長方形基板，可以沿著該方向接合第二長方形基板而形成第三長 方形基板。即使在這種情況下，由于可以形成第一半導體激光元件的諧振器面和第二半導 體激光元件的諧振器面處于同一面上的第三長方形基板，因此可以抑制各個激光元件上形 成的諧振器面互相偏移。在根據上述第一方案的集成型半導體激光元件的制造方法中，優選地，形成第三 長方形基板的工序包括接合第一半導體激光元件基板與第二半導體激光元件基板的工 序；和在接合了第一半導體激光元件基板和第二半導體激光元件基板的狀態下，同時分割 第一半導體激光元件基板和第二半導體激光元件基板的工序。根據這種結構，由于接合了 第一半導體激光元件基板和第二半導體激光元件基板的晶片是沿著形成在第一半導體激 光元件基板和第二半導體激光元件基板上的分割線來分割的，因此可以同時將在第三長方 形基板上形成的分割面形成為直線狀。由此，在芯片化的前工序中，可以很容易地抑制構成 各個半導體激光元件的諧振器面向諧振器方向偏移。此外，由于分割前的第二半導體激光 元件基板是連續的，因此只需在第二半導體激光元件基板的一個地方形成分割槽即可。由 此，可以簡化分割槽的形成工序。在根據上述第一方案的集成型半導體激光元件的制造方法中，優選地，集成型半 導體激光元件將第一半導體激光元件的第一表面與第二半導體激光元件接合，并從第二半 導體激光元件露出第一表面的第一突出區域，并且在形成第三長方形基板的工序之前，還 包括在第一突出區域形成第一電極的工序，在分割第三長方形基板的工序中，第一電極從 第二半導體激光元件露出。根據這種結構，在分割第三長方形基板的同時，可以在第一半導 體激光元件的第一突出區域的表面露出用于鍵合金屬線的第一電極。即，在分割第三長方 形基板之后，由于不需要使各個芯片的第一電極從第一突出區域的表面露出的工序，因此 可以使制造工藝不復雜，并且可以簡化制造工藝。在根據上述第一方案的集成型半導體激光元件的制造方法中，優選地，第一長方形基板和第二長方形基板分別具有諧振器面，在分割第三長方形基板的工序之前，還包括 在第三長方形基板的諧振器面上形成保護膜的工序。根據這種結構，構成第三長方形基板 的晶片在晶片厚度大致相同的狀態下在諧振器面(劈開面)上形成保護膜(絕緣膜)。由 此，例如，與在形成保護膜之前除去第二長方形基板的第二半導體激光元件之間的部分并 露出第一半導體激光元件基板側的第一電極等之后形成保護膜的情況不同，由于通過保護 膜繞入到露出的第一電極的表面上而覆蓋第一電極，從而不存在第一電極被絕緣的不合適 情況，可以確實進行芯片化后接合的金屬線與第一電極的電連接(線鍵合)。在根據上述第一方案的集成型半導體激光元件的制造方法中，優選地，在分割第 三長方形基板的工序之前，還包括在第一長方形基板上形成用于形成第一側面和第二側 面的第一分割槽的工序；以及在第二長方形基板的與接合有第一長方形基板的第二表面相 對的表面上，形成用于形成第三側面和第四側面的第二分割槽的工序，第二分割槽形成在 從與第一分割槽相對的位置偏移的位置上。根據這種結構，在對晶片進行元件分割時，在第 一分割槽的部分合并進行分割第一長方形基板，也可以在形成第二分割槽的位置分割第二 長方形基板。由此，在分割第三長方形基板的芯片的同時，可以很容易地形成集成型半導體 激光元件芯片，使其處于第二半導體激光元件的第三側面和第四側面配置在從形成第一半 導體激光元件的第一側面和第二側面的位置偏移的位置上的狀態。在包含同時分割上述第一半導體激光元件基板和第二半導體激光元件基板的工 序的結構中，優選地，在接合第一半導體激光元件基板和第二半導體激光元件基板的工序 之前，還包括通過沿著第二方向以第一周期形成多個第一半導體激光元件，制作第一半導 體激光元件基板的工序；通過沿著第二方向以第二周期形成多個第二半導體激光元件，制 作第二半導體激光元件基板的工序；以及為了接合第一半導體激光元件基板和第二半導體 激光元件基板進行定位的工序，在第一半導體激光元件基板的熱膨脹系數小于第二半導體 激光元件基板的熱膨脹系數的情況下、進行定位的工序的溫度下的第一周期大于該溫度下 的第二周期。根據這種結構，在比進行定位的工序的溫度高的溫度條件下接合第一半導體 激光元件基板和第二半導體激光元件基板時，第一半導體激光元件基板的波導路徑間隔與 第二半導體激光元件基板的波導路徑間隔沿著第二方向可以大致一致地接合。結果是，由 于在同時分割第一半導體激光元件基板和第二半導體激光元件基板并形成第三長方形基 板時，可以抑制各個激光元件基板上形成的發光點從設計位置互相偏移，可以獲得各個芯 片中的發光點的位置關系大致相同的多個集成型半導體激光元件芯片。在上述包含同時分割第一半導體激光元件基板和第二半導體激光元件基板的工 序的結構中，優選地，還包括為了接合上述第一半導體激光元件基板和上述第二半導體激 光元件基板而進行定位的工序，制作第一半導體激光元件基板的工序包含在第一半導體激 光元件基板上沿著第三方向以第三周期形成在進行定位的工序中使用的第一對準標記的 工序，制作第二半導體激光元件基板的工序包含在第二半導體激光元件基板上沿著第三方 向以第四周期形成在進行定位的工序中使用的第二對準標記的工序，在進行定位的工序的 溫度下的第三周期等于在該溫度下的第四周期。根據這種結構，進行定位的工序時，由于以 相同周期形成的第一對準標記和第二對準標記可以很容易地重合，因此可以更加準確地進 行第一半導體激光元件基板和第二半導體激光元件基板的接合。在包含同時分割上述第一半導體激光元件基板和第二半導體激光元件基板的工
8序的結構中，優選地，在接合第一半導體激光元件基板和第二半導體激光元件基板的工序 之前，還包括通過沿著第一方向以第五周期形成多個第一半導體激光元件，制作第一半導 體激光元件基板的工序；通過沿著第一方向以第六周期形成多個第二半導體激光元件，制 作第二半導體激光元件基板的工序；以及為了接合第一半導體激光元件基板和第二半導體 激光元件基板進行定位的工序，在第一半導體激光元件基板的熱膨脹系數小于第二半導體 激光元件基板的熱膨脹系數的情況下，進行定位的工序的溫度下的第五周期大于在該溫度 下的第六周期。根據這種結構，在比進行定位的工序的溫度高的溫度條件下接合第一半導 體激光元件基板和第二半導體激光元件基板時，多個第一半導體激光元件的各個諧振器長 度的形成間隔與多個第二半導體激光元件的各個諧振器長度的形成間隔沿著第一方向可 以大致一致。其結果，能夠在接合溫度下，使第一半導體激光元件基板和第二半導體激光元 件基板雙方的諧振器長度互相大致一致，并且能夠使成為第一半導體激光元件基板和第二 半導體激光元件基板雙方的劈開面的位置互相大致一致，所以能夠抑制雙方的激光元件的 劈開位置從設計位置發生偏離。在根據上述第一方案的集成型半導體激光元件的制造方法中，優選地，第一長方 形基板具有由氮化物半導體構成的基板，第二長方形基板具有由GaAs半導體構成的基板。 這樣，在即使在氮化物半導體(GaN)是比GaAs半導體更硬的材質而具有劈開性缺乏的性質 的情況下，也可以很容易獲得能夠抑制諧振器面在諧振器方向(第一方向)偏移的集成型 半導體激光元件芯片。根據本發明的第二方案的集成型半導體激光元件包括第一半導體激光元件、第二 半導體激光元件以及第二電極，其中在第一半導體激光元件中，第一電極形成在第一表面 上，并且第一半導體激光元件具有沿著諧振器延伸的第一方向延伸的第一側面和與第一側 面相對的第二側面；第二半導體激光元件具有與第一表面接合的第二表面、沿著第一方向 延伸的第三側面和與第三側面相對的第四側面，第二電極配置在第一半導體激光元件上同 時與第二半導體激光元件連接，在第一側面和第三側面之間，第一表面的第一突出區域從 第二半導體激光元件露出，并且在第二側面和第四側面之間，第二表面的第二突出區域從 第一半導體激光元件露出，第二電極被形成為從第二半導體激光元件和第一半導體激光元 件之間，在第一突出區域延伸。在根據本發明的第二方案的集成型半導體激光元件中，如上所述，在第一側面和 第三側面之間，第一表面的第一突出區域從第二半導體激光元件露出，并且在第二側面和 第四側面之間，第二表面的第二突出區域從第一半導體激光元件露出。即，通過形成第一半 導體激光元件和第二半導體激光元件所具有的各個側面在沿著預定方向互相偏移的位置 上接合的集成型半導體激光元件，在制造工藝中，例如，從由多個第一半導體激光元件構成 的晶片和由多個第二半導體激光元件構成的晶片接合的狀態，除去第二半導體激光元件側 的晶片中不需要的部分，在形成比第一半導體激光元件的表面上的第一半導體激光元件的 第一側面和第二側面更向元件內側方向具有小元件寬度的第二半導體激光元件之后分割 晶片，與此情況不同，可以不用除去晶片的不需要部分來分割晶片，由此形成半導體激光元 件。由此，可以提高集成型半導體激光元件的效率。此外，在根據第二方案的集成型半導體激光元件中，在第一側面和第三側面之間， 第一表面的第一突出區域從第二半導體激光元件露出。即，在制造工藝上，在晶片接合之后，例如從第二半導體激光元件側進行刻蝕，由于不需要另外進行使用于連接第一金屬線 的第一電極在第一半導體激光元件的表面上露出的工序等，不需要這種這種制造工藝，可 以簡化集成型半導體激光元件的制造工藝。此外，在根據第二方案的集成型半導體激光元件中，在第二電極形成為從第二半 導體激光元件和第一半導體激光元件之間在第一突出區域延伸，不僅通過第一電極而且通 過第二電極，也可以很容易地從第一半導體激光元件的第一突出區域與外部連接。在根據上述第二方案的集成型半導體激光元件中，優選地，在位于第一突出區域 的第一電極的部分上連接第一金屬線，在位于第一突出區域的第二電極的部分上連接第二 金屬線。根據這種結構，由于與外部連接的第二金屬線在與第一金屬線相同側與第二電極 連接，因此可以在集成型半導體激光元件的一側集中進行集成型半導體激光元件的配線。在根據第二方案的集成型半導體激光元件中，優選地，第二電極配置成在第一半 導體激光元件上夾著絕緣層，第一電極和第二電極以互相絕緣的狀態下被配置。根據這種 結構，可以有效地利用第一突出區域，由于第一電極和第二電極相鄰配置，因此可以抑制第 一突出區域在第一半導體激光元件的寬度方向不必要地擴展。這種情況下，優選地，第一電極的連接有第一金屬線的區域和第二電極的連接有 第二金屬線的區域分別在第一突出區域中沿著第一方向互相分離。根據這種結構，由于用 于相對于第一電極和第二電極對金屬線進行線鍵合的線鍵合部可以沿著第一方向并列配 置，因此第一突出區域的寬度可以減小。由此，集成型半導體激光元件的寬度可以減小。在根據上述第二方案的集成型半導體激光元件中，優選地，在第一半導體激光元 件的波導路徑上，按照與第二半導體激光元件重合的方式進行接合。根據這種結構，由于第 一半導體激光元件的波導路徑從第二半導體激光元件突出，因此可以形成相對于第一半導 體激光元件的發光點接近第二半導體激光元件的集成型半導體激光元件。這種情況下，優選地，第一電極形成為從第一半導體激光元件和第二半導體激光 元件之間在第一突出區域延伸。根據這種結構，由于第一電極的線鍵合部配置在與第一半 導體激光元件分離的位置上，因此可以降低鍵合時對波導路徑的沖擊，并且可以很容易進 行金屬線相對于第一電極的線鍵合。在上述第一半導體激光元件的波導路徑上重合第二半導體激光元件的結構中，優 選地，第二半導體激光元件的波導路徑形成在與第一半導體激光元件重合的位置上。根據 這種結構，可以獲得第一半導體激光元件的發光點與在第一半導體激光元件上重合的第二 半導體激光元件的發光點確實接近的集成型半導體激光元件。這種情況下，優選地，第一半導體激光元件的波導路徑形成在第一突出區域。根據 這種結構，在將第二半導體激光元件與第一表面接合時，可以抑制對第一半導體激光元件 的波導路徑的損傷。此外，在將第二半導體激光元件與第一表面接合時，可以抑制第一電極 側的電性能的惡化。在根據上述第二方案的集成型半導體激光元件中，優選地，從第一半導體激光元 件的第一側面到第二側面的元件寬度與從第二半導體激光元件的第三側面到第四側面的 元件寬度相等。根據這種結構，在制造工藝上，在沿著與第一方向垂直的方向的第一突出區 域的長度(寬度)和第二突出區域的長度(寬度)相等的狀態下，可以很容易形成各個集 成型半導體激光元件芯片。
