處理半導體晶片的方法

專利名稱：處理半導體晶片的方法
技術領域：
本發明涉及一種用含氟化氫的溶液處理半導體晶片、干燥并隨后用含臭氧氣體對
半導體晶片的表面進行氧化的方法。
背景技術：
已經有一系列用于清潔半導體晶片，如硅晶片的清潔方法被開發出來。所述清潔 方法之一是基于用氟化氫(HF)水溶液，隨后用臭氧(03)處理晶片表面。在用HF處理期間， 從表面上去除原生氧化層。通過臭氧處理在其上形成新的氧化層。從而可以從晶片表面去 除牢固附著的顆粒和其他雜質。在HF中的酸性處理也可以非常有效地從晶片表面去除金 屬離子。 US5714203說明了一種方法，其中將硅晶片從充滿HF溶液的液體容器中直接移至 臭氧氣體氣氛中。在此情況下，硅晶片在HF溶液中完全不含表面氧化物，當將硅晶片移至 臭氧氣氛中時，硅晶片同時被干燥和親水化，也就是說在表面上產生新的氧化層。因此，在 液體容器外部的硅表面一直被氧化層保護。所述方法的缺點在于，當使用具有不同清洗液 的完全浴清洗裝置時，其僅能使用一次或很少幾次，因為不然的話，加工成本太高(額外的 罐和累積的加工時間的成本)。在硅晶片的直徑大于300mm時，所述成本劣勢甚至更加顯 著。另一個劣勢在于在所述方法中，發生不期望的氟與硅表面的結合。而且，所述方法導致 微粗糙度的上升，以及霧狀缺陷和光散射缺陷(稱為"局部光散射"，LLS)的產生。

發明內容
本發明基于如下目的，即提供一種改善的使用氟化氫溶液和臭氧的清潔方法，其
不會導致氟與半導體晶片的表面結合、微粗糙度的上升、以及霧狀缺陷和光散射缺陷的產
生，而且其特征在于——甚至經過多次應用——短加工次數和裝置的小空間需求。 所述目的通過一種處理半導體晶片的方法達到，其中半導體晶片 參在至少部分用含氟化氫的溶液填充的液體容器中處理，以使半導體晶片表面上
的氧化物溶解， 參沿輸送方向從所述溶液中輸出，并干燥，禾口 參干燥后，用含臭氧氣體處理，使得半導體晶片的表面氧化， 其中，一部分半導體晶片的表面已經與含臭氧氣體接觸，而另一部分半導體晶片 的表面仍舊與溶液接觸，并且溶液和含臭氧氣體是空間分離的，憑借此方式，它們不會彼此 接觸。 在依據本發明的方法中，用含有氟化氫并處于液體容器中的溶液處理半導體晶 片。在此情況下，半導體晶片或者可以完全浸入溶液中，或者可以通過溶液輸送。在后一種 情況下，或者全部半導體晶片可以同時與溶液接觸，或者在通過液體容器的輸送過程中，半 導體晶片的不同區域接連與溶液接觸，而在任何時候不存在半導體晶片與溶液完全接觸。
液體容器可以配有改善清潔效力的輔助方式
液體容器可以含有用于引入兆聲波(megaso皿d)的裝置，即所謂的傳感器。兆聲 波支持清潔效力。在輸送方向和兆聲波傳播方向間的夾角優選設置為90。 -170° ，以抵 消半導體晶片的傳輸方向上的顆粒的裹挾。兆聲波以90。角垂直于輸送方向傳播，以及以 170°的角度很大程度對抗輸送方向，盡管仍有少量組分垂直于輸送方向，并因而垂直于半 導體晶片的表面。 還提供一種改變的方案，用于在液體容器中產生和引入不同尺寸和密度的氣泡。 這可以借助于混合液體和氣體的泵達到，或可以借助于微氣泡發生裝置(所謂微氣泡器) 達到。與半導體晶片的輸送方向相反的氣泡的運動是有利的。 而且，設定溶解在液體容器中的液體的氣體量是有利的，為此，可以使用用于引入 氣體(例如氧氣或氮氣)或用于脫氣的裝置。 所有上述用于進一步改善清洗效力的方法可以在半導體的前側或后側實施，但是 特別優選在兩側實施。 