晶片加工用薄膜的制作方法

專利名稱：晶片加工用薄膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在半導(dǎo)體晶片的切割工序和用于使被切割的芯片附著于導(dǎo)線框或其 他芯片的管芯焊接工序的兩個(gè)工序中使用、在切割·管芯焊接工序中使用的切割·管芯焊 接薄膜，尤其涉及在長(zhǎng)條狀的脫模薄膜上，將切割 管芯焊接薄膜連續(xù)層疊多個(gè)的晶片加工 用薄膜。
背景技術(shù)：
在IC等半導(dǎo)體制造裝置的制造工序中，實(shí)施在形成有回路圖案的半導(dǎo)體晶片的 背面貼附切割 管芯焊接薄膜后，將半導(dǎo)體晶片以芯片單位切斷(切割)的工序、將切斷的 芯片拾取(Pick up)的工序、以及將拾取的芯片粘接于導(dǎo)線框或封裝件基板等或在堆積封 裝件基板等中，層疊粘接半導(dǎo)體晶片之間的管芯焊接(搭載)工序。作為在這樣的半導(dǎo)體制造裝置的制造工序中使用的切割·管芯焊接薄膜，提出有 在作為支撐基材的薄膜上依次層疊粘接劑層、和熱固化性的粘接薄膜的切割·管芯焊接薄 膜、或作為粘著劑層，使用同時(shí)具有作為粘接劑的功能和 作為粘接劑的功能的粘接粘著材 料層，在作為支撐基材的薄膜上僅層疊粘接粘著材料層的切割·管芯焊接薄膜。這樣的切割 管芯焊接薄膜進(jìn)而作為在連續(xù)的長(zhǎng)條狀的脫模薄膜上能夠剝離地層 疊，以輥狀卷繞的狀態(tài)的“半導(dǎo)體加工用薄膜”提供。切割 管芯焊接薄膜考慮切割工序中 的向?qū)Ь€框的安裝等作業(yè)性，預(yù)切割加工為與導(dǎo)線框的形狀一致的形狀的狀態(tài)下層疊于脫 模薄膜上。圖6中示出以往的晶片加工用薄膜的一例。圖6(a)是表示從卷入輥少量引出以 往的晶片加工用薄膜100的狀態(tài)的立體圖，圖6(b)是圖6(a)的X-X’方向的剖面圖。剖面 圖中強(qiáng)調(diào)薄膜的厚度方向而描繪。如圖6(a)所示，連續(xù)的長(zhǎng)的晶片加工用薄膜100作為卷附于輥芯110的狀態(tài)的制 品提供。在晶片加工用薄膜100中，在作為基底基材的長(zhǎng)的脫模薄膜101的中央部分，對(duì)應(yīng) 于晶片，預(yù)切割為大致圓形的多個(gè)粘接劑層102隔著間隔連續(xù)地配置，從其上方覆蓋粘接 劑層102地層疊粘著性薄膜103(參照?qǐng)D6(b))。粘著性薄膜103在作為支撐基材的薄膜 的背面具有粘著劑層，與環(huán)框的形狀一致地預(yù)切割為圓形狀。粘著性薄膜103被預(yù)切割， 大致分為覆蓋粘接劑層102的標(biāo)記部103a、和覆蓋長(zhǎng)條的脫模薄膜101的兩緣部的周邊部 103b。在粘著性薄膜103的預(yù)切割中，從垂直方向使用預(yù)切割用刃，切割粘著性薄膜 103，因此，以直角的角度將標(biāo)記部103a的外周103c、和周邊部的外周切割至脫模薄膜101， 在外周部分形成直角的邊緣。這樣形成的晶片加工用薄膜100如圖6(b)所示，在脫模薄膜101上層疊粘接材料 層102和標(biāo)記部103a的部分為三層結(jié)構(gòu)，在脫模薄膜101上僅層疊粘著性薄膜103的部分 為兩層，只有剩余的脫模薄膜101部分成為一層的結(jié)構(gòu)。從而，在晶片加工用薄膜100中， 中央的三層結(jié)構(gòu)的部分最厚。因此，晶片加工用薄膜100卷繞為輥狀的情況下，三層結(jié)構(gòu)部分的厚度重合，只有該部分中，卷入輥的直徑變大，應(yīng)力集中于中央部分。