專利名稱：有機發光器件的制作方法
技術領域：
本發明涉及有機發光器件以及用于其中的新的陰極結構。
背景技術：
有機發光器件(OLEDs)通常包含陰極、陽極以及陰極和陽極之間的有機發光區 域。有機發光材料可以包含小分子材料，例如US4539507中所記載的，或者聚合物材料，例 如PCT/W090/13148中所記載的。陰極向發光區域中注入電子，陽極注入空穴。電子和空穴 在發光區域中的復合區中結合產生光子。圖1示出了 OLED的典型的剖面結構。OLED通常在涂布有透明陽極2例如氧化銦 錫(ITO)層的玻璃或塑料基片1上制造。ITO涂布的基片用至少一層電致發光有機材料3 和陰極材料4的薄膜覆蓋。可以向器件中加入其它層，例如為了改善電極和電致發光材料 之間的電荷傳輸。在圖1中所示的布置中，基片1和陽極2是透明的，以使得電致發光有機層3發射 的光可以從其中通過。這樣的布置稱為底部發光器件。在另一種布置中，陰極4是透明的， 以使得電致發光有機層3發射的光可以從其中通過。這樣的布置稱為頂部發光器件。存在著對于將OLEDs用于顯示器應用中的日益提高的興趣，這是因為它們的相對 于常規顯示器的潛在的優點。OLEDs具有相對較低的工作電壓和功率消耗，并且可以容易地 加工以生產大面積顯示器。在實踐層面上，需要生產這樣的OLEDs 它的亮度高并且有效地 工作，但是也在生產上可靠并在使用中穩定。OLEDs中的陰極結構是現有技術中考慮的一個方面。在單色OLED的情況下，可以 針對單一電致發光有機材料的最優性能而選擇陰極。然而，全彩OLED包含紅光、綠光和藍 光有機發光材料。這樣的器件需要能夠向所有三種發光材料中注入電子的陰極，即“公共電 極”。陰極4可以選自具有使電子能夠注入電致發光層的功函數的材料。其它因素也影 響陰極的選擇，例如陰極和電致發光材料之間的負面相互作用的可能性。陰極可以由單一 材料例如鋁層組成。或者，它可以包含多種金屬，例如WO 98/10621中公開的鈣和鋁的雙 層，WO 98/57381、Appl. Phys. Lett. 2002，81 (4)，634 和 WO 02/84759 中公開的單質鋇，或 者介電材料的薄層(1至15nm)，以幫助電子注入，例如WO 00/48258中公開的氟化鋰或者 Appl. Phys. Lett. 2001，79 (5)，2001中公開的氟化鋇。為了提供電子向器件中的有效注入， 陰極優選具有小于3. MV、更優選小于3. 、最優選小于!BeV的功函數。位于有機發光層(或者有機電子傳輸層，如果存在)和金屬陰極之間的金屬氟化 物層可以導致器件效率的改善-參見例如Appl. Phys. Lett. 70，152，1997。據信該改善來 自于聚合物/陰極界面處的勢壘高度的降低，這可以改善向有機層的電子注入。在Appl. Phys. Lett. 79 (5)，563-565，2001中提出了使用LiF/Al陰極的器件劣化機理，其中LiF和 Al可以反應以釋放Li原子，該Li原子能夠遷移到電致發光層中并摻雜電致發光材料。然 而，本發明人已發現LiF/Al陰極相對較穩定，它的主要缺點是相對較低的效率(特別是當用作公共電極時)。一種更有效的布置使用LiF/Ca/Al三層結構，它在Synth. Metals2000,111-112， p. 125-1 中描述為公共陰極。然而，據WO 03/019696中報道，對于包含該陰極和含硫的熒 光電致發光材料(例如包含噻吩-苯并噻二唑-噻吩三聚體重復單元的紅光聚合物)的器 件，劣化特別明顯。W003/019696提出使用基于鋇的材料而不是LiF，并且公開了用于這些 含硫的熒光電致發光材料的BaF2/Ca/Al三層結構。在WO 03/019696中也提到可以使用其 它鋇化合物，包括鹵化鋇和氧化鋇。公開的鋇化合物層具有1至6nm范圍內的厚度。US 6，563，262提出將金屬氧化物(例如BaO)與鋁的雙層結構用于聚(對亞苯基 亞乙烯基)熒光發光材料(PPVs)。