溶液優選是氟化氫的水溶液(氫氟酸)。如果半導體晶片由硅構成，氟化氫的濃 度優選O. 1_1重量％ (重量百分比)。溶液還可以含有其他成分。特別優選添加氯化氫 (HC1)，優選濃度為0. 2-5重量％ ，特別優選1-2重量％ 。這是有效的，例如，鐵能更好地從 表面除去，銅不會再被表面吸附。總之，氯化氫的添加可以達到更有效的金屬清潔。溶液優 選不含表面活性劑。 在將半導體晶片從氟化氫溶液中移出后，直接將其干燥，這可以通過在傾斜狀態 下輸送達到。在此情況下，憑借重力，溶液從晶片表面流走。也可以從氟化氫溶液中垂直抽 出半導體晶片，以使在抽出半導體晶片期間，溶液從半導體晶片的表面完全流走，而無需實 施其他干燥方法。 然而，優選借助由一個或多個噴嘴在半導體晶片的表面的流動方向供給的氣體來 干燥半導體晶片。為此優選使用惰性氣體(例如氮氣或，諸如氬氣的惰性氣體，或其混合 物)；特別優選氮氣(N》，因為實用性和成本。氣體例如借助垂直于輸送方向安裝的一系列 噴嘴供給，其具有足夠的密度以完全干燥。例如，所謂的扁平射流噴嘴是適合的。也可以使 用垂直于輸送方向排列的連續狹縫。如果必要，可以在輸送方向上一個挨著一個安裝多個 系列的噴嘴，或多個狹縫，以達到更好的干燥效力。氣流方向和晶片輸送方向間的角度優選 設置為90° (垂直)-180° (反平行)，特別優選112。 -135° ，以更有效地排除溶液。特 別高的氣流速率是不必要的，因為液體可以容易地在疏水表面上移動。另外，也可以通過抽 氣機提供氣體的抽出。 也可以通過一個或多個噴嘴將含臭氧氣體以朝向半導體晶片的表面的流動供給 至類似的方式。這同樣是優選的。作為可選的，代替大量狹縫噴嘴或大量系列的噴嘴，還可 以使用在輸送方向上可見的較長的開口，以增加臭氧對晶片表面的補給，從而達到更有效 的氧化。 含臭氧氣體優選位于通過分隔物實現空間分離的區域。在此情況下，將干燥形態 的半導體晶片沿輸送方向通過分隔物的開口輸送進所述區域。開口優選僅僅略微大于在輸 送方向上可見的半導體晶片的最大橫截面，以使通過開口的臭氧的擴散或對流最小化。
優選實施額外的方法，以防止臭氧滲透進液體容器和氟化氫溶液仍舊處于晶片表 面的區域。例如，當用氣體噴嘴干燥時，所述噴嘴安在液體容器和分隔物間。可以提供至少(和優選除了與晶片輸送方向相反方向的噴嘴) 一系列產生開口方向的氣體流動的噴 嘴或狹縫噴嘴，以使氣體通過開口流入含臭氧空間區域，而反之不能如此。例如，通過所述 噴嘴產生的氣流可以形成與晶片輸送方向成O。(平行)-90° (垂直)的角度，其中優選 22° -67°的角度。如果一系列垂直于晶片輸送方向安裝的噴嘴或狹縫噴嘴同樣用于供給
含臭氧氣體，那么其安裝在分隔物的另一側，優選以不產生朝向開口方向的氣體的方式定 位。例如，通過所述噴嘴產生的氣流同樣形成與晶片輸送方向成O。(平行)-90° (垂直) 的角度，其中優選22。
-67°的角度。 另外，含臭氧氣體和氟化氫溶液的分離可以借助抽氣機對兩種氣體(例如用于干 燥的氣體和用于親水化的含臭氧氣體)進行適合的提取。因此，例如通過抽氣機提取含臭 氧氣體，可以用更高的真空壓力實施。 在依據本發明的方法中，在空間上分離的區域內進行用氟化氫溶液處理和用含臭 氧氣體處理。當所述區域已被完全干燥并不再有任何氟化氫溶液在其上時，半導體晶片的 表面的每個區域僅與臭氧接觸。已經發現，當氟化氫和臭氧同時作用在表面上時，氟與半導 體晶片的表面結合。因此，氟與晶片表面的結合可以通過依據本發明的氟化氫溶液和含臭 氧氣體的空間分離而可靠地避免。 另外還發現，如果臭氧溶解在氟化氫溶液中，半導體晶片可以被局部蝕刻，因為臭