由此，在包括厚且比較柔軟的材料的粘接劑層102的表面發(fā)生如圖6(a)及圖6(c)所示的轉(zhuǎn)印痕104(還稱 為標(biāo)記痕、皺紋、或卷繞痕跡)。若在粘接材料層102產(chǎn)生轉(zhuǎn)印痕104，則在粘接材料層102的表面的平滑性上產(chǎn)生 缺陷。這樣的缺陷在將粘接材料層102貼附于半導(dǎo)體晶片時(shí)，在半導(dǎo)體晶片和粘接粘著材 料層之間卷入空氣，可能導(dǎo)致在半導(dǎo)體裝置的組裝時(shí)發(fā)生不妥善情況。為了抑制上述轉(zhuǎn)印痕的發(fā)生，考慮減弱薄膜的卷繞壓力，但在該方法中，發(fā)生制品 的卷繞偏移，例如，可能導(dǎo)致帶搭載機(jī)(7—7 P夕一)的設(shè)置變得困難等在薄膜的實(shí) 際使用時(shí)帶來故障。另外，為了防止這樣的轉(zhuǎn)印痕104的發(fā)生，在專利文獻(xiàn)1中，公開了在剝離基材上 的粘接劑層及粘著性薄膜的外方設(shè)置有具有與粘接劑層及粘著性薄膜的總計(jì)的膜厚相等 或其以上的膜厚的支撐層的粘接片。專利文獻(xiàn)1的粘接片通過具備支撐層，將施加于粘接 片的卷繞的壓力分散或集中于支撐層，從而抑制轉(zhuǎn)印痕的發(fā)生。專利文獻(xiàn)1特開2007-2173號(hào)公報(bào)然而，在上述專利文獻(xiàn)1的粘接片中，在剝離基板上的、在制造半導(dǎo)體裝置的情況 等中必要的粘接劑層及粘著性薄膜以外的部分形成支撐層，因此，支撐層的寬度存在限制， 相對(duì)于粘接劑層及粘著性薄膜的外徑，支撐層的寬度窄，產(chǎn)生轉(zhuǎn)印痕的抑制效果不充分的 問題。另外，支撐層通常不具有粘著性，與剝離基材(PET film)不充分地貼附，因此，在支 撐層的最窄的部分中，從剝離基材翹起，卷繞于在晶片貼合切割 管芯焊接薄膜的工序中使 用的帶搭載機(jī)的傳送輥，導(dǎo)致裝置停止的問題。還有，還考慮擴(kuò)大支撐層的寬度，但晶片加工用帶整體的寬度也變寬，因此，難以 使用現(xiàn)有設(shè)備。另外，支撐層為最終廢棄的部分，因此，支撐層的寬度的擴(kuò)大導(dǎo)致材料成本 的上升。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的在于提供將具有在脫模薄膜上具有粘接劑(接著剤)層及粘 著性(粘著性)薄膜的切割·管芯焊接薄膜的晶片加工用帶以輥狀卷繞的情況下，能夠充 分地抑制向粘接劑層的轉(zhuǎn)印痕的發(fā)生的具有切割·管芯焊接薄膜的晶片加工用帶。為了消除上述問題，本發(fā)明的第一方式的晶片加工用薄膜，其具備脫模薄膜；層 疊于所述脫模薄膜上的粘接劑層；層疊于所述粘接劑層上的粘著性薄膜，其特征在于，所述粘著性薄膜具有與環(huán)框?qū)?yīng)的形狀的標(biāo)記部，所述標(biāo)記部具備下述形狀在 該標(biāo)記部的外周中的所述晶片加工用薄膜以輥狀卷繞時(shí)與所述粘接劑層重疊的外周轉(zhuǎn)印 區(qū)域中，當(dāng)將從所述粘接劑層的中心部到所述外周轉(zhuǎn)印區(qū)域的距離為最短的長(zhǎng)度設(shè)為r 時(shí)，至少所述外周轉(zhuǎn)印區(qū)域的全長(zhǎng)比作為半徑為r的圓時(shí)的外周轉(zhuǎn)印區(qū)域的全長(zhǎng)長(zhǎng)。本發(fā)明的第二方式的晶片加工用薄膜在所述第一方式中，其特征在于，所述標(biāo)記 部中至少所述外周轉(zhuǎn)印區(qū)域具備具有靠近或遠(yuǎn)離所述粘接劑層的外周的凹凸的形狀。