專利名稱：一種高靈敏度電子元件封裝結構的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種電子元件，尤其是涉及一種高靈敏度電子元件封裝結構。
背景技術：
內置在電子元件中的霍爾元件可感應到磁環磁場的大小，當電子元件采用嵌入式安裝到 線路板上的孔中后，電子元件中霍爾元件芯片的磁感應面接近磁環表面，從而獲得磁感應強 度。中國專利公開了一種帶有霍爾元件的磁場傳感器(授權公告號CN 100388523C)，其 霍爾元件具有沿著一條直線排列的兩個內部觸點和兩個外部觸點，其中兩個內部觸點具有相 同的寬度，兩個外部觸點具有相同的寬度，觸點排列在一個具有第一種導電類型的阱的表面 上，阱嵌在一個具有第二種導電類型的基片中，而且兩個外部觸點通過電阻相連接，電阻由 具有第一種導電類型的阱構成，電阻在霍爾元件的阱中形成，并具有在對著阱的相鄰邊緣的 一側設置在霍爾元件的兩個外部觸點之一的旁邊的觸點；或者電阻在霍爾元件的阱中形成， 并具有分別在對著阱的相鄰邊緣的一側位于霍爾元件的兩個外部觸點之一的旁邊的兩個觸點 ，電阻的這兩個觸點通過一個導線通路相連接。但這種霍爾元件和圖l所示的的一樣，封裝 后，塑封體上部的厚度為l. 25 (+0.05,-0. 05)毫米，晶片的磁感應面距離塑封體上部表面的 尺寸為0.9 1.05毫米，即使磁環表面緊貼塑封體上部表面，晶片的磁感應面距離磁環表面 的尺寸也有0.9 1.05毫米，正常情況下，磁環表面距離塑封體上部表面至少大于等于l毫米 ，則霍爾元件的實際應用靈敏度較小。
實用新型內容
本實用新型需要解決的技術問題是提供一種高靈敏度電子元件封裝結構，其主要是解決 現有技術所存在的塑封體上部的厚度較厚，晶片的磁感應面距離塑封體上部表面的尺寸也較 大，即使磁環表面緊貼塑封體上部表面，晶片的磁感應面距離磁環表面的尺寸也有0.9 1. 05毫米，霍爾元件的實際應用靈敏度較小等的技術問題。
本實用新型的上述技術問題主要是通過下述技術方案得以解決的
本實用新型的一種高靈敏度電子元件封裝結構，包括連接在一起的塑封體上部與塑封體 下部，其特征在于所述的塑封體上部與塑封體下部的內部連接有霍爾元件晶片，霍爾元件晶 片連接有管腳，管腳伸出塑封體上部與塑封體下部之外，霍爾元件晶片的厚度為0.2 0. 35mm，霍爾元件晶片的磁感應面與塑封體上部表面之間的距離ch為O. 25 0. 6mm。當電子 元件采用嵌入式安裝到線路板上的孔中后，將電子元件的管腳焊接到線路板的焊盤上固定， 由于霍爾元件晶片的磁感應面與塑封體上部表面之間的距離較近，磁感應面能更接近磁環表 面，從而獲得更大的磁感應強度，提高元件的實際應用靈敏度即霍爾輸出電壓。本實用新型 霍爾元件晶片的磁感應面距離磁環表面的尺寸僅為l. 25 1. 6mm，磁環表面距離塑封體上部 表面1毫米。管腳可以設計成弧形，便于其裝入線路板后與線路板固定。
作為優選，所述的塑封體上部的厚度d2為0.6 0.8mm。電子元件的塑封體上部設計的更 薄， 一般比現有的電子元件塑封體上部薄約O. 55mm。
作為優選，所述的塑封體上部與塑封體下部的總厚度為1.95 2. 15mm。塑封體上部與塑 封體下部的寬度一般與待安裝線路板上的安裝孔寬度相適應。
因此，本實用新型具有能夠使霍爾元件的磁感應面更接近磁環表面，從而獲得更大的磁 感應強度，提高元件的實際應用靈敏度，結構簡單、合理等特點。
附圖l是原電子元件封裝結構的一種結構示意圖； 附圖2是本實用新型的一種結構示意圖； 附圖3是圖2的俯視結構示意圖； 附圖4是本實用新型的裝配結構示意圖。
圖中零部件、部位及編號塑封體上部l、塑封體下部2、霍爾元件晶片3、管腳4、線路 板5、焊接盤6、磁環7。
具體實施方式
下面通過實施例，并結合附圖，對本實用新型的技術方案作進一步具體的說明。 實施例本例的一種高靈敏度電子元件封裝結構，如圖2、圖3，有固定在一起的塑封體
上部1與塑封體下部2，塑封體上部1與塑封體下部2的內部封裝有厚度為0. 25mm的霍爾元件晶 片3，霍爾元件晶片連接有彎曲形的管腳4，管腳4端部伸出塑封體下部2外。塑封體上部l的 厚度d2為0. 7mm，即霍爾元件晶片3的磁感應面與塑封體上部l表面之間的距離ch為0. 45mm。 塑封體上部與塑封體下部的總厚度為2. 05mm。
使用時，如圖4，將本實用新型的塑封體上部1朝下裝入線路板5的通孔內，管腳4焊接在 線路板的焊接盤6上。由于塑封體上部的厚度較薄，因此霍爾元件晶片的磁感應面距離磁環 表面的尺寸d3僅為1.45mm，磁環表面距離塑封體上部表面l毫米，從而獲得更大的磁感應強 度，提高電子元件的霍爾輸出電壓。
權利要求1.一種高靈敏度電子元件封裝結構，包括連接在一起的塑封體上部(1)與塑封體下部(2)，其特征在于所述的塑封體上部(1)與塑封體下部(2)的內部連接有霍爾元件晶片(3)，霍爾元件晶片連接有管腳(4)，管腳伸出塑封體上部與塑封體下部之外，霍爾元件晶片的厚度為0.2～0.35mm，霍爾元件晶片的磁感應面與塑封體上部(1)表面之間的距離d1為0.25～0.6mm。
2 根據權利要求l所述的一種高靈敏度電子元件封裝結構，其特征在 于所述的塑封體上部(1)的厚度d2為0.6 0.8mm。
3 根據權利要求1或2所述的一種高靈敏度電子元件封裝結構，其特 征在于所述的塑封體上部(1)與塑封體下部(2)的總厚度為1.95 2. 15mm。
專利摘要本實用新型涉及一種電子元件，尤其是涉及一種高靈敏度電子元件封裝結構。其主要是解決現有技術所存在的塑封體上部的厚度較厚，晶片的磁感應面距離塑封體上部表面的尺寸也較大，即使磁環表面緊貼塑封體上部表面，晶片的磁感應面距離磁環表面的尺寸也有0.9～1.05毫米，霍爾元件的實際應用靈敏度較小等的技術問題。包括連接在一起的塑封體上部與塑封體下部，其特征在于所述的塑封體上部與塑封體下部的內部連接有霍爾元件晶片，霍爾元件晶片連接有管腳，管腳伸出塑封體上部與塑封體下部之外，霍爾元件晶片的厚度為0.2～0.35mm，霍爾元件晶片的磁感應面與塑封體上部表面之間的距離d<sub>1</sub>為0.25～0.6mm。
文檔編號H01L23/48GK201392849SQ200920300899
公開日2010年1月27日 申請日期2009年2月26日 優先權日2009年2月26日
發明者陳占勝 申請人:浙江博杰電子有限公司