氧和氟化氫的同時作用導致不僅去除了氧化層，而且去除了半導體材料本身。當臭氧和氟
化氫混合在一起時，常常產生局部不同的氧化和氧化物去除率，因此增加了微粗糙度，并產
生霧化缺陷和光散射缺陷。所述問題也可以通過臭氧和氟化氫的空間分離解決。 如果存在高臭氧濃度，兩種風險都會特別高，然而對于有效親水化，這是期望的。
例如，借助臭氧發生器產生200升/小時的臭氧氣流和80-100g/m3的臭氧氣體濃度。如果
使用相當長時間的氟化氫溶液，所述問題會被額外強化，因為越來越多的臭氧隨著時間溶
解在溶液中。然而，出于成本原因，相當長的使用是期望的。盡管有臭氧和氟化氫的空間隔
離，本發明允許高臭氧濃度的使用和氟化氫溶液的相當長使用，例如用溶液的過濾和再循環。 盡管有氟化氫溶液和含臭氧氣體的空間隔離，所有的方法步驟在非常狹窄的區域 內發生，因此當半導體晶片從氟化氫溶液中輸送出時，晶片表面的第一 (干燥)區域已經與 含臭氧氣體接觸，而晶片表面的其他區域仍舊與氟化氫溶液接觸。用所述方式可以同時得 到多重效果 半導體晶片的干燥表面為疏水性并因而對用顆粒重新污染非常敏感的持續時間 非常短，優選l-5秒。疏水表面再被顆粒污染的風險因此很低。結果，顆粒清潔效率上升。 加工持續時間非常短，這改善了本方法的經濟可行性。用于實施所用方法的裝置可以以極 端節省空間的方式實現。這再次導致本方法的改善的經濟可行性。甚至重復應用本方法， 加工持續時間和空間需求不會增加到如此大的程度，以至于本方法不再能經濟地實施。


圖1顯示用于依據第二個優選實施方案的半導體晶片的處理的裝置的水平截面。
圖2顯示圖1的裝置沿長軸方向的垂直截面。 圖3顯示用于依據第一個優選實施方案的半導體晶片的處理的裝置的垂直截面。
具體實施例方式
本發明的優選實施方案描述如下 圖3圖解說明了本發明的第一實施方案。在此情況下，單個半導體晶片5，優選垂 直放置，浸入用含有氟化氫的溶液91填充的液體容器11中。而后從溶液91中抽出半導體 晶片5，優選垂直于輸送方向81，以使在其抽出期間，溶液91完全從半導體晶片的表面去 除，無需實施其他干燥方式，這是優選的。所述程序與US5714203 —致。另一方面，優選實 施防止臭氧與氫氟酸溶液接觸的額外方法。所述方法進一步說明如下。
如果必要，在此實施方案中，也可以通過一個或多個噴嘴35向半導體晶片5的表 面方向的流動中供給氣體92，以有助于干燥半導體晶片5。例如借助于一個或多個系列的 垂直于輸送方向81排列的噴嘴、或一個或多個連續狹縫噴嘴供給氣體92。優選氣流方向與 晶片輸送方向81間的角度設置為90。(垂直)-180° (反平行)，特別優選112。 -135° ， 以更有效地排除溶液。另外，也可以通過抽氣機抽取氣體92。 優選通過一個或多個噴嘴36以導向半導體晶片5表面的流動方向供給含臭氧氣 體93。為此，也可以使用一個或多個系列的垂直于輸送方向81排列的噴嘴，或一個或多個 連續狹縫噴嘴。作為可選，用于代替多個狹縫或多個系列的噴嘴，也可以使用在輸送方向81 上可見的更長的開口 ，以增加對晶片表面的臭氧供應，從而達到更有效的氧化。