本發(fā)明的第三方式的晶片加工用薄膜在所述第二方式中，其特征在于，所述標(biāo)記 部中至少所述外周轉(zhuǎn)印區(qū)域具備周期性凹凸的形狀。本發(fā)明的第四方式的晶片加工用薄膜在所述第二方式或第三方式中，其特征在于，所述標(biāo)記部中至少所述外周轉(zhuǎn)印區(qū)域具備曲線狀凹凸的形狀。本發(fā)明的第五方式的晶片加工用薄膜在所述第二方式 第四方式的任一項(xiàng)中，其 特征在于，所述粘著性薄膜還具備以包圍所述標(biāo)記部的外側(cè)的方式與該標(biāo)記部空開間隔 而形成的周邊部，至少與所述標(biāo)記部的所述外周轉(zhuǎn)印區(qū)域?qū)χ玫乃鲋苓叢康耐庵艿囊徊糠志邆渑c所述標(biāo)記部的所述外周轉(zhuǎn)印區(qū)域的形狀對(duì)應(yīng)的凹凸形狀。根據(jù)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)可知，標(biāo)記部的外周中至少以使外周轉(zhuǎn)印區(qū)域長(zhǎng)的方式進(jìn)行預(yù) 切割，因此，標(biāo)記部的外周比以往的標(biāo)記部的外周長(zhǎng)。由此，施加于標(biāo)記部的外周轉(zhuǎn)印區(qū)域 的邊緣部分的應(yīng)力分散外周的長(zhǎng)度的伸長(zhǎng)的量程度，減輕施加于邊緣部分的每單位長(zhǎng)度的 應(yīng)力。這樣，通過減輕施加于標(biāo)記部的外周的邊緣部分的應(yīng)力，減輕標(biāo)記部的外周的邊緣部 分引起的向粘接劑層的轉(zhuǎn)印痕。


圖1(a)是將以往技術(shù)的晶片加工用薄膜以輥狀卷繞，少量伸長(zhǎng)前端的狀態(tài)的俯 視圖，(b)是用于說明本發(fā)明的標(biāo)記部的形狀的示意圖。圖2是表示本發(fā)明的優(yōu)選的第一及第二實(shí)施方式的晶片加工用薄膜的一部分的 俯視圖。圖3是表示本發(fā)明的優(yōu)選的第三及第四實(shí)施方式的晶片加工用薄膜的一部分的 俯視圖。圖4是表示本發(fā)明的優(yōu)選的第五及第六實(shí)施方式的晶片加工用薄膜的一部分的 俯視圖。圖5是表示本發(fā)明的優(yōu)選的第七、第八及第九實(shí)施方式的晶片加工用薄膜的一部 分的俯視圖。圖6是表示以往技術(shù)的晶片加工用帶的例子的立體圖、及剖面圖。圖中10_本發(fā)明的一實(shí)施方式的晶片加工用薄膜；11、101-脫模薄膜；12、 102-粘接劑層；13、103-粘著性薄膜；13a、103a-標(biāo)記部；13b、103b-周邊部；13c、103c_標(biāo) 記部的外周；13(1、103(1-外周轉(zhuǎn)印區(qū)域；136、1036-周邊部的外周；100、105-以往技術(shù)的晶 片加工用帶。
具體實(shí)施例方式以下，參照附圖，詳細(xì)地說明本發(fā)明的基本的想法及本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方式。圖1(a)是將以往的晶片加工用薄膜100以輥狀卷繞，將前端向下側(cè)引出的狀態(tài)的 俯視圖。使用該圖，說明轉(zhuǎn)印痕104(參照?qǐng)D6)如何發(fā)生。圖1(b)是用于說明本發(fā)明的標(biāo) 記部的形狀的想法的示意圖。圖2 圖5是分別表示本發(fā)明的實(shí)施方式的晶片加工用薄膜 的一部分的俯視圖。