專利名稱：光電子器件及其制造方法
光電子器件及其制造方法本專利申請要求德國專利申請10 2008 038 750. 9的優先權，其公開內容通過引
用結合于此。提出了一種根據權利要求1所述的光電子器件及其制造方法。具有鈍化層的光電子器件的一個普遍的問題是在鈍化層的一部分中形成的損傷 例如裂縫會在整個鈍化層上延伸。于是，當設置在共同襯底上的并且通過襯底中的分離槽 彼此分離的多個光電子器件通過例如鋸割來分割時，例如會形成裂縫。這些裂縫在分離槽 中會延伸直到半導體層，并且尤其是由于侵入的濕氣而導致加速老化。濕氣會穿過這些裂 縫到達半導體層中并且在那里引起器件的短路。本發明的實施形式的一個任務在于，提供一種光電子器件，其鈍化層在半導體層 的區域中具有改進的保護。該任務通過根據權利要求1所述的光電子器件來解決。光電子器件的其他實施形 式以及用于制造光電子器件的方法是其他權利要求的主題。本發明的一個實施形式涉及一種光電子器件，其包括支承體；設置在支承體上 的金屬鏡層；設置在金屬鏡層的區域上的第一鈍化層；用于產生電運行中的有源區的半導 體層，其設置在第一鈍化層上；第二鈍化層，其包括兩個區域，其中第一區域設置在半導體 層的上側上，并且第二區域設置在沒有半導體層的金屬鏡層上，其中第二鈍化層的第一區 域和第二區域通過圍繞第一鈍化層的區域而彼此分離，所述圍繞第一鈍化層的區域沒有第 二鈍化層。由于在光電子器件中位于光電子器件的表面上的第二鈍化層被分為兩個部分區 域，它們彼此分離，所以沒有裂縫或者其他機械缺陷可以從一個區域延伸到另一區域。結合 本發明，彼此分離尤其是理解為，第二鈍化層的兩個區域彼此間沒有例如裂縫可通過其進 行蔓延的直接機械接觸。第二鈍化層的第二區域在此尤其是設置在如下區域上在該區域 中在制造方法的切割工藝中會出現強烈的機械負荷。各器件的切割例如可以通過鋸割來進 行，由此在第二鈍化層的第二區域中或者在位于其下的層中會出現裂縫。從位于其下的層 中，該裂縫會延伸到第二鈍化層的第二區域中。而第二鈍化層的第一區域位于半導體層的 表面上。由于第二鈍化層的第一區域和第二區域彼此間并不具有機械接觸，所以已經形成 在第二鈍化層的第二區域中的裂縫現在不能延伸到第二鈍化層的第一區域中。由此，盡管 相鄰的區域有機械負荷，但半導體層和第二鈍化層的第一區域并不受到損傷。由此，沒有濕 氣或者其他干擾性的環境影響可以通過第二鈍化層的第一區域侵入半導體層。由此，明顯 延長了器件的壽命。在光電子器件的另一實施形式中，第一鈍化層和第二鈍化層在空間上彼此分離。空間上的分離尤其是理解為，在第一鈍化層和第二鈍化層之間并不存在例如裂縫 會通過其延伸的直接的機械接觸。由此，從第一鈍化層的第二區域出發的裂縫傳播也不可 能超出第一鈍化層。由此，例如在第二鈍化層的第二區域中形成的裂縫不能通過第一鈍化 層延伸到第二鈍化層的第一區域。這導致了不僅第二鈍化層的第一區域而且第一鈍化層都 不會由于在第二鈍化層的第二區域中出現的裂縫或者其他機械損傷的延伸而受到損壞。由此，半導體層也從其下側被保護免受損傷。在光電子器件的一個實施形式中，半導體層具有相對于第一鈍化層外伸的邊緣。這意味著，第一鈍化層在半導體層的外伸的邊緣的區域中在邊緣之下延伸，并且 半導體層突出于第一鈍化層。于是，邊緣遮蔽第一鈍化層。由此，例如可以避免在第二鈍化 層(其第一區域在半導體層上延伸)和第一鈍化層之間形成直接機械接觸。此外，避免在 施加第二鈍化層時在第一鈍化層和第二鈍化層的第二區域之間形成機械接觸。