專利名稱：卷芯及卷繞于卷芯的晶片加工用帶的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種將晶片加工用帶卷繞成卷軸狀的卷芯，特別是涉及一種將具有切割·芯片焊接膜的晶片加工用帶卷繞成卷軸狀的卷芯，所述切割·芯片焊接膜具備切割膠帶(dicing tape)和芯片焊接膜(die bonding film)兩種功能。
背景技術：
近年來，開發有一種切割·芯片焊接膜，其兼具在將半導體晶片切割分離 (dicing)成各個芯片時用于固定半導體晶片的切割膠帶、和用于將切割的半導體芯片粘接于引線架及封裝基板等或用于在層疊封裝中用于層疊、粘接半導體芯片之間的芯片焊接膜 (也稱為芯片貼裝薄膜)兩個功能。作為這樣的切割·芯片焊接膜，考慮到向晶片貼付及切割時向環形框架安裝等的作業性，存在實施預切加工等情況。實施預切加工的切割 芯片焊接膜的例如圖4及圖5所示。圖4、圖5㈧及圖5 (B) 分別為具備切割 芯片焊接膜40的晶片加工用帶30的簡圖、平面圖、剖面圖。晶片加工用帶30包括脫模膜31、膠粘劑層32、粘合膜33。膠粘劑層32加工成對應晶片形狀的圓形，具有圓形標簽形狀。粘合膜33為除去與切割用環形框架的形狀對應的圓形部分的周邊區域的部分，如圖所示，具有圓形標簽部33a和包圍其外側的周邊部33b。膠粘劑層32和粘合膜 33的圓形標簽部33a以它們的中心一致的方式層疊，另外，粘合膜33的圓形標簽部33a覆蓋膠粘劑層32，且在其周圍與脫模膜31接觸。而且，通過由膠粘劑層32和粘合膜33的圓形標簽部33a構成的層疊構造，構成切割·芯片焊接膜40。在對晶片切割時，將脫模膜31從層疊狀態的膠粘劑層32及粘合膜33剝離，如圖 6所示，將半導體晶片W的背面貼付在膠粘劑層32上，將切割用環形框架R粘合固定在粘合膜33的圓形標簽部33a的外周部。在該狀態下，對半導體晶片W進行切割，其后，對粘合膜33實施紫外線照射等固化處理，拾取半導體芯片。此時，粘合膜33由于通過固化處理而粘合力降低，容易從膠粘劑層32剝離，半導體芯片在背面附著膠粘劑層32的狀態下進行拾取。在半導體芯片的背面附著的膠粘劑層32其后在將半導體芯片粘接于引線架及封裝基板或其它的半導體芯片時，具有作為芯片焊接膜的功能。如圖4及圖5所示，如上所述的晶片加工用帶30中，膠粘劑層32與粘合膜33的圓形標簽部33a層疊的部分比其它部分厚。因此，使用如圖7所示的現有的卷芯50即在旋轉中心形成圓筒狀空洞部53的卷芯50，如圖8所示，將晶片加工用帶30作為制品而卷繞成卷軸狀時，在膠粘劑層32和粘合膜33的圓形標簽部33a的層疊部分，由于除去粘合膜33 而形成的粘合膜33與脫模膜的階梯差疊加，產生在柔軟的膠粘劑層32的表面轉印階梯差的現象即如圖9所示的轉印痕(也稱為標簽痕、褶皺、或卷痕等)。這樣的轉印痕的產生，特別是在膠粘劑層32由柔軟的樹脂形成的情況及較厚的情況，以及膠帶30的卷數較多的情況等下顯著。而且，產生轉印痕時，在膠粘劑層和半導體晶片之間卷入空氣而不密接，其結果，可能會引起粘接不良而在晶片的加工時產生不便。
