專利名稱：一種帶光接口的高性能處理器多芯片組件芯片設計方法
技術領域：
本發明涉及計算機工程領域多芯片組件(Multi-Chip Module, MCM)芯片設計方 法，尤其是帶高速光接口的高性能處理器MCM芯片的設計方法。
背景技術：
集成電路芯片的集成密度、I/O管腳密度與速率、芯片性能的不斷提高，給集成電 路和印制電路板PCB設計帶來很多技術難題。芯片性能的增長速度已遠遠超越了互連性 能的增長速度。傳統的芯片間電互連存在帶寬受限、串擾嚴重、功耗過高等問題，不能滿足 大容量數據傳輸、新一代通信設備和高性能計算機等方面的系統應用需求。芯片間光互連 方法可以有效解決高互連密度電子系統的互連瓶頸問題。光互連具有帶寬高、功耗低、抗干 擾等許多電互連不可比擬的優點，在長距離、電信通信骨干網傳輸中，光纖通信技術已經比 較成熟。高性能計算機系統中，機柜之間、印刷電路板之間的光互連解決方案也已經廣泛使 用。光互連技術的互連距離正在向芯片間、芯片內、片上發展。目前，芯片間光互連技術能 夠以較少的管腳數提供Tbps以上帶寬的互連性能。當前的半導體工藝很難在單片硅晶片上實現多通道高速光電集成電路芯片設計， 而分立器件組成的光互連集成電路尺寸大，系統可靠性低。從I/O管腳密度來看，雖然現在 的倒裝晶片封裝接點間距可達IOmil的數量級，但這種封裝工藝在大晶片加工時需要在裸 芯片上淀積I/O結構，接點結構需要在基片上進行附加的印制布線裝配擴充，以支持淀積 的1/0，芯片制造工藝復雜，成本高。從I/O管腳速率來看，大量的高速電管腳會削弱單芯片 的穩定性和可靠性。此外，集成電路芯片設計時，數字功能和模擬功能的電路比較難集成在 一起，有源器件和無源器件集成時得考慮相互干擾問題，當芯片面積大于100平方毫米時 圓片的利用率將降低。且當把大量的集成電路芯片焊接在印制電路板PCB上組成電子系統 時，PCB的層數和原理圖都將變復雜，電子系統的抗電磁干擾能力和環境適應能力也受到限 制。多芯片組件集成技術是將多個“已知好芯片”(Known Good Die,簡稱K⑶)，不論裸 芯片或是經過初步封裝的芯片，按照實際應用需求集成封裝在較小的空間內，獲得微型化 高密度的集成電路芯片。封裝基板可以是印制電路板、厚膜陶瓷、薄膜陶瓷或者是帶有互連 圖形的硅片。多芯片組件MCM芯片可以實現多種技術的高密度集成，數字和模擬電路可以 集成在一起；高互連密度的子系統可以集成到一個MCM芯片中，從而減少印制電路板PCB的 層數，簡化了高密度PCB電路的設計。MCM芯片中高速元器件可更緊密地相互靠近安裝，數 據速度和信號質量更好，抗電磁干擾能力更強，可以適應更復雜的使用環境。利用多芯片組件技術，將現有的VCSEL激光器光源芯片、PIN光源探測器芯片、微 處理器芯片進行集成封裝，設計具有多通道光接口的微處理器光電集成MCM芯片，可以解 決高速芯片之間的通信瓶頸問題，為實現大容量、高速率、低功耗的芯片間光互連奠定基 礎。微處理器芯片選用帶高速輸入輸出I/O管腳，包含微處理器硬核和高速信號收發控制 器的現場可編程門陣列(Field Programmable Gate s Array, FPGA)芯片，大部分功能由數字電路實現，采用球柵陣列BGA方式封裝。光電轉換裸芯片(包括VCSEL光源、PIN探測器)是以III-V化合物為基底的光器件，相應的驅動器和放大器由射頻模擬電路實現。歐盟EUR0PRACTICE公司《MCM設計手冊》第三版發表了一種多芯片組件技術原型 工藝流程。該流程主要包括六個步驟1制造基板，按照掩模布局數據、Gerber鉆孔數據等生產文件的要求，采用標準印 制電路板工藝，制造基板。基板可以是印制電路板、厚膜陶瓷、薄膜陶瓷或者是帶有互連圖 形的硅片。2基板測試，依據基板測試數據進行基板測試。