專利名稱：：電子器件的制作方法
技術領域：
：本發明涉及一種電子器件。
背景技術：
：有通過將諸如半導體芯片的電子部件安裝在基板上并且之后用密封樹脂密封該半導體芯片以形成封裝的已知技術。通常，利用單一樹脂組合物進行封裝。然而，當存在接合引線時，需要防止在用密封樹脂來密封半導體芯片時該引線在樹脂中彎曲(swe印)并因此傾倒。還需要抑制密封封裝的翹曲行為。當使用單一樹脂組合物時，難以最優化樹脂材料，以便同時滿足這些要求。因此，獲得最佳性能就要求準備和/或開發大量的樹脂材料，這導致高成本和低生產率。日本專利特開No.08-162573公開了一種半導體器件，其中，半導體元件經由粘合劑層安裝在上面形成有電路的基板上，由此該半導體元件被樹脂硬化體層密封，該樹脂硬化體層具有兩層結構，由樹脂硬化體內層和樹脂硬化體外層組成。在這種情況下，樹脂硬化體內層的填充劑含量設定得低于樹脂硬化體外層的填充劑含量。因而，本公開的目的是可以抑制發生引線彎曲并且可以提供具有較低翹曲產生風險的半導體器件。然而，在諸如半導體芯片的多個電子部件和無源部件安裝在一個基板上的情況下，或者電子部件不布置在基板中心的情況下，就會有問題存在密封樹脂與電子部件之間的位置平衡由位置與位置的不同而不同，會導致密封樹脂的收縮力(內力)不同且在封裝中產生應力。日本專利特開No.08-162573中公開的技術沒有提供考慮密封樹脂與電子部件之間位置平衡的控制。
發明內容本發明提供一種電子器件，包括基板；電子部件，其安裝在基板的一個面上；以及密封樹脂，其形成在基板的一個面上并且密封電子部件，其中密封樹脂包括由第一樹脂組合物構成的第一樹脂區域和由第二樹脂組合物構成的第二樹脂區域，該密封樹脂形成為在平面圖中具有其中僅存在第一樹脂區域的區域和其中僅存在第二樹脂區域的區域。因而，例如，即使在密封樹脂與諸如半導體芯片和無源部件的電子部件之間的位置平衡根據位置與位置的不同而不同時，通過利用多種樹脂組合物來提供如平面圖所示的、其中電子部件設置為彼此不重疊的區域，并且控制第一樹脂區域和第二樹脂區域的位置圖案和構造，也可以糾正這種平衡，以減小封裝上的應變并由此減小翹曲。此外，上述部件的任意組合，以及在方法、器件等之間本發明描述的相互轉換，作為本發明的多個方面是有效的。根據本發明，即使當電子部件不均勻地設置在基板上時，也可以減輕密封樹脂的收縮力的差，并可以減小封裝上的應變。圖圖圖圖圖圖圖的橫截面圖圖的橫截面圖1是示出根據本發明實施例的半導體器件構造示例的橫截面圖；2A和2B是示出根據本發明實施例的半導體器件構造示例的平面圖；3是示出根據本發明實施例的半導體器件另一構造示例的橫截面圖；4是示出根據本發明實施例的半導體器件另一構造示例的平面圖5是示出根據本發明實施例的半導體器件另一構造示例的平面圖6是示出根據本發明實施例的半導體器件另一構造示例的平面圖7A和7B是示出根據本發明實施例的利用傳遞模塑模具制造半導體器件的工序;以及8A和8B是示出根據本發明實施例的利用傳遞模塑模具制造半導體器件的工序具體實施例方式在下文中，將參考附圖來描述本發明的實施例。在所有的圖中，相同的部件用相同的附圖標記表示并且將適當省略對它們的描述。圖1是示出根據本實施例的半導體器件構造示例的橫截面圖。圖2是示出根據本實施例的半導體器件構造示例的平面圖。圖l對應于圖2B中的a-a'橫截面圖。半導體器件100(電子器件)包括基板102、在基板102的一個面上安裝的半導體芯片104(電子部件)、電連接半導體芯片104和基板102的接合引線106、設置在半導體芯片104頂部上的半導體芯片108(電子部件)、電連接半導體芯片108和基板102的接合引線110以及密封樹脂118。此外，半導體芯片104、接合引線106、半導體芯片108和接合引線110都嵌入在密封樹脂118中。在本實施例中，基板102可以采取多個布線層彼此連接的多層布線基板的形式。圖2A是示出半導體芯片104、接合引線106、半導體芯片108和接合引線110由密封樹脂118密封之前的狀態平面圖。