專利名稱：臺面型晶閘管浪涌抑制器芯片的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種微型半導體器件，尤其與晶閘管浪涌抑制器芯片有關。
背景技術：
現有的晶閘管浪涌抑制器芯片分為平面型和臺面型，平面型管芯是利用二 氧化硅或氣相沉積形成的絕緣層作為鈍化層，臺面型管芯是在芯片四周挖槽，
使主PN結暴露于槽壁，槽壁用玻璃覆蓋，平面工藝使用的硅基片為拋光片，釆 用擴散或離子注入實現雜質的摻雜，存在著工藝復雜，制造成本高等不足。
發明內容
本實用新型的目的是提供一種結構合理，工藝簡單，制造成本低廉的臺面 型晶閘管浪涌抑制器芯片。
為達到上述目的，本實用新型是通過以下技術方案實現的。臺面型晶閘管 浪涌抑制器芯片，包括硅基片，短基區及發射區，在硅基片的邊緣設有臺面， 在臺面上還覆蓋有高溫玻璃，硅基片采用研磨片。
所述的臺面型晶閘管浪涌抑制器芯片，其發射區圖形采用化學腐蝕法形成。
所述的臺面型晶閘管浪涌抑制器芯片，其短基區及發射區均采用疊片式高 溫擴散實現，芯片表面鍍鎳。
本實用新型由于釆用了上述技術方案，與現有技術相比具有以下優點 (一)是使用的硅基片采用研磨片而不用雙面拋光片大幅度降低了原材料成本；(二)是發射區采用疊片式高溫擴散方法實現，比采用離子注入方式工藝 簡單，設備成本低廉；(三)是結構布置合理，使用可靠。
圖1是本實用新型臺面型晶閘管浪涌抑制器芯片的主視結構示意圖。
圖2是本實用新型臺面型晶閘管浪涌抑制器芯片的側視結構示意圖。
具體實施方式
以下結合附圖對本實用新型的實施例作進一步詳細的描述。 實施例l:如圖1及圖2所示，臺面型晶閘管浪涌抑制器芯片，包括硅基片 4,短基區1及發射區2,在硅基片4的邊緣設有臺面3，在臺面3上還覆蓋有 高溫玻璃5，硅基片4采用研磨片，發射區2圖形采用化學腐蝕法形成，短基區 l及發射區2均采用疊片式高溫擴散實現，芯片表面鍍鎳。本實用新型臺面型晶
實施例2:如圖1及圖2所示，在N型硅基片4兩面對稱擴散P型短基區1, 再用同樣方法在短基區1上摻入比N型硅基片4濃度更高的N型雜質，在短基 區1上形成N+型導電層2和發射結，利用光刻技術和化學腐蝕法將部分發射區 除去以形成符合實際要求的發射區圖形，然后用光刻、化學腐蝕方法形成臺面3, 并在臺面3四周做一層高溫玻璃5使主結與外界隔離，最后，利用本行業通用
的化學鍍鎳方法完成表面金屬化，其余同實施例l。
權利要求1、一種臺面型晶閘管浪涌抑制器芯片，包括硅基片(4)，短基區(1)及發射區(2)，其特征在于在硅基片(4)的邊緣設有臺面(3)，在臺面(3)上還覆蓋有高溫玻璃(5)，硅基片(4)采用研磨片。
2、 根據權利要求1所述的臺面型晶閘管浪涌抑制器芯片，其特征在于發射區 (2)圖形釆用化學腐蝕法形成。
3、 根據權利要求1或2所述的臺面型晶閘管浪涌抑制器芯片，其特征在于短 基區(1)及發射區(2)均采用疊片式高溫擴散實現，芯片表面鍍鎳。
專利摘要本實用新型公開了一種臺面型晶閘管浪涌抑制器芯片。它包括硅基片，短基區及發射區，在硅基片的邊緣設有臺面，在臺面上還覆蓋有高溫玻璃，硅基片采用研磨片。本實用新型具有結構合理，可靠性好，制造成本低廉等優點。
文檔編號H01L27/082GK201360004SQ20092011407
公開日2009年12月9日 申請日期2009年2月20日 優先權日2009年2月20日
發明者保愛林, 謝曉東, 鄧愛民 申請人:紹興旭昌科技企業有限公司