為了抑制上述轉印痕的產生，考慮減弱薄膜的卷取壓，在該方法中，可能會產生制品的卷繞間隙，例如向貼帶設備的安裝變難等，在該薄膜的實際安裝時帶來障礙。另外，在專利文獻1中公開了一種為了抑制上述那樣的標簽痕的產生，而在剝離基材上的膠粘劑層級粘合膜的外方設置具有與膠粘劑層及粘合膜的合計的膜厚相同或在其以上的膜厚的支持層的粘接片。專利文獻1的粘接片通過具備支持層而將施加于粘接片的卷取壓力分散或集中于支持層，抑制轉印痕的產生。專利文獻1 (日本)特開2007-2173號公報但是，在上述專利文獻1的粘接片中，由于在剝離基板上的在制造半導體裝置時需要的膠粘劑層及粘合膜以外的部分形成支持層，因此支持層的寬度受到限制，相對于膠粘劑層及粘合膜的外徑，支持層的寬度狹窄，產生對標簽痕的抑制效果不充分這樣的問題。 另外，由于支持層通常不具有粘合性而不與剝離基材(PET薄膜)充分貼付，在支持層的最狹窄的部分容易從剝離基材浮起，而在晶片上粘合切割 芯片焊接膜時，上述的浮起部分影響到裝置而產生了損傷晶片的問題。另外，也考慮擴大支持層的寬度，但由于晶片加工用帶整體的寬度變寬，而使現有裝備的使用變得困難。另外，由于支持層為最終廢棄的部分，如果擴大支持層的寬度關系到材料成本的上升。
發明內容
因此，本發明的目的在于，提供一種在將具備在脫模膜上具有膠粘劑層及粘合膜的切割·芯片焊接膜的晶片加工用帶卷取為卷軸狀的情況下，將具有可以充分抑制向膠粘劑層的轉印痕的產生的切割·芯片焊接膜的晶片加工用帶卷繞成卷軸狀的卷芯。為了達成上述的目的，本發明提供一種將本發明的晶片加工用帶卷繞成卷軸狀的卷芯，所述晶片加工用帶包括脫模膜；設置于所述脫模膜的表面上且具有規定的平面形狀的膠粘劑層；具有標簽部和周邊部的粘合膜，所述標簽部覆蓋所述膠粘劑層并在所述膠粘劑層的周圍按照與所述脫模膜接觸的方式設置且具有規定的平面形狀，所述周邊部按照包圍所述標簽部的外側的方式設置，其中，所述卷芯具有緩和部和支持部，所述緩和部在至少對應于所述膠粘層的位置形成且緩和卷繞壓力，所述支持部在被卷繞的晶片加工用帶的寬度方向且所述緩和部的外側形成并支持晶片加工用帶。根據上述發明的將晶片加工用帶卷繞成卷軸狀的卷芯，由于在對應于使用由具有規定的平面形狀的膠粘劑層、覆蓋膠粘劑層且在膠粘劑層的周圍按照接觸脫模膜的方式設置且具有規定的平面形狀的標簽部構成的切割·芯片焊接膜的部分的位置，未形成卷芯的支持部，所以卷繞壓力被減輕(緩和)，因此，可以充分抑制在膠粘劑層上產生轉印痕。另外，作為本發明的將晶片加工用帶卷繞成卷軸狀的卷芯，優選的是，緩和部及支持部具有圓筒形狀，且緩和部通過將所述支持部作成大的直徑而形成。根據上述發明的將晶片加工用帶卷繞成卷軸狀的卷芯，相對于在被卷繞的晶片加工用帶的寬度方向且在緩和部的外側形成的直徑大的支持部，可以形成直徑小的緩和部， 不是將緩和部和支持部作為各自獨立的部件進行設置，而是可以根據卷芯的形狀形成緩和卷繞壓力的緩和部。另外，優選的是，緩和部的形狀，除了使緩和部和支持部形成臺階狀的情況外，緩和部與支持部通過曲面連接。進而，作為本發明的將晶片加工用帶卷繞成卷軸狀的卷芯，理想的是，用于安裝于卷取輥或送出輥的圓筒狀的空洞部形成于旋轉中心。根據上述發明的將晶片加工用帶卷繞成卷軸狀的卷芯，可以不影響緩和部及支持部的形狀而形成空洞部。另外，本發明的卷繞于卷芯的晶片加工用帶卷繞成所述的卷芯。根據將本發明的晶片加工用帶卷繞成卷軸狀的卷芯，在將具備在脫模膜上具有膠粘劑層及粘合膜的切割·芯片焊接膜的晶片加工用帶卷取為卷軸狀的情況下，可以充分抑制在膠粘劑層上的轉印痕的產生。另外，根據本發明的卷繞于卷芯的晶片加工用帶，充分抑制在膠粘劑層上的轉印痕的產生，在膠粘劑層和半導體晶片之間卷入空氣、且將半導體芯片粘接于引線架及封裝基板或另外的半導體芯片時，不會引起粘接不良而產生晶片加工時的不便。