測試基板的電特性、機械特性、熱特 性是否符合要求。3組裝，將裸芯片或者初步封裝后的芯片通過絲焊、倒裝焊等方法與基板連接在一 起，進行多芯片裝配。4測試，使用測試向量對多芯片裝配后的電子系統進行性能測試。測試前面步驟的 正確性。5封裝，采用合適的材料和工藝進行MCM芯片外封裝，材料可以是金屬、陶瓷、聚合 物薄膜，封裝工藝為標準QFP、BGA、PGA等。6最終測試，按照設計目標，使用測試向量對封裝后的MCM芯片進行最終測試。上述多芯片組件技術流程中，步驟1中的基板都是很小的簡單印制電路板，芯片 間信號傳輸速度不高，被封裝的芯片與基板之間只涉及電信號管腳的連接，不涉及光信號 管腳。步驟3中裸芯片或者初步封裝后的芯片都是相同型號的硅基半導體集成電路芯片數 量少，一般只有兩個，沒有以III-V族化合物為基底的光器件。在進行帶光接口的高性能處理器MCM芯片集成設計時，需要解決光接口管腳與電 接口管腳的混合集成問題、硅基半導體芯片與III-V族化合物基底光器件的混合集成問 題、高速數字電路與模擬電路混合集成問題、高速信號干擾與隔離措施、大功率光電轉換芯 片散熱問題、MCM芯片密封保護問題，但目前還沒有能解決這些問題的帶光接口的高性能處 理器多芯片組件芯片設計方法公布。
發明內容
本發明要解決的技術問題是提供一種帶光接口的高性能處理器多芯片組件芯片 設計方法，使得基于業內標準MT(Mechanical Transfer)定位針的光接口管腳與高性能微 處理器的高速電接口球柵陣列BGA(Ball Grid Array)管腳混合集成到同一基板上，并解決 硅基半導體芯片與III-V族化合物基底光器件的混合集成問題、高速數字電路與模擬電路 混合集成問題，同時提供良好的高速信號完整性保證，并解決MCM芯片的散熱與密封保護 問題。本發明的技術方案是第一步，制造光電轉換芯片基板PCB與微處理器芯片基板PCB，方法是首先制造光電轉換芯片基板PCB 1. 1選擇能支持5GHZ以上信號的高速印制電路板板材(比如，Rogers4350B)，按 照光電轉換芯片基板掩模布局數據、Gerber鉆孔數據、MT定位針區域、熱通孔的要求，采用 標準印制電路板工藝，制造光電轉換芯片基板PCB，印制電路板線寬大于等于8mil，線間距大于等于8mil，過孔直徑為IOmils，多層板設計。 1. 2在光電轉換芯片基板PCB上表面設計絲焊焊盤、無源器件焊盤和球柵陣列 BGA(Ball Grid Array)焊盤。絲焊焊盤執行《MCM設計手冊》中的設計標準，無源器件指表 貼型封裝的電阻、電容和電感器件，球柵陣列BGA采用1. 27 1. 50mm的標準陣列間距。1. 3光電轉換芯片基板PCB上預留熱通孔和MT (Mechanical Transfer)定位針安 裝孔，熱通孔直徑大于等于10mils，MT定位針安裝孔直徑為0. 7mm,MT定位針安裝孔間距為 4. 6mm。1. 4采用無鉛焊球進行球柵陣列BGA植球操作，得到光電轉換芯片基板PCB。接下來，設計制造微處理器芯片基板PCB，方法是1. 5選擇能支持5GHZ以上信號的高速印制電路板板材(比如，Rogers4350B)，按 照微處理器芯片基板掩模布局數據、Gerber鉆孔數據、MT定位針區域的要求，采用標準印 制電路板工藝，制作微處理器芯片基板PCB，印制電路板線寬大于等于8mil，線間距大于等 于8mil，過孔直徑為IOmils，多層板設計。1. 6進行多芯片組裝布局布線規劃，在微處理器芯片基板PCB上，對應于光電轉換 芯片基板MT定位針安裝位置的正下方，矩形通孔長度尺寸大于7mm，寬度尺寸大于3mm，預 留為光接口管腳MT連接器的裝配位置。1.7在微處理器芯片基板PCB上表面設計球柵陣列BGA焊盤和無源器件焊盤，無源 器件指表貼型封裝的電阻、電容和電感器件。