為了便于說明，在以下說明的本發(fā)明的所有的實(shí)施方式中，即使標(biāo)記部及周邊部 的形狀不同的情況下，也使用相同的符號(hào)(數(shù)字)，說明相同功能部分，使用脫模薄膜11、粘 接劑層12、標(biāo)記部13a、周邊部13b、標(biāo)記部的外周13c的符號(hào)，進(jìn)行說明。轉(zhuǎn)印痕例如在圖1 (a)所示的以往技術(shù)的晶片加工用薄膜100中，在卷繞于輥的外側(cè)的標(biāo)記部103a的外周103c或周邊部的外周103e (在圖1(a)中用下側(cè)的實(shí)線表示的外周103c、103e)重疊于卷繞于輥的內(nèi)側(cè)的粘接劑層102(在圖1(a)的上側(cè)卷繞于輥的用虛 線表示的粘接劑層102)上，強(qiáng)力壓緊，由此導(dǎo)致發(fā)生轉(zhuǎn)印痕104(參照?qǐng)D6)。標(biāo)記部103a及周邊部103b層疊于脫模薄膜101上，形成為兩層，標(biāo)記部103a及 周邊部103b之間為只有脫模薄膜101的一層結(jié)構(gòu)。另外，如上所述，粘著性薄膜通過預(yù)切 割刃以直角切割，因此，標(biāo)記部103a和周邊部103b的外周103c、103e形成為鋒利的角度的 臺(tái)階。從而，若強(qiáng)的應(yīng)力施加于該外周103c、103e，則由于外周的外周103c、103e的邊緣部 分，在柔軟的粘接劑層102發(fā)生轉(zhuǎn)印痕。轉(zhuǎn)印痕的發(fā)生尤其在粘著材料層由柔軟的材料形 成的情況或厚度大的情況、及晶片加工用薄膜的卷繞數(shù)多的情況等下顯著。如上所述，轉(zhuǎn)印痕104由于施加于以輥狀卷入的晶片加工用薄膜的標(biāo)記部的外周 103c的應(yīng)力(壓緊的力)而產(chǎn)生，因此，通過減輕該應(yīng)力，能夠抑制轉(zhuǎn)印痕的發(fā)生。因此，在本發(fā)明中，通過加長(zhǎng)標(biāo)記部的外周103c，減輕施加于外周103c的應(yīng)力，抑 制轉(zhuǎn)印痕的發(fā)生。以往技術(shù)的標(biāo)記部為圓形狀，外周的長(zhǎng)度為2πΓ，因此，如圖1(b)所示， 從粘接劑層12的中心部到標(biāo)記部13a的外周的最短距離設(shè)為r的情況下，預(yù)切割為標(biāo)記部 13a的外周的長(zhǎng)度為2 Jir以上的形狀，由此與以往技術(shù)的晶片加工用帶相比，還能夠緩和 應(yīng)力，能夠抑制轉(zhuǎn)印痕。使用圖2 圖5，說明本發(fā)明的晶片加工用薄膜的各種實(shí)施方式。圖2(a)是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的晶片加工用薄膜的一部分的俯視圖。第 一實(shí)施方式的晶片加工用薄膜10具備在長(zhǎng)條狀的脫模薄膜11上層疊的圓形的粘接劑層 12 ；覆蓋其地層疊的標(biāo)記部13a ；周邊部13b，標(biāo)記部13a的外周13c和周邊部13b的外周 13e分別形成為波形的形狀。這樣，通過將標(biāo)記部13a的外周13c的形狀形成為波形，將標(biāo) 記部的外周13c預(yù)切割為具有靠近或遠(yuǎn)離粘接劑層12的外周的凹凸的形狀，因此，外周13c 的長(zhǎng)度與圓弧的情況相比長(zhǎng)。因此，在以輥狀卷繞時(shí)，施加于外周13c的邊緣部分的應(yīng)力分 散，從而難以發(fā)生轉(zhuǎn)印痕104。波形的形狀期望平緩的曲線且凹凸的距離長(zhǎng)。另外，從粘接 劑層12的中心部到標(biāo)記部13a的外周13c的最短距離r (參照?qǐng)D1 (b))優(yōu)選比環(huán)框的內(nèi)徑 大，但只要粘接粘著材料層的粘著力高，且使環(huán)框不脫落地能夠貼合，就可以小。