在根據上述第二方案的集成型半導體激光元件中，優選地，第一半導體激光元件 具有由氮化物半導體構成的基板，第二半導體激光元件具有由GaAs半導體構成的基板。這 樣，即使在氮化物半導體(GaN)是比GaAs半導體更硬的材料而具有劈開性缺乏的性質的情 況下，也可以很容易地獲得抑制諧振器面向諧振器方向偏移的集成型半導體激光元件。根據本發明的第三方案的光裝置，其包括集成型半導體激光元件，該集成型半導 體激光元件包含第一半導體激光元件、第二半導體激光元件以及第二電極，所述第一半導 體激光元件具有在第一表面上形成第一電極、沿著諧振面延伸的第一方向延伸的第一側面 和與第一側面相對的第二側面，所述第二半導體激光元件具有與上述第一表面接合的第二 表面、沿著第一方向延伸的第三側面以及與第三側面相對的第四側面，所述第二電極配置 在第一半導體激光元件上同時與第二半導體激光元件連接；和控制上述集成型半導體激光 元件的射出光的光學系統；其中在第一側面和第三側面之間，第一表面的第一突出區域從 第二半導體激光元件露出，并且在第二側面和第四側面之間，第二表面的第二突出區域從 第一半導體激光元件露出，第二電極形成為從第二半導體激光元件和第一半導體激光元件 之間在第一突出區域中延伸。根據本發明的第三方案的光裝置，如上所述，在第一側面和第三側面之間，第一表 面的第一突出區域從第二半導體激光元件露出，并且在第二側面和第四側面之間，第二表 面的第二突出區域從第一半導體激光元件露出。即，通過形成第一半導體激光元件和第二 半導體激光元件所具有的各側面在沿著預定方向互相偏移的位置上接合的集成型半導體 激光元件，可以不用除去晶片的不需要部分而分割晶片，從而形成半導體激光元件。由此， 可以獲得適用于提高效率的集成型半導體激光元件的光裝置。此外，根據第三方案的光裝置，在第一側面和第三側面之間，第一表面的第一突出 區域從第二半導體激光元件露出。即，在制造工藝上，在晶片接合之后，由于不必進行例如 從第二半導體激光元件側進行刻蝕、在第一半導體激光元件的表面上露出用于鍵合第一金 屬線的第一電極的工序等其他工序，所以不需要這種制造工藝，就可以很容易地獲得適用 于簡化制造工藝的半導體激光元件的光裝置。此外，根據第三方案的光裝置，通過第二電極形成為從第二半導體激光元件和第 一半導體激光元件之間、在第一突出區域延伸，不僅通過第一電極而且通過第二電極，也可 以從第一半導體激光元件的第一圖區域很容易地與外部連接。
圖1是表示根據本發明第一實施方式的半導體激光元件的結構的立體圖。圖2是沿著圖1的1000-1000線截取的剖面圖。圖3是沿著圖1的1100-1100線截取的剖面圖。圖4是沿著圖1的2000-2000線截取的剖面圖。圖5是沿著圖1的3000-3000線截取的剖面圖。圖6是表示根據本發明第一實施方式的半導體激光元件的結構的平面圖。圖7是用于說明根據本發明第一實施方式的半導體激光元件的制造工藝的示意 圖。圖8是用于說明根據本發明第一實施方式的半導體激光元件的制造工藝的示意
11圖。圖9是用于說明根據本發明第一實施方式的半導體激光元件的制造工藝的示意 圖。圖10是用于說明根據本發明第一實施方式的半導體激光元件的制造工藝的示意 圖。圖11是用于說明根據本發明第一實施方式的半導體激光元件的制造工藝的示意 圖。圖12是用于說明根據本發明第一實施方式的半導體激光元件的制造工藝的示意 圖。圖13是用于說明根據本發明第一實施方式的半導體激光元件的制造工藝的示意 圖。圖14是用于說明根據本發明第一實施方式的半導體激光元件的制造工藝的示意 圖。圖15是用于說明根據本發明第一實施方式的半導體激光元件的制造工藝的示意 圖。圖16是表示根據本發明第二實施方式的半導體激光元件的結構的剖面圖。圖17是表示根據本發明第二實施方式的半導體激光元件的結構的平面圖。圖18是用于說明根據本發明第二實施方式的半導體激光元件的制造工藝的平面 圖。圖19是表示根據本發明第三實施方式的半導體激光元件的結構的平面圖。圖20是沿著圖19的1500-1500線截取的剖面圖。圖21是沿著圖19的2500-2500線截取的剖面圖。圖22是沿著圖19的3500-3500線截取的剖面圖。圖23是內藏安裝了根據本發明第四實施方式的半導體激光元件的半導體激光裝 置的光拾取裝置的結構圖。圖24是表示安裝了根據本發明第四實施方式的半導體激光元件的半導體激光裝 置的示意結構的外部立體圖。圖25是安裝了根據本發明第四實施方式的半導體激光元件的半導體激光裝置的 封裝(* ~ > ^ 〃 ’一”的蓋體的外部狀態的正面圖。圖26是包括安裝了根據本發明第五實施方式的半導體激光元件的光拾取裝置的 光盤裝置的結構圖。圖27是表示安裝了根據本發明第六實施方式的半導體激光元件的半導體激光裝 置的結構的正面圖。圖28是安裝了根據本發明第六實施方式的半導體激光元件的投影裝置的結構 圖。圖29是安裝了根據本發明第七實施方式的半導體激光元件的投影裝置的結構 圖。圖30是表示安裝了根據本發明第七實施方式的半導體激光元件的投影裝置中， 控制部按照時序發送信號的狀態的時序圖。
具體實施例方式下面基于
本發明的實施方式。(第一實施方式)首先，參照圖1 圖6，說明根據第一實施方式的半導體激光元件100的結構。并 且，半導體激光元件100是本發明的“集成型半導體激光元件”的一個例子。這里，圖2是沿 著圖1的1000-1000線截取的剖面圖，圖3是沿著圖1的1100-1100線截取的剖面圖。此 外，圖4是沿著圖1的2000-2000線截取的剖面圖，圖5是沿著圖1的3000-3000線截取的 剖面圖。此外，圖6是圖1所示的半導體激光元件的平面圖。如圖1 5所示，根據本發明第一實施方式的半導體激光元件100，在具有大約 405nm振動波長的藍紫色半導體激光元件10的表面上，接合單片(monolithic)形成有具有 大約650nm的振動波長的紅色半導體激光元件30、和具有大約780nm的振動波長的紅外半 導體激光元件50的2波長半導體激光元件70。并且，藍紫色半導體激光元件10和2波長 半導體激光元件70分別是本發明的“第一半導體激光元件”和“第二半導體激光元件”的 一個例子。這里，在第一實施方式中，半導體激光元件100的藍紫色半導體激光元件10和2 波長半導體激光元件70在諧振器方向(X方向)延伸的元件側面互相在Y方向偏移的狀態 下接合。這里，X方向和Y方向分別對應本發明的“第一方向”和“第二方向”。即，如圖2所 示，通過藍紫色半導體激光元件10的Yl側的側面IOa被配置成從2波長半導體激光元件 70的Yl側的側面70a形成的位置向Yl方向偏移，在藍紫色半導體激光元件10上設置從2 波長半導體激光元件70露出的突出區域5。此外，與上述情況相同，通過將2波長半導體激光元件70的Y2側的側面70b配置 成從形成藍紫色半導體激光元件10的Y2側的側面IOb的位置向Y2方向偏移，在2波長半 導體激光元件70上設置從藍紫色半導體激光元件10露出的突出區域6。而且，突出區域5 和6分別是本發明的“第一突出區域”和“第二突出區域”的一個例子。此外，側面IOa和 IOb分別是本發明的“第一側面”和“第二側面”的一個例子，側面70a和70b分別是本發明 的“第三側面”和“第四側面”的一個例子。這里，藍紫色半導體激光元件10和2波長半導體激光元件70設置成具有在Y 方向大致相等的寬度P(=約200 μ m)，并且設置成具有大致相等的諧振器長度L(=約 800 μ m)。S卩，突出區域5的Y方向的寬度和突出區域6的Y方向的寬度設置成大致相等。 但是，在這種制造工藝中，會出現劈開·分割工序的精度上的誤差。因此，盡管存在藍紫色 半導體激光元件10和2波長半導體激光元件70的寬度P互相相差10 μ m左右的情況，此 外，盡管存在藍紫色半導體激光元件10和2波長半導體激光元件70的諧振器長度L互相 相差10 μ m左右的情況，但所謂的關于諧振器長度L和寬度P大致相等是包含具有這種長 度的誤差的情況。此外，如圖2所示，在藍紫色半導體激光元件10中，在具有大約100 μ m厚度的η 型GaN基板11的表面上，形成由η型AlGaN構成的η型包覆層12、具有多重量子阱(MQW) 結構的活性層13以及由ρ型AlGaN構成的ρ型包覆層14。此外，如圖1和圖2所示，ρ型 包覆層14具有從中央部向在靠近Υ2側的位置上形成的Zl方向突出的凸部、以及在凸部的兩側擴展的平坦部。通過這種P型包覆層14的凸部，活性層13的部分中形成用于構成光 波導路徑的脊部15。此外，脊部15形成為在X方向(參照圖1)延伸。這里，在第一實施方式中，如圖1和圖4所示，在藍紫色半導體激光元件10上，在 元件的X方向的兩端部的脊部15的兩側面(Y方向)上，形成一對階梯部10c。該階梯部 IOc是在后述的制造工藝中，沿著Y方向將晶片狀態的半導體激光元件100分割成條狀時的 劈開導入用槽91在分割后的藍紫色半導體激光元件10上殘留的部分。此外，如圖1和圖2所示，在ρ型包覆層14中的脊部15的兩側面和平坦部的上表 面上，形成由SiO2構成的絕緣層16。該絕緣層16也層疊在階梯部IOc的部分上。此外，按 照與脊部15的上表面接觸同時覆蓋位于脊部15的周邊的絕緣層16的上表面的方式，形成 P側電極17。此外，ρ側電極17被形成為覆蓋除藍紫色半導體激光元件10的上表面上的 四個端部附近之外的絕緣層16的上表面。此外，在ρ側電極17的上表面和絕緣層16的四 端部的上表面上，形成由SiO2構成的絕緣層18a。此外，絕緣層18a形成在階梯部IOc的底 面和側面(層疊絕緣層16的部分)上。而且，ρ側電極17是本發明的“第一電極”的一個 例子。此外，在第一實施方式中，如圖6所示，在藍紫色半導體激光元件10的Yl側的上 表面中，從形成2波長半導體激光元件70的Yl側的側面70a的位置到位于向Yl側突出的 突出區域5中的絕緣層18a的一部分，除去絕緣層18a的一部分，形成露出下層ρ側電極17 的一部分的矩形的線鍵合(引線結合、wirebond)部17a。此外，如圖2和圖6所示，在突出 區域5中的絕緣層18a的Xl側和Yl側的區域上，形成從接合紅色半導體激光元件30的區 域向Yl側的突出區域5上延伸的焊盤(pad、平頭)電極19a。此外，如圖3和圖6所示，在 絕緣層18a的表面上，形成焊盤電極19b，該焊盤電極19b以沿著X方向的長方形狀覆蓋接 合紅色半導體激光元件50的Y2側的表面，并且從X方向的大致中央部跨越脊部15的上方 延伸到Yl側的突出區域5。此時，如圖3和圖4所示，在接合紅色半導體激光元件30的區 域，通過在焊盤電極19b和紅色半導體激光元件30之間形成由SiO2構成的絕緣層18b，進 行焊盤電極1%和紅色半導體激光元件30之間的絕緣。而且，藍紫色半導體激光元件10 的上表面是本發明的“第一表面”的一個例子，焊盤電極19a和19b是本發明的“第二電極” 的一個例子。此外，在第一實施方式中，線鍵合部17a、焊盤電極19a和19b，在藍紫色半導體激 光元件10的突出區域5中不互相接觸的狀態下，沿著諧振器方向(X方向)并列形成。此外，如圖1 圖4所示，在η型GaN基板11的下表面上，除了形成階梯部IOd的 區域及其附近區域以外，形成η側電極20。此外，在藍紫色半導體激光元件10的下面的Y 方向的兩端部(側面IOa和IOb)上形成的階梯部IOd是在后述的制造工藝中，沿著X方向 將條狀的半導體激光元件100分割成芯片時分割槽73殘留在芯片化后的藍紫色半導體激 光元件10上的部分。而且，條狀的半導體激光元件100是本發明的“第三長方形基板”的 一個例子，分割槽73是本發明的“第一分割槽”的一個例子。