絕緣膜材料、使用該絕緣膜材料的成膜方法和絕緣膜的制作方法

專利名稱：絕緣膜材料、使用該絕緣膜材料的成膜方法和絕緣膜的制作方法
技術領域：
本發明是涉及形成對半導體裝置的層間絕緣膜等有用的絕緣膜時所使用的絕緣 膜材料和使用該絕緣膜材料的成膜方法以及絕緣膜。根據本發明，能夠得到低介電常數、且 具有銅擴散阻擋性的絕緣膜。本申請基于2008年1月23日在日本申請的日本特愿2008-013105號主張優先權， 將其內容合并于此。
背景技術：
伴隨著半導體裝置的高集成化，配線層正不斷地被微細化。但是，在微細的配線層 中，配線層的信號延遲的影響變大，妨礙了信號傳送速度的高速化。該信號延遲由于與配線層的電阻和配線層間容量成比例，為了實現高速化，配線 層的低電阻化和配線層間容量的降低是必須的。因此，最近作為構成配線層的材料，由以往的鋁使用電阻率低的銅，進一步為了減 少配線層間容量，使用相對介電常數低的層間絕緣膜。例如，盡管SiO2膜具有4. 1、SiOF膜具有3.7的相對介電常數，然而，正在使用相 對介電常數更低的SiOCH膜或者有機膜。這樣層間絕緣膜的相對介電常數逐漸變小，用于下一代的相對介電常數為2. 4以 下的低介電常數層間絕緣膜的研究開發正在進行，現在，有報道相對介電常數低于2.0的 層間絕緣膜。另外，將銅用于配線層的多層配線結構中，為了防止銅擴散到絕緣膜中，將銅擴散 阻擋性絕緣膜插入到銅配線層和絕緣膜的邊界中。對于該銅擴散阻擋性絕緣膜，雖然使用具有優異的銅擴散阻擋性的氮化硅或者 SiCN等構成的絕緣膜，但是相對介電常數高至4 7，這使構成多層配線結構的絕緣膜整體 的實際有效的相對介電常數變高。例如，在層壓相對介電常數為2. 5左右的層間絕緣膜和相對介電常數為4左右的 銅擴散阻擋性絕緣膜的多層配線結構中，實際有效的相對介電常數為3左右。即，為了降低實際有效的相對介電常數，需要銅擴散阻擋性絕緣膜的低介電常數 化，為此的研究開發正在進行。到目前為止，有關于使用了具有π電子鍵的有機硅烷系材料的硅和碳為主要成 分的銅擴散阻擋性絕緣膜的報道(參照專利文獻1)。專利文獻1 日本特開2005-45058號公報然而，在上述的現有發明中公開的銅擴散阻擋性絕緣膜的相對介電常數高至3. 9， 而且與以往的SiCN構成的銅擴散阻擋性絕緣膜相比，有銅擴散阻擋性絕緣膜不能稱為優 異的問題。

發明內容
有鑒于此，本發明的目的在于，得到具有銅擴散阻擋性、并且具有極低的相對介電 常數的絕緣膜。為了解決所述問題，本發明采用了以下構成。[1] 一種絕緣膜材料，用于等離子體化學氣相沉積(CVD)，以下述化學式(1)表示，
R1
(CH2)n Si…0)
\ 2 R2在化學式(1)中，η是3 6的整數，R1和R2分別獨立地為C2H, C2H3、C3H3、C3H5, C3H7, C4H5, C4H7, C4H9, C5H7, C5H9 和 C5H11 中的任意一種。[2] 一種成膜方法，使用上述[1]中所述的絕緣膜材料，通過等離子體化學氣相沉 積法形成絕緣膜。[3]根據上述[2]所述的成膜方法，在成膜時，不伴隨有載氣。[4] 一種絕緣膜，用上述[2]或者[3]所述的成膜方法得到。根據本發明，將上述化學式(1)表示的硅化合物作為絕緣膜材料，通過等離子體 CVD法成膜的絕緣膜，其介電常數低而且銅擴散阻擋性高。


