專利名稱：具有高發射率涂層的大型真空腔室主體的電子束熔接的制作方法
具有高發射率涂層的大型真空腔室主體的電子束熔接發明背景發明領域此揭露的實施方式一般涉及具有高發射率涂層以增加來自進入基板的熱傳遞的大型真空腔室主體，以及經電子束熔接在一起的大面積真空腔室主體。相關技術的描述為將基板從大氣環境帶入真空環境，基板會通過一晶片承載腔室(load lock chamber)；為了避免基本壓力改變，在從處理系統外部將基板置入晶片承載腔室時，最好是使晶片承載腔室通至大氣，并在基板置于其中后排空。在處理之前會通過晶片承載腔室的基板包括有半導體晶片、平板型顯示器基板、太陽能板基板、以及有機發光顯示器基板。基板產量永遠是一項考慮，業界總是在尋求增加基板產量并減少設施停工期的方式，如能越快處理基板，則每一小時即可處理更多的基板。對基板進行的處理會影響基板的產量，而處理之間所發生的事件也會影響基板的產量；舉例而言，將基板置于腔室中所耗費的時間量會影響基板的產量。因此，連晶片承載腔室都會影響基板產量，因為上述晶片承載腔室保持在真空狀態以避免基本壓力改變。然而，當基板置入晶片承載腔室時，晶片承載腔室也會與大氣交界；因此，晶片承載腔室也會花費時間而從真空狀態變為排空狀態。故，晶片承載腔室會影響基板產量。因此，本領域中需要一種可增加基板產量的晶片承載腔室。 發明概要本發明所述的實施方式與一種已經熔接在一起的大型真空腔室主體有關，該腔室主體在其中的至少一表面上具有一高發射率涂層。由于是大型尺寸的腔室主體，腔室主體可通過將數個部件熔接在一起而形成，而非以單一金屬部件來鍛造該主體。這些部件在與該主體的彎處相隔的一位置處熔接在一起，該位置在排空期間處于最大應力處，以確保可能是主體中最弱點的熔接不會失效。該腔室主體的至少一表面可涂覆有一高發射率涂層以助于來自進入的受熱基板的熱傳遞。該高發射率涂層可藉由減少降低基板溫度所需時間而增加基板產量。在一實施方式中，揭露了一種晶片承載腔室主體；該腔室主體包含多個部件，該多個部件耦接在一起以共同形成該腔室主體，其具有含四個彎處的一內部表面。該腔室主體另包含一第一部件、一第二部件、一第三部件與一第四部件。該第一部件包含一第一部分及延伸通過該第一部分的一第一開口，該第一部分具有大于一第一寬度的一第一長度，以及包含一第一凸緣，該第一凸緣在與該第一寬度實質垂直的方向上自該第一部分延伸一第一距離。該第一凸緣自該四個彎處中的一第一彎處延伸。該第一部件也包括一第二凸緣， 該第二凸緣在與該第一寬度實質垂直的方向上自該第一部分延伸一第二距離，該第二凸緣自該四個彎處中的一第二彎處延伸。該第二部件耦接至該第一凸緣并在與該第一寬度實質垂直的方向上延伸。該第三部件耦接至該第二凸緣并在與該第一寬度實質垂直且與該第二
5部件平行的方向上延伸。該第四部件耦接至該第二部件與該第三部件。該第四部件包含 一第二部分及延伸通過該第二部分的一第二開口，該第二部分具有大于一第二寬度的一第二長度；也包含一第三凸緣，該第三凸緣在與該第二寬度實質垂直的方向上自該第二部分延伸一第三距離。該第四部件另包含一第四凸緣，該第四凸緣在與該第二寬度實質垂直的方向上自該第二部分延伸一第四距離。在另一實施方式中，揭露了一種用于制造一承載腔室主體的方法，該承載腔室主體具有一外部表面以及含多個彎處的一內部表面，該方法包含放置一第一部件相鄰于一第二部件且以一間隙相隔開、輻照一電子束至該間隙中、以及將該第二部件熔接至該第一凸緣。該第一部件包含一第一部分，其具有一第一長度與小于該第一長度的一第一寬度。該第一部件亦包含一第一凸緣，其在與該第一寬度實質垂直的方向上自該第一部分延伸一第一距離，使得該第一凸緣與該第一部分在所述多個彎處中的一第一彎處處接觸。