此外，如圖2所示，構成2波長半導體激光元件70的紅色半導體激光元件30在具 有大約100 μ m厚度的η型GaAs基板31的下表面上形成有由η型AlGaInP構成的η包覆 層32、具有MQW結構的活性層33、以及由ρ型AlGaInP構成的ρ型包覆層34。此外，紅外 半導體激光元件50在η型GaAs基板31的下表面上形成有由η型AlGaAs構成的η包覆層52、具有MQW結構的活性層53、以及由ρ型AlGaAs構成的ρ型包覆層54。此外，如圖1、圖 2和圖4所示，在由紅色半導體激光元件30和紅外半導體激光元件50夾著的區域(Y方向 的中央部)，形成溝槽部71。此外，ρ型包覆層34和54分別具有在Y方向的大致中央部形成且向Ζ2方向突出 的凸部、在凸部的兩側形成的沿著X方向延伸的凹部34a和54a、以及在凹部34a和54a的 兩側擴展的平坦部34b和54b。通過這種ρ型包覆層34和54的凸部，在活性層33和53的 部分上形成用于構成光波導路徑的脊部35和55。此外，如圖1和圖5所示，脊部35和55 形成為同時在X方向延伸。此外，如圖1和圖2所示，在除了脊部35和55的下表面以外的ρ型包覆層34和 54的下表面上、紅色半導體激光元件30和紅外半導體激光元件50的側面上、以及η型GaAs 基板31的溝槽部71的下表面上，形成由SiO2構成的絕緣層36。此外，絕緣層36具有大致 相同的厚度，并且也形成在P型包覆層34(54)中的凹部34a(54a)的內側面(凹部的底面 和側面)上。由此，絕緣層36具有與ρ型包覆層34和54的凹凸形狀相對應的、在脊部35 和55的兩側形成的凹部、以及在凹部兩側擴展的平坦部36a。此外，如圖2所示，平坦部36a構成為位于比沒有形成絕緣層36的脊部35和55 的下面(Z2側的表面)更向下的位置上。由此，在相對于藍紫色半導體激光元件10接合2 波長半導體激光元件70的下表面時，可以抑制施加于脊部35和55上的過度壓力。而且，2 波長半導體激光元件70的下表面是本發明的“第二表面”的一個例子。此外，按照與脊部35的下表面接觸且覆蓋位于脊部35的周邊的絕緣層36的下表 面的方式，形成P側電極37。此外，按照與脊部55的下表面接觸且覆蓋位于脊部55的周邊 的絕緣層36的下表面的方式，形成ρ側電極57。該ρ側電極37和57通過分別具有大致相 同的厚度，而構成在對應絕緣層36的凹凸形狀的表面上。此外，在η型GaAs基板31的上表面(Zl側的表面)上，除了形成后述的階梯部 70c的區域及其附近區域之外，形成η側電極40。該η側電極40共通地用于紅色半導體激 光元件30和紅外半導體激光元件50。此外，在2波長半導體激光元件70的Y方向的兩端 部(側面70a和70b)上，分別形成在X方向延伸的階梯部70c和70d。該階梯部70c和70d 是在后述的制造工藝中，將條狀半導體激光元件100沿著X方向進行元件分割成芯片時的 分割槽74在分割后分別殘留在2波長半導體激光元件70上的部分。而且，分割槽74是本 發明的“第二分割槽”的一個例子。此外，如圖2和圖3所示，2波長半導體激光元件70的ρ側電極37和57分別通過 由Au-Sn焊料構成的熔接層1與藍紫色半導體激光元件10上的焊盤電極19a和19b接合。 此外，藍紫色半導體激光元件10的階梯部IOc形成為延伸到形成紅色半導體激光元件30 或紅外半導體激光元件50的位置的下方(Z2方向)。此外，2波長半導體激光元件70配置 成溝槽部71的部分完全覆蓋藍紫色半導體激光元件10的脊部15 (波導路徑)的上方。由 此，藍紫色半導體激光元件10的發光點和2波長半導體激光元件70的發光點的Z方向的 位置形成為互相靠近成為可能。此外，在第一實施方式中，如圖6所示，在藍紫色半導體激光元件10、紅色半導體 激光元件30和紅外半導體激光元件50的X側的兩端部上，分別形成作為與脊部15、35和 55垂直的平面(相當于圖6中的Y-Z平面)的一對諧振器面10e、30e和50e。而且，Xl側的各個諧振器面以及X2側的各個諧振器面分別排列形成在各個側的同一平面上。此外，在 諧振器面10e、30e和50e上，通過制造工藝中的端面涂覆處理，分別形成由AlN膜和Al2O3 膜等構成的兼作反射率控制功能的保護膜2a和2b。這里，光射出側的諧振器面IOe (30e、50e)上形成的保護膜2a從諧振器面 10e(30e,50e)到外部由具有大約IOnm厚度的AlN膜、具有大約150nm厚度的Al2O3膜形成。 此外，光反射側的諧振器面上形成的保護膜2b從諧振器面向外部由具有約IOnm厚度的AlN 膜、具有約30nm厚度的Al2O3膜、具有約IOnm厚度的AlN膜、具有約60nm厚度的Al2O3膜、 具有約140nm厚度的SiO2膜、作為低折射率膜的具有約68nm厚度的SiO2膜以及作為高折 射率膜的具有約50nm厚度的&02膜以每6層交替層疊成具有合計708nm厚度的多層反射 膜構成。此外，如圖6所示，藍紫色半導體激光元件10通過與突出區域5的線鍵合部17b 鍵合(wirebond、引線結合)的金屬線81與引線端子連接，并且η側電極20 (參照圖1)通 過熔接層電氣固定到基臺85上。此外，紅色半導體激光元件30通過與突出區域5中的露 出焊盤電極19a鍵合的金屬線82與引線端子連接。此外，紅外半導體激光元件50通過與 突出區域5中露出的焊盤電極19b鍵合的金屬線83與引線端子連接。此外，2波長半導體 激光元件70通過鍵合在與接合面相反側的位置的η側電極40的上表面上的金屬線84與 基臺85電氣連接。而且，在圖6中，為了顯示出隱藏在2波長半導體激光元件70的紙面后 部的焊盤電極19a和19b等的形狀，方便地將面前的η側電極40 (實線所示)施加了陰影 進行表示。而且，金屬線81是本發明的“第一金屬線”的一個例子，金屬線82和83是本發 明的“第二金屬線”的一個例子。接下來，參照圖1、圖2和圖6 圖15，說明根據第一實施方式的半導體激光元件 100的制造工藝。首先，如圖7所示，使用減壓MOCVD法，在晶片狀態的η型GaAs基板31的上表面 上的預定區域上，依次形成構成紅外半導體激光元件50的η型包覆層52、活性層53和ρ型 包覆層54。之后，刻蝕η型包覆層52、活性層53和ρ型包覆層54的一部分，露出η型GaAs 基板31的一部分，并且在其露出部分的一部分上，殘留構成溝槽部71的區域，然后依次形 成構成紅色半導體激光元件30的η型包覆層32、活性層33和ρ型包覆層34。而且，在圖 7中，方便地，用一層(陰影部分)示出了在上述工序中形成的半導體層。之后，使用光刻和刻蝕，形成從半導體層的表面向Zl方向具有約5 μ m深度并且沿 著X方向延伸的分割槽72。此時，分割槽72形成為Y方向上的間隔在后面晶片接合工序 中的定位時的溫度Tl下與間距P2相等，而且，分割槽72形成為到達半導體層下部的η型 GaAs基板31。此外，分割槽72形成為與溝槽部71的深度大致相同。而且，分割槽72是本 發明的“第三分割槽”的一個例子。之后，如圖8所示，使用光刻和刻蝕，通過除去ρ型包覆層34和54的預定區域，形 成沿著X方向延伸的脊部35和55。此時，脊部35和55各自在Y方向上的間隔與在后面的 晶片接合工序中的定位時的溫度Tl下的間距Ρ2相等。這里，脊部35和55的各個Y方向 上的間隔(圖8所示的距離Ρ2)分別對應本發明的“第二周期”。此外，與形成脊部同時，通 過除去P型包覆層34和54的預定區域，在脊部35和55的兩側上形成凹部34a和54a、以 及在凹部34a和54a的兩側延展的平坦部34b和54b。
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此后，使用等離子體CVD，在ρ型包覆層34和54的上表面上形成絕緣層36。此 時，在η型GaAs基板31露出的溝槽部71和分割槽72的內部也層疊絕緣層36，并且也形成 平坦部36a。然后，使用光刻和刻蝕，除去形成在脊部35和55的上表面上的絕緣層36。由 此，平坦部36a形成在比脊部35和55的上表面更向上(Z2側)的位置上。之后，使用真空蒸鍍法和移去法，對應芯片化后的2波長半導體激光元件70的形 狀，在脊部35和55的上表面上和絕緣層36的預定區域的上表面上層疊金屬層37和57。 此外，此時，在絕緣層36的上表面上，形成用于晶片接合時的定位的對準標記95。該對準 標記95分別設置成在X方向和Y方向具有間距W2和間距B2。此外，在圖8中，示出了在2 波長半導體激光元件70的晶片的中心部附近形成的對準標記95。而且，對準標記95是本 發明的“第二對準標記”的一個例子，圖8中的X方向或Y方向對應本發明的“第三方向”。之后，刻蝕η型GaAs基板31的下表面以使η型GaAs基板31具有大約100 μ m的 厚度之后，使用真空蒸鍍法和光刻，在η型GaAs基板31的下表面上的預定區域上對金屬層 40進行構圖。在此狀態下，對晶片進行大約400°C的熱處理。由此，如圖8所示，使脊部35 和55、與金屬層37和57分別合金化，并且η型GaAs基板31的下表面和金屬層40合金化 后形成η側電極40。由此，半導體層和ρ側電極37 (57)、以及η型GaAs基板31和η側電 極40分別處于歐姆接觸的狀態。這樣，就制作了晶片狀態的2波長半導體激光元件70。而 且，晶片狀態的2波長半導體激光元件70是本發明的“第二半導體激光元件基板”的一個 例子。這里，在根據第一實施方式的制造工藝中，如圖8所示，2波長半導體激光元件70 的晶片中的對準標記95形成為，在X方向的間距W2與諧振器長度L2相同(W2 = L2)，并且 Y方向的間距Β2與紅色半導體激光元件30和紅外半導體激光元件50的各個脊間隔(間 距Ρ2)相同(Β2 = Ρ2)。這里，間距W2和Β2對應本發明的“第四周期”。此外，從對準標記 95到最近劈開面的距離D3在各個元件中是相同的。而且，圖8所示的間距W2、諧振器長度 L2、間距Β2以及間距Ρ2分別是晶片接合工序中定位時的溫度Tl (例如室溫(約30°C ))下 的長度。接著，如圖9所示，使用減壓MOCVD法，在主表面為(0001)面的η型GaN基板11 的上表面上，依次層疊η型包覆層12、活性層13以及ρ型包覆層14。之后，使用光刻和刻蝕，形成從ρ型包覆層14側向Ζ2方向具有約5 μ m深度的、沿 著Y方向延伸的劈開導入用槽91。此時，除了形成藍紫色半導體激光元件10的脊部15的 區域(參照圖10)及其附近區域以外，劈開導入用槽91形成為虛線狀。此外，劈開導入用 槽91形成為在X方向上的間隔與在后面的晶片接合工藝中的定位時的溫度Tl下的諧振器 長度Ll相等。此外，劈開導入用槽91形成為到達半導體層下部的η型GaN基板11。由此， 可以更確實地劈開作為一般情況下劈開困難的氮化物半導體的η型GaN基板11和半導體 層。而且，劈開導入用槽91的X方向上的間隔(圖9所示的距離Li)對應本發明的“第五 周期”。之后，如圖10所示，使用光刻和刻蝕，通過除去ρ型包覆層14的預定區域，形成沿 著X方向延伸的脊部15。此時，由于劈開導入用槽91的深度(約5 μ m)形成為比半導體層 上的脊部15的突出高度大，因此劈開導入用槽91在脊部15形成后也殘留在半導體層上。 此外，脊部15形成為在Y方向上的間隔與在后面的晶片接合工藝中的定位時的溫度Tl下的間距Pl相等。這里，脊部15的Y方向上的間隔(圖10所示的距離Pl)對應本發明的