圖1中(A)為本實施方式的卷芯的剖面圖，⑶為簡圖；圖2為說明使用本實施方式的卷芯卷繞晶片加工用帶的狀態的圖；圖3是另外的實施方式的卷芯的剖面圖；圖4是目前的晶片加工用帶的簡圖；圖5中(A)為現有的晶片加工用帶的平面圖，⑶為剖面圖；圖6是表示粘合了切割·芯片焊接膜和切割用環形框架的狀態的剖面圖；圖7中(A)為現有的卷芯的剖面圖，(B)為側面圖；圖8是說明使用現有的卷芯卷繞晶片加工用帶的狀態的圖；圖9是用于說明現有的晶片加工用帶的不便的示意圖。符號說明10，50:卷芯11，21:緩和部12，22:支持部13，23，53:空洞部14，24:緩和部側部30:晶片加工用帶31 脫模膜32 膠粘劑層33 粘合膜33a:圓形標簽部33b 周邊部40 切割·芯片焊接膜d1, d1 ‘支持部寬度d2，d2’ 從支持部表面到緩和部表面的緩和部的深度
具體實施例方式下面，參照附圖對本發明的實施方式進行說明。圖1是說明將本實施方式的晶片加工用帶卷繞成卷軸狀的卷芯的圖，其中，圖I(A)是本實施方式的卷芯的剖面圖，圖I(B) 是簡圖。圖2是說明使用本實施方式的卷芯卷繞晶片加工用帶的狀態的圖。圖3是另外的實施方式的卷芯的剖面圖。首先，對本實施方式的卷繞于卷芯的晶片加工用帶進行說明。另外，本實施方式的卷繞于卷芯的晶片加工用帶為圖4及圖5所示的長條狀的晶片加工用帶 30。<晶片加工用帶>下面，對本實施方式的卷繞于卷芯的晶片加工用帶的各構成要素進行詳細說明。(脫模膜)作為用于晶片加工用帶的脫模膜，可以使用公知的聚對苯二甲酸乙酯(PET)系、 聚乙烯系，之外還有被脫模處理了的薄膜。脫模膜的厚度沒有特別限定，可以適當設定，優選為25 50μπι。(膠粘劑層)膠粘劑層在粘合半導體晶片等并切割后而拾取芯片時，從粘合膜剝離而附著于芯片，作為將芯片固定于基板及引線架時的粘接劑使用。因此，膠粘劑層在拾取芯片時具有以附著于單片化的半導體的狀態可以從粘合膜剝離的剝離性，且在芯片焊接時具有為了將芯片粘接固定于基板及引線架而充分的粘接可靠性。膠粘劑層是將粘接劑預先膜化所得的層，例如，可以使用粘接劑中使用的公知的聚酰亞胺樹脂、聚酰胺樹脂、聚醚酰亞胺樹脂、聚酰胺酰亞胺樹脂、聚酯樹脂、聚酯樹脂、聚酯酰亞胺樹脂、苯氧基樹脂、聚砜樹脂、聚醚砜樹脂、聚苯硫醚樹脂、聚醚酮樹脂、氯化聚丙烯樹脂、丙烯酸樹脂、聚氨酯樹脂、環氧樹脂、聚丙烯酰胺樹脂、三聚氰胺樹脂等及其混合物。另外，為了強化對芯片及引線架的粘接力，優選將硅烷偶聯劑或鈦偶聯劑作為添加劑添加到上述材料及其混合物中。膠粘劑層的厚度沒有特別限定，通常優選為5 ΙΟΟμπι程度。另外，膠粘劑層可以層疊在粘合膜的整個，但也可以層疊切斷(預切)為對應預先粘合的晶片的形狀的粘合膜。如圖6所示，在層疊對應于晶片的粘合膜的情況下，在粘合晶片W的部分存在膠粘劑層 32，在粘合切割用的環形框架R的部分沒有膠粘劑層32，只存在粘合膜的圓形標簽部33a。 通常，由于膠粘劑層難以與被粘體剝離，通過使用被預切了的膠粘劑層，環形框架R可以粘合于粘合膜，得到在使用后的薄膜剝離時難以對環形框架產生殘糊這樣的效果。(粘合膜)粘合膜具有充分的粘合力，以在切割晶片時晶片不剝離，且具有低的粘合力，以在切割后拾取芯片時能夠容易從膠粘劑層剝離。例如可以適合使用在基材膜上設置膠粘劑層的粘合膜。作為粘合膜的基材膜，如果是目前公知的基材膜則可以沒有特別限制地使用，但作為后述的膠粘劑層使用射線固化性的材料的情況下，優選使用具有射線透過性的材料。