半導體激光裝置和顯示裝置的制作方法

專利名稱：半導體激光裝置和顯示裝置的制作方法
技術領域：
本發明涉及半導體激光裝置和顯示裝置，特別涉及具備多個半導體激光元件的半導體激光裝置和顯示裝置。
背景技術：
近年來，用激光作為源的顯示器的開發正在盛行。特別是，期待用半導體激光元件作為小型顯示器用的光源。在這種情況下，通過將射出RGB各色光的半導體激光搭載于一個封裝體，能夠實現光源的進一步小型化。因此，在現有技術中，日本特開2001-230502號公報提出了一種搭載有紅色半導體激光元件、綠色半導體激光元件和藍色半導體激光元件的發光裝置。在日本特開2001-230502號公報中公開了一種具備第一發光元件和第二發光元件的發光裝置，該第一發光元件具有能夠發出400nm帶的光的激光振蕩部；該第二發光元件具有能夠分別發出500nm帶和700nm帶的光的2個激光振蕩部。在該發光裝置中，構成為通過第一發光元件和第二發光元件射出對應于光的3原色的紅色光(R)、綠色光(G)和藍色光(B)能夠用作全彩色顯示裝置的光源。另外，在該發光裝置中，各激光振蕩部(發光點)針對每一振蕩波長頻帶都各設一個。在此，例如，在再現理想的白光的全彩色顯示裝置中，在用RGB各色光束(流明) 比表示的情況下，以成為R G B=約2 7 1的方式，調節各發光元件的光輸出。在使用約650nm的紅色光、約530nm的綠色光和約480nm的藍色光的情況下，以激光輸出換算比計，通過調節為R G B =約18.7 8. 1 7. 1，理想的白光能夠再現。另外，在使用約650nm的紅色光、約550nm的綠色光和約460nm的藍色光的情況下，以激光輸出換算比計，通過調節為R G B=約18.7 7 16. 7，理想的白光能夠再現。這樣在全彩色顯示裝置中，根據激光的振蕩波長，在各發光元件所要求的輸出上求出較大的差。特別是，發出紅色光的發光元件需要具有大于發出綠色光和藍色光的發光元件的輸出。現有技術文獻專利文獻專利文獻1 日本特開2001-230502號公報

發明內容
本發明要解決的問題但是，在上述特開2001-230502號公報所公開的發光裝置中，存在如下問題，即， 由于各激光振蕩部針對每一振蕩波長范圍(紅色、綠色和藍色的三個波長范圍)都各設一個，因此即使在希望紅色、綠色和藍色的每一激光振蕩部的輸出都不同而得到所希望的色相(混色)的情況下，有時不能夠靈活地與之對應。本發明是為解決上述的課題而完成的，本發明的目的在于，提供一種能夠容易地得到所希望的色相的半導體激光裝置和顯示裝置。
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解決課題的手段為了實現上述目的，本發明第一方面的半導體激光裝置具備具有一個或多個激光發光部的綠色半導體激光元件；具有一個或多個激光發光部的藍色半導體激光元件；和具有一個或多個激光發光部的紅色半導體激光元件，其中，綠色半導體激光元件、藍色半導體激光元件和紅色半導體激光元件中的至少2個半導體激光元件具有如下關系合計輸出相對較小的半導體激光元件的激光發光部的個數，比合計輸出相對較大的具有多個激光發光部的半導體激光元件的激光發光部的個數，或者輸出相對較大的具有一個激光發光部的半導體激光元件的個數多。在本發明第一方面的半導體激光裝置中，如上述那樣，能夠構成為在綠色半導體激光元件、藍色半導體激光元件和紅色半導體激光元件中的至少二個半導體激光元件中， 通過將合計輸出相對小的半導體激光元件的激光發光部的個數構成為比合計輸出相對大的具有多個激光發光部的半導體激光元件的激光發光部的個數、或輸出相對大的具有一個激光發光部的半導體激光元件的個數多，在以輸出或合計輸出大的半導體激光元件為基準構成半導體激光裝置的情況下，由于在合計輸出設定得相對小的半導體激光元件中，設有更多的構成激光元件的各半導體激光元件的個數，因此容易調節半導體激光元件的合計輸出而具有所希望的輸出。由此，能夠將輸出(合計輸出)相對大的半導體激光元件、適當調節了輸出的相對小的輸出(合計輸出)的半導體激光元件組合在一起，因此在利用半導體激光裝置作為光源的情況下，能夠容易地得到所希望的色相。另外，例如，在用紅色、綠色和藍色的半導體激光元件得到白光時，在射出綠色光和藍色光的激光元件與易得到較大輸出的紅色半導體激光元件相比難以得到較大輸出的情況下，能夠將綠色和藍色半導體激光元件的數量設為比紅色半導體激光元件的數量多，因此能夠容易地調節綠色和藍色半導體激光元件的輸出。由此，能夠容易地得到理想的白光。在上述第一方面的半導體激光裝置中，在設綠色半導體激光元件、藍色半導體激光元件和紅色半導體激光元件各自的激光發光部的個數分別為nl、n2和n3時，優選具有nl > n2 > n3的關系。如果這樣構成，則例如，在用上述三種半導體激光元件得到白光時，在射出綠色光和藍色光的激光振蕩部與易得到較大輸出的紅色半導體激光元件相比難以得到較大輸出的情況下，能夠優先將射出藍色光和綠色光的激光振蕩部的數量設為比紅色半導體激光元件的激光振蕩部的數量多。由此，能夠容易地調節綠色和藍色半導體激光元件的輸出，因此能夠容易地形成易得到理想的的白光的半導體激光裝置。另外，在綠色半導體激光元件或藍色半導體激光元件的激光發光部的個數比紅色半導體激光元件的激光發光部的個數多的情況下，能夠將綠色或藍色半導體激光元件的各激光發光部的輸出抑制得較小，因此各激光發光部的輸出越小，越能抑制綠色半導體激光元件或藍色半導體激光元件的溫度上升。此外，由于能夠使綠色或藍色半導體激光元件的激光發光部的面積根據激光發光部的個數而增大，因此能夠經由更大的表面積來散發半導體激光元件的發熱。由此，綠色半導體激光元件或藍色半導體激光元件的老化得以抑制，能夠實現半導體激光元件的長壽命化。在上述第一方面的半導體激光裝置中，優選綠色半導體激光元件和藍色半導體激光元件，形成在與綠色半導體激光元件和藍色半導體激光元件共用的基板上。如果這樣構成，則與在將射出不同的振蕩波長的光的綠色半導體激光元件和藍色半導體激光元件形成在各自的基板上之后，再隔開規定間隔配置于封裝體內的情況相比，由于綠色半導體激光元件和藍色半導體激光元件集成化于公用的基板上而形成，因此集成化程度越高，越能減小半導體激光元件的寬度。由此，能夠容易地將集成化的半導體激光元件配置于封裝體內。在上述第一方面的半導體激光裝置中，優選綠色半導體激光元件為形成有多個激光發光部的單片型，藍色半導體激光元件為形成有多個激光發光部的單片型。如果這樣構成，則綠色半導體激光元件和藍色半導體激光元件根據振蕩波長的不同分別集成化于公用的基板上而形成，因此集成化程度越高，越能減小各自的半導體激光元件的寬度。由此，即使在需要較大數量的激光發光部的情況下，也能夠容易地以集成化的激光元件的狀態配置于封裝體內。在上述第一方面的半導體激光裝置中，優選紅色半導體激光元件與綠色半導體激光元件和藍色半導體激光元件中的至少一個接合。如果這樣構成，則與將因為要求的個數最多而橫向排列地增加激光發光部的數量而形成的綠色半導體激光元件、紅色半導體激光元件和藍色半導體激光元件直線性地(例如，橫向一列方向)配置的情況相比，由于能夠將各激光元件的激光發光部也沿激光元件的接合方向排列地配置而相互接近，因此能夠按照多個激光發光部集中于封裝體的中央區域的方式配置半導體激光元件。由此，能夠使從半導體激光裝置射出的多條激光射出光接近光學系統的光軸，因此能夠容易地進行半導體激光裝置和光學系統的調節。在上述第一方面的半導體激光裝置中，優選還具備接合有綠色半導體激光元件、 藍色半導體激光元件和紅色半導體激光元件的基臺；和與外部電連接并且相互絕緣的多個端子，綠色半導體激光元件包括形成于與基臺相反側的表面上的電極，在設綠色半導體激光元件的激光發光部的個數為nl時，nl個中的至少2個綠色半導體激光元件的電極連接于各不相同的端子。如果這樣構成，則能夠根據激光發光部的數量，對激光發光部的數量比紅色半導體激光元件、藍色半導體激光元件多的綠色半導體激光元件進行個別地驅動，因此能夠容易地根據要求的合計輸出來調節綠色半導體激光元件的輸出。在上述綠色半導體激光元件和藍色半導體激光元件形成于公用基板上的構成中， 優選綠色半導體激光元件形成于基板的表面上，并且包括具有半極性面的主面的第一活性層，藍色半導體激光元件形成于基板的表面上，并且包括具有與半極性面大致相同的面方位的主面的第二活性層，第一活性層包括具有壓縮變形并且具有3nm以上的厚度的第一阱層，第二活性層包括具有壓縮變形的第二阱層。在此，“綠色半導體激光元件”是指振蕩波長在約500nm以上約565nm以下的范圍內的半導體激光元件。另外，本發明的“厚度”表示的是，在活性層的量子阱構造具有單一量子阱(SQW)結構的情況下，為單一阱層的厚度；在活性層的量子阱構造具有多重量子阱(MQW)結構的情況下，為構成MQW構造的多層阱層的各阱層的厚度。另外，壓縮變形是因基底層和阱層之間的晶格常數之差而發生的壓縮力造成的變形。例如，在阱層的無變形的面內晶格常數比基板的無變形的面內晶格常數大的狀態下，在阱層模擬晶格匹配而生長于基板的情況、在阱層模擬晶格匹配而生長于具有比無變形的阱層的面內晶格常數小的面內晶格常數的層(包覆層和阻擋層等)上的情況等下，發生壓縮變形。如果這樣構成，則在同一基板的表面上形成包含具有半極性面主面的第一活性層的綠色半導體激光元件、包含具有半極性面主面的第二活性層的藍色半導體激光元件的情況下，能夠使藍色半導體激光元件的光學增益被最大化的光波導路延伸的方向和綠色半導體激光元件的光學增益被最大化的光波導路延伸的方向大致一致。在這種情況下，第一阱層優選由hGaN構成。如果這樣構成，則能夠制作效率更高的綠色半導體激光元件。在上述第一活性層包含具有壓縮變形的第一阱層且第二活性層包含具有壓縮變形的第二阱層的構成中，第二阱層優選由InGaN構成。如果這樣構成，則能夠制作效率更高的藍色半導體激光元件。在上述第一活性層包含具有壓縮變形的第一阱層且第二活性層包含具有壓縮變形的第二阱層的構成中，第一阱層的厚度優選大于第二阱層的厚度。在此，在包含具有半極性面的主面的第一活性層的綠色半導體激光元件、包含具有半極性面的主面的第二活性層的藍色半導體激光元件中，能夠考慮為活性層的壓縮變形比綠色半導體激光元件小且振蕩波長短的藍色半導體激光元件難以發生光學增益被最大化的光波導路延伸的方向的變化， 因此能夠使藍色半導體激光元件的第二活性層的第二阱層的厚度比綠色半導體激光元件的第一活性層的第一阱層的厚度小。由此，在藍色半導體激光元件的第二活性層中，能夠抑制第二阱層的晶格、生長有第二阱層的基底層的晶格的晶格常數不同而產生的錯配差排 (misfit)的發生。在上述第一活性層包含具有壓縮變形的第一阱層且第二活性層包含具有壓縮變形的第二阱層的構成中，半極性面優選為相對于(0001)面或(000-1)面具有約10度以上約70度以下的斜度的面。如果這樣構成，則在綠色半導體激光元件和藍色半導體激光元件中，能夠更可靠地使光學增益被最大化的光波導路延伸的方向大致一致。在上述第一活性層包含具有壓縮變形的第一阱層且第二活性層包含具有壓縮變形的第二阱層的構成中，藍色半導體激光元件和綠色半導體激光元件優選還分別包含沿將
方向投影到半極性面的主面而成的方向延伸的光波導路。在此，為了將半導體激光元件的光學增益最大化，需要將光波導路形成為相對于來自活性層的發光的主要的偏光方向垂直。即，通過在將wool]方向投影到半極性面的主面而成的方向上形成光波導路，能夠將藍色半導體激光元件和綠色半導體激光元件的光學增益分別最大化，并且能夠使藍色半導體激光元件的藍色光和綠色半導體激光元件的綠色光從公用的共振器面射出。在上述綠色半導體激光元件和藍色半導體激光元件形成于公用基板上的構成中， 藍色半導體激光元件優選形成于基板的表面上，并且包含具有非極性面的主面的由氮化物系半導體構成的第三活性層，綠色半導體激光元件優選形成于基板的表面上，并且包含與非極性面具有大致相同的面方位的主面的由氮化物系半導體構成的第四活性層。另外，在本發明中，“非極性面”是包含極性面即c面((0001)面)以外的所有的晶體面的廣義的概念，包含m面((1-100)面)和a面((11-20)面)等(Η、Κ、_Η_Κ、0)面的無極性面、從c面 ((0001)面)傾斜的面(半極性面)。如果這樣構成，則與具有極性面即c面的主面的情況相比，能夠減小在第一活性層和第二活性層上發生的壓電電場。由此，能夠減小壓電電場引起的第一活性層的第一阱層和第二活性層的第二阱層的能帶的梯度，因此能夠進一步減小藍色半導體激光元件和綠色半導體激光元件的振蕩波長的變化量(波動幅度)。該結果是，能夠抑制具備形成于同一基板的表面上的藍色半導體激光元件和綠色半導體激光元件的集成式半導體激光裝置的成品率的下降。在這種情況下，第三活性層具有量子阱構造，其中該量子阱構造具有由InGaN構
8成的第三阱層；第四活性層具有量子阱構造，其中該量子阱構造具有由InGaN構成的第四阱層，其中第三阱層的厚度比第四阱層的厚度大。如果這樣構成，則由于在非極性面中，壓電電場的影響小，因此藍色半導體激光元件和綠色半導體激光元件的振蕩波長與形成于c 面((0001)面)的情況相比，會偏向(shift)于比各自的峰值波長短的短波長側。由此，為了使藍色半導體激光元件和綠色半導體激光元件的振蕩波長偏向于長波長側，與形成于c 面的情況相比，需要進一步加大藍色半導體激光元件的第三阱層和綠色半導體激光元件的第四阱層的h組分。另外，在形成由InGaN構成的第三阱層和第四阱層時，由于綠色半導體激光元件的振蕩波長比藍色半導體激光元件的振蕩波長大，因此綠色半導體激光元件的第四阱層與藍色半導體激光元件的第三阱層相比，需要進一步加大h組分。這樣，當加大 h組分時，第三阱層和第四阱層的面內的晶格常數就會比使第三阱層和第四阱層生長的面的晶格的晶格常數更大，由此第三阱層和第四阱層的面內的壓縮變形更大，在第三阱層和第四阱層上易發生錯配差排。另外，綠色半導體激光元件的第四阱層與藍色半導體激光元件的第三阱層相比，壓縮變形大，易發生晶體缺陷。在這種情況下，通過使藍色半導體激光元件的第三活性層的第三阱層的厚度比綠色半導體激光元件的第四活性層的第四阱層的厚度大，能夠減小因h組分大而易發生晶體缺陷的第四阱層的厚度，因此在綠色半導體激光元件的第四阱層中，能夠抑制晶體缺陷產生。在上述綠色半導體激光元件包含第三活性層且藍色半導體激光元件包含第四活性層的構成中，非極性面優選為大致(11-22)面。如果這樣構成，則大致(11-22)面與其他半極性面相比，壓電電場更小，因此能夠減小藍色半導體激光元件和綠色半導體激光元件的振蕩波長的變化量。在上述綠色半導體激光元件包含第三活性層且藍色半導體激光元件包含第四活性層的構成中，基板的主面優選具有與非極性面大致相同的面方位。如果這樣構成，則只需使半導體層在與藍色半導體激光元件的第三活性層和綠色半導體激光元件的第四活性層具有大致相同的非極性面的面方位的主面的基板上生長，能夠容易地形成包含具有非極性面的主面的第三活性層的藍色半導體激光元件和包含具有非極性面的主面的第四活性層的綠色半導體激光元件。