“第一周期”。然后，如圖11所示，使用等離子體CVD，以覆蓋ρ型包覆層14的脊部15的側面和 平坦部的上表面上的方式形成絕緣層16。此時，在劈開導入用槽91的內側面也層疊有絕緣 層16。除去脊部15的上表面上的絕緣層16之后，使用真空蒸鍍法，對應后述的芯片化后的 藍紫色半導體激光元件10的形狀，層疊覆蓋脊部15的上表面和絕緣層16的上表面的金屬 層。然后，通過約400°C的熱處理對金屬層進行合金化，由此形成ρ側電極17。接著，使用等離子體CVD，形成覆蓋ρ側電極17的上表面和絕緣層16的上表面的 絕緣層18a。此時，在劈開導入用槽91的內部的絕緣層16的上表面上也層疊絕緣層18a。 之后，使用光刻和刻蝕，除去絕緣層18a的預定區域，形成在Zl方向上露出ρ側電極17的 一部分區域的線鍵合部17a。此后，使用真空蒸鍍法和移去法，對應芯片化后的藍紫色半導體激光元件10的形 狀，在絕緣層18a的預定區域的上表面上對焊盤電極19a和19b進行構圖。此外，此時，在 絕緣層18a的上表面上，形成用于晶片接合時的定位的對準標記96。該對準標記96設置 成在X方向和Y方向分別具有間距Wl和間距Bi。此外，對于焊盤電極19a和19b，也使用 與對準標記96相同的間距(間距Wl和Bi)進行構圖。這里，間距Wl和Bl對應本發明的 “第三周期”。由此，由于焊盤電極19a和19b以與對準標記96相同的間距同時形成，所以 可以簡化形成對準標記96的工序。此外，用于形成焊盤電極19a和19b以及對準標記96 的掩模圖形通過重復相同的間距而形成，因此掩模的制作很容易。而且，在圖11中，示出了 在藍紫色半導體激光元件10的晶片的中心部附近形成的對準標記96。此外，在溫度Tl下 的藍紫色半導體激光元件10的晶片中的對準標記96形成為在X方向的間距Wl與對準標 記95的間距W2相同(Wl = W2)，并且Y方向的間距Bl與對準標記95的間距B2相同(Bi = B2)。而且，對準標記96是本發明的“第一對準標記”的一個例子，圖11中的X方向或Y 方向對應本發明的“第三方向”。此外，殘留Yl側的焊盤電極19b的上面的一部分的區域，在焊盤電極19b上形成 絕緣層18b。之后，在露出的絕緣層18b、焊盤電極19a和19b上的接合2波長半導體激光 元件70的位置上，形成熔接層1。這樣，除了 η側電極20(參照圖1)以外，制作晶片狀態的 藍紫色半導體激光元件10。而且，晶片狀態的藍紫色半導體激光元件10是本發明的“第一 半導體激光元件基板”的一個例子。這里，對于GaN基板的熱膨脹系數，由于相對于c面基板面內的各向同性，a軸方向 的GaN基板的熱膨脹系數α 1( = 5.0Χ10_7Κ)比GaAs的熱膨脹系數的α 2 ( = 6. 03 ΧΙΟ-6/ K)小，因此在溫度Tl，制作Pl = Ρ2以及Ll = L2的藍紫色半導體激光元件的晶片諧振器 長度Ll和脊間隔Pl時，晶片接合工序的接合時(例如約300°C )，藍紫色半導體激光元件 10的晶片的諧振器長度和脊間隔分別與2波長半導體激光元件70的晶片的諧振器長度和 脊間隔不同。其結果是，在分割后的各芯片之間，藍紫色半導體激光元件的波導路徑和2波 長半導體激光元件的波導路徑的間隔發生一定的不合適情況。為了解決該不合適情況，在接合溫度T2，藍紫色半導體激光元件10的脊間隔 和2波長半導體激光元件70的脊間隔必須一致。即，接合溫度T2時各激光元件必須滿 足諧振器長度LlX (1+α IX Δ Τ) = L2X (1+α2Χ Δ Τ)的關系，并且脊間隔必須滿足PlX (1+α IX ΔΤ) = Ρ2Χ (1+α 2Χ Δ Τ)的關系。這里，ΔΤ = Τ2-Τ1。因此，在藍紫色半導體激光元件10的溫度Tl時，諧振器長度Ll和脊間隔Pl必 須分別設定為 Ll = L2X {(1+α 2Χ ΔΤ)/(1+α IX ΔΤ)} > L2，P1 = Ρ2Χ {(1+α 2Χ ΔΤ)/ (1+α IX ΔΤ)} > Ρ2。即，藍紫色半導體激光元件10的晶片的諧振器長度Ll和脊間隔Pl 必須分別設定為大于2波長半導體激光元件70的晶片的諧振器長度L2和脊間隔Ρ2。此外，在藍紫色半導體激光元件10的晶片中，如圖1所示，諧振器長度Ll設定為 比對準標記96的間距Wl大(Li > Wl)，并且脊間隔(間距Pl)設定為比對準標記96的間 距 Bl 大(Pl > Bi) ο因此，從藍紫色半導體激光元件10的晶片的對準標記96到最近的面劈開面的距 離Dl和從對準標記96到最近的面脊部15的距離D2對于各個元件來說是不同的值。這里， 藍紫色半導體激光元件10的晶片的中心部的距離Dl形成為與圖8的距離D3大致一致。之后，如圖12所示，在晶片狀態的藍紫色半導體激光元件10和晶片狀態的2波長 半導體激光元件70之間，進行晶片狀態的藍紫色半導體激光元件10和晶片狀態的2波長 半導體激光元件70的定位，使得焊盤電極19a和ρ側電極37相對，同時焊盤電極19b和ρ 側電極57相對，并且對準標記95和96重合。此時，進行定位，使得在晶片的大致中心部， 成為藍紫色半導體激光元件的劈開面的位置和成為2波長半導體激光元件的劈開面的位 置大概一致，并且藍紫色半導體激光元件10的波導路徑和2波長半導體激光元件70的波 導路徑的間隔為設定值。之后，在如圖8和圖11所示的晶片的大致中心部，不發生偏差地進行升溫，在大約 2000C以上約350°C以下的溫度T2時，使用熔接層1進行接合。其結果是，在接合后的圖12 的晶片中，藍紫色半導體激光元件10的波導路徑和2波長半導體激光元件70的波導路徑 的相對的間隔在晶片內是一定的，并且成為藍紫色半導體激光元件10的劈開面的位置和 成為2波長半導體激光元件70的劈開面的位置大概一致。而且，這里，示出的脊間隔P和諧 振器長度L分別忽略了間距Pl和P2的差異以及諧振器長度Ll和L2的差異。另一方面， 在雙方晶片上形成的對準標記95和96在晶片的中心部的偏差較小，另一方面，伴隨著受到 基板的熱膨脹系數的影響而從晶片中心部向周邊部離開，對準標記95和96之間的偏差變 大。而且，盡管焊盤電極(17、19a、19b)在各個藍紫色半導體激光元件10中在X方向 和Y方向多少產生偏差，但該偏差的大小是對元件的特性上不會產生特別問題的程度。之后，如圖12所示，研磨η型GaN基板11的下表面以使η型GaN基板11具有大 約100 μ m的厚度之后，使用真空蒸鍍法和光刻，在η型GaN基板11的下表面上的預定區域 上構圖η側電極20。而且，形成η側電極20時，不進行熱處理。此后，在根據第一實施方式的制造工藝中，使用金剛石尖端(diamondpoint)，在η 側電極40的Y方向的兩端部形成劈開導入用槽92。此時，劈開導入用槽92形成為對應于 藍紫色半導體激光元件10上形成的劈開導入用槽91，并從Z方向上看與其重合。而且，劈 開導入用槽92不形成在晶片狀態的η型GaAs基板31的Y方向的端部以外的區域上。而 且，劈開導入用槽92的X方向的間隔(圖12所示的距離L)對應本發明的“第六周期”。在該狀態下，從藍紫色半導體激光元件10的下表面側沿著劈開導入用槽91延伸 的Y方向推入刀狀夾具75，劈開晶片。由此，如圖13所示，形成條狀的半導體激光元件100。此時，在條狀的藍紫色半導體激光元件10上形成一對諧振器面IOe (參照圖6)。同樣地， 在條狀的2波長半導體激光元件70上，分別形成一對諧振器面30e和50e (參照圖6)。此 外，劈開導入用槽91的一部分殘留下來，形成階梯部10c。而且，條狀的藍紫色半導體激光 元件10和條狀的2波長半導體激光元件70分別是本發明的“第一長方形基板”和“第二長 方形基板”的一個例子。之后，在根據第一實施方式的制造工藝中，對條狀的半導體激光元件100進行端 面涂覆處理。由此，如圖13所示，在Xl側的諧振器面10e、30e以及50e (光射出側)上形 成保護膜2a，并且在X2側的諧振器面10e、30e和50e (光反射側)形成保護膜2b。然后，如圖14所示，使用金剛石尖端在η側電極20之間的表面(下表面)上形成 沿著X方向延伸的分割槽73 (如虛線所示)，并且在與分割槽72相對的位置，在η側電極 40的上表面上形成沿著X方向延伸的分割槽74。此時，分割槽73和分割槽74形成在在Y 方向彼此偏移的位置上。在這種狀態下，從藍紫色半導體激光元件10的下表面側沿著分割槽73延伸的X 方向推入刀狀夾具75，對晶片進行元件分割。此時，條狀的藍紫色半導體激光元件10在分 割槽73、在Y方向上被分離，并且條狀的2波長半導體激光元件70在分割槽74、在Y方向 上被分離。由此，如圖15所示，形成如下狀態的芯片藍紫色半導體激光元件10的側面IOa 相對于2波長半導體激光元件70的側面70a在Yl方向上偏移，2波長半導體激光元件70 的側面70b相對于藍紫色半導體激光元件10的側面IOb在Y2方向上偏移。此外，通過這種元件分割，藍紫色半導體激光元件10的線鍵合部17a(參照圖6) 露出到外部。此外，在藍紫色半導體激光元件10的Y方向的兩端部上，通過殘留分割槽73 的一部分，形成階梯部10d，并且在2波長半導體激光元件70的Y方向的兩端部上，通過殘 留分割槽74的一部分，分別形成階梯部70c和70d。這樣，形成了根據第一實施方式的半導 體激光元件100的芯片。在第一實施方式中，如上所述，按照藍紫色半導體激光元件10的側面IOa從形成2 波長半導體激光元件70的側面70a的位置向Yl側突出，并且2波長半導體激光元件70的 側面70b從形成藍紫色半導體激光元件10的側面IOb的位置向Y2側突出的方式，接合藍 紫色半導體激光元件10和2波長半導體激光元件70。即，藍紫色半導體激光元件10和2 波長半導體激光元件70所具有的各個側面，通過形成在沿著Y方向互相偏移的位置上接合 的半導體激光元件100，與從接合了晶片狀態的藍紫色半導體激光元件10和晶片狀態的2 波長半導體激光元件70的晶片預先除去2波長半導體激光元件70側的晶片中不需要的部 分、在藍紫色半導體激光元件10的晶片的表面上形成具有比側面IOa和IOb更向元件內側 方向上的小的元件寬度的2波長半導體激光元件70、之后對晶片進行芯片化的制造工藝不 同，可以不用除去晶片的不需要部分而分割晶片、形成半導體激光元件100的芯片。由此， 可以提高半導體激光元件100的效率。此外，在第一實施方式中，在從2波長半導體激光元件70向Yl側突出的藍紫色半 導體激光元件10的突出區域5的表面上露出的ρ側電極17的部分中，金屬線81與ρ側電 極17(線鍵合部17a)進行鍵合。即，在制造工藝上，接合晶片之后，例如從2波長半導體激 光元件70側進行刻蝕，由于不需要另外進行在藍紫色半導體激光元件10的表面上露出用 于鍵合金屬線81的ρ側電極17的工序等，不需要這種工序，因此可以簡化半導體激光元件100的制造工藝。此外，在第一實施方式中，通過形成從2波長半導體激光元件70和絕緣層18a之 間延伸到突出區域5的焊盤電極19a和19b，不僅通過ρ側電極17而且通過焊盤電極19a 和19b，可以很容易地從藍紫色半導體激光元件10的突出區域5與外部連接。此外，在第一實施方式中，通過焊盤電極19a與金屬線82連接，并且焊盤電極19b 與金屬線82連接，由于與外部連接的金屬線82和83與在金屬線81同側的焊盤電極19a 和1%分別鍵合，因此3根金屬線可以集中配線在半導體激光元件100的一側(Yl側)的 突出區域5中。此外，在第一實施方式中，通過在藍紫色半導體激光元件10的表面上形成的ρ側 電極17 (線鍵合部17a)、焊盤電極19a和19b以彼此絕緣的狀態沿著諧振器方向(X方向) 并列形成，由于有效地利用了突出區域5，p側電極17(線鍵合部17a)、焊盤電極19a和19b 可以相鄰配置，因此藍紫色半導體激光元件10的Y方向的元件寬度可以形成為較小。此外，在第一實施方式中，在下部沒有形成波導路徑的藍紫色半導體激光元件10 的突出區域5中，金屬線81與ρ側電極17 (線鍵合部17a)進行線鍵合，并且與2波長半導 體激光元件70連接的金屬線82和83分別與焊盤電極19a和19b進行線鍵合。由此，可以 將與外部連接的多個金屬線很容易地與激光元件側的電極相連。此外，由于金屬線可以與 離開激光元件的波導路徑的位置進行線鍵合，因此可以降低鍵合時對波導路徑的沖擊。此外，在第一實施方式中，作為本發明的第一半導體激光元件，使用由氮化物類 半導體構成的藍紫色半導體激光元件10，并且作為本發明的第二半導體激光元件，使用由 GaAs半導體構成的紅色半導體激光元件30和紅外半導體激光元件50。