圖1是表示用于本發明的成膜方法的成膜裝置的一例的簡要構成圖。圖2是表示本發明的銅擴散阻擋性的評價方法的曲線圖。圖3是表示本發明的銅擴散阻擋性的評價方法的曲線圖。圖4是表示實施例1的銅擴散阻擋性的評價方法的曲線圖。圖5是表示實施例2的銅擴散阻擋性評價結果的曲線圖。圖6是表示比較例1的銅擴散阻擋性評價結果的曲線圖。圖7是表示比較例2的銅擴散阻擋性評價結果的曲線圖。符號說明1..室，2..排氣管，3..開閉閥，4..排氣泵，5..上部電極，6..下部電極，7..高頻
電源，8..基板，9..加熱器，10..氣體供給管道。
具體實施例方式以下對本發明進行詳細說明。本發明的等離子體CVD用絕緣膜材料是上述化學式(1)表示的硅化合物，都是公 知化合物，可以通過公知的合成方法得到。將該化學式(1)表示的化合物用作銅擴散阻擋 性絕緣膜材料是目前并不知道的。該硅化合物是3 6個-CH2-基相互結合，形成三元環至六元環的環狀結構，環的 兩端部的碳與硅原子鍵合，在該環狀結構內，不含有雙鍵的化合物。關于取代基R1、R2，在一個分子內，既可以是相同的取代基也可以是相互不同的取代基。另外，對于上述化學式(1)表示的硅化合物，從所形成的絕緣膜的介電常數低、有 無銅擴散阻擋性、機械強度方面考慮，優選將取代基R1的碳原子數設定為X，取代基R2的碳 原子數設定為Y時，滿足η = Χ+Υ(η為化學式⑴的CH2的結合數)的關系。另外，優選取 代基R1和R2是相同的取代基。作為化學式(1)表示的化合物的具體化合物，優選1，1_ 二乙烯基-1-硅雜環戊 烷、1，1- 二烯丙基-1-硅雜環戊烷。作為除此以外使用的硅化合物的例子，可以舉出1，1_ 二乙炔基-1-硅雜環丁 烷、1，I" 二乙烯基-1-硅雜環丁烷、1，I" 二 -1-丙炔基-1-硅雜環丁烷、1，I" 二 -2-丙炔 基-1-硅雜環丁烷、1，1-二丙烯基-1-硅雜環丁烷、1，1-二烯丙基-1-硅雜環丁烷、1，1- 二 丙基-1-硅雜環丁烷、1，1- 二異丙基-1-硅雜環丁烷、1，1- 二 -1- 丁炔基-1-硅雜環丁烷、 1，1- 二 -2- 丁炔基-1-硅雜環丁烷、1，1- 二 -3- 丁炔基-1-硅雜環丁烷、1，1- 二 -1- 丁烯 基-1-硅雜環丁烷、1，1- 二 -2- 丁烯基-1-硅雜環丁烷、1，1- 二 -3- 丁烯基-1-硅雜環丁 烷、1，1- 二環丁基-1-硅雜環丁烷、1，1-二丁基-1-硅雜環丁烷、1，1-二仲丁基-1-硅雜環 丁烷、1，1-二叔丁基-1-硅雜環丁烷、1，1- 二 -1-戊炔基-1-硅雜環丁烷、1，1- 二 -2-戊炔 基-1-硅雜環丁烷、1，1- 二 -3-戊炔基-1-硅雜環丁烷、1，1- 二 -1-戊烯基-1-硅雜環丁 烷、1，1- 二 -2-戊烯基-1-硅雜環丁烷、1，1- 二 -3-戊烯基-1-硅雜環丁烷、1，1- 二 -4-戊 烯基-ι-硅雜環丁烷、1，1-二環戊基-ι-硅雜環丁烷、1，1-二戊基-1-硅雜環丁烷、1， 