在本實施例中，半導體芯片104和半導體芯片108相對于穿過基板102中心的至少一條中心線被不對稱地設置。具體地，半導體芯片104相對于穿過基板102中心的線b-b'被不對稱地設置。另一方面，半導體芯片108相對于線b-b'被不對稱地設置。結果，半導體芯片104和半導體芯片108相對于線b-b'被不對稱地設置。圖2B是示出半導體芯片104、接合引線106、半導體芯片108和接合引線110由密封樹脂118密封之后的狀態平面圖。在圖2B中，半導體芯片104、接合引線106、半導體芯片108和接合引線IIO用虛線繪出，使得它們的位置關系更好理解。在本實施例中，密封樹脂118包括由第一樹脂組合物構成的第一樹脂區域120和由第二樹脂組合物構成的第二樹脂區域122。另外，密封樹脂118被形成為包括如平面圖所示的僅存在第一樹脂區域120的區域和僅存在第二樹脂區域122的區域。此外，密封樹脂118包括在第一樹脂區域120和第二樹脂區域122之間形成的混合層121，并且該混合層包含第一樹脂組合物和第二樹脂組合物的混合物。第一樹脂區域120和混合層121之間的界面和第二樹脂區域122和混合層121之間的界面分別具有起伏。在圖l示出的示例中，線b-b'作為邊界線，第一樹脂區域120形成在左側區域上，如其中設置有半導體芯片108的圖所示。另一方面，第二樹脂區域122形成在右側區域上，如其中沒有設置半導體芯片108的圖所示。另外，混合層121形成在第一樹脂區域120和第二樹脂區域122之間的整個區域上。換句話說，半導體芯片108和接合引線110嵌入在第一樹脂區域120中。另外，對于半導體芯片104和接合引線106來說，一半嵌入在第一樹脂區域120中，而剩余的一半嵌入在第二樹脂區域122中。構成第一樹脂區域120的第一樹脂組合物和構成第二樹脂區域122的第二樹脂組合物可以分別包括作為原材料的基礎樹脂、硬化劑和填充劑。另外，對于原材料，第一樹脂組合物和第二樹脂組合物可以進一步包括塑化劑、硬化促進劑、潛伏性催化劑、脫模劑、硅油、應力消除劑、著色劑等。例如，硅土或氧化鋁填充劑可以用作填充劑。例如，第一樹脂組合物和第二樹脂組合物可以設置成流動性在硬化之前的密封期間加熱時彼此不同。另外，第一樹脂組合物和第二樹脂組合物，例如，可以設置為具有不同的硬化/收縮特性。此外，第一樹脂組合物和第二樹脂組合物，例如，可以設置為具有不同的玻璃轉變溫度(Tg)。第一樹脂組合物與第二樹脂組合物的玻璃轉換溫度差可以設定為例如5攝氏度或更大。另外，第一樹脂組合物和第二樹脂組合物可以設置為例如相對于整個樹脂組合物具有不同的填充劑含量(重量百分比)。通過降低填充劑含量(重量百分比)，可以增加樹脂組合物的流動性。第一樹脂組合物和第二樹脂組合物之間的相對于整個樹脂組合物的填充劑含量(重量百分比)差可以設定為例如重量百分比為1或更高。另外，第一樹脂組合物和第二樹脂組合物可以設置為分別包含例如具有不同平均顆粒直徑的填充劑。通過增加填充劑的平均顆粒直徑，可以增加樹脂組合物的流動性。分別包含在第一樹脂組合物和第二樹脂組合物中的填充劑的平均顆粒直徑差可以設定為例如5um或更大。此外，第一樹脂組合物和第二樹脂組合物可以設置為具有，例如，不同的原材料類型或比率。第一樹脂組合物和第二樹脂組合物可以設置為具有，例如，不同的基礎樹脂或硬化劑。在本實施例中，例如，形成第一樹脂區域120的區域，與形成第二樹脂區域122的區域相比，具有更低的單位體積平均樹脂量。在這種情況下，通過涉及使構成第一樹脂區域120的第一樹脂組合物的填充劑量等與構成第二樹脂區域122的第二樹脂組合物的填充劑量等不同的最優化，可以減小半導體器件100的翹曲或應變。此外，對于包含大量接合引線的區域，可以使用高流動性的樹脂組合物。例如，在本示例中，構成第一樹脂區域120的第一樹脂組合物可以設置為具有高流動性。因此，在該樹脂中可以防止接合引線被彎曲和傾倒。另外，對于包含少量接合引線的區域，可以使用低流動性樹脂組合物。