例如，作為其材料，可以列舉聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、聚丁烯-1、 聚-4-甲基戊烯-1、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、離聚物等α-烯烴的均聚物或共聚物或它們的混合物；聚氨酯、苯乙烯-乙烯-丁烯或戊烯系共聚物、聚酰胺-多元醇共聚物等熱塑性彈性體及它們的混合物。另外，基材膜可以為將選自上述組中的2種以上的材料混合所得的薄膜，也可以為將它們單層化或多層化所得的層。基材膜的厚度沒有特別限定，可以適當設定，優選為 50 200 μ m。作為粘合膜的膠粘劑層中使用的樹脂，沒有特別限定，可以使用粘接劑中使用的公知的氯化聚丙烯樹脂、丙烯酸樹脂、聚酯樹脂、聚氨酯樹脂、環氧樹脂等。在膠粘劑層的樹脂中，優選適當配合丙烯系粘接劑、射線聚合性化合物、光聚合起始劑、固化劑等來調制粘接劑。膠粘劑層的厚度沒有特別限定可以適當設定，優選為5 30 μ m0將射線聚合性化合物配合于膠粘劑層，可以通過射線固化而容易從膠粘劑層剝離。該射線聚合性化合物例如使用通過光照射在可以三維網狀化的分子內至少具有兩個以上光聚合性碳-碳雙鍵的低分子量化合物。具體而言，可以使用三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、1，4_ 丁二醇二丙烯酸酯、1，6_己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯及低聚酯丙烯酸酯等。另外，除上述的丙烯酸酯系化合物外，還可以使用聚氨酯丙烯酸酯系低聚物。聚氨酯丙烯酸酯系低聚物是使具有羥基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯(例如丙烯酸2-羥乙酯、甲基丙烯酸2-羥乙酯、丙烯酸2-羥丙酯、甲基丙烯酸2-羥丙酯、聚乙二醇丙烯酸酯、聚乙二醇甲基丙烯酸酯等)與末端異氰酸酯聚氨酯預聚物反應而得到的，上述末端異氰酸酯聚氨酯預聚物是聚酯型或聚醚型等多元醇化合物和多元異氰酸酯化合物(例如2，4_甲苯二異氰酸酯、2，6-甲苯二異氰酸酯、1，3-亞二甲苯基二異氰酸酯、1，4-亞二甲苯基二異氰酸酯、 二苯甲烷-4，4-二異氰酸酯等)反應而得到的。需要說明的是，膠粘劑層可以為將選自上述樹脂的2種以上樹脂混合而得的層。使用光聚合引發劑時，例如，可以使用安息香異丙醚、安息香異丁醚、二苯甲酮、米希勒酮、氯噻噸酮、十二烷基噻噸酮、二甲基噻噸酮、二乙基噻噸酮、芐基二甲基縮酮、α-羥基環己基苯基甲酮、2-羥甲基苯基丙烷等。這些光聚合引發劑的配合量優選相對于丙烯酸系共聚物100質量份為0. 01 5質量份。<第一實施方式>如圖1所示，本實施方式的卷芯10為在晶片加工用帶的卷繞面側形成直徑小的緩和部11和直徑大的支持部12的啞鈴型卷芯。緩和部11設置在對應于晶片加工用帶的(由膠粘劑層和覆蓋膠粘劑層的粘合膜的標簽部構成)的位置，支持部12在緩和部11的外側按照支持粘合膜的周邊部33b的方式形成。另外，在卷芯的旋轉中心形成有圓筒狀的空洞部13。卷芯的材料沒有特別限定，可以從操作容易度及重量等的觀點而選擇ABS樹脂、 氯乙烯樹脂、鐵等。(緩和部11)如圖1所示，緩和部11由相對于卷芯10的旋轉中心軸直徑比支持部12小的圓筒面形成。而且，在緩和部11的兩端形成有與緩和部11垂直的緩和部側部14。因此，緩和部 11和比緩和部11直徑大的支持部12按照形成為臺階狀的方式形成。由于緩和部11的深度(d2)在未滿Imm時不能得到抑制轉印痕的效果，超過40mm時，晶片加工用帶30的卷取變難，因此，優選為Imm以上40mm以下。