即，即使在氮化物 半導體(GaN)作為比GaAs半導體更硬的材質具有劈開性缺乏的性質的情況下，也可以很容 易地獲得抑制各個激光元件所具有的諧振器面10e、30e和50e在諧振器方向偏移的半導體 激光元件100。此外，在根據第一實施方式的半導體激光元件100的制造工藝中，通過同時分割 接合后的晶片狀態的藍紫色半導體激光元件10和2波長半導體激光元件70，形成條狀的半 導體激光元件100，對接合了藍紫色半導體激光元件10和2波長半導體激光元件70的晶片 沿著在雙方晶片上形成的分割線(劈開導入用槽91和92)進行分割，因此在條狀狀態下可 以一致地形成直線狀的分割面(諧振器面)。由此，在芯片化的前工序中，可以很容易地抑 制構成各個半導體激光元件的諧振器面10e、30e和50e在諧振器方向(圖13的X方向) 偏移。此外，由于分割前的晶片狀態的2波長半導體激光元件70的各個激光元件沿著Y方 向連續形成，因此，只需在至少一個地方形成在Y方向延伸的分割槽即可。由此，可以簡化 劈開導入用槽91和92的形成工序。此外，在根據第一實施方式的半導體激光元件100的制造工藝中，在將晶片狀態 的藍紫色半導體激光元件10和2波長半導體激光元件70接合起來之前，通過從突出區域 5的表面露出ρ側電極17的線鍵合部17a，在將晶片分割成芯片狀之后，由于不需要將線鍵 合部17a從突出區域5的表面露出的工序，因此可以簡化半導體激光元件100的制造工藝。此外，在根據第一實施方式的半導體激光元件100的制造工藝中，在將晶片狀態 的藍紫色半導體激光元件10和2波長半導體激光元件70接合起來之前，與2波長半導體 激光元件70連接的焊盤電極19a和19b形成為按照沿著諧振器方向(X方向)與ρ側電極17的線鍵合部17a并列的方式在突出區域5的表面上夾著絕緣層18a，在將晶片分割成 芯片狀之后，由于不需要形成各個芯片的焊盤電極19a和19b的工序，因此半導體激光元件 100的制造工藝不復雜，并且可以簡化制造工藝。此外，在根據第一實施方式的半導體激光元件100的制造工藝中，在芯片化之前， 通過在條狀狀態的晶片的劈開面(諧振器面10e、30e和50e)上分別形成保護膜2a和2b， 接合了藍紫色半導體激光元件10和2波長半導體激光元件70的晶片在其晶片厚度大致一 樣的狀態下在諧振器面10e、30e和50e上形成保護膜2a(2b)。由此，例如，在形成保護膜 2a(2b)之前，將藍紫色半導體激光元件10的ρ側電極17 (線鍵合部17a)等露出到外部，之 后，與形成保護膜2a(2b)的情況不同，由于不會產生因保護膜2a(2b)覆蓋繞入露出的ρ側 電極17的表面上的線鍵合部17a而使線鍵合部17a被絕緣的不合適情況，因此可以確實進 行芯片化后接合的金屬線81和線鍵合部17a之間的電氣連接(線鍵合(引線結合))。此外，在根據第一實施方式的半導體激光元件100的制造工藝中，在進行芯片化 之前，在條狀態的藍紫色半導體激光元件10上形成用于形成側面IOa和側面IOb的分割槽 73，并且在相對于與接合藍紫色半導體激光元件10的一側相對的一側(Zl)的2波長半導 體激光元件70的表面的分割槽73對應的位置偏移的位置上，側面70a和70b形成用于從 側面IOa和IOb的形成位置分別突出形成的分割槽74。由此，在對條狀態的半導體激光元 件100進行元件分割時，合并在分割槽73的部分分割藍紫色半導體激光元件10，也可以在 分割槽74的形成位置分割2波長半導體激光元件70。由此，與對條狀態的半導體激光元 件100進行芯片化的同時，可以很容易地形成側面70a和70b配置在從側面IOa和IOb的 形成位置偏移的位置上的狀態下的半導體激光元件100。此外，在根據第一實施方式的半導體激光元件100的制造工藝中，從平面看，由于 從與側面IOa對應的分割槽73到與側面70a對應的分割槽74的Y方向的距離等于從與側 面IOb對應的分割槽73到與側面70b對應的分割槽74的Y方向上的距離，在從側面70a 到側面IOa的突出區域5的寬度與從側面IOb到側面70b的突出區域6的寬度的狀態下， 可以很容易將條狀態的晶片分割成多個半導體激光元件100的芯片。此外，在根據第一實施方式的半導體激光元件100的制造工藝中，在將條狀態的 藍紫色半導體激光元件10和2波長半導體激光元件70接合起來之前，在與藍紫色半導體 激光元件10接合的一側的2波長半導體激光元件70的表面上，與分割槽74的預定形成位 置相對形成分割槽72。由此，由于條狀態的2波長半導體激光元件70因分割槽74和分割 槽72而使元件基板的厚度變小，因此可以更容易分割晶片。此外，在根據第一實施方式的半導體激光元件100的制造工藝中，在定位時的溫 度Tl，晶片狀態的藍紫色半導體激光元件10的諧振器長度Ll的設計值設定為大于熱膨脹 系數比GaN大的2波長半導體激光元件70的諧振器長度L2。由此，在接合溫度T2，由于藍 紫色半導體激光元件10和2波長半導體激光元件70兩者的諧振器長度可以大概一致，因 此可以抑制兩者的激光元件的劈開位置偏離設計位置。此外，在根據第一實施方式的半導體激光元件100的制造工藝中，在溫度Tl，在晶 片狀態下的藍紫色半導體激光元件10的脊間隔Pl設定為大于2波長半導體激光元件70的 脊間隔P2。由此，在接合溫度T2，由于藍紫色半導體激光元件10和2波長半導體激光元件 70兩者的脊間隔可以大概一致，因此可以獲得各個芯片中的發光點的位置關系大致相同的多個半導體激光元件100。此外，在根據第一實施方式的半導體激光元件100的制造工藝中，通過對準標記 95和96在X方向和Y方向的各個方向上在溫度Tl下以相同的間距形成，可以很容易正確 地進行晶片接合時的定位。此外，在根據第一實施方式的半導體激光元件100的制造工藝中，由于通過與藍 紫色半導體激光元件10和焊盤電極19a和19b的構圖(圖案形成)合并進行對準標記96 的構圖(圖案形成)，與形成電極圖形同時形成對準標記，因此可以簡化形成對準標記的工序。此外，在根據第一實施方式的半導體激光元件100的制造工藝中，通過以與對準 標記96相同的間距(間距Wl和Bi)對焊盤電極19a和19b進行構圖，通過反復重復相同 的間距來形成用于形成焊盤電極和對準標記的掩模圖形，可以很容易進行掩模制作。此外，在第一實施方式中，在藍紫色半導體激光元件10的脊部15上，使2波長半 導體激光元件70重合來進行接合，并且通過在與藍紫色半導體激光元件10重合的位置上 形成構成2波長半導體激光元件70的紅色半導體激光元件30和紅外半導體激光元件50 的脊部35和55，可以獲得如下半導體激光元件100 藍紫色半導體激光元件10的脊部15 不從2波長半導體激光元件70在Y方向突出，并且藍紫色半導體激光元件10的發光點和 2波長半導體激光元件70的發光點在Y方向確實彼此靠近。(第一實施方式的變形例)參照圖11，在根據第一實施方式的變形例的半導體激光元件100的制造工藝中， 與上述第一實施方式的制造工藝不同，在藍紫色半導體激光元件10的晶片中，可以沿著X 方向和Y方向在η個激光元件的每個上形成對準標記96。這種情況下，對準標記96沿著X 方向以間距Wl = nXLIX {(1+α IX ΔΤ)/(1+α2Χ Δ Τ)}形成，并且沿著Y方向以間距Bl =ηΧΡΙΧ {(1+α IX ΔΤ)/(1+α 2Χ ΔΤ)}形成。(第二實施方式)參照圖16 圖18，說明第二實施方式。與第一實施方式不同，基于以下情況說明 根據第二實施方式的半導體激光元件200 在藍紫色半導體激光元件210的Υ2側的表面上 只接合了紅色半導體激光元件230，并且藍紫色半導體激光元件210的波導路徑形成在從 Yl側的紅色半導體激光元件230突出的區域上。而且，半導體激光元件200是本發明的“集 成型半導體激光元件”的一個例子，藍紫色半導體激光元件210和紅色半導體激光元件230 分別是本發明的“第一半導體激光元件”和“第二半導體激光元件”的一個例子。而且，圖 16是沿著圖17的1200-1200線截取的剖面圖。如圖16所示，根據本第二實施方式的半導體激光元件200在藍紫色半導體激光元 件210的Υ2側的表面上接合紅色半導體激光元件230。這里，在第二實施方式中，在如下狀態下進行接合藍紫色半導體激光元件210的 Yl側的側面210a配置成在Yl方向上偏離紅色半導體激光元件230的Yl側的側面230a的 形成位置，并且紅色半導體激光元件230的Y2側的側面230b配置成在Y2方向偏離藍紫色 半導體激光元件210的Y2側的側面210b的形成位置。而且，側面210a和210b分別是本 發明的“第一側面”和“第二側面”的一個例子，側面230a和230b分別是本發明的“第三側 面”和“第四側面”的一個例子。
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此外，如圖17所示，在第二實施方式中，藍紫色半導體激光元件210的脊部15 (光 波導路徑)形成在突出區域205上。此外，在脊部15形成的突出區域205的絕緣層18a的 Xl側和Yl側的區域上，形成從紅色半導體激光元件230接合的區域在Yl方向延伸的焊盤 電極219a。此外，紅色半導體激光元件230通過與從突出區域205露出的焊盤電極219a鍵 合的金屬線282與引線端子(未圖示)連接。而且，突出區域205是本發明的“第一突出區 域”的一個例子，焊盤電極219a是本發明的“第二電極”的一個例子。此外，金屬線282是 本發明的“第二金屬線”的一個例子。此外，在第二實施方式中，在主表面具有(1-100)面的η型GaN基板211的上表 面上，層疊與上述第一實施方式相同的半導體元件層，形成藍紫色半導體激光元件210。此 外，構成沿著c軸方向延伸的諧振器。這種情況下，由于a軸方向和c軸方向的GaN的熱膨 脹系數分別為約5. OX 10_6/K和約4. 5Χ 10_6/Κ，因此η型GaN基板211的基板面內的熱膨 脹系數是各向異性的。但是，與GaAs基板的a軸方向的熱膨脹系數的差比與GaAs基板的 c軸方向的熱膨脹系數的差小。這里，如圖18所示，在溫度Tl，藍紫色半導體激光元件210 的晶片上的對準標記296的間距(W21和B21)與紅色半導體激光元件230的晶片的的對準 標記的間距一致，在接合溫度T2，藍紫色半導體激光元件210的晶片的元件的間距(諧振器 長度L21和脊部的間距P21)與紅色半導體激光元件230的晶片的元件的間距(X方向的諧 振器長度和Y方向的波導路徑的間距)一致，因此熱膨脹系數差大的方向的元件的間距和 對準標記的間距的比(L21和W21的比)，設定成大于熱膨脹系數差小的方向的元件間距和 對準標記的間距的比(P21和B21的比)(L21/W21 > P21/B21)。而且，根據第二實施方式的半導體激光元件200的其他結構和制造工藝與上述第 一實施方式相同。在第二實施方式中，如上所述，通過藍紫色半導體激光元件210的脊部15形成在 突出區域205上，可以抑制在藍紫色半導體激光元件210的表面上接合紅色半導體激光元 件230時對脊部15的損傷，并且能夠抑制ρ側電極17側的電氣特性的惡化。而且，第二實 施方式的其他效果與上述第一實施方式相同。(第三實施方式)參照圖19 圖22，說明第三實施方式。基于以下情況說明根據本第三實施方式的 半導體激光元件300 與上述第一實施方式不同，應接合的2波長半導體激光元件70中只 有紅色半導體激光元件30通過設置在藍紫色半導體激光元件310的突出區域305上的焊 盤電極319a進行鍵合，并且紅外半導體激光元件50的焊盤電極構成為在2波長半導體激 光元件70的突出區域306上延伸。而且，半導體激光元件300是本發明的“集成型半導體 激光元件”的一個例子，突出區域305和306分別是本發明的“第一突出區域”和“第二突 出區域”的一個例子。此外，藍紫色半導體激光元件310和焊盤電極319a分別是本發明的 “第一半導體激光元件”和“第二電極”的一個例子。而且，圖20是沿著圖19的1500-1500 線截取的剖面圖，圖21是沿著圖19的2500-2500線截取的剖面圖。