1. 8在微處理器芯片基板PCB下表面設計球柵陣列BGA焊盤，作為MCM芯片到下一 級封裝的電氣連接接口。1.9在微處理器芯片基板PCB表面進行球柵陣列BGA植球操作，上表面采用無鉛焊 球，下表面采用有鉛焊球。第二步，依據基板測試數據進行基板測試，測試光電轉換芯片基板與微處理器芯 片基板PCB的電特性、機械特性、熱特性是否符合要求。第三步，集成光電轉換裸芯片與光電轉換芯片基板PCB，方法是3. 1用環氧樹脂膠將光電轉換裸芯片粘接在光電轉換芯片基板PCB上，以防后續 倒裝焊時器件脫落。3. 2采用絲焊方法將光電轉換裸芯片輸入輸出管腳與光電轉換芯片基板PCB上絲 焊焊盤電氣連接。3. 3采用表貼方式將電阻、電感和電容焊接在光電轉換芯片基板PCB上，將MT定位 針成對地插入光電轉換芯片基板PCB上MT定位針安裝孔中，沿孔壁滲入環氧樹脂膠，將MT 定位針與光電轉換芯片基板PCB粘接在一起。第四步，多芯片裝配，方法是4. 1采用倒裝焊工藝，通過球柵陣列BGA焊接方式，將光電轉換芯片基板PCB與微 處理器芯片基板PCB進行電氣連接，確保步驟1. 3中光電轉換芯片基板PCB上MT定位針安 裝孔中粘接的MT定位針插入步驟1. 6設計的矩形通孔中。BGA焊接溫度230攝氏度。4. 2采用球柵陣列BGA焊接的方式將微處理器芯片和微處理器芯片基板PCB電氣 連接。BGA焊接溫度230攝氏度。4. 3在步驟1. 6設計的矩形通孔區域，用環氧樹脂膠把MT定位針和MT連接器粘接起來，得到裝配有多芯片(含微處理器芯片和光電轉換芯片基板PCB)的微處理器芯片基板 PCB,表貼方式焊接電感、電容、電阻。第五步，將裝配有多芯片的微處理器芯片基板PCB進行封裝。方法是首先設計封裝外殼5. 1采用合金金屬材質，一般是銅合金，設計MCM芯片封裝外殼。5. 2封裝外殼尺寸盡量小，內腔長度與寬度與微處理器芯片基板PCB長寬一致，內 腔高度比被封裝芯片的高Imm ；外殼壁盡量薄，厚度小于1mm，采用整塊金屬銑削成型。5. 3封裝外殼壁設計成臺階狀，構成卡槽，方便微處理器芯片基板PCB裝配，卡槽 為封裝外殼內腔壁上的臺階狀機械結構，形狀按照具體需要進行設計。接下來，集成裝配有多芯片的微處理器芯片基板PCB與封裝外殼，方法是5. 4在微處理器芯片上表面和光電轉換芯片基板PCB上表面涂上導熱硅膠，導熱 硅膠填充在微處理器芯片上表面和光電轉換芯片基板PCB上表面與封裝外殼內腔壁封閉 形成的空間中。導熱硅膠用作導熱介質，將微處理器芯片和光電轉換芯片內部的熱量傳導 到金屬外封裝，提供散熱通道。5. 5將微處理器芯片基板PCB緊密嵌在封裝外殼的卡槽內，連接處使用環氧樹脂 膠粘接，得到MCM芯片。第六步，采用業內標準規范，測試MCM芯片的電氣性能、光通道性能、封裝的穩定 性和可靠性。采用本發明可以達到以下技術效果1采用本發明解決了基于MT定位針的光接口管腳與高性能微處理器的高速電接 口球柵陣列BGA管腳混合集成到同一基板的問題，也解決了硅基半導體芯片與III-V族化 合物基底光器件的混合集成問題、高速數字電路與模擬電路混合集成問題，可設計微型化 高互連密度的帶光接口的高性能處理器多芯片組件芯片。2第三步采用的光電轉換裸芯片和第四步采用的微處理器芯片，都已經進行了初 步封裝，這樣的集成方法可以隔離高速信號之間的干擾，提供優異的信號完整性保障，抗電 磁干擾能力強，信號傳輸特性好。3采用金屬外殼封裝，為元器件提供結構支撐和散熱通道，可靠性更高，不但滿足 常規環境下穩定工作的要求，還適應更復雜的使用環境。4第四步將微處理器芯片和經過第三步集成后的光電轉換芯片基板PCB進行集成 封裝，縮減了微處理器芯片對外的數據管腳數量，簡化下一級封裝印制電路板PCB的設計。5采用MT定位針進行陣列光纖通道的對準耦合，可支撐12路穩定的高速高密度光 互連通道。國防科大采用本發明制備的帶光接口的高性能微處理器MCM芯片提供高速高密度光互連通道，單通道速率達5 lOGbps，球柵陣列BGA管腳間距為1. 27 1. 50mm, MT定 位針支撐的陣列光纖通道間隔為250 μ m。