(支持部12)支持部12相對于卷芯10的旋轉中心軸方向形成在卷芯的外側方向兩方，將比緩和部11直徑大的外筒面作為外面。因此，不作為與包含支持部12的另外的部件分別獨立的部件來進行設置，可以使緩和卷繞壓力的緩和部11僅根據卷芯10的形狀而形成。由于支持部12的寬度(Cl1)在未滿Imm時，晶片加工用帶30的卷取變得困難，因此，優選為Imm 以上。另外，緩和部11對應于膠粘劑層32進行設置，考慮半導體加工用帶30的寬度(圖 5中的d5)時，從不超過需要以上的卷芯10整體的大小的觀點，沒有必要超過35mm。(空洞部13)空洞部13為圓筒狀的空洞部，卷芯10的旋轉中心軸和中心軸相同。而且，為了安裝于卷取輥或送出輥而使用。從卷芯10的旋轉中心軸到空洞部13的曲面的距離形成為比到緩和部11的距離小。因此，空洞部13不會影響緩和部11及支持部12的形狀。圖2表示使用本實施方式的卷芯10卷繞晶片加工用帶30的狀態。由于通過形成在卷芯10的外側的兩個支持部12支持晶片加工用帶，因此，對晶片加工用帶施加希望的卷取壓，另一方面，由于通過對應于粘接劑位置的緩和部11對于晶片加工用帶(膠粘劑層) 不會按壓卷芯，故而可以減輕(緩和)卷繞壓力。其結果是，可以抑制在膠粘劑層的轉印痕的產生。<第二實施方式>第二實施方式的卷芯20為使第一實施方式的卷芯10的緩和部側部14形成曲面的卷芯。圖3表示第二實施方式的卷芯20的剖面圖。卷芯20為在晶片加工用帶的卷繞面側形成直徑小的緩和部21和直徑大的支持部22的變形啞鈴型的卷芯。如圖3所示，緩和部21由作為相對于卷芯20的旋轉中心軸比支持部22直徑小的圓筒面的緩和部21、和作為從緩和部21連續彎曲的曲面的緩和部側M形成。另外，緩和部21設置在對應于晶片加工用帶的切割 芯片焊接膜的膠粘劑層的位置，支持部22在緩和部21的外側按照支持粘合膜的周邊部33b的方式形成。另外，在卷芯的旋轉中心形成有圓筒狀的空洞部23。《實施例》接著，對本發明的實施例進行說明，本發明不限定于這些實施例。卷繞于卷芯的晶片加工用帶如下制作首先，在調整支持基材(基材膜)及粘接劑組合物1后，在支持基材上按照粘接劑組合物1的干燥后的厚度為20 μ m的方式涂敷上述粘接劑組合物，在110°C下干燥3分鐘制作粘合膜。接著，調整粘接劑組合物1，在由對粘接劑組合物進行脫模處理的聚對苯二甲酸乙酯膜構成的剝離襯板上按照干燥后的厚度為20μπι的方式涂敷上述粘接劑組合物，在110°C下干燥3分鐘在剝離襯板上制作粘合膜。然后，將上述粘合膜及上述粘合膜裁剪為圖4所示的形狀后，在上述粘合膜的膠粘劑層側粘合上述粘合膜，制作晶片加工用帶1。下面，顯示支持基材、粘接劑組合物1及粘接劑組合物1的調整方法。(支持基材的調整) 將由市售的低密度聚乙烯構成的樹脂珠(日本聚乙烯(株)制N0VATEC-LL)在 140°C下熔融，使用擠壓機將其成形為厚度100 μ m的長條薄膜形狀。
(粘接劑組合物的調整)首先，作為具有射線固化性碳-碳雙鍵及具有官能團的化合物(0)，制作由丙烯酸 2-乙基己酯、丙烯酸-2-羥基乙酯及甲基丙烯酸甲酯構成且具有質量平均分子量70萬，玻璃轉移溫度_64°C、射線固化性碳-碳雙鍵鍵合量0. 9meq/g的共聚合體化合物。相對于100 質量份的該化合物(0)添加作為固化劑的聚異氰酸酯化合物Cornet-U日本聚氨酯株式會社制、商品名)3質量份，進而通過添加作為光聚合起始劑的Irgacure 184(日本氣巴精化株式會社制、商品名)5質量份，得到射線固化性的粘接劑組合物1。