優選將含臭氧氣體93處于通過水平布置的隔離物33空間分離的區域內。在此情 況下，通過隔離物33中的開口 34，沿輸送方向81，將干燥狀態的半導體晶片5輸送進所述 區域內。開口 34優選僅略微大于在輸送方向81上可見的半導體晶片5的最大橫截面，以 使穿過開口 34的臭氧的擴散或對流最小化。在此實施方案中，隔離物33可以或者同時構 成液體容器ll的上部邊界(蓋)，或者另外安裝在液體容器ll的上部邊界上。圖3圖解說 明了后一方案。用于供給含臭氧氣體93的噴嘴36在任何情況下安裝在隔離物33之上，優 選直接安裝在其上。 優選的，如上所述通常用于本發明，實施另外的方法以防止臭氧穿過液體容器并 進入氟化氫溶液仍然處于晶片表面之上的區域。 在圖1和2圖解說明的第二、特別優選實施方案中，所用的液體容器11在兩個相 對的側壁上具有進口 31和出口 32，分別位于氟化氫溶液91的表面之下。在EP817246A2中 描述了所述類型的液體容器。液體容器11可以或者完全或者僅部分用氟化氫溶液91充填。 用輸送裝置21、22沿輸送方向81將半導體晶片5輸送通過液體容器11。特別的，通過第一 輸送裝置21沿輸送方向81將半導體晶片5輸送至液體容器11的進口 31，并通過所述開口 進入液體容器11。而后從進口 31穿過液體容器ll輸送至出口 32，最后，通過第二輸送裝 置22沿輸送方向81從液體容器11的進口 32輸出。 為了確保含臭氧氣體93和氟化氫溶液91的可靠分離，優選確保氟化氫溶液91不 會穿過出口 32排出。因此，出口 32優選僅略微大于在輸送方向81上可見的半導體晶片5 的最大橫截面。而且，優選以基本上水平位置輸送半導體晶片5。在此情況下，進口31和出 口 32是基本上水平布置的狹縫，其高度優選略微大于半導體晶片5的厚度，其長度略微大 于半導體晶片5的寬度。在出口 32水平布置的情況下，可以更容易避免氟化氫溶液91的 排出。
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另外，可以實施EP817246A2中描述的方法，以防止氟化氫溶液91從出口 32排出， 并確保干燥狀態的半導體晶片5從液體容器11中排出。 這優選通過用一個或多個噴嘴向半導體晶片5的表面方向的流動中供給氣體92 完成，以有助于干燥半導體晶片5。例如借助于一個或多個系列的垂直于輸送方向81排列 的噴嘴、或一個或多個連續狹縫噴嘴供給氣體92 (如圖1所示)。優選氣流方向與晶片輸送 方向81間的角度設置為90。(垂直)-180° (反平行)，特別優選112。 -135° ，以更有效 地排除溶液。噴嘴35優選安裝在接近出口 32的方向。另外，也可以通過抽氣機抽取氣體 92。 還優選通過一個或多個噴嘴36以導向半導體晶片5表面的流動方向供給含臭氧 氣體93。為此，也可以使用一個或多個系列的垂直于輸送方向81排列的噴嘴，或一個或多 個連續狹縫噴嘴(如圖1所示)。 優選將含臭氧氣體93處于通過水平布置的隔離物33空間分離的區域內。在此情 況下，通過隔離物33中的開口 34，沿輸送方向81，將干燥狀態的半導體晶片5輸送進所述 區域內。開口 34優選僅略微大于在輸送方向81上可見的半導體晶片5的最大橫截面，以 使穿過開口 34的臭氧的擴散或對流最小化。在所述實施方案中，隔離物33可以安裝在除 了液體容器11的側邊以外的其他邊界上。用于供給含臭氧氣體93的噴嘴36在任何情況 下安裝在隔離物33的遠離液體容器11的一側。如果適當的話，用于協助干燥半導體晶片 5的噴嘴35在任何情況下安裝在液體容器11的側邊和隔離物33之間。