1- 二叔戊基-1-硅雜環丁烷、1，1- 二乙炔基-1-硅雜環戊烷、1，1- 二乙烯基-1-硅雜環戊 烷、1，1- 二 -1-丙炔基-1-硅雜環戊烷、1，I" 二 -2-丙炔基-1-硅雜環戊烷、1，1- 二丙烯 基-1-硅雜環戊烷、1，1-二烯丙基-1-硅雜環戊烷、1，1-二丙基-1-硅雜環戊烷、1，1- 二異 丙基-1-硅雜環戊烷、1，1- 二 -1- 丁炔基-1-硅雜環戊烷、1，1- 二 -2- 丁炔基-1-硅雜環戊 烷、1，1- 二 -3- 丁炔基-1-硅雜環戊烷、1，1- 二 -1- 丁烯基-1-硅雜環戊烷、1，1- 二 -2- 丁 烯基-1-硅雜環戊烷、1，1- 二 -3- 丁烯基-1-硅雜環戊烷、1，1- 二環丁基-1-硅雜環戊烷、 1，1- 二丁基-1-硅雜環戊烷、1，1- 二仲丁基-1-硅雜環戊烷、1，1- 二叔丁基-1-硅雜環戊 烷、1，1- 二 -1-戊炔基-1-硅雜環戊烷、1，1- 二 -2-戊炔基-1-硅雜環戊烷、1，1- 二 -3-戊 炔基-1-硅雜環戊烷、1，1- 二 -1-戊烯基-1-硅雜環戊烷、1，1- 二 -2-戊烯基-1-硅雜環 戊烷、1，1- 二 -3-戊烯基-1-硅雜環戊烷、1，1- 二 -4-戊烯基-1-硅雜環戊烷、1，1-二環戊 基-1-硅雜環戊烷、1，1-二戊基-1-硅雜環戊烷、1，1-二叔戊基-1-硅雜環戊烷、1，ι- 二乙 炔基-1-硅雜環己烷、1，1- 二乙烯基-1-硅雜環己烷、1，1- 二 -1-丙炔基-1-硅雜環己烷、 1，1- 二 -2-丙炔基-1-硅雜環己烷、1，1- 二丙烯基-1-硅雜環己烷、1，I" 二烯丙基-1-硅 雜環己烷、1，1- 二丙基-1-硅雜環己烷、1，1- 二異丙基-1-硅雜環己烷、1，1- 二 -1- 丁炔 基-1-硅雜環己烷、1，1- 二 -2- 丁炔基-1-硅雜環己烷、1，1- 二 -3- 丁炔基-1-硅雜環己 烷、1，1- 二 -1- 丁烯基-1-硅雜環己烷、1，1- 二 -2- 丁烯基-1-硅雜環己烷、1，1- 二 -3- 丁 烯基-1-硅雜環己烷、1，I" 二環丁基-1-硅雜環己烷、1，1-二丁基-1-硅雜環己烷、1，1- 二 仲丁基-1-硅雜環己烷、1，1- 二叔丁基-1-硅雜環己烷、1，1- 二 -1-戊炔基-1-硅雜環己 烷、1，1- 二 -2-戊炔基-1-硅雜環己烷、1，1- 二 -3-戊炔基-1-硅雜環己烷、1，1- 二 -1-戊 烯基-1-硅雜環己烷、1，1- 二 -2-戊烯基-1-硅雜環己烷、1，1- 二 -3-戊烯基-1-硅雜環己 烷、1，1- 二 -4-戊烯基-1-硅雜環己烷、1，1-二環戊基-1-硅雜環己烷、1，1- 二戊基-1-硅
