有機電致發光顯示裝置的制作方法

專利名稱：：有機電致發光顯示裝置的制作方法
技術領域：
：本發明涉及一種有機電致發光顯示裝置。
背景技術：
：有機電致發光顯示裝(有機EL顯示裝置)是自發光型顯示裝置，并且用于顯示和照明。與常規的CRT和IXD相比，有機EL顯示器具有可見度高并且沒有視角依賴性的這些顯示性能的優點，并且還具有顯示裝置可以變得更輕和更薄的優點。同時，有機EL照明除能夠實現更輕和更薄的裝置以外，還具有通過使用撓性基板實現具有迄今還未實現的形狀的照明器材的可能性的優點。有機電致發光顯示裝置具有如上所述的優良特性，但是包括發光層在內的構成顯示裝置的各層的折射率高于空氣的折射率。例如，在有機電致發光顯示裝置中，有機薄膜層如發光層具有1.6至2.1的折射率。因此，發射光容易在界面全反射，并且光提取效率小于20%。因此，大部分光損失。作為提高光提取效率的對策，例如，提出了下列方法其中安置透明層以鄰近在光提取表面側的透明電極和與在透明層的光提取表面附近或在透明層內部的顯著地引起光的反射和散射角干擾的區域的方法(例如，參見日本專利申請公開(JP-A)2004-296429)；其中在從發光層發射的光從有機物質層傳播到光透射性絕緣層的光程上，安置細粒分散在基材中的細粒分散層的方法(例如，參見日本專利申請公開(JP-A)2006-107744)；在防止有機EL元件的界面全反射的位置形成衍射光柵或波帶片的方法(例如，參見日本專利(JP-B)2991183)；以及其中在光透射性基板和光透射性電極之間安置光學單元，所述光學單元被構造使得在光在光透射性基板和光透射性電極之間的界面全反射的角度范圍內，在光透射性電極上的至少一部分入射光被散射和/或衍射而通過光透射性基板出去，而進入光透射性基板和光透射性電極的入射光被弱散射和/或透射而通過光透射性基板出去的方法(例如，參見日本專利申請公開(JP-A)2006-54197)。然而，在JP-A2004-296429公開的方法中，為了提高光散射效率，必需使引起光反射和散射角的干擾的區域的厚度變厚，因此難以在該區域內產生孔，從而不能將該方法用于有機電致發光顯示裝置。在JP-A2006-107744公開的方法中，細粒分散層具有薄的厚度，并且其中所含的細粒具有大的直徑，因此導致差的光散射效率，并且細粒容易聚集，從而在細粒分散層的表面中導致大尺寸凹部/凸部，這導致圖像滲出和圖像模糊的發生。而且，在JP-A2006-107744中公開的方法具有制備過程復雜的問題。在JP-B2991183和JP-A2006-54197中公開的方法引起光提取效率仍然不足的問題。
發明內容本發明旨在解決相關技術中的上述問題并且旨在達到下列目的。具體地，本發明的一個目的是提供一種能夠提高光提取效率并且減少圖像滲出的有機電致發光顯示裝置。用于解決上述問題的手段如下<1>一種有機電致發光顯示裝置，所述有機電致發光顯示裝置包括有機電致發光元件，所述有機電致發光元件包括透明電極、對電極和被安置在所述透明電極和所述對電極之間的有機化合物層，所述有機化合物層包括發光層，和含細粒層，所述含細粒層被布置在從所述發光層發射的光的光程上并且與所述透明電極相鄰，其中所述含細粒層含有有機樹脂材料和細粒，所述有機樹脂材料的折射率等于或低于所述透明電極的折射率，所述細粒的折射率高于所述有機樹脂材料的折射率并且重量平均粒徑為0.5μm至5μm，并且所述含細粒層的厚度為2μm至10μm。在根據<1>所述的有機電致發光顯示裝置中，當光通過含細粒層時，從發光層發射的光被散射。<2>根據<1>所述的有機電致發光顯示裝置，其中在所述含細粒層中的所述細粒是初級粒子。<3>根據<1>和<2>中任一項所述的有機電致發光顯示裝置，其中所述含細粒層還包含細粒分散劑。<4>根據<1>至<3>中任一項所述的有機電致發光顯示裝置，其還包括反射片，所述反射片被設置在所述含細粒層的與安置有所述透明電極的表面相反的表面上；夾層絕緣層，所述夾層絕緣層被設置在所述反射片的與所述含細粒層相鄰的表面相反的表面上；和基板，所述基板被設置在所述夾層絕緣層的與所述反射片相鄰的表面相反的表面上。根據<4>所述的有機電致發光顯示裝置采用了頂部發射型構造，其中從發光層發射的光通過透明電極，已經通過透明電極的光通過含細粒層，已經通過含細粒層的光在反射片的表面被反射，在反射片的表面的反射光然后通過含細粒層，然后已經通過含細粒層的光通過透明電極。<5>根據<1>至<3>中任一項所述的有機電致發光顯示裝置，其還包括基板，所述基板被設置在所述含細粒層的與安置有所述透明電極的表面相反的表面上。根據<5>所述的有機電致發光顯示裝置采用了底部發射型構造，其中從發光層發射的光通過透明電極，已經通過透明電極的光通過含細粒層，已經通過含細粒層的光通過基板。<6>根據<4>至<5>中任一項所述的有機電致發光顯示裝置，其還包括被設置在鈍化層上的有機薄膜晶體管。<7>根據<6>所述的有機電致發光顯示裝置，其中所述有機電致發光顯示裝置的驅動器系統是薄膜晶體管驅動器。<8>根據<6>和<7>中一項所述的有機電致發光顯示裝置，其中在所述含細粒層中，形成用于連接所述透明電極和所述有機薄膜晶體管的接觸孔。根據本發明，可以解決相關技術中的問題，并且提供一種能夠提高光提取效率并且減少圖像滲出的有機電致發光顯示裝置。圖1是示出頂部發射型有機電致發光顯示裝置的構造的一個實例的圖。圖2是示出底部發射型有機電致發光顯示裝置的構造的一個實例的圖。圖3A是示出制造用于有機EL顯示裝置的TFT基板的方法的一個實例的圖(第一步驟)。圖3B是示出制造用于有機EL顯示裝置的TFT基板的方法的一個實例的圖(第二步驟)。圖3C是示出制造用于有機EL顯示裝置的TFT基板的方法的一個實例的圖(第三步驟)。圖3D是示出制造用于有機EL顯示裝置的TFT基板的方法的一個實例的圖(第四步驟)。圖4是示出頂部發射型有機電致發光顯示裝置中的用于有機EL顯示裝置的TFT基板的一個實例的圖。圖5是示出底部發射型有機電致發光顯示裝置中的用于有機EL顯示裝置的TFT基板的一個實例的圖。具體實施例方式下面，將詳細描述根據本發明的有機電致發光顯示裝置。(有機電致發光顯示裝置)有機電致發光顯示裝置至少包括有機EL元件和含細粒層，并且根據需要還包括其它部件。<有機EL元件>有機EL元件具有陰極、陽極(透明電極和對電極)和在兩個電極之間有機化合物層，該有機化合物層包括發光層(有機發光層)。根據發光元件的性能，用于陽極和陰極的電極中的至少一個優選是透明的。作為層壓的有機化合物層的構造，優選其中在從陽極側觀察時，空穴傳輸層、有機發光層和電子傳輸層以此順序層疊的方面。層壓的有機化合物層還包括在空穴傳輸層和陽極之間的空穴注入層和/或在有機發光層和電子傳輸層之間的電子傳輸中間層。另外，可以在有機發光層和空穴傳輸層之間安置空穴傳輸中間層。類似地，可以在陰極和電子傳輸層之間安置電子注入層。應指出這些層中的每一個可以具有多個第二層。有機發光層對應發光層，而陽極和陰極以及除有機發光層以外的各層分別對應上述其它部件。構成有機化合物層的層的每一個可以通過選自以下方法中的任何方法有利地形成干法成膜法如氣相沉積和濺射；轉印法、印刷法、涂布法、噴墨法和噴涂法。《陽極》陽極通常足以具有將空穴供給至有機化合物層的電極的功能。陽極的形狀、結構和尺寸不受特別限制，并且這些陽極可以根據發光元件的預期應用和目的從已知的電極材料中任意地選擇。如上所述，陽極是以透明陽極的形式提供的。陽極材料的優選實例包括金屬、合金、導電化合物和這些材料的混合物。陽極材料的具體實例包括摻雜有銻、氟等的錫氧化物(ΑΤΟ、FT0)；導電金屬氧化物如氧化錫、氧化鋅、氧化銦、氧化錫銦(ITO)和氧化鋅銦(IZO)；金屬如金、銀、鉻和鎳，這些金屬與導電金屬氧化物的混合物和層壓體；無機導電材料如碘化銅和硫化銅；有機導電材料如聚苯胺、聚噻吩和聚吡咯以及這些有機導電材料與ITO的層壓體等。在這些材料之中，優選的是導電金屬氧化物，并且出于生產率、高電導率、透明度等的觀點，特別優選ΙΤ0。考慮到構成陽極的材料的合適性，可以通過任意地選自以下方法中的方法在基板上形成陽極濕法型方法如印刷法和涂布法；物理方法如真空氣相沉積法、濺射法和離子電鍍法；和化學方法如CVD法和等離子體CVD法。例如，如果選擇ITO作為陽極材料，則可以根據直流或高頻濺射法、真空氣相沉積法、離子電鍍法等形成陽極。在有機EL元件中，要形成的陽極的位置不受特別限制，并且可以根據發光元件的預期應用和目的在任意處形成陽極。然而，優選在基板上形成陽極。在這種情況下，陽極可以在基板的一側的整個表面上形成或者可以在基板的一部分上形成。在陽極的形成中，陽極的圖案化可以通過化學蝕刻如光刻進行，可以通過使用激光器等的物理蝕刻進行，可以通過在疊加的掩模上的真空氣相沉積或濺射進行，或者可以使用剝離(lift-off)方法或印刷法。陽極的厚度可以根據構成陽極的材料任選地選擇，并且不能明確地被限定。但是，它通常為約IOnm至約50μm,優選50nm至20μm。陽極的電阻值優選為103Ω/平方以下，更優選為102Ω/平方以下。當陽極透明時，它是無色和透明的，或者可以是有色和透明的。為了收集來自透明陽極側的光，陽極的透射率優選為60%以上，更優選為70%以上。