優選實施額外的方法，以防止臭氧穿進液體容器11和氟化氫溶液91仍舊處于半 導體晶片5表面的區域。例如，當用氣體噴嘴干燥時，所述噴嘴安在液體容器和分隔物間。 可以提供至少，和優選除了與晶片輸送方向相反方向的噴嘴35，一系列產生開口 34方向的 氣體92流動的噴嘴或狹縫噴嘴(未圖解說明)，以使氣體92通過開口 34流入含臭氧空間 區域，而反之不能如此。例如，通過所述噴嘴產生的氣流可以形成與輸送方向81成0。(平 行)-90° (垂直)的角度，其中優選22。 -67°的角度。如果一系列垂直于輸送方向81安 裝的噴嘴36或連續狹縫噴嘴36同樣用于供給含臭氧氣體93，那么其安裝在分隔物33的 另一側，優選以不產生朝向開口 34方向的含臭氧氣體93的方式定位。例如，通過所述噴 嘴36產生的氣流同樣形成與晶片輸送方向成0。(平行)-90° (垂直)的角度，其中優選 22° -67°的角度。通過抽氣機對含臭氧氣體93的適當的提取同樣可以避免含臭氧氣體 93通過隔離物33中的開口 34擴散或對流。 優選在液體容器11中產生與輸送方向81相反的氟化氫溶液流，以抵消將顆粒向 液體容器11的出口 32的裹挾。這可以通過相應的液體容器11中的定位噴嘴(未圖解說 明)達到。 另外優選氟化氫溶液91通過進口 31流出或在進口 31附近流進液體容器11。在 此情況下，其可以收集、過濾并返回液體容器11。如果多重液體容器連成系列，優選每個液 體容器單獨收集氟化氫溶液，過濾并返回至相應液體容器中。圖2示意性地圖解說明了一 種相關收集槽64，用于收集從液體容器11中排出的氟化氫溶液91。氟化氫溶液91可以從 收集槽64中引入到供給容器61中，并通過泵62和過濾器63返回至液體容器11中。通過 過濾和返回，顆粒濃度可以保持長時間的低水品。每個液體容器單獨收集、過濾和返回是有 利的，因為這樣的話，可以在半導體晶片穿過的最后液體容器中保持特別低的顆粒和金屬濃度。從而可以延長填充的液體的使用壽命，直道氟化氫溶液91被再次完全交換，而不會 削弱清潔效果。相反，給定完全交換的相同的時間間隔，清潔效果可以改善。
垂直于半導體晶片5的輸送方向測量的液體容器11的寬度優選大于沿輸送方向 81測量的其長度。特別的，規定液體容器11的尺寸以使其寬度大于在此處理的半導體晶片 5的寬度，以使半導體晶片5按照液體容器11的寬度找到空間。相反，沿半導體晶片5的輸 送方向81的液體容器11的長度優選小于半導體晶片5的長度，以使半導體晶片在其長度 方向上可以從不完全處于液體容器11之中。如果半導體晶片5基本上是圓的，半導體晶片 5的"長度"和"寬度"在各自情況下應該等于其直徑。 所述優選的尺寸關系使得依據液體容器11中排列的引導元件分配成為可能，因 為穿過液體容器11輸送的半導體晶片5可以在任何時間通過與液體容器11相鄰的兩個輸 送裝置21、22的至少一個進一步控制和輸送。 在本方法的開始，從例如盒子中取出半導體晶片5，置于第一輸送裝置21上。優選 通過機器人自動操作。而后優選通過第一輸送裝置21垂直于輸送方向81安裝，并沿輸送 方向81輸送至第一液體容器11的進口 31，穿過所述進口進入第一液體容器11中。