(粘接劑組合物的調整)<粘接劑組合物>在包含作為環氧樹脂的甲酚酚醛型環氧樹脂(環氧當量197、分子量1200、軟化點 700C ) 50質量份、作為硅烷偶聯劑的Y -巰丙基三甲氧基硅烷1. 5質量份、γ -脲丙基三乙氧基硅烷3質量份、平均粒徑為16nm的硅微粉30質量份的組合物中添加環己酮并攪拌混合，進而使用珠粉碎機混煉90分鐘。在其中，作為丙烯樹脂，僅添加100重量份的化合物1 的溶液(1)，作為固化劑，添加1質量份的Cornet-L，攪拌混合得到粘接劑組合物1。(晶片加工用帶1)使用支持基材、粘接劑組合物1、粘接劑組合物1按照上述的方法制作依次層疊支持基材、能量線固化型膠粘劑層、粘合膜的晶片加工用帶1。制作的晶片加工用帶1的形狀如圖5所示，按照帶寬度(d5)為290mm、膠粘劑層的直徑(d6)為220mm、標簽部的直徑為 270mm，進而在晶片加工用帶的中心線上重疊膠粘劑層及標簽部的中心的方式形成。(卷芯)如圖1及圖3所示，將支持部的寬度(dpd/ )、支持部的直徑(d3，d3’)、空洞部的直徑(d4，d4’)、卷芯長度方向的長度設定為一定，將從支持部表面到緩和部表面的緩和部深度(d2，d2’ )變化的啞鈴型卷芯(實施例1 5)和變形啞鈴型卷芯(實施例6 10)由 ABS樹脂制作成以下的形狀。(實施例1)制作支持部的直徑(d3)設定為148mm、支持部的寬度((I1)設定為30mm、從支持部表面到緩和部表面的緩和部的深度(d2)設定為1.0mm、空洞部的直徑(d4)設定為76. 2mm、 卷芯長度方向的長度設定為290mm，進而，使支持部、緩和部和空洞部的中心與卷芯旋轉中心一致的啞鈴型卷芯作為實施例1。(實施例2)除將從支持部表面到緩和部表面的緩和部的深度(d2)設定為5. Omm外，制作與實施例1的 鈴型卷芯同樣制作的 鈴型卷芯作為實施例2。(實施例3)除將從支持部表面到緩和部表面的緩和部的深度(d2)設定為15. Omm外，制作與實施例1及2的 鈴型卷芯同樣制作的 鈴型卷芯作為實施例3。(實施例4)除將從支持部表面到緩和部表面的緩和部的深度(d2)設定為30. Omm外，制作與實施例1 3的 鈴型卷芯同樣制作的 鈴型卷芯作為實施例4。(實施例5)
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除將從支持部表面到緩和部表面的緩和部的深度(d2)設定為40. Omm外，制作與實施例1 4的 鈴型卷芯同樣制作的 鈴型卷芯作為實施例5。(實施例6)制作作為彎曲緩和部側部的曲面，支持部的直徑(d3’ )設定為148mm、支持部的寬度(d/)設定為30mm、從支持部表面到緩和部表面的緩和部的深度(d2’)設定為1.0mm、空洞部的直徑(d4’)設定為76. 2mm、卷芯長度方向的長度設定為^K)mm，進而，使支持部、緩和部和空洞部的中心與卷芯旋轉中心一致的變形 鈴型卷芯作為實施例6。(實施例7)除將從支持部表面到緩和部表面的緩和部的深度(d2’ )設定為5. Omm外，制作與實施例6的 鈴型卷芯同樣制作的 鈴型卷芯作為實施例7。(實施例8)除將從支持部表面到緩和部表面的緩和部的深度(d2’)設定為15. Omm外，制作與實施例6及7的 鈴型卷芯同樣制作的 鈴型卷芯作為實施例8。(實施例9)除將從支持部表面到緩和部表面的緩和部的深度(d2’)設定為30. Omm外，制作與實施例6 8的 鈴型卷芯同樣制作的 鈴型卷芯作為實施例9。(實施例10)除將從支持部表面到緩和部表面的緩和部的深度(d2’)設定為40. Omm外，制作與實施例6 9的啞鈴型卷芯同樣制作的啞鈴型卷芯作為實施例10。