專利名稱：圖像傳感器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實(shí)施例涉及一種圖像傳感器和制造圖像傳感器的方法。
背景技術(shù)：
CMOS圖像傳感器的結(jié)構(gòu)中可將光電二極管和晶體管水平設(shè)置。雖然相關(guān)的水平型CMOS圖像傳感器能解決(address)CCD圖像傳感器的缺陷，但是它也有局限性。光電二極管和晶體管可被彼此相鄰地水平設(shè)置在襯底上和/或襯底上方。因此，光電二極管需要附加的區(qū)域，所以會(huì)出現(xiàn)某些局限性，包括填充因數(shù)區(qū)相對(duì)減少和/或分辨率相對(duì)受限。
對(duì)于同時(shí)制造光電二極管和晶體管的工藝，要實(shí)現(xiàn)最優(yōu)化也是比較難的。在比較快的晶體管工藝中，可能需要用淺結(jié)來(lái)實(shí)現(xiàn)較低的薄膜電阻(sheetresistance)，但是淺結(jié)并不適用于光電二極管。當(dāng)向水平型CMOS圖像傳感器增添附加的芯片上功能時(shí)，可能需要相對(duì)增加單位像素的相關(guān)尺寸，以維持圖像傳感器的靈敏度，和/或可能需要相對(duì)地減少單位像素的相關(guān)尺寸，以維持作為像素尺寸的光電二極管的面積。如果像素尺寸增加，則圖像傳感器的分辨率可能會(huì)被最小化，而如果光電二極管的面積相對(duì)減少，則圖像傳感器的相關(guān)靈敏度被最小化。 因此，需要這樣一種圖像傳感器和制造圖像傳感器的方法，其光路能被實(shí)質(zhì)上相對(duì)縮短，從而提高光靈敏度，并使分辨率最大化和/或使靈敏度最大化。
發(fā)明內(nèi)容
為克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，本發(fā)明的實(shí)施例涉及一種圖像傳感器和制造圖像傳感器的方法。根據(jù)實(shí)施例，可提供電路與光電二極管的新式集成方式。在實(shí)施例中，制造圖像傳感器的方法可使用一個(gè)焊盤來(lái)三維地集成圖像芯片和邏輯芯片。在實(shí)施例中，在使用兩個(gè)芯片形成光電二極管之后，圖像芯片可形成濾色鏡陣列和/或微透鏡。在實(shí)施例中，邏輯芯片可包括驅(qū)動(dòng)器IC，該驅(qū)動(dòng)器IC可驅(qū)動(dòng)能提供附加功能的圖像芯片和/或邏輯陣列。
根據(jù)實(shí)施例，制造圖像傳感器的方法實(shí)質(zhì)上和/或很大程度上能將光路最小化。在實(shí)施例中，可將圖像傳感器的光靈敏度最大化。在實(shí)施例中，在光電二極管上部實(shí)質(zhì)上可省略多個(gè)金屬線，從而可相對(duì)減少光電二極管與微透鏡之間的距離。在實(shí)施例中，可提供包括最大化的分辨率和/或靈敏度的圖像傳感器。 根據(jù)實(shí)施例，制造圖像傳感器的方法可調(diào)節(jié)形成于光電二極管的接觸孔上和/或上方的金屬互連的上部尺寸。在實(shí)施例中，可將入射到光電二極管的光量最大化。
根據(jù)實(shí)施例，制造圖像傳感器的方法可包括在半導(dǎo)體襯底(可在此處形成電路)上和/或上方形成互連和/或?qū)娱g電介質(zhì)。在實(shí)施例中，互連可連接到電路。在實(shí)施例中，制造圖像傳感器的方法可包括在層間電介質(zhì)上和/或上方形成光電二極管。在實(shí)施例中，光電二極管可包含有第一摻雜層和/或第二摻雜層。 根據(jù)實(shí)施例，制造圖像傳感器的方法可包括形成穿過(guò)光電二極管的通孔，通孔可暴露互連的表面的一部分。在實(shí)施例中，制造圖像傳感器的方法可包括在通孔上和/或上方形成阻擋圖案(barrier pattern)。在實(shí)施例中，阻擋圖案可覆蓋第二摻雜層的暴露表面。在實(shí)施例中，制造圖像傳感器的方法可包括在通孔上和/或上方形成接觸插塞。在實(shí)施例中，接觸插塞可將互連與第一摻雜層相連接。在實(shí)施例中，制造圖像傳感器的方法可包括蝕刻接觸插塞的上部。在實(shí)施例中，制造圖像傳感器的方法可包括在接觸插塞上方形成絕緣層。 本發(fā)明的實(shí)施例涉及一種制造圖像傳感器的方法。