公開的金屬氧化物具有1. 5至20nm范圍內的厚度。基于以上所述，可以看出存在著很多在有機發光器件的陰極中使用金屬化合物薄 層作為電子注入層的公開內容。因而，當在上的層使用高能方法例如濺射進行沉積時，這些 層不提供對在下的層的良好保護。WO 2006/016153公開了包含金屬化合物和金屬的復合電子注入層的使用。教導了 這樣的復合層可以通過金屬組分降低猝滅，同時保持良好的電學性質。還教導了這些復合 層可以以用于頂部發光器件的良好的透明度進行制造。還教導了該金屬組分提高層的電導 率，從而使得可以提供厚的、透明的、導電的層，它可以充當緩沖層(濺射阻隔物)，用于當 材料例如ITO濺射于在下的層上時保護在下的層。然而，這些復合層的可能的問題是用于 形成它們的共沉積工藝與單一組分的沉積相比更昂貴且難以控制。US 6，576，093公開了包含低功函數材料例如Ca的層以及較高功函數材料例如鋁 的層的雙層陰極。據記載，陰極層通常通過真空蒸發或通過濺射技術例如rf濺射或dc磁 控濺射進行沉積。據記載，當在下的層是相對較敏感的材料例如可溶共軛聚合物的層時，真 空蒸發經常是用于沉積第一層的優選技術，因為它是相對較低能的方法，導致對在下的有 機材料層的較少的損害。還記載了通過常規真空蒸發技術沉積的陰極層含有針孔，水和氧 氣能夠通過該針孔進入器件中并在有機層和陰極之間的界面處引發反應。這些反應導致形 成非發光的黑點，其結果是器件性能的劣化。因此，建議應當通過使用低能沉積技術例如真 空蒸發沉積低功函數材料的第一層并通過適應性(conformable)沉積技術例如濺射技術 沉積較高功函數材料的第二層而形成陰極。本發明的實施方案的目標是提供在陰極層中導致非均勻發光的上述針孔問題的 替代解決方案。另一目標是提供具有提高的光電效率的有機發光器件結構。再一個目標是 提供在儲存和烘烤期間具有較低的初始驅動電壓和更好的驅動電壓穩定性的有機發光器 件結構。再一個目標是提供具有改善的壽命(特別是在升高的工作溫度下)的有機發光器 件。
發明內容
根據本發明的第一方面，提供有機發光器件的制造方法，該方法包括在陽極上沉 積有機發光層并在該有機發光層上沉積陰極，其中該陰極包含如下形成的三層結構沉積 包含電子注入材料的第一層；在該第一層上沉積第二層，該第二層包含具有大于3. 5eV的 功函數的金屬材料；并且在該第二層上沉積第三層，該第三層包含具有大于3. 5eV的功函 數的金屬材料。
已出人意料地發現，在包含低功函數電子注入層和高功函數金屬層的雙層結構上 提供高功函數金屬材料的第三層提高了光電效率，降低了初始驅動電壓，改善了壽命(特 別是在升高的溫度下)，并導致在儲存和烘烤期間更好的驅動電壓穩定性。此外，解決了針 孔導致的非均勻發光的問題，即使將低能沉積技術例如真空蒸發用于陰極層。在先的多層陰極結構或者由包含低功函數電子注入層和高功函數覆蓋層的雙層 組成，或者由包含兩個低功函數層以及其上的高功函數覆蓋層的三層結構(例如Li/Ca/ Al)組成，或者由包含金屬化合物層、低功函數層和高功函數覆蓋層的三層結構(例如LiF/ Ca/Al)組成。據認為，在這樣的三層結構中，前兩層可以相互作用以改善電子注入。可以認為本發明的陰極結構獲得的光電效率的提高和驅動電壓的降低是出人意 料的，因為，從表面判斷，不會預計到(在包含低功函數電子注入層和高功函數金屬層的雙 層結構上)加入另一高功函數金屬層會顯著改變陰極結構的電子注入性質。該第三層與電 子注入界面顯著地間隔開并且具有高功函數的事實預示著它將對器件的效率和驅動電壓 具有很小的影響。然而，本申請人已發現不是這種情況，并且出人意料的是，與沒有第三層 的雙層陰極結構相比，提供這樣的第三層提高了光電效率，降低了初始驅動電壓，并且得到 在儲存和烘烤期間更好的驅動電壓穩定性。此外，在不需要使用高能適應性沉積技術例如US 6，576，093中記載的濺射技術 的情況下解決了針孔引起的不均勻發光問題。