當半導體晶片5從進口 31穿過液體容器11輸送到出口 32時，其處于液體容器11 中的部分優選只與氟化氫溶液91接觸，因為液體容器11優選不含支持半導體晶片的導元 素，從而在某處將其與氟化氫溶液91屏蔽。當如上所述，液體容器11比輸送方向81上可 見的半導體晶片5小時，上述情況是可能的，因此半導體晶片5在輸送過液體容器11期間， 可以在任何時間通過第一 21或第二輸送裝置22或通過兩者垂直于輸送方向81安裝，并進 一步沿輸送方向81同時輸送。當半導體晶片5輸送過液體容器11時，在其仍舊與第一輸 送裝置21接觸的情況下，其可以被第二輸送裝置22接受。位于液體容器ll的另一側的第 二輸送裝置22優選將半導體晶片5再次垂直于輸送方向81安裝，并沿輸送方向81從液體 容器11的出口 32輸出。如果存在第二液體容器，那么輸送裝置22將半導體晶片5輸送至 第二液體容器的進口，并穿過所述進口進入第二液體容器。 依據需要的清潔性能，在本發明的第二實施方案中，任何期望數量的清潔單元 (具有相應干燥裝置、含臭氧氣體的供給裝置和輸送裝置的液體容器)可以成系列連接，在 此，過大的數量對經濟可行性是有害的，并不能產生對清潔性能的明顯改善。清潔單元的數 量優選至少兩個，最多十個，特別優選4-8個同樣類型的清潔單元。如果使用多重清潔單 元，那么其沿半導體晶片通過其輸送過裝置的輸送方向排列。輸送路徑不必是直線；其通常 或在特定位置上可以是彎曲的。通過液體容器和在第一液體容器之前、分別兩個液體容器 之間和最后的液體容器之后的輸送裝置確定輸送路徑。表達"之前"和"之后"僅僅源自當 時的順序，半導體晶片沿所述順序輸送過單個的液體容器，但是其用于說明空間排列。
第二液體容器中的液體常常比第一液體容器中的液體更低程度地被顆粒和金屬 污染。在任何進一步的液體容器中，顆粒和金屬濃度進一步下降。由于，多次，去除半導體 晶片表面上的氧化層并重新產生新氧化層，從而從半導體晶片的表面去除全部更厚的層， 因此同樣改善了金屬純化。通過串聯至少兩個同樣類型的在兩個單獨的液體容器中實施的 清潔步驟，從而相比于在先工藝，可以顯著改善清潔效果，而方法持續時間完全沒有改變。 多重液體容器的串聯——不會明顯有損方法的經濟可行性——僅能通過本發明的所述實 施方案成為可能，因為，由于單個液體容器的小的長度，總共需要的空間不會增加或僅僅增加很小的程度。同時，單個液體容器的小的長度使在液體容器中無需導元素而輸送半導體 晶片成為可能。由于單獨處理半導體晶片，而且，不需要通過液體容器中的引導或控制裝置 屏蔽，因此清潔效力在此上升——不會增加處理持續時間或需要的空間。依據本發明的方 法可以連續操作，這對產量起正影響。而且，半導體晶片的前側和后側可以用相同的方式處理。 本實施方案的另一個優勢在于其也可以施加在具有300mm或更大的大直徑的半 導體晶片上，例如450mm，而未明顯增長加工持續時間。 所用的輸送裝置21、22優選是由適當的材料(例如聚乙烯醇，PVA)構成的輸送滾 輪，其優選在潮濕狀態下輕輕壓在半導體晶片5的兩側，并進一步借助馬達沿輸送方向81 移動。在本實施方案中，液體容器11 (或多重液體容器)優選形成小于半導體晶片5長度 的一半的尺寸，以使在液體容器11前后或多重液體容器之間的單獨的滾輪副(一個滾輪在 半導體晶片5之上，而另一個在其下)足夠在任何時間充分支持半導體晶片5，從而在液體 容器11中非接觸輸送半導體晶片5。所述實施方案在圖2中示例性圖解說明。輸送裝置也 可以包含兩個或多個滾輪副；然而，優選在每種情況下，在液體容器11前后或兩個單獨液 體容器之間，恰好使用一個滾輪副。每個輸送裝置的至少一個滾輪必須通過馬達驅動，以便 能夠輸送半導體晶片。輸送裝置的其他滾輪可以或者同樣通過馬達驅動并主動輸送半導體 晶片，或者可以不將其驅動，而僅僅垂直于輸送方向安裝半導體晶片。 可以使用其他輸送機制作為滾輪的替換。因此，半導體晶片也可以通過液體容器 兩側的機械鉗夾傳遞。