專利名稱：半導體發光二極管和用于制造半導體發光二極管的方法
半導體發光二極管和用于制造半導體發光二極管的方法本發明涉及一種半導體發光二極管和用于制造半導體發光二極管的方法。本專利申請要求德國專利申請10 2008 011 847. 8和德國專利申請102008 027 045. 8的優先權，其公開內容通過引用結合于此。半導體發光二極管具有半導體層構成的層堆疊，其材料(在基本材料和摻雜材料 方面)有目的進行選擇并且彼此相協調，以便將在各個層內和層邊界上的光電子特性和電 子帶結構在預先確定的范圍中調節。在兩個相鄰的彼此互補的摻雜的發光二極管層(P摻 雜和η摻雜)之間的結上形成光學有源區，其在電流流過半導體層堆疊的情況下發射電磁 輻射。所產生的輻射首先在所有方向上、即僅僅部分在半導體發光二極管的發射方向上發 射。為了將輻射的朝著半導體層堆疊的相反的側發射的輻射部分又向回朝著發射方向反 射，在半導體層堆疊之后設置有由透明導電氧化物構成的氧化物層和一個或多個鏡層。射 到鏡層上的電磁輻射被反射達到一比例，該比例取決于這些層的光學折射率之差、鏡層的 導電能力、氧化物層的透明度以及氧化物層和朝著光學有源區的設置在其之前的層的厚 度。為了提高反射比例，傳統上除了層厚度之外尤其是改變和優化相應層的材料組分和材 料特性。當射到鏡層上的電磁輻射的、通過鏡層又被向回反射的部分增大時，可以提高半 導體發光二極管的光產出。這能夠通過根據權利要求1和2之一所述的半導體發光二極管以及通過根據權利 要求14所述的方法來實現。提供了一種半導體發光二極管，其具有至少一個P摻雜的發光二極管層、η摻雜 的發光二極管層和在P摻雜的發光二極管層與η摻雜的發光二極管層之間的光學有源區， 提供有由透明導電氧化物構成的氧化物層和至少一個鏡層，其中氧化物層設置在發光二極 管層和所述至少一個鏡層之間并且具有朝著發光二極管層的第一界面和朝著所述至少一 個鏡層的第二界面，并且其中氧化物層的第二界面具有比氧化物層的第一界面更小的粗糙 度。此外，提供了一種半導體發光二極管，其中氧化物層的第二界面具有小于l.Onm 的粗糙度。通過將鏡層構建在降低的粗糙度的第二界面上，提高了在氧化物層和鏡層之間的 界面上的反射率，其中尤其是以大的入射角入射的輻射部分以較大的程度被反射。如果設置層厚度為大于5nm的氧化物層，則保證了氧化物層的第一界面的不平坦 部(該不平坦部由于其下的最上部的半導體層的粗糙度而引起)被平坦化并且因此對氧化 物層的第二界面的粗糙度沒有負面影響。如果P摻雜的發光二極管層比η摻雜的發光二極管層接近氧化物層地設置，則氧 化物層和鏡層在半導體發光二極管的P側上。在那里，氧化物層的連接盡管首先帶來半導 體發光二極管的工作電壓的提高，但其如下面還將描述的那樣可以被補償。根據一個改進方案，在P摻雜的發光二極管層和氧化物層之間設置有P摻雜的半 導體層，其具有至少與P摻雜的發光二極管層的摻雜材料濃度相同的摻雜材料濃度。在沉