這是因為通常使用低流動性樹脂組合物能夠減小硬化樹脂的收縮并減小翹曲的發生。在本實施例中，通過改變第一樹脂組合物和第二樹脂組合物的成分比，可以控制翹曲行為。因此，可以獲得在密封期間具有低翹曲和低封裝翹曲的高可靠性的封裝構造，而不必準備大量的樹脂組合物。在這種情況下，例如，第一樹脂組合物和第二樹脂組合物的成分比可以設定為第一樹脂組合物第二樹脂組合物=等于或大于99:l且等于或低于i:99，并且優選等于或大于90:io且等于或低于io:90。因而，可以控制半導體器件100的翹曲量。此外，在本實施例中，通過具有存在于第一樹脂區域120和第二樹脂區域122之間的混合層121，在第一樹脂區域120和第二樹脂區域122之間可以獲得良好粘附性，并且可以防止兩個區域之間的分離。另外，在本實施例中，由于第一樹脂區域120和混合層121之間的界面和第二樹脂區域122和混合層121之間的界面分別具有起伏且不平滑，所以可以進一步增強第一樹脂區域120和混合層121之間以及第二樹脂層122和混合層121之間的粘附性。在這種情況下，"具有起伏"指的是形成了多個凹陷和突起的構造，如界面的橫截面圖所示。雖然沒有具體限制密封樹脂118的膜厚度(模子厚度)，例如，膜厚度可以設定為大約0.10mm或更多且1.20mm或更小。因此，可以獲得最佳的封裝結構。圖3是示出根據本實施例的半導體器件100的另一構造示例的橫截面圖。圖4是示出根據本實施例的半導體器件100的另一構造示例的平面圖。圖3對應于圖4的c-c'橫截面圖。在圖4中，半導體芯片104、接合引線106、半導體芯片108和接合引線110用虛線繪出，使得它們的位置關系更好理解。在本示例中，半導體芯片104和半導體芯片108并置在基板102上。另外，如圖4所示，還在本示例中，半導體芯片104和半導體芯片108相對于通過基板102中心的至少一條中心線被不對稱地設置。具體地，半導體芯片104和半導體芯片108相對于通過基板102中心的線b-b'被不對稱地設置。即使在這種構造中，例如，第一樹脂區域120形成其中設置有半導體芯片104和半導體芯片108的主區域中，而第二樹脂區域122形成在另一區域中。另外，混合層121形成在第一樹脂區域120與第二樹脂區域122之間的整個區域上。在本示例中，例如，形成第一樹脂區域120的區域，與形成第二樹脂區域122的區域相比，具有更低的單位體積平均樹脂量。在這種情況下，通過涉及使構成第一樹脂區域120的第一樹脂組合物的填充劑量等與構成第二樹脂區域122的第二樹脂組合物的填充劑量等不同的最優化，可以減小半導體器件100的翹曲或應變。此外，雖然示出了第二樹脂區域122與半導體芯片104和半導體芯片108部分重疊的構造，但是還可以是第二樹脂區域122提供在除了設置有半導體芯片104和半導體芯片108的區域之外的區域處的構造。圖5是示出根據本實施例的半導體器件100的另一構造示例的平面圖。在這種構造中，除了包括半導體芯片104、接合引線106、半導體芯片108和接合引線IIO之外，半導體器件100包括多個無源部件130。在圖5中，半導體芯片104、接合引線106、半導體芯片108、接合引線IIO和無源部件130用虛線繪出，使得更好地理解它們的位置關系。另外，還在本示例中，半導體芯片104、半導體芯片108和多個無源部件130至少相對于線b-b'被不對稱地設置，線b-b'是通過基板102中心的一條中心線。即使在這種構造中，例如，第一樹脂區域120形成在設置有半導體芯片104和半導體芯片108的區域中，而第二樹脂區域122形成在形成有無源部件130的區域中。另外，混合層121形成在第一樹脂區域120和第二樹脂區域122之間的整個區域上。在這種情況下，大量的接合引線存在于第一樹脂區域120中。因此，高流動性樹脂組合物可以用作構成第一樹脂區域120的樹脂組合物。因此，可以防止接合引線在該樹脂中彎曲和傾倒。