該第一凸緣與該第二部件相隔一間隙。在另一實施方式中，揭露了一種晶片承載腔室。該腔室包含一頂部平板、相對于該頂部平板配置的一底部平板、以及耦接至該頂部平板與該底部平板的一第一側部平板。 該腔室也包含一第二側部平板，其耦接至該頂部平板與該底部平板，且相對于該第一側部平板而配置。該腔室也包含一第一狹縫閥平板，其耦接至該頂部平板、該底部平板、該第一側部平板與該第二側部平板，且具有通過該第一狹縫閥平板的一開口。該腔室也包含一第二狹縫閥平板，其耦接至該頂部平板、該底部平板、該第一側部平板與該第二側部平板；該第二狹縫閥平板相對于該第一狹縫閥平板而配置且具有通過該第二狹縫閥平板的一開口。 該頂部平板、該底部平板、該第一與第二側部平板、以及該第一與第二狹縫閥平板共同圍繞一腔室空間。該腔室也包括一涂層，其配置在該頂部平板與該底部平板中至少其一上；該涂層具有在攝氏599度測得為大于0. 19的一第一發射率。附圖簡單說明為使本發明的上述特征得以更詳細被了解，已參照實施方式而更具體說明以上所簡述的發明，其中部分實施方式示出在附圖中。然而，應知附圖僅為說明本發明的典型實施方式，而非用于限制其范疇，本發明亦允許其它等效實施方式。
圖1為根據本發明一實施方式的三槽式晶片承載腔室100的截面圖；圖2為根據一實施方式的晶片承載腔室的分解等角視圖；圖3A為耦接在一起的晶片承載腔室側壁的等角視圖；圖:3B為圖3A的上視圖；圖4為根據一實施方式的晶片承載腔室的接合位置的等角視圖；圖5A為將熔接在一起以形成晶片承載腔室主體的一部分的兩個部件的等角視圖；圖5B為圖5A中所示的兩個部件熔接在一起后的等角視圖；圖5C為從另一角度所見的圖5B的等角視圖；圖6為根據一實施方式的涂覆腔室表面的示意上視圖；圖7為根據另一實施方式的涂覆腔室表面的等角視圖。為助于理解，盡可能使用相同的元件符號來表示各圖式中相同的元件。應知在一實施方式中所揭示的元件也可用于其它實施方式，其無須另行特定說明。
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具體描述本發明所揭露的實施方式與已經熔接在一起的大型真空腔室主體有關，該腔室主體在其中的至少一表面上具有一高發射率涂層。由于是大型尺寸的腔室主體，腔室主體可通過將數個部件熔接在一起而形成，而非以單一金屬部件來鍛造該主體。這些部件可在與該主體的彎處相隔的一位置處熔接在一起，該位置在排空期間處于最大應力處，以確保可能是主體中最弱點的熔接不會失效。該腔室主體的至少一表面可涂覆有一高發射率涂層以助于來自進入的受熱基板的熱傳遞。該高發射率涂層可通過減少降低基板溫度所需的時間而增加基板產量。以下所揭示的實施方式是關于加州圣克拉拉應用材料公司的子公司AKT America 公司的三槽式晶片承載腔室。本發明雖以三槽式晶片承載腔室加以說明，應了解本發明也可實施于其它真空腔室，包括由其它制造商所生產的真空腔室。圖1為根據一實施方式的三槽式晶片承載腔室100的截面圖。晶片承載腔室100 包括一腔室主體102，其圍繞三個獨立的腔室空間104、106與108。腔室空間104、106與 108可彼此電絕緣、且彼此為大氣隔離。腔室空間104可具有一狹縫閥門118，其可開啟與關閉以使基板112進出大氣側 140的腔室空間104。另一個狹縫閥門120可開啟與關閉以使基板112可以進出真空側138 的腔室空間104。在圖1所示的實施方式中，在狹縫閥門120開啟時，機器人端效器(robot end effector) 114位于真空側138的腔室空間104中。因為腔室空間104對真空側138開啟，因此腔室空間104處于真空。