4積氧化物層時，P摻雜的半導體層保護P摻雜的發光二極管層免受晶格損傷。根據第一實施形式，氧化物層的第一界面與ρ摻雜的半導體層鄰接。根據可替選的第二實施形式設計的是，在ρ摻雜的半導體層和氧化物層之間設置 有η摻雜的半導體層，并且氧化物層與η摻雜的半導體層鄰接。由此實現了氧化物層低歐 姆性地連接到半導體層堆疊上。根據一個改進方案，在ρ摻雜的半導體層和η摻雜的半導體層之間設置有未摻雜 的半導體層。其與兩個摻雜的半導體層一起形成隧道接觸，其中隧道接觸的接觸電阻由于 氧化物層的通過η摻雜的半導體層的低歐姆性的連接而被過補償，并且因此總體上降低了 所需的工作電壓。優選地，氧化物層是導電的。對于氧化物層合適的材料例如是氧化鋅、氧化銦錫或者氧化銦鋅。如果鏡層與氧化物層的第二界面直接鄰接，則氧化物層的第二界面同時形成了特 別低的粗糙度的鏡面。根據一個實施形式，鏡層包括至少一個金屬鏡層。對于金屬鏡層合適的材料尤其金、銀或鋁，其中金適于在紅外范圍中進行反射，銀 適于在可見的波長范圍中進行反射，而鋁適于在UV范圍中進行反射。根據另一實施形式，(替代金屬鏡層或者除金屬鏡層之外)設置有至少一個介電 鏡層。尤其是，與金屬鏡層結合，介電鏡層提高了在半導體發光二極管的背面上的鏡的反射率。對于介電鏡層合適的材料例如是玻璃、氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅。根據一個改進方案設計的是，介電鏡層設置在氧化物層和金屬鏡層之間，并且具 有局部的凹處，金屬鏡層伸入凹處中直至氧化物層的第二界面。由此，金屬鏡層形成了對透 明導電的氧化物層的接觸，由此出發在氧化物層中在半導體層堆疊的整個基本面上進行橫 向電流擴展。作為發光二極管層的基本材料合適的例如是二元、三元或四元的III-V半導體材 料，尤其是包含元素鋁、鎵和銦至少之一和元素氮、磷和砷至少之一的半導體材料。對此的 例子是氮化鋁、氮化鋁銦、氮化鎵、氮化鋁鎵、氮化銦鎵以及銦鎵砷磷。用于制造半導體發光二極管的方法包括-至少構建一個ρ摻雜的發光二極管層和η摻雜的發光二極管層，-沉積透明導電氧化物，由此形成氧化物層，其具有第一界面，該界面朝著發光二 極管層，其中氧化物層通過HF輔助的DC濺射來沉積并且在此產生氧化物層的與第一界面 對置的第二界面，其具有比氧化物層的第一界面更低的粗糙度。由于由透明導電氧化物構成的氧化物層通過HF輔助的DC濺射來沉積，所以其第 二界面具有小于其第一界面的粗糙度并且尤其是小于1. Onm的粗糙度。這在完成的半導體 發光二極管的情況下導致更強烈的反射或者導致在氧化物層和鏡層之間的界面上的更強 的反射作用。如果沉積具有層厚度為至少5nm的氧化物層，則由此使氧化物層的第一界面的不 平坦部(該不平坦部由于其下的最上面的半導體層的粗糙度引起)平坦化，并且不會對氧 化物層的第二界面的粗糙度有不利影響。
根據一個改進方案，在ρ摻雜的發光二極管層上沉積有ρ摻雜的半導體層，其摻雜 材料濃度至少與P摻雜的發光二極管層的摻雜材料濃度相同。在氧化物層的濺射時，P摻 雜的半導體層保護P摻雜的發光二極管層免受晶格損傷影響。此外，如果在ρ摻雜的半導體層上沉積未摻雜的半導體層以及η摻雜的半導體層 并且如果將氧化物層濺射到η摻雜的半導體層上，則在η摻雜的半導體層上形成氧化物層 的低歐姆性的端子；P摻雜的半導體層、未摻雜的半導體層和η摻雜的半導體層在此形成隧 道接觸，其接觸電阻通過將氧化物層低歐姆性地連接到η摻雜的半導體層上而被過補償。根據一個改進方案，構建鏡層包括沉積至少一個介電鏡層，將凹處刻蝕到介電層 中并且將至少一個金屬鏡層沉積到介電鏡層上；由此在介電鏡層的凹處中的金屬鏡層形成 對氧化物層的接觸，基于此在氧化物層中在半導體層堆疊的整個基本面上進行電流擴展。以下將參照附圖來描述本發明的一些實施例。其中