與透明陽極相關的詳細描述在YutakaSawada監督的TomeiDenkyoku-MakunoShintenkai(透明導電膜的新開發(NewDevelopmentsoftransparentElectroconductivefilms))"CMCPublishingCo.，Ltd.(1999)中被找到，并且其中的描述可以適用于本發明。當使用低耐熱性的塑料基板時，優選在150°C以下的低溫用ITO或IZO形成的透明陽極膜。《陰極》陰極通常足以具有將電子注入至有機化合物層中的電極的功能。陰極的形狀、結構和尺寸不受特別限制，并且這些陰極可以根據發光元件的預期應用和目的從已知的電極材料中任意地選擇。構成陰極的材料的優選實例包括金屬、合金、導電化合物和這些材料的混合物。陰極材料的具體實例包括堿金屬(例如Li、Na、K、Cs等)、堿土金屬(例如Mg、Ca等)和稀土金屬如如金、銀、鉛、鋁、鈉-鉀合金、鋰-鋁合金、鎂-銀合金、銦和鐿。這些材料可以單獨使用，但是，出于同時實現穩定性和電子注入性能的觀點，可以優選組合使用兩種以上的材料。在這些之中，作為構成陰極的材料，根據電子注入性能優選堿金屬和堿土金屬，并且主要含有鋁的材料由于它們的優異儲存穩定性是優選的。主要含有鋁的材料是指單獨的鋁、鋁與0.01質量％至10質量％的堿金屬或堿土金屬的合金，或者這些的混合物(例如，鋰_鋁合金、鎂_鋁合金，等)。在日本專利申請公開(JP-A)2-15595和5-121172中詳細公開了陰極材料，并且可以在本發明中使用其中所述的材料。陰極可以通過已知的方法形成，而不受特別限制。例如，考慮到構成陰極的材料的合適性，可以通過任意地選自以下方法中的方法在基板上形成陰極濕法型方法如印刷法和涂布法；物理方法如真空氣相沉積法、濺射法和離子電鍍法；和化學方法如CVD法和等離子體CVD法。例如，在選擇金屬作為陰極材料的情況下，可以通過濺射法等使用一種材料形成陰極，或者使用兩種以上的材料同時或者依次形成陰極。在陰極的形成中，陰極的圖案化可以通過化學蝕刻如光刻進行，可以通過使用激光器等的物理蝕刻進行，可以通過在疊加的掩模上的真空氣相沉積或濺射進行，或者可以使用剝離方法或印刷法。要形成的陰極的位置不受特別限制，并且在本發明中可以在任意處形成陰極。陰極可以在有機化合物層的整個表面上形成或者可以在其一部分上形成。由堿金屬或堿土金屬的氟化物或者氧化物組成的電介質層可以以0.Inm至5nm的厚度插入到陰極和有機層之間。電介質層可以被認為是電子注入層的類型。電介質層可以通過例如真空沉積法、濺射法、離子電鍍法等形成。陰極的厚度可以根據構成陰極的材料任選地選擇，并且不能明確地被限定。但是，它通常為約IOnm至約5μm，優選50nm至1μm。陰極可以是透明或者不透明的。透明陰極可以通過以Inm至IOnm的厚度形成陰極材料的膜，并且在其上進一步層壓透明導電材料如ITO和IZO而形成。《有機化合物層》有機EL元件具有至少一個包括有機發光層的有機化合物層。作為與有機發光層不同的有機化合物層，示例的是空穴傳輸層、電子傳輸層、空穴阻擋層、電子阻擋層、空穴注入層、電子注入層等。在本發明的有機EL元件中，構成一個或多個有機化合物層的各層可以通過干膜形成法如氣相沉積法和濺射法；濕法型涂布法、轉印法、印刷法和噴墨法中的任一種適當地形成。<有機發光層yy>發光層是具有在施加電場時接受來自陽極、空穴注入層或空穴傳輸層的空穴的功能和接受來自陰極、電子注入層或電子傳輸層的電子的功能并且提供空穴和電子復合從而發光的場所的層。有機發光層可以由單獨的發光材料組成，或者可以由含有主體(host)材料和發光摻雜劑的混合層組成。發光摻雜劑可以是熒光發光材料或磷光發光材料，或者可以是其兩種以上。主體材料優選是電荷傳輸材料。主體材料可以是其一種或者兩種以上，并且例如，它可以是電子傳輸主體材料與空穴傳輸主體材料組成的混合層。有機發光層還可以含有不具有電荷傳輸性能的非發光材料。有機發光層可以是單層或者可以由兩層以上組成，并且各層可以以不同的發光顏色發光。對于發光摻雜劑，磷光發光材料和熒光發光材料兩者均可以被用作摻雜劑(磷光發光摻雜劑、熒光發光摻雜劑)。有機發光層可以含有兩種以上的發光摻雜劑以提高色純度并且以擴展發光波長范圍。出于驅動耐久性的觀點，參照相對主體化合物的電離電勢差(ΔΙρ)和相對主體化合物的電子親和勢差(ΔEa)，發光摻雜劑優選是進一步滿足1.2eV>ΔIp>0.2eV和/或1.2eV>AEa>0.2eV的關系的摻雜劑。磷光發光摻雜劑不受特別限制，并且可以根據預期應用適當地選擇。例如，示例的是含有過渡金屬原子或鑭系元素原子的配合物。過渡金屬原子不受特別限制，并且可以根據預期應用適當地選擇，但是，優選的過渡金屬是釕，銠，鈀，鎢，錸，鋨，銥，金，銀，銅和鉬；更優選錸，銥和鉬，特別優選銥和鉬。鑭系元素原子不受特別限制，并且可以根據預期應用適當地選擇。其實例包括鑭，鈰，鐠，釹，釤，銪，釓，鋱，鏑，鈥，鉺，銩，鐿和镥。在這些之中，優選釹，銪和釓。作為配合物的配體，示例的是在以下文獻中描述的配體G.Wilkinson著的、由PergamonPressLtd出版(1987)的“綜合配位化學(ComprehensiveCoordinationChemistry)”，H.Yersin著的、由Springer-VerlagCo在1987年出版的“配位化合物的光化學和光物理(PhotochemistryandPhotophysicsofCoordinat離子化合物)”，和AkioYamamoto著的、由ShokaboPublishingCo.，Ltd.在1982年出版的“YuhkiKinzokuKagaku-KisoToOuyou(有機金屬化學-器件和應用(OrganicMetalChemistry-DevicesandApplications))。配體的具體優選實例包括鹵素配體(優選為氯配體)；芳香族碳環配體(例如，環戊二烯基陰離子，苯陰離子，或萘基陰離子等，這些配體優選具有5至30個碳原子，更優選具有6至30個碳原子，還更優選具有6至20個碳原子，特別優選具有6至12個碳原子)；含氮雜環配體(例如，苯基吡啶，苯并喹啉，羥基喹啉，聯吡啶，菲咯啉等，這些配體優選具有5至30個碳原子，更優選具有6至30個碳原子，還更優選具有6至20個碳原子，特別優選具有6至12個碳原子)；二酮配體(例如，乙酰丙酮等)，羧酸配體(例如，乙酸配體等，這些配體優選具有2至30個碳原子，更優選具有2至20個碳原子，特別優選2至16個碳原子)；醇鹽配體(例如，酚鹽配體等，這些配體優選具有1至30個碳原子，更優選具有1至20個碳原子，還更優選為6至20個碳原子)；甲硅烷氧基配體(例如，三甲代甲硅烷基氧基配體，二甲基-叔丁基甲硅烷氧基配體，三苯基甲硅烷氧基配體等，這些配體優選具有3至40個碳原子，更優選具有3至30個碳原子，特別優選3至20個碳原子)；一氧化碳配體，異硝酰基(isonitryl)配體，和氰基配體，磷配體(例如，三苯基膦配體等，這些配體優選具有3至40個碳原子，更優選具有3至30個碳原子，還更優選具有3至20個碳原子，特別優選6至20個碳原子)；硫醇鹽配體(例如，苯基硫醇鹽配體等，這些配體優選具有1至30個碳原子，更優選具有1至20個碳原子，還更優選具有6至20個碳原子)；氧化膦配體(例如，三苯基氧化膦配體等，這些配體優選具有3至30個碳原子，更優選具有8至30個碳原子，還更優選具有18至30個碳原子)，更優選含氮雜環配體。配合物可以在化合物中具有一個過渡金屬原子，或者可以具有兩個以上的過渡金屬原子，即，可以是所謂的雙核配合物。配合物可以同時含有不同的兩種以上的金屬原子。作為發光摻雜劑，示例的是在以下文獻中描述的磷光發光化合物US6303238B1、US6097147、W000/57676、W000/70655、W001/08230、W001/39234A2、W001/41512A1、W002/02714A2、W002/15645A1、W002/44189A1、W005/19373A2、日本專利申請公開(JP-A)200卜247859、2002-302671、2002-117978、2003-133074、2002-235076、2003-123982,2002-170684,EP1211257、日本專利申請公開(JP-A)2002-226495、2002-234894,2001-247859,2001-298470,2002-173674,2002-203678,2002-203679,2004-357791、2006-256999、2007-19462、2007-84635和2007-96259。在這些磷光發光化合物之中，優選的是Ir配合物，Pt配合物，Cu配合物，Re配合物，W配合物，Rh配合物，Ru配合物，Pd配合物，Os配合物，Eu配合物，Tb配合物，Gd配合物，Dy配合物和Ce配合物；并且更優選的是Ir配合物，Pt配合物和Re配合物。在這些中，還更優選的是各自具有至少一個形成金屬_碳鍵，金屬_氮鍵，金屬_氧鍵或金屬_硫鍵的配體的Ir配合物，Pt配合物和Re配合物。特別優選的是各自包含三齒以上的多齒配體的Ir配合物，Pt配合物和Re配合物。