從半導體層 相對于第一鈍化層的外伸，對于制造方法而言得到另一優點。這樣，可以通過成形有外伸邊 緣來將第二鈍化層大面積地施加到器件上，其中第二鈍化層在外伸的邊緣上自行中斷，使 得無需結構化的涂覆而形成第二鈍化層的第一區域和第二區域。通過第二鈍化層的中斷， 在第二鈍化層的第一區域和第二區域之間不再有機械連接。在光電子器件的另一實施形式中，第一鈍化層在外伸的邊緣中中斷，使得形成沒 有第一鈍化層的區域。在該實施形式中，并未去除通過半導體層的結構化而暴露的整個第一鈍化層，而 是僅僅去除第一鈍化層的一部分，使得在至少部分地位于半導體層之下的第一鈍化層中形 成環繞的區域，該區域將半導體層之下的區域與其余的第一鈍化層分離。分離尤其是理解 為在第一鈍化層的不同部分之間不存在機械連接，使得在第一鈍化層的并不與半導體層接 觸的區域中形成的或者在第二鈍化層的第二區域中形成的裂縫不會延伸到第一鈍化層的 與半導體層直接接觸的區域中。在另一實施形式中，光電子器件在其中不存在半導體層的區域中不再具有第一鈍 化層。在結構化半導體層之后或者在結構化半導體層時完全去除由此暴露的第一鈍化層。在光電子器件的另一實施形式中，半導體層具有側面的臺式邊緣。根據何種技術被應用于半導體層的結構化，臺式邊緣具有較強或較為不強的斜 度。臺式邊緣可以與半導體層的上側一樣被第二鈍化層覆蓋。設置在臺式邊緣上的第二鈍 化層由此是第二鈍化層的第一區域的一部分。半導體層由此在上側以及在其側面上被第二 鈍化層的第一區域圍繞并且通過其而受到保護。在光電子器件的一個實施形式中，該光電子器件構建為薄膜發光二極管(LED)芯 片。薄膜LED芯片的特色在于以下典型特征的至少之一 在產生輻射的半導體層序列(尤其是產生輻射的外延層序列)的朝向支承元 件、尤其是朝向支承襯底的主面上，施加或者構建有反射層，其將半導體層序列中產生的電 磁輻射的至少一部分向回反射到該半導體層序列中； 薄膜LED芯片具有支承元件，該支承元件不是其上外延地生長了半導體層序列 的生長襯底，而是獨立的支承元件，其事后被固定在半導體層序列上；眷半導體層序列具有20 μ m或者更小的范圍中的厚度，尤其是在10 μ m或者更小 范圍中的厚度； 半導體層序列沒有生長襯底。在此，“沒有生長襯底”意味著，必要時用于生長的 生長襯底被從半導體層序列去除或者至少強烈地薄化。特別地，其被薄化為使得其本身或 者與外延層序列一同單獨地并不是自支承的。被強烈薄化的生長襯底的殘留的遺留物特別 是不適合作為用于生長襯底的功能的襯底；以及
半導體層序列包含至少一個如下半導體層該半導體層具有至少一個面，該面 具有混勻結構，該混勻結構在理想情況下導致光在半導體層序列中的近似各態歷經的分 布，也就是說，其具有盡可能各態歷經的隨機散射特性。薄膜LED芯片的基本原理例如在I. Schnitzer等人所著的出版物Appl. Phys. Lett. 63 (16)，1993年10月18日，第2174-2176頁中進行了描述，其公開內容通過引用結合 于此。薄膜LED芯片的例子在出版物EP 0905797 A2和WO 02/13281 Al中進行了描述，其 公開內容通過引用結合于此。優選的是，完成的器件不再具有襯底。除了光電子器件本身之外，還要求保護其制造方法。