專利名稱：一種溫度補償衰減片的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種微波射頻領域內使用的標準元器件，尤其涉及一種溫度補償
衰減片。
背景技術：
高頻及微波有源器件的溫度特性會跟隨外圍環境溫度的變化產生漂移，如高頻及 微波功率放大器，其增益會跟隨溫度的變化而變化，功率放大器的輸出功率也相應地發生 變化，進而影響整個系統的特性指標。
實用新型內容本實用新型的目的在于提供一種用于高頻及微波領域中的溫度補償衰減片。 本實用新型所采用的技術方案為一種溫度補償衰減片，包括陶瓷基體；導體漿 料形成的輸入端、輸出端和接地端連接在所述陶瓷基體上；電阻漿料形成的膜狀電阻包括 第一、第二和第三膜狀電阻，所述第一膜狀電阻電連接于所述輸入端和輸出端之間，所述第 二膜狀電阻電連接于所述輸入端和接地端之間，所述第三膜狀電阻電連接于所述輸出端和 接地端之間；所述膜狀電阻上連接有介質漿料形成的封蓋層。 優選地，所述第一膜狀電阻與所述輸入端和輸出端為面接觸；所述第二膜狀電阻 與所述輸入端和接地端之間為面接觸；所述第三膜狀電阻與所述輸出端和接地端之間為面 接觸。 優選地，所述輸入端和輸出端均有兩條相交的直角邊與所述陶瓷基體的外邊緣平 齊，所述接地端有三條直角邊與所述陶瓷基體的外邊緣平齊。 優選地，所述第一、第二和第三膜狀電阻均有一條邊與所述陶瓷基體的外邊緣平齊。 優選地，所述第一、第二和第三膜狀電阻之間彼此不相接觸。 優選地，所述第一膜狀電阻與第二和第三膜狀電阻的溫度系數相反。 本實用新型的有益效果為利用電阻漿料形成的膜狀電阻，形成一種寬頻帶的衰
減量隨溫度變化而變化的溫度補償衰減片，通過將該溫度補償衰減片接入高頻或者微波有
源電路中，可以補償由于溫度變化而帶來的高頻或者微波有源器件的增益的變動，可以在
溫度變化較大的環境內保證高頻或者微波有源器件的頻率特性。
圖1為本實用新型所述溫度補償衰減片的爆炸結構示意圖； 圖2為本實用新型所述溫度補償衰減片的內部連接關系示意圖； 圖3為本實用新型所述溫度補償衰減片的封蓋層的位置關系示意圖。
具體實施方式現結合附圖對本實用新型的具體實施方式
進行詳細的說明。[0015] —種溫度補償衰減片，如圖l所示，包括陶瓷基體4。導體漿料形成的連接端3包 括如圖2所示的輸入端31、輸出端31和接地端33，連接端3連接在所述陶瓷基體4上。電 阻漿料形成的膜狀電阻2包括如圖2所示的第一膜狀電阻21、第二膜狀電阻23和第三膜狀 電阻22，所述第一膜狀電阻21電連接于所述輸入端32和輸出端31之間，所述第二膜狀電 阻23電連接于所述輸入端32和接地端33之間，所述第三膜狀電阻22電連接于所述輸出 端31和接地端33之間。所述膜狀電阻3上連接有介質漿料形成的封蓋層1。 如圖2所示，所述第一膜狀電阻21與所述輸入端32和輸出端31可以為面接觸； 所述第二膜狀電阻23與所述輸入端32和接地端33之間可以為面接觸；所述第三膜狀電阻 22與所述輸出端31和接地端33之間可以為面接觸。 如圖2所示，所述輸入端32和輸出端31可以均有兩條相交的直角邊與所述陶瓷
基體4的外邊緣平齊，所述接地端33可以有三條直角邊與所述陶瓷基體4的外邊緣平齊，
在輸入端32、輸出端31和接地端33在陶瓷基體4上形成一個倒"T"形間隙。 所述第一膜狀電阻21、第二膜狀電阻23和第三膜狀電阻22之間彼此不相接觸，即
不相連通。 所述第一膜狀電阻21、第二膜狀電阻23和第三膜狀電阻22可以均有一條邊與所 述陶瓷基體4的外邊緣平齊。 所述第一膜狀電阻21與第二膜狀電阻23和第三膜狀電阻22的溫度系數相反，如 第一膜狀電阻21為負溫度系數，而第二膜狀電阻23和第三膜狀電阻22為正溫度系數，如 此可以提供較強的隔離度。 如圖3所示，所述封蓋層1可以完全覆蓋所述的膜狀電阻2，起到保護作用，而輸入 端32、輸出端31和接地端33均有一部分裸露在外。 綜上所述僅為本實用新型較佳的實施例，并非用來限定本實用新型的實施范圍。 即凡依本實用新型申請專利范圍的內容所作的等效變化及修飾，皆應屬于本實用新型的技 術范疇。
權利要求一種溫度補償衰減片，包括陶瓷基體；其特征在于，導體漿料形成的輸入端、輸出端和接地端連接在所述陶瓷基體上；電阻漿料形成的膜狀電阻包括第一、第二和第三膜狀電阻，所述第一膜狀電阻電連接于所述輸入端和輸出端之間，所述第二膜狀電阻電連接于所述輸入端和接地端之間，所述第三膜狀電阻電連接于所述輸出端和接地端之間；所述膜狀電阻上連接有介質漿料形成的封蓋層。
2. 根據權利要求1所述的一種溫度補償衰減片，其特征在于所述第一膜狀電阻與所 述輸入端和輸出端為面接觸；所述第二膜狀電阻與所述輸入端和接地端之間為面接觸；所 述第三膜狀電阻與所述輸出端和接地端之間為面接觸。
3. 根據權利要求1所述的一種溫度補償衰減片，其特征在于所述輸入端和輸出端均 有兩條相交的直角邊與所述陶瓷基體的外邊緣平齊，所述接地端有三條直角邊與所述陶瓷 基體的外邊緣平齊。
4. 根據權利要求l所述的一種溫度補償衰減片，其特征在于所述第一、第二和第三膜 狀電阻均有一條邊與所述陶瓷基體的外邊緣平齊。
5. 根據權利要求1所述的一種溫度補償衰減片，其特征在于所述第一、第二和第三膜 狀電阻之間彼此不相接觸。
6. 根據上述權利要求中任一項所述的一種溫度補償衰減片，其特征在于所述第一膜 狀電阻與第二和第三膜狀電阻的溫度系數相反。
專利摘要本實用新型公開了一種溫度補償衰減片，屬于微波射頻領域內使用的標準元器件，包括陶瓷基體；導體漿料形成的輸入端、輸出端和接地端連接在所述陶瓷基體上；電阻漿料形成的膜狀電阻包括第一、第二和第三膜狀電阻，所述第一膜狀電阻電連接于所述輸入端和輸出端之間，所述第二膜狀電阻電連接于所述輸入端和接地端之間，所述第三膜狀電阻電連接于所述輸出端和接地端之間；所述膜狀電阻上連接有介質漿料形成的封蓋層。本實用新型所述溫度補償衰減片可以補償由于溫度變化而帶來的高頻或者微波有源器件的增益的變動，可以在溫度變化較大的環境內保證高頻或者微波有源器件的頻率特性。
文檔編號H01P1/22GK201490310SQ20092016329
公開日2010年5月26日 申請日期2009年7月2日 優先權日2009年7月2日
發明者劉汛 申請人:深圳市禹龍通電子有限公司