熒光發光摻雜劑不受特別限制并且可以根據預期應用適當地選擇。其實例包括苯并噁唑，苯并咪唑，苯并噻唑，苯乙烯基苯，聚苯，二苯基丁二烯，四苯基丁二烯，萘酰亞胺，香豆素，吡喃，紫環酮(perinone)，噁二唑，醛連氮，吡嗪(pyralizine)，環戊二烯，雙苯乙烯基蒽，喹吖啶酮，吡咯并吡啶，噻二唑并吡啶，苯乙烯基胺，芳香族二次甲基化合物，芳香族稠合多環化合物(蒽，菲咯啉，芘，茈，紅熒烯，并五苯等)，由8-羥基喹啉的金屬配合物代表的各種金屬配合物，吡咯亞甲基(pyrromethene)配合物和稀土配合物；聚合物化合物如聚噻吩，聚亞苯基(polyphenylene)，聚亞苯基亞乙烯基(polyphenylenevinylene)；有機硅烷，以及它們的衍生物。發光摻雜劑的實例包括由下列結構式中的每一個表示的化合物，但是不限于此。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage10</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage12</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage12</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage12</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage13</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage14</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage15</formula>相對于形成有機發光層的化合物的總質量，在有機發光層中的發光摻雜劑的含量通常為0.1質量％至50質量％。但是，出于耐久性和外部量子效率的觀點，優選其以1質量％至50質量％的量含有，更優選其以2質量％至40質量％的量含有。有機發光層的厚度不受特別限制，但是通常地，它優選為2nm至500nm。出于外部量子效率的觀點，它更優選為3nm至200nm，特別優選5nm至lOOnm。作為主體材料，可以使用空穴傳輸性能優良的空穴傳輸主體材料(另外，可以被稱為“空穴傳輸主體”)以及電子傳輸性能優良的電子傳輸主體化合物(另外，可以被稱為“電子傳輸主體”)。在有機發光層中的空穴傳輸主體的具體實例包括下列材料吡咯，吲哚，咔唑，氮雜吲哚，氮雜咔唑，三唑，噁唑，噁二唑，吡唑，咪唑，噻吩，聚芳基烷烴，吡唑啉，吡唑啉酮，苯二胺，芳基胺，氨基取代的查耳酮，苯乙烯基蒽，芴酮，腙，芪，硅氮烷，芳香族叔胺化合物，苯乙烯基胺化合物，芳香族二次甲基化合物，嚇啉化合物，聚硅烷化合物，聚(N-乙烯基咔唑)，苯胺共聚物，導電高分子低聚物如噻吩低聚物，聚噻吩等，有機硅烷，碳膜，它們的衍生物。空穴傳輸主體優選為吲哚衍生物，咔唑衍生物，芳香族叔胺化合物或噻吩衍生物，更優選為在其分子中具有咔唑基的化合物，特別優選為在其分子中具有叔丁基取代的咔唑基的化合物。出于提高耐久性并且降低驅動電壓的觀點，在有機發光層中的電子傳輸主體優選具有2.5eV至3.5eV，更優選2.6eV至3.4eV，特別優選2.8eV至3.3eV的電子親和勢Ea,并且出于提高耐久性并且降低驅動電壓的觀點，在有機發光層中的電子傳輸主體優選具有5.7eV至7.5eV，更優選為5.8eV至7.OeV，特別優選5.9eV至6.5eV的電離電勢Ip。這些電子傳輸主體的具體實例包括吡啶，嘧啶，三嗪，咪唑，吡唑，三唑，噁唑，噁二唑，芴酮，蒽醌二甲烷，蒽酮，二苯基醌，硫代吡喃二氧化物，碳二亞胺，亞芴基甲烷，二苯乙烯基吡嗪，氟取代的芳香族化合物，萘、茈等的雜環四酸酐，酞菁，它們的衍生物(其可以與另一個環形成稠合環)，以及由8-羥基喹啉衍生物的金屬配合物代表的各種金屬配合物，金屬酞菁以及具有苯并噁唑或苯并噻唑作為配體的金屬配合物。電子傳輸主體的優選實例是金屬配合物，唑(azole)衍生物(苯并咪唑衍生物，咪唑并吡啶衍生物等)和吖嗪衍生物(吡啶衍生物，嘧啶衍生物，三嗪衍生物等)。出于耐久性的觀點，在這些之中，更優選的是金屬配合物化合物。作為金屬配合物化合物，更優選含有具有至少一個與金屬配位的氮原子、氧原子或硫原子的配體的金屬配合物。盡管在金屬配合物中的金屬離子不受特別限制，但是優選鈹離子，鎂離子，鋁離子，鎵離子，鋅離子，銦離子，錫離子，鉬離子或鈀離子；更優選的是鈹離子，鋁離子，鎵離子，鋅離子，鉬離子或鈀離子；并且進一步優選的是鋁離子，鋅離子，鉬離子或鈀離子。盡管存在上述金屬配合物中含有的各種熟知的配體，但是其實例包括H.Yersin著的、由Springer-VerlagCo.在1987年出版的在"配位化合物的光化學和光物理(PhotochemistryandPhotohysicsofCoordinationCompound)“；AkioYamamoto著的、由ShokaboPublishingCo.，Ltd在1982年出版的“YUHKIKINZOKUKAGAKU-KISOTOOUYOU(有機金屬化學-原理和應用(OrganometallicChemistry—FundamentalandApplication)—)”等中描述的配體。作為配體，優選的是含氮雜環配體(優選具有1至30個碳原子，更優選具有2至20個碳原子，特別優選具有3至15個碳原子)。配體可以是單齒配體或雙齒以上的配體，但是優選雙齒配體至六齒配體，并且還優選單齒配體與雙齒至六齒配體的混合配體。配體的具體實例包括吖嗪配體(例如吡啶配體，聯吡啶配體，三聯吡啶配體，等)；羥基苯基唑配體(例如羥基苯并咪唑配體，羥基苯基苯并噁唑配體，羥基苯基咪唑配體，羥基苯基咪唑并吡啶配體，等)；烷氧基配體(例如甲氧基，乙氧基，丁氧基和2-乙基己氧基配體，并且這些配體優選具有1至30個碳原子，更優選具有1至20個碳原子，特別優選具有1至10個碳原子)；芳氧基配體(例如苯氧基，1-萘氧基，2-萘氧基，2,4,6-三甲基苯氧基和4-聯苯氧基配體，并且這些配體優選具有6至30個碳原子，更優選具有6至20個碳原子，特別優選具有6至12個碳原子)。除上述以外，其具體實例還包括雜芳氧基配體(例如吡啶氧基，吡嗪氧基，嘧啶氧基，喹啉氧基配體等，以及具有優選1至30個碳原子，更優選1至20個碳原子并且特別優選1至12個碳原子的那些)；烷硫基配體(例如甲硫基，乙硫基配體等，以及具有優選1至30個碳原子，更優選1至20個碳原子，特別優選1至12個碳原子的那些)；芳硫基配體(例如苯硫基配體等，以及具有優選6至30個碳原子，更優選6至20個碳原子，特別優選6至12個碳原子的那些)；雜芳硫基配體(例如吡啶硫基，2-苯并咪唑硫基，2-苯并噁唑硫基，2-苯并噻唑硫基配體等，和具有優選1至30個碳原子，更優選1至20個碳原子，特別優選1至12個碳原子的那些)；甲硅烷氧基配體(例如三苯基甲硅烷氧基，三乙氧基甲硅烷氧基，三異丙基甲硅烷氧基等，以及具有優選1至30個碳原子，更優選3至25個碳原子，特別優選6至20個碳原子的那些)；芳香族烴陰離子配體(例如苯基陰離子，萘基陰離子，蒽基陰離子等，以及具有優選6至30個碳原子，更優選為6至25碳原子，特別優選6至20個碳原子的那些)；芳香族雜環陰離子配體(例如吡咯陰離子，吡唑陰離子，三唑陰離子，噁唑陰離子，苯并噁唑陰離子，噻唑陰離子，苯并噻唑陰離子，噻吩陰離子，苯并噻吩陰離子等，以及具有優選1至30個碳原子，更優選2至25個碳原子，并且特別優選2至20個碳原子的那些)；以及假吲哚陰離子配體。在這些之中，優選含氮雜環配體，芳氧基配體，雜芳氧基，甲硅烷氧基配體。更優選含氮芳香族雜環配體，芳氧基配體，甲硅烷氧基配體，芳香族烴陰離子配體和芳香族雜環陰離子配體。金屬配合物電子傳輸主體的實例包括在例如日本專利申請公開(JP-A)2002-235076、2004-214179、2004-221062、2004-221065、2004-221068禾口2004-327313中所述的化合物。在有機發光層中，考慮到色純度、外部量子效率和驅動耐久性，在主體材料中的最低三重態激發能(Tl)值優選高于磷光發光材料的Tl值。主體化合物的量不受特別限制，但是，出于發光效率和驅動電壓的觀點，相對于形成發光層的化合物的總質量，它優選為15質量％至95質量％。〈《空穴注入層和空穴傳輸層〉》空穴注入層和空穴傳輸層是起著接受來自陽極或陽極側的空穴并且將空穴傳輸至陰極側的功能的層。在這些層中使用的空穴注入材料和空穴傳輸材料可以是低分子量化合物或高分子量化合物。具體地，空穴注入層和空穴傳輸層優選是含有以下物質的層例如，吡咯衍生物，咔唑衍生物，三唑衍生物，噁唑衍生物，噁二唑衍生物，咪唑衍生物，聚芳基烷烴衍生物，吡唑啉衍生物，吡唑啉酮衍生物，苯二胺衍生物，芳基胺衍生物，氨基取代的查耳酮衍生物，苯乙烯基蒽衍生物，芴酮衍生物，腙衍生物，芪衍生物，硅氮烷衍生物，芳香族叔胺化合物，苯乙烯基胺化合物，芳香族二次甲基化合物，酞菁化合物，嚇啉化合物，噻吩化合物，有機硅烷衍生物，碳，等。