也可以通過水墊輸送，在此情況下半導體晶片位于液膜上，借助噴嘴 前進。 當半導體晶片的(最后)氧化后，優選非接觸或至少以最小可能接觸面積移出半 導體晶片。因此，半導體晶片可以例如借助于所謂超聲鉗夾、借助于半導體晶片非接觸漂浮 的方式移出。 所有說明的輸送裝置類型可以以恒速或變速操作。半導體晶片優選以小間隔彼此 直接跟隨輸送。 本發明可以應用于所有半導體晶片的類型，用于多晶(multicrystalline)或聚 晶(polycrystalline)半導體晶片(例如用于光電用品)，同樣用于單晶半導體晶片(例如 微電子)。半導體晶片可以由任何期望的半導體材料構成，其被臭氧氧化，其氧化層用氟化 氫溶解，例如硅。
權利要求
一種處理半導體晶片(5)的處理方法，其中半導體晶片(5)●在至少部分用含氟化氫的溶液(91)填充的液體容器(11)中處理，以使位于半導體晶片(5)表面上的氧化物溶解，●沿輸送方向(81)從溶液(91)輸出，并干燥，以及●干燥后，用含臭氧氣體(93)處理，以使半導體晶片(5)的表面氧化，其中，半導體晶片(5)的一部分表面已經與含臭氧氣體(93)接觸，而半導體晶片(5)的另一部分表面仍舊與溶液(91)接觸，并且溶液(91)和含臭氧氣體(93)以不會彼此接觸的方式空間分離。
2. 權利要求l的方法，其中含臭氧氣體(93)位于通過分隔物(33)空間分離的區域內， 并且沿輸送方向(83)，穿過分隔物(33)的開口 (34)將干燥狀態的半導體晶片(5)輸送進 所述區域內。
3. 權利要求1和2之一的方法，其中借助于通過一個或多個噴嘴(35)以導向半導體晶 片(5)表面的流動方向供給的惰性氣體對半導體晶片(5)進行干燥。
4. 權利要求l-3之一的方法，其中通過一個或多個噴嘴(36)以導向半導體晶片(5)表 面的流動方向供給含臭氧氣體(93)。
5. 權利要求l-4之一的方法，其中用輸送裝置(21、22)沿輸送方向(81)將半導體晶 片(5)輸送過液體容器(ll)，其中液體容器(11)在兩個相對的側壁上具有進口 (31)和出 口 (32)，各自位于溶液(91)的表面之下。
6. 權利要求5的方法，其中半導體晶片(5)以基本上水平位置輸送，并且進口 (31)和 出口 (32)是基本上水平布置的狹縫，其高度略微大于半導體晶片(5)的厚度，長度略微大 于半導體晶片(5)的寬度。
7. 權利要求5-6之一的方法，其中溶液(91)參經由進口 (31)流出，或在進口 (31)附近于液體容器ll內排放，禾口 參隨后收集、過濾和返回至液體容器(11)。
全文摘要
本發明涉及一種處理半導體晶片(5)的處理方法，其中半導體晶片(5)●在至少部分用含氟化氫的溶液(91)填充的液體容器(11)中處理，以使位于半導體晶片(5)表面上的氧化物溶解，●沿輸送方向(81)從溶液(91)輸出，并干燥，以及●干燥后，用含臭氧氣體(93)處理，以使半導體晶片(5)的表面氧化，其中，半導體晶片(5)的一部分表面已經與含臭氧氣體(93)接觸，而半導體晶片(5)的另一部分表面仍舊與溶液(91)接觸，并且溶液(91)和含臭氧氣體(93)以不會彼此接觸的方式空間分離。
文檔編號H01L21/00GK101752215SQ20091022175
公開日2010年6月23日 申請日期2009年11月16日 優先權日2008年12月10日
發明者D·費霍, F·索林格, G·施瓦布, H-J·盧特, T·布施哈爾特 申請人:硅電子股份公司