用于制造光電子器件的一個方法變形方案包括如下方法步驟提供層裝置作為方 法步驟A)，所述層裝置包括支承體、金屬鏡層、第一鈍化層和半導體層；去除第一鈍化層的 一部分作為方法步驟B)；將第二鈍化層施加在半導體層的上側和金屬鏡層上，其中在半導 體層的上側上產生第二鈍化層的第一區域，并且在鏡層上產生第二鈍化層的第二區域；以 及構建圍繞第一鈍化層的區域，該區域沒有第二鈍化層并且將第一區域和第二區域彼此分 離，作為方法步驟C)。第一鈍化層在方法步驟B)中被去除，使得在隨后的在方法步驟C)中施加第二鈍 化層時構建第一區域和第二區域。通過在方法步驟B)中部分地去除第一鈍化層，在第二鈍 化層的第一區域和第二區域之間沒有機械連接，使得在兩個區域之一中形成的裂縫或者其 他機械損傷不會延伸到另一區域中。通過去除第一鈍化層的一部分，圍繞第一鈍化層的與 半導體層直接接觸的部分構建區域。該區域沒有第一鈍化層。通過該空出的區域，將第二 鈍化層的第一區域與第二區域在空間上分離。在第二鈍化層的第二區域中形成的例如裂縫 的傳播由此不可能超出該空出的區域。在另一方法變形方案中，方法步驟A)包括以下子方法步驟提供襯底作為子方法 步驟Al)，在襯底上生長半導體層用于產生在電運行中的有源區作為子方法步驟A2)，將第 一鈍化層施加到半導體層上，作為子方法步驟⑶，將金屬鏡層施加到第一鈍化層上作為子 方法步驟A4)，將支承體設置到金屬鏡層上作為子方法步驟A5)，將襯底從半導體層剝離作 為子方法步驟A6)，以及將半導體層結構化作為子方法步驟A7)。通過子方法步驟Al至A7)，可以制成層裝置，如其在方法步驟A)中所提供的那樣。 該層裝置包括支承體、設置在支承體上的金屬鏡層、設置在金屬鏡層上的第一鈍化層和設 置在第一鈍化層上的結構化的半導體層。在另一方法變形方案中，通過在子方法步驟A7)中的結構化在半導體層中構建臺 狀物，其中半導體層在結構化之后具有側面的臺式邊緣。在子方法步驟A7)中的半導體層的結構化例如可以通過刻蝕步驟來進行。在半導 體層中，刻蝕臺狀溝，使得半導體層現在具有側面的臺式邊緣。根據用于將半導體層結構化 的技術，臺式邊緣具有較大或不怎么大的斜度。在該方法變形方案中，在方法步驟C)中將 第二鈍化層施加到臺式邊緣上。在半導體層的表面上的第二鈍化層以及在半導體層的臺式 邊緣上的第二鈍化層一同形成第二鈍化層的第一區域。在另一方法變形方案中，在方法步驟C)中施加第二鈍化層，使得第一鈍化層和第 二鈍化層在空間上彼此分離。
在該方法變形方案中，在方法步驟B)中至少將第一鈍化層的不與半導體層直接 接觸的整個部分去除。由于在第一鈍化層和第二鈍化層之間并不存在機械連接，所以在第 一鈍化層的第二區域中形成的損傷例如裂縫不會延伸到第一鈍化層中。在另一方法變形方案中，在方法步驟B)中將第一鈍化層去除，使得在半導體層中 產生相對于第一鈍化層外伸的邊緣。在該方法變形方案中，也去除第一鈍化層的設置在結構化后的半導體層之下的部 分。這例如可以通過刻蝕工藝來進行。在此，半導體層由此部分地被掏蝕。通過半導體層的外伸的邊緣，可以在方法步驟C)中將第二鈍化層大面積地涂覆 到整個器件上，其中第二鈍化層在外伸的邊緣上中斷，并且由此形成第二鈍化層的空間上 分離的區域。構建第一區域，其設置在半導體層的表面上以及設置在半導體層的臺式邊緣 上，以及構建第二區域，其設置在金屬鏡層上，該金屬鏡層沒有第一半導體層。此外，外伸的 邊緣能夠實現大面積地涂覆第二鈍化層而并不形成與第一鈍化層的空間接觸。在此，無需 使用掩膜或者模板。在一個方法變形方案中，在方法步驟B)中使用濕化學方法。