此外，圖22是沿著圖 19的3500-3500線截取的剖面圖。這里，在第三實施方式中，如圖19所示，在突出區域305的絕緣層18a的Xl側的 區域上，形成從接合紅色半導體激光元件30的區域向Yl方向延伸的大致L字形狀的焊盤 電極319a。此外，紅色半導體激光元件30通過與從突出區域305露出的焊盤電極319a鍵合的金屬線382與引線端子連接。而且，焊盤電極319a是本發明的“第二電極”的一例，金 屬線382是本發明的“第二金屬線”的一例。此外，藍紫色半導體激光元件310的η側電極 20通過焊盤電極390固定在子固定件391上。另一方面，在絕緣層18a的Υ2側的上表面上，形成矩形的焊盤電極319b (如虛線 所示)。然后，如圖20所示，通過在側面IOb的Y2側的突出區域306中的ρ側電極57的下 表面上形成的凸塊383，將紅外半導體激光元件50與子固定件391上的焊盤電極392連接。 而且，在圖19中，為了顯示在2波長半導體激光元件70的紙面后面隱藏的焊盤電極319a 和319b等的形狀，方便地對前面的η側電極40 (實線所示)施加了陰影進行示出。此外，在圖21所示的剖面(沿著圖20的2500-2500線截取的剖面)中，在X方向 延伸的焊盤電極319a通過熔接層1與紅色半導體激光元件30的ρ側電極37接合。此外， 在圖22所示的剖面(沿著圖20的3500-3500線截取的剖面)中，藍紫色半導體激光元件 310的ρ側電極17，在由在X方向延伸的絕緣層18a完全覆蓋的狀態下，與2波長半導體激 光元件70的溝槽部71上形成的絕緣層36在Z方向上以預定間隔隔開并相對。此外，根據第三實施方式的半導體激光元件300的其他結構和制造工藝與上述第 一實施方式相同。在第三實施方式中，如上所述，通過在突出區域306上延伸形成紅外半導體激光 元件50的焊盤電極319b，不僅有效利用了在Yl側形成的突出區域305，而且也有效利用了 在Y2側形成的突出區域306，紅外半導體激光元件50的焊盤電極319b可以通過凸塊383 與子固定件391上的焊盤電極392連接。此外，第三實施方式的其他效果與上述第一實施 方式相同。(第四實施方式)參照圖6和圖23 圖25，介紹根據本發明第四實施方式的光拾取裝置400。而且， 光拾取裝置400是本發明的“光裝置”的一個例子。如圖23所示，根據本發明第四實施方式的光拾取裝置400包括安裝了根據上述 第一實施方式的半導體激光元件100的半導體激光裝置410、調整從半導體激光裝置410射 出的激光的光學系統420、以及接收激光的光檢測部430。此外，如圖24和25所示，半導體激光裝置410具有由導電性材料構成的基底911、 在基底911的前表面上配置的蓋子912、和安裝在基底911的后面的引線913、914、915和 916。此外，在基底911的前面，與基底911 一體地形成頭部911a。在頭部911a的上表面 上，配置半導體激光元件100，并且通過由Au-Sn焊料構成的接合層103與由Cu等具有導電 性的材料構成的子固定件101和頭部911a固定在一起。此外，在蓋子912的前表面上，安 裝使從半導體激光元件100射出的激光透過的光學孔912a，通過蓋子912，由此密封用蓋子 912蓋住的基底911的內部的半導體激光元件100。此外，如圖25所示，引線913 915貫通基底911，并且經絕緣部件918彼此電氣 絕緣進行固定。此外，如圖6所示，引線913經金屬線81與ρ側電極17的線鍵合部17a電 連接，引線915經金屬線82與焊盤電極19a電連接。此外，引線914經金屬線83與焊盤電 極19b電連接。此外，η側電極40與子固定件101上的連接電極102經金屬線84電連接。 此外，引線916與基底911 一體地形成。由此，引線916與藍紫色半導體激光元件10的η 側電極20、紅色半導體激光元件30和紅外半導體激光元件50的η側電極40共同 連接，實現了藍紫色半導體激光元件10、紅色半導體激光元件30和紅外半導體激光元件50的陰 極公共結線。此外，如圖23所示，光學系統420具有偏振光分光鏡(PBS)421、準直透鏡422、光 束擴展器423、λ /4板424、對物透鏡425、圓柱透鏡426以及光軸補償元件427。此外，PBS 421使從半導體激光元件410射出的激光全部透過，并且使從光盤435 反饋的激光發生全反射。準直透鏡422將透過PBS 421后的來自半導體激光元件100的激 光變換為平行光。光束擴展器423由凹透鏡、凸透鏡以及調節器(未圖示)構成。調節器 根據后述的來自伺服電路的伺服信號，通過改變凹透鏡和凸透鏡的距離，具有補償從半導 體激光裝置410射出的激光的波面狀態的功能。此外，λ /4板424將通過準直透鏡422變換為大致平行光的直線偏振光的激光變 換為圓偏振光。此外，λ/4板424將從光盤435反饋的圓偏振光的激光變換為直線偏振 光。這種情況下的直線偏振光的偏振方向與從半導體激光裝置410射出的激光的直線偏振 光的方向垂直。由此，從光盤435反饋的激光通過PBS 421大致全反射。對物透鏡425將 透過λ/4板424的激光收斂到光盤435的表面(記錄層)上。而且，根據來自后述的伺服 電機的伺服信號(跟蹤伺服信號、聚焦伺服信號、以及傾斜伺服信號)，利用對物透鏡調節 器(未圖示)可以將對物透鏡425向聚焦方向、跟蹤方向以及傾斜(tilt)方向移動。此外，沿著由PBS 421全反射后的激光的光軸，配置圓柱透鏡426、光軸補償元件 427、以及光檢測部430。圓柱透鏡426給入射的激光施加非點色差作用。光軸補償元件427 由衍射光柵構成，透過圓柱透鏡426的藍紫色、紅色和紅外的各種激光的0次衍射光的光斑 一致地配置在光檢測部430的檢測區域上。此外，光檢測部430根據接收到的激光的強度分布輸出再現信號。這里，光檢測部 430具有與再現信號同時獲得聚焦誤差信號、跟蹤誤差信號以及傾斜誤差信號的預定圖形 的檢測區域。這樣，構成了包括半導體激光裝置410的光拾取裝置400。在這種光拾取裝置400中，半導體激光裝置410可以構成為，通過在引線916和引 線913 915之間分別施加獨立的電壓，從藍紫色半導體激光元件10、紅色半導體激光元件 30和紅外半導體激光元件50獨立地射出藍紫色、紅色和紅外激光。如上所述，從半導體激 光裝置410射出的激光通過PBS 421、準直透鏡422、光束擴展器423、λ/4板424、對物透 鏡425、圓柱透鏡426以及光軸補償元件427進行調整后，照射在光檢測部430的檢測區域 上。這里，在再現光盤435上記錄的信息的情況下，從藍紫色半導體激光元件10、紅色 半導體激光元件30和紅外半導體激光元件50射出的各種激光功率控制為一定，激光照射 在光盤435的記錄層上，并且可以獲得從光檢測部430輸出的再現信號。此外，利用同時輸 出的聚焦誤差信號、跟蹤誤差信號、以及傾斜誤差信號，可以分別反饋控制驅動光束擴展器 423的調節器與對物透鏡425的對物透鏡調節器。此外，在光盤435上記錄信息的情況下，根據應記錄的信息，控制從藍紫色半導體 激光元件10、紅色半導體激光元件30和紅外半導體激光元件50中的任何一個半導體激光 元件射出的激光功率，在光盤435上照射激光。由此，可以在光盤435的記錄層上記錄信 息。此外，與上述相同，利用從光檢測部430輸出的聚焦誤差信號、跟蹤誤差信號、以及傾斜 誤差信號，可以分別反饋控制驅動光束擴展器423的調節器與對物透鏡425的對物透鏡調節器。這樣，使用包括半導體激光裝置410的光拾取裝置400，可以向光盤435進行記錄 和再現。在根據第四實施方式的光拾取裝置400中，由于半導體激光元件100安裝在半導 體激光裝置410內部，可以提高效率，并且適用于制造工藝簡化的半導體激光元件100，可 以很容易獲得光拾取裝置400。(第五實施方式)參照圖6、圖23和圖26，介紹根據本發明第五實施方式的光盤裝置500。如圖26所示，根據本發明第五實施方式的光盤裝置500包括根據上述第四實施方 式的光拾取裝置400、控制器501、激光器驅動電路502、信號生成電路503、伺服電路504、以 及盤驅動電機505。而且，光盤裝置500是本發明的“光裝置”的一個例子。控制器501基于在光盤435中要記錄的信息生成記錄數據Si。此外，控制器501 構成為根據記錄數據Sl和來自后述的信號輸出電路503的信號S5，向激光器驅動電路 502輸出信號S2，并且向伺服電路504輸出信號S7。此外，控制器501基于信號S5輸出再 現數據S10，如后面所述。此外，激光器驅動電路502根據上述信號S2輸出信號S3，該信號 S3控制從光拾取裝置400內的半導體激光裝置410射出的激光功率。即，半導體激光裝置 410構成為驅動控制器501和激光器驅動電路502。在光拾取裝置400中，如圖26所示，根據上述信號S3控制的激光照射到光盤435 上。此外，從光拾取裝置400內的光檢測部430，向信號輸出電路503輸出信號S4。此外， 通過來自后述的伺服電路504的伺服信號S8,控制光拾取裝置400內的光學系統420 (驅 動光束擴展器423的調節器和對物透鏡425的對物透鏡調節器)。信號輸出電路503對從 光拾取裝置400輸出的信號S4進行增幅和演算處理，向控制器501輸出包含再現信號的第 一輸出信號S5，并且向伺服電路504輸出進行上述光拾取裝置400的反饋控制和后述光盤 435的旋轉控制的第二輸出信號S6。如圖26所示，伺服電路504根據來自信號輸出電路503和控制器501的第二輸出 信號S6和信號S7，輸出控制光拾取裝置400內的光學系統420的伺服信號S8和控制盤驅 動電機505的電極伺服信號S9。此外，盤驅動電機505根據電機伺服信號S9控制光盤435 的旋轉速度。這里，在再現光盤435上記錄的信息的情況下，首先，通過識別這里省略說明的光 盤435的種類(CD、DVD、BD等)的手段，選擇應照射的波長的激光。接著，按照從光拾取裝 置400內的半導體激光裝置410射出的波長的激光強度一定的方式，從控制器501向激光 器驅動電路502輸出信號S2。因此，通過如上述說明的光拾取裝置400的半導體激光裝置 410、光學系統420和光檢測部430執行功能，從光檢測部430向信號輸出電路503輸出包 含再現信號的信號S4，信號輸出電路503向控制器501輸出包含再現信號的信號S5。控制 器501通過對信號S5進行處理，提取在光盤435中記錄的再現信號，輸出再現數據S10。使 用該再現數據S10，例如，可以向監視器和揚聲器等輸出在光盤435中記錄的圖像、聲音等 信息。此外，基于來自光檢測部430的信號S4，也對各部分的反饋進行控制。此外，在光盤435中記錄信息的情況下，首先，利用識別上述同樣的光盤435的種 類的手段，選擇應照射的波長的激光。接著，根據對應于所記錄的信息的記錄數據Si，從控制器501向激光器驅動電路502輸出信號S2。然后，通過執行如上所述的光拾取裝置400 的半導體激光裝置410、光學系統420以及光檢測部430的功能，在光盤435中記錄信息，并 且基于來自光檢測部430的信號S4，對各部分的反饋進行控制。這樣，使用光盤裝置500，可以向光盤435進行記錄和再現。在根據第五實施方式的光盤裝置500中，由于在半導體激光裝置410內部安裝半 導體激光元件100(參照圖23)，可以提高效率，并且采用制造工藝簡化的半導體激光元件 100，可以很容易獲得光盤裝置500。而且，第五實施方式的其他效果與上述第四實施方式相 同。(第六實施方式)參照圖1、圖6、圖27和圖28，介紹根據本發明第六實施方式的投影裝置600的結 構。而且，在投影裝置600中，以大致同時點亮構成半導體激光裝置640的各個半導體激光 元件為例進行說明。而且，投影裝置600是本發明的“光裝置”的一個例子。如圖28所示，根據本發明第六實施方式的投影裝置600包括半導體激光裝置640、 由多個光學部件構成的光學系統620、以及控制半導體激光裝置640和光學系統620的控制 部650。