圖1示出了半導體發光二極管的第一實施例，圖2示出了半導體發光二極管的第二實施例，圖3示出了具有多個鏡層的半導體發光二極管的第三實施例，圖4示出了具有多個鏡層的半導體發光二極管的第四實施例，圖5示出了在制造根據圖1至4之一的半導體發光二極管期間臨時的半導體產品 的放大的示意性細節視圖。圖1在橫截面圖中示出了半導體發光二極管10的第一實施例，該半導體發光二極 管具有半導體層堆疊20。所產生的在可見范圍中、在紅外范圍中或者在UV范圍中的電磁輻 射雖然首先在所有方向上發射，但應當盡可能完全通過輻射出射層1(圖1的下部)的輻射 出射面25射出，輻射出射層設置在半導體層堆疊的與氧化物層和鏡層背離的側上。輻射出 射層1是襯底層，其是在所有層生長到襯底上并且將該襯底幾乎完全刻蝕掉(薄膜LED)之 后所留，或者是半導體層，其在實際的發光二極管層之前生長到襯底上，其中該襯底稍后被 完全去除。另外的層如下地生長到輻射出射層1上首先沉積η摻雜的發光二極管層2和ρ 摻雜的發光二極管層4。彼此對置的摻雜的發光二極管層2、4形成發光二極管層序列，如圖 1中通過虛線來突出的那樣。在兩個半導體層2、4之間的界面上形成光學有源區3，其在發 光二極管層2、4上的合適極性的足夠偏壓的情況下實現電磁輻射的發射。N摻雜的發光二 極管層2在此以硅摻雜，而ρ摻雜的發光二極管層4以鎂摻雜，其中發光二極管層2、4的基 本材料分別是III-V半導體材料。輻射出射層1用于保護下部的η摻雜的發光二極管層2 和將下部的η摻雜的發光二極管層2電絕緣。在發光二極管層序列的其上設置有ρ摻雜的發光二極管層4(即在圖1上部)的 側上沉積由透明導電氧化物構成的氧化物層8。尤其是，氧化物層8包含透明導電氧化物。氧化物層用于在平行于層邊界的橫向方向上進行電流擴展，以及用于避免在鏡層 和半導體層堆疊之間的不希望的遷移。圖1示出了一個實施例，其中氧化物層8并不直接 沉積到P摻雜的發光二極管層4上，而是(為了保護ρ摻雜的發光二極管層4)首先沉積ρ 摻雜的半導體層5，其摻雜材料濃度至少與ρ摻雜的發光二極管層4的摻雜材料濃度相同。隨后，將由透明導電氧化物(TCO，transparent conductive oxide)構成的氧化物 層8沉積到ρ摻雜的半導體層5上。在此，ρ摻雜的半導體層5的上側的粗糙度預先給定了氧化物層8的第一界面8a的粗糙度Rl。在此，朝著半導體層堆疊(并且尤其是與層堆疊 的最上部的、最后沉積的半導體層直接鄰接)的界面稱作氧化物層的第一界面。作為透明導電氧化物合適的例如是氧化銦錫、氧化銦鋅或者氧化鋅。在氧化鋅的 情況下，導電能力可以通過摻雜以鋁或鎵來提高。此外，代替唯一的氧化物層也可以設置多 個氧化物層的層序列。氧化物層的沉積通過HF輔助的DC濺射來進行，由此得到了上部的第二界面8b，其 具有特別低的粗糙度R2。在濺射氧化物層8之后，其第二界面8b首先暴露；在該第二界面 上根據圖1最后沉積鏡層9 (尤其是金屬鏡層19)。在半導體層堆疊的相應層之間以及在半導體層堆疊、氧化物層和鏡層之間的界面 始終具有一定的粗糙度；該粗糙度通常作為帶有符號“Rms”的數字標識(例如nm為單位) 來說明(‘root means squared’均方根；與理想化的界面平面的平均平方偏差的跟，即界 面或者表面的高度波動的標準偏差)。