由于腔室空間104處于真空，因而腔室空間104的上壁130可偏轉至腔室空間104 中，并遠離水平線“A”所示的正常位置。同樣地，腔室空間104的下壁132亦可同樣偏轉至腔室空間104中，并遠離水平線“B”所示的正常位置。舉升銷110位于其正常位置(亦即自腔室空間104的一水平底部表面延伸)，然應知舉升銷110也可與下壁132同時偏轉。另一個腔室空間108可具有一狹縫閥門126，其開啟與關閉以使基板112從大氣側 140進出腔室空間108。另一個狹縫閥門1 可開啟及關閉以使基板112自真空側138進出腔室空間108。在圖1所示的實施方式中，腔室空間108可通過關閉的狹縫閥門1沈、1觀而自大氣側140與真空側138密封；因此，腔室空間108可被抽氣至適當的真空程度。在此方式中，腔室壁134、136可偏轉至處理空間108中并遠離其正常位置(如水平線“C”與“D” 所示)。舉升銷110位于其正常位置(亦即自腔室空間104的一水平底部表面延伸)，然應知舉升銷110也可與下壁136同時偏轉。另一腔室空間106具有一狹縫閥門122，其開啟及關閉以使基板112可進出大氣側 140的腔室空間106。狹縫閥門122利用延伸至腔室空間106中的機器人端效器116開啟； 由于狹縫閥門122開啟于大氣側140，腔室空間106可處于大氣壓力。另一狹縫閥門IM可開啟及關閉以使基板112可以進出真空側138的腔室空間104。由于腔室空間104、108中的排空條件，腔室空間106的腔室壁132、134可偏轉遠離腔室空間106。當腔室壁130、132、134、136相對于其正常位置而偏轉時，狹縫閥門118、120、122、 124、126、128所密封的腔室壁142、144、146、148、150、152也會相對于其正常位置而移動。 通過在移動腔室壁142、144、146、148、150、152時一起移動狹縫閥門118、120、122、124、 126,128,即可減少狹縫閥門 118、120、122、124、126、128 與腔室壁 142、144、146、148、150、152之間的摩擦，并因而減少顆粒的產生。圖2為根據一實施方式的晶片承載腔室200的分解等角視圖。晶片承載腔室200 可相當大；在一實施方式中，晶片承載腔室的大小可容置表面積約8平方米以上的基板。應知本發明的實施方式可應用于大小為可容置表面積小于約8平方米的基板的腔室。由于尺寸為大型的緣故，從一鑄錠鍛造晶片承載腔室200會有困難；因此晶片承載腔室200可由數個熔接在一起的部件所制成。晶片承載腔室200包括一頂部平板202、一底部平板204以及一中間區段206。中間區段206可包含兩個末端部件208、210，其可各具有通過其的一開口 212，以使基板進出晶片承載腔室200。末端部件可藉由側部部件216、218而連接，側部部件216、218可藉由一熔接部214而耦接至末端部件208、210。圖3A為耦接在一起的晶片承載腔室側壁的等角視圖，圖:3B為圖3A的上視圖。晶片承載腔室具有一主體300，其具有末端部件302、304，各末端部件302、304具有一開口 306、308，其大小使得基板可進出主體300所圍繞的處理區域。側部部件310、312藉由熔接部314、316、318、320而熔接至末端部件302、304。末端部件302、304各由一單一塊材鍛造而得。如圖所示，末端部件被回刻如箭頭“E”所示的一段距離，且具有經磨圓的彎處322，其至少部分與處理區域為界。由于末端部件302、304的雕刻，側部部件310、312在與彎處322隔開的位置處與末端部件302、304 接合。在一實施方式中，末端部件302、304可被回刻約半英寸至約一英寸。