因此，至少第一層和第二層，甚至第三層，可 以使用低能沉積技術例如真空蒸發進行沉積。假定第三層填充第二層中存在的針孔，使得 第二和第三層一起形成平滑且相對而言不含針孔的結構，該結構比單獨的第二層更耐水和 氧氣的侵入。用于陰極的電連接可以直接連接到第三層上。或者，電連接可以直接連接到第二 層上。在任何情況下，將會理解，第二和第三層兩者均至少間接地電連接到用于驅動器件的 電源上。優選地，第二和第三層為簡單的金屬或合金，不存在任何顯著量的位于其中的低 功函數材料。如上所述，有利的功能效應例如驅動電壓的降低和效率的提高是在不需要使 用進一步的低功函數材料的情況下使用用于第二和第三層的高功函數材料出人意料地獲 得的。這樣，可以避免用于形成這樣的復合層的共沉積工藝(它更昂貴且難以控制)。優選地，第二和第三層在真空室中形成，在第二和第三層的沉積之間不存在真空 的任何中斷。這樣，第二和第三層可以提供具有“原始”封裝的器件，該封裝保護該器件，避 免在為其提供進一步的封裝層之前可能發生的向水分或氧氣的暴露。可以在第三層上沉積包含一個或多個聚合物層和/或一個或多個介電層的封裝 涂層。優選地，該封裝涂層包含交替的聚合物層和介電層。或者，該器件可以用圍護結構例 如玻璃或金屬“罐”封裝，該圍護結構施加于器件上并附著于基片上以圍護該器件。第一層的材料的功函數可以小于3. kV，小于3. :3eV，或者更優選地小于3. IeV0第 二和/或第三層的材料的功函數可以大于3. 7eV，更優選大于3. 9eV。第一層的材料可以選自I或II族的金屬，I或II族的金屬的合金，以及I或II族 的金屬的化合物，例如氧化物或氟化物。合適的材料的實例包括Ba、BaO和NaF。優選地，第一層具有最高達lOnm，更優選最高達5nm的厚度。優選地，第二和第三層各自獨立地具有20-500nm范圍內的厚度。第二層更優選地具有100-300nm范圍內的厚度，第三層更優選地具有50-200nm范圍內的厚度。用于第二和/或第三層的合適的材料的實例為Al、Ag和NiCr。第三層的材料優 選地不同于第二層的材料。在一種優選實施方案中，第二層是鋁并且第三層是Ag或NiCr。 然而，第三層可以由與第二層相同的材料制成，但是在與第二層獨立且不同的沉積步驟中 沉積，從而在第二和第三層之間提供明顯的界面。在這種情況下，可以通過分析第二和第三 層的微結構而確定其間具有界面的兩個不同的層的存在。根據本發明的第二方面，提供有機發光器件，該器件包含陽極；陰極；以及陽極 和陰極之間的有機發光層，其中陰極包含三層結構，該三層結構包含包含具有3. 5eV或更 低的功函數的材料的第一層；位于該第一層上并且包含具有大于3. 5eV的功函數的材料的 第二層；以及位于該第二層上并且也包含具有大于3. 5eV的功函數的材料的第三層。可以 制造有機發光器件并具有如上針對本發明的第一方面所述的一種或多種特征。根據本發明的第三方面，提供有機發光器件，該器件包含陽極；陰極；以及陽極 和陰極之間的有機發光層，其中陰極包含雙層結構，該雙層結構包含由具有大于3. 5eV的 功函數的材料組成的第一層；以及位于該第一層上并且也由具有大于3. 5eV的功函數的材 料組成的第二層。根據本發明的第四方面，提供有機發光器件的制造方法，該方法包括在陽極上沉 積有機發光層并在該有機發光層上沉積陰極，其中該陰極包含如下形成的雙層結構沉積 第一層，該第一層包含具有大于3. 5eV的功函數的金屬材料；并且在該第一層上沉積第二 層，該第二層也包含具有大于3. 5eV的功函數的金屬材料，其中第一層和第二層通過真空 蒸發進行沉積。第三和第四方面可以具有針對第一和第二方面所述的一種或多種特征，但是不需 要提供獨立的電子注入層。這些方面可以用于不一定需要優化的電子注入的器件中。