平均在此關于相應的表面或者界面的面區域來進行。 在半導體發光二極管10的層序列內的界面的粗糙度傳統上在最為有利的情況下在1. 5nm 到5nm之間，然而也可以明顯更大并且大于20nm。對于粗糙度有貢獻的尤其是與理想晶格 的偏差，例如局部變化的生長條件或者晶格扭曲以及由摻雜材料引起。在制造半導體發光二極管時，傳統上使相應層的材料和材料組合(連同摻雜材 料)優化并且彼此相協調。此外，使層厚度和層的折射率優化，以便實現在界面上反射的電 磁輻射的結構性干涉并且由此實現發光二極管的高亮度。而粗糙度引起的層界面的高度波 動的影響通常被忽略，該高度波動比要反射的輻射的波長小兩個到三個量級(對應于100 到1000的因子)。傳統上，氧化物層的背離半導體層堆疊(即朝著鏡層的)的第二界面具有比氧化 物層的第一界面更大的粗糙度，因為透明導電氧化物通常不是單晶的，而是多晶的或者無 定形的。而如這里所提出的通過HF輔助的DC濺射工藝來沉積氧化物層8實現了氧化物層 的第二界面8b的特別低的粗糙度R2，并且于是提高了要沉積在其上的鏡層的反射能力。還 參照圖5描述了 HF輔助的DC濺射工藝。鏡層9沉積到氧化物層8的(在執行濺射工藝之后露出的)第二界面8b上。鏡 層9的沉積通過PVD (物理氣相沉積)或者CVD (化學氣相沉積)方法、尤其是PECVD (等離 子體增強化學氣相沉積)方法、通過MBE (分子束外延)方法、IBE (離子束刻蝕)方法或者 通過熱蒸鍍來進行。鏡層9在該實施例中是金屬鏡層19，其由金、銀或鋁或包含這些金屬至 少之一的合金構成。金屬鏡層19也可以包括分別由金屬或金屬合金構成的多個層。氧化物層8和鏡層9的材料和層厚度彼此相協調，使得由光學有源區3發射的電 磁輻射的、朝著氧化物層和鏡層方向發射的部分在氧化物層8的第二界面8b上被盡可能完 全地反射。要反射的輻射的入射角遵循統計分布并且基本上可以具有相對于鏡層的反射界 面的面法線在0度到90度之間的任何值。氧化物層8的第二界面8b的低的粗糙度導致 在相對于第二界面8b的面法線大的入射角度的情況下，也總體上將入射的電磁輻射的較 大部分反射。由此提高了通過半導體發光二極管發射的電磁輻射的強度。圖2示出了半導體發光二極管的第二實施例，其中除了圖1所示的層之外還設置 有未摻雜的半導體層6以及η摻雜的半導體層7，它們設置在ρ摻雜的半導體層5和氧化物層8之間。η摻雜的半導體層7使將透明導電氧化物構成的氧化物層8連接到半導體層 堆疊20變得容易。未摻雜的半導體層6設置在ρ摻雜的半導體層5和η摻雜的半導體層 7之間。半導體層5、6和7的序列形成至由發光二極管層4和2構成的實際發光二極管層 序列的隧道接觸。通過隧道接觸導致的工作電壓的略微提高通過經η摻雜的半導體層7低 歐姆性地連接氧化物層8而被過補償。對于層5、6和7合適的是與發光二極管層2、4相同的基本材料。摻雜的半導體層 5、7的層厚度在該實施例中小于30nm，其例如在3nm到20nm之間。此外，在該實施例中，未 摻雜的半導體層6的層厚度小于20nm，其例如在Inm到IOnm之間。此外，對于圖2適用對 于圖1的相同實施例。在將氧化物層8并且隨后將鏡層9沉積到半導體層堆疊20上之前，圖1和 2中所示的半導體層堆疊20的層例如通過化學氣相沉積方法(CVD ；chemical vapour deposition)來沉積。