在本發明的有機EL元件中，可以將受電子摻雜劑引入到空穴注入層或空穴傳輸層中。作為被引入到空穴注入層或空穴傳輸層的受電子摻雜劑，可以使用無機化合物或有機化合物中的任一種或兩種，只要該化合物具有受電子性能和氧化有機化合物的性能即可。無機化合物的具體實例包括金屬鹵化物，如氯化亞鐵(II)，氯化鋁，氯化鎵，氯化銦和五氯化銻，以及金屬氧化物，如五氧化二釩和三氧化鉬。在使用有機化合物的情況下，可以優選使用具有取代基如硝基，鹵素，氰基，三氟甲基等的化合物；醌化合物；酸酐化合物；富勒烯類；等。除上述化合物以外，還可以有利地使用在以下專利文件中所述的化合物如日本專利申請公開(JP-A)6-212153，11-111463，11-251067、2000-196140、2000-286054、2000-315580、2001-102175、2001-160493、2002-252085、2002-56985、2003-157981、2003-217862、2003-229278、2004-342614、2005-72012、2005-166637和2005-209643。在這些之中，優選六氰基丁二烯，六氰基苯，四氰基乙烯，四氰基喹啉并二甲烷，四氟四氰基喹啉并二甲烷，對氟醌(p-fluoranil)，對氯醌，對溴醌，對苯醌，2,6-二氯苯醌，2，5-二氯苯醌，1，2，4，5-四氰基苯，1，4-二氰基四氟苯，2，3-二氯-5，6-二氰基苯醌，對_二硝基苯，間_二硝基苯，鄰_二硝基苯，1，4-萘醌，2，3-二氯萘醌，1,3-二硝基萘(1，3-dinitronaphthalone)，1，5-二硝基萘，9，10-蒽醌，1，3，6，8-四硝基咔唑，2，4，7-三硝基-9-芴酮，2，3，5，6-四氰基吡啶，或富勒烯C60。更優選六氰基丁二烯，六氰基苯，四氰基乙烯，四氰基喹啉并二甲烷，四氟四氰基喹啉并二甲烷，對氟醌，對氯醌，對溴醌，2，6-二氯苯醌，2，5-二氯苯醌，2，3-二氯萘醌，1,2,4,5-四氰基苯，2，3-二氯-5，6-二氰基苯醌，或者2，3，5，6-四氰基吡啶，并且特別優選四氟四氰基喹啉并二甲烷。這些受電子摻雜劑可以單獨或者組合使用。盡管在這些受電子摻雜劑中的用量取決于材料的類型，但是相對于空穴傳輸層材料，優選0.01質量％至50質量％，更優選0.05質量％至20質量％，并且特別優選0.1質量％至10質量％。出于降低驅動電壓的觀點，空穴注入層的厚度和空穴傳輸層的厚度各自優選為500nm以下。空穴傳輸層的厚度優選為Inm至500nm，更優選為5nm至200nm，還更優選為IOnm至lOOnm。空穴注入層的厚度優選為0.Inm至200nm，更優選為0.5nm至lOOnm，還更優選為Inm至lOOnm。空穴注入層和空穴傳輸層可以采取含有上述材料中的一種或者兩種以上的單層結構，或者由均勻組成或不均勻組成的多層組成的多層結構。<電子注入層和電子傳輸層>》電子注入層和電子傳輸層是具有接受來自陰極或陰極側的電子并且將電子傳輸至陽極側的功能的層。在這些層中使用的電子注入材料和電子傳輸材料可以是低分子量化合物或高分子量化合物。具體地，空穴注入層和空穴傳輸層優選為含有以下物質的層例如，吡啶衍生物，喹啉衍生物，嘧啶衍生物，吡嗪衍生物，酞嗪衍生物，菲咯啉衍生物，三嗪衍生物，三唑衍生物，噁唑衍生物，噁二唑衍生物，咪唑衍生物，芴酮衍生物，蒽醌二甲烷衍生物，蒽酮衍生物，二苯基醌衍生物，硫代吡喃二氧化物衍生物，碳二亞胺衍生物，亞芴基甲烷衍生物，二苯乙烯基吡嗪衍生物，茈、萘等的芳香族環狀四酸酐，酞菁衍生物，由8-羥基喹啉衍生物的金屬配合物代表的金屬配合物，金屬酞菁，和含有苯并噁唑或苯并噻唑作為配體的金屬配合物，由矽咯(Silole)代表的有機硅烷衍生物，等。在本發明的有機EL元件中的電子注入層或者電子傳輸層可以含有給電子摻雜齊U。作為引入到電子注入層或者電子傳輸層中的給電子摻雜劑，可以使用任何材料，只要它具有給電子性能和還原有機化合物的性能即可，并且優選使用堿金屬如Li，堿土金屬如Mg，包括稀土金屬的過渡金屬以及還原有機化合物。作為所述材料，特別是，優選使用功函為4.2eV以下的金屬，并且其具體實例包括Li，Na,K，Be，Mg，Ca，Sr，Ba,Y，Cs，La，Sm,Gd，Yb等。還原有機化合物的具體實例包括含氮化合物，含硫化合物，含磷化合物等。除上述材料以外，還可以使用在日本專利申請公開(JP-A)6-212153、2000-196140、2003-68468、2003-229278、2004-342614等中所述的材料。這些給電子摻雜劑可以單獨或者組合使用。給電子摻雜劑的用量根據材料的類型不同，但是相對于電子傳輸層材料，它優選為0.1質量％至99質量％，更優選為1.0質量％至80質量％，特別優選為2.0質量％至70質量％。出于的觀點降低驅動電壓，電子注入層的厚度和電子傳輸層的厚度各自優選為500nm以下。電子傳輸層的厚度優選為Inm至500歷，更優選為5nm至200歷，特別優選為Onm至lOOnm。電子注入層的厚度優選為0.Inm至200nm，更優選為0.2nm至lOOnm，特別優選為0.5nm至50nmo電子注入層和電子傳輸層可以采取含有上述材料中的一種或者兩種以上的單層結構，或者由均勻組成或不均勻組成的多層組成的多層結構。〈《空穴阻擋層》〉空穴阻擋層是具有防止從陽極側傳輸至發光層的空穴通過陰極側的功能的層。可以提供空穴阻擋層作為毗鄰陰極側的發光層的有機化合物層。作為構成空穴阻擋層的化合物，示例的是例如，鋁配合物如BAlq，三唑衍生物和菲咯啉衍生物如BCP。空穴阻擋層的厚度優選為Inm至500歷，更優選為5nm至200歷，特別優選IOnm至IOOnm0空穴阻擋層可以采取含有上述材料中的一種或者兩種以上的單層結構，或者由均勻組成或不均勻組成的多層組成的多層結構。〈《電子阻擋層》〉電子阻擋層是具有防止從陰極側傳輸至發光層的電子通過陽極側的功能的層。在本發明中，電子阻擋層可以被提供作為毗鄰陽極側的發光層的有機化合物層。作為構成電子阻擋層的化合物，可以使用例如，作為上述空穴傳輸材料示例的那些。電子阻擋層的厚度優選為Inm至500nm，更優選為5nm至200nm，特別優選IOnm至IOOnm0電子阻擋層可以采取含有上述材料中的一種或者兩種以上的單層結構，或者由均勻組成或不均勻組成的多層組成的多層結構。《保護層》整個有機EL元件可以被保護層保護。在保護層中包含的材料足以具有防止加速裝置的劣化的物質例如水分和氧氣進入裝置的功能。這些材料的具體實例包括金屬如In，Sn，Pb，Au，Cu，Ag，Al，Ti和Ni；金屬氧化物如MgO,SiO,SiO2,Al2O3'GeO,NiO,CaO,BaO,Fe2O3,Y2O3和TiO2；金屬氮化物如SiNx和SiNxOy；金屬氟化物如MgF2,LiF,AlF3*CaF2;二氯乙烯與聚乙烯，聚丙烯，聚甲基丙烯酸甲酯，聚酰亞胺，聚脲，聚四氟乙烯，聚氯三氟乙烯，聚氯三氟乙烯，聚二氯二氟乙烯，和/或氯三氟乙烯的共聚物；通過四氟乙烯與含有至少一種共聚單體的混合物的單體的共聚得到的共聚物，在其共聚物主鏈中具有環狀結構的含氟共聚物，吸水系數為以上的親水性物質，以及吸水系數為0.1%以下的防水-蒸氣物質。形成保護層的方法不受特別限制并且可以根據預期應用適當地選擇。例如，示例的是真空沉積法，濺射法，反應濺射法，MBE(分子束外延)法，簇離子束法，離子電鍍法，等離子體聚合離子法(高頻激發離子[電鍍方法]，等離子體CVD法，激光CVD法，熱CVD法，氣源CVD法，涂布法，印刷法，以及轉印法。《密封》而且，有機EL元件可以完全被密封容器密封。另外，可以將水分吸收劑或非活性液體包封在密封容器和發光元件之間的空間中。水分吸收劑不受特別限制并且可以根據預期應用適當地選擇。其實例包括鋇氧化物、鈉氧化物、鉀氧化物、鈣氧化物、硫酸鈉、硫酸鈣、硫酸鎂、五氧化二磷、氯化鈣、氯化鎂、氯化銅、氟化銫、氟化鈮、溴化鈣、溴化釩、分子篩、沸石和氧化鎂。非活性液體不受特別限制并且可以根據預期應用適當地選擇。其實例包括石蠟、流體石蠟、氟溶劑如全氟烷烴、全氟胺和全氟醚；氯溶劑和硅氧烷油。另外，還優選使用在下述樹脂密封層中使用的密封方法。〈《樹脂密封層〉》有機EL元件優選具有防止有機EL元件本身與大氣接觸并且抑制由氧和水分引起的元件性能的下降的功能。在樹脂密封層中使用的樹脂材料不受特別限制，并且可以根據預期應用適當地選擇。其實例包括丙烯酸類樹脂、環氧樹脂、氟樹脂、硅樹脂、橡膠樹脂和酯樹脂。根據水分防止能力，在這些樹脂材料之中，優選的是環氧樹脂。在環氧樹脂之中，更優選熱固化性環氧樹脂和光固化性環氧樹脂。用于制備樹脂密封層的方法不受特別限制，并且可以根據預期應用適當地選擇。例如，示例的是涂覆樹脂溶液的方法、接觸粘合或者熱接觸粘合樹脂片的方法、通過沉積、濺射等進行干法聚合的方法。樹脂密封層的厚度優選為Iym至1mm，更優選為5μπι至100μπι，特別優選為10μm至50μm。當厚度薄于1μm時，存在的可能性是無機膜在第二基板附著到其上時被損害。當它厚于Imm時，電致發光元件本身的厚度更厚，從而可能使有機EL元件的作為其特性的薄膜性能下降。