下面將通過僅為實例的方式參照附圖更詳細地說明本發明，其中在附圖中圖1以示意圖的形式示出OLED的典型的剖面結構；圖2示出了根據本發明實施方案的OLED的剖面結構；圖3 (a)和3 (b)示出了對于具有標準陰極結構的器件在烘烤/儲存后的器件電致 發光；圖4 (a)和4(b)示出了對于具有根據本發明實施方案的陰極結構的器件在儲存/ 烘烤后的器件電致發光；圖5示出了與具有標準陰極結構的器件(下方曲線)相比，具有根據本發明實施 方案的陰極結構的器件(上方曲線)的效率曲線；圖6示出了與具有標準陰極結構的器件(上方曲線)相比，具有根據本發明實施 方案的陰極結構的兩個器件(兩條下方曲線)的初始驅動電壓。
具體實施例方式圖1已在上文進行了說明，它以示意圖的形式示出OLED的典型的剖面結構。圖2 示出了根據本發明的實施方案的OLED的剖面結構。類似的附圖標記用于類似的部分，以便與圖1中所示的標準結構對照更清楚地表明實施方案的結構。OLED包含基片1、陽極2、有 機發光層3和陰極4。根據本發明，陰極4包含包含電子注入材料的第一層如；位于第一 層上并包含具有大于3. 5eV的功函數的材料的第二層4b ；以及位于第二層上并且也包含具 有大于3. 5eV的功函數的材料的第二層如。已發現標準器件在儲存或烘烤期間發展出亮點或斑點外觀。例如，圖3(a)示出 了對于具有NaF/Al雙層陰極的器件在烘烤/儲存后的電致發光，圖3(b)示出了對于具有 BaO/Al雙層陰極的器件在烘烤/儲存后的電致發光。可以看出，兩個器件均具有伴隨著不 均勻發光的斑點外觀。已發現高功函數金屬的附加覆蓋層改善儲存和/或烘烤后器件發光的外觀。例 如，圖4 (a)示出了對于具有NaF/Al/Ag三層陰極的器件在烘烤/儲存后的電致發光，圖 4(b)示出了對于具有BaO/AlAg三層陰極的器件在烘烤/儲存后的電致發光。可以看出， 兩個器件均具有均勻的發光。此外，已發現高功函數金屬的附加覆蓋層改善陰極處的電子注入。這表現為在低 的驅動電壓下改善的效率。圖5中說明了一個實例，它示出了與具有BaO/Al陰極結構的 器件(下方曲線)相比，具有BaO/AlAg陰極結構的器件(上方曲線)的效率曲線。可以 看出，與標準的BaO/Al陰極結構相比，用Ag覆蓋的器件表現出在低的驅動電壓下更高的效率。此外，已發現高功函數金屬的附加覆蓋層導致初始電導率以及儲存和烘烤過程中 器件電導率和驅動電壓的穩定性的顯著改善。圖6中說明了實例，它示出了與具有標準陰 極結構的器件(上方曲線)相比，具有根據本發明實施方案的陰極結構的兩個器件(兩條 下方曲線)的初始驅動電壓。下方曲線的器件具有NaF/AlAg陰極結構。第二下方曲線的 器件具有NaF/Al/NiCr陰極結構。相反，圖6中的上方曲線的器件具有NaF/Al陰極結構。 可以看出，被覆蓋的NaF器件的初始驅動電壓低于未覆蓋的器件，并且通過覆蓋改善了烘 烤期間器件電導率的穩定性。下面將參照圖2說明本發明的實施方案的其它特征。電荷傳輸層其它層可以位于陽極2和陰極3之間，例如電荷傳輸層、電荷注入層或電荷阻擋層。特別地，希望提供導電空穴注入層，該導電空穴注入層可由設置在陽極2和電致 發光層3之間的導電有機或無機材料形成，以幫助從陽極向半導體聚合物層的空穴注入。 摻雜的有機空穴注入材料的例子包括摻雜的聚(乙烯二氧噻吩)(PEDT)，特別是摻雜有電 荷平衡多元酸——如EP 0901176和EP 0947123中公開的聚苯乙烯磺酸鹽(PSS)、聚丙烯 酸或氟化磺酸例如Naf ion ——的PEDTjnus 5723873和US 5798170中公開的聚苯胺； 和聚(噻吩并噻吩)。導電無機材料的例子包括過渡金屬氧化物如Journalof Physics D Applied Physics (1996), 29 (11), 2750-2753 中公開的 V0x, MoOx 和 RuOx0如果存在，位于陽極2和電致發光層3之間的空穴傳輸層優選地具有小于或等于 5. 5eV的Η0Μ0能級，更優選大約4. 8-5. 5eV0 HOMO能級例如可利用循環伏安法測量。如果 存在，位于電致發光層3和陰極4之間的電子傳輸層優選地具有大約3-3. 5eV的LUMO能級。電致發光層