另一方面，低流動性樹脂組合物可以用作構成不包括大量接合引線的第二樹脂區域122的樹脂組合物。從而，可以控制半導體器件100的翹曲行為，同時防止接合引線106被彎曲掉。圖6是示出根據本實施例的半導體器件100的另一構造示例的平面圖。在該構造中，半導體器件100包括半導體芯片104、半導體芯片108、接合引線110以及多個無源部件130。在圖6中，半導體芯片104、半導體芯片108、接合引線IIO和無源部件130用虛線繪出，使得更好地理解它們的位置關系。雖然在圖l至5中示出了半導體芯片104和半導體芯片108通過接合引線106和接合引線110分別連接到基板102的示例，但是所述示例設置成諸如包括倒裝芯片互連構造的各種形式。圖6示出半導體芯片104被倒裝芯片互連到基板102的示例。另外，還在本示例中，半導體芯片104、半導體芯片108和多個無源部件130至少相對于線b-b'被不對稱地設置，線b-b'是通過基板102的中心的一條中心線。此外，在本示例中，除了第一樹脂區域120和第二樹脂區域122之外，密封樹脂118還包括由第三樹脂組合物構成的第三樹脂區域124。在這種情況下，構成第三樹脂區域124的第三樹脂組合物還包括作為原材料的基礎樹脂、硬化劑和填充劑。另外，第三樹脂組合物可以進一步包括作為原料的塑化劑、硬化促進劑、潛伏性催化劑、脫模劑、硅油、應力消除劑、著色劑等。此外，構成第三樹脂區域124的第三樹脂組合物可以設置為與第一樹脂組合物和第二樹脂組合物不同，例如，在硬化之前密封期間加熱時的流動性不同。此外，構成第三樹脂區域124的第三樹脂組合物可以設置為，例如，具有與第一樹脂組合物和第二樹脂組合物不同的硬化/收縮特性。另外，構成第三樹脂區域124的第三樹脂組合物可以設置為，例如，具有與第一樹脂組合物和第二樹脂組合物不同的玻璃轉換溫度(Tg)。在圖6示出的示例中，混合層121形成在第一樹脂區域120和第二樹脂區域122之間的整個區域上。另外，混合層123形成在第二樹脂區域122和第三樹脂區域124之間的整個區域上，混合層123是第二樹脂組合物和第三樹脂組合物的混合物。第二樹脂區域122與混合層123的界面以及第三樹脂區域124與混合層123的界面被構造成具有起伏。第三樹脂區域124不包括接合引線。在這種情況下，低流動性樹脂組合物可以用作構成第三樹脂區域124的樹脂組合物。因而，可以減小半導體器件100的翹曲。此外，通過適當優化第一樹脂區域120、第二樹脂區域122和第三樹脂區域124的比例，可以實現高可靠性的封裝。此外，通過利用如上所述的三種或多種類型的樹脂組合物，即使在電子部件的位置不規律和復雜的情況下，也可以抑制封裝的翹曲等。接下來，將描述根據本實施例的半導體器件100的制造方法。在本實施例中，對與單個半導體芯片相對應的每個半導體器件100，利用密封樹脂118進行密封。在本實施例中，在單個系列的操作中，利用兩種或多種類型的樹脂組合物密封半導體器件IOO。例如，為頂部(樹脂A)和底部(樹脂B)分開準備樹脂組合物，以便使樹脂料片(tablet)(圓柱形的樹脂塊)以兩個階段注入。通過將樹脂料片放置在密封工藝樹脂噴射槽中并密封樹脂料片，可以獲得如上所述的半導體器件100。如所示出的，由于兩種或多種類型的樹脂組合物可以同時硬化，所以可以實現各個樹脂組合物的混合層形成在由各個樹脂組，合物構成的樹脂區域的界面上的構造。由于這種構造，可以實現不同類型樹脂之間的良好粘附性。在本實施例中，例如，可以通過模塑工藝、傳遞模塑工藝、鑄封工藝或印刷工藝來形成半導體器件100的密封樹脂118。作為示例，下面將描述通過傳遞模塑工藝形成半導體器件100的工序。圖7是示出利用傳遞模塑模具200制造半導體器件100的工序的橫截面圖。模具200包括下模具202和上模具204。下模具202提供有用于安裝基板102的凹進。另外，上模具204提供有形成用于模塑下模具202之間的密封樹脂118的空腔的凹進。下模具202還提供有用于注入密封樹脂料片的狹槽。