5雜環己烷、1，1- 二叔戊基-1-硅雜環己烷、1，ι- 二乙炔基-1-硅雜環庚烷、1，ι- 二乙烯 基-1-硅雜環庚烷、1，1- 二 -1-丙炔基-1-硅雜環庚烷、1，1- 二 -2-丙炔基-1-硅雜環庚 烷、1，1- 二丙烯基-1-硅雜環庚烷、1，1- 二烯丙基-1-硅雜環庚烷、1，1- 二丙基-1-硅雜 環庚烷、1，1- 二異丙基-1-硅雜環庚烷、1，1- 二 -1- 丁炔基-1-硅雜環庚烷、1，1- 二 -2- 丁炔 基-1-硅雜環庚烷、1，1- 二 -3- 丁炔基-1-硅雜環庚烷、1，1- 二 -1- 丁烯基-1-硅雜環庚烷、1， 1- 二 -2- 丁烯基-1-硅雜環庚烷、1，1- 二 -3- 丁烯基-1-硅雜環庚烷、1，1- 二環丁基-1-硅雜 環庚烷、1，1- 二丁基-1-硅雜環庚烷、1，1- 二仲丁基-1-硅雜環庚烷、1，1- 二叔丁基-1-硅雜環 庚烷、1，1- 二 -1-戊炔基-1-硅雜環庚烷、1，1- 二 -2-戊炔基-1-硅雜環庚烷、1，1- 二 -3-戊炔 基-1-硅雜環庚烷、1，1- 二 -1-戊烯基-1-硅雜環庚烷、1，1- 二 -2-戊烯基-1-硅雜環庚烷、1， 1- 二 -3-戊烯基-1-硅雜環庚烷、1，1- 二 -4-戊烯基-1-硅雜環庚烷、1，1- 二環戊基-1-硅雜 環庚烷、1，1- 二戊基-1-硅雜環庚烷、1，1- 二叔戊基-1-硅雜環庚烷等。接下來，說明本發明的成膜方法。本發明的成膜方法基本上是使用上述的化學式(1)表示的絕緣膜材料，通過等離 子體CVD法進行成膜的方法。該情況下，可以使用化學式(1)表示的硅化合物的一種或者 混合兩種以上來使用。混合一種以上的絕緣膜材料使用時的混合比率沒有特別的限定，可以考慮得到的 絕緣膜的相對介電常數、銅擴散阻擋性等而決定。另外，在成膜時，可以向含有上述化學式(1)表示的硅化合物的絕緣膜材料添加 載氣進行成膜，但是，為了改善銅擴散阻擋性，優選將該絕緣膜材料單獨成膜。該載氣，除了不含氧的氣體，例如氦、氬、氪、氙等稀有氣體以外，可以舉出氮，氫， 甲烷、乙烷等烴等，沒有特別的限定。對于載氣可以混合兩種以上來使用，包括絕緣膜材料 在內其混合比例沒有特別的限定。因此，送入到成膜裝置的室內而用于成膜的成膜用氣體，有可能成為除了含有絕 緣膜材料的氣體以外混入了載氣的混合氣體。絕緣膜材料以及載氣如果在常溫下為氣態則直接使用，如果是液態則通過使用氦 等惰性氣體的鼓泡而進行的氣化、通過氣化器進行的氣化、或者通過加熱進行的氣化使其 成為氣體之后使用。作為等離子體CVD法，可以使用公知的方法，例如使用如圖1所示的平行平板型的 等離子體成膜裝置等進行成膜。圖1所示的等離子體成膜裝置，具備有可以減壓的室1，該室1通過排氣管2、開閉 閥3，與排氣泵4連接。另外，室1具備有壓力計(未圖示)，可以測定室1內的壓力。在室 1內，設有相對向的一對平板狀的上部電極5和下部電極6。上部電極5與高頻電源7連接， 可以向上部電極5施加高頻電流。下部電極6兼做放置基板8的放置臺，在其內部內裝有加熱器9，可以加熱基板8。另外，氣體供給管道10與上部電極5連接，該氣體供給管道10與成膜用氣體供給 源(未圖示)相連接，從該成膜用氣體供給裝置供給成膜用的氣體，該氣體穿過在上部電極 5內形成的多個貫通孔，向下部電極6擴散的同時流出。另外，在上述成膜用氣體供給源具備有將上述的絕緣膜材料氣化的氣化裝置和調 整其流量的流量調節閥的同時，還設有供給載氣的供給裝置，這些氣體也流過氣體供給管