電致發光層3可以單獨由電致發光材料組成，或者可以包含電致發光材料與一種 或多種其它材料的組合。特別是，電致發光材料可以與空穴和/或電子傳輸材料混合，如例 如WO 99/48160中所公開，或者可以在半導體主體基質中包含發光摻雜劑。或者，電致發光 材料可以與電荷傳輸材料和/或主體材料共價鍵合。電致發光層3可以是圖案化或非圖案化的。包含非圖案化層的器件可以用作例如 照明光源。白色發光器件特別適合于該目的。包含圖案化層的器件可以為例如有源矩陣顯 示器或者無源矩陣顯示器。在有源矩陣顯示器的情況下，圖案化電致發光層通常與圖案化 陽極層和非圖案化陰極層組合使用。在無源矩陣顯示器的情況下，陽極層由陽極材料的平 行條形成，電致發光材料和陰極材料的平行條與陽極材料垂直布置，其中電致發光材料和 陰極材料的條通常由光刻形成的絕緣材料的條分隔(“陰極隔離物”)。用于層3中的合適的材料包括小分子、聚合物及樹枝狀材料，及其組合物。用于 層3的合適的電致發光聚合物包括聚(亞芳基亞乙烯基)類例如聚(對亞苯基亞乙烯基) 類，和聚亞芳基類例如聚芴，特別是2，7-連接9，9 二烷基聚芴或者2，7-連接9，9- 二芳 基聚芴；聚螺芴，特別是2，7-連接聚9，9-螺芴；聚茚并芴，特別是2，7-連接聚茚并芴；聚 亞苯基類，特別是烷基或烷氧基取代的聚-1，4-亞苯基。這樣的聚合物公開于例如Adv. Mater. 200012(23) 1737-1750及其中的參考文獻中。用于層3的合適的電致發光樹枝狀化 合物(dendrimers)包括帶有樹枝狀基團的電致發光金屬配合物，例如WO 02/066552中所 公開的。腿陰極4包含根據本發明實施方案的三層結構。陰極可以是不透明的或者透明的。 透明陰極對于有源矩陣器件是特別有利的，因為通過這種器件中的透明陽極的發光至少部 分地被位于發光像素之下的驅動電路阻擋。如果陰極是透明的，優選地，陰極的第三層由比 陰極的第二層材料更透明的材料制成。例如，第二層可以是Al，第三層可以是Ag。盤光學器件往往對水分和氧氣敏感。因此，基片優選具有良好的阻隔性能以防止水 分和氧氣進入器件中。基片通常是玻璃，然而可以使用替代的基片，特別是在需要器件的柔 性的情況下。例如，基片可以包含塑料，例如在US 6^8695中，其中公開了塑料與阻隔層交 替的基片，或者包含EP0949850中公開的薄玻璃和塑料的疊層。器件優選用密封物(未示出)封裝以防止水分和氧氣進入。合適的密封物包括玻 璃片，具有合適的阻隔性能的膜例如WO 01/81649中公開的聚合物和電介質的交替疊層， 或者例如WO 01/19142中公開的密封容器。可以在基片和密封物之間設置吸氣材料，該材 料用于吸收可滲透過基片或密封物的任何大氣水分和/或氧氣。共軛聚合物(熒光和/或電荷傳輸)合適的電致發光和/或電荷傳輸聚合物包括聚(亞芳基亞乙烯基)類，例如聚(對 亞苯基亞乙烯基)和聚亞芳基。聚合物優選包含選自亞芳基重復單元的第一重復單元，所述亞芳基重復單元如例 如Adv. Mater. 200012 Q3) 1737-1750及其中的參考文獻所公開。示例性的第一重復單元包 括J. Appl. Phys. 1996，79，934中公開的1，4-亞苯基重復單元；EP 0842208中公開的芴重 復單元；公開于例如Macromolecules 2000，33 (6)，2016-2020中的茚并芴重復單元；以及公開于例如EP 0707020中的螺芴重復單元。這些重復單元中的每個任選地被取代。取代 基的實例包括增溶基團例如C1,烷基或烷氧基；吸電子基團例如氟、硝基或氰基；以及用于 提高聚合物的玻璃化轉變溫度(Tg)的取代基。特別優選的聚合物包括任選取代的2，7-聯芴，最優選式I的重復單元
權利要求