〈《密封粘合劑》〉在密封中使用的密封粘合劑具有防止水分和氧從其遠端進入有機EL元件的功能。作為用于密封粘合劑的材料，可以使用用于樹脂密封層的相同材料。在所述材料中，考慮到防止水分，優選的是環氧粘合劑，并且更優選的是光固化性粘合劑和熱固化性粘合劑。此外，優選將填料添加到上述材料中。作為加入到密封劑中的填料，優選無機材料如SiO2、SiO(氧化硅)、SiON(氧氮化硅)、SiN(氮化硅)等。通過將填料加入到密封劑中，增加了密封劑的粘度，從而導致工藝適合性和耐濕度性的提高。密封粘合劑可以含有干燥劑。作為干燥劑，優選鋇氧化物、鈣氧化物、鍶氧化物。被加入到密封劑中的干燥劑的量優選為0.01質量％至20質量％，更優選0.05質量％至15質量％。當添加量小于0.01質量％時，降低了添加干燥劑的效果。當它大于20質量％時，不適宜地難以將干燥劑均勻地分散在密封粘合劑中。[密封粘合劑的配制]聚合物的組成和濃度密封粘合劑不受特別限制并且可以使用上述密封粘合劑。例如，作為光固化性環氧基粘合劑，示例的是由NagaseChemtechCo.制備的XNR5516。將這種密封粘合劑直接加入并且分散在干燥劑中。·厚度密封粘合劑的涂層厚度優選為Iym至1mm。當涂層厚度薄于1μm時，不利地，不能均勻地涂覆密封粘合劑。當它厚于Imm時，不利地，允許水分進入有機EL元件的內部的泄漏路徑變寬。通過分配器等將含有干燥劑的密封粘合劑以任意量涂覆到基板的表面上，并且將第二基板疊加在涂覆的基板上，隨后固化，因此可以獲得功能元件。《驅動》通過在陽極和陰極之間施加DC(如果必要，則可以含有AC成分)電壓(通常為2伏特至15伏特)，或者通過施加DC電流，可以獲得本發明的有機電致發光元件的光發射。對于有機EL元件的驅動方法，在日本專利申請公開(JP-A)2-148687、6-301355、5-29080、7-134558、8-234685、8-241047、日本專利(JP-B)2784615、美國專利5828429和6023308中公開的驅動方法可以用于本發明。通過各種已知的設計(contrivances)，可以提高有機EL元件的光提取效率。例如，通過加工基板表面的形狀(例如，通過形成細微的凹凸圖案)，通過控制基板、ITO層和有機層的折射率，以及通過控制基板、ITO層和有機層的厚度，可以改善光提取效率并且改善外部量子效率。本發明的有機EL元件可以是從陽極側收集光的所謂頂部發射系統的有機EL元件。本發明的有機EL元件可以采取其中在多個發光層之間安置電荷產生層以提高發光效率的結構。電荷產生層具有在施加電場時產生電荷(空穴和電子)并且將產生的電荷注入到毗鄰電荷產生層的層中的功能。作為用于形成電荷產生層的材料，可以使用任何材料，只要它具有上述功能即可，并且電荷產生層可以含有一種化合物或者多種化合物。具體地，該材料可以是具有導電性的材料，可以是具有半導電性的材料如摻雜的有機層，或者可以是具有電絕緣性能的材料，并且該材料的實例包括在日本專利申請公開(JP-A)11-329748,2003-272860和2004-39617中公開的材料。更具體地，可以使用透明導電材料如ITO和IZO(氧化鋅銦)、富勒烯類如C60、導電有機材料如低聚噻吩、導電有機材料如金屬酞菁、無金屬酞菁、金屬卟啉和無金屬卟啉、金屬材料如Ca、Ag、Al、Mg:Ag合金、Al:Li合金和Mg:Li合金、空穴傳導材料、電子傳導材料和這些材料的混合物。作為空穴傳導材料，例如，示例的是通過將具有吸電子性能的氧化劑如F4-TCNQ、TCNQ,FeCl3摻雜到空穴傳輸有機材料如2-TNATA和NPD、P型導電材料和P型半導體中而得到的材料。作為電子傳導材料，例如，示例的是通過將功函低于4.OeV的金屬或金屬化合物摻雜到電子傳輸有機材料、N型導電聚合物和N型半導體中而得到的材料。作為N型半導體，示例的是N型Si、N型CdS和N型ZnS，并且作為P型半導體，示例的是P型Si、P型CdTe和P型CuO。此外，還可以使用電絕緣材料如V2O5作為電荷產生層。電荷產生層可以是單層、或者多層的層壓體。作為多層的層壓結構，示例的是具有導電性的材料如透明導電材料或金屬材料和空穴傳導材料或電子傳導材料的層壓結構的層和具有空穴傳導材料和電子傳導材料的層壓結構的層。通常，優選選擇電荷產生層的膜厚度和材料使得可見光透射率為50%以上。膜厚度不受特別限制并且可以根據預期應用適當地選擇。它優選為0.5nm至200nm，更優選Inm至lOOnm，還更優選3nm至50nm，特別優選為5nm至30nm。電荷產生層的形成方法不受特別限制，并且可以使用有機化合物層的形成方法。在多個發光層的各兩個層之間形成電荷產生層，并且電荷產生層的陽極側和陰極側可以含有具有將電荷注入到毗鄰層中的功能的材料。為了提高對毗鄰陽極側的層的電子注入性能，可以將電子注入化合物如BaO、SrO,Li2O,LiCl、LiF、MgF2、MgO、CaF2層壓在電荷產生層的陽極側。除上述描述以外，還可以參考日本專利申請公開(JP-A)2003-45676、美國專利6337492,6107734和6872472選擇電荷產生層的材料。有機EL元件可以具有共振器結構。例如，通過在透明基板上疊加，有機EL元件具有包括折射率不同的多個層壓膜的多層膜反射鏡、透明或者半透明電極、發光層以及金屬電極。從發光層產生的光在作為反射體的多層膜反射鏡和金屬電極之間重復反射并且共振。作為另一個優選實施方案，透明或者半透明電極和金屬電極分別在透明基板上起著反射體的作用，并且從發光層產生的光在它們之間重復反射并且共振。為了形成共振結構，將兩個反射體的有效折射率、由反射體之間的各層的折射率和厚度決定的光程調節至最佳值以獲得所需的共振波長。在日本專利申請公開(JP-A)9-180883中公開了第一實施方案的情況的表述。在日本專利申請公開(JP-A)2004-127795中公開了第二實施方案的情況的表述。〈含細粒層〉將含細粒層布置在從發光層發射的光的光程上并且與透明電極(例如ITO陽極)相鄰。通過將含細粒層布置成與具有高折射率的透明電極(例如ITO陽極)相鄰，可以在透明電極(例如ITO陽極)和含細粒層之間提供折射率階梯(Step)，從而顯著提高光提取效率。含細粒層至少含有有機樹脂材料和細粒，并且根據需要還包含其它的組分。含細粒層不受特別限制，只要它具有2μm至10μm的厚度即可，并且可以根據預期應用適當地選擇。但是，它優選為2μπι至5μπι。《有機樹脂材料》有機樹脂材料不受特別限制，只要它的折射率等于或低于透明電極的折射率即可，并且可以根據預期應用適當地選擇。其實例包括折射率各自為1.7以下的丙烯酸類樹月旨、聚酰亞胺樹脂和聚苯醚樹脂。《細粒》細粒不受特別限制，只要粒子的折射率高于有機樹脂材料的折射率即可，并且可以根據預期應用適當地選擇。其實例包括無機細粒如氧化鋅(折射率1.9至2.0)、氧化鋁(折射率約1.7)、二氧化鈦(TiO2)(折射率約2.6)和氧化鋯(ZrO2)(折射率約2.3)；以及有機細粒如三聚氰胺(折射率約1.6)和苯胍胺(折射率約1.65)。細粒的重量平均粒徑不受特別限制，只要它為0.5μm至5μm即可，并且可以根據預期應用適當地選擇。但是，它優選為0.5μm至2μm。當重量平均粒徑小于0.5μm時，光提取效率可能有時不足。當它大于5μm時，凹部/凸部可能出現在層表面上，從而可能影響TFT驅動。相反，在重量平均粒徑在該優選范圍的情況下，有利的是同時滿足光提取效率和TFT驅動。細粒優選以初級粒子的形式分散(單分散)于含細粒層中。通過將細粒以初級粒子的形式分散于含細粒層中，可以進一步提高光提取效率并且減少圖像滲出。將細粒以初級粒子的形式分散于含細粒層中的方法不受特別限制，并且可以根據預期應用適當地選擇。其實例包括超聲波的輻照，上述細粒分散劑的添加。細粒是否以初級粒子的形式分散可以基于其通過粒度分布計測量的粒度分布檢查。當測量的粒度分布僅僅具有一個峰時，它是指細粒以初級粒子的形式分散。當測量的粒度分布具有兩個以上的峰時，它是指細粒以次級粒子的形式分散。《其它組分》其它組分不受特別限制，并且可以根據預期應用適當地選擇。其實例包括細粒分散劑。加入細粒分散劑使得細粒以初級粒子的形式分散于含細粒層中。(分散劑)本發明的細粒的分散，優選使用具有陰離子基團的分散劑。作為陰離子基團，具有酸性質子的基團如羧基，磺酸基(磺基)，磷酸基(磺酰基)和砜酰胺基或它們的鹽是有效的。在這些之中，優選羧基，磺酸基，磷酸基或它們的鹽，特別優選羧基和磷酸基。每一個分散劑分子含有的陰離子基團的數量為1個以上是足夠的。為了提高細粒的分散性，可以在每一個分子分散劑中含有多個陰離子基團。按每一個分子計的陰離子基團數量優選為2個以上，更優選為5個以上，特別優選10個以上。此外，每一個分散劑分子可以含有多種類型的陰離子基團。具有陰離子極性基團的分散劑的具體實例包括“PHOSPHANOL”{PE-510，PE-610，LB-400，EC-6103，RE-410等，由TohoChemicalIndustryCo.,Ltd.生產}，“DISPERBYK”(-110，-111，-116，-140，-161，-162，-163，-164，-170，-171等，由BykChemieJapan生產)。