在上述綠色半導體激光元件和藍色半導體激光元件形成于公用基板上的構成中， 藍色半導體激光元件優選形成于基板的一側的表面上，并且從基板側起，依次層疊有第五活性層、第一半導體層和第一電極，綠色半導體激光元件優選以與藍色半導體激光元件相鄰排列的方式形成，并且從基板側起，依次層疊有第六活性層、第二半導體層和第二電極， 半導體激光裝置優選還具備支承基臺，支承基臺通過第一熔接層形成于第一電極上，并且， 通過第二熔接層形成于第二電極上，基板優選在一側的相反側具有另一側的表面，在設從另一側的表面到一側的第一半導體層的表面為止的藍色半導體激光元件的厚度為tl、設從另一側的表面到一側的第二半導體層的表面為止的綠色半導體激光元件的厚度為t2、設第一電極的厚度為t3和設第二電極的厚度為t4時，在tl < t2時，具有t3 > t4的關系，在 tl > t2時，具有t3 < t4的關系。如果這樣構成，則例如，即使在藍色半導體激光元件的從基板的另一側的表面到第一半導體層的一側的表面為止的厚度tl、綠色半導體激光元件的從基板的另一側的表面到第二半導體層的一側的表面為止的厚度t2之間產生差的情況下，也可以通過適當調節第一電極的厚度t3和第二電極的厚度t4，進一步減小包含第一電極的藍色半導體激光元件的厚度(tl+U)和包含第二電極的綠色半導體激光元件的厚度 (t2+t4)之差。即，即使在藍色半導體激光元件和綠色半導體激光元件的從基板到第一半導體層或第二半導體層的各自的厚度tl和t2之間產生差，也能夠利用第一電極和第二電極的厚度的不同(t3和t4之差)來調節其差(厚度tl和厚度t2之差)。由此，能夠使包含公用基板的藍色半導體激光元件和綠色半導體激光元件的厚度一致，因此在通過減少熔接點方式等將該半導體激光裝置經由熔接層(第一熔接層和第二熔接層)接合于支承基臺的情況下，不需要使熔接層吸收半導體激光元件的厚度之差，因此能夠將熔接層抑制到必要最小限的量。該結果是，因接合后多余的熔接層溢出而發生激光元件彼此的電短路這種不良情況得以抑制，因此能夠提高形成半導體激光元件時的成品率。在這種情況下，支承基臺優選為輔助支座(寸々 > 卜)。如果這樣構成，則在通過減少熔接點方式將該半導體激光裝置通過熔接層(第一熔接層和第二熔接層)接合于輔助支座的情況下，能夠將使用的熔接層在二個半導體激光元件中分別抑制到必要的最小限的量。因此，能夠容易地形成提高成品率的半導體激光裝置。在上述藍色半導體激光元件具有第一電極且綠色半導體激光元件具有第二電極的構成中，第一電極優選由第一焊盤電極構成；第二電極優選由第二焊盤電極構成。如果這樣構成，則通過分別適當調節第一焊盤電極和第二焊盤電極的厚度，能夠容易地使形成于公用基板的一側的表面上的藍色半導體激光元件和綠色半導體激光元件的厚度一致。在這種情況下，在t3>t4的情況下，第一焊盤電極的厚度優選比第二焊盤電極的厚度大；在t3 < t4的情況下，第二焊盤電極的厚度優選比第一焊盤電極的厚度大。如果這樣構成，則通過根據上述的條件調節第一焊盤電極和第二焊盤電極的厚度，能夠使形成于公用基板的一側的表面上的藍色半導體激光元件和綠色半導體激光元件的厚度一致，因此在通過減少熔接點方式將該半導體激光裝置通過熔接層接合于輔助支座的情況下，能夠將使用的熔接層在二個半導體激光元件中分別抑制到必要最小限的量。本發明第二方面的顯示裝置具備半導體激光裝置和調制機構，半導體激光裝置具備具有一個或多個激光發光部的綠色半導體激光元件、具有一個或多個激光發光部的藍色半導體激光元件、具有一個或多個激光發光部的紅色半導體激光元件，綠色半導體激光元件、藍色半導體激光元件和紅色半導體激光元件中的至少二個半導體激光元件具有如下關系，射出相對長的波長的半導體激光元件的激光發光部的個數比射出相對短的波長的半導體激光元件的激光發光部的個數多；調制機構對來自半導體激光裝置的光進行調制。在本發明第二方面的顯示裝置中，如上，能夠構成為在綠色半導體激光元件、藍色半導體激光元件和紅色半導體激光元件中的至少二個半導體激光元件中，通過將合計輸出相對小的半導體激光元件的激光發光部的個數構成為比合計輸出相對大的具有多個激光發光部的半導體激光元件的激光發光部的個數、或輸出相對大的具有一個激光發光部的半導體激光元件的個數多，在以輸出或合計輸出大的半導體激光元件為基準構成半導體激光裝置的情況下，在合計輸出設定得相對小的半導體激光元件中，構成激光元件的各半導體激光元件的個數就會設得更多，因此容易調節半導體激光元件的合計輸出而具有所希望的輸出。由此，能夠將輸出(合計輸出)相對大的半導體激光元件和適當地調節了輸出的相對小的輸出(合計輸出)的半導體激光元件組合在一起，因此在利用半導體激光裝置作為光源的情況下，能夠容易地得到所希望的色相。另外，例如，在用紅色、綠色和藍色的半導
10體激光元件得到白光時，在射出綠色光和藍色光的激光元件與易得到較大輸出的紅色半導體激光元件相比難以得到較大輸出的情況下，能夠將綠色和藍色半導體激光元件的數量設為比紅色半導體激光元件的數量多，因此能夠容易地調節綠色和藍色半導體激光元件的輸出。由此，能夠得到容易得到理想的白色光源的半導體激光裝置。


圖1是表示本發明第一實施方式的半導體激光裝置的構造的正面圖；圖2是表示本發明第一實施方式的半導體激光裝置的詳細構造的截面圖；圖3是搭載有本發明第一實施方式的半導體激光裝置的一例的投影機裝置的結構圖；圖4是搭載有本發明第一實施方式的半導體激光裝置的另一例的投影機裝置的結構圖；圖5是表示搭載有本發明第一實施方式的半導體激光裝置的另一例的投影機裝置的控制部時序性地發送信號的狀態的時間圖；圖6是表示本發明第二實施方式的半導體激光裝置的構造的平面圖；圖7是表示本發明第二實施方式的半導體激光裝置的構造的截面圖；圖8是表示本發明第二實施方式的半導體激光裝置的構造的截面圖；圖9是表示本發明第三實施方式的半導體激光裝置的構造的平面圖；圖10是表示本發明第三實施方式的半導體激光裝置的構造的截面圖；圖11是表示構成本發明第三實施方式的半導體激光裝置的藍色半導體激光元件的活性層的構造的截面圖；圖12是表示構成本發明第三實施方式的半導體激光裝置的綠色半導體激光元件的活性層的構造的截面圖；圖13是表示構成本發明第三實施方式的變形例的半導體激光裝置的藍色半導體激光元件的活性層的構造的截面圖；圖14是表示本發明第四實施方式的半導體激光裝置的構造的平面圖；圖15是表示本發明第四實施方式的半導體激光裝置的構造的截面圖；圖16是表示本發明第四實施方式的半導體激光裝置的構造的截面圖；圖17是表示本發明第四實施方式的半導體激光裝置的構造的平面圖；圖18是表示本發明第五實施方式的半導體激光裝置的構造的頂視圖；圖19是沿著圖18的5000-5000線的截面圖；圖20是表示構成本發明第五實施方式的半導體激光裝置的二波長半導體激光元件部的構造的截面圖；圖21是用于對本發明第五實施方式的半導體激光裝置的制造工藝進行說明的圖；圖22是用于對本發明第五實施方式的半導體激光裝置的制造工藝進行說明的圖；圖23是用于對本發明第五實施方式的半導體激光裝置的制造工藝進行說明的11
圖M是用于對本發明第五實施方式的半導體激光裝置的制造工藝進行說明的圖；圖25是用于對本發明第五實施方式的半導體激光裝置的制造工藝進行說明的圖；圖沈是用于對本發明第五實施方式的半導體激光裝置的制造工藝進行說明的圖。
具體實施例方式下表面，基于附圖對本發明的實施方式進行說明。(第一實施方式)首先，參照圖1和圖2對本發明的第一實施方式的半導體激光裝置100的構造進行說明。在本發明第一實施方式的半導體激光裝置100中，如圖1所示，RGB三波長半導體激光元件部90經由AuSn焊料等導電性粘接層1固定于臺座110的上表面(C2側的面)上。 另外，RGB三波長半導體激光元件部90的具有約655nm的振蕩波長的紅色半導體激光元件 10、具有約530nm的振蕩波長的綠色半導體激光元件30和具有約460nm的波長的藍色半導體激光元件50，以各色激光大致平行且向半導體激光裝置100的正面方向射出的方式，經由AuSn焊料等導電性粘接層2，隔開規定間隔固定在基臺91的上表面上。另外，一個紅色半導體激光元件10具有約SOOmW的額定輸出，并且一個綠色半導體激光元件30具有約90mW的額定輸出。另外，一個藍色半導體激光元件50具有約300mW 的額定輸出。在此，為了使用紅色光655nm、綠色光530nm和藍色光460nm得到白光，要求將RGB 三波長半導體激光元件部90的上述三種半導體激光元件的換算功率的輸出比調節為紅色綠色藍色=24. 5 8. 1 16.7(在光束(流明)比中，相當于紅色光綠色光藍色光=2:7:1)。因此，如圖1所示，RGB三波長半導體激光元件部90由三個綠色半導體激光元件 30、二個藍色半導體激光元件50、一個紅色半導體激光元件10構成。即，當將綠色半導體激光元件30的個數nl和藍色半導體激光元件50的個數n2進行比較時，合計輸出相對小的綠色半導體激光元件30的個數nl設置為比合計輸出相對大的藍色半導體激光元件50的個數n2多(nl > n2)。另外，即使將綠色半導體激光元件30的個數nl和紅色半導體激光元件10的個數n3進行比較，合計輸出相對小的綠色半導體激光元件30的個數nl也設置為比合計輸出相對大的紅色半導體激光元件50的個數n3多(nl > n3)。另外，在第一實施方式中，如圖1所示，各色半導體激光元件配置為，在從半導體激光裝置100的正面(各色激光的射出方向)側觀察時，從一側端部(Bi側)向另一側端部(B2側)，按綠色、藍色、綠色、紅色、綠色和藍色的順序排列。由此，在RGB三波長半導體激光元件部90中，構成為由于在各色半導體激光元件配列的方向(B方向)上個數最多的綠色半導體激光元件30配置于紅色半導體激光元件10和藍色半導體激光元件50的兩側， 因此能夠得到具有三個發光點(激光發光部)的綠色光、具有二個發光點的藍色光和具有一個發光點的紅色光適當混合而成的狀態的白光。
另外，如圖2所示，紅色半導體激光元件10在η型GaAs基板11的上表面上形成有由Si摻雜GaAs構成的η型接觸層12、由Si摻雜AWaInP構成的η型包覆(clad)層13、 AlGaInP阻擋層和GaInP阱層交替層疊而成的MQW活性層14和由Si摻雜AWaInP構成的 P型包覆層15。另外，ρ型包覆層15具有沿激光的射出方向以條紋狀延伸的凸部，和向凸部的兩側(B方向)延伸的平坦部。由該ρ型包覆層15的凸部形成用于構成光波導路的寬度約 2. 5 μ m的脊(ridge) 20。另外，以覆蓋ρ型包覆層15的脊20以外的上表面上的方式，形成有由SiO2構成的電流攔阻(區塊)層16。另外，以覆蓋脊20和電流阻擋層16的上表面的方式，形成有由Au等構成的ρ側焊盤電極17。另外，在η型GaAs基板11的下表面(Cl側的面)上形成有從η型GaAs基板11側起按AuGe層、Ni層和Au層的順序層疊而成的η側電極18。另外，如圖2所示，綠色半導體激光元件30在η型GaN基板31的上表面上形成有由Ge摻雜feiN構成的η型GaN層32，和由η型AlGaN構成的η型包覆層33，以及由InGaN 構成的量子阱層和阻擋層交替層疊而成的MQW活性層34，由ρ型AWaN構成的ρ型包覆層 35。另外，ρ型包覆層35具有沿激光的射出方向以條紋狀延伸的凸部，和向凸部的兩側(B方向)延伸的平坦部。由該ρ型包覆層35的凸部形成用于構成光波導路的寬度約 2 μ m的脊40。另外，以覆蓋在ρ型包覆層35的脊40以外的上表面上的方式，形成有由SW2 構成的電流阻擋層36。另外，以覆蓋脊40和電流阻擋層36的上表面的方式，形成有由Au 等構成的P側焊盤電極37。另外，在η型GaN基板31的下表面上形成有從η型GaN基板 31側起按Ti層、Pt層和Au層的順序層疊而成的η側電極38。另外，如圖2所示，藍色半導體激光元件50在η型GaN基板51的上表面上形成有由Ge摻雜GaN構成的η型GaN層52、由η型AWaN構成的η型包覆層53、由InGaN構成的量子阱層和阻擋層交替層疊而成的MQW活性層M和由ρ型AWaN構成的ρ型包覆層55。另外，ρ型包覆層55具有沿激光的射出方向以條紋狀延伸的凸部，和向凸部的兩側(B方向)延伸的平坦部。由該ρ型包覆層55的凸部形成用于構成光波導路的寬度約 1. 7 μ m的脊60。另外，以覆蓋在ρ型包覆層55的脊60以外的上表面上的方式，形成有由 SiO2構成的電流阻擋層56。另外，以覆蓋脊60和電流阻擋層56的上表面的方式，形成有由 Au層等構成的ρ側焊盤電極57。另外，在η型GaN基板51的下表面上形成有從η型GaN 基板51側起按Ti層、Pt層和Au層的順序層疊而成的η側電極58。另外，如圖1所示，半導體激光裝置100具備載置RGB三波長半導體激光元件部90 的臺座11、設有與臺座Iio電絕緣并且貫通底部107a的五個引線端子101、102、103、104、 105以及與臺座110和底部107a電導通的引線端子106(虛線)的芯棒(stem) 107。另外，三個綠色半導體激光元件30分別經由與各自的ρ側焊盤電極37 (參照圖2) 進行引線接合的金屬線71、72和73，連接于引線端子101、102和105。另外，ρ側焊盤電極 37是本發明的“電極”的一個例子，引線端子101、102和105分別是本發明的“端子”的一個例子。另外，二個藍色半導體激光元件50分別經由與各自的ρ側焊盤電極57 (參照圖2) 進行引線接合的金屬線74和75，共同連接于一個引線端子103。另外，紅色半導體激光元件10經由與ρ側焊盤電極17 (參照圖2)進行引線接合的金屬線76，連接于引線端子104。 另外，載置各半導體激光元件(10、30和50)的基臺91由AlN等具有導電性的材料構成，經由導電性粘接層1，電連接于臺座110。由此，半導體激光裝置100構成為各半導體激光元件(10、30和50)的ρ側電極(17、37和57)連接于相互絕緣的引線端子(101、102、103、104 和105)，并且η側電極(18、38和58)連接于公用的負極端子(引線端子106(參照圖1)) 的狀態(負極(cathode)公用)。另外，紅色半導體激光元件10、綠色半導體激光元件30和藍色半導體激光元件 50分別在共振器方向(垂直于圖1的紙面的方向)的兩端部形成有光射出面和光反射面。 另外，在各半導體激光元件的光射出面(各色激光的射出方向側的面)上形成有低反射率的電介質多層膜，并且在光反射面(與各色激光的射出方向相反側的面)上形成有高反射率的電介質多層膜。在此，作為電介質多層膜，能夠使用由GaN、A1N、BN、A1203、SiO2, ZrO2, Ta2O5^Nb2O5,La203>SiN,A10N和MgF2,以及與這些混合比不同的材料的Ti3O5和Nb2O3等構成的多層膜。另外，在紅色半導體激光元件10、綠色半導體激光元件30和藍色半導體激光元件 50中，也可以在η型包覆層和活性層之間形成有光導向層和載流子阻擋層(載體攔阻層) 等。另外，也可以在η型包覆層的與活性層相反側形成有接觸層等。另外，也可以在活性層和P型包覆層之間形成有光導向層和載流子阻擋層等。另外，也可以優選在P型包覆層的與活性層相反側形成有帶隙(band gap)比ρ型包覆層小的接觸層等。另外，也可以在ρ側焊盤電極的P型包覆層側形成有P側歐姆電極。接著，參照圖1和圖2對第一實施方式的半導體激光裝置100的制造工藝進行說明。