由于處理區域為大型尺寸，當將真空引入處理區域、以及當處理區域對大氣排空時，部分的晶片承載腔室會偏轉；彎處322將因此處于最大應力，而彎處可能會受到來自多個方向的張力。通過將側部部件310、312與末端部件302、304接合位置隔開，接合區域或熔接部314、316、318、320較不會失效。由于熔接部314、316、318、320、側部部件310、312以及末端部件302、304并非同時為單一材料部件，因此可預期熔接部314、316、318、320為主體300中的最弱點；因此，將最弱點移動至與最大應力隔開的位置是有利的。熔接部314、316、318、320可由電子束熔接形成，如TIG或MIG等電弧熔接并不適用于大型真空腔室所使用的厚型材料。電子束熔接具有比電弧熔接更高的能量密度，且在最小變形量下可使熔接速度更快且更深。電子束熔接的小量變形可在熔接前對末端部件 302、304及側部部件310、312進行較粗糙的加工；相較于精密拋光的表面而言，粗糙加工減少了加工成本，這是因為各部件302、304、310、312夠小，因而相較于從單一材料制造主體 300的大型加工設施而言，其可使用較不昂貴的小型加工中心。在一實施方式中，末端部件302、304以及側部部件310、312包含相同材料。在另一實施方式中，末端部件302、304以及側部部件310、312包含不同的材料。在一實施方式中， 此材料可包含鋁；在另一實施方式中，此材料可包含電鍍鋁；在另一實施方式中，此材料可包含不銹鋼。圖4為根據一實施方式的晶片承載腔室的接合位置的等角視圖。末端部件402通過電子束熔接所形成的熔接部406而接合至側部部件404。末端部件402由單片材料鍛造而得，并經雕刻而使至少與處理區域交界的彎處408具有一彎曲表面，熔接位置置于從曲率半徑末端大于約八分之一英寸處。藉由將熔接部406與彎處408隔開，可降低熔接區域的應力集中，此外，也可減少熔接的深度。末端部件402具有如箭頭“F”所示的寬度，其大于如箭頭“G”所示的側部部件404的寬度。由于熔接部406與彎處408隔開，因此側部部件404在結構上可盡可能為薄。圖5A為將熔接在一起以形成晶片承載腔室主體的一部分的兩個部件的等角視圖。末端部件502最初是與側部部件504相隔一段距離，如箭頭“J”所示；在一實施方式中， 距離“J”可介于四分之一英寸至約二分之一英寸之間。側部部件504可藉由電子束熔接而熔接至末端部件502。電子束可聚焦至末端部件502與側部部件504之間的間隙中(如間隙底部處的箭頭“H”所示)，并向上移動(如箭頭“I”所示)。如圖5A所示，電子束從處理區域外部聚焦至間隙上。圖5B為圖5A中所示的兩個部件熔接在一起后的等角視圖，而圖5C為從另一角度所見的圖5B的等角視圖。由圖5B可知，由于電子束自外表面聚焦，側部部件504與末端部件的外表面502在邊緣508、510處具有一經粗糙化的熔接部506。如末端部件502與邊緣部件504的內表面上的邊緣512、514所示，未由電子束聚焦的其它表面更為平滑及潔凈。第十代腔室的大小用于容納^SOmmX3130mm的基板，其是相當大型的。在如此大型的腔室中進行制造處理是困難且昂貴的；此外，制造這種腔室也是困難的。為增加產量， 晶片承載腔室用于使基板自約攝氏250度至約攝氏300度之間的溫度冷卻至約攝氏100度至約攝氏150度之間的溫度，而晶片承載腔室排空達介于約45秒至約75秒之間的一段時間，使得在晶片承載腔室大氣側的機器人可以從晶片承載腔室中移除基板。由于高熱質與輻射熱傳遞，排空氣體(例如氮氣或氬氣)本身的傳導/對流可能不足以使基板冷卻至適當溫度；換言之，晶片承載腔室的表面發射率可能是冷卻基板的另一項因素。為處理發射率的問題，這些表面可加以電鍍、涂漆或經珠光處理。