以下，關(guān)于本實(shí)施方式的晶片加工用帶的各結(jié)構(gòu)要件，按各結(jié)構(gòu)部分每一個(gè)詳細(xì) 地說明。(脫模薄膜)作為在晶片加工用帶使用的脫模薄膜，可以使用聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET) 系、聚乙烯系、以及實(shí)施了脫模處理的薄膜等周知的脫模薄膜。脫模薄膜的厚度不特別限 定，可以適當(dāng)?shù)卦O(shè)定，但優(yōu)選25 50 μ m。(粘接劑層)粘接劑層在貼合半導(dǎo)體晶片等，進(jìn)行切割后，拾取芯片時(shí)，從粘著性薄膜剝離，附 著于芯片，作為將芯片固定于基板或?qū)蚩驎r(shí)的粘接劑使用。從而，粘接劑層具有在拾取芯 片時(shí)，能夠在附著于單片化的半導(dǎo)體的原來的狀態(tài)下，從粘著性薄膜剝離的剝離性，進(jìn)而在 管芯焊接時(shí)，為了將芯片粘接固定于基板或?qū)Ь€框，具有充分的粘接可靠性。粘接劑層是將粘接劑預(yù)先薄膜化的層，例如，可以使用在粘接劑使用的公知的聚 酰亞胺樹脂、聚酰胺樹脂、聚醚酰亞胺樹脂、聚酰胺酰亞胺樹脂、聚酯樹脂、聚酯樹脂、聚酯酰亞胺樹脂、苯氧基樹脂、聚砜樹脂、聚醚砜樹脂、聚苯硫醚樹脂、聚醚酮樹脂、氯化聚丙烯 樹脂、丙烯酸樹脂、聚氨酯樹脂、環(huán)氧樹脂、聚丙烯酰胺樹脂、蜜胺樹脂等或其混合物。另外， 為了強(qiáng)化對(duì)芯片或?qū)Ь€框的粘接力，期望將硅烷偶合劑或鈦偶合劑作為添加劑，向所述材 料或其混合物中添加。粘接劑層的厚度不特別限定，但通常優(yōu)選5 IOOym左右。另外，粘接劑層通常預(yù)先切斷(預(yù)切割)為與貼合的晶片對(duì)應(yīng)的形狀，與粘著性薄膜層疊。在層疊了與晶片對(duì) 應(yīng)的粘接薄膜的情況下，如圖6所示，貼合晶片W的部分存在粘接劑層，在貼合切割用環(huán)框 R的部分沒有粘接劑層，只存在粘著性薄膜的圓形標(biāo)記部。通常，粘接劑層難以與粘附體剝 離，因此，通過使用預(yù)切割的粘接劑層，環(huán)框R能夠與粘著性薄膜貼合，得到在使用后的薄 膜剝離時(shí)，難以發(fā)生向環(huán)框的糊剩余的效果。(粘著性薄膜)粘著性薄膜在切割晶片時(shí)，使晶片不剝離地具有充分的粘著力，在切割后，將芯片 拾取時(shí)，能夠從粘接劑層容易地剝離地具有低的粘著力。例如，可以適當(dāng)?shù)厥褂迷诨谋∧?設(shè)置有粘著劑層的粘著性薄膜。作為粘著性薄膜的基材薄膜，只要是以往公知的基材薄膜，就可以不特別限定地 使用，但作為后述的粘著劑層，使用放射線固化性的材料的情況下，優(yōu)選使用具有放射線透 過性的粘著劑層。例如，作為其材料，可以列舉聚乙烯、聚丙烯、乙烯_丙烯共聚物、聚丁烯-1、 聚-4-甲基戊烯-1、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-丙烯酸甲 酯共聚物、乙烯_丙烯酸共聚物、離聚物等α -烯烴的均聚物或共聚物或這些的混合物、聚 氨酯、苯乙烯_苯乙烯_ 丁烯或戊烯系共聚物、聚酰胺_多元醇共聚物等熱塑性彈性體、及 這些的混合物。另外，基材薄膜可以是選自這些的組的兩種以上的材料混合的，這些單層或 多層化也可?；谋∧さ暮穸炔惶貏e限定，適當(dāng)?shù)卦O(shè)定也可，但優(yōu)選50 200 μ m。作為粘著性薄膜的粘著劑層中使用的樹脂，不特別限定，可以使用在粘著劑中使 用的公知的氯化聚丙烯樹脂、丙烯酸樹脂、聚酯樹脂、聚氨酯樹脂、環(huán)氧樹脂等。