6道10，從上部電極5向室1內流出。在等離子體成膜裝置的室1內的下部電極6上放置基板8，從成膜用氣體供給源向 室1內送入上述成膜用氣體。從高頻電源7向上部電極5施加高頻電流，使室1內產生等 離子體。由此，在基板8上形成由上述成膜用氣體通過氣相化學反應生成的絕緣膜。基板8使用主要由硅晶片構成的基板，在該硅晶片上可以存在預先形成的其他的 絕緣膜、導電膜、配線結構等。作為等離子體CVD法，除了平行平板型以外，可以使用ICP等離子體、ECR等離子 體、磁控管等離子體、高頻等離子體、微波等離子體、電容耦合等離子體、電感耦合等離子體 等，也可以使用在平行平板型裝置的下部電極也導入高頻的雙頻激發等離子體。該等離子體成膜裝置的成膜條件優選以下的范圍，但是不限于此。絕緣膜材料流量25 IOOcc/分(兩種以上的情況下為合計量)載氣流量0 50cc/分壓力lPa 1330PaRF 功率50 500W，優選 50 250W基板溫度400°C以下反應時間1秒 1800秒成膜厚度IOOnm 200nm接下來，對本發明的絕緣膜進行說明。本發明的絕緣膜是使用上述的等離子體CVD用絕緣膜材料或者上述的等離子體 CVD用絕緣膜材料與載氣，由等離子體成膜裝置通過等離子體CVD反應成膜的絕緣膜，其相 對介電常數為2. 9 3. 5，銅擴散阻擋性高。另外，該絕緣膜不含氧，由硅、氫、碳構成。對于由本發明的絕緣膜形成方法得到的絕緣膜具有優異的銅擴散阻擋性且具有 低相對介電常數的理由，進行如下推測。S卩，關于與構成本發明的絕緣膜材料的硅化合物的硅鍵合的環狀結構，C-C部分的 鍵能最低，被等離子體切斷鍵合而開環。開環的CH2的環狀結構與其他開環的CH2的環狀結構結合的同時在基板上堆積。 換一句話說，生成Si-CH2-CH2-Si等的CH2網絡結構，通過該網絡結構，形成致密的、具有低 相對介電常數的絕緣膜。另外，因為絕緣膜材料中不含有氧，所以在等離子體氣氛中形成絕緣膜時，不會氧 化構成導電膜的銅，形成了不易產生對銅的擴散性產生很大影響的銅離子的絕緣膜。由上所述，認為本發明的絕緣膜成為具有低相對介電常數并且具有銅擴散阻擋性 的絕緣膜。實施例以下通過實施例和比較例進一步對本發明進行詳細說明。但是，本發明不受以下實施例的任何限定。(實施例1)不使用載氣的絕緣膜的形成在形成絕緣膜時，使用了平行平板型的電容耦合等離子體CVD裝置。在預先加 熱到350°C左右的基座(寸七夕一)上，運送8英寸(直徑200mm)或者12英寸(直徑 300mm)的硅晶片，作為絕緣膜材料氣體使1，1_ 二乙烯基硅雜環戊烷以15CC/min的體
7積流量流通，將等離子體產生用高頻電源裝置的輸出設定為180W來形成絕緣膜。此時的上 述等離子體CVD裝置的室內壓力為80Pa。為了測定得到的絕緣膜的相對介電常數，將上述硅晶片運送到SSM社制CV測定裝 置495上，用汞電極測定了絕緣膜的相對介電常數。測定結果表示在表1。在評價得到的絕緣膜的銅擴散阻擋性上，采用了比較在銅電極(以下，Cu電極)和 鋁電極(以下，Al電極)下的電流-電壓(I-V)特性的差異的方法。這是利用了通過在將絕緣膜加熱到100°C 300°C程度的狀態下施加電場，加速 銅向絕緣膜中的擴散的偏壓溫度應力(Biased Temperature Stress)試驗法。