在第一實施方式的半導體激光裝置100的制造工藝中，首先，如圖2所示，利用 MOCVD法，在η型GaAs基板11的上表面上依次形成η型接觸層12、η型包覆層13、MQff活性層14和ρ型包覆層15，其后，形成脊20、電流阻擋層16和ρ側焊盤電極17。其后，在研磨了 η型GaAs基板11的下表面以后，在η型GaAs基板11的下表面上形成η側電極18， 制作紅色半導體激光元件10的晶片。最后，通過以具有規定共振器長的方式將晶片解理為棒狀(片狀)，并且在共振器方向上進行元件分割，形成紅色半導體激光元件10 (參照圖1) 的多個芯片。另外，通過與上述紅色半導體激光元件10相同的制造工藝，形成綠色半導體激光元件30和藍色半導體激光元件50。其后，如圖1所示，利用陶瓷制的筒夾(collet)(未圖示)，將三個綠色半導體激光元件30、二個藍色半導體激光元件50和一個紅色半導體激光元件10相對于基臺91邊按壓邊經由導電性粘接層2固定。此時，各色半導體激光元件配置為，各色激光大致平行，且，在從激光的射出方向側觀察時，從一側端部(Bi側)向另一側端部(B2側)，按綠色、藍色、綠色、紅色、綠色和藍色的順序排列。這樣，形成RGB三波長半導體激光元件部90。其后，以各色激光的射出方向朝向芯棒107的底部107a的正面方向的方式，將RGB三波長半導體激光元件部90相對于設置于芯棒107的臺座110邊按壓邊經由導電性粘接層1接合。由此，基臺91經由臺座110電連接于引線端子106。其后，如圖1所示，通過金屬線71、72和73，將綠色半導體激光元件30的各自的ρ側焊盤電極37和引線端子101、102和105分別連接。另外，通過金屬線74和75，將藍色半導體激光元件50的各自的ρ側焊盤電極57和引線端子103分別連接。另外，通過金屬線 76將紅色半導體激光元件10的ρ側焊盤電極17和引線端子104連接。這樣，形成第一實施方式的半導體激光裝置100。接著，參照圖3對搭載有本發明第一實施方式的半導體激光裝置100的本發明的 “顯示裝置”的一個例子即投影機裝置150的構成進行說明。另外，在投影機裝置150中，對構成半導體激光裝置100的各半導體激光元件大致同時點亮的例子進行說明。在投影機裝置150中，如圖3所示，具備半導體激光裝置100、由多個光學零件構成的光學系統120、控制半導體激光裝置100和光學系統120的控制部145。由此，構成為從半導體激光裝置100射出的激光在通過光學系統120調制后，投影到外部的屏幕144等。 另外，光學系統120是本發明的“調制機構”的一個例子。另外，在光學系統120中，從半導體激光裝置100射出的激光在通過由凹透鏡和凸透鏡構成的色散透鏡122轉換為具有規定光束直徑的平行光之后，入射到蠅眼積分器 (fly-eye integrator) 123。另外，在蠅眼積分器123中，由蠅眼狀的透鏡組構成的二個蠅眼透鏡以相對置的方式構成，對從色散角控制透鏡122入射的光施加透鏡作用，以使入射到液晶面板1四、133和140時的光量分布均勻。即，能夠使透過蠅眼積分器123的光擴展為具有與液晶面板129、133和140的尺寸對應的縱橫尺寸比(例如，16 9)入射。另外，透過蠅眼積分器123的光通過聚光(condenser)透鏡IM聚光。另外，在透過聚光透鏡124的光中，僅紅色光由分色鏡125反射，另一方面，綠色光和藍色光透過分色鏡1邪。而且，紅色光經過反射鏡1 并在透鏡127實現的平行化之后，經由入射側偏光板 128，入射到液晶面板129。該液晶面板1 通過根據紅色用的驅動信號(R圖像信號)而驅動，來調制紅色光。另外，在分色鏡130中，僅透過分色鏡125的光中的綠色光被反射，另一方面，藍色光透過分色鏡130。而且，綠色光在透鏡131實現的平行化之后，經由入射側偏光板132，入射到液晶面板133。該液晶面板133通過根據綠色用的驅動信號(G圖像信號)而驅動，來調制綠色光。另外，透過分色鏡130的藍色光經過透鏡134、反射鏡135、透鏡136和反射鏡137， 再由透鏡138進行平行化之后，經由入射側偏光板139，入射到液晶面板140。該液晶面板 140通過根據藍色用的驅動信號(B圖像信號)而驅動，來調制藍色光。其后，由液晶面板1四、133和140調制的紅色光、綠色光和藍色光在由分色棱鏡 (二向色棱鏡)141合成之后，經由射出側偏光板142，入射到投影透鏡143。另外，投影透鏡 143內裝有用于使投影光在被投影面(屏幕144)上成像的透鏡組，和用于使透鏡組的一部分沿光軸方向位移而調節投影圖像的放大倍數和焦距的致動器。另外，在投影機裝置150中，通過控制部145，以作為紅色半導體激光元件10的驅動相關的R信號、綠色半導體激光元件30的驅動相關的G信號和藍色半導體激光元件50 的驅動相關的B信號的穩定電壓供給到半導體激光裝置100的各激光元件的方式控制。由此，半導體激光裝置100的紅色半導體激光元件10、綠色半導體激光元件30和藍色半導體
15激光元件50構成為實質上同時振蕩。另外構成為，通過由控制部145控制半導體激光裝置 100的紅色半導體激光元件10、綠色半導體激光元件30和藍色半導體激光元件50的各自的光的強度，來控制投影到屏幕144的像素的色相、亮度等。由此，通過控制部145，所希望的圖像投影到屏幕144。這樣就構成搭載有本發明第一實施方式的半導體激光裝置100的投影機裝置150。接著，參照圖1、圖4和圖5對搭載有本發明第一實施方式的半導體激光裝置100 的本發明的“顯示裝置”的另一個例子即投影機裝置190的構成進行說明。另外，在投影機裝置190中，對構成半導體激光裝置100的各半導體激光元件時序性地點亮的例子進行說明。如圖4所示，投影機裝置190具備半導體激光裝置100和光學系統160，控制半導體激光裝置100和光學系統160的控制部185。由此構成為，來自半導體激光裝置100的激光在由光學系統160調制后，投影到屏幕181等。另外，光學系統160是本發明的“調制機構”的一個例子。另外，在光學系統160中，從半導體激光裝置100射出的激光分別通過透鏡162轉換為平行光以后，入射到光導管164。光導管164的內面為鏡面，激光邊由光導管164的內面重復反射，邊在光導管164 內行進。這時，通過光導管164內的多重反射作用，從光導管164射出的各色激光的強度分布被均勻化。另外，從光導管164射出的激光經由中繼光學系統165，入射到數字微反射鏡元件(DMD) 166。DMD元件166由配置成矩陣狀的微小的反射鏡組構成。另外，DMD元件166具有通過將各像素位置的光的反射方向切換到朝向投影透鏡180的第一方向A和偏離投影透鏡 180的第二方向B，來表現(調制)各像素的灰度的功能。入射到各像素位置的激光中沿第一方向A反射的光(ON光)入射到投影透鏡180，并投影到被投影面(屏幕181)。另外，由 DMD元件166沿第二方向B反射的光(OFF光)不入射到投影透鏡180，而是由光吸收體167 吸收。另外，在投影機裝置190中，構成為由控制部185以脈沖電源供給到半導體激光裝置100的方式進行控制，半導體激光裝置100的紅色半導體激光元件10、綠色半導體激光元件30和藍色半導體激光元件50被時序性地分割，每一個元件都被周期性地驅動。另外，通過控制部185，光學系統160的DMD元件166構成為邊與紅色半導體激光元件10、綠色半導體激光元件30和藍色半導體激光元件50的驅動狀態分別同步，邊按照各像素(R、G和B) 的灰度來調制光。具體而言，如圖5所示，紅色半導體激光元件10 (參照圖1)的驅動相關的R信號、 綠色半導體激光元件30 (參照圖1)的驅動相關的G信號和藍色半導體激光元件50 (參照圖1)的驅動相關的B信號在以不相互重疊的方式被時序性分割后的狀態下，通過控制部 185 (參照圖4)，供給到半導體激光裝置100的各激光元件。另外，與該B信號、G信號和R 信號同步地，B圖像信號、G圖像信號、R圖像信號分別從控制部185輸出到DMD元件166。由此，基于圖5所示的時間圖的B信號，藍色半導體激光元件50發藍色光，并且在該時刻，基于B圖像信號，由DMD元件166調制藍色光。另外，基于接著B信號而輸出的G信號，綠色半導體激光元件30發綠色光，并且在該時刻，基于G圖像信號，由DMD元件166調制綠色光。另外，基于接著G信號而輸出的R信號，紅色半導體激光元件10發紅色光，并且在該時刻，基于R圖像信號，由DMD元件166調制紅色光。其后，基于接著R信號而輸出的B 信號，藍色半導體激光元件50發藍色光，并且在該時刻，再次基于B圖像信號，由DMD元件 166調制藍色光。通過重復上述的動作，基于B圖像信號、G圖像信號和R圖像信號的激光照射形成的圖像投影到被投影面(屏幕181)。這樣就構成了搭載有本發明第一實施方式的半導體激光裝置100的投影機裝置190。在第一實施方式中，如上，通過構成為綠色半導體激光元件30的個數nl (三個) 比藍色半導體激光元件50的個數n2( 二個)多，且構成為綠色半導體激光元件30的個數 nl (三個)比紅色半導體激光元件10的個數n3(—個)多，在以輸出較大的紅色半導體激光元件10為基準而構成半導體激光裝置100的情況下，在合計輸出設定得相對小的的綠色半導體激光元件30、藍色半導體激光元件50中，構成激光元件的各半導體激光元件的個數設置得比紅色半導體激光元件10多，因此，能夠構成為容易調節綠色半導體激光元件30和藍色半導體激光元件50的各自的合計輸出，從而具有所希望的輸出。由此，能夠將輸出相對大的紅色半導體激光元件10，和適當調節了合計輸出的相對小的輸出的綠色半導體激光元件30和藍色半導體激光元件50適當組合，因此在利用半導體激光裝置100作為光源的情況下，能夠容易地得到所希望的色相。另外，在第一實施方式中，通過構成為綠色半導體激光元件30的個數nl (三個) 比藍色半導體激光元件50的個數n2 ( 二個)多，且綠色半導體激光元件30的個數nl (三個)比紅色半導體激光元件10的個數n3(—個)多，在利用上述三種半導體激光元件得到白光時，特別是由于綠色半導體激光元件30的輸出(約270mW)和藍色半導體激光元件50 的輸出(約600mW)比易得到較大輸出的紅色半導體激光元件10(約800mW)小，因此能夠將綠色半導體激光元件30和藍色半導體激光元件50的數量比紅色半導體激光元件10的數量優先設置為多。由此，能夠容易調節綠色半導體激光元件30和藍色半導體激光元件50 的合計輸出，因此能夠容易形成易得到理想白光的半導體激光裝置100。另外，在第一實施方式中，通過增加綠色半導體激光元件30和藍色半導體激光元件50的數量(激光發光部的數量)，能夠將各激光發光部的輸出抑制得較小，因此各激光發光部的輸出越小，越能抑制綠色半導體激光元件30和藍色半導體激光元件50的溫度上升。另外，在綠色半導體激光元件30和藍色半導體激光元件50中，由于激光發光部的面積根據激光發光部的個數而增大，因此能夠使半導體激光元件的發熱經由更大的表面積來散熱。由此，綠色半導體激光元件30和藍色半導體激光元件50的老化得以抑制，因此能夠實現半導體激光元件的長壽命化。另外，在第一實施方式中，三個綠色半導體激光元件30通過各自的ρ側焊盤電極 37分別經由金屬線71、72和73連接于不同的引線端子101、102和105，能夠根據激光發光部的數量，個別地驅動紅色半導體激光元件10、激光發光部比藍色半導體激光元件50多的綠色半導體激光元件30，因此能夠根據所要求的輸出，容易地調節綠色半導體激光元件30 的合計輸出。(第二實施方式)參照圖6 圖8對如下情況進行說明，S卩，在該第二實施方式中，與上述第一實施方式不同，將四個綠色半導體激光元件230a 230d集成化而成的單片型綠色半導體激光元件部230、三個藍色半導體激光元件250a 250c集成化而成的單片型藍色半導體激光元件部250和一個紅色半導體激光元件210配置于基臺291上，構成RGB三波長半導體激光元件部290。在本發明第二實施方式的半導體激光裝置200中，如圖6所示，RGB三波長半導體激光元件部290固定于臺座206的上表面(C2側O面)上。在此，在第二實施方式中，為了利用約635nm的紅色光、約530nm的綠色光和約 460nm的藍色光得到白光，對于將RGB三波長半導體激光元件部290的上述三種半導體激光元件的換算功率輸出比調節為紅色綠色藍色=9.2 8. 1 16.7提出了要求。因此，如圖7所示，綠色半導體激光元件部230通過將分別具有約50mW的輸出的綠色半導體激光元件230a 230d集成化于一塊基板231上，具有約200mW的合計輸出。另夕卜，如圖8所示，藍色半導體激光元件部250通過將分別具有約200mW的輸出的藍色半導體激光元件250a 250c集成化于一塊基板251上，具有約600mW的合計輸出。而且，如圖6 所示，通過將具有約350mW的輸出的一個紅色半導體激光元件210、綠色半導體激光元件部 230和藍色半導體激光元件部250隔開規定間隔固定于基臺291的上表面(C2側的面)上， 構成RGB三波長半導體激光元件部290。S卩，在第二實施方式中，當將各半導體激光元件的激光發光部的個數進行比較時， 合計輸出相對小的綠色半導體激光元件部230的激光發光部的個數(四個)設置得比輸出相對大的紅色半導體激光元件210的個數(一個)多。另外，綠色半導體激光元件部230 的激光發光部(四個)設置得比合計輸出相對大的藍色半導體激光元件部250的激光發光部的個數(三個)多。另外，在第二實施方式中，如圖6所示，在基臺291上的半導體激光裝置200的寬度方向(B方向)的大致中央，以使激光的射出方向(Al方向)與B方向正交的方式，配置有綠色半導體激光元件部230，并且在基臺291上的一側端部側(Bi方向側)，以相鄰于綠色半導體激光元件部230并且激光的射出方向與來自綠色半導體激光元件部230的激光的射出方向(Al方向)大致平行的方式，配置有紅色半導體激光元件210。另外，藍色半導體激光元件部250以相鄰于綠色半導體激光元件部230并且激光的射出方向與來自綠色半導體激光元件部230的激光的射出方向(Al方向)大致平行的方式，配置在與紅色半導體激光元件210相反側(B2方向)。在此，紅色半導體激光元件210的共振器長(約2mm)比綠色半導體激光元件部230和藍色半導體激光元件部250的共振器長(共約Imm)更長。另夕卜，三個半導體激光元件以各自的光射出面大致一致位于同一平面的方式配置。另外，如圖7所示，綠色半導體激光元件230a 230d隔開凹部5 — 體地形成于基板231上。另外，在綠色半導體激光元件230a 230d的ρ型包覆層35側(C2側)的表面上，從綠色半導體激光元件230a到230d形成有一個ρ側焊盤電極237。另外，在基板231 的下表面(Cl側)上形成有η側電極238。另外，如圖8所示，藍色半導體激光元件250a 250c隔開從藍色半導體激光元件部250的上表面(C2側的面)到η型GaN層52的凹部6 —體地形成于基板251上。另夕卜，電流阻擋層56以覆蓋凹部6的側面和底面的方式形成。另外，在藍色半導體激光元件 250a 250c的ρ型包覆層55側(C2側)的表面上，從藍色半導體激光元件250a到250c 形成有一個P側焊盤電極257。