大部分的電鍍、珠光處理或涂漆設施都不足以容納如第十代腔室這般大型的腔室，因此，本發明中所述的高發射率涂層是一種受矚目的選擇。真空涂層技術可用以吸收特定波長光。在一實施方式中，此涂層可包含鋁。高發射率涂層使腔室的表面積比未涂覆表面增加2000倍，并控制發射率在寬光波長范圍。涂覆可直接在腔室的小部分上進行、或通過鋪展具有感壓膠的鋁箔(其會接觸腔室)而進行。滾卷 (roll)原位涂覆于腔室的表面上，不需如電鍍、珠光處理或涂漆等表面處理，因此可在不增加運籌成本下實行；其整體成本可比電鍍更減少三分之一。施用鋁涂層在生態上也較潔凈且無有毒廢料。高發射率涂層使基板在約45秒至約75秒的時間內、從約攝氏250度至約攝氏300 度的溫度降溫至約攝氏100度至約攝氏150度的溫度，藉以減少冷卻時間。在一實施方式中，高發射率涂層可具有約0. 7至約0. 9之間的發射率。該高發射率涂層的厚度可介于約 0.3微米至約14微米之間；在另一實施方式中，此高發射率涂層的厚度可介于約5微米至約7微米之間；在另一實施方式中，此高發射率涂層的厚度可介于約7微米至約14微米之間；在另一實施方式中，此高發射率涂層的厚度可介于約6微米至約14微米之間。在一實施方式中，此高發射率涂層可含有多層。合適的高發射率涂層可購自以色列Acktar Advanced Coatings有限公司。高發射率涂層是通過從滾動條簡單鋪展涂層材料并將涂層壓制到欲涂覆表面上、 使涂層的黏著側粘附至欲涂覆表面而施用的。在一實施方式中，高發射率涂層可介于約18 厘米寬至約22厘米寬、以及介于3. 1米至約3. 3米長。如果需要的話，高發射率涂層可施用至腔室的所有暴露表面上，只要涂層不干擾腔室的運作即可。圖6為根據一實施方式的涂覆腔室表面的示意上視圖。圖6中所示的平板600可為晶片承載腔室在一環境中的頂部平板或底部平板、或晶片承載腔室(包括如圖1所示的三槽式晶片承載腔室)的任何表面。頂部平面與底部平面各具有與處理區域交界的元件的最大暴露表面，側部部件與末端部件各小于頂部平板與末端平板。此外，末端平板具有通過其的開口，開口尺寸容許基板可進出處理區域；側部部件具有通過其的開口，以將真空引入處理區域中。此外，側部部件中的開口使測量可在腔室內進行、或用以將氣體導入腔室。在一實施方式中，晶片承載腔室的主體可包含鋁；在另一實施方式中，晶片承載腔室的主體可包含電鍍鋁。鋁跟電鍍鋁兩者都具高反射率及低發射率。鋁在攝氏25度時的發射系數為0. 02、在攝氏100度時的發射系數為0. 03、在攝氏500度時的發射系數為0. 06。 另一方面，電鍍鋁在攝氏199度時的發射系數為0. 11、在攝氏599度時的發射系數為0. 19。 鋁是最常用的反射性材料之一；平均而言，鋁的反射率高于90%。電鍍鋁雖不如鋁般具有高反射率，但其反射率仍高于50%。當基板從移送室進入晶片承載腔室時，其可能處于高于工廠接口溫度的較高溫度；因此，晶片承載腔室可用以降低基板的溫度，然而由于具有高反射率表面的緣故，基板的熱傳量可能不是非常好。高發射率涂層602可沉積于平板600的暴露表面上；高發射率涂層602可具有低于約4%的反射率、以及高于約0. 19的發射系數。因此，高發射率涂層 602可有助于熱傳遞。高發射率涂層602可足以暴露至真空條件、而不干擾或污染通過晶片承載腔室的基板。高發射率涂層602可為連續式或以間隙604分隔；高發射率涂層602實質上可延伸于整體寬度，如平板600的箭頭“K”、及如箭頭“L”的寬度所示。圖7為根據另一實施方式的涂覆腔室表面(例如平板700)的等角視圖。如圖7 所示，基板支撐部702可橫越涂層704而與涂層704的細條帶垂直；基板支撐部702可具有一或多個基板支撐銷706，其垂直延伸以支撐在晶片承載腔室中的基板。