由此，構成為從半導體激光裝置640射出的激光在由光學系統620調制之后，向外 部的顯示屏690等進行投影。此外，如圖27所示，半導體激光裝置640包括RGB 3波長半導體激光元件680，使 得相對于單片形成了具有大約530nm的綠色(G)諧振波長的綠色半導體激光元件660和具 有大約480nm的藍色(B)波長的藍色半導體激光元件665的2波長半導體激光元件670， 接合具有約655nm的紅色(R)諧振波長的紅色半導體激光元件655，因而可以射出RGB的3 個波長的激光。這里，參照圖1所示的第一實施方式的半導體激光元件100，RGB 3波長半導體激 光元件680包括代替藍紫色半導體激光元件10的、在η型GaAs基板31的上表面上形成的 紅色半導體激光元件655，代替單片形成紅色半導體激光元件30和紅外半導體激光元件50 的2波長半導體激光元件70，還包括綠色半導體激光元件660和綠色半導體激光元件665 單片形成在η型GaN基板11的下表面上的2波長半導體激光元件670。而且，RGB 3波長 半導體激光元件680是本發明的“集成型半導體激光元件”的一個例子。此外，RGB 3波長半導體激光元件680其η側電極653通過Au-Sn焊料(未圖示) 與在子固定件101的上表面上形成的連接電極102電連接而固定。而且，紅色半導體激光 元件655是本發明的“第一半導體激光元件”的一個例子，由綠色半導體激光元件660和藍 色半導體激光元件665構成的2波長半導體激光元件670是本發明的“第二半導體激光元 件”的一個例子。而且，RGB 3波長半導體激光元件680的其他結構和制造工藝與上述第一 實施方式的半導體激光元件100相同。此外，引線913通過金屬線81和與紅色半導體激光元件655的ρ型半導體層導通 的線鍵合部657a電連接，引線915通過金屬線82和與綠色半導體激光元件660的ρ型半導 體層導通的焊盤電極669a電連接。此外，引線914通過金屬線83和與藍色半導體激光元 件665的ρ型半導體層導通的焊盤電極669b電連接。此外，2波長半導體激光元件670的 η側電極675與子固定件101上的連接電極102通過金屬線84電連接。由此，引線916與 紅色半導體激光元件655的η側電極653和2波長半導體激光元件670的η側電極675同
28時電連接，實現了紅色半導體激光元件655和2波長半導體激光元件670的陰極公共結線。 這里，線鍵合部657a、焊盤電極669a和669b以具有對應圖6所示的線鍵合部17a、焊盤電 極19a和19b的位置關系的狀態分別設置在紅色半導體激光元件655的表面上。而且，線 鍵合部657a是本發明的“第一電極”的一個例子，焊盤電極669a和669b是本發明的“第二 電極”的一個例子。此外，如圖28所示，在光學系統620中，從半導體激光裝置640射出的激光通過由 凹透鏡和凸透鏡構成的分散角控制透鏡622變換成具有預定光束的平行光之后，入射到蠅 眼(復眼)集成器(7，4 了 4 4 >〒R夕)623上。此外，在蠅眼集成器623，由蠅眼 狀的透鏡組構成的2個蠅眼眼(復眼)(7，4 τ· 4 )透鏡面對面構成，安裝使入射到液晶 面板629、633和640上時的光量分布均勻的方式，對從分散角控制透鏡622入射的光施加 透鏡作用。即，透過蠅眼集成器623的光被調整成可以以對應液晶面板629、633和640的 尺寸的長寬比(例如16 9)的寬度入射。此外，透過蠅眼集成器623的光通過聚光透鏡624聚光。此外，透過聚光透鏡624 的光中，只有紅色光通過分色鏡625反射，另一方面，綠色光和藍色光透過分色鏡625。另外，紅色光經過反射鏡626并由透鏡627平行化之后，經入射側偏光板628入射 到液晶面板629上。該液晶面板629根據紅色用圖像信號(R圖像信號)被驅動，變換紅色 光。此外，在分色鏡630，透過分色鏡625的光中只有綠色光反射，另一方面，藍色光透 過分色鏡630。另外，綠色光由透鏡631平行化之后經入射側偏光板632入射到液晶面板633。該 液晶面板633根據綠色用圖像信號(G圖像信號)被驅動，變換綠色光。此外，透過分色鏡630的藍色光經過透鏡634、反射鏡635、透鏡636以及反射鏡 637，并由透鏡638平行化之后，經過入射側偏光板639入射到液晶面板640。該液晶面板 640根據藍色用的圖像信號(B圖像信號)進行驅動，變換藍色光。之后，通過液晶面板629、633和640變換的紅色光、綠色光和藍色光通過二向色棱 鏡641合成后，經過出射側偏光板642入射到投影透鏡643上。此外，投影透鏡643內置用 于使投影光在被投影面(顯示屏690)上成像的透鏡組和用于調整使透鏡組的一部分在光 軸方向移位的投影圖像的縮放和聚焦的調節器。此外，在投影裝置600中，通過控制部650控制向半導體激光裝置640的各個激光 元件供給作為與紅色半導體激光元件655的驅動相關的R信號、與綠色半導體激光元件660 的驅動相關的G信號以及與藍色半導體激光元件665的驅動相關的B信號的正常電壓。由 此，半導體激光裝置640的各紅色半導體激光元件655、綠色半導體激光元件660和藍色半 導體激光元件665構成為實質上同時諧振。此外，通過利用控制部650控制半導體激光裝 置640的紅色半導體激光元件655、綠色半導體激光元件660和藍色半導體激光元件665的 各個光的強度，構成為控制在顯示屏690上投影的像素的色相和亮度等。由此，通過控制部 650在顯示屏690上投影了所希望的圖像。這樣，構成了承載根據本發明第一實施方式的半導體激光裝置640的投影裝置 600。(第七實施方式)
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參照圖27、圖29和圖30介紹根據本發明第七實施方式的投影裝置700。而且，在 投影裝置700中，將構成半導體裝置640的各個半導體激光元件按照時序進行點燃為例進 行說明。而且，投影裝置700是本發明的“光裝置”的一個例子。如圖29所示，根據本發明第七實施方式的投影裝置700包括在上述第六實施方式 中使用的半導體激光裝置640和光學系統720、以及控制半導體激光裝置640和光學系統 720的控制部750。由此，構成為來自半導體激光裝置640的激光由光學系統720調制后， 投影到顯示屏790等上。此外，在光學系統720中，從半導體激光裝置640射出的激光分別由透鏡722變換 為平行光之后，入射到光導管724中。光導管724的內表面由鏡面構成，激光在光導管724的內表面反復反射而在光導 管724內前進。此時，通過在光導管724內的多重反射作用，從光導管724射出的各種顏色 的激光的強度分布均勻化。此外，從光導管724射出的激光經過中繼光學系統725入射到 數字微型反射鏡器件(DMD) 726中。DMD 726由配置成矩陣形狀的一組微小反射鏡構成。此外，DMD 726具有通過使 各像素位置的光的反射方向切換到面向投影透鏡780的第一方向A和遠離投影透鏡780的 第二方向B來表現(調制)各像素的灰度等級的功能。入射到各像素位置的激光中，在第 一方向A反射的光(ON光)入射到投影透鏡780上之后投影到被投影面(顯示屏790)上。 此外，通過DMD 726使在第二方向B反射的光(OFF光)不入射到投影透鏡780上而是被光 吸收體727吸收。此外，在投影裝置700中，通過利用控制部750控制向半導體激光裝置640供給 脈沖電源，半導體激光裝置640的紅色半導體激光元件655、綠色半導體激光元件660和藍 色半導體激光元件665構成為按照時序分割的每一個元件周期地驅動。此外，通過控制部 750，光學系統720的DMD 726構成為分別與紅色半導體激光元件655、綠色半導體激光元 件660和藍色半導體激光元件665的驅動狀態同步，調制在各像素(R、G和B)的灰度等級 上組合的光。具體地說，如圖30所示，與紅色半導體激光元件655 (參照圖27)的驅動相關的R 信號、與綠色半導體激光元件660 (參照圖27)的驅動相關的G信號、以及與藍色半導體激 光元件665 (參照圖27)的驅動相關的B信號，在互相不重合那樣按時序分割的狀態下，通 過控制部750(參照圖29)，供給到半導體激光裝置640的各激光元件。此外，與該B信號、 G信號和R信號同步，來自控制部750的B圖像信號、G圖像信號和R圖像信號分別輸出到 DMD 726。由此，基于圖30所示的時序圖中的B信號，在藍色半導體激光元件665的藍色光 發光的同時，在該時刻，基于B圖像信號，通過DMD 726調制藍色光。此外，基于在B信號之 后輸出的G信號，在綠色半導體激光元件660的綠色光發光的同時，在該時刻，基于G圖像 信號，通過DMD726調制綠色光。之后，基于G信號之后輸出的R信號，在紅色半導體激光元 件655的紅色光發光的同時，在該時刻，基于R圖像信號，通過DMD 726調制紅色光。此后， 基于R信號之后輸出的B信號，在藍色半導體激光元件665的藍色光發光的同時，在該時 刻，再次基于B圖像信號，通過DMD 726調制藍色光。通過反復進行上述操作，基于B圖像 信號、G圖像信號和R圖像信號的激光照射，將圖像投影在被投影面(顯示屏790)上。
這樣，構成了承載根據第七實施方式的半導體激光裝置640的投影裝置700。而且，目前公開的實施方式所有的方面只例示而已，不限制本發明。本發明的范圍 不是上述實施方式中說明的而是由權利要求所示的，而且還包括與權利要求的范圍具有等 同含義的內容以及在其范圍內做的各種變更形式。例如，在上述第一 第七實施方式的制造工藝中，盡管示出了從晶片的中心部附 近到周邊部，在芯片化后的各個激光元件上形成對準標記的例子，但是本發明不限于此，也 可以只在晶片的周邊部的4個角部形成對準標記(4個部位)并進行接合。此外，在上述第一 第七實施方式中，可以將預先形成條狀的第一半導體激光元 件基板和第二半導體激光元件基板互相接合后形成條狀的半導體激光元件。即使這種結 構，在條狀的第一半導體激光元件基板的表面上，與將預先芯片化的多個第二半導體激光 元件分別接合的情況等不同，相對于在預定方向延伸的條狀的第一半導體激光元件基板， 可以沿著該方向接合條狀的第二半導體激光元件基板，形成條狀的半導體激光元件。由此， 對于條狀半導體激光元件，由于相對于第一半導體激光元件的諧振器面的第二半導體激光 元件的諧振器面同時在同一面上，因此可以抑制構成各個激光元件的諧振器面偏移。此外，在上述第一 第七實施方式中，盡管示出了在第二半導體激光元件的η型 GaAs基板上形成金屬層后進行合金化工序的例子，但本發明不限于此，作為η側電極，可以 使用即使不進行合金化工序也能獲得歐姆接觸的金屬。這種情況下，在形成η側電極之前， 可以在通過刻蝕η型GaAs基板進行薄膜化(例如厚度為約50 μ m)的狀態下，形成η側電 極。此外，在上述第一 第七實施方式中，盡管示出了在第一半導體激光元件的發光 點和第二半導體激光元件的發光點在元件厚度方向(圖1的Z方向)偏離的狀態下進行接 合的例子，但是本發明不限于此，還可以構成為第一半導體激光元件的發光點和第二半導 體激光元件的發光點同時在橫方向(Y方向)大致成直線狀。此外，在上述第一 第七實施方式中，盡管示出了使用刻蝕加工和金剛石尖端形 成將晶片劈開成條狀時的劈開導入用槽91 (92)和芯片化時的分割槽73 (74)的例子，但本 發明不限于此，還可以通過激光照射等形成上述槽。此外，在上述第一 第七實施方式中，盡管示出了在形成劈開導入用槽91之后， 形成絕緣膜和P側電極并形成晶片狀態的第一半導體激光元件的例子，但本發明不限于 此，還可以在形成絕緣膜和ρ側電極之后，形成劈開導入用槽91。即，劈開導入用槽91可以 在彼此接合晶片的工序之前形成。此外，在上述第一和第三 第七實施方式中，盡管示出了由藍紫色半導體激光元 件和紅色·紅外半導體激光元件構成3波長半導體激光元件的例子，但本發明不限于此， 還可以在紅色半導體激光元件上，接合藍色半導體激光元件和綠色半導體激光元件來形成 RGB 3波長半導體激光元件。此外，在上述第一 第七實施方式中，盡管示出了熔接層1由Au-Sn焊料構成的例 子，但本發明不限于此，熔接層還可以由Au、Sn、In、Pb、Ge、Ag、Cu或Si等的焊料材料或其 合金材料構成。此外，也可以采用不用焊料的其他接合方法。此外，在上述第一 第七實施方式中，盡管示出了使用η型GaN基板和η型GaAs 基板作為基板的例子，但本發明不限于此，還可以使用GaP基板和Si基板等的其他基板。