(比較例1)制作支持部的直徑(d3)設定為148mm、支持部的寬度((I1)設定為30mm、從支持部表面到緩和部表面的緩和部的深度(d2)設定為0.8mm、空洞部的直徑(d4)設定為76. 2mm、 卷芯長度方向的長度設定為四0讓，由ABS樹脂制作，進而使支持部、緩和部和空洞部的中心與卷芯旋轉中心一致的啞鈴型卷芯作為比較例1。(比較例2)另外，制作作為彎曲緩和部側部的曲面，支持部的直徑(d/ )設定為148mm、支持部的寬度(d/ )設定為30mm、從支持部表面到緩和部表面的緩和部的深度(d2’ )設定為 0. 8mm、空洞部的直徑(d/ )設定為76. 2mm、卷芯長度方向的長度設定為290mm，進而，使支持部、緩和部和空洞部的中心與卷芯旋轉中心一致的啞鈴型卷芯作為比較例2。通過下面所示的評價方法，評價對轉印痕的抑制性。(轉印痕的抑制性的評價方法)使用實施例1 5的啞鈴型卷芯、實施例6 10的變形啞鈴型卷芯、比較例1的啞鈴型卷芯、比較例2的變形啞鈴型卷芯，將290mm寬的晶片加工用帶1 3用15N的一定張力卷取300枚，制作卷軸體。然后，將卷軸體在5°C的環境下冷藏保管14日的時間。其后，通過目測觀察，判定有無褶皺。表1表示評價結果。表中O表示沒有產生褶皺，X表示產生了褶皺，Δ表示即使稍有褶皺，但不是在晶片接合時卷入空氣等的褶皺。表1
權利要求
1.一種卷芯，其特征在于，是將晶片加工用帶卷繞成卷軸狀的卷芯，所述晶片加工用帶包括脫模膜；設置于所述脫模膜的表面上且具有規定的平面形狀的膠粘劑層；具有標簽部和周邊部的粘合膜，所述標簽部覆蓋所述膠粘劑層并在所述膠粘劑層的周圍按照與所述脫模膜接觸的方式設置且具有規定的平面形狀，所述周邊部按照包圍所述標簽部的外側的方式設置，其中，所述卷芯具有緩和部和支持部，所述緩和部在至少對應于所述膠粘層的位置形成且緩和卷繞壓力，所述支持部在被卷繞的晶片加工用帶的寬度方向且所述緩和部的外側形成并支持晶片加工用帶。
2.如權利要求1所述的卷芯，其特征在于，所述緩和部及所述支持部具有圓筒形狀，所述緩和部通過將所述支持部作成大的直徑而形成。
3.如權利要求1或2所述的卷芯，其特征在于，所述緩和部與所述支持部通過曲面連接。
4.如權利要求1 4中任一項所述的卷芯，其特征在于，用于安裝于卷取輥或送出輥的圓筒狀的空洞部形成于旋轉中心。
5.一種晶片加工用帶，其卷繞于權利要求1 4中任一項所述的卷芯。
全文摘要
本發明提供一種在脫模膜上具有膠粘劑層及粘合膜的晶片加工用帶卷取為卷軸狀的情況下，將可以充分抑制向膠粘劑層的轉印痕的產生的晶片加工用帶卷繞成卷軸狀的卷芯。本發明的將晶片加工用帶卷繞成卷軸狀的卷芯，是將晶片加工用帶卷繞成卷軸狀的卷芯，所述晶片加工用帶包括脫模膜；設置于所述脫模膜的表面上且具有規定的平面形狀的膠粘劑層；具有標簽部和周邊部的粘合膜，所述標簽部覆蓋所述膠粘劑層并在所述膠粘劑層的周圍按照與所述脫模膜接觸的方式設置且具有規定的平面形狀，所述周邊部按照包圍所述標簽部的外側的方式設置，其中，所述卷芯具有緩和部和支持部，所述緩和部在至少對應于所述膠粘層的位置形成且緩和卷繞壓力，所述支持部在被卷繞的晶片加工用帶的寬度方向且所述緩和部的外側形成并支持晶片加工用帶。
文檔編號H01L21/68GK102157422SQ20101014904
公開日2011年8月17日 申請日期2010年2月12日 優先權日2010年2月12日
發明者中村俊光, 丸山弘光, 木村和寬 申請人:古河電氣工業株式會社