根據(jù)實(shí)施例，制造圖像傳感器的方法可包括在層間電介質(zhì)(其可包含有金屬互連)上和/或上方形成光電二極管。在實(shí)施例中，制造圖像傳感器的方法可包括在光電二極管上和/或上方形成硬掩模，并執(zhí)行第一蝕刻工藝，以蝕刻硬掩模和/或光電二極管的一部分。在實(shí)施例中，制造圖像傳感器的方法可包括在第一蝕刻工藝之后形成阻擋圖案，該阻擋圖案可將光電二極管的部分暴露表面隔離。 根據(jù)實(shí)施例，制造圖像傳感器的方法可包括執(zhí)行蝕刻光電二極管和/或?qū)娱g電介質(zhì)的第二蝕刻工藝，從而可形成暴露出金屬互連的部分表面的通孔。在實(shí)施例中，制造圖像傳感器的方法可包括在例如通過(guò)第一蝕刻工藝形成的硬掩模的開口處、和/或例如通過(guò)第二蝕刻工藝形成的通孔上和/或上方形成接觸插塞。在實(shí)施例中，制造圖像傳感器的方法可包括蝕刻接觸插塞的上部。在實(shí)施例中，制造圖像傳感器的方法可包括在接觸插塞和/或硬掩模上和/或上方形成另一個(gè)金屬互連和/或?qū)娱g電介質(zhì)。
示例性圖1至圖6是示出根據(jù)實(shí)施例的制造圖像傳感器的方法的剖視圖。 示例性圖7是在光電二極管上和/或上方形成接觸插塞時(shí)對(duì)光接收區(qū)進(jìn)行比較的
平面圖。 示例性圖8是示出在過(guò)蝕刻硬掩模之后形成的接觸插塞的剖視圖。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明的實(shí)施例涉及一種制造圖像傳感器的方法。參照示例性圖1至圖6，多個(gè)剖視圖示出根據(jù)實(shí)施例的制造圖像傳感器的方法。參照?qǐng)Dl，可將半導(dǎo)體襯底100制為備包括互連150和電路120。根據(jù)實(shí)施例，可在第二傳導(dǎo)型半導(dǎo)體襯底100上和/或上方形成器件隔離層110，以限定有源區(qū)。在實(shí)施例中，可在有源區(qū)上和/或上方形成電路120，和/或該電路120可包括晶體管。 根據(jù)實(shí)施例，電路120可包括傳輸晶體管(Tx) 121、復(fù)位晶體管(Rx) 123、驅(qū)動(dòng)晶體管(Dx)125和/或選擇晶體管(Sx)127。在實(shí)施例中，可形成離子注入?yún)^(qū)130，針對(duì)每個(gè)晶體管，該離子注入?yún)^(qū)130可包括浮置擴(kuò)散區(qū)(FD)131和源極/漏極區(qū)133、135和/或137。在實(shí)施例中，電學(xué)結(jié)區(qū)140可包括第二傳導(dǎo)型離子注入層143，該第二傳導(dǎo)型離子注入層143形成在第一傳導(dǎo)型阱141和/或第一傳導(dǎo)型外延層上和/或上方。在實(shí)施例中，電學(xué)結(jié)區(qū)140可包括第一傳導(dǎo)型離子注入層145，該第一傳導(dǎo)型離子注入層145形成在第二傳導(dǎo)型離子注入層143上和/或上方。在實(shí)施例中，如圖2所示，電學(xué)結(jié)區(qū)140可由P-N結(jié)形成，和/或由PO (145) /N- (143) /P- (141)結(jié)形成，但是實(shí)施例不限于此。 根據(jù)實(shí)施例，可在半導(dǎo)體襯底100上和/或上方形成PO/N-/P-結(jié)140，該P(yáng)O/N-/
5P-結(jié)140在4T CIS結(jié)構(gòu)中充當(dāng)光電二極管。與浮置擴(kuò)散區(qū)(FD)131的節(jié)點(diǎn)(可以是M結(jié))不同，該？/^-/^-結(jié)140(在其上施加的電壓實(shí)質(zhì)上沒(méi)有全部傳輸?shù)轿?可在預(yù)定電壓處夾斷(pinched-off)。該電壓與釘扎(pinning)電壓相關(guān)，該釘扎電壓取決于P0145和/或N-143的摻雜濃度。當(dāng)傳輸晶體管(Tx)121導(dǎo)通時(shí)，從光電二極管210產(chǎn)生的電子會(huì)移動(dòng)到PO/N-/P-結(jié)140，并傳輸?shù)礁≈脭U(kuò)散區(qū)(FD) 131的節(jié)點(diǎn)和/或被轉(zhuǎn)化為電壓。