圖1為背景技術《MCM設計手冊》所述的多芯片組件流程圖。圖2為本發明的流程圖。
圖3為本發明所述的光電轉換芯片基板PCB框圖。圖4為本發明所述的微處理器芯片基板PCB框5為采用本發明制備的帶光接口的高性能處理器MCM芯片的框圖。
具體實施例方式圖1為背景技術《MCM設計手冊》所述的多芯片組件流程圖。圖2為本發明的流程圖，圖3是光電轉換芯片基板PCB框圖，圖4為微處理器芯片基板PCB框圖，圖5為采用本發明制備的帶光接口的高性能處理器MCM芯片的框圖。結合 圖3、圖4、圖5對圖2進行說明第一步，制造光電轉換芯片基板與微處理器芯片基板PCB，方法是如圖3所示，首先采用高速印制電路板板材設計光電轉換芯片基板PCB1。基板上 表面設計絲焊焊盤3、球柵陣列BGA焊盤2和無源器件焊盤，包括電阻焊盤16、電容焊盤17、 電感焊盤18，選用表貼型封裝的無源器件。球柵陣列BGA采用1. 27 1. 50mm的標準陣列 間距。基板上預留熱通孔4和MT(Mechanical Transfer)定位針安裝孔5。在光電轉換芯 片基板PCB上，采用無鉛焊球進行球柵陣列BGA植球操作。如圖4所示，接著采用高速印制電路板板材設計微處理器芯片基板PCB7，線寬大 于等于8mil，線間距大于等于8mil，過孔直徑為lOmils，多層板設計。進行多芯片組裝布 局布線規劃，在微處理器芯片基板PCB 7上，對應于光電轉換芯片基板MT定位針安裝位置 的正下方19，銑出矩形通孔6，預留為光接口管腳MT連接器的裝配位置。在微處理器芯片 基板PCB上表面設計球柵陣列BGA焊盤2和無源器件焊盤，包括電阻焊盤16、電容焊盤17、 電感焊盤18，選用表貼型封裝的無源器件。在微處理器芯片基板PCB下表面設計球柵陣列 BGA焊盤2，作為MCM芯片到下一級封裝的電氣連接接口。如圖5所示，微處理器芯片基板 PCB7上，進行球柵陣列BGA植球操作，上表面采用無鉛焊球10，下面采用有鉛焊球21。第二步，依據基板測試數據對光電轉換芯片基板PCB 1與微處理器芯片基板PCB 7進行測試。第三步，集成光電轉換裸芯片22與光電轉換芯片基板PCB 1，如圖5右半部分所 示，用環氧樹脂膠將光電轉換裸芯片22粘接在光電轉換芯片基板PCB 1上，以防后續倒裝 焊時器件脫落。通過絲焊技術將光電轉換裸芯片22的輸入輸出管腳與光電轉換芯片基板 PCBl上絲焊焊盤3電氣連接。采用表貼方式將電阻15、電感12和電容14焊接在光電轉換 芯片基板PCBl的電阻焊盤16、電感焊盤18、電容焊盤17上，將MT定位針成對地插入光電 轉換芯片基板PCB 1上MT定位針安裝孔5中，沿孔壁滲入環氧樹脂膠，將用于光通道裝配 定位的MT定位針13與光電轉換芯片基板PCB 1粘接在一起。第四步，多芯片裝配。如圖5所示，采用倒裝焊工藝，通過球柵陣列BGA焊接方式， 實現光電轉換芯片基板PCB 1與微處理器芯片基板PCB 7的電氣連接。微處理器芯片20 和微處理器芯片基板PCB 7采用BGA焊接的方式實現電氣連接。在矩形通孔6區域，用環 氧樹脂膠把MT定位針13和MT連接器粘接起來，得到裝配有多芯片即含微處理器芯片20 和光電轉換芯片基板PCB 1的微處理器芯片基板PCB7，球柵陣列BGA焊接溫度230攝氏度。 表貼方式將電阻15、電感12和電容14焊接在微處理器芯片基板PCB 7的電阻焊盤16、電 感焊盤18、電容焊盤17上。
