專利名稱：F接栓絕緣體的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種能夠使電子調諧器的回流焊接溫度提高到245t:以上的電子
調諧器信號輸入的F接栓絕緣體，屬電子調諧器接插件制造領域。
背景技術：
目前，F接栓絕緣體在結構設計上，絕緣體A與絕緣體B接合面呈平面結合7，見附 圖4。其不足之處絕緣體A與絕緣體B相接處無法形成密封結合，經高溫后，其絕緣體表 面產生活化，無法通過1500伏的耐電壓測試，在達到1400伏時，其絕緣體即被擊穿，擊穿部 位在絕緣體A與絕緣體B接合處，造成F接栓絕緣體無法達到行業標準，不能使用。
發明內容設計目的避免背景技術中的不足之處，設計一種使F接栓絕緣體仍經245°C高溫 后能達到和超過行業標準X的F接栓絕緣體。 設計方案為了實現上述設計目的。F接栓絕緣體中的A體和B體接合處呈凹凸 密封插接配合，是本實用新型的主要技術特征。這樣做的目的在于F接栓絕緣體中的A體 和B體的接合處呈凹凸插接配合，不僅加大了 A體和B體的密封接合面，更重要的是密封強 度高，它能夠有效地隔絕空氣，使A體和B體的密封接合面不會產生活化，能夠承受2000伏 以上的耐電壓測試。 技術方案F接栓絕緣體，它包括F接栓體，所述F接栓絕緣體中的A體和B體接 合處呈凹凸密封插接配合。 本實用新型與背景技術相比，由于F接栓絕緣體中的A體和B體接合處呈凹凸密 封插接配合，不僅極大地提高了 F接栓絕緣體中的A體和B體接合處的密封強度，而且從根 本上避免了 A體和B體接合處易被活化的不足，從而使F接栓絕緣體中的A體和B體密封 接合處能夠承受2000伏以上的耐電壓測試，達到和超過行業標準。
圖1是F接栓絕緣體的剖視結構示意圖。 圖2是B體的結構示意圖。 圖3是A體的結構示意圖。 圖4是背景技術的結構示意圖。
具體實施方式實施例1 :參照附圖1 4。 F接栓絕緣體，它包括F接栓體l，所述F接栓絕緣體 中的A體3和B體2接合處呈凹凸密封插接配合4。所述A體與B體的接合處呈外凸內凹 臺階狀結構5， B體與A體的接合處呈外凹內凸臺階狀結構6。 實施例2 :在實施例1的基礎上，所述A體與B體的接合處呈外凹內凸臺階狀結構，B體與A體的接合處呈外凸內凹臺階狀結構。 需要理解到的是上述實施例雖然對本實用新型作了比較詳細的文字描述，但是 這些文字描述，只是對本實用新型設計思路的簡單文字描述，而不是對本實用新型設計思 路的限制，任何不超出本實用新型設計思路的組合、增加或修改，均落入本實用新型的保護 范圍內。
權利要求一種F接栓絕緣體，它包括F接栓體(1)，其特征是所述F接栓絕緣體中的A體(3)和B體(2)接合處呈凹凸密封插接配合(4)。
2. 根據權利要求1所述的F接栓絕緣體，其特征是所述A體與B體的接合處呈外凸 內凹臺階狀結構(5)，B體與A體的接合處呈外凹內凸臺階狀結構(6)。
3. 根據權利要求2所述的F接栓絕緣體，其特征是所述A體與B體的接合處呈外凹 內凸臺階狀結構，B體與A體的接合處呈外凸內凹臺階狀結構。
專利摘要本實用新型涉及一種能夠使電子調諧器的回流焊接溫度提高到245℃以上的電子調諧器信號輸入的F接栓絕緣體，它包括F接栓體，所述F接栓絕緣體中的A體和B體接合處呈凹凸密封插接配合。優點由于F接栓絕緣體中的A體和B體接合處呈凹凸密封插接配合，不僅極大地提高了F接栓絕緣體中的A體和B體接合處的密封強度，而且從根本上避免了A體和B體接合處易被活化的不足，從而使F接栓絕緣體中的A體和B體密封接合處能夠承受2000伏以上的耐電壓測試，達到和超過行業標準。
文檔編號H01B17/56GK201465679SQ20092012338
公開日2010年5月12日 申請日期2009年6月23日 優先權日2009年6月23日
發明者吳蘇云 申請人:杭州聯盛電子有限公司