優(yōu)選在粘著劑層的樹脂中，適當(dāng)?shù)嘏浜媳┧嵯嫡持鴦?、放射線聚合性化合物、光 聚合引發(fā)劑、固化劑等，配制粘著劑。粘著劑層的厚度不特別限定，適當(dāng)?shù)卦O(shè)定也可，但優(yōu)選 5 30 μ m0可以將放射線聚合性化合物與粘著劑層配合，通過放射線固化，容易從粘接劑層 剝離。其放射線聚合性化合物使用例如可以通過光照射，三維網(wǎng)狀化的分子內(nèi)至少具有兩 個(gè)以上光聚合性碳_碳雙鍵的低分子量化合物。具體來說，可以適當(dāng)?shù)厥褂萌u甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊 四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、1，4-丁二醇二丙 烯酸酯、1，6己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯或低聚酯丙烯酸酯等。另外，除了如上所述的丙烯酸酯系化合物之外，還可以使用尿烷丙烯酸酯系低聚 物。尿烷系丙烯酸酯系低聚物是如下所述地得到，即使聚酯型或聚醚型等多元醇化合物、 與多元異氰酸酯化合物(例如，2，4_亞甲苯基二異氰酸酯、2，6_亞苯基二異氰酸酯、1，3_亞 二甲苯基二異氰酸酯、1，4_亞二甲苯基二異氰酸酯、二苯基甲烷4，4_二異氰酸酯等)反應(yīng)， 得到末端異氰酸酯尿烷預(yù)聚物，使該末端異氰酸酯尿烷預(yù)聚物與具有羥基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯(例如，2-羥基乙基丙烯酸酯、2-羥基乙基甲基丙烯酸酯、2-羥基丙基丙烯酸 酯、2-羥基丙基甲基丙烯酸酯、聚乙二醇丙烯酸酯、聚乙二醇甲基丙烯酸酯等)反應(yīng)來得 至IJ。還有，在粘著劑層中混合選自上述樹脂的兩種以上也可。在使用光聚合引發(fā)劑的情況下，例如，可以使用異丙基安息香醚、異丁基安息香 醚、二苯甲酮、米蚩酮、氯代噻噸酮、十二烷基噻噸酮、二甲基噻噸酮、二乙基噻噸酮、芐基二 甲基酮縮醇、α-羥基環(huán)己基苯基酮、2-羥基甲基苯基丙烷等。這些光聚合引發(fā)劑的配合量 優(yōu)選相對(duì)于丙烯酸系共聚物100質(zhì)量份為0. 01 5質(zhì)量份。在圖2(b)所示的第二實(shí)施方式中，標(biāo)記部13a的外周13c的形狀形成為齒輪形 狀。在這種情況下，標(biāo)記部13a外周13c的長(zhǎng)度也同樣長(zhǎng)，因此，減輕施加于外周103c的邊 緣部分的每單位長(zhǎng)度的應(yīng)力，從而能夠抑制轉(zhuǎn)印痕104的發(fā)生。在上述第一實(shí)施方式和第二實(shí)施方式中，示出了標(biāo)記部13a的外周13c形狀為波 形和齒輪形狀的情況，但為了避免應(yīng)力集中，與銳角的形狀，外周13c形狀優(yōu)選曲線的形 狀。進(jìn)而，圖3(a)、(b)中示出第三實(shí)施方式及第四實(shí)施方式。這樣，即使將標(biāo)記部13a 的外周13c的形狀形成為八邊形的形狀，也通過形成為星形的形狀，也能夠使標(biāo)記部13a的 外周13c的長(zhǎng)度長(zhǎng)。另外，在上述實(shí)施方式中，將周邊部13b形成于與脫模薄膜11的長(zhǎng)邊方向正交的 方向(寬度方向)的左右兩端，但圖4(a)中作為第五實(shí)施方式示出地連續(xù)形成也可。由此， 進(jìn)一步減輕卷繞引起的應(yīng)力，進(jìn)而抑制轉(zhuǎn)印痕。