第五步，將裝配有多芯片的微處理器芯片基板PCB進行封裝，首先設計封裝外殼9，如圖5所示。封裝外殼9尺寸盡量小，外殼壁盡量薄，采用整 塊金屬銑削成型。封裝外殼9上設計臺階狀卡槽8，方便微處理器芯片基板PCB裝配。接下來，集成裝配有多芯片的微處理器芯片基板PCB與封裝外殼9，方法是如圖5所示，在第四步集成后的微處理器芯片20上表面和光電轉換芯片基板PCB 1上表面涂上硅膠11。將微處理器芯片基板PCB7緊密嵌入在封裝外殼的卡槽8內，連接處 使用環氧樹脂膠粘接。
第六步，采用業內標準規范，測試MCM芯片的電氣性能、光通道性能、封裝的穩定 性和可靠性。
權利要求
一種帶光接口的高性能處理器多芯片組件芯片設計方法，包括基板制造、基板測試、封裝、最終測試這些步驟，其特征在于在基板測試和封裝之間還有集成、多芯片裝配步驟，具體方法為第一步，制造光電轉換芯片基板PCB(1)與微處理器芯片基板PCB(7)，方法是首先制造光電轉換芯片基板PCB(1)1.1選擇能支持5GHZ以上信號的高速印制電路板板材，按照光電轉換芯片基板掩模布局數據、Gerber鉆孔數據、MT定位針區域、熱通孔的要求，采用標準印制電路板工藝，制造光電轉換芯片基板PCB(1)；1.2在光電轉換芯片基板PCB(1)上表面設計絲焊焊盤(3)、球柵陣列BGA焊盤(2)和無源器件焊盤，包括電阻焊盤(16)、電容焊盤(17)、電感焊盤(18)，絲焊焊盤(3)執行《MCM設計手冊》中的設計標準，球柵陣列BGA采用1.27～1.50mm的標準陣列間距，選用表貼型封裝的無源器件；1.3光電轉換芯片基板PCB(1)上預留熱通孔(4)和MT定位針安裝孔(5)；1.4采用無鉛焊球(10)進行球柵陣列BGA植球操作，得到光電轉換芯片基板PCB(1)；接下來，設計制造微處理器芯片基板PCB(7)，方法是1.5選擇能支持5GHZ以上信號的高速印制電路板板材，按照微處理器芯片基板掩模布局數據、Gerber鉆孔數據、MT定位針區域、熱通孔(4)的要求，采用標準印制電路板工藝，制作微處理器芯片基板PCB(7)；1.6進行多芯片組裝布局布線規劃，在微處理器芯片基板PCB(7)上，對應于光電轉換芯片基板MT定位針安裝位置的正下方(19)，銑出矩形通孔(6)，預留為光接口管腳MT連接器的裝配位置；1.7在微處理器芯片基板PCB(7)上表面設計球柵陣列BGA焊盤(2)和無源器件焊盤，包括電阻焊盤(16)、電容焊盤(17)、電感焊盤(18)，選用表貼型封裝的無源器件；1.8在微處理器芯片基板PCB(7)下表面設計球柵陣列BGA焊盤(2)，作為MCM芯片到下一級封裝的電氣連接接口；1.9在微處理器芯片基板PCB(7)表面進行球柵陣列BGA植球操作，上表面采用無鉛焊球(10)，下表面采用有鉛焊球(21)；第二步，依據基板測試數據進行基板測試，測試光電轉換芯片基板(1)與微處理器芯片基板PCB(7)的電特性、機械特性、熱特性是否符合要求；第三步，集成光電轉換裸芯片(22)與光電轉換芯片基板PCB(1)，方法是3.1用環氧樹脂膠將光電轉換裸芯片(22)粘接在光電轉換芯片基板PCB(1)上；3.2采用絲焊方法將光電轉換裸芯片(22)輸入輸出管腳與光電轉換芯片基板PCB(1)上絲焊焊盤(3)電氣連接；3.3采用表貼方式將電阻(15)、電感(12)和電容(14)焊接在光電轉換芯片基板PCB1的電阻焊盤(16)、電感焊盤(18)、電容焊盤(17)上，將MT定位針成對地插入光電轉換芯片基板PCB(1)上MT定位針安裝孔(5)中，沿孔壁滲入環氧樹脂膠，將MT定位針(13)與光電轉換芯片基板PCB(1)粘接在一起；第四步，多芯片裝配，方法是4.1采用倒裝焊工藝，通過球柵陣列BGA焊接方式，將光電轉換芯片基板PCB(1)與微處理