優選地，分散劑還包含可交聯的或者可聚合的官能團。可交聯的或者可聚合的官能團的實例包括能夠通過自由基種子進行交聯反應/聚合反應的烯鍵式不飽和基團{例如(甲基)丙烯酰基，芳基，苯乙烯基，乙烯氧基等}，可陽離子聚合的基團(環氧基，氧雜環丁烷基，乙烯氧基，等)，以及縮聚反應性基團(可水解的甲硅烷基，N-羥甲基，等)。優選具有烯鍵式不飽和基團的官能團。在本發明中用于分散細粒的分散劑優選為具有陰離子基團和可交聯的或者可聚合的官能團的并且在側鏈上具有可交聯的或者可聚合的官能團的分散劑。在本發明中，分散劑的質量平均分子量(Mw)不受特別限制，但是，優選1，000以上。分散劑的更優選的質量平均分子量(Mw)為2，000至1，000，000，更優選為5，000至200，000，特別優選10，000至100，000。在日本專利申請公開(JP-A)2004-29705的“0109”至“0110”段中描述了在本發明中可以特別優選使用的分散劑的具體化合物。分散劑相對于細粒的用量優選在1質量％至50質量％的范圍內，更優選為5質量％至30質量％，最優選為5質量％至20質量％。作為分散劑，可以組合使用兩種以上的分散劑。<其它部件>其它部件不受特別限制并且可以根據預期應用適當地選擇。例如，示例了基板。《基板》基板不受特別限制并且可以根據預期應用適當地選擇。但是，它優選為不散射或衰減從一個或多個有機化合物層發射的光的基板。基板的材料的具體實例包括無機材料，例如，氧化釔穩定的氧化鋯(YSZ)，玻璃等，以及有機材料，如聚酯，例如，聚對苯二甲酸乙二醇酯，聚鄰苯二甲酸丁二醇酯，聚萘二甲酸乙二醇酯等，聚苯乙烯，聚碳酸酯，聚醚砜，聚烯丙基化物(polyallylate)，聚酰亞胺，聚環烯烴，降冰片烯樹脂，聚(氯三氟乙烯)，等。例如，當使用玻璃作為基板時，無堿玻璃優選被用作用于減少離子從玻璃的洗脫的材料。此外，當使用鈉鈣玻璃時，優選提供阻擋涂層如二氧化硅。在有機材料的情況下，優選使用耐熱性，尺寸穩定性，耐溶劑性，電絕緣性和可加工性優異的材料。基板的形狀、結構和尺寸不受特別限制，并且這些可以根據發光元件的預期應用和目的任意地選擇。通常，基板優選是板狀的。基板的結構可以是單層結構或者可以是層壓結構，并且可以由單個部件組成或者可以由兩個以上部件組成。基板可以是無色和透明的，或者可以是有色和透明的，但是出于不散射或者衰減從有機發光層發射的光的觀點，優選使用無色和透明基板。基板可以在前表面或者后表面上安置有水分滲透防止層(氣體阻擋層)。作為水分滲透防止層(氣體阻擋層)的材料，優選使用無機材料如氮化硅和氧化硅。水分滲透防止層(氣體阻擋層)可以通過例如高頻濺射法形成。當使用熱塑性基板時，如果必要，則還可以提供硬涂層和底涂層。在基板上形成TFT時，鈍化層可以作為TFT的基底提供。<頂部發射型有機電致發光顯示裝置>例如，如圖1所示，頂部發射型有機電致發光顯示裝置安置有玻璃基板1(折射率約1.5)，被安置在玻璃基板1上并且由SiNx，SiON等組成的鈍化層2，被安置在鈍化層2上并且由丙烯酸類樹脂等組成的夾層絕緣層3，被設置在鈍化層2上并且毗鄰夾層絕緣層3的有機薄膜晶體管(TFT)4，被設置在夾層絕緣層3上并且由金屬如鋁和銀組成的反射片5，被安置在反射片5上并且含有有機樹脂材料(折射率約1.5)，細粒(折射率高于1.5)等的含細粒層6，被安置在含細粒層6上并且由ITO等組成的透明電極(陽極)7(折射率約1.9)，被安置在透明電極(陽極)7上并且包括發光層等的有機化合物層8(折射率約1.8)，被安置在有機化合物層8上并且由鋁，銀等組成的對電極(半透射陰極)9，被安置在含細粒層6上以毗鄰透明電極(陽極)7、有機化合物層8和對電極(半透射陰極)9并且由丙烯酸類樹脂等組成的提(bank)10，被安置在對電極(半透射陰極)9上并且由SiNx，SiON等組成的密封層11(折射率約1.75)，被安置在密封層11上并且由環氧樹脂等組成的粘合劑層12(折射率約1.55)，以及被安置在粘合劑層12上并且由玻璃等組成的基板13(折射率約1.5)。夾層絕緣層3和含細粒層6也起著用于平坦化有機薄膜晶體管(TFT)4的平坦化膜的作用。接觸孔14穿過夾層絕緣層3，反射片5和在含細粒層6中形成使得透明電極(陽極)7和有機薄膜晶體管(TFT)4彼此連接。因為含細粒層6具有2μm至10μm的這樣薄的厚度，因此接觸孔14可以容易地形成，從而使得可以降低制造成本。此外，在含細粒層6中含有折射率高于有機樹脂材料的折射率的細粒，有機化合物層8中從發光層發射的光通過透明電極(陽極)7傳播并且在反射片5的表面反射，并且反射光被散射，從而可以提高光提取效率。<底部發射型有機電致發光顯示裝置>例如，如圖2所示，底部發射型有機電致發光顯示裝置安置有玻璃基板1(折射率約1.5)，被安置在玻璃基板1上并且由SiNx，SiON等組成的鈍化層2，被安置在鈍化層2上并且由有機樹脂材料(折射率約1.5)和細粒(折射率高于1.5等)等組成的含細粒層6，被安置在含細粒層6上并且由ITO等組成的透明電極(陽極)7(折射率約1.9)，被安置在透明電極(陽極)7上并且包括發光層等的有機化合物層8(折射率約1.8)，被安置在有機化合物層8上并且由鋁，銀等組成的對電極(陰極)20，被安置在含細粒層6上以毗鄰透明電極(陽極)7、有機化合物層8和對電極(陰極)20并且由丙烯酸類樹脂等組成的提10，將鈍化層2、含細粒層6、透明電極(陽極)7、有機化合物層8和對電極(陰極)20密封的密封玻璃21，以及被設置在密封玻璃21的內表面以與玻璃基板1面對的干燥劑22。此外，在由密封玻璃21密封的密封區域23中，引入干燥的氮氣。含細粒層6還起著用于平坦化有機薄膜晶體管(TFT)4的平坦化膜的作用。接觸孔14在含細粒層6中形成使得透明電極(陽極)7和有機薄膜晶體管(TFT)4彼此連接。因為含細粒層6具有2μm至10μm的這樣薄厚度，因此可以容易地形成接觸孔14，從而可以減少制造成本。作為使有機EL顯示裝置全色的方法，例如，如在MonthlyDisplay，第33-37頁(2000年7月)中所述，在基板上安置與三原色(藍色(B)，綠色(G)和紅色(R))對應的有機EL發光元件的三色發光方法，通過濾色器將被用于發白光的有機EL元件發射的白色分成三種顏色的白色方法，以及通過熒光染料層將被用于發藍光的有機EL元件發射的藍色轉換紅色(R)和綠色(G)的顏色轉換方法是已知的。此外，通過組合使用能夠通過上述方法獲得的發光顏色不同的多個有機EL元件，可以獲得所需的發光顏色的平面光源。例如，示例的是組合藍色和黃色發光器件的白色發射光源，以及組合藍色、綠色和紅色的發光器件的白色發射光源。實施例下面，將參考具體實施例進一步詳細地描述本發明，但是，本發明不限于此。(實施例1)<細粒分散液的制備>在丙二醇單甲基乙酸酯(PGMEA)溶劑中添加氧化鋅(重量平均粒徑0.8μm，折射率2.0，由SakaiChemicalIndustryCo.，Ltd.生產)，使得粉末量為30重量％，并且在用冰冷卻的同時，通過施加10分鐘超聲波而分散，以制備分散液。使用富混合物(rich-mixture)型粒度分析儀FPAR-1000(由OtsukaElectronicsCo.,Ltd.生產)將所得到的分散液進行分散粒度分布的測量，并且發現其是峰值為l.lym的單分散。<丙烯酸類樹脂溶液的制備>作為丙烯酸類樹脂溶液，制備甲基丙烯酸_甲基丙烯酸芐酯共聚物(重均分子量約10，000;甲基丙烯酸-甲基丙烯酸芐酯=37(摩爾比)；丙烯酸樹脂的折射率1.53;固含量45%；溶劑丙二醇單甲醚乙酸酯，由FujikuraKaseiCo.，Ltd.生產)的溶液。〈含細粒層的制備〉將細粒分散液在攪拌的情況下加入到丙烯酸類樹脂溶液中，并且制備含細粒層形成液體，使得氧化鋅細粒相對于樹脂的體積分數為20%。<有機電致發光顯示裝置的制造>在作為絕緣基板31的玻璃基板上，通過CVD法形成由SiO2膜組成的緩沖層32，通過CVD法在緩沖層32上沉積多晶硅層，隨后，通過常用的光蝕刻法形成島狀多晶硅層33，以形成層壓體(圖3A)。隨后，在通過CVD法在這樣的層壓體上的整個表面上沉積SiO2膜之后，通過濺射沉積AlNd膜，然后通過常用的光蝕刻法進行SiO2膜和AlNd膜的圖案化，以形成柵極絕緣膜34和柵極電極35(圖3B)。接著，例如，使用柵極電極35作為掩模，通過離子注入，用磷離子對島狀多晶硅層33進行離子注入，以在島狀多晶硅層33中在柵極電極35的兩側形成源極區域36和漏極區域37，而島狀多晶硅層33的其余部分是作為溝道層38安置的(圖3C)。接著，在通過CVD法在層壓體的整個表面上沉積由SiN膜組成的夾層絕緣膜39后，通過常用的光蝕刻法形成接觸孔40和41使其到達源極區域36和漏極區域37中的每一個(圖3D)。接著，在層壓體的整個表面上沉積由Al/Ti/Al組成的多層導電層，并且通過常用的光蝕刻法進行圖案化以形成源極電極42和漏極電極45，從而制備用于有機EL的TFT基板(圖4)。向這樣制備的用于有機EL的TFT基板上，通過旋涂涂覆已經制備的丙烯酸類樹脂溶液以形成厚度為0.8μm的夾層絕緣層，并且通過濺射在夾層絕緣層上沉積鋁以形成厚度為IOnm的Al反射片。