另外，在基板251的下表面(Cl側)上形成有η側電極258。另外，藍色半導體激光元件部250的其他結構與上述第一實施方式的藍色半導體激光元件 50相同。另外，如圖6所示，半導體激光裝置200具備載置RGB三波長半導體激光元件部 290的臺座206、與臺座206電絕緣并且貫通底部205a的三個引線端子201、202和203，以及設有與臺座206和底部205a電導通的另外一個引線端子(未圖示)的芯棒205。另外，紅色半導體激光元件210經由與ρ側焊盤電極17進行引線接合的金屬線 271，連接于引線端子201。另外，綠色半導體激光元件230經由與ρ側焊盤電極237進行引線接合的金屬線272，連接于引線端子202。另外，藍色半導體激光元件250經由與ρ側焊盤電極257進行引線接合的金屬線273，連接于引線端子203。另外，紅色半導體激光元件 210、綠色半導體激光元件部230和藍色半導體激光元件部250經由AuSn焊料等導電性粘接層(未圖示)，電連接于基臺291的上表面(C2側的面)上，并且基臺291經由AuSn焊料等導電性粘接層(未圖示)，電連接于臺座206。另外，如圖6所示，構成為各色激光從RGB 三波長半導體激光元件部290的Al側的共振器端面射出。另外，第二實施方式的半導體激光裝置200的制造工藝與上述第一實施方式相同。在第二實施方式中，如上，通過將四個綠色半導體激光元件230a 230d形成于公用基板231上而形成單片型綠色半導體激光元件部230，并且將三個藍色半導體激光元件 250a 250c形成于公用基板251上而形成單片型藍色半導體激光元件部250，綠色半導體激光元件部230和藍色半導體激光元件部250根據振蕩波長的不同地分別集成化于公用的基板上而形成，因此集成化程度越高，越能減小綠色半導體激光元件部230和藍色半導體激光元件部250的B方向的寬度。由此，即使在較多地需要激光發光部的數量的情況(例如，在綠色半導體激光元件部230中為四個)下，也能夠以集成化的激光元件的狀態容易地配置在封裝體內(基臺291上)。另外，第二實施方式的其他效果與上述第一實施方式相同。(第三實施方式)參照圖6和圖8 圖12對第三實施方式進行說明。在該第三實施方式中，與上述第二實施方式不同，對如下情況進行說明，即，將由三個綠色半導體激光元件330a 330c 構成的綠色半導體激光元件部330和由二個藍色半導體激光元件350a和350b構成的藍色半導體激光元件部350集成化而成的單片型二波長半導體激光元件部370、一個紅色半導體激光元件10配置于基臺391上，構成RGB三波長半導體激光元件部390。在本發明第三實施方式的半導體激光裝置300中，如圖9所示，RGB三波長半導體激光元件部390固定于臺座206的上表面上。在此，在第三實施方式中，為了利用約655nm的紅色光、約520nm的綠色光和約 480nm的藍色光得到白光，對于將RGB三波長半導體激光元件部390的上述三種半導體激光元件的功率輸出比調節為紅色綠色藍色=24.5 9.9 7.2提出了要求。因此，如圖9所示，構成二波長半導體激光元件部370的綠色半導體激光元件部 330在將分別具有約IOOmW的輸出的綠色半導體激光元件330a 330c集成化而具有約 300mff的合計輸出的狀態下，并且藍色半導體激光元件部350在將分別具有約120mW的輸出的藍色半導體激光元件350a和350b集成化而具有約240mW的合計輸出的狀態下，形成于具有由(11-22)面構成的主面的公用的η型GaN基板331上。而且，通過將具有約SOOmW 的輸出的一個紅色半導體激光元件10和二波長半導體激光元件部370經由AuSn焊料等導電性粘接層(未圖示)，隔開規定間隔固定于基臺391的上表面上，形成RGB三波長半導體激光元件部390。在此，二波長半導體激光元件部370是將綠色半導體激光元件部330和藍色半導體激光元件部350集成化于具有(11-22)面的主面的公用的η型GaN基板331上而形成的。另外，η型GaN基板331是本發明的“基板”的一個例子。另外，在第三實施方式中，如圖10所示，η型GaN基板331的(11_22)面由從c面 ((0001)面)向[11-20]方向傾斜約58°的面構成的半極性面構成。另外，作為半極性面， 優選使用從c面起傾斜約10°以上約70°以下的面。由此，用綠色半導體激光元件部330 和藍色半導體激光元件部350，能夠使光學增益最大化的光波導路延伸的方向彼此大致一致。另外，(11-22)面由于與其他半極性面相比，壓電電場更小，因此能夠抑制藍色半導體激光元件部350和綠色半導體激光元件部330的發光效率下降。因此，作為η型GaN基板 331的主面，更優選使用上述的(11-22)面。另外，藍色半導體激光元件部350在η型GaN基板331的上表面的[-1100]方向(Bi方向)側的區域上形成有η型GaN層52、具有約2μπι的厚度且由Si摻雜η型 AlawGaa93N構成的η型包覆層53a、具有約5nm的厚度且由Si摻雜η型Ala 16Ga0.84N構成的 η型載流子阻擋層53b和具有約IOOnm的厚度且由Si摻雜η型Inatl2Gaa98N構成的η型光導向層53c。另外，藍色半導體激光元件部350的活性層54與η型GaN基板331相同，具有由 (11-22)面構成的主面。具體而言，如圖11所示，活性層54在η型光導向層53c的上表面上，具有約20nm的厚度且由非摻雜Inatl2Gaa98N構成的四層阻擋層54a，和具有約3nm的厚度t5的由非摻雜Ina2tlGaa8tlN構成的三層阱層54b交替地層疊而構成。在此，阱層54b的面內晶格常數比η型GaN基板331的面內的晶格常數大，因此在面內方向上附加有壓縮變形。即，藍色半導體激光元件部350的活性層54的阱層54b具有約20%的In組分。另外， 與將極性面即c面((0001)面)和其他半極性面應用于活性層54的主面的情況相比，通過以(11-22)面為活性層54的主面，能夠減小活性層54的壓電電場。另外，構成為在藍色半導體激光元件部350的主面內，振子強度成為最大的偏光方向為相對于無極性面即m面((1-100)面)垂直的方向即[1-100]方向。另外，如圖10所示，藍色半導體激光元件部350在活性層54的上表面上形成有 具有約IOOnm的厚度且由Mg摻雜ρ型Inatl2Gaa98N構成的ρ型光導向層55a、具有約20nm 的厚度且由Mg摻雜ρ型Alai6Gaa84N構成的ρ型載流子阻擋層55b、具有約700nm的厚度且由Mg摻雜ρ型Alatl7Gaa93N構成的ρ型包覆層55c和具有約IOnm的厚度且由Mg摻雜ρ型 1% O2Ga0.98Ν構成的ρ型接觸層55d。另外，如圖10所示，通過ρ型包覆層55c和ρ型接觸層55d，形成于藍色半導體激光元件部350的B方向(Bi方向和B2方向)的大致中央部的條紋狀的脊360形成為沿將
方向投影到(11-22)面的方向即光波導路延伸的方向([-1-123]方向)延伸。另外，以覆蓋ρ型包覆層55c的平坦部的上表面、脊360的側面、η型半導體層 (53)、活性層54、ρ型光導向層55a、ρ型載流子阻擋層55b和ρ型包覆層55c的側面且脊 360的上表面露出的方式，形成由絕緣膜構成的電流阻擋層376。該電流阻擋層376由SiO2構成，并且具有約250nm的厚度。另外，電流阻擋層376以覆蓋η型GaN基板331的上表面的規定區域(從藍色半導體激光元件部350和綠色半導體激光元件部330露出的區域)、綠色半導體激光元件部330的后述的ρ型包覆層35c的平坦部的上表面、后述的脊340的側面、η型半導體層(33)、活性層34和ρ型半導體層(35)的一部分側面且脊340的上表面露出的方式形成。另外，電流阻擋層376以覆蓋凹部7的側面和底面的方式形成。另外，在ρ 型接觸層55d的上表面上形成有具有約5nm的厚度的Pt層、具有約IOOnm的厚度的Pd層和具有約150nm的厚度的Au層按從ρ型接觸層55d起由近及遠的順序層疊而成的ρ側歐姆電極56。另外，在藍色半導體激光元件部350，在激光元件隔開凹部6而排列的方向(B方向)上排列配置的藍色半導體激光元件350a和350b在η型GaN基板331的上表面上，且在與綠色半導體激光元件部330相反側(Bi側)，隔開凹部8而形成。另外，如圖10所示，在綠色半導體激光元件部330，在激光元件隔開凹部7而排列的方向(B方向)上排列配置的綠色半導體激光元件330a 330c在與藍色半導體激光元件部350為同一基板的η型GaN 基板331的上表面上的[1-100]方向(Β2方向)側的區域形成有具有約1 μ m的厚度的η 型GaN層32、具有約2 μ m的厚度且由Si摻雜η型Ala 10Ga0.90N構成的η型包覆層33a、具有約5nm的厚度且由Si摻雜η型Ala2tlGaa8tlN構成的η型載流子阻擋層33b和具有約IOOnm 的厚度且由Si摻雜η型Ina05Gaa95N構成的η型光導向層33c。另外，綠色半導體激光元件部330的活性層34與η型GaN基板331相同，具有由 (11-22)面構成的主面。具體而言，如圖12所示，活性層34在η型光導向層33c的上表面上具有具有約20nm的厚度且由非摻雜Ina ^2Gaa98N構成的二層阻擋層34a，和具有約3. 5nm 的厚度t6且由非摻雜Ina33Gaa67N構成的一層阱層34b交替層疊而成的SQW構造。在此， 阱層34b的面內晶格常數比η型GaN基板331 (參照圖10)的面內的晶格常數大，因此在面內方向上附加有壓縮變形。另外，綠色半導體激光元件部330的阱層34b的壓縮變形比藍色半導體激光元件部350的阱層54b的壓縮變形大。另外，阱層34b的厚度t6優選不足約 6nm。另外，通過活性層34的阱層34b的厚度t6充分小，與活性層34具有MQW構造的情況相比，通過使活性層34具有SQW構造，阱層34b能夠維持層構造。另外，阱層34b是本發明的“第二阱層”的一個例子。即，綠色半導體激光元件部330的活性層34的阱層34b具有比藍色半導體激光元件部350的活性層54的阱層54b的In組分(約20% )大的約33%的 In組分。由此，構成為綠色半導體激光元件330a 330c的增益被最大化的光波導路(脊 340)延伸的方向，和藍色半導體激光元件部350的增益被最大化的光波導路(脊360)延伸的方向成為同一方向([-1-123]方向)。另外，上述的綠色半導體激光元件330a 330c的增益被最大化的光波導路(脊 340)延伸的方向，和藍色半導體激光元件部350的增益被最大化的光波導路(脊360)延伸的方向成為同一方向([-1-123]方向)的結論是基于如下情況而得出的，即，在In組分為約30%以上的情況下，如果具有(11-22)面的主面且由InGaN構成的阱層的厚度不足約 3nm，就會出現(11-22)面內的主要的偏光方向旋轉90° (從[1-100]方向向[-1-123]方向旋轉)的現象。由此，在阱層34b具有約30%以上的In組分的情況下，阱層34b的厚度 t6更優選為約3nm以上。另外，通過構成為具有約33%的In組分，并且使具有(11-22)面的主面且由InGaN構成的阱層34b的厚度具有約3. 5nm(約3nm以上)的厚度t6，能夠構成
21為綠色半導體激光元件330a 330c的光學增益被最大化的光波導路(脊340)延伸的方向相對于藍色半導體激光元件部350的光學增益被最大化的光波導路(脊360)延伸的方向不變化90°。在此，阱層34b的面內晶格常數比η型GaN基板331(參照圖10)的面內的晶格常數大，因此在面內方向上附加有壓縮變形。另外，綠色半導體激光元件部330的阱層 34b的壓縮變形比藍色半導體激光元件部350的阱層54b的壓縮變形大。另外，與將極性面即c面((0001)面)和其他半極性面制成活性層34的主面的情況相比，通過以(11-22)面為活性層34的主面，能夠減小活性層34的壓電電場。另外，構成為圖12所示的綠色半導體激光元件330a 330c的活性層34的阱層 34b的厚度t6(約3. 5nm)比圖11所示的藍色半導體激光元件部350的活性層54的阱層 54b的各層的厚度t5 (約3nm)大(t6 > t5)。另外，如圖10所示，綠色半導體激光元件330a 330c在活性層34的上表面上形成有具有約IOOnm的厚度且由Mg摻雜ρ型Inatl5Gaa95N構成的ρ型光導向層35a、具有約 20nm的厚度且由Mg摻雜ρ型Ala2tlGaa8tlN構成的ρ型載流子阻擋層35b、具有約700nm的厚度且由Mg摻雜ρ型AlaitlGaa9tlN構成的ρ型包覆層35c和具有約IOnm的厚度且由Mg摻雜ρ型Ina02Gaa98N構成的ρ型接觸層35d。另外，形成于綠色半導體激光元件330a 330c的B方向(Bi方向和B2方向)的大致中央部的條紋狀的脊340以沿將W001]方向投影到(11-22)面的方向即光波導路延伸的方向([-1-123]方向)延伸的方式形成。另外，綠色半導體激光元件330a 330c的η型包覆層33a和ρ型包覆層35c的 Al組分(約10% )構成為比藍色半導體激光元件部350的η型包覆層53a和ρ型包覆層 55c的Al組分(約7%)大。另外，綠色半導體激光元件330a 330c的η型載流子阻擋層33b和ρ型載流子阻擋層35b的Al組分(約20%)構成為比藍色半導體激光元件部350 的η型載流子阻擋層53b和ρ型載流子阻擋層55b的Al組分(約16% )大。另外，綠色半導體激光元件330a 330c的η型光導向層33c和ρ型光導向層35a的In組分(約5% ) 構成為比藍色半導體激光元件部350的η型光導向層53c和ρ型光導向層55a的In組分 (約2%)大。通過上述構成，能夠將折射率小的綠色光封閉在與藍色光同程度的包覆層、 載流子阻擋層和光導向層之間，因此在綠色半導體激光元件330a 330c中，能夠確保與藍色半導體激光元件部350同程度的光的封閉。 在此，綠色半導體激光元件330a 330c的η型包覆層33a、n型載流子阻擋層33b、 P型載流子阻擋層35b和P型包覆層35c的Al組分優選分別比藍色半導體激光元件350a 和350b的η型包覆層53a、n型載流子阻擋層53b、p型載流子阻擋層55b和ρ型包覆層55c 的Al組分大。另一方面，通過減小藍色半導體激光元件350a和350b，以及綠色半導體激光元件330a 330c的Al組分，光的封閉功能下降，另一方面，能夠降低AlGaN和η型GaN基板331的晶格的晶格常數不同引起的龜裂和翹曲的發生。另外，綠色半導體激光元件330a 330c的η型光導向層33c和ρ型光導向層35a 的In組分優選比藍色半導體激光元件350a和350b的η型光導向層53c和ρ型光導向層 55a的In組分大。另外，在ρ型接觸層35d的上表面上形成有由與藍色半導體激光元件部350的ρ 側歐姆電極56相同的材料構成的ρ側歐姆電極36。