器芯片基板PCB(7)進行電氣連接，確保光電轉換芯片基板PCB(1)上MT定位針安裝孔(5)中粘接的MT定位針(13)插入矩形通孔(6)中；4.2采用球柵陣列BGA焊接的方式將微處理器芯片(20)和微處理器芯片基板PCB(7)電氣連接；4.3在矩形通孔(6)區域，用環氧樹脂膠把MT定位針(13)和MT連接器粘接起來，得到裝配有多芯片即含微處理器芯片(20)和光電轉換芯片基板PCB(1)的微處理器芯片基板PCB(7)，表貼方式將電阻15、電感12和電容14焊接在微處理器芯片基板PCB 7的電阻焊盤16、電感焊盤18、電容焊盤17上；第五步，將裝配有多芯片的微處理器芯片基板PCB(7)進行封裝，方法是首先設計封裝外殼(9)5.1采用合金金屬材質，設計MCM芯片封裝外殼(9)；5.2封裝外殼(9)內腔長度與寬度與微處理器芯片基板PCB(7)長寬一致，內腔高度比被封裝芯片的高1mm；外殼壁厚度小于1mm，采用整塊金屬銑削成型；5.3封裝外殼(9)壁設計成臺階狀，構成卡槽(8)，卡槽(8)為封裝外殼(9)內腔壁上的臺階狀機械結構；接下來，集成裝配有多芯片的微處理器芯片基板PCB(7)與封裝外殼(9)，方法是5.4在微處理器芯片(20)上表面和光電轉換芯片基板PCB(1)上表面涂上導熱硅膠(11)，導熱硅膠(11)填充在微處理器芯片上表面和光電轉換芯片基板PCB(1)上表面與封裝外殼(9)內腔壁封閉形成的空間中；5.5將微處理器芯片基板PCB(7)緊密嵌在封裝外殼(9)的卡槽內，連接處使用環氧樹脂膠粘接，得到MCM芯片；第六步，采用業內標準規范，測試MCM芯片的電氣性能、光通道性能、封裝的穩定性和可靠性。
2.如權利要求1所述的一種帶光接口的高性能處理器多芯片組件芯片設計方法，其特 征在于制造光電轉換芯片基板PCB(I)和微處理器芯片基板PCB(7)時印制電路板線寬大于 等于8mil，線間距大于等于8mil，過孔直徑為lOmils，多層板設計。
3.如權利要求1所述的一種帶光接口的高性能處理器多芯片組件芯片設計方法，其特 征在于所述光電轉換芯片基板PCB(I)上預留的熱通孔(4)直徑大于等于lOmils，MT定位 針安裝孔(5)直徑為0. 7mm, MT定位針安裝孔(5)間距為4. 6mm。
4.如權利要求1所述的一種帶光接口的高性能處理器多芯片組件芯片設計方法，其特 征在于所述微處理器芯片基板PCB (7)銑出的矩形通孔(6)長度尺寸大于7mm，寬度尺寸大 于 3mm。
5.如權利要求1所述的一種帶光接口的高性能處理器多芯片組件芯片設計方法，其特 征在于多芯片裝配時BGA焊接溫度為230攝氏度。
6.如權利要求1所述的一種帶光接口的高性能處理器多芯片組件芯片設計方法，其特 征在于設計封裝外殼(9)時采用銅合金。
全文摘要
本發明公開了一種帶光接口的高性能處理器多芯片組件芯片設計方法，目的是解決基于MT定位針的光接口管腳與高性能微處理器的高速電接口球柵陣列BGA管腳混合集成、高速數字電路與模擬電路混合集成問題。技術方案是先制造光電轉換芯片基板與微處理器芯片基板PCB，進行基板測試后集成光電轉換裸芯片與光電轉換芯片基板PCB，然后進行多芯片裝配，將裝配有多芯片的微處理器芯片基板PCB進行封裝，得到MCM芯片；最后測試MCM芯片。采用本發明解決了光、電管腳、器件、電路的混合集成問題，可設計帶光接口的高性能處理器多芯片組件芯片，且芯片抗電磁干擾能力強，信號傳輸特性好。
文檔編號H01L21/60GK101814443SQ20101013600
公開日2010年8月25日 申請日期2010年3月31日 優先權日2010年3月31日
發明者馮權友, 劉光明, 楊威, 班冬松, 竇文華, 陳雄斌, 韓崗 申請人:中國人民解放軍國防科學技術大學