例如，將不具有銅擴散阻擋性的絕緣膜作為被試驗膜時，在Cu電極和Al電極產生 I-V特性差異。該差異是通過施加電場，在Cu電極中促進銅離子向絕緣膜中的熱擴散并發 生銅離子遷移而漏電流變大，在Al電極中由于不發生熱擴散，漏電流不變大而產生。因此， 通過比較在Cu電極和Al電極下的I-V特性，可以評價絕緣膜的銅擴散阻擋性。圖2是表示由Cu電極和Al電極得到的I-V特性曲線圖，是銅擴散阻擋性高的特 性。即，在該例中，由Cu電極和Al電極得到的I-V特性幾乎相同。圖3是表示銅擴散阻擋性低的特性的曲線圖。在該例中，由Cu電極和Al電極得 到的I-V特性呈現大的差異，由Cu電極得到的I-V特性的電流值比由Al電極得到的I-V 特性的電流值大2個數量級(桁)以上。這樣，由Cu電極和Al電極得到的I-V特性幾乎相同的情況下，可以判斷銅擴散阻 擋性高，由Cu電極得到的I-V特性的電流值與由Al電極得到的I-V特性的電流值的差高 出1個數量級以上的情況下，可以判斷銅擴散阻擋性低。關于該試驗方法，可以參考以下文獻。Alvin L. S. Loke et al.，IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOL. 46， NO. 11,2178-2187(1999)以下，示出絕緣膜的銅擴散阻擋性的具體的評價順序。首先，制作2個切割成30mm2左右的被測定樣品，加上掩模，通過真空蒸鍍一方面 形成直徑約為Imm的Cu電極、另一方面形成直徑約為Imm的Al電極。然后，將形成了 Cu電極的被測定樣品設置到真空探測裝置，在使該裝置內呈 0. 133Pa以下的真空氣氛狀態下，用上述CV測定裝置測定了 I-V特性。然后，壓力達到約 93kPa左右為止，向上述真空探測裝置內填充氮的同時，將操作臺(卞)溫度加熱到 140°C或者20(TC之后，用上述CV測定裝置測定了 I-V特性。將以上的形成了 Cu電極的被測定樣品的I-V特性的測定，同樣地實施在形成了 Al 電極的被測定樣品上，通過Cu電極和Al電極的I-V特性的差異，評價了形成的絕緣膜的銅 擴散阻擋性。結果表示在圖4。此外，對膜后的測定，使用了 7 了"■，#社制造的橢圓偏振光譜裝置。測定結果 表示在表1。(實施例2)使用了載氣的絕緣膜的形成在形成絕緣膜時使用的裝置和方法與實施例1幾乎相同，但是作為材料氣體使 1-1- 二乙烯基-1-硅雜環戊烷以17cc/min的體積流量流通，作為載氣使氦以40CC/min伴 隨著流通，將等離子體產生用高頻電源裝置的輸出設定為150W來形成了絕緣膜。此時的上述等離子體CVD裝置的室內壓力為133Pa。將得到的絕緣膜的相對介電常數、銅擴散阻擋性、膜厚與實施例1同樣地進行了 評價。測定結果表示在表1。銅擴散阻擋性的評價結果表示在圖5。(比較例1)由不含有CH2構成的環狀結構的材料氣體形成的絕緣膜在形成絕緣膜時使用的裝置和方法與實施例1幾乎相同，但是作為材料氣體使四 乙烯基硅烷以30CC/min的體積流量流通，作為載氣使氦以30CC/min的體積流量伴隨著流 通，將等離子體產生用高頻電源裝置的輸出設定為100W來形成了絕緣膜。