在半導體層堆疊20的下側，襯底事后被薄化或者完全去除，使得露出 輻射出射層1。圖1和2示出了其中氧化物層8與金屬鏡層19的下側直接鄰接的實施例，而圖3 和4示出了具有在氧化物層8和金屬鏡層19之間的附加的介電鏡層18的實施例。在圖3 中，半導體層堆疊20具有如圖1相同的結構；在圖4中其具有與圖2中相同的結構。對圖 1或2的闡述因此同樣適用于圖3或4。根據圖3或4，氧化物層8通過HF輔助DC濺射沉積到相應的最上部的半導體層5 或7上。隨后首先將(例如氧化硅構成的)介電鏡層18沉積到其第二界面8b上。隨后將 凹處刻蝕到介電鏡層18中并且將金屬鏡層19沉積到介電鏡層18上。金屬鏡層19的材料 伸入介電鏡層18的凹處直到氧化物層8的第二界面8b上，并且在那里因此形成對于氧化 物層8的紐扣接觸(Knu印felkontakte)。從紐扣接觸出發，于是在透明導電氧化物層8中 在半導體層堆疊20的整個基本面上進行橫向電流擴展。在該實施例中，鏡層9包括介電鏡層18和金屬鏡層19。由于鏡層9、18、19在氧化 物層8之后沉積，所以由于氧化物層8的第二界面8b的低粗糙度R2也降低了鏡層18和19 之間的界面的粗糙度。由此，鏡層堆疊的反射率進一步被提高，因為由于氧化物層的第二界 面的低的粗糙度在一定程度上也降低了隨后的鏡層的界面的粗糙度。其余如針對圖1和圖 2的實施例同樣適用于圖3和圖4。在上述實施例中，設置有如下的摻雜材料濃度n摻雜的發光二極管層2具有小于 IXlO2Vcm3的摻雜材料濃度，尤其是在lX1019/cm3以下的摻雜材料濃度。ρ摻雜的發光二 極管層4具有小于2Χ IO2tVcm3的摻雜材料濃度。ρ摻雜的半導體層5的摻雜材料濃度至少 與P摻雜的發光二極管層4的摻雜材料濃度相同并且在2Χ 102°/cm3以上。η摻雜的半導體 層7的摻雜材料濃度大于η摻雜的發光二極管層2的摻雜材料濃度并且在2Χ 102°/cm3以 上。因此，兩個半導體層5、7的每個都比相同摻雜材料類型的相應的發光二極管層4、2更 強地摻雜。P摻雜的層以鎂摻雜而η摻雜的層以硅摻雜。可替選地，η摻雜的半導體層7的摻雜材料濃度也可以小于η摻雜的發光二極管 層2的摻雜材料濃度。圖5示出了用于制造根據圖1至4之一的半導體發光二極管的臨時的半導體產品 的放大的示意性細節圖，更確切地說，在濺射氧化物層8之后。所示的是半導體層堆疊20以
8及濺射到其上的由透明導電氧化物構成的氧化物層的最上部的層的上部的部分區域。最上 部的半導體層是圖1或3中的ρ摻雜的半導體層5或者圖2或4中的η摻雜的半導層7。當氧化物層8沉積到最上部的半導體層5或7的上側上時，最上部的半導體層的 粗糙度預先給定了氧化物層8的下部的第一界面8a的粗糙度R1，其典型地在1. 5nm Rms以 上，然而其也可以具有明顯更大的值-根據最上部的半導體層的沉積方法、其基本材料和 摻雜材料濃度。在由氮化鎵構成的P摻雜的半導體層5的情況下(圖1或3)，其上側的粗 糙度在1. 2nm到1.8nm之間。通過HF輔助的DC濺射方法來沉積由透明導電氧化物構成的氧化物層8實現了其 第二界面8b的粗糙度R2如在圖5中所示的那樣小于第一界面8a的粗糙度R1，尤其是小于 1. Onm或者甚至小于0. 5nm。氧化物層8在這里所描述的實施例中以在Inm到50nm之間的層厚度濺射，其中層 厚度也可以選擇得更大。