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另外，如圖10所示，二波長半導體激光元件部370，在η型GaN基板331上，隔開從二波長半導體激光元件部370的上表面(C2側的面)到η型GaN層32的凹部7而形成有三個綠色半導體激光元件330a 330c，并且以隔開從二波長半導體激光元件部370的上表面到η型GaN基板331的凹部8而與綠色半導體激光元件330a側相鄰的方式，隔開從二波長半導體激光元件部370的上表面到η型GaN層52的凹部6而形成有二個藍色半導體激光元件350a和350b。另外，如圖10所示，以覆蓋綠色半導體激光元件330a 330c的脊340的兩側面、 P型包覆層35c的平坦部和凹部7的內側面和底面的方式，形成有由SiO2構成的電流阻擋層376。另外，該電流阻擋層376以覆蓋凹部8的內側面和底面、藍色半導體激光元件350 的脊360的兩側面和ρ型包覆層55c的平坦部的方式形成。另外，如圖10所示，在綠色半導體激光元件330a 330c的電流阻擋層376上，以與P側歐姆電極36電連接的方式，形成有具有約IOOnm的厚度的Ti層、具有約IOOnm的厚度的Pd層、具有約3 μ m的厚度的Au層按距ρ側歐姆電極36由近及遠的順序層疊而成的 P側焊盤電極337，并且在藍色半導體激光元件350a和350b的電流阻擋層376上，形成有具有與P側焊盤電極337相同的構造且與ρ側歐姆電極56電連接的ρ側焊盤電極357。另外，在η型GaN基板331的下表面(Cl側的面)上，形成有由具有約IOnm的厚度的Al層、 具有約20nm的厚度的Pt層和具有約300nm的厚度的Au層按距η型GaN基板331側由近及遠的順序構成的η側電極378。另外，如圖9所示，藍色半導體激光元件350a和350b，以及綠色半導體激光元件 330a 330c分別形成有相對于光波導路延伸的方向([_1_123]方向)垂直的共振器面。 即，藍色半導體激光元件部350和綠色半導體激光元件部330以具有由同一面方位構成的共振器面的方式構成。另外，構成二波長半導體激光元件部370的綠色半導體激光元件 330a 330c、藍色半導體激光元件350a和350b的其他結構分別與上述第二實施方式的綠色半導體激光元件部230和藍色半導體激光元件部250相同。另外，如圖9所示，在基臺391上的Bl側配置有紅色半導體激光元件10，并且在 B2側配置有二波長半導體激光元件部370。在此，紅色半導體激光元件10的共振器長(約 2mm)比二波長半導體激光元件部370的共振器長(約Imm)長。另外，紅色半導體激光元件10經由與ρ側焊盤電極17進行引線接合的金屬線 371，連接于引線端子201。另外，二波長半導體激光元件部370的綠色半導體激光元件330 經由與P側焊盤電極337進行引線接合的金屬線372，連接于引線端子203。另外，藍色半導體激光元件部350經由與ρ側焊盤電極357進行引線接合的金屬線373，連接于引線端子 202。另外，第三實施方式的半導體激光裝置300的其他構造與上述第二實施方式相同。接著，參照圖9和圖10對第三實施方式的半導體激光裝置300的制造工藝進行說明。在第三實施方式的半導體激光裝置300的制造工藝中，首先，如圖10所示，利用 MOCVD法，在具有由(11-22)面構成的主面的η型GaN基板331的上表面上，依次形成成為藍色半導體激光元件350的η型GaN層52、η型包覆層53a、η型載流子阻擋層53b、η型光導向層53c、活性層54、p型光導向層55a、p型載流子阻擋層55b和ρ型包覆層55c。其后， 對從η型GaN層52到ρ型包覆層55c的半導體層的一部分進行蝕刻，使η型GaN基板331的局部露出，在其露出的部分的局部，留下成為凹部8的區域，依次形成成為綠色半導體激光元件部330的η型GaN層32、η型包覆層33a、n型載流子阻擋層33b、n型光導向層33c、 活性層34、p型光導向層35a、p型載流子阻擋層35b和ρ型包覆層35c。其后，為了使半導體層與藍色半導體激光元件350a和350b分開，形成底面到達η型GaN層52的凹部6。另外，同樣，為了使半導體層與綠色半導體激光元件330a、330b和330c分開，形成底面到達η 型GaN層32的凹部7。接下來，在形成沿光波導路延伸的方向([-1-123]方向)延伸的二個脊360和三個脊340以后，在各自的脊上形成ρ型接觸層35d和55d、p側歐姆電極36和56。其后，以覆蓋P型包覆層35c (55c)的表面、凹部6、凹部7和凹部8的各自的側面和底面的方式，形成電流阻擋層376。另外，以覆蓋電流阻擋層376的規定區域、ρ側歐姆電極36和56的方式，相對于各自的激光元件形成P側焊盤電極337和357。由此，形成ρ側焊盤電極337，該ρ 側焊盤電極337形成于凹部7的側面上和底面上，并且公用于綠色半導體激光元件330a 330c。另外，形成ρ側焊盤電極357，該ρ側焊盤電極357形成于凹部6的側面上和底面上， 并且公用于藍色半導體激光元件350a和350b。在此，在形成藍色半導體激光元件部350之后，通過在與形成有藍色半導體激光元件部350的η型GaN基板331為同一 η型GaN基板331的表面上形成綠色半導體激光元件部330，通過增大In組分，能夠實現因熱量而易老化的綠色半導體激光元件部330的活性層34不受形成藍色半導體激光元件部350時的熱量的影響。這樣，制作由底部達到η型 GaN基板331的凹部8在B方向上以規定間隔隔開的藍色半導體激光元件部350和綠色半導體激光元件部330。其后，將η型GaN基板331的下表面研磨到厚度為約100 μ m之后，在η型GaN基板331的下表面上形成η側電極378，制作二波長半導體激光元件部370的晶片。其后，通過蝕刻，在規定位置形成相對于光波導路延伸的方向([-1-123]方向)垂直的共振器面。 另外，共振器面的形成也可以通過將晶片的規定位置解理而進行。另外，通過沿共振器方向 ([-1-123]方向)進行元件分割制成芯片，來形成多個二波長半導體激光元件部370(參照圖9)。其后，如圖9所示，將紅色半導體激光元件10、二波長半導體激光元件部370相對于基臺391，邊按壓，邊經由AuSn焊料等導電性粘接層固定，由此形成RGB三波長半導體激光元件部390。另外，第三實施方式的其他制造工藝與上述第二實施方式相同。在第三實施方式中，如上，通過將綠色半導體激光元件部330和藍色半導體激光元件部350形成于共同的η型GaN基板331上，與在將綠色半導體激光元件部330和藍色半導體激光元件部350形成于各自的基板上之后，隔開規定間隔配置于封裝體內(基臺391 上)的情況相比，綠色半導體激光元件部330和藍色半導體激光元件部350作為集成化于公用的η型GaN基板331上的二波長半導體激光元件部370而形成，因此集成化的程度越高，越能減小二波長半導體激光元件部370的B方向的寬度。由此，在較多地需要激光發光部的數量的情況(例如，在綠色半導體激光元件部330中，為三個)下，也能夠容易地將二波長半導體激光元件部370配置于封裝體內(基臺391上)。另外，在第三實施方式中，通過將構成綠色半導體激光元件部330的綠色半導體激光元件330a 330c的、具有由(11-22)面構成的主面的活性層34的阱層34b構成為具有約3. 5nm的厚度t6，能夠使藍色半導體激光元件350a和350b的光學增益被最大化的光波導路延伸的方向([-1-123]方向)和綠色半導體激光元件部330的光學增益被最大化的光波導路延伸的方向([-1-123]方向)一致。另外，在第三實施方式中，通過將阱層34b的In組分制成至少約30%，并且將阱層 34b的厚度制成至少約3nm，能夠使藍色半導體激光元件350的光學增益被最大化的光波導路延伸的方向([-1-123]方向)和綠色半導體激光元件部330的光學增益被最大化的光波導路延伸的方向([-1-123]方向)一致。另外，在第三實施方式中，通過構成為綠色半導體激光元件部330的活性層34的阱層34b由具有比藍色半導體激光元件部350的活性層54的阱層54b的In組分大的In 組分的InGaN構成，能夠使藍色半導體激光元件350的光學增益被最大化的光波導路延伸的方向([-1-123]方向)和綠色半導體激光元件部330的光學增益被最大化的光波導路延伸的方向([-1-123]方向)一致。另外，在第三實施方式中，通過使阱層34b的厚度t6(約3. 5nm，參照圖12)比阱層54b的厚度t5(約3nm，參照圖11)大(t6 > t5)，在藍色半導體激光元件部350的活性層54中，能夠抑制因In組分大的阱層54b的晶格、生成有阱層54b的In組分小的基底層 (阻擋層54a)的晶格的晶格常數不同而產生的錯配差排(misfit)的發生。另外，在第三實施方式中，作為半極性面，使用傾斜約58°的面即(11-22)面，由此能夠更可靠地在綠色半導體激光元件部330的藍色半導體激光元件部350使光學增益被最大化的光波導路延伸的方向大致一致。另外，在第三實施方式中，通過在藍色半導體激光元件部350和綠色半導體激光元件部330分別設置沿將W001]方向投影到(11-22)面而成的方向([_1_123]方向)延伸的光波導路，能夠使藍色半導體激光元件350和綠色半導體激光元件部330的各自的光學增益最大化，并且能夠使藍色半導體激光元件部350的藍色光和綠色半導體激光元件部 330的綠色光從公用的共振器面射出。另外，在第三實施方式中，藍色半導體激光元件部350的活性層54由與η型GaN 基板331具有同一主面即(11-22)面的主面的InGaN構成，并且綠色半導體激光元件部330 的活性層34由與η型GaN基板331具有同一主面即(11-22)面的主面的InGaN構成，由此只需使半導體層在與綠色半導體激光元件部330的活性層34和藍色半導體激光元件部350 的活性層54具有同一(11-22)面的主面且由GaN構成的η型GaN基板331的表面上生長， 就能夠容易地將具有(11-22)面的主面且包含由InGaN構成的活性層34的綠色半導體激光元件部330、具有(11-22)面的主面且包含由InGaN構成活性層54的藍色半導體激光元件部350 —同形成。另外，在第三實施方式中，通過在藍色半導體激光元件部350和綠色半導體激光元件部330分別設置沿將W001]方向投影到(11-22)面而成的方向([_1_123]方向)延伸的光波導路，能夠將藍色半導體激光元件部350和綠色半導體激光元件部330的各自的光學增益最大化，并且能夠使藍色半導體激光元件部350的藍色光和綠色半導體激光元件部330的綠色光從公用的共振器面射出。另外，在第三實施方式中，通過構成為綠色半導體激光元件部330的η型光導向層 33c和ρ型光導向層35a的In組分(約5% )比藍色半導體激光元件部350的η型光導向層53c和ρ型光導向層55a的In組分(約2% )大，與η型光導向層53c和ρ型光導向層 55a相比，η型光導向層33c和ρ型光導向層35a更能將光封閉于活性層(活性層34和54) 內，因此更能將綠色半導體激光元件部330的綠色光封閉于活性層34內。由此，在發光效率比藍色半導體激光元件部350差的綠色半導體激光元件部330中，能夠確保與藍色半導體激光元件部350同程度的光的封閉。另外，在第三實施方式中，通過構成為綠色半導體激光元件部330的η型載流子阻擋層33b和ρ型載流子阻擋層35b的Al組分(約20% )比藍色半導體激光元件350的η 型載流子阻擋層53b和ρ型載流子阻擋層55b的Al組分(約16% )大，與η型載流子阻擋層53b和ρ型載流子阻擋層55b相比，η型載流子阻擋層33b和ρ型載流子阻擋層35b更能夠將光封閉于活性層(活性層34和54)內，因此更能將綠色半導體激光元件部330的綠色光封閉于活性層34內。由此，在發光效率比藍色半導體激光元件部350差的綠色半導體激光元件部330中，能夠確保與藍色半導體激光元件部350同程度的光的封閉。另外，在第三實施方式中，通過使構成為綠色半導體激光元件部330的η型包覆層 33a和ρ型包覆層35c的Al組分(約10% )比藍色半導體激光元件350的η型包覆層55a 和P型包覆層55c的Al組分(約7% )大，與η型包覆層55a和ρ型包覆層55c相比，η型包覆層33a和ρ型包覆層35c更能將光封閉于活性層(活性層34和54)內，因此更能將綠色半導體激光元件部330的綠色光封閉于活性層34內。由此，在發光效率比藍色半導體激光元件部350差的綠色半導體激光元件部330中，能夠確保與藍色半導體激光元件部350 同程度的光的封閉。另外，第三實施方式的其他效果與上述第一實施方式相同。(第三實施方式的變形例)參照圖10、圖12和圖13對第三實施方式的變形例進行說明。在該第三實施方式的變形例中，與上述第三實施方式不同，對藍色半導體激光元件350a和350b的活性層54 的厚度比綠色半導體激光元件330a 330c的活性層34的厚度大的情況進行說明。S卩，如圖13所示，第三實施方式的變形例的藍色半導體激光元件350a和350b的活性層54具有SQW構造，該SQW構造具有(11-22)面的主面且由InGaN構成。即，活性層 54由二層阻擋層54c和一層阱層54d構成，二層阻擋層54c，形成于η型光導向層53c的上表面上，分別具有約20nm的厚度且由非摻雜Intl. Q2GaQ.98N構成；一層阱層54d，配置于二層阻擋層54c之間，具有約8nm的厚度t7且由非摻雜Ina2tlGaa8tlN構成。在此，阱層54d的面內晶格常數比η型GaN基板331 (參照圖10)的面內的晶格常數大，因此在面內方向上附加有壓縮變形。另外，阱層54d的厚度t7優選為6nm以上且不足15nm。在第三實施方式的變形例中，活性層54與具有m面((1-100)面)和a面((11_20)面)等無極性面的主面的情況不同，通過具有(11-22)面的主面，能夠抑制阱層54d的晶體難以生長，在活性層54中，能夠抑制In組分增大引起的晶體缺陷增加。另外，InGaN是本發明的“氮化物系半導體”的一例，阱層54d是本發明的“第三阱層的一例。另外，圖13所示的具有藍色半導體激光元件350a和350b的活性層54的20% 的In組分的阱層54d的厚度t7(約8nm)構成為比圖12所示的具有綠色半導體激光元件 330a 330c的活性層34的33%的In組分的阱層34b的厚度t6 (約2. 5nm)大(t7 > t6)。 另外，在第三實施方式的變形例中，在In組分為20%左右的情況下，在抑制晶體缺陷的發生這一點上，活性層內的阱層的厚度優選為約IOnm以下，在In組分為30%左右的情況下，