此外，在上述第一 第七實施方式中，盡管示出了形成了相對于η型GaAs基板31 具有大致相同深度的分割槽72和溝槽部71的例子，但本發明不限于此，分割槽和溝槽部的 深度可以不同。此外，在上述第二實施方式中，可以形成在熱膨脹系數大的a軸方向延伸的藍紫 色半導體激光元件210的諧振器，這種情況下，可以設定為L21/W21 < P21/B21。此外，在上述第二實施方式中，作為藍紫色半導體激光元件210的GaN基板的主表 面，可以使用非極性面以及(11-2士2)面和(1-10士 1)面等的半極性面。此外，在上述第一 第七實施方式中，盡管示出了使用不是2波長半導體激光元 件的只有一個波長的激光射出的單波長半導體激光元件作為本發明的“第一半導體激光元 件”，但本發明不限于此，可以使用2波長半導體激光元件作為第一半導體激光元件。例如， 使用藍色半導體激光元件和綠色半導體激光元件整體地形成在GaN基板上的2波長半導體 激光元件作為第一半導體激光元件，并且作為本發明的“第二半導體激光元件”，可以使用 在GaAs基板上形成的紅色半導體激光元件。這種情況下，由于2波長半導體激光元件的GaN 基板側可以與子固定件接合，因此與GaAs基板側與子固定件接合的情況相比，半導體激光 元件的散熱性更好。因此，代替在上述第六和第七實施方式中使用的RGB 3波長半導體激 光元件680，由于通過使用包括根據上述變形例的結構的RGB 3波長半導體激光元件，提高 了 RGB 3波長半導體激光元件的散熱性，因此可以提高投影裝置的操作特性。此外，在上述第一實施方式中，與藍紫色半導體激光元件10和2波長半導體激光 元件70重合的寬度相比，突出區域6的寬度可以構成比其窄。這種情況下，在裝配時，可以 抑制2波長半導體激光元件70相對于藍紫色半導體激光元件10傾斜接合。此外。在上述第一實施方式中，與突出區域6的寬度相比，藍紫色半導體激光元件 10和2波長半導體激光元件70重合的寬度可以構成為比其窄。這種情況下，在裝配時，可 以將半導體激光元件100的寬度形成為較窄。此外，在上述第一 第七實施方式中，盡管示出了本發明的“第一半導體激光元 件”的波導路徑不與本發明的“第二半導體激光元件”的波導路徑重合而構成集成型半導體 激光元件的例子，但本發明不限于此，更優選通過第一半導體激光元件的波導路徑與第二 半導體激光元件的波導路徑重合而形成集成型半導體激光元件。
權利要求
一種集成型半導體激光元件的制造方法，其是接合了第一半導體激光元件和第二半導體激光元件的集成型半導體激光元件的制造方法，其特征在于，包括通過接合形成有多個所述第一半導體激光元件的第一長方形基板和形成有多個所述第二半導體激光元件的第二長方形基板而形成第三長方形基板的工序；和分割所述第三長方形基板，使得具有沿著諧振器延伸的第一方向延伸的第一側面和第二側面的所述第一半導體激光元件的所述第一側面從形成具有沿著所述第一方向延伸的第三側面和第四側面的所述第二半導體激光元件的第三側面的位置突出，并且與所述第三側面相反側的所述第四側面從與所述第一側面相反側的所述第二側面突出的工序，所述第一長方形基板沿著所述第一方向和與所述基板面內方向垂直的第二方向排列形成有多個所述第一半導體激光元件，所述第二長方形基板沿著所述第二方向排列形成有多個所述第二半導體激光元件。
2.根據權利要求1所述的集成型半導體激光元件的制造方法，其特征在于所述形成第三長方形基板的工序包括接合第一半導體激光元件基板與第二半導體激 光元件基板的工序；和在接合了所述第一半導體激光元件基板與所述第二半導體激光元件 基板的狀態下，將所述第一半導體激光元件基板與所述第二半導體激光元件基板同時分割 的工序。
3.根據權利要求1所述的集成型半導體激光元件的制造方法，其特征在于所述集成型半導體激光元件中，所述第一半導體激光元件的第一表面和所述第二半導 體激光元件接合，并且所述第一表面的第一突出區域從所述第二半導體激光元件露出，所述集成型半導體激光元件的制造方法還包括在形成所述第三長方形基板的工序之 前，在所述第一突出區域形成第一電極的工序，在分割所述第三長方形基板的工序中，使所述第一電極從所述第二半導體激光元件露出ο
4.根據權利要求1所述的集成型半導體激光元件的制造方法，其特征在于 所述第一長方形基板和所述第二長方形基板分別具有諧振器面，所述集成型半導體激光元件的制造方法還包括在分割所述第三長方形基板的工序之 前，在所述諧振器面上形成保護膜的工序。
5.根據權利要求1所述的集成型半導體激光元件的制造方法，其特征在于 該集成型半導體激光元件的制造方法還包括在分割所述第三長方形基板之前，在所述第一長方形基板上形成用于形成所述第一側面和所述第二側面的第一分割槽 的工序；和在所述第二長方形基板的與接合有所述第一長方形基板的第二表面相反側的表面上， 形成用于形成所述第三側面和所述第四側面的第二分割槽的工序，所述第二分割槽形成在從與所述第一分割槽相對的位置偏移的位置上。
6.根據權利要求2所述的集成型半導體激光元件的制造方法，其特征在于 該集成型半導體激光元件的制造方法還包括在接合所述第一半導體激光元件基板和所述第二半導體激光元件基板之前， 通過沿著所述第二方向以第一周期形成多個所述第一半導體激光元件，制作所述第一半導體激光元件基板的工序；通過沿著所述第二方向以第二周期形成多個所述第二半導體激光元件，制作所述第二 半導體激光元件基板的工序；和為了接合所述第一半導體激光元件基板和所述第二半導體激光元件基板進行定位的 工序，在所述第一半導體激光元件基板的熱膨脹系數比所述第二半導體激光元件基板的熱 膨脹系數小的情況下，在所述進行定位的工序的溫度下的所述第一周期大于所述溫度下的 所述第二周期。
7.根據權利要求2所述的集成型半導體激光元件的制造方法，其特征在于 還包括為了接合所述第一半導體激光元件基板和所述第二半導體激光元件基板進行定位的工序，所述制作第一半導體激光元件基板的工序包括在所述第一半導體激光元件基板上沿 著第三方向以第三周期形成在所述進行定位的工序中使用的第一對準標記的工序，制作所述第二半導體激光元件基板的工序包括在所述第二半導體激光元件基板上沿 著第三方向以第四周期形成在所述進行定位的工序中使用的第二對準標記的工序，在所述進行定位的工序的溫度下的所述第三周期與所述溫度下的所述第四周期相等。
8.根據權利要求2所述的集成型半導體激光元件的制造方法，其特征在于 該集成型半導體激光元件的制造方法還包括在接合所述第一半導體激光元件基板和所述第二半導體激光元件基板的工序之前， 通過沿著所述第一方向以第五周期形成多個所述第一半導體激光元件，制作所述第一 半導體激光元件基板的工序；通過沿著所述第一方向以第六周期形成多個所述第二半導體激光元件，制作所述第二 半導體激光元件基板的工序；和為了接合所述第一半導體激光元件基板和所述第二半導體激光元件基板進行定位的 工序，在所述第一半導體激光元件基板的熱膨脹系數小于所述第二半導體激光元件基板的 熱膨脹系數的情況下，在所述進行定位的工序的溫度下的所述第五周期大于所述溫度下的 所述第六周期。
9.根據權利要求1所述的集成型半導體激光元件的制造方法，其特征在于 所述第一長方形基板具有由氮化物半導體構成的基板，所述第二長方形基板具有由GaAs半導體構成的基板。
10.一種集成型半導體激光元件，其特征在于，包括第一半導體激光元件，其第一電極形成在第一表面上，并具有沿著諧振器延伸的第一 方向延伸的第一側面和與所述第一側面相反側的第二側面；第二半導體激光元件，其具有與所述第一表面接合的第二表面、以及沿著所述第一方 向的第三側面和與所述第三側面相反側的第四側面；和配置在所述第一半導體激光元件上并且與所述第二半導體激光元件連接的第二電極， 在所述第一側面和所述第三側面之間，所述第一表面的第一突出區域從所述第二半導 體激光元件露出，并且在所述第二側面和所述第四側面之間，所述第二表面的第二突出區域從所述第一半導體激光元件露出，所述第二電極形成為從所述第二半導體激光元件和所述第一半導體激光元件之間，在 所述第一突出區域中延伸。
11.根據權利要求10所述的集成型半導體激光元件，其特征在于在位于所述第一突出區域的所述第一電極的一部分連接有第一金屬線，在位于所述第一突出區域的所述第二電極的一部分連接有第二金屬線。
12.根據權利要求10所述的集成型半導體激光元件，其特征在于所述第二電極夾著絕緣層被配置在所述第一半導體激光元件上，所述第一電極和所述 第二電極以互相絕緣的狀態被配置。
13.根據權利要求12所述的集成型半導體激光元件，其特征在于所述第一電極的連接有所述第一金屬線的區域和所述第二電極的連接有所述第二金 屬線的區域分別在所述第一突出區域上沿著所述第一方向互相分離。
14.根據權利要求10所述的集成型半導體激光元件，其特征在于按照在所述第一半導體激光元件的波導路徑上重疊所述第二半導體激光元件的方式 來接合。
15.根據權利要求14所述的集成型半導體激光元件，其特征在于所述第一電極形成為從所述第一半導體激光元件和所述第二半導體激光元件之間，在 所述第一突出區域延伸。
16.根據權利要求14所述的集成型半導體激光元件，其特征在于所述第二半導體激光元件的波導路徑形成在與所述第一半導體激光元件重合的位置上。
17.根據權利要求16所述的集成型半導體激光元件，其特征在于所述第一半導體激光元件的波導路徑形成在所述第一突出區域上。
18.根據權利要求10所述的集成型半導體激光元件，其特征在于所述第一半導體激光元件的從所述第一側面到所述第二側面的元件寬度與所述第二 半導體激光元件的從所述第三側面到所述第四側面的元件寬度相等。
19.根據權利要求10所述的集成型半導體激光元件，其特征在于所述第一半導體激光元件具有由氮化物半導體構成的基板，所述第二半導體激光元件 具有由GaAs半導體構成的基板。
20.一種光裝置，其特征在于，包括集成型半導體激光元件，該集成型半導體激光元件包括第一半導體激光元件、第二半 導體激光元件和第二電極，所述第一半導體激光元件具有在第一表面上形成第一電極、沿 著諧振面延伸的第一方向延伸的第一側面和與所述第一側面相反側的第二側面，所述第二 半導體激光元件具有與所述第一表面接合的第二表面、沿著所述第一方向延伸的第三側面 以及與所述第三側面相反側的第四側面，所述第二電極配置在所述第一半導體激光元件上 并且與所述第二半導體激光元件連接；和控制所述集成型半導體激光元件的射出光的光學系統，在所述第一側面和所述第三側面之間，所述第一表面的第一突出區域從所述第二半導 體激光元件露出，并且在所述第二側面和所述第四側面之間，所述第二表面的第二突出區域從所述第一半導體激光元件露出，所述第二電極形成為從所述第二半導體激光元件和所述第一半導體激光元件之間，在 所述第一突出區域中延伸。
全文摘要
本發明提供一種半導體激光元件的制造方法，包括形成接合第一長方形基板和第二長方形基板的第三長方形基板的工序；第一半導體激光元件的第一側面從形成第二半導體激光元件的第三側面的位置突出的同時，第二半導體激光元件的第四側面從第一半導體激光元件的第二側面突出，并且按照第一電極位于第一半導體激光元件的突出區域中的方式分割第三長方形基板。
文檔編號H01S5/40GK101938087SQ201010228358
公開日2011年1月5日 申請日期2010年3月19日 優先權日2009年6月30日
發明者畑雅幸, 竹內邦生 申請人:三洋電機株式會社