此外，通過旋涂將已經制備的含細粒層形成液體涂覆到Al反射片上以形成厚度為3μπι的含細粒層。在含細粒層、Al反射片和夾層絕緣層中形成接觸孔(用于連接有機薄膜晶體管(TFT)和上述ITO電極(陽極))，然后在層壓體的表面上沉積ITO(折射率約1.9)，以形成厚度為IOOnm的ITO電極(陽極)。此外，在ITO電極(陽極)上，將有機化合物層(空穴注入層，空穴傳輸層，發光層和電子注入層)以此順序形成。首先，通過沉積2-ΤΝΑΤΑ[4，4’，4”_三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺]以具有50nm的厚度而形成空穴注入層。此外，在空穴注入層上，通過沉積a_NPD[N，N’_(二萘基苯基氨基)芘]以具有50nm的厚度而形成空穴傳輸層。而且，在空穴傳輸層上，通過沉積Alq3[8_羥基喹啉-鋁配合物]以具有50nm的厚度而形成發光層。最后，在發光層上，通過沉積吡啶衍生物以具有25nm的厚度而形成電子注入層。之后，通過沉積將半透射陰極(Al電極和Ag電極)以此順序形成。首先，通過沉積厚度為IOOnm的鋁并且進一步沉積厚度為IOOnm的銀，形Al電極。此外，沉積SiON以形成厚度為25μm的密封層。向密封層上，涂覆光固化型環氧粘合劑以形成厚度為IOOnm的粘合劑層，并且在用于密封的粘合劑層上安置玻璃基板，從而制備頂部發射型有機電致發光顯示裝置。<TFT驅動的評價〉將這樣制備的有機電致發光顯示裝置的所有像素接通，并且評價是否有存在有缺陷的像素。根據下列5個等級評價結果在沒有包括有缺陷的像素的情況下評級為“1”;有缺陷的像素與所有像素的比率大于0%并且小于5%評級為“2”;有缺陷的像素與所有像素的比率等于或大于5%并且小于10%評級為“3”；有缺陷的像素與所有像素的比率等于或大于10%并且小于50%評級為“4”;并且有缺陷的像素與所有像素的比率為50%以上評級為“5”。評價結果顯示在表1中。<總光強度的測量>將配備有光傳感器的積分球裝置連接至制造的有機電致發光顯示裝置。然后，對有機EL顯示裝置施加5V電壓以使其發光，并且測量在其光提取表面發射的總光量。具體地，相互比較相對總光強度(當比較例1的上述有機EL顯示裝置的總光量被認為是“1”時的總光強度)。結果顯示在表1中。〈圖像滲出的評價〉使圖像和字符顯示在制造的有機電致發光顯示裝置的屏幕上，并且在視覺上觀察圖像滲出的水平并且根據下列標準評價。評價結果顯示在表1中。《評價標準》沒有觀察到圖像滲出1幾乎沒有觀察到圖像滲出2稍微觀察到圖像滲出3觀察到圖像滲出4觀察到圖像滲出，并且可見度嚴重降低5(比較例1)以與實施例1中相同的方式制造頂部發射型有機電致發光顯示裝置，不同之處在于作為含細粒層形成液體，直接使用在沒有添加任何細粒分散液的情況下制備的丙烯酸類樹脂溶液代替使用其中添加細粒分散液的丙烯酸類樹脂溶液。然后，將得到的有機EL顯示裝置進行TFT驅動、總光強度和圖像滲出的評價。評價結果顯示在表1中。(實施例2)以與實施例1中相同的方式制造頂部發射型有機電致發光顯示裝置，不同之處在于使用沒有經過10分鐘超聲波分散的多分散細粒分散液(測量的分散粒度分布的峰值2.8μm)代替經過10分鐘超聲波分散的單分散細粒分散液(測量的分散粒度分布的峰值1.lym)。然后，將得到的有機EL顯示裝置進行TFT驅動、總光強度和圖像滲出的評價。評價結果顯示在表1中。(實施例3)以與實施例1中相同的方式制造頂部發射型有機電致發光顯示裝置，不同之處在于使用三聚氰胺(重量平均粒徑2.Ομ，折射率1.65，由NissanChemicalIndustriesLtd.生產)的細粒分散液(單分散，測量的分散粒度分布的峰值2.3μπι)形成含細粒層形成液體，使得三聚氰胺細粒相對于樹脂的體積分數為15%，并且形成厚度為IOym的含細粒層，代替使用氧化鋅(重量平均粒徑0.8μm，折射率2.0，由SakaiChemicalIndustryCo.,Ltd.生產)的細粒分散液(單分散，測量的分散粒度分布的峰值l.lym)形成含細粒層形成液體，使得氧化鋅細粒的體積分數為20%，并且形成厚度為3μm的含細粒層。然后，將得到的有機EL顯示裝置進行TFT驅動、總光強度和圖像滲出的評價。評價結果顯示在表1中。(實施例4)以與實施例1中相同的方式制造頂部發射型有機電致發光顯示裝置，不同之處在于使用氧化鋯(重量平均粒徑0·6μm，折射率2·3，由DaiichiKigensoKagakuKogyoCo.，Ltd.生產)的細粒分散液(單分散，測量的分散粒度分布的峰值0.7μm)，并且作為丙烯酸類樹脂溶液，制備聚酰亞胺樹脂溶液(固含量45%；溶劑丙二醇單甲醚乙酸酯，由FujikuraKaseiCo.,Ltd.生產)以形成含細粒層形成液體使得氧化鋯細粒相對于樹脂的體積分數為10%，并且形成厚度為2μπι的含細粒層，代替使用氧化鋅(重量平均粒徑0.8μπι，折射率2·0，由SakaiChemicalIndustryCo.,Ltd.生產)的細粒分散液(單分散，測量的分散粒度分布的峰值1.Iym)并且制備甲基丙烯酸-甲基丙烯酸芐酯共聚物(重均分子量約10，000;甲基丙烯酸-甲基丙烯酸芐酯=37(摩爾比)；丙烯酸樹脂的折射率1.53；固含量45%；溶劑丙二醇單甲醚乙酸酯，由FujikuraKaseiCo.，Ltd.生產)的溶液作為丙烯酸類樹脂溶液以形成含細粒層形成液體，使得氧化鋅細粒的體積分數為20%，并且形成厚度為3μm的含細粒層。然后，將得到的有機EL顯示裝置進行TFT驅動、總光強度和圖像滲出的評價。評價結果顯示在表1中。注意聚酰亞胺樹脂由聚酰亞胺前體得到，并且根據下列程序進行聚酰亞胺前體的合成。在通過將4，4’-二氨基二苯基醚(DDE)(4.9g)溶解在N，N-二甲基乙酰胺(DMAc)(40mL)中制備的溶液中，將等摩爾的均苯四甲酸二酐(PMDA)的粉末(5.5g)逐漸地加入并且攪拌約3小時，從而獲得作為聚酰亞胺前體的聚酰胺酸(PAA)。(實施例5)以與實施例4中相同的方式制造頂部發射型有機電致發光顯示裝置，不同之處在于制備含細粒層形成液體，使得氧化鋯細粒相對于樹脂的體積分數為8%，形成厚度為1.0μm的夾層絕緣層并且形成厚度為5μm的含細粒層，代替制備含細粒層形成液體，使得氧化鋯細粒相對于樹脂的體積分數為10%，形成厚度為0.8μπι的夾層絕緣層并且形成厚度為2μπι的含細粒層。然后，將得到的有機EL顯示裝置進行TFT驅動、總光強度和圖像滲出的評價。評價結果顯示在表1中。(實施例6)以與實施例4中相同的方式制造頂部發射型有機電致發光顯示裝置，不同之處在于使用苯胍胺(重量平均粒徑0.55μm,折射率1.66，由NipponShokubaiCo.，Ltd.生產)的細粒分散液(單分散，測量的分散粒度分布的峰值0.55μm)以制備含細粒層形成液體，使得苯胍胺細粒相對于樹脂的體積分數為17%，并且形成厚度為5μπι的含細粒層，代替使用氧化鋯(重量平均粒徑0·6μm，折射率2·3，由DaiichiKigensoKagakuKogyoCo.,Ltd.生產)的細粒分散液(單分散，測量的分散粒度分布的峰值0.7μm)，使得氧化鋯細粒相對于樹脂的體積分數為10%，并且形成厚度為2μπι的含細粒層。然后，將得到的有機EL顯示裝置進行TFT驅動、總光強度和圖像滲出的評價。評價結果顯示在表2中。(比較例2)以與實施例4中相同的方式制造頂部發射型有機電致發光顯示裝置，不同之處在于使用二氧化硅(重量平均粒徑1.Ομπι，折射率1.43，由NipponShokubaiCo.，Ltd.生產)的細粒分散液(單分散，測量的分散粒度分布的峰值1.0μπι)以制備含細粒層形成液體，使得二氧化硅細粒相對于樹脂的體積分數為15%，并且形成厚度為4μπι的含細粒層，代替使用氧化鋯(重量平均粒徑0.6μm，折射率2.3，由DaiichiKigensoKagakuKogyoCo.,Ltd.生產)的細粒分散液(單分散，測量的分散粒度分布的峰值0.7μm)，使得氧化鋯細粒相對于樹脂的體積分數為10%，并且形成厚度為2μπι的含細粒層。然后，將得到的有機EL顯示裝置進行TFT驅動、總光強度和圖像滲出的評價。評價結果顯示在表2中。(實施例7)以與實施例4中相同的方式制造底部發射型有機電致發光顯示裝置，不同之處在于將實施例4的有機電致發光顯示裝置的制備程序改變為下述制備程序并且制備底部發射型有機電致發光顯示裝置。然后，將得到的有機EL顯示裝置進行TFT驅動、總光強度和圖像滲出的評價。評價結果顯示在表2中。<有機電致發光顯示裝置的制造>在被用作絕緣基板31的玻璃基板上，通過CVD法形成由SiO2膜組成的緩沖層32，通過CVD法在緩沖層32上沉積多晶硅層，隨后，通過常用的光蝕刻法形成島狀多晶硅層33以形成層壓體(圖3Α)。隨后，在通過CVD法在這樣形成的層壓體的整個表面上沉積SiO2膜之后，通過濺射沉積AlNd膜，然后通過常用的光蝕刻法進行SiO2膜和AlNd膜的圖案化以形成柵極絕緣膜34和柵極電極35(圖3Β)。