首先，將安裝有諸如半導體芯片104和半導體芯片108的電子部件的基板102放置在下模具202的凹進中。然后將密封樹脂料片140設置到下模具202的狹槽中(圖7A)。料片可以在硬化之前利用樹脂組合物形成，諸如顆粒狀樹脂或形成為結核的顆粒狀樹脂。在本實施例中，密封樹脂料片140包括構成第一樹脂區域120的第一樹脂組合物141以及構成第二樹脂區域122的第二樹脂組合物142。料片140還可以構造成第一樹脂組合物141和第二樹脂組合物142的各自形成的料片堆疊在彼此的頂部上，或者通過層壓第一樹脂組合物141和第二樹脂組合物142形成單個料片來構造。如圖所示，本實施例被設置成構成第一樹脂區域120的第一樹脂組合物141向上地設置，以確保第一樹脂組合物141首先引入到空腔中。接下來，上模具204向下模具202移動，以形成空腔，來模塑基板102的上表面上的密封樹脂118(圖7B)。隨后，加熱料片140，同時通過擠壓組件206擠壓，以熔化該樹脂組合物(圖8A)。這時，在料片140頂部上設置的第一樹脂組合物141首先被引入空腔中。另外，在早先引入的第一樹脂組合物141硬化之前引入后來被引入空腔的第二樹脂組合物142，并且在一個硬化工藝中形成這兩種樹脂組合物。從而，可以模塑包括第一樹脂區域120、混合層121和第二樹脂區域122的密封樹脂118(圖8B)。另外，第一樹脂區域120與混合層121之間的界面以及第二樹脂區域122與混合層121之間的界面被設置成具有起伏。雖然上面已描述了樹脂組合物為料片的示例，但是樹脂組合物可采用任何形式。然而，樹脂組合物可以是在一定程度上保持某種形狀的特定形式，以防止多種樹脂組合物在硬化期間混合起來。例如，通過將樹脂組合物的原材料混合并揉合成粘土形式，將粘土狀樹脂冷卻并壓碎成顆粒狀樹脂，其之后放置在指定的容器中并低溫加熱形成(被半硬化成)圓柱狀樹脂(料片)或平板狀樹脂(預先形成的樹脂)，可以獲得樹脂組合物。另外，雖然上文中已描述了對與單個半導體芯片相對應的每個半導體器件100執行密封的工序，但是可以對與多個半導體芯片相對應的每個晶片可替選地共同執行密封。接下來，將描述根據本實施例的半導體器件100的優點。對于根據本實施例的半導體器件100，通過利用多種樹脂組合物提供如平面圖所示的電子部件設置為彼此不重疊的區域，并控制第一樹脂區域120、第二樹脂區域122等的位置圖案中各個位置和構造，即使在密封樹脂與諸如半導體芯片和無源部件的電子部件之間的位置平衡由于位置與位置而不同的情況下，也可以糾正平衡，以減小封裝上的應變，并由此減小翹曲。另外，對于根據本實施例的半導體器件100，可以利用依據未來用途選擇的第一樹脂組合物和第二樹脂組合物來密封電子部件，同時，在第一樹脂區域120與第二樹脂區域122之間獲得了良好的粘附性，以防止兩種樹脂區域之間的分離。因而，可以獲得具有高的大規模生產率和穩定性的器件。另外，可以實現器件的良好特性，包括相對于翹曲行為等的密封樹脂。此外，通過改變第一樹脂組合物和第二樹脂組合物的成分比，可以控制翹曲行為。因此，在沒有像常規那樣不得不準備和/或開發大量樹脂組合物以實現最佳特性的情況下，可以獲得具有密封期間低翹曲和低封裝翹曲的高可靠性封裝構造。例如，在日本專利特開No.08-162573中描述的技術中，通過傳遞模塑分別形成樹脂硬化體內層和樹脂硬化體外層。結果，在樹脂硬化體內層和樹脂硬化體外層之間形成了邊界線。另外，樹脂硬化體內層的表面上脫模劑和油性成分的存在，抑制了內層粘附性并造成層分離的問題，導致差的質量。然而，根據本實施例的半導體器件100也能夠解決這種問題。雖然參考附圖在上面已描述了本發明的實施例，但是本實施例僅僅是本發明的例子，并且還可以采用除了上面存在的那些構造之外的各種構造。雖然在上面描述的實施例中提出了多個電子部件設置在基板102上的示例，但是半導體器件100的構造還可以應用到在基板102上設置單個電子部件的情況。