專利名稱：半導體裝置的制作方法
技術領域：
本發明涉及半導體裝置以及熔絲的熔斷方法，特別是具有電流熔斷式熔絲的半導 體裝置以及熔絲的熔斷方法。
背景技術：
在近年來的半導體裝置中，為了提高半導體裝置的通用性，通常不改變半導體裝 置的屏蔽狀態、而是通過使設置在半導體裝置內部的熔絲熔斷，從而改變接線信息，由此改 變半導體的狀態設定。在熔絲的熔斷處理中，為了通過切斷半導體裝置內的一部分布線而改變接線信 息，設置有熔絲圖案等布線熔斷電路。對該布線熔斷電路的兩端施加電應力，從而使布線熔 斷電路電氣性地斷開，由此改變接線狀態。圖1是以往采用的普通熔絲的熔斷示意圖。熔絲包括直線狀的導體部分和設置在 該導體部分兩端的熔絲引出焊盤(PAD)，將兩端的焊盤分別視作焊盤1、焊盤2，在焊盤1與 焊盤2之間形成有導體部分3。導體部3被設計的很細，通過增加導體部分3的局部電流密 度，能夠使導體部分3發熱，從而用比較小的電流使導體部分3熔斷。圖1(a)表示導體部 分3熔斷前的狀態，在通電后該導體部分3熔斷。根據情況的不同，有時也會出現如圖1(b) 所示的情況，即、雖然導體部分3熔斷，但熔斷面之間的距離很小。圖1(c)表示導體部分3 完全熔斷的情況。專利文獻1 日本特開2007-5424號公報但是，對于上述半導體裝置來說，在利用IC(集成電路)測試儀確認熔絲的熔斷情 況時，由于只進行電測量，因此無法測量熔絲熔斷面的間隙(距離)。如圖1(b)所示，在因 布線熔斷時的應力施加偏差等因素導致熔斷面的間隙很小的情況下，存在熔斷面受到溫度 應力、復原力(回復至原來連接狀態的力)等的作用而重新結合等可靠性方面的問題。特別是對于車載用的半導體裝置來說，由于在該領域中需要考慮在溫度非常高的 夏季炎熱天氣等嚴酷條件下使用該種半導體裝置的情況，因此存在必須使該種半導體裝置 具有高可靠性的問題。
發明內容
本發明提供一種半導體裝置，該半導體裝置包括熔絲，通過對該熔絲通以額定電 流以上的電流，能夠使該熔絲的導體部分熔斷；第1監控布線以及第2監控布線，其用于監 控上述導體部分的熔斷情況。該半導體裝置特征在于，該半導體裝置的上述第1監控布線 以及第2監控布線在自上述導體部分中央部離開一定距離的位置上與該導體部分相連接。本發明還提供一種半導體裝置，其特征在于，上述第1監控布線以及上述第2監控 布線配置在與上述熔絲并列的位置，且分別與上述熔絲的要熔斷的部分的兩端相連接。根據本發明，能夠對熔斷面是否相隔一定距離以上進行確認。由此，能夠避免出現 熔絲熔斷面之間距離較短的情況，從而獲得高可靠性。
圖1是表示以往技術的結構圖。圖2是表示本實施方式的半導體裝置結構的結構圖。圖3是表示本實施方式的半導體裝置結構的結構圖。圖4是表示本實施方式的半導體裝置結構的結構圖。圖5是表示本實施方式的半導體裝置結構的結構圖。圖6是表示本實施方式的半導體裝置結構的結構圖。
具體實施例方式圖2是表示本發明的半導體裝置的結構圖。并且，對于在以往技術中說明了的部 分，由于結構相同，因此省略重復說明。以與熔絲并列的方式設置監控布線如圖2(a)所示， 將監控布線的檢測焊盤分別視作焊盤4、焊盤5，且上述焊盤4和5在導電部分3的中央部 以彼此分開間隙(d)的方式與導電部分3相連接。如圖2(b)所示，在熔斷面的間隙不夠充分的情況下，通過確認焊盤1與焊盤4的 電連接狀態，能夠簡單地檢測到上述間隙的不充分。同樣地，通過確認焊盤2與焊盤5的電 連接狀態，也能夠簡單地檢測到上述間隙的不充分。另外，導體部分3在完全熔斷情況下， 會變成圖2(c)所示的狀態，即、焊盤1、2、4、5各自獨立。在該狀態下，通過確認焊盤1與焊 盤4、或焊盤2與焊盤5的電連接狀態，能夠可靠地確保熔斷面的間隙。圖3是表示本發明的半導體裝置的結構圖。與圖2不同，在圖3(a)中不是與熔絲 并列地配置監控布線、而是將焊盤6配置在對角線上。所謂配置在對角線上，是指將焊盤6 和焊盤4配置在熔絲兩個側面中的一邊側面和另一邊側面上，且分別與要熔斷的熔絲的兩 端相連接。另外，如圖3所示，即使將上述焊盤配置在對角線上，也同樣能夠如圖2的配置方 式那樣地確認熔斷面的間隙。