在濕化學方法中，例如可以使用酸或者堿。濕化學方法能夠實現也將第一鈍化層 的并未暴露或者不能直接到達并且位于已經結構化的半導體層之下的部分去除。通過濕化 學方法也可以去除第一鈍化層的例如通過離子束不能到達的部分。在另一變形方案中，使用濕化學方法來去除第一鈍化層的設置在結構化的半導體 層之下的部分。半導體層于是被掏蝕。通過使用濕化學方法，可以將半導體層比借助物理方法明 顯更多地掏蝕。在物理刻蝕方法中，該半導體層根本不能或者只能非常輕微地被掏蝕。半 導體層被掏蝕到何種程度例如可以通過所使用的刻蝕溶液的作用時間來控制。可以控制掏 蝕程度的另一因素是所使用的刻蝕溶液的濃度。通過大面積地施加刻蝕溶液，除了半導體 層的掏蝕之外還去除第一鈍化層的在半導體層結構化之后不與半導體層直接接觸的區域。 通過有針對性地局部施加刻蝕溶液，也可以僅僅去除第一鈍化層的如下區域，該區域環繞 第一鈍化層的與半導體層直接接觸的部分。該環繞部分在此至少部分地在半導體層之下延 伸。對于第一鈍化層包括SiO2的情況，例如緩沖的氫氟酸(Flusssaeure)適合作為刻蝕溶 液。刻蝕溶液優選選擇為使得金屬鏡層和半導體層都不受其侵蝕。在另一方法變形方案中，在方法步驟B)中去除在半導體層結構化之后暴露的整 個第一鈍化層。這例如可以通過濕化學方法來進行，其中大面積地涂覆刻蝕溶液。在另一方法變形方案中，在方法步驟C)中大面積地施加第二鈍化層，其中大面積 的膜在外伸的邊緣上中斷，由此形成第二鈍化層的第一區域和第二區域。第二鈍化層的材料于是未被局部地涂覆。在施加時，既不使用掩膜也不使用模板。在該方法的一個變形方案中，在子方法步驟A3)中使用選自Si02、SiN、Al2O3的材 料用于第一鈍化層。在此，SiO2是優選的。S^2尤其是由于其對于輻射的良好穩定性而特別良好地適 于將光電子器件鈍化。下面要借助附圖和實施例詳細地闡述本發明的變形方案。
其中
圖1示出了光電子器件的一個實施形式的示意性側視圖，圖2示出了光電子器件的一個實施形式的示意性俯視圖，圖3示出了光電子器件的另一實施形式的示意性側視圖，圖4示出了光電子器件的另一實施形式的示意性側視圖，其附加地包括阻擋層，圖5示出了光電子器件的另一實施形式的示意性側視圖，其附加地還包括附著 層，圖6示出了光電子器件的另一實施形式的示意性側視圖，其附加地還包括接觸 部，圖7a至幾分別示出了光電子器件的一個實施形式的制造方法的不同方法步驟的 示意性側視圖，圖8示出了三個器件的示意性側視圖，它們尚未被分割。圖1示出了光電子器件的一個實施形式的示意性側視圖。該實施形式包括支承體 1。在支承體1上設置有金屬鏡層2。在金屬鏡層2的中間區域中設置有結構化的第一鈍化 層3。在第一鈍化層3上設置有結構化的半導體層4，其具有臺式邊緣。半導體層4具有相 對于位于其下的第一鈍化層3外伸的邊緣。在半導體層4的上側和半導體層的臺式邊緣上 設置有第二鈍化層的第一區域如。沒有第二鈍化層5的區域11圍繞第一鈍化層3。圍繞 的區域11部分地在半導體層4之下延伸并且包圍半導體層4。在金屬鏡層2上的邊緣，第 二鈍化層的第二區域恥跟隨圍繞的區域11。如在圖1中可以看到的那樣，在第二鈍化層的 第一區域如和第二區域恥之間沒有機械接觸。此外，在圖1中可以看到的那樣，第二鈍化 層的第一區域fe和第二區域恥都不與第一鈍化層3機械接觸。機械缺陷(例如裂縫)會 在第二鈍化層的第二區域恥中例如在借助將第二鈍化層的第二區域恥和位于其下的鏡層 和支承體的分離而將設置在共同支承體上的多個器件分割時出現。