例如，如平面圖所示，在單個電子部件設置在基板102上并且電子部件相對于穿過基板102中心的至少一條中心線被不對稱地設置的情況下，存在密封樹脂與電子部件之間的位置平衡由位置與位置的不同而不同的問題，導致密封樹脂的收縮力(內力)的差并且在封裝中產生應變。即使在這種情況下，如平面圖所示，通過利用多種樹脂組合物提供電子部件被設置成不彼此重疊的區域，也能夠糾正平衡，以減小封裝上的形變并減小翹曲。另外，相對于多個電子部件的構造和位置以及多種樹脂組合物的位置，可以想到各種組合。例如，如平面圖所示，半導體芯片和無源部件可以放置在基板102上，使它們彼此不重疊，由此半導體芯片設置在其中僅存在第一樹脂區域120的區域中，而無源部件設置在其中僅存在第二樹脂區域122的區域中。在這種情況下，例如，高流動性樹脂組合物可以用作構成第一樹脂區域120的樹脂組合物，而低流動性樹脂組合物可以用作構成第二樹脂區域122的樹脂組合物。此外，參考圖7和圖8描述的模具200可以通過各種方式來構造。例如，注入密封樹脂料片的狹槽可以提供在兩種類型的樹脂組合物之間的邊界線附近。另外，模具200可以提供有兩個或多個狹槽，由此每種樹脂組合物可以被注入在不同的狹槽中。權利要求一種電子器件，包括基板；電子部件，其安裝在所述基板的一個面上；以及密封樹脂，其形成在所述基板的所述一個面上，并且所述密封樹脂密封所述電子部件；其中所述密封樹脂包括第一樹脂區域，其由第一樹脂組合物構成，以及第二樹脂區域，其由第二樹脂組合物構成，所述密封樹脂被形成為在平面圖中具有僅存在所述第一樹脂區域的區域以及僅存在所述第二樹脂區域的區域。2.根據權利要求l所述的電子器件，其中所述密封樹脂進一步包括在所述第一樹脂區域與所述第二樹脂區域之間形成的混合層，并且其中，所述第一樹脂組合物和所述第二樹脂組合物混合。3.根據權利要求2所述的電子器件，其中所述第一樹脂區域與所述混合層之間的界面以及所述第二樹脂區域與所述混合層之間的界面包括起伏。4.根據權利要求l所述的電子器件，其中在平面圖中，所述電子器件相對于穿過所述基板的中心的至少一條中心線被不對稱地設置。5.根據權利要求1所述的電子器件，包括多個電子部件，其安裝在所述基板的所述一個面上，其中所述多個電子部件在平面圖中相對于穿過所述基板的中心的至少一條中心線被不對稱地設置。6.根據權利要求5所述的電子器件，其中所述多個電子部件包括在平面圖中彼此不重疊的半導體芯片和無源部件，所述半導體芯片設置在僅存在所述第一樹脂區域的區域中，并且所述無源部件設置在僅存在所述第二樹脂區域的區域中。7.根據權利要求l所述的電子器件，其中所述第一樹脂組合物和所述第二樹脂組合物的填充劑含量相對于整個樹脂組合物的重量百分比彼此不同。8.根據權利要求l所述的電子器件，其中所述第一樹脂組合物和所述第二樹脂組合物的原材料的類型或比率彼此不同。9.根據權利要求l所述的電子器件，其中所述第一樹脂組合物和所述第二樹脂組合物在密封期間的流動性彼此不同。10.根據權利要求l所述的電子器件，其中在平面圖中，所述密封樹脂進一步包括由第三樹脂組合物構成的第三樹脂區域，所述密封樹脂被形成為包括僅存在所述第三樹脂區域的區域。全文摘要本發明提供一種電子器件。即使在電子部件被不均勻地設置在基板上時，也可以減輕密封樹脂的收縮力的差并且能夠減小封裝上的應變。電子器件(100)包括基板(102)、安裝在基板(102)的一個面上的電子部件(104、108)以及在基板(102)的一個面上形成的密封樹脂(118)，并且密封樹脂(118)密封電子部件。密封樹脂(118)包括由第一樹脂組合物構成的第一樹脂區域(120)以及由第二樹脂組合物構成的第二樹脂區域(122)，并且形成為具有如平面圖所示的僅存在第一樹脂區域(120)的區域和僅存在第二樹脂區域(122)的區域。文檔編號H01L25/00GK101783337SQ201010002198公開日2010年7月21日申請日期2010年1月13日優先權日2009年1月13日發明者古屋賢二,塚野純,宮川優一,宮本浩靖,野田貴三申請人:恩益禧電子股份有限公司