如果氧化物層以例如5nm的最小層厚度沉積，則由其下的半導體 層5或7引起的不平坦在氧化物層的濺射期間被平坦化。由此保證了氧化物層8的第二界 面8b的粗糙度R2僅僅還受到HF輔助的DC濺射方法影響，而并不會受更深的半導體層的 高度波動影響。設置在(通過HF輔助的DC濺射沉積的)氧化物層上的鏡層具有極其平坦的反射 面。此外，在濺射氧化物層8之前暴露的、半導體層堆疊的最上面的半導體層幾乎不會由于 HF輔助的DC濺射方法而受到損傷。本身已知的HF輔助的DC濺射方法在此用于將由透明導電氧化物構成的氧化物層 8沉積到用于發光二極管的半導體層堆疊20的最上部的層。在HF輔助的DC濺射方法中， 直流電壓被疊加有高頻交流電壓。用于濺射而輸送的電功率因此包括DC(直流)部分以及 高頻(HF)部分。高頻的功率部分的頻率例如為13. 56MHz。在濺射時，組合的DC/HF功率例 如輸送給設置在濺射室中的電極。通過HF輔助的DC濺射方法沉積的氧化物層8的第二界面8b和另外的沉積到第 二界面8b上的鏡層18、19的界面由于降低的粗糙度而將入射到其上的電磁輻射的較大部 分反射。這尤其適用于以相對于面法線較大的入射角入射到界面上的輻射部分。通過提高的反射率，半導體發光二極管10在其輻射出射面25上總體上發射較大 強度的電磁輻射。本發明并未由于借助實施例的描述而局限于此。更確切地說，本發明包括任意新 的特征以及特征的任意組合，尤其是包含在權利要求中的特征的任意組合，即使該特征或 者該組合本身并未明確地在權利要求或者實施例中予以說明。
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權利要求
一種半導體發光二極管(10)，具有 至少一個p摻雜的發光二極管層(4)、n摻雜的發光二極管層(2)以及在p摻雜的發光二極管層(4)和n摻雜的發光二極管層(2)之間的光學有源區(3)， 由透明導電氧化物構成的氧化物層(8)，以及 至少一個鏡層(9)，其中氧化物層(8)設置在發光二極管層(2，4)和所述至少一個鏡層(9)之間并且具有朝著發光二極管層(2，4)的第一界面(8a)和朝著所述至少一個鏡層(9)的第二界面(8b)，并且其中氧化物層(8)的第二界面(8b)具有比氧化物層(8)的第一界面(8a)更小的粗糙度(R2)。
2.一種半導體發光二極管(10)，具有-至少一個P摻雜的發光二極管層(4)，η摻雜的發光二極管層(2)以及在ρ摻雜的發 光二極管層(4)和η摻雜的發光二極管層(2)之間的光學有源區(3)，-由透明導電氧化物構成的氧化物層(8)，以及-至少一個鏡層(9)，其中氧化物層(8)設置在發光二極管層(2，4)和所述至少一個鏡層(9)之間并且具有 朝著發光二極管層(2，4)的第一界面(8a)和朝著所述至少一個鏡層(9)的第二界面(8b)， 并且其中氧化物層(8)的第二界面(8b)具有小于l.Onm的粗糙度(R2)。
3.根據權利要求1或2所述的半導體發光二極管，其特征在于，氧化物層(8)具有大于 5nm的層厚度。
4.根據權利要求1至3之一所述的半導體發光二極管，其特征在于，ρ摻雜的發光二極 管層(4)比η摻雜的發光二極管層(2)更靠近氧化物層(8)地設置。