進(jìn)而，在第一 第五實(shí)施方式中，標(biāo)記部13a及周邊部的外周13c、13e如齒輪、波 型、多邊形等，具有一定的周期性，但如圖4(b)中作為第六實(shí)施方式所示，標(biāo)記部的外周 13c預(yù)切割為不具有周期性的形狀也可。在這種情況下，若從粘接劑層12的中心部到標(biāo)記 部13a的外周13c的最短距離r比環(huán)框小，則使晶片加工用薄膜在圓周方向上膨脹，擴(kuò)大單 片化的芯片和芯片的間隔，識(shí)別各個(gè)芯片而拾取時(shí)，筆直性(在整個(gè)方向上均一地伸長(zhǎng))變 差，可能導(dǎo)致芯片識(shí)別錯(cuò)誤，因此，優(yōu)選使最短距離r比環(huán)框大。另外，不需要將標(biāo)記部的外周103c或周邊部的外周103e的形狀形成為相互對(duì)應(yīng) 的形狀，可以形成為相互完全沒有關(guān)系的形狀。標(biāo)記部的外周形狀及周邊部的外周形狀的形成方法不特別限定，但優(yōu)選使用與期 望的外周形狀對(duì)應(yīng)的刃，進(jìn)行沖裁加工。再次，參照?qǐng)D1(a)、(b)及圖6，進(jìn)行說明。轉(zhuǎn)印痕104(參照?qǐng)D6)在包括比較柔 軟的材料的粘接劑層102、12層疊的三層結(jié)構(gòu)部分發(fā)生。即，使粘接劑層102、12的層疊部 分發(fā)生轉(zhuǎn)印痕104僅為標(biāo)記部的外周103c、103e或周邊部的外周103e、13e中，以輥狀卷入 時(shí)，標(biāo)記部的外周103c、13c或周邊部的外周103e、13e與粘接劑層102、12重合的部分。以下，僅參照?qǐng)D1 (b)進(jìn)行說明。該重合部分在標(biāo)記部13a的外周13c中僅為包含 在粘接劑層12的寬度方向的長(zhǎng)度(直徑)1的范圍內(nèi)的區(qū)域即外周轉(zhuǎn)印區(qū)域13d。該外周 轉(zhuǎn)印區(qū)域13d由于以輥狀卷入時(shí)的卷繞偏移等，成為比粘接劑層12的寬度1略寬的寬度的 區(qū)域。從而，只要減輕向作為參與該轉(zhuǎn)印的部分的外周轉(zhuǎn)印區(qū)域13d賦予的應(yīng)力，就能夠抑 制轉(zhuǎn)印痕104。在圖1(b)中，關(guān)于周邊部13b的外周13e沒有進(jìn)行說明，但關(guān)于周邊部的外周13e，外周13e中作為與外周轉(zhuǎn)印區(qū)域13d對(duì)應(yīng)的部分的比粘接劑層12的寬度略寬的寬度 的區(qū)域也同樣為參與轉(zhuǎn)印痕104的發(fā)生的部分。從而，關(guān)于周邊部的外周13e，也通過加長(zhǎng) 外周13e中該參與部分，能夠抑制轉(zhuǎn)印痕。從這樣的觀點(diǎn)來說，在圖5(a)及圖5(c)所示的第七實(shí)施方式、第八實(shí)施方式、及 第九實(shí)施方式中，僅在標(biāo)記部的外周轉(zhuǎn)印區(qū)域13d設(shè)置凹凸，使其比圓弧長(zhǎng)度長(zhǎng)，外周轉(zhuǎn)印 區(qū)域13d以外的外周13c形成為圓弧狀的形狀。還有，在圖2 圖5的本發(fā)明的第一實(shí)施方式 第九的各實(shí)施方式中，周邊部13b 的標(biāo)記部13a側(cè)的輪廓形成為與標(biāo)記部13a的外周103c的形狀一致的齒輪形狀、波形、直 線形狀等，但周邊部13b的形狀未必一定為與標(biāo)記部13 a的外周13c的形狀對(duì)應(yīng)的形狀。