根據(jù)實(shí)施例，因?yàn)镻O/N-/P-結(jié)140的最大電壓值可包括釘扎電壓，和/或浮置擴(kuò)散區(qū)(FD)131的節(jié)點(diǎn)的最大電壓值可包括Vdd-Rx 123的閾值電壓Vth，所以從位于芯片上部中的光電二極管210產(chǎn)生的電子會(huì)通過(guò)傳輸晶體管(Tx)121兩端之間的電勢(shì)差實(shí)質(zhì)上全部堆積(dump)到浮置擴(kuò)散區(qū)(FD) 131的節(jié)點(diǎn)，基本上沒(méi)有電荷共享。因此，與只將光電二極管連接到N+結(jié)的情況不同，像飽和信號(hào)減少和/或靈敏度下降這樣的局限性得以最小化。
根據(jù)實(shí)施例，可在半導(dǎo)體襯底100上和/或上方形成層間電介質(zhì)和/或互連150。在實(shí)施例中，互連150可包括第一金屬接觸件151a、第一金屬151、第二金屬152、第三金屬153和/或第四金屬接觸件154a，但是實(shí)施例不限于此。 參照?qǐng)D2，可在半導(dǎo)體襯底100的層間電介質(zhì)160上和/或上方形成光電二極管200。在實(shí)施例中，光電二極管200可包括P-N結(jié)的光電二極管結(jié)構(gòu)，該P(yáng)-N結(jié)的光電二極管結(jié)構(gòu)包括第一摻雜層(N-)210和/或第二摻雜層(P+)220。在實(shí)施例中，在第一摻雜層210下方可形成歐姆接觸層(N+)230(例如為第三摻雜層)。如圖所示，圖2所示的互連150的第三金屬153和/或?qū)娱g電介質(zhì)160可代表圖1所示的互連150和/或?qū)娱g電介質(zhì)160的一部分，并且為了簡(jiǎn)明起見，有部分電路120和/或互連150未示出。
根據(jù)實(shí)施例，例如通過(guò)在晶體結(jié)構(gòu)的P型載流子襯底上和/或上方依次離子注入N型雜質(zhì)(N-)和/或P型雜質(zhì)(P+)，光電二極管200可形成為包含有第一摻雜層210和/或第二摻雜層220的堆疊結(jié)構(gòu)。在實(shí)施例中，可在第一摻雜層210下方離子注入較高濃度的N型雜質(zhì)(N+)，以形成歐姆接觸層230。在實(shí)施例中，歐姆接觸層230可將光電二極管200與互連150之間的接觸電阻最小化。在實(shí)施例中，第一摻雜層210可形成為具有比第二摻雜層220更大的區(qū)域。在實(shí)施例中，可相對(duì)擴(kuò)張耗盡區(qū)，以將光電子的產(chǎn)生最大化。
根據(jù)實(shí)施例，在將載流子襯底的歐姆接觸層230設(shè)置在層間電介質(zhì)160上和/或上方之后，可執(zhí)行接合工藝，以將半導(dǎo)體襯底100與載流子襯底接合起來(lái)。在實(shí)施例中，通過(guò)劈分工藝(cleaving process)將載流子襯底(其上方形成有氫層)去除，可暴露出第二摻雜層220的表面，從而暴露出在層間電介質(zhì)160上和/或上方接合的光電二極管200。在實(shí)施例中，可在電路120上和/或上方形成光電二極管200，這樣能相對(duì)增加填充因數(shù)和/或?qū)嵸|(zhì)上防止光電二極管200的缺陷。在實(shí)施例中，因?yàn)榭蓪⒐怆姸O管200接合在具有基本一致的表面輪廓的層間電介質(zhì)160上和/或上方，所以接合強(qiáng)度可物理地最大化。
參照?qǐng)D3，可形成穿過(guò)光電二極管200和/或?qū)娱g電介質(zhì)160的通孔240。根據(jù)實(shí)施例，通孔240可以是較深的通孔，且能暴露出第三金屬153的表面。在實(shí)施例中，可在與光電二極管200的第一摻雜層210和/或第二摻雜層220的一部分對(duì)應(yīng)的通孔240的側(cè)壁上和/或上方形成阻擋圖案260。在實(shí)施例中，阻擋圖案260可由氧化物和/或氮化物形成。在實(shí)施例中，位于通孔240側(cè)壁上和/或上方的第二摻雜層220可實(shí)質(zhì)上被阻擋圖案260全部覆蓋。在實(shí)施例中，與第二摻雜層220相鄰的第一摻雜層210可被阻擋圖案260部分覆蓋。在實(shí)施例中，第一摻雜層210和/或歐姆接觸層230的另一部分可被通孔240暴