接著，例如，使用柵極電極35作為掩模通過離子注入，用磷離子對島狀多晶硅層33進行離子注入，以在島狀多晶硅層33中在柵極電極35的兩側形成源極區域36和漏極區域37，而島狀多晶硅層33的其余部分是作為溝道層38安置的(圖3C)。接著，在通過CVD法在層壓體的整個表面上沉積由SiN膜組成的夾層絕緣膜39之后，通過常用的光蝕刻法形成接觸孔40和41使其到達各個源極區域36和漏極區域37(圖3D)。接著，在層壓體的整個表面上沉積由Al/Ti/Al組成的多層導電層，并且通過常用的光蝕刻法進行圖案化以形成源極電極42和漏極電極45，從而制備用于有機EL的TFT基板(圖5)。在這樣制備的用于有機EL的TFT基板上，通過旋涂涂覆已經制備的含細粒層形成液體以形成厚度為2μπι的含細粒層。在含細粒層中形成接觸孔(用于連接有機薄膜晶體管(TFT)和上述ITO電極(陽極))，并且在層壓體的表面上沉積ITO(折射率約1.9)，以形成厚度為IOOnm的ITO電極(陽極)。此外，在ITO電極(陽極)上，將有機化合物層(空穴注入層，空穴傳輸層，發光層和電子注入層)以此順序形成。首先，通過沉積2-ΤΝΑΤΑ[4，4’，4”_三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺]以具有50nm的厚度而形成空穴注入層。此外，在空穴注入層上，通過沉積α-NPD[N，N’-(二萘基苯基氨基)芘]以具有50nm的厚度而形成空穴傳輸層。而且，在空穴傳輸層上，通過沉積Alq3[8-羥基喹啉_鋁配合物]以具有50nm的厚度而形成發光層。最后，在發光層上，通過沉積吡啶衍生物以具有25nm的厚度而形成電子注入層。之后，通過沉積，將陰極(Al電極和Ag電極)以此順序形成。首先，通過沉積厚度為IOOnm的鋁并且進一步沉積厚度為IOOnm的銀，形Al電極。此外，安置具有附著到其上的干燥劑的密封玻璃以密封層壓體，并且將干燥的氮氣引入到密封區域中，從而制備底部發射型有機電致發光顯示裝置。使用底部發射型有機EL顯示裝置的評價試驗結果顯示在表2中。(比較例3)以與實施例7中相同的方式制造底部發射型有機電致發光顯示裝置，不同之處在于作為含細粒層形成液體，直接使用在沒有添加任何細粒分散液的情況下制備的聚酰亞胺樹脂溶液代替使用其中添加細粒分散液的聚酰亞胺樹脂溶液。然后，將得到的有機EL顯示裝置進行TFT驅動、總光強度和圖像滲出的評價。評價結果顯示在表2中。(實施例8)以與實施例1中相同的方式制造頂部發射型有機電致發光顯示裝置，不同之處在于使用二氧化鈦(重量平均粒徑0.5μm，折射率2.6，由SakaiChemicalIndustryCo.，Ltd.生產)的細粒分散液(單分散，測量的分散粒度分布的峰值0.7μm)，制備聚苯醚樹脂溶液，制備含細粒層形成液體使得二氧化鈦細粒相對于聚苯醚樹脂的體積分數為10%，形成厚度為1μm的夾層絕緣層并且形成厚度為2μm的含細粒層，代替使用氧化鋅(重量平均粒徑0.8μ，折射率2.0，由SakaiChemicalIndustryCo.，Ltd.生產)的細粒分散液，制備甲基丙烯酸-甲基丙烯酸芐酯共聚物(重均分子量約10，000；甲基丙烯酸-甲基丙烯酸芐酯=37(摩爾比)；丙烯酸樹脂的折射率1.53;固含量45%;溶劑丙二醇單甲醚乙酸酯，由FujikuraKaseiCo.，Ltd.生產)的溶液作為丙烯酸類樹脂溶液，制備含細粒層形成液體，使得氧化鋅細粒相對于丙烯酸類樹脂的體積分數為20%，形成厚度為0.8μm的夾層絕緣層并且形成厚度為3μm的含細粒層。然后，將得到的頂部發射型有機EL顯示裝置進行TFT驅動、總光強度和圖像滲出的評價。評價結果顯示在表2中。以下列方式進行聚苯醚樹脂溶液的制備。首先，將3-甲基兒茶酚(4.96g)和二氫吡喃(1.81mL)溶解在6.OmL甲苯中，并且加入0.025g對-甲苯磺酸吡啶鐺，同時將反應體系得溫度保持在0°C至5°C。在將反應體系攪拌幾分鐘之后，將已經溶解在2.OmL甲苯中的3.62mL二氫吡喃緩慢地逐滴供應到反應體系中。此外，將0.025g對-甲苯磺酸吡啶鐺加入其中，并且將反應體系氮氣氛下，于室溫攪拌1小時。將反應溶液用60mL乙醚稀釋并且用0.2%氫氧化鈉水溶液洗滌以獲得乙醚層。將形成的乙醚層用硫酸鈉干燥以蒸餾掉乙醚組分。通過柱色譜法(硅膠，甲苯)純化其余無色和油性物質，從而產生2-(四氫吡喃-2-基)氧基-6-甲基苯酚。接著，將1.OmL吡啶加入到0.030g氯化亞銅中，并且在氮氣氛下攪拌以獲得亞銅(II)-吡啶配合物溶液。向該種溶液加入總量為6.Ommol(摩爾比7525)的2_(四氫吡喃-2-基)氧基-6-基苯酚和2.6-二甲苯酚以及5.OmL與甲苯混合的硫酸鈉，并且在室溫反應2小時。在完成反應后，將反應溶液傾倒入甲醇中，并且獲得棕色沉降物。將沉降物過濾出，然后溶解在四氫呋喃中。將微量的鹽酸加入到沉降物中以進行去保護。此外，將沉降物投入到鹽酸水溶液中，并且獲得沉降物。然后將沉降物過濾出，并且用水洗滌以獲得聚苯醚樹脂(重均分子量23，000，折射率1.64)。將量為30質量份的聚苯醚樹脂溶解在70質量份環己酮(由KantoKagakuK.K.生產)中以制備聚苯醚樹脂溶液。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage32</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage33</column></row><table>顯示在表l和2中的結果表明，與比較例l和3的有機電致發光顯示裝置以及比較例2的有機電致發光顯示裝置相比，實施例l至8的有機電致發光顯示裝置導致了光提取效率(總光強度)的改善，實施例l至8的有機電致發光顯示裝置的含細粒層中的有機樹脂材料的折射率為1.53至1.64，低于約1.9的透明電極(ITO陽極)的折射率，并且含細粒層中的細粒的折射率為1.65至2.6，高于1.53至1.64的有機樹脂材料的折射率，并且在含細粒層中的細粒的重量平均粒徑和厚度分別為0.5μm至5μm以及2μm至10μm，在比較例1和3的有機電致發光顯示裝置中，沒有安置含細粒層，而比較例2的有機電致發光顯示裝置的含細粒層中的細粒的折射率低于有機樹脂材料的折射率。另外，發現，與測量的細粒分散粒度為多分散的實施例3的有機電致發光顯示裝置的光提取效率(總光強度)和圖像滲出評價結果相比，測量的細粒分散粒度為單分散的實施例1、2和4至8的有機電致發光顯示裝置具有更多地改善的光提取效率(總光強度)和更有利的圖像滲出評價結果。本發明的有機電致發光顯示裝置能夠提高光提取效率，具有亮度并且對于底部發射型有機電致發光顯示裝置和頂部發射型有機電致發光顯示裝置都適宜。它適用于例如有機EL照明等。權利要求一種有機電致發光顯示裝置，所述有機電致發光顯示裝置包括有機電致發光元件，所述有機電致發光元件包括透明電極、對電極和被安置在所述透明電極和所述對電極之間的有機化合物層，所述有機化合物層包括發光層，和含細粒層，所述含細粒層被布置在從所述發光層發射的光的光程上并且與所述透明電極相鄰，其中所述含細粒層含有有機樹脂材料和細粒，所述有機樹脂材料的折射率等于或低于所述透明電極的折射率，所述細粒的折射率高于所述有機樹脂材料的折射率并且重量平均粒徑為0.5μm至5μm，并且所述含細粒層的厚度為2μm至10μm。2.根據權利要求1所述的有機電致發光顯示裝置，其中在所述含細粒層中的所述細粒是初級粒子。3.根據權利要求1所述的有機電致發光顯示裝置，其中所述含細粒層還包含細粒分散劑。4.根據權利要求1所述的有機電致發光顯示裝置，其還包括反射片，所述反射片被設置在所述含細粒層的與安置有所述透明電極的表面相反的表面上；夾層絕緣層，所述夾層絕緣層被設置在所述反射片的與所述含細粒層相鄰的表面相反的表面上；和基板，所述基板被設置在所述夾層絕緣層的與所述反射片相鄰的表面相反的表面上。5.根據權利要求1所述的有機電致發光顯示裝置，其還包括基板，所述基板被設置在所述含細粒層的與安置有所述透明電極的表面相反的表面上。6.根據權利要求4所述的有機電致發光顯示裝置，其還包括被設置在鈍化層上的有機薄膜晶體管。7.根據權利要求6所述的有機電致發光顯示裝置，其中所述有機電致發光顯示裝置的驅動器系統是薄膜晶體管驅動器。8.根據權利要求6所述的有機電致發光顯示裝置，其中在所述含細粒層中，形成用于連接所述透明電極和所述有機薄膜晶體管的接觸孔。全文摘要本發明提供一種有機電致發光顯示裝置，其包括有機電致發光元件，所述有機電致發光元件包括透明電極、對電極和被安置在所述透明電極和所述對電極之間的有機化合物層，所述有機化合物層包括發光層；和含細粒層，所述含細粒層被布置在從所述發光層發射的光的光程上并且與所述透明電極相鄰，其中所述含細粒層含有有機樹脂材料和細粒，所述有機樹脂材料的折射率等于或低于所述透明電極的折射率，所述細粒的折射率高于所述有機樹脂材料的折射率并且重量平均粒徑為0.5μm至5μm，并且所述含細粒層的厚度為2μm至10μm。文檔編號H01L51/56GK101800241SQ20101011344公開日2010年8月11日申請日期2010年2月3日優先權日2009年2月3日發明者森裕行,疋田政憲,細田英正申請人:富士膠片株式會社