如圖3(b)所示，在熔斷面間隙不夠充分的情況下，通過確認 焊盤1與焊盤4的電連接狀態，能夠簡單地檢測到上述間隙的不充分。根據情況的不同，有 時不能在與熔絲并列的位置上設置監控布線，因此檢測焊盤若能在配置方式上富于變化， 則具有適用范圍廣的優點。熔絲在完全熔斷的情況下，會變成圖3(c)所示的狀態，即、焊盤 1、2、4、6各自獨立。圖4是表示本發明的半導體裝置的結構圖。與圖2及圖3不同，圖4(a)表示以隔 著焊盤1單側電極的方式配置監控布線的情況。在該情況下，如圖4 (b)所示，在熔斷面間隙 不夠充分時，通過確認監控布線與焊盤1的電連接狀態，同樣能夠簡單地檢測到上述間隙 的不充分。熔絲在完全熔斷情況下，會變成圖4(c)所示狀態，即、焊盤1、2、4、7各自獨立。圖5表示未能充分確保熔斷面間隙的情況。圖5(a)表示以與熔絲并列的方式配置 監控布線的情況，圖5(b)表示呈對角線狀地配置監控布線的情況，圖5(c)表示以隔著焊盤 1單側電極的方式配置監控布線的情況。由于在上述各情況下的電連接試驗結果均合格，因 此在可靠性方面存在問題。在圖6中，示出了假設在如圖5所示的熔斷面間隙不夠充分情況下，于要熔斷的導 體部分3的上下左右方向以包圍該導體部分3的方式配置監控布線的情形。雖然該方法不 利于節省成本，但卻能顯著提高可靠性。
以上，描述了用于實施本發明的最佳實施方式，但上述實施方式只是為了使本發 明易于理解，而非對本發明進行限定性地解釋。在不脫離本發明主旨的范圍內能夠對本發 明進行變更、改良，并且在本發明中也包含本發明的等同例。例如，圖6所示的情況是自4 個方向包圍導體部分3，但也可以自3個方向、5個方向包圍導體部分3。
權利要求
一種半導體裝置，其特征在于，該半導體裝置包括熔絲，通過對該熔絲通以額定電流以上的電流，能夠使該熔絲的導體部分熔斷；第1監控布線以及第2監控布線，其用于監控上述導體部分的熔斷情況；上述第1監控布線以及第2監控布線分別在自上述導體部分中央部離開一定距離的位置上與該導體部分相連接。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，上述第1監控布線以及上述第2監控布線配置在與上述熔絲并列的位置，且分別與上 述熔絲的要熔斷的部分的兩端相連接。
3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，上述第1監控布線以及上述第2監控布線分別配置在上述熔絲兩側面中的一側面和另 一側面上，且分別與上述熔絲的要熔斷的部分的兩端相連接。
4.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，上述第1監控布線以及上述第2監控布線配置為隔著上述熔絲的要熔斷的部分的單側 的電極，且分別與該電極相連接。
5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于， 該半導體裝置還包括第3監控布線和第4監控布線；上述第1 第4監控布線配置為從上述熔絲的兩側分別與要熔斷的導體部分的兩端相 連接。全文摘要
本發明提供一種半導體裝置。在利用IC測試儀確認熔絲的熔斷情況時，由于只進行電測量，因此無法測量該熔斷面之間的間隙。在因熔斷布線時施加應力的偏差等因素導致熔斷面間隙很小的情況下，存在熔斷面因受到溫度應力、復原力(回復至原來連接狀態的力)等的作用而重新結合等可靠性方面的問題。本發明的半導體裝置包括熔絲，通過對該熔絲通以額定電流以上的電流，能夠使該熔絲的導體部分熔斷；第1監控布線以及第2監控布線，其用于監控上述導體部分的熔斷情況，該半導體裝置的上述第1監控布線以及第2監控布線在自上述導體部分中央部離開一定距離的位置上與該導體部分相連。
文檔編號H01L23/525GK101950742SQ201010212349
公開日2011年1月19日 申請日期2010年6月28日 優先權日2009年7月10日
發明者新井啟之 申請人:三洋電機株式會社;三洋半導體株式會社