6露。 根據(jù)實(shí)施例，如圖4所示，阻擋圖案260實(shí)質(zhì)上能防止第二摻雜層220接觸到在通孔240上和/或上方形成的接觸插塞。在實(shí)施例中，阻擋圖案260可允許光電二極管200中產(chǎn)生的電子沿著第三摻雜層230和/或接觸插塞進(jìn)行電移動(dòng)。在實(shí)施例中，阻擋圖案260可實(shí)質(zhì)上防止形成了光電二極管200上部的第二摻雜層220電連接到接觸插塞。在實(shí)施例中，阻擋圖案260可允許形成了光電二極管200下部的第三摻雜層230接觸到接觸插塞。阻擋圖案260可如圖3所示那樣形成。 根據(jù)實(shí)施例，形成通孔240和/或阻擋圖案260的方法可包括針對(duì)每個(gè)單位像素而在光電二極管200上和/或上方形成硬掩模圖案250。在實(shí)施例中，使用硬掩模圖案250作為蝕刻掩模，可蝕刻光電二極管200的一部分，從而在第三金屬153上方的區(qū)域上和/或上方形成通孔。在實(shí)施例中，通孔可部分暴露位于第三金屬153上和/或上方的第二摻雜層220和/或第一摻雜層210。根據(jù)實(shí)施例，可在通孔上和/或上方形成阻擋層。在實(shí)施例中，可執(zhí)行蝕刻工藝，以將阻擋層從通孔底面去除，從而允許阻擋圖案260保留在通孔側(cè)壁上和/或上方。 根據(jù)實(shí)施例，可執(zhí)行使用硬掩模250和/或阻擋圖案260作為蝕刻掩模的蝕刻工藝，以形成通孔240，該通孔240可貫穿光電二極管200和/或?qū)娱g電介質(zhì)160。在實(shí)施例中，通孔240可暴露出第三金屬153上表面的一部分。在實(shí)施例中，硬掩模250可由0N0層形成，在該ONO層中，氧化物和氮化物交替堆疊。在實(shí)施例中，ONO層可包括第一氧化物251 、氮化物252和/或第二氧化物253。 根據(jù)實(shí)施例，在形成通孔240的蝕刻工藝中，由于蝕刻工藝的特性，實(shí)質(zhì)上所有的硬掩模250、光電二極管200和/或?qū)娱g電介質(zhì)160可能都不會(huì)具有一致的輪廓。如圖所示，根據(jù)蝕刻工藝中蝕刻選擇性的不同，硬掩模250的開口可被形成為大于在光電二極管200上和/或上方形成的通孔。 參照?qǐng)D4，可形成接觸插塞270，該接觸插塞270可與光電二極管200和/或電路120電連接。根據(jù)實(shí)施例，接觸插塞270可包括諸如Cu、 Al、 Ti、 Ta、 Ti、 TiN和/或W等金屬材料。在實(shí)施例中，通過(guò)間隙填充工藝在硬掩模的開口和/或通孔240上和/或上方填充金屬材料，可形成接觸插塞270。在實(shí)施例中，可執(zhí)行平坦化工藝。在實(shí)施例中，位于通孔240上和/或上方的接觸插塞270可通過(guò)光電二極管200和/或和/或?qū)娱g電介質(zhì)160電連接到第三金屬153。 根據(jù)實(shí)施例，阻擋圖案260可部分形成在接觸插塞的側(cè)壁上和/或上方，以將接觸插塞270與第二摻雜層220電隔離。在實(shí)施例中，光電二極管200中產(chǎn)生的光電荷可通過(guò)接觸插塞而被傳遞到電路120。在實(shí)施例中，因?yàn)樽钃鯃D案260可將接觸插塞270與第二摻雜層220電隔離，所以光電二極管200可以相對(duì)正常地工作。 參照?qǐng)D5，可執(zhí)行回蝕工藝(etch-back process)，以蝕刻接觸插塞270上部的一部分。根據(jù)實(shí)施例，可執(zhí)行蝕刻位于硬掩模250上和/或上方的接觸插塞的一部分的工藝。如圖4所示，當(dāng)位于硬掩模250開口處的接觸插塞270的尺寸可與位于通孔240上和/或上方的接觸插塞270的尺寸不同時(shí)，會(huì)出現(xiàn)以下情況。如果用ONO層作為硬掩模，則形成ONO層的上層的第二氧化物253會(huì)被過(guò)蝕刻。當(dāng)接觸插塞270形成為使得位于光電二極管200上和/或上方的第二氧化物253的開口大于通孔的開口時(shí)，會(huì)導(dǎo)致如示例性圖8所示的局
7部形狀。 參照?qǐng)D8，剖視圖示出當(dāng)0N0層的第二氧化物253被過(guò)蝕刻之后形成接觸插塞的結(jié)果。接觸插塞270可形成為使得0N0層的一部分可用作硬掩模。如圖所示，位于第