該裂縫由于缺少機械接 觸而既不能延伸到第一鈍化層3也不能延伸到第二鈍化層的第一區域fe中。于是即使出 現第二鈍化層的第二區域恥的損傷時，第二鈍化層的第一區域fe由此也保持未受損傷。圖2示出了圖1中在橫截面中示出的光電子器件的實施形式的示意性俯視圖。在 圖2中，在環繞的區域11的區域中可以看到金屬鏡層2，其位于第二鈍化層的第二區域恥 的一側。在金屬鏡層2上在結構化的、這里出于清楚的原因而未示出的半導體層4之下設 置有第一鈍化層3。通過圍繞第一鈍化層3的虛線表明了在其他方面在此未示出的半導體 層4的外伸邊緣的位置，該半導體層位于第一鈍化層3上并且具有相對于第一鈍化層3外 伸的邊緣。在半導體層4上還設置有第二鈍化層的第一區域fe。在圖2中可以看到，在第 二鈍化層的第一區域5a(其通過虛線形成邊界)和第二鈍化層的外部延伸的第二區域恥 之間并不存在機械接觸。第二鈍化層的兩個區域5&/恥在空間上彼此分離。圖3示出了光電子器件的另一實施形式的示意性側視圖。該結構在很大程度上對 應于圖1中所示的實施形式。然而，該實施形式在第二鈍化層的第二區域恥和金屬鏡層2 之間還具有第一鈍化層3。環繞的區域11由此在該實施形式中朝著兩側由第一鈍化層3形 成邊界。在該實施形式中，延伸的區域11由此像環繞的槽那樣成形在第一鈍化層3中。這 種實施形式例如可以通過局部去除第一鈍化層3來得到。圖4示出了光電子器件的另一實施形式的示意性側視圖。該實施形式在很大程度上對應于圖1中所示的實施形式。然而，其附加地在支承體1和金屬鏡層2之間包括阻擋 層6。該阻擋層6例如可以防止離子從金屬鏡層2朝著支承體1遷移。例如TiWN適于阻擋層6。圖5示出了光電子器件的另一實施形式的示意性側視圖。該實施形式在很大程度 上對應于圖4中所示的實施形式。然而在圖5中所示的實施形式附加地包含附著層7，其設 置在支承體1和阻擋層6之間。該附著層7用于將支承體1更好地附著在阻擋層6上。圖6示出了光電子器件的另一實施形式的示意性側視圖。該實施形式在很大程度 上對應于圖1中所示的實施形式。然而在圖6中所示的實施形式附加地包含電接觸部8，其 位于半導體層4的上側上。在電接觸部8上例如可以通過接合線來實現器件的電接觸。另 一電接觸部例如可以通過支承體1來實現。圖7a至幾分別在示意性側視圖中示出了針對光電子器件的一個實施形式的制造 方法的不同方法階段。圖7a示出了襯底9，其上設置有半導體層4。半導體層4例如可以如在子方法步 驟A2)中所描述的那樣通過生長在襯底上而得到。例如GaN適于半導體層4。圖7b示出了層序列，其與圖7a中所示的層序列相比附加地包括第一鈍化層3，該 第一鈍化層3設置在半導體層4上。對于第一鈍化層例如可以使用Si02、SiN或者Al2O3，其 中SiO2是優選的。根據子方法步驟A3)來施加第一鈍化層3例如可以借助PECVD (等離子 體增強化學氣相沉積)到半導體層4上來進行。第一鈍化層3的層厚度例如可以為450nm。圖7c在橫截面中示出了根據子方法步驟A4)(施加金屬鏡層2)的層裝置。金屬 鏡層2設置在第一鈍化層3上。例如Al適于金屬鏡層2。金屬鏡層2例如可以通過氣相淀 積到第一鈍化層3上來施加。圖7d示出了層序列，其與圖7c所示的層序列相比附加地包括支承體1。支承體1 例如可以包括Ge。在子方法步驟A5)中設置支承體1例如可以通過焊接方法來進行。