基板由具端效器的機器人帶入腔室中，該端效器適配于基板支撐部702之間、并接著下降，直到使基板停置在基板支撐銷706上為止。應知本發明所揭示的實施方式參照熔接及高發射率涂層的晶片承載腔室而說明， 而熔接及高發射率涂層也可用于其它腔室中，例如移送室與處理腔室。此外，也可使用熔接來制造腔室，即使此腔室并未襯以高發射率涂層。類似地，腔室也可襯以一高發射率涂層， 即使此腔室并未藉由本發明所述的熔接技術所制。在一實施方式中，腔室同時包含高發射率涂層以及本發明所述的熔接概念。藉由在腔室內的一或多個表面上涂覆高發射率涂層，基板的熱傳遞可以比暴露、 裸露鋁或電鍍鋁表面更快的速率進行。此外，由于個別的部件是在與彎處隔開的位置處、以電子束熔接在一起，因此可以更具成本效益的方式來形成腔室主體，故不需要較大型的鍛造設備。前述說明針對發明實施方式而行，然在不背離發明基本范疇下，亦可推得其它或進一步的實施方式，且其范圍由如附申請專利范圍予以限定。
權利要求
1.一種腔室主體，其包含多個部件，所述多個部件耦接在一起以共同形成具有含四個彎處的一內部表面的該腔室主體，該腔室主體包含一第一部件，包含一第一部分及延伸通過該第一部分的一第一開口，該第一部分具有大于一第一寬度的一第一長度；一第一凸緣，其在與該第一寬度實質垂直的一方向上自該第一部分延伸一第一距離， 該第一凸緣自該四個彎處中的一第一彎處延伸；以及一第二凸緣，其在與該第一寬度實質垂直的一方向上自該第一部分延伸一第二距離， 該第二凸緣自該四個彎處中的一第二彎處延伸；一第二部件，其耦接至該第一凸緣并在與該第一寬度實質垂直的一方向上延伸； 一第三部件，其耦接至該第二凸緣并在與該第一寬度實質垂直且與該第二部件平行的一方向上延伸；以及一第四部件，其耦接至該第二部件與該第三部件，該第四部件包含 一第二部分及延伸通過該第二部分的一第二開口，該第二部分具有大于一第二寬度的一第二長度；一第三凸緣，其在與該第二寬度實質垂直的一方向上自該第二部分延伸一第三距離；以及一第四凸緣，其在與該第二寬度實質垂直的一方向上自該第二部分延伸一第四距離。
2.根據權利要求1所述的腔室主體，其中該第一凸緣具有小于該第一寬度的一寬度， 且該第一凸緣的該寬度與該第二部件的一寬度實質相等，且其中該四個彎處中至少一個彎處經磨圓。
3.根據權利要求2所述的腔室主體，更包含一第一平板，其耦接至該第一部件、該第二部件、該第三部件與該第四部件； 一第二平板，其耦接至該第一部件、該第二部件、該第三部件與該第四部件，使得該第一平板、該第二平板、該第一部件、該第二部件、該第三部件與該第四部件共同圍繞一腔室空間；以及一涂層，其配置在該第一平板與該第二平板中至少一個上，該涂層具有的發射率高于該第一部件、該第二部件、該第三部件與該第四部件中至少其一的該發射率。
4.根據權利要求3所述的腔室主體，其中該涂層具有于攝氏599度測得為大于0.19的發射率、以及低于約4%的反射率，且其中該涂層包含鋁。
5.一種用于制造一腔室主體的方法，該腔室主體具有一外部表面以及具有多個彎處的一內部表面，該方法包含以下步驟放置一第一部件于與一第二部件相鄰處，該第一部件包含 一第一部分，其具有一第一長度與小于該第一長度的一第一寬度；以及一第一凸緣，其在與該第一寬度實質垂直的一方向上自該第一部分延伸一第一距離， 使得該第一凸緣與該第一部分接觸在所述多個彎處中的一第一彎處，該第一凸緣與該第二部件相隔一間隙；輻照一電子束至該間隙中；以及將該第二部件熔接至該第一凸緣。
6.根據權利要求5所述的方法，其中該第一凸緣與該第一部分包含一單一結構，且其中該電子束自該外部表面輻照至該間隙中。
