專利名稱：同軸射頻電纜的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種低損耗同軸射頻電纜，特別適用于高頻大功率傳輸使用。
背景技術：
目前我國在耐高溫射頻電纜加工時，絕緣材料采用實芯聚四氟乙烯絕緣，采用常 溫推擠加工形式，由于絕緣層材料為實芯形式，介電常數為2. 2左右，介電常數較大，同時 損耗就大，使用頻率不高。
發明內容鑒于現有技術存在的不足，本實用新型提供了一種低損耗同軸射頻電纜，降低了 絕緣材料的介電常數，降低了信號傳輸衰減，提高了電纜的傳輸功率。 本實用新型為實現上述目的，所采用的技術方案是一種同軸射頻電纜，包括內導 體、鍍銀銅線編織外導體，其特征在于所述內導體與鍍銀銅線編織外導體之間設有一層微 孔聚四氟乙烯薄膜絕緣層，所述微孔聚四氟乙烯薄膜絕緣層為繞包結構。 本實用新型的特點是，由于電纜的絕緣層采用微孔聚四氟乙烯薄膜繞包形式，介 電常數為1. 5左右，從而達到低損耗、高傳輸頻率；同時減小了電纜的整體外徑，電纜衰減 小，電纜功率提高。
圖1是本實用新型電纜截面結構示意圖并作為摘要附圖。
具體實施方式
如圖1所示，DSFF-50-3同軸射頻電纜，包括鍍銀銅線內導體1、以及在內導體1外 依次繞包一層微孔聚四氟乙烯薄膜絕緣層2、編織一層鍍銀銅線編織外導體3、擠包一層護 套4。
權利要求一種同軸射頻電纜，包括內導體(1)、鍍銀銅線編織外導體(3)，其特征在于所述內導體(1)與鍍銀銅線編織外導體(3)之間設有一層微孔聚四氟乙烯薄膜絕緣層(2)，所述微孔聚四氟乙烯薄膜絕緣層(2)為繞包結構。
專利摘要本實用新型涉及一種同軸射頻電纜，包括內導體、鍍銀銅線編織外導體，內導體與鍍銀銅線編織外導體之間設有一層微孔聚四氟乙烯薄膜絕緣層，微孔聚四氟乙烯薄膜絕緣層為繞包結構。本實用新型的特點是，由于電纜的絕緣層采用微孔聚四氟乙烯薄膜繞包形式，介電常數為1.5左右，從而達到低損耗、高傳輸頻率；同時減小了電纜的整體外徑，電纜衰減小，電纜功率提高。
文檔編號H01P3/06GK201508896SQ20092022089
公開日2010年6月16日 申請日期2009年9月27日 優先權日2009年9月27日
發明者史衛箭, 吳延泊, 張健男, 楊光, 蔣寶軍, 馬建良 申請人:天津安訊達科技有限公司