1.有機發光器件的制造方法，該方法包括 在陽極上沉積有機發光層，以及在該有機發光層上沉積陰極， 其中該陰極包含如下形成的三層結構 沉積包含電子注入材料的第一層；在該第一層上沉積第二層，該第二層包含具有大于3. 5eV的功函數的金屬材料；并且 在該第二層上沉積第三層，該第三層包含具有大于3. 5eV的功函數的金屬材料。
2.根據權利要求1的方法，其中至少第一和第二層通過真空蒸發進行沉積。
3.根據權利要求2的方法，其中第三層也通過真空蒸發進行沉積。
4.根據以上任何權利要求的方法，其中第二和第三層不包含任何顯著量的低功函數材料。
5.根據以上任何權利要求的方法，其中第二和/或第三層的材料的功函數大于3.7eV, 更優選大于3. 9eV。
6.根據以上任何權利要求的方法，其中第一層的材料選自I或II族的金屬，I或II族 的金屬的合金，以及I或II族的金屬的化合物。
7.根據以上任何權利要求的方法，其中第一層的材料包含氧化物或氟化物。
8.根據以上任何權利要求的方法，其中第一層的材料選自Ba、Ca、BaO和NaF之一。
9.根據以上任何權利要求的方法，其中第二和/或第三層的材料選自Al、Ag和NiCr之一。
10.根據以上任何權利要求的方法，其中第二層的材料是Al。
11.根據以上任何權利要求的方法，其中第三層的材料不同于第二層的材料。
12.有機發光器件，該器件包含 陽極；陰極；以及陽極和陰極之間的有機發光層， 其中陰極包含三層結構，該三層結構包含 包含電子注入材料的第一層；位于該第一層上并且包含具有大于3. 5eV的功函數的材料的第二層；以及 位于該第二層上并且也包含具有大于3. 5eV的功函數的材料的第三層。
13.根據權利要求12的有機發光器件，其中第二和第三層不包含任何顯著量的低功函 數材料。
14.根據權利要求12或13任意之一的有機發光器件，其中第二和/或第三層的材料的 功函數大于3. 7eV,更優選大于3. 9eV。
15.根據權利要求12至14任意之一的有機發光器件，其中第一層的材料選自I或II 族的金屬，I或II族的金屬的合金，以及I或II族的金屬的化合物。
16.根據權利要求12至15任意之一的有機發光器件，其中第一層的材料包含氧化物或 氟化物。
17.根據權利要求12至16任意之一的有機發光器件，其中第一層的材料選自Ba、Ca、 BaO 禾口 NaF 之一。
18.根據權利要求12至17任意之一的有機發光器件，其中第二和/或第三層的材料選 自 Al、Ag 和 NiCr 之一。
19.根據權利要求12至18任意之一的有機發光器件，其中第二層的材料是Al。
20.根據權利要求12至19任意之一的有機發光器件，其中第三層的材料不同于第二層 的材料。
21.有機發光器件，該器件包含陽極；陰極；以及陽極和陰極之間的有機發光層，其中 陰極包含雙層結構，該雙層結構包含由具有大于3. 5eV的功函數的材料組成的第一層；以 及位于該第一層上并且也由具有大于3. 5eV的功函數的材料組成的第二層。
22.有機發光器件的制造方法，該方法包括在陽極上沉積有機發光層并在該有機發 光層上沉積陰極，其中該陰極包含如下形成的雙層結構沉積第一層，該第一層包含具有大 于3. 5eV的功函數的金屬材料；并且在該第一層上沉積第二層，該第二層也包含具有大于 3. 5eV的功函數的金屬材料，其中第一層和第二層通過真空蒸發進行沉積。
全文摘要
有機發光器件的制造方法，該方法包括在陽極(2)上沉積有機發光層(3)并在有機發光層上沉積陰極，其中該陰極包含如下形成的三層結構沉積包含電子注入材料的第一層(4a)；在該第一層上沉積第二層(4b)，該第二層包含具有大于3.5eV的功函數的金屬材料；并且在該第二層上沉積第三層(4c)，該第三層包含具有大于3.5eV的功函數的金屬材料。
文檔編號H01L51/52GK102057515SQ200980121419
公開日2011年5月11日 申請日期2009年3月31日 優先權日2008年5月9日
發明者D·弗塞瑟, M·羅伯茨, S·金 申請人:劍橋顯示技術有限公司, 薩美甚株式會社