26在抑制晶體缺陷的發生這一點上，阱層的厚度優選為約3nm以下。此時，在活性層54具有 MQff構造的情況下，活性層的各阱層的各自的厚度加在一起的值優選為上述數值內。另外， 阱層34b是本發明的“第四阱層，，的一例。另外，構成綠色半導體激光元件部330的綠色半導體激光元件330a 330c的η 型光導向層33c和ρ型光導向層35a的In組分，優選比構成藍色半導體激光元件部350的藍色半導體激光元件350a和350b的η型光導向層53c和ρ型光導向層55a的In組分大。另外，第三實施方式的變形例的其他構成和制造工藝與上述第三實施方式相同。在第三實施方式的變形例中，如上，在與形成有藍色半導體激光元件部350的η型 GaN基板331為同一 η型GaN基板331的表面上，形成綠色半導體激光元件部330，藍色半導體激光元件部350包含具有(11-22)面的主面且由InGaN構成的活性層54 ；綠色半導體激光元件部330包含具有(11-22)面的主面且由InGaN構成的活性層34，由此與以c面 ((0001)面)為主面的情況相比，能夠減小活性層34和54上產生的壓電電場，因此能夠減小壓電電場造成的活性層34的阱層34b和活性層54的阱層54b的能帶梯度。由此，能夠進一步減小藍色半導體激光元件部350和綠色半導體激光元件部330的振蕩波長的變化量 (波動幅度)(變動幅度)，因此能夠抑制具備形成于同一 η型GaN基板331的表面上的藍色半導體激光元件部350和綠色半導體激光元件部330的半導體激光裝置300的成品率的降低。另外，通過減小壓電電場，能夠進一步減小藍色半導體激光元件部350和綠色半導體激光元件部330的振蕩波長相對于活性層34和54的載體密度的變化量的變化量(波動幅度)。由此，能夠抑制藍色半導體激光元件部350和綠色半導體激光元件部330的色相難以控制的情況。另外，通過減小壓電電場，能夠提高藍色半導體激光元件部350和綠色半導體激光元件部330的發光效率。另外，在第三實施方式的變形例中，(11-22)面與其他半極性面相比，壓電電場較小，因此能夠減小藍色半導體激光元件部350和綠色半導體激光元件部330的振蕩波長的變化量。另外，與以相對于c面((0001)面)垂直的面即m面((1-100)面)和a面 ((11-20)面)等無極性面為主面的情況相比，通過以(11-22)面為主面，能夠容易地形成具有(11-22)面的主面的半導體層(活性層34和54)。另外，在第三實施方式的變形例中，通過使藍色半導體激光元件部350的活性層 54的具有壓縮變形的阱層54d的厚度t7 (約8nm，參照圖13)比綠色半導體激光元件部330 的活性層34的具有壓縮變形的阱層34b的厚度t6 (約2. 5nm,參照圖12)大(t7 > t6)，在因In組分大而易發生晶體缺陷的阱層34b中，能夠抑制產生晶體缺陷。另外，在第三實施方式的變形例中，構成為由In組分為約20%以下的InGaN構成藍色半導體激光元件部350的活性層54的阱層54d，且將阱層54d的厚度t7 (約8nm)制成約6nm以上約15nm以下，并且構成為由In組分大于約20%的InGaN構成綠色半導體激光元件部330的活性層34的阱層34b，且將阱層34b的厚度t6 (約2. 5nm)制成不足約6nm，由此在藍色半導體激光元件部350的阱層54d和綠色半導體激光元件部330的阱層34b中， 能夠可靠地抑制發生晶體缺陷。另外，在第三實施方式的變形例中，通過將η型GaN基板331構成為具有(11_22) 面的主面，只需在與藍色半導體激光元件部350的活性層54和綠色半導體激光元件部330 的活性層34具有同一(11-22)面的主面的η型GaN基板331上形成半導體層，就能夠容易形成包含具有非極性面的主面的活性層54的藍色半導體激光元件部350和包含具有非極性面的主面的活性層34的綠色半導體激光元件部330。另外，在第三實施方式的變形例中，綠色半導體激光元件部330的活性層34具有 SQff構造，由此，與活性層34具有MQW構造的情況相比，能夠抑制活性層34因活性層34的阱層34b的厚度t6(參照圖12)過小引起的不為層構造的情況。另外，在第三實施方式的變形例中，通過活性層34和54分別以(11-22)面為主面，與以非極性面中的m面((1-100)面)和a面((11_20)面)等無極性面為主面的情況不同，通過以(11-22)面為主面，能夠抑制活性層34和54的晶體難以生長的情況，因此在活性層34和54中，能夠抑制In組分增大引起的晶體缺陷增加。另外，在第三實施方式的變形例中，通過半極性面即(11-22)面由從c面((0001) 面)起向[11-20]方向傾斜約58°的面構成，能夠分別使包含具有半極性面中的(11-22) 面的主面的活性層54的藍色半導體激光元件部350的光學增益、包含具有半極性面中的 (11-22)面的主面的活性層34的綠色半導體激光元件部330的光學增益進一步增大。另外，第三實施方式的變形例的其他效果與上述第三實施方式相同。(第四實施方式)圖14 圖17是表示本發明第四實施方式的半導體激光裝置的構造的平面圖和截面圖。首先，參照圖14 圖17對如下情況進行說明，S卩，在該第四實施方式中，通過將上述第二實施方式使用的紅色半導體激光元件210接合在上述第三實施方式使用的二波長半導體激光元件部370的表面上，構成RGB三波長半導體激光元件部490。另外，圖15表示沿著圖14的4000-4000線的截面。另外，圖16表示沿著圖14的4100-4100線的截面。在本發明第四實施方式的半導體激光裝置400中，如圖14所示，RGB三波長半導體激光元件部490固定于臺座206的上表面上。在此，在第四實施方式中，為了利用約635nm的紅色光、約520nm的綠色光和約 480nm的藍色光得到白光，要求將RGB三波長半導體激光元件部490的上述三種半導體激光元件的換算功率的輸出比調節到紅色綠色藍色=9. 2 9. 9 7. 2。因此，如圖15所示，用上述第二實施方式使用的紅色半導體激光元件210(輸出 約350mW)、上述第三實施方式使用的二波長半導體激光元件部370，構成RGB三波長半導體激光元件部490。另外，在第四實施方式中，如圖15所示，RGB三波長半導體激光元件部490，經由形成于在B方向上具有約400 μ m的寬度的二波長半導體激光元件部370的表面上的由SiO2 構成的絕緣膜480、由AuSn焊料等構成的導電性粘接層3，接合有在B方向上具有約100 μ m 的寬度的紅色半導體激光元件210。另外，如圖14所示，RGB三波長半導體激光元件部490 配置在從基臺491上的B方向的各色半導體激光元件排列的方向(B方向)的大致中央部稍偏向一側(B2側)的位置。另外，如圖17所示，絕緣膜480以藍色半導體激光元件部350的激光的射出方向 (Al方向)側的ρ側焊盤電極357的Al側的局部區域(引線接合區域357a)和綠色半導體激光元件部330的ρ側焊盤電極337的局部區域(B2側的端部附近區域)露出于外部的方式形成。另外，在藍色半導體激光元件350的與激光的射出方向相反(A2方向)側的端部附近的規定區域，以覆蓋絕緣膜480的方式形成有由Au構成的電極層481。由此，紅色半導體激光元件210 (參照圖16)在與電極層481沿上下方向(C方向)對向的區域，ρ側焊盤電極17的局部經由導電性粘接層3，與電極層481電連接。另外，從正面(參照圖16) 觀察時，電極層481以形成有藍色半導體激光元件部350的側(Bi側)的端部區域(引線接合區域481a)在紅色半導體激光元件210的側方(Bi側)露出于外部的方式形成。另外，紅色半導體激光元件210經由與電極層481的引線接合區域481a進行引線接合的金屬線471，連接于引線端子202。另外，二波長半導體激光元件部370的綠色半導體激光元件部330經由與ρ側焊盤電極337的引線接合區域337a進行引線接合的金屬線 472，連接于引線端子203。另外，藍色半導體激光元件部350經由與ρ側焊盤電極357的引線接合區域357a進行引線接合的金屬線473，連接于引線端子201。另外，紅色半導體激光元件210的η側電極18經由金屬線474，連接于基臺491。另外，第四實施方式的半導體激光裝置400的其他構造與上述第二實施方式相同。接著，參照圖14 圖17對第四實施方式的半導體激光裝置400的制造工藝進行說明。在第四實施方式的半導體激光裝置400的制造工藝中，通過與上述第二和第三實施方式相同的制造工藝，制作每約400 μ m都形成有脊20的晶片狀態的紅色半導體激光元件210、晶片狀態的二波長半導體激光元件部370。其后，如圖17所示，留下ρ側焊盤電極357的引線接合區域357a(Bi側)和ρ側焊盤電極337的引線接合區域337a(Β2側)，以沿共振器方向(A方向)覆蓋電流阻擋層 376(參照圖16)的上表面的方式，形成絕緣膜480。其后，在形成有藍色半導體激光元件部 350的側的ρ側焊盤電極357以外的絕緣膜480的上表面，形成具有引線接合區域481a的電極層481。其后，通過將形成有二波長半導體激光元件部370的晶片、形成有紅色半導體激光元件210的晶片，邊使其對向，邊用導電性粘接層3進行接合，來形成晶片狀態的RGB三波長半導體激光元件部490。其后，對以寬度成為約100 μ m的方式形成紅色半導體激光元件210的晶片的局部進行蝕刻。其后，通過將以具有規定共振器長的方式形成RGB三波長半導體激光元件部490的晶片解理成棒狀，并且沿共振器方向進行元件分割，形成RGB三波長半導體激光元件部490 (參照圖14)的多個芯片。其后，如圖14所示，通過將RGB三波長半導體激光元件部490相對于基臺491，邊按壓邊經由導電性粘接層(未圖示)進行固定，形成RGB三波長半導體激光元件部490。其后，通過金屬線，分別將電極層(引線接合區域)和引線端子連接。這樣就形成第四實施方式的半導體激光裝置400。在第四實施方式中，如上，通過將紅色半導體激光元件210接合在二波長半導體激光元件部370的表面上，與將因為要求的個數多而使激光發光部的數量(合計5個)橫向排列地增加而形成的二波長半導體激光元件部370和紅色半導體激光元件210直線性地配置(例如，在基臺491上，沿橫一列方向排列)的情況相比，能夠將二波長半導體激光元件部370的激光發光部和紅色半導體激光元件210的激光發光部在接合方向(C方向)上隔開規定間隔而排列地配置，從而相互接近，因此能夠以多個激光發光部集中于封裝體(基臺491)的中央區域的方式，形成RGB三波長半導體激光元件部490。由此，能夠使從RGB三波長半導體激光元件部490射出的多條激光射出光接近光學系統的光軸，因此能夠容易地
29進行半導體激光裝置400和光學系統的調節。另外，第四實施方式的其他效果與上述第一實施方式相同。(第五實施方式)參照圖18 圖20對本發明的第五實施方式進行說明。另外，圖20表示的是，關于圖19所示的單片型二波長半導體激光元件部570的詳細構造，并使上下方向(Cl方向和 C2方向)與圖19相反。在本發明第五實施方式的半導體激光裝置500中，如圖19所示，由二波長半導體激光元件部570和紅色半導體激光元件210構成的RGB三波長半導體激光元件部590，經由 AuSn焊料等構成的導電性粘接層4 (4a和4b)，通過減少熔接點方式接合在由AlN等構成的基臺591的上表面上。另外，導電性粘接層4a和4b分別是本發明的“第一熔接層”和“第二熔接層”的一例，基臺591是本發明的“支承基臺”的一例。另外，如圖20所示，構成藍色半導體激光元件部550并且隔開凹部6沿激光元件排列的方向(B方向)排列配置的藍色半導體激光元件550a和550b，分別在η型GaN基板 331的上表面331a上形成有具有約1 μ m的厚度且由Ge摻雜GaN構成的η型GaN層512、 具有約2 μ m的厚度且由η型AlGaN構成的η型包覆層513、由InGaN構成的量子阱層和阻擋層交替層疊而成的活性層514、具有約0. 3 μ m的厚度且由ρ型AlGaN構成的ρ型包覆層 515。另外，活性層514和ρ型包覆層515分別是本發明的“第五活性層”和“第一半導體層”的一例。另外，ρ型包覆層515具有凸部515a、向凸部515a的兩側(B方向)延伸的平坦部。由該P型包覆層515的凸部515a形成用于構成光波導路的脊520。另外，在脊520上形成有由Cr層和Au層按距ρ型包覆層515由近及遠的順序構成的ρ側歐姆電極516。另外，以覆蓋P型包覆層515的平坦部和脊520的側面的方式，形成有由SiO2構成的電流阻擋層517。另外，在脊520和電流阻擋層517的上表面上形成有由Au等構成的ρ側焊盤電極518。另外，ρ側焊盤電極518是本發明的“第一焊盤電極”的一例。另外，綠色半導體激光元件部530在η型GaN基板331的上表面上隔開凹部8形成在與藍色半導體激光元件550相反側(Bi側)。另外，在綠色半導體激光元件部530，隔開凹部7沿激光元件排列的方向(B方向)排列配置的綠色半導體激光元件530a、530b和 530c分別在η型GaN基板331的上表面上(上表面331a上)形成有具有約1 μ m的厚度的η型GaN層512、具有約3 μ m的厚度且由η型AlGaN構成的η型包覆層533、由InGaN構成的量子阱層和阻擋層交替層疊而成的活性層534、具有約0. 45 μ m的厚度且由ρ型AlGaN 構成的P型包覆層535。另外，活性層534和ρ型包覆層535分別是本發明的“第六活性層” 和“第二半導體層”的一例。另外，ρ型包覆層535具有凸部535a、向凸部535a的兩側(B方向)延伸的平坦部。 由該P型包覆層535的凸部535a形成用于構成光波導路構成的脊540。另外，在脊540上形成有由Cr層和Au層按距ρ型包覆層535由近及遠的順序構成的ρ側歐姆電極536。另外，以覆蓋P型包覆層535的平坦部和脊540的側面的方式，形成有從藍色半導體激光元件部550延伸的電流阻擋層517。另外，在脊540和電流阻擋層517的上表面上形成有由Au 等構成的P側焊盤電極538。另外，ρ側焊盤電極538是本發明的“第二焊盤電極”的一例。另外，ρ側歐姆電極516(第一歐姆電極層)和ρ側焊盤電極518(第一焊盤電極)是本發明的“第一電極”的一例，P側歐姆電極536(第二歐姆電極層)和ρ側焊盤電極 538(第二焊盤電極)是本發明的“第二電極”的一例。在此，通過在第一半導體層和第一焊盤電極之間具備第一歐姆電極層，且在第二半導體層和第二焊盤電極之間具備第二歐姆電極層，能夠降低藍色半導體激光元件部550和綠色半導體激光元件部530的ρ側的接觸電阻。另外，在η型GaN基板331的下表面331b上形成有從η型GaN基板331側起按Ti層、 Pt層和Au層的順序層疊而成的η側電極539。另外，如圖18所示，基臺591的共振器方向(Α方向)的長度，形成為比二波長半導體激光元件部570的共振器長度大。而且，在基臺591(參照圖19)的上表面上，在對應于P側焊盤電極518和538的位置分別形成有后述的由Au構成的配線電極594和593。另外，配線電極593和594沿A方向(參照圖19)延伸為長方形，并且形成為比二波長半導體激光元件部570的共振器長度更長。因此，如圖19所示，二波長半導體激光元件部570的藍色半導體激光元件部550和綠色半導體激光元件部530構成為，在配線電極593和594 中的未接合有二波長半導體激光元件部570的區域，經由引線接合的金屬線，與外部連接。在此，在第五實施方式中，如圖20所示，在將藍色半導體激光元件部550和綠色半導體激光元件部530進行比較時，構成為綠色半導體激光元件部530的、從η型GaN基板 331的下表面331b到ρ型包覆層535的凸部535a的上表面的半導體元件層的厚度t2比藍色半導體激光元件部550的、從η型GaN基板331的下表面331b到ρ型包覆層515的凸部 515a的上表面的半導體元件層的厚度tl大(tl <t2，t2_tl =約1.2μπι)。