但， 支承體1也可以通過附著層7與金屬鏡層2相連。支承體1用于使層序列穩定。此外，支 承體1可以用于電接觸完成的器件。圖7e示出了層序列，如其可以例如從圖7d所示的層序列中產生的那樣。為 此，襯底9被從半導體層4去除。根據子方法步驟A6)的剝離例如可以借助激光剝離 (Laser-Lift-Off)來進行。圖7f示出了層序列，如其可以例如從圖7e所示的層序列中產生的那樣。為此，在 另一方法步驟中根據子方法步驟A7)將半導體層4結構化。半導體層4現在具有側面的臺 式邊緣。半導體層4的結構化例如可以通過刻蝕步驟來進行。對于刻蝕步驟例如可以使用 干化學刻蝕如RIE (反應離子刻蝕)。圖7g示出了層序列，如其可以例如從圖7f所示的層序列中產生的那樣。為此，在 方法步驟B)中去除第一鈍化層3的一部分。在此情況下，第一鈍化層3的曾經并不與半導 體層4直接接觸的所有部分被去除。此外，附加地去除第一鈍化層3的之前與半導體層4直 接接觸的部分，使得半導體層4相對于第一鈍化層3現在具有外伸的邊緣。外伸例如可以 為1 μ m。第一鈍化層3的部分去除例如可以借助刻蝕方法來進行。對于第一鈍化層3包括 SiO2W情況，緩沖的氫氟酸適于作為刻蝕溶液。金屬鏡層2在刻蝕過程中并不被侵蝕。刻 蝕溶液可以在作用時間到期之后借助例如去離子化的水來沖洗而簡單地被去除。
圖示出了光電子器件的層序列，其對應于圖1中所示的光電子器件的層序列。 在圖中示出的器件例如可以從圖7g所示的器件中產生。為此，在方法步驟C)中在光電 子器件的表面上涂覆第二鈍化層5。通過半導體層4相對于第一鈍化層3的外伸的邊緣，第 二鈍化層5在此在半導體層4的外伸的邊緣上中斷，使得形成兩個區域。第二鈍化層的第 一區域5a(其設置在半導體層4的表面以及半導體層的臺式邊緣上)以及第二鈍化層的第 二區域恥(其設置在金屬鏡層2上)。第二鈍化層5的施加在此例如可以通過PECVD (等離 子體增強化學氣相沉積)來進行。例如Si02、SiN或者Al2O3適于第二鈍化層。SiO2對于第 一鈍化層以及對于第二鈍化層是優選的材料。圖8在示意性側視圖中示出了三個器件的示意性側視圖，它們尚未被分割。這些 器件在分割之后對應于圖幾中所示的器件。出于清楚的原因，僅僅示例性地示出了三個相 連接的器件。在分割之前相連地存在的器件的數目可以明顯超過3個。通過在圖8中的兩 條虛線表明在哪里進行器件的分割。第一鈍化層3也可以在制造方法的另一實施形式中被結構化，使得金屬鏡層2和 半導體層4彼此直接導電接觸。本發明并未通過借助實施例的描述而受到限制。更確切地說，本發明包括任意新 的特征以及特征的任意組合，尤其是權利要求中的特征的任意組合，即使該特征或者該組 合本身并未明確地在權利要求或者實施例中予以說明。
權利要求
1.一種光電子器件，包括 -支承體(1)；-設置在支承體(1)上的金屬鏡層(2)； -設置在金屬鏡層(2)的區域上的第一鈍化層(3)；-用于產生在電運行中的有源區的半導體層(4)，其設置在第一鈍化層(3)上； -第二鈍化層(5)，其包括兩個區域，其中第一區域(5a)設置在半導體層(4)的上側 上，并且第二區域(5b)設置在沒有半導體層(4)的金屬鏡層(2)上，其中第二鈍化層(5)的第一區域(5a)和第二區域(5b)通過圍繞第一鈍化層(3)的區 域(11)而彼此分離，所述圍繞第一鈍化層的區域沒有第二鈍化層(5)。
2.根據權利要求1所述的光電子器件，其中第一鈍化層(3)和第二鈍化層(5)在空間 上彼此分離地設置。