此時的上述等離 子體CVD裝置的室內壓力為798Pa。將得到的絕緣膜的相對介電常數、銅擴散阻擋性、膜厚與實施例1同樣地進行了 評價。測定結果表示在表1。銅擴散阻擋性的評價結果表示在圖6。(比較例2)由不含有CH2構成的環狀結構的材料氣體形成的絕緣膜在形成絕緣膜時使用的裝置和方法與實施例1幾乎相同，但是作為材料氣體使二 烯丙基二乙烯基硅烷以30CC/min的體積流量流通，作為載氣使氦以30CC/min的體積流量 伴隨著流通，將等離子體產生用高頻電源裝置的輸出設定為100W來形成了絕緣膜。此時的 上述等離子體CVD裝置的室內壓力為133Pa。將得到的絕緣膜的相對介電常數、銅擴散阻擋性、膜厚與實施例1同樣地進行了 評價。測定結果表示在表1。銅擴散阻擋性的評價結果表示在圖7。[表 1] 由表1表示的結果和圖4至圖7表示的曲線可知，在實施例1形成的絕緣膜的相 對介電常數為3. 08且具有銅擴散阻擋性，在實施例2形成的絕緣膜的相對介電常數為3. 38 且具有銅擴散阻擋性。與此相對地，可知在比較例1形成的絕緣膜的相對介電常數為2. 87， 不具有銅擴散阻擋性，在比較例2形成的絕緣膜的相對介電常數為2. 72，不具有銅擴散阻 擋性。這樣，使用含有由上述化學式(1)表示的硅化合物的絕緣膜材料，通過等離子體 CVD法形成絕緣膜，可以形成具有銅擴散阻擋性并且相對介電常數低的絕緣膜。另外，通過 不使用氦等載氣來成膜，可以形成適用于下一代用途的具有更低的相對介電常數的銅擴散 阻擋性絕緣膜。產業上的利用可能性本發明可以適用于使用下一代所要求的高集成化的LSI配線的半導體裝置。
權利要求
一種絕緣膜材料，用于等離子體化學氣相沉積(CVD)，以下述化學式(1)表示，在化學式(1)中，n是3～6的整數，R1和R2分別獨立地為C2H、C2H3、C3H3、C3H5、C3H7、C4H5、C4H7、C4H9、C5H7、C5H9和C5H11中的任意一種。FPA00001185044000011.tif
2.一種成膜方法，使用權利要求1所述的絕緣膜材料，通過等離子體化學氣相沉積法 形成絕緣膜。
3.根據權利要求2所述的成膜方法，在成膜時，不伴隨有載氣。
4.一種絕緣膜，用權利要求2或者3所述的成膜方法得到。
全文摘要
本發明提供了以下述化學式(1)表示的等離子體CVD用絕緣膜材料，使用了該絕緣膜材料的成膜方法和絕緣膜。根據本發明可以得到對半導體裝置的層間絕緣膜等有用的、相對介電常數低且銅擴散阻擋性高的絕緣膜。在下述化學式(1)中，n是3～6的整數，R1和R2分別獨立地為C2H、C2H3、C3H3、C3H5、C3H7、C4H5、C4H7、C4H9、C5H7、C5H9和C5H11中的任意一種。
文檔編號H01L21/312GK101925690SQ20098010271
公開日2010年12月22日 申請日期2009年1月20日 優先權日2008年1月23日
發明者井上實, 大野隆央, 宮澤和浩, 田島暢夫, 神力學, 稻石美明, 羽坂智, 迫田薰 申請人:獨立行政法人物質·材料研究機構;大陽日酸株式會社