7.根據權利要求6所述的方法，更包含以下步驟自該第一部件移除一第一部分材料以限定該第一凸緣。
8.一種腔室，其包含一頂部平板；一底部平板，其相對于該頂部平板而配置；一第一側部平板，其耦接至該頂部平板與該底部平板；一第二側部平板，其耦接至該頂部平板與該底部平板，且相對于該第一側部平板而配置；一第一狹縫閥平板，其耦接至該頂部平板、該底部平板、該第一側部平板與該第二側部平板，且具有通過該第一狹縫閥平板的一開口 ；一第二狹縫閥平板，其耦接至該頂部平板、該底部平板、該第一側部平板與該第二側部平板，該第二狹縫閥平板相對于該第一狹縫閥平板而配置且具有通過該第二狹縫閥平板的一開口，該頂部平板、該底部平板、該第一與第二側部平板、以及該第一與第二狹縫閥平板共同圍繞一腔室空間；以及一涂層，其配置在該頂部平板與該底部平板中至少一個上，該涂層具有在攝氏599度測得為大于0. 19的一第一發射率。
9.根據權利要求8所述的腔室，其中該第一發射率與該第一側部平板、該第二側部平板、該第一狹縫閥平板與該第二狹縫閥平板中至少一個的發射率不同。
10.根據權利要求9所述的腔室，其中該底部平板上具有一涂層，該涂層具有在攝氏 599度測得為大于0. 19的發射率。
11.根據權利要求10所述的腔室，其中該底部平板上的該涂層非連續，因此存在一或多個間隙。
12.根據權利要求11所述的腔室，更包含一或多個基板支撐部，其耦接至該底部平板并沿著與該一或多個間隙實質垂直的該底部平板延伸。
13.根據權利要求12所述的腔室，更包含一或多個支撐銷，其耦接至該一或多個基板支撐部并自其垂直延伸，且其中該涂層具有一小于約4%的反射率。
14.根據權利要求13所述的腔室，其中該第一狹縫閥平板包含一第一部分及延伸通過該第一部分的一第一開口，該第一部分具有大于一第一寬度的一第一長度；一第一凸緣，其在與該第一寬度實質垂直的一方向上自該第一部分延伸一第一距離， 該第一凸緣自該四個彎處中的一第一彎處延伸；以及一第二凸緣，其在與該第一寬度實質垂直的一方向上自該第一部分延伸一第二距離， 該第二凸緣自該四個彎處中的一第二彎處延伸；其中該第二狹縫閥平板包含一第二部分及延伸通過該第二部分的一第二開口，該第二部分具有大于一第二寬度的一第二長度；一第三凸緣，其在與該第二寬度實質垂直的一方向上自該第二部分延伸一第三距離；以及一第四凸緣，其于與該第二寬度實質垂直的一方向上自該第二部分延伸一第四距離；且其中該第一側部平板耦接至該第一凸緣并在與該第一寬度實質垂直的一方向中延伸， 且其中該第二側部平板耦接至該第二凸緣并在與該第一寬度實質垂直并與該第二部件平行的一方向中延伸。
15.根據權利要求14所述的腔室，其中該第一凸緣具有小于該第一寬度的一寬度，且該第一凸緣的該寬度與該第二側部平板的一寬度實質相等，且其中該四個彎處中至少其中一個彎處經磨圓。
全文摘要
本發明所揭示的實施方式與已熔接在一起的一大型真空腔室主體有關。該腔室主體在其中至少一表面上具有一高發射率涂層。由于腔室主體的大型尺寸，腔室主體是通過將數個部件熔接在一起而形成，而非以單一金屬部件來鍛造該主體。這些部件在與該主體的彎處相隔的一位置處熔接在一起，該位置在排空期間為最大應力處，以確保可能是主體中最弱點的熔接不會失效。該腔室主體的至少一表面可涂覆有一高發射率涂層以助于來自進入的受熱基板的熱傳遞。該高發射率涂層可通過減少降低基板溫度所需時間而增加基板產量。
文檔編號H01L21/02GK102217032SQ200980145539
公開日2011年10月12日 申請日期2009年11月9日 優先權日2008年11月14日
發明者栗田真一, 梅蘭·貝德亞特, 稻川真 申請人:應用材料股份有限公司