3.根據上述權利要求之一所述的光電子器件，其中半導體層(4)具有相對于第一鈍化 層⑶外伸的邊緣。
4.根據權利要求3所述的光電子器件，其中第一鈍化層(3)在外伸的邊緣的區域中中 斷，使得構建沒有第一鈍化層(3)的區域(11)。
5.根據上述權利要求之一所述的光電子器件，其中半導體層(4)具有側面的臺式邊緣 (10)。
6.根據上述權利要求之一所述的光電子器件，其中該光電子器件構建為薄膜發光二極 管芯片。
7.一種用于制造光電子器件的方法，包括如下方法步驟A)提供層裝置，所述層裝置包括支承體(1)、金屬鏡層(2)、第一鈍化層(3)和半導體層⑷；B)去除第一鈍化層(3)的一部分；C)將第二鈍化層(5)施加在半導體層(4)的上側和金屬鏡層(2)上，其中在半導體層 的上側上產生第二鈍化層(5)的第一區域(5a)，并且在鏡層上產生第二鈍化層(5)的第二 區域(5b)；以及構建圍繞第一鈍化層(3)的區域(11)，該區域沒有第二鈍化層(5)并且將 第一區域(5a)和第二區域(5b)彼此分離。
8.根據權利要求7所述的方法，其中方法步驟A)包括以下子方法步驟 Al)提供襯底(9)，A2)在襯底(9)上生長半導體層(4)，用于產生在電工作中的有源區，A3)將第一鈍化層(3)施加到半導體層(4)上，A4)將金屬鏡層(2)施加到第一鈍化層(3)上，A5)將支承體(1)設置到金屬鏡層(2)上，A6)將襯底(9)從半導體層⑷剝離，以及A7)將半導體層(4)結構化。
9.根據權利要求8所述的方法，其中通過在方法步驟A7)中結構化在半導體層(4)中 構建臺狀物，并且半導體層(4)在結構化之后具有側面的臺式邊緣(10)。
10.根據權利要求7至9之一所述的方法，其中在方法步驟C)中施加第二鈍化層(5)， 使得第一鈍化層(3)和第二鈍化層(5)在空間上彼此分離。
11.根據權利要求7至10之一所述的方法，其中在方法步驟B)中將第一鈍化層(3)去 除，使得在半導體層(4)中產生相對于第一鈍化層(3)外伸的邊緣。
12.根據權利要求7至11之一所述的方法，其中在方法步驟B)中使用濕化學方法。
13.根據權利要求12所述的方法，其中使用濕化學方法來去除第一鈍化層(3)的設置 在結構化的半導體層(4)之下的部分。
14.根據權利要求8至13之一所述的方法，其中在方法步驟B)中去除在方法步驟A7) 中半導體層(4)的結構化的情況下暴露的整個第一鈍化層(3)。
15.根據權利要求11所述的方法，其中在方法步驟C)中大面積地施加第二鈍化層 (5)，其中大面積的膜在外伸的邊緣處中斷，由此構建第二鈍化層的第一區域(5a)和第二 區域(5b)。
全文摘要
一種光電子器件包括支承體(1)；設置在支承體上的金屬鏡層(2)；設置在金屬鏡層的區域上的第一鈍化層(3)；用于產生電運行中的有源區的半導體層(4)，其設置在第一鈍化層上；第二鈍化層(5)，其包括兩個區域(5a，5b)，其中第一區域(5a)設置在半導體層的上側上，并且第二區域(5b)設置在沒有半導體層的金屬鏡層上，其中第二鈍化層的第一區域和第二區域通過圍繞第一鈍化層的區域而彼此分離，所述圍繞第一鈍化層的區域沒有第二鈍化層。
文檔編號H01L33/44GK102124580SQ200980131502
公開日2011年7月13日 申請日期2009年8月6日 優先權日2008年8月12日
發明者安德烈亞斯·魏瑪 申請人:歐司朗光電半導體有限公司