另外，藍色半導體激光元件部550的、從ρ側歐姆電極516的下表面(凸部515a的上表面)到ρ側焊盤電極518的上表面的厚度t3形成為比綠色半導體激光元件部530的、從ρ側歐姆電極536 的下表面(凸部535a的上表面)到ρ側焊盤電極538的厚度t4大(t3 > t4，t3_t4 =約 1. 2 μ m)。由此，藍色半導體激光元件部550的從η型GaN基板331的下表面331b到導電性粘接層4 (4a)的下表面的厚度(tl+t3)和綠色半導體激光元件部530的從η型GaN基板 331的下表面331b到導電性粘接層4(4b)的下表面的厚度(t2+t4)大致相同。另外，第五實施方式的“厚度”表示凸部(脊)的上表面和基臺591的下表面之間的各電極和熔接層的厚度。另外，在第五實施方式中，除上述t3 > t4的關系以外，還具有如下的關系，即，ρ側焊盤電極518的厚度tl3形成為比ρ側焊盤電極538的厚度tl4大(tl3 > tl4)。另外， 綠色半導體激光元件部530的ρ型包覆層535的厚度形成為比藍色半導體激光元件部550 的P型包覆層515的厚度大，且綠色半導體激光元件部530的η型包覆層533的厚度形成為比藍色半導體激光元件部550的η型包覆層513的厚度大。另外，在第五實施方式中，ρ側焊盤電極518的上表面(C2側的面)和ρ側焊盤電極538的上表面(C2側)在大致同一平面(虛線所示)一致。由此，二波長半導體激光元件部570經由在C方向上具有大致相同的厚度的導電性粘接層4a和4b，固定于基臺591。 另外，下表面331b是本發明的“另一側的表面”的一例，凸部515a的上表面和凸部535a的上表面分別是本發明的“第一半導體層的表面”和“第二半導體層的表面”的一例。另外，如圖18和圖19所示，在基臺591的上表面中的接合紅色半導體激光元件 210的區域形成有由Au構成的配線電極592。另外，如圖18所示，ρ側焊盤電極217 (參照圖19)和配線電極592經由導電性粘接層1而接合，紅色半導體激光元件210通過減少熔接點方式，接合在基臺591的上表面上。另外，配線電極592經由引線接合的金屬線595， 連接于引線端子202。另外，η側電極218經由引線接合的金屬線596，電連接于臺座206。 另外，電連接于綠色半導體激光元件部530的ρ側焊盤電極538(參照圖19)的配線電極 593，經由引線接合的金屬線597，連接于引線端子201，電連接于并且藍色半導體激光元件部550的ρ側焊盤電極518 (參照圖19)的配線電極594，經由引線接合的金屬線598，連接于引線端子203。另外，二波長半導體激光元件部570經由與η側電極539進行引線接合的金屬線599，電連接于臺座206。由此，半導體激光裝置500構成為如下狀態，即，各半導體激光元件的P側焊盤電極(217、518和538)連接于相互絕緣的引線端子，并且η側電極 (218和539)連接于公用的負極端子(負極公用)。另外，如圖18所示，構成為各色激光從 RGB三波長半導體激光元件部590的Al側的共振器端面射出。接著，參照圖18 圖26對第五實施方式的半導體激光裝置500的制造工藝進行說明。在第五實施方式的半導體激光裝置500的制造工藝中，首先，如圖21所示，利用光刻法，在η型GaN基板331的上表面331a上，將由SiO2構成的選擇生長用的掩模541形成圖案。掩模541以沿B方向隔開規定間隔的狀態沿A方向(垂直紙面方向)延伸的方式形成圖案。其后，如圖22所示，利用MOCVD法，在從掩模541的開口部54Ia露出的η型GaN基板331的上表面331a上，使η型包覆層513、活性層514和ρ型包覆層515選擇性地生長， 形成半導體元件層510c。其后，除去掩模541。接著，如圖23所示，利用光刻法，將覆蓋η型GaN基板331的上表面331a的規定區域和成為藍色半導體激光元件部550的半導體元件層510c的表面整體的掩模542形成圖案。在該狀態下，利用MOCVD法，在從掩模542的開口部542a露出的 η型GaN基板331的上表面331a上，使η型包覆層533、活性層534和ρ型包覆層535選擇性地生長，形成半導體元件層530d。這時，半導體元件層530d形成為厚度比成為藍色半導體激光元件550的半導體元件層510c大約1.2 μ m。其后，除去掩模542。由此，隔開凹部 8形成半導體元件層510c和530c。然后，形成用于將半導體元件層510c與藍色半導體激光元件550a和550b分離的、底面到達η型GaN層512的凹部6，并且形成用于將半導體元件層530c與綠色半導體激光元件530a、530b和530c分離的、底面到達η型GaN層512的凹部7，之后，如圖24所示， 在P型包覆層515和535的表面上分別形成ρ側歐姆電極516和536。其后，利用光刻法， 在P側歐姆電極516和536上，將沿A方向(垂直紙面方向)以條紋狀延伸的保護層(未圖示)形成圖案，并且以其保護層為掩模進行干式蝕刻，由此在P型包覆層515和535部分分別形成二個脊520和三個脊540。由此，在η型GaN基板331 (上表面331a)上，沿元件的寬度方向(B方向)B方向隔開規定間隔而形成藍色半導體激光元件部550的元件構造和綠色半導體激光元件部530的元件構造。其后，如圖25所示，利用等離子CVD法等，以覆蓋ρ側歐姆電極516和536的上表面(Cl側的面)以外的半導體元件層510c和530d的表面(包含凹部7和8的各自的側面和底面)的方式，形成電流阻擋層517。其后，利用光刻法，以覆蓋電流阻擋層517的表面的規定區域的方式，將保護層 543形成圖案。此時，如圖25所示，保護層543以僅與脊520(540)的上方和脊520 (540)的兩側連接的電流阻擋層517的規定區域露出的方式形成圖案。另外，保護層543由于對應于半導體元件層510c和530d的高度方向(C方向)的厚度而形成，因此形成為在藍色半導體激光元件部550的元件構造區域和綠色半導體激光元件部530的元件構造區域中，從η 型GaN基板331的上表面331a到保護層543的上表面的高度不同。然后，在該狀態下，在保護層543的開口部543a (ρ側歐姆電極516和536露出的部分)，利用真空蒸鍍法，使Au 金屬層545 (545a和545b)堆積。由此，開口部543a由Au金屬層545大致完全掩埋。然后，除去保護層543 (參照圖25)，之后，如圖26所示，通過化學機械研磨(CMP)， 以Au金屬層545的上表面(Cl側的面)大致成為同一平面的方式，調節Au金屬層545的厚度。這時，首先，從形成綠色半導體激光元件部530的側的Au金屬層545b的上表面起，先向C2方向開始研磨。然后，在從η型GaN基板331的上表面331a到Au金屬層545b的上表面的高度Hl與從η型GaN基板331的上表面331a到Au金屬層545a的上表面的高度H2 大致相等時，結束CMP工序。另外，在該時點，Au金屬層545a成為ρ側焊盤電極518 (厚度 tl3)，Au金屬層545b成為ρ側焊盤電極538 (厚度tl4)。由此，得到從η型GaN基板331 的下表面331b到ρ側焊盤電極518 (538)的上表面的高度大致相等的二波長半導體激光元件部570。接下來，以η型GaN基板331具有約100 μ m的厚度的方式，對η型GaN基板331 的下表面331b進行研磨，之后，在η型GaN基板331的下表面331b上形成η側電極539。 由此形成晶片狀態的二波長半導體激光元件部570。其后，以在A方向上具有約600 μ m的共振器長的方式，將晶片沿B方向解理成棒狀，并且在虛線800 (參照圖26)的位置，沿A方向(垂直紙面的方向)進行元件分割，由此形成二波長半導體激光元件部570 (參照圖18)的多個芯片。另一方面，如圖19所示，準備表面上形成有長方形的配線電極592、593和594并且形成為規定形狀的基臺591。這時，在配線電極592的表面上，先形成具有約Iym的厚度的導電性粘接層1，并且在配線電極593和594的表面上，先形成具有約Ιμπι的厚度的導電性粘接層4。然后，如圖19所示，邊使二波長半導體激光元件部570和基臺591對向， 邊通過熱壓接進行接合。這時，以P側焊盤電極518對應于配線電極594，并且ρ側焊盤電極538對應于配線電極593的方式進行接合。另外，如圖18所示，以基臺591的Al側的端部、二波長半導體激光元件部570的Al側(光射出側)的共振器端面配置于大致同一平面上的方式，將二波長半導體激光元件部570和基臺591接合。另外，邊使紅色半導體激光元件210和基臺591對向，邊通過熱壓接進行接合。這時，以P側焊盤電極17與配線電極592對向的方式進行接合。另外，如圖18所示，以基臺 591的Al側的端部、紅色半導體激光元件210的Al側(光射出側)的共振器端面配置于大致同一平面上的方式，將紅色半導體激光元件210和基臺591接合。最后，將基臺591的下表面591a(參照圖19)與臺座206(參照圖18)的上表面接合，分別將金屬線596、599、595、597和598相對于η側電極218和539和配線電極592 594進行引線接合而電連接。這樣就形成第五實施方式的半導體激光裝置500 (參照圖18)。在第五實施方式中，如上，從ρ側歐姆電極516的下表面(凸部515a的上表面) 到P側焊盤電極518的上表面的厚度t3、從P側歐姆電極536的下表面(凸部535a的上表面)到P側焊盤電極538的厚度t4具有t3 > t4的關系，由此即使在藍色半導體激光元件 550的從η型GaN基板331的下表面331b到ρ型包覆層515的凸部515a的上表面的厚度tl、綠色半導體激光元件部530的從η型GaN基板331的下表面331b到ρ型包覆層535的凸部535a的上表面的厚度t2產生了差的情況下，也由于在ρ側電極層部分設定有厚度差 (圖18的厚度t3和厚度t4之差)，因此能夠進一步減小藍色半導體激光元件550的厚度 (tl+t3)和綠色半導體激光元件部530的厚度(t2+t4)之差。即，即使在藍色半導體激光元件550和綠色半導體激光元件部530的半導體元件層的厚度tl和t2上產生差，也可以將其差(厚度tl和厚度t2之差)利用ρ側電極層的厚度之差(厚度t3和厚度t4之差)進行適當調節。由此，能夠使包含公用的η型GaN基板331的藍色半導體激光元件550和綠色半導體激光元件部530的厚度大致一致，因此在以減少熔接點方式將該半導體激光裝置 500 ( 二波長半導體激光元件部570)經由導電性粘接層4接合于基臺591時，無需使半導體激光元件的厚度差吸收于導電性粘接層4，因此能夠將導電性粘接層4 (4a和4b)抑制到必要的最小限的量。該結果是，因接合后多余的導電性粘接層4溢出而發生激光元件彼此的電短路之類的不良情況得到抑制，因此能夠提高形成半導體激光裝置500時的成品率。另外，在第五實施方式中，通過ρ側焊盤電極518的厚度tl3、p側焊盤電極538的厚度tl4具有tl3 > tl4的關系，能夠減小藍色半導體激光元件550和綠色半導體激光元件部530的厚度差。由此，在以減少熔接點方式將該半導體激光裝置500接合于基臺591 時，能夠將導電性粘接層1抑制到必要最小限的量。另外，在第五實施方式中，通過使導電性粘接層4a的厚度和導電性粘接層4b的厚度大致相同，能夠在藍色半導體激光元件550和綠色半導體激光元件部530和基臺591的接合部分，將使用的導電性粘接層4都抑制到必要最小限的量。另外，在第五實施方式中，通過構成為ρ側焊盤電極518和538分別為與ρ側歐姆電極516和ρ側歐姆電極536接觸的焊盤電極，能夠通過對ρ側焊盤電極518和538的厚度分別進行適當地調節，容易地使形成于公用的η型GaN基板331的表面上(上表面331a 上)的藍色半導體激光元件550和綠色半導體激光元件部530的厚度一致。另外，在第五實施方式中，通過將綠色半導體激光元件部530的ρ型包覆層535的厚度形成為比藍色半導體激光元件部550的ρ型包覆層515的厚度大，能夠提高通常處于比藍色半導體激光元件的ρ型包覆層的光封閉效果更弱的傾向的綠色半導體激光元件的P 型包覆層的光封閉效果。另外，第五實施方式的其他效果與上述第一實施方式相同。另外，本次公開的實施方式應認為在所有方面都是一種例示，是不受其限制的。本發明的范圍不是通過上述的實施方式的說明而是通過權利要求來表示，還包含與權利要求書均等的意思和范圍內的所有的變更。例如，在上述第一 第五實施方式中，綠色半導體激光元件30、藍色半導體激光元件50和紅色半導體激光元件10的各自的振蕩波長、額定輸出和個數(激光發光部的數量) 都不局限于所記載的內容，例如，也可以將各實施方式記載的綠色半導體激光元件30、藍色半導體激光元件50和紅色半導體激光元件10的各自的振蕩波長、額定輸出和個數應用于其他實施方式。例如，在上述第一實施方式中，對將構成RGB三波長半導體激光元件部90 的綠色半導體激光元件30、藍色半導體激光元件50和紅色半導體激光元件10的個數nl、 n2和n3構成為分別由三個、二個和一個構成的例子進行了表示，但本發明不局限于此。在本發明中，只要是nl>n2>n3即可，也可以將綠色半導體激光元件30、藍色半導體激光元件50和紅色半導體激光元件10的個數構成為由例如四個、二個和一個構成。或者，也可以具有多個紅色半導體激光元件10，例如，也可以將綠色半導體激光元件30、藍色半導體激光元件50和紅色半導體激光元件10的個數構成為由六個、四個和二個構成。或者，也可以使用三個這種一個激光發光部具有約90mW的輸出的綠色半導體激光元件、二個同樣具有約200mW的輸出的藍色半導體激光元件、一個具有約SOOmW的輸出的紅色半導體激光元件， 構成RGB三波長半導體激光元件部，還能夠使用三個這種一個激光發光部具有約90mW的輸出的綠色半導體激光元件、四個同樣具有約150mW的輸出的藍色半導體激光元件、一個具有約SOOmW的輸出的紅色半導體激光元件，構成RGB三波長半導體激光元件部，另外，在上述第四實施方式中，對以利用約635nm的紅色光、約520nm的綠色光和約480nm的藍色光得到白光的方式構成RGB三波長半導體激光元件部490的例子進行了表示，但本發明不局限于此。即，與上述第三實施方式相同，也可以用約655nm的紅色光、約 520nm的綠色光和約480nm的藍色光構成RGB三波長半導體激光元件部。另外，在上述第四實施方式中，對在綠色半導體激光元件330和藍色半導體激光元件350集成的單片型二波長半導體激光元件部370上接合有紅色半導體激光元件210的例子進行了表示，但本發明不局限于此。即，也可以將紅色半導體激光元件接合在上述第二實施方式的綠色半導體激光元件上，另外，也可以將紅色半導體激光元件接合在上述第二實施方式的藍色半導體激光元件上。另外，在上述第一 第五實施方式中，對由AlN構成的基板構成接合RGB三波長半導體激光元件部的基臺(91、291、391、491和591)的例子進行了表示，但本發明不局限于此。在本發明中，也可以利用由Fe和Cu等構成的熱傳導率良好的導電材料構成基臺。另外，在上述第一 第五實施方式中，對由在平坦的活性層上形成具有脊的上部包覆層且將電介質的阻擋層形成于脊的側面的脊波導型半導體激光器形成RGB三波長半導體激光元件部的例子進行了表示，但本發明不局限于此。即，也可以由具有半導體的阻擋層的脊波導型半導體激光器、掩埋異質結(BH)的半導體激光器、在平坦的上部包覆層上形成有具有條紋狀開口部的電流阻擋層的增益波導型半導體激光器形成RGB三波長半導體激光元件部。另外，在上述第三實施方式中，對將綠色半導體激光元件的活性層的阱層構成為具有約3. 5nm的厚度的例子進行了表示，但本發明不局限于此。例如，也可以將綠色半導體激光元件的活性層的阱層構成為具有3nm以上的厚度。另外，在上述第三實施方式中，對將構成藍色半導體激光元件的MQW構造的多層阱層的全部阱層(一個阱層)構成為具有約3nm的厚度的例子進行了表示，但本發明不局限于此。即，藍色半導體激光元件的活性層的阱層的厚度不作特別限定。在此，藍色半導體激光元件的活性層的阱層的厚度優選比綠色半導體激光元件的活性層的阱層的厚度小。另外，在上述第三實施方式中，對將藍色半導體激光元件的活性層構成為具有MQW 構造，并且將綠色半導體激光元件的活性層構成為具有SQW構造的例子進行了表示，但本發明不局限于此。即，也可以將藍色半導體激光元件的活性層構成為具有SQW構造，還能夠將綠色半導體激光元件的活性層構成為具有MQW構造。另外，在上述第三實施方式中，對將綠色半導體激光元件的活性層的阱層構成為由具有33%的In組分的InGaN構成的例子進行了表示，但本發明不局限于此。S卩，綠色半導體激光元件的活性層的阱層的組分不作特別限定。此時，綠色半導體激光元件的活性層