權(quán)利要求
一種晶片加工用薄膜，其具備脫模薄膜；層疊于所述脫模薄膜上的粘接劑層；層疊于所述粘接劑層上的粘著性薄膜，其特征在于，所述粘著性薄膜具有與環(huán)框?qū)?yīng)的形狀的標(biāo)記部，所述標(biāo)記部具備下述形狀在該標(biāo)記部的外周中的所述晶片加工用薄膜以輥狀卷繞時(shí)與所述粘接劑層重疊的外周轉(zhuǎn)印區(qū)域中，當(dāng)將從所述粘接劑層的中心部到所述外周轉(zhuǎn)印區(qū)域的距離為最短的長(zhǎng)度設(shè)為r時(shí)，至少所述外周轉(zhuǎn)印區(qū)域的全長(zhǎng)比半徑為r的圓弧長(zhǎng)度的外周轉(zhuǎn)印區(qū)域的全長(zhǎng)長(zhǎng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片加工用薄膜，其特征在于，所述標(biāo)記部中至少所述外周轉(zhuǎn)印區(qū)域具備具有靠近或遠(yuǎn)離所述粘接劑層的外周的凹 凸的形狀。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶片加工用薄膜，其特征在于，所述標(biāo)記部中至少所述外周轉(zhuǎn)印區(qū)域具備周期性凹凸的形狀。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的晶片加工用薄膜，其特征在于，所述標(biāo)記部中至少所述外周轉(zhuǎn)印區(qū)域具備曲線狀凹凸的形狀。
5.根據(jù)權(quán)利要求1 4中任一項(xiàng)所述的晶片加工用薄膜，其特征在于，所述粘著性薄膜還具備以包圍所述標(biāo)記部的外側(cè)的方式與該標(biāo)記部空開間隔而形成 的周邊部，至少與所述標(biāo)記部的所述外周轉(zhuǎn)印區(qū)域?qū)χ玫乃鲋苓叢康耐庵艿囊徊糠志邆渑c所 述標(biāo)記部的所述外周轉(zhuǎn)印區(qū)域的形狀對(duì)應(yīng)的凹凸形狀。
全文摘要
本發(fā)明提供不增加材料成本或制造工序，能夠以簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)，充分地抑制向粘接劑層的轉(zhuǎn)印痕的發(fā)生的晶片加工用薄膜。將晶片加工用薄膜(10)的標(biāo)記部(13a)預(yù)切割如下，即在標(biāo)記部的外周(13c)中，至少在晶片加工用薄膜(10)以輥狀卷繞時(shí)與粘接劑層(12)重疊的外周轉(zhuǎn)印區(qū)域(13d)中，從使粘接劑層(12)的中心部到所述外周轉(zhuǎn)印區(qū)域(13d)的距離為最短的長(zhǎng)度設(shè)為r時(shí)，外周轉(zhuǎn)印區(qū)域(13d)的全長(zhǎng)比半徑為r的圓弧長(zhǎng)度的外周轉(zhuǎn)印區(qū)域的全長(zhǎng)長(zhǎng)，減輕施加于標(biāo)記部(13a)的外周轉(zhuǎn)印區(qū)域(13d)的應(yīng)力，由此抑制轉(zhuǎn)印痕的發(fā)生。
文檔編號(hào)H01L21/301GK101814432SQ201010117459
公開日2010年8月25日 申請(qǐng)日期2010年2月20日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月20日
發(fā)明者丸山弘光, 木村和寬, 盛島泰正, 石渡伸一, 野村芳弘 申請(qǐng)人:古河電氣工業(yè)株式會(huì)社