5.根據權利要求1至4之一所述的半導體發光二極管，其特征在于，在ρ摻雜的發光二 極管層(4)和氧化物層(8)之間設置有ρ摻雜的半導體層(5)，該ρ摻雜的半導體層具有至 少與P摻雜的發光二極管層(4)的摻雜材料濃度相同的摻雜材料濃度。
6.根據權利要求5所述的半導體發光二極管，其特征在于，氧化物層(8)用其第一界面 (8a)與ρ摻雜的半導體層(5)鄰接。
7.根據權利要求5所述的半導體發光二極管，其特征在于，在ρ摻雜的半導體層(5)和 氧化物層(8)之間設置有η摻雜的半導體層(7)，并且氧化物層(8)的第一界面(8a)與η 摻雜的半導體層(7)鄰接。
8.根據權利要求7所述的半導體發光二極管，其特征在于，在ρ摻雜的半導體層(5)和 η摻雜的半導體層(7)之間設置有未摻雜的半導體層(6)。
9.根據權利要求1至8之一所述的半導體發光二極管，其特征在于，氧化物層(8)的透 明導電氧化物包含材料氧化鋅、氧化銦錫和氧化銦鋅至少之一。
10.根據權利要求1至9之一所述的半導體發光二極管，其特征在于，鏡層(9)與氧化 物層(8)的第二界面(8b)鄰接。
11.根據權利要求1至10之一所述的半導體發光二極管，其特征在于，鏡層(9)包括至 少一個金屬鏡層(19)。
12.根據權利要求1至11之一所述的半導體發光二極管，其特征在于，鏡層(9)包括至 少一個介電鏡層(18)。
13.根據權利要求12所述的半導體發光二極管，其特征在于，介電鏡層(18)設置在氧 化物層(8)和金屬鏡層(19)之間并且具有局部的凹處(11)，金屬鏡層(19)伸入所述凹處 中直至氧化物層(8)的第二界面(8b)。
14.一種用于制造半導體發光二極管(10)的方法，其中該方法包括_構建至少一個P摻雜的發光二極管層(4)和η摻雜的發光二極管層(2)，-沉積透明導電氧化物，由此形成氧化物層(8)，該氧化物層具有第一界面(8a)，該第 一界面朝著發光二極管層(2，4)，其中氧化物層(8)通過HF輔助的DC濺射來沉積并且在此 產生氧化物層(8)的與第一界面(8a)對置的第二界面(8b)，該第二界面具有比氧化物層 (8)的第一界面(8a)更低的粗糙度，以及-在氧化物層(8)的第二界面(8b)上構建至少一個鏡層(9)。
15.根據權利要求14所述的方法，其特征在于，構建至少一個鏡層(9)包括沉積至少一 個介電鏡層(18)，將凹處刻蝕到介電層(18)中并且將至少一個金屬鏡層(19)沉積到介電 鏡層(18)上。
全文摘要
提出了一種半導體發光二極管(10)，其具有至少一個p摻雜的發光二極管層(4)、n摻雜的發光二極管層(2)以及在p摻雜的發光二極管層(4)和n摻雜的發光二極管層(2)之間的光學有源區(3)；由透明導電氧化物構成的氧化物層(8)；以及至少一個鏡層(9)，其中氧化物層(8)設置在發光二極管層(2，4)和所述至少一個鏡層(9)之間并且具有朝著發光二極管層(2，4)的第一界面(8a)和朝著所述至少一個鏡層(9)的第二界面(8b)，并且其中氧化物層(8)的第二界面(8b)具有比氧化物層(8)的第一界面(8a)更小的粗糙度(R2)。
文檔編號H01L33/46GK101960623SQ200980107062
公開日2011年1月26日 申請日期2009年2月11日 優先權日2008年2月29日
發明者烏爾里克·策恩德, 約翰內斯·鮑爾, 貝特霍爾德·哈恩, 馬丁·斯特拉斯伯格, 馬格納斯·阿爾斯泰特, 馬蒂亞斯·扎巴蒂爾 申請人:歐司朗光電半導體有限公司