35的阱層優選構成為由具有30%以上的In組分的InGaN構成。另外，在上述第三實施方式中，對作為藍色半導體激光元件的活性層和綠色半導體激光元件的活性層的主面的面方位使用作為非極性面的一例的半極性面即(11-22)面的例子進行了表示，但本發明不局限于此。例如，也可以使用(ll-2x)面(x = 2、3、4、5、6、 8、10、-2、-3、-4、-5、-6、-8、-10)和(I-IOy)面(y = 1、2、3、4、5、6、-1、-2、-3、-4、-5、-6) 等其他半極性面，作為藍色半導體激光元件的活性層和綠色半導體激光元件的活性層的主面的面方位。這時，藍色半導體激光元件的活性層和綠色半導體激光元件的活性層的厚度和In組分可適當變更。另外，半極性面優選為相對于(0001)面或(000-1)面具有約10度以上約70度以下的斜度的面。另外，在上述第三實施方式和其變形例中，對在η型GaN基板的上表面上形成有具有(11-22)面的主面且由InGaN構成的活性層的例子進行了表示，但本發明不局限于此。例如，也可以在由Al203、SiC、LiA102* LiGaO2等構成的基板的上表面上形成具有(11-22)面的主面且由InGaN構成的活性層。另外，在上述第三實施方式和其變形例中，對藍色半導體激光元件的阱層和綠色半導體激光元件的阱層由InGaN構成的例子進行了表示，但本發明不局限于此。例如，藍色半導體激光元件的阱層和綠色半導體激光元件的阱層也可以構成為由AlGaN、AlInGaN和 InAlN等構成。這時，藍色半導體激光元件的活性層的厚度和組分能夠適當變更。另外，在上述第三實施方式和其變形例中，對藍色半導體激光元件和綠色半導體激光元件的阻擋層由InGaN構成的例子進行了表示，但本發明不局限于此。例如，藍色半導體激光元件和綠色半導體激光元件的阻擋層也可以構成為由GaN構成。另外，在上述第三實施方式中，對在具有(11-22)面的主面的η型GaN基板上形成具有(11-22)面的主面且由InGaN構成的活性層的例子進行了表示，但本發明不局限于此。即，也可以使用具有r面((1-102)面)的主面的藍寶石基板，r面((1-102)面)具有 (11-22)面、(1-103)面或(1-126)面的主面，且預生長有氮化物系半導體(例如，InGaN)。另外，在上述第三實施方式和其變形例中，對在η型GaN基板上形成由InGaN構成的活性層(阱層)的例子進行了表示，但本發明不局限于此。即，也可以在AlxGai_xN基板上形成由InGaN構成的活性層(阱層)。在此，通過增大Al組分，能夠抑制垂直橫模的光強分布擴展。由此，能夠抑制光從AlxGai_xN基板射出，因此能夠抑制多條垂直橫模的光從激光元件射出。另外，也可以在InyGa1J基板上形成由InGaN構成的活性層(阱層)。由此，通過調節InyGai_yN基板的In組分，可降低活性層(阱層)的變形。這時，藍色半導體激光元件的活性層(阱層的厚度和In組分、綠色半導體激光元件的活性層(阱層)的厚度和In組分可分別適當變更。另外，在上述第三實施方式的變形例中，對作為藍色半導體激光元件的活性層和綠色半導體激光元件的活性層的主面的面方位使用作為非極性面的一個例子的半極性面即(11-22)面的例子進行了表示，但本發明不局限于此。在本發明中，藍色半導體激光元件的活性層和綠色半導體激光元件的活性層的主面的面方位也可以使用其他非極性面(無極性面和半極性面)。例如，作為藍色半導體激光元件的活性層和綠色半導體激光元件的活性層的主面的面方位，也可以使用a面((11-20)面)和m面((1_100)面)等無極性面，還能夠使用(ll-2x)面(χ = 2、3、4、5、6、8、10、-2、-3、-4、-5、-6、-8、-10)和(I-IOy)面(y
36=1、2、3、4、5、6、-1、-2、-3、-4、-5、-6)等半極性面。另外，在上述第三實施方式的變形例中，對作為本發明的“氮化物系半導體”使用 InGaN的例子進行了表示，但本發明不局限于此。在本發明中，作為氮化物系半導體，也可以使用AlGaN等。這時，藍色半導體激光元件的活性層和綠色半導體激光元件的活性層的厚度和組分可適當變更。另外，在上述第五實施方式中，對以藍色半導體激光元件550的ρ側焊盤電極518 的上表面位置、綠色半導體激光元件部530的ρ側焊盤電極538的上表面位置在位置大致相同的狀態下接合在基臺591的下表面的例子進行了表示，但本發明不局限于此。即，也可以構成為以P側焊盤電極的上表面位置稍發生了偏離的狀態將二波長半導體激光元件570 接合在基臺591的下表面。另外，在上述第五實施方式中，對藍色半導體激光元件550的包含η型GaN基板 331的厚度形成為比綠色半導體激光元件530的包含η型GaN基板331的厚度小的例子進行了表示，但本發明不局限于此。即，藍色半導體激光元件550的包含η型GaN基板331的厚度也可以形成為比綠色半導體激光元件530的包含η型GaN基板331的厚度大，由此來構成二波長半導體激光元件。在這種情況下，藍色半導體激光元件550的ρ側焊盤電極518 的厚度形成為比綠色半導體激光元件部530的ρ側焊盤電極538的厚度小。由此，由于ρ 側焊盤電極518和538的上表面(C2側)在大致同一平面一致，因此可將二波長半導體激光元件經由在C方向上具有大致相同的厚度的導電性粘接層固定于基臺591。另外，在上述第五實施方式中，對在η型GaN基板的表面上形成藍色半導體激光元件和綠色半導體激光元件的例子進行了表示，但本發明不局限于此。例如，也可以在生長用基板的表面上形成剝離層和公用的η型接觸層等之后，再形成藍色半導體激光元件和綠色半導體激光元件。然后，在將該二波長半導體激光元件與支承基臺或紅色半導體激光元件接合之后，通過僅將生長用基板剝離，形成本發明的“基板”僅由η型接觸層等構成的半導體激光裝置。另外，在這種情況下，在生長用基板剝離后的η型接觸層的下表面形成η側電極。另外，在這種情況下，公用的η型接觸層也可以兼作一方的激光元件的η型包覆層。另外，在上述第五實施方式中，對將綠色半導體激光元件的ρ型包覆層的厚度形成為比藍色半導體激光元件的P型包覆層的厚度大的例子進行了表示，但本發明不局限于此。例如，在藍色半導體激光元件的厚度(從η型GaN基板的下表面到ρ型包覆層的上表面的厚度)比綠色半導體激光元件的厚度(從η型GaN基板的下表面到ρ型包覆層的上表面的厚度)大的情況下，也可以將藍色半導體激光元件的P型包覆層(第一半導體層)的厚度形成為比綠色半導體激光元件的P型包覆層(第二半導體層)的厚度大。
權利要求
1.一種半導體激光裝置，其特征在于，具備具有一個或多個激光發光部的綠色半導體激光元件； 具有一個或多個激光發光部的藍色半導體激光元件；和具有一個或多個激光發光部的紅色半導體激光元件，其中所述綠色半導體激光元件、所述藍色半導體激光元件和所述紅色半導體激光元件中的至少2個半導體激光元件具有如下關系合計輸出相對較小的所述半導體激光元件的所述激光發光部的個數，比合計輸出相對較大的具有所述多個激光發光部的所述半導體激光元件的所述激光發光部的個數，或者輸出相對較大的具有所述一個激光發光部的所述半導體激光元件的個數多。
2.如權利要求1所述的半導體激光裝置，其特征在于在設所述綠色半導體激光元件、所述藍色半導體激光元件和所述紅色半導體激光元件各自的所述激光發光部的個數分別為nl、n2和η3時，具有nl > η2 > η3的關系。
3.如權利要求1所述的半導體激光裝置，其特征在于所述綠色半導體激光元件和所述藍色半導體激光元件，形成在與所述綠色半導體激光元件和所述藍色半導體激光元件共用的基板上。
4.如權利要求1所述的半導體激光裝置，其特征在于所述綠色半導體激光元件為形成有多個所述激光發光部的單片型，所述藍色半導體激光元件為形成有多個所述激光發光部的單片型。
5.如權利要求1所述的半導體激光裝置，其特征在于所述紅色半導體激光元件與所述綠色半導體激光元件和所述藍色半導體激光元件中的至少一個接合。
6.如權利要求1所述的半導體激光裝置，其特征在于，還具備接合有所述綠色半導體激光元件、所述藍色半導體激光元件和所述紅色半導體激光元件的基臺；和與外部電連接并且相互絕緣的多個端子，所述綠色半導體激光元件包括形成于與所述基臺相反側的表面上的電極， 在設所述綠色半導體激光元件的所述激光發光部的個數為nl時，所述nl個中的至少 2個所述綠色半導體激光元件的所述電極連接于各不相同的所述端子。
7.如權利要求3所述的半導體激光裝置，其特征在于所述綠色半導體激光元件形成于所述基板的表面上，并且包括具有半極性面的主面的第一活性層，所述藍色半導體激光元件形成于所述基板的表面上，并且包括具有與所述半極性面大致相同的面方位的主面的第二活性層，所述第一活性層包括具有壓縮變形并且具有3nm以上的厚度的第一阱層，所述第二活性層包括具有壓縮變形的第二阱層。
8.如權利要求7所述的半導體激光裝置，其特征在于 所述第一阱層由InGaN構成。
9.如權利要求7所述的半導體激光裝置，其特征在于 所述第二阱層由InGaN構成。
10.如權利要求7所述的半導體激光裝置，其特征在于 所述第一阱層的厚度比所述第二阱層的厚度大。
11.如權利要求7所述的半導體激光裝置，其特征在于所述半極性面為相對于(0001)面或(000-1)面具有約10度以上約70度以下的斜度的面。
12.如權利要求7所述的半導體激光裝置，其特征在于所述藍色半導體激光元件和所述綠色半導體激光元件還分別包含沿將W001]方向投影到所述半極性面的主面而成的方向延伸的光波導路。
13.如權利要求3所述的半導體激光裝置，其特征在于所述藍色半導體激光元件形成于所述基板的表面上，并且包括具有非極性面的主面的由氮化物系半導體構成的第三活性層，所述綠色半導體激光元件形成于所述基板的表面上，并且包括具有與所述非極性面大致相同的面方位的主面的由氮化物系半導體構成的第四活性層。
14.如權利要求13所述的半導體激光裝置，其特征在于所述第三活性層具有量子阱構造，其中該量子阱構造具有由InGaN構成的第三阱層； 所述第四活性層具有量子阱構造，其中該量子阱構造具有由InGaN構成的第四阱層，其中所述第三阱層的厚度比所述第四阱層的厚度大。
15.如權利要求13所述的半導體激光裝置，其特征在于 所述非極性面為大致(11-2 面。
16.如權利要求13所述的半導體激光裝置，其特征在于 所述基板的主面具有與所述非極性面大致相同的面方位。
17.如權利要求3所述的半導體激光裝置，其特征在于所述藍色半導體激光元件形成于所述基板的一側的表面上，并且從所述基板側起，依次層疊有第五活性層、第一半導體層和第一電極，所述綠色半導體激光元件以與所述藍色半導體激光元件相鄰排列的方式形成，并且從所述基板側起，依次層疊有第六活性層、第二半導體層和第二電極，所述半導體激光裝置還具備支承基臺，所述支承基臺通過第一熔接層形成于所述第一電極上，并且，通過第二熔接層形成于所述第二電極上， 所述基板在所述一側的相反側具有另一側的表面，在設從所述另一側的表面到所述一側的所述第一半導體層的表面為止的所述藍色半導體激光元件的厚度為tl、設從所述另一側的表面到所述一側的所述第二半導體層的表面為止的所述綠色半導體激光元件的厚度為t2、設所述第一電極的厚度為t3、設所述第二電極的厚度為t4時，在tl < t2時具有t3 > t4的關系，在tl > t2時具有t3 < t4的關系。
18.如權利要求17所述的半導體激光裝置，其特征在于所述第一電極由第一焊盤電極構成，所述第二電極由第二焊盤電極構成。
19.如權利要求18所述的半導體激光裝置，其特征在于在t3 > t4的情況下，所述第一焊盤電極的厚度比所述第二焊盤電極的厚度大，在t3 < t4的情況下，所述第二焊盤電極的厚度比所述第一焊盤電極的厚度大。
20.一種顯示裝置，其具備半導體激光裝置和調制機構，該顯示裝置的特征在于所述半導體激光裝置具備具有一個或多個激光發光部的綠色半導體激光元件； 具有一個或多個激光發光部的藍色半導體激光元件；和具有一個或多個激光發光部的紅色半導體激光元件，其中所述綠色半導體激光元件、所述藍色半導體激光元件和所述紅色半導體激光元件中的至少2個半導體激光元件具有如下關系合計輸出相對較小的所述半導體激光元件的所述激光發光部的個數，比合計輸出相對較大的具有所述多個激光發光部的所述半導體激光元件的所述激光發光部的個數，或者輸出相對較大的具有所述一個激光發光部的所述半導體激光元件的個數多，所述調制機構對來自所述半導體激光裝置的光進行調制。
全文摘要
本發明提供一種能夠容易地得到所希望的色相的半導體激光裝置。該半導體激光裝置(100)具備具有一個或多個激光發光部的綠色半導體激光元件(30)、具有一個或多個激光發光部的藍色半導體激光元件(50)、具有一個或多個激光發光部的紅色半導體激光元件(10)。而且，綠色半導體激光元件、藍色半導體激光元件和紅色半導體激光元件中的至少二個半導體激光元件具有如下關系，即，合計輸出相對小的半導體激光元件的激光發光部的個數比合計輸出相對大的具有多個激光發光部的半導體激光元件的激光發光部的個數、或輸出相對大的具有一個激光發光部的半導體激光元件的個數多。
文檔編號H01S5/40GK102171899SQ200980138656
公開日2011年8月31日 申請日期2009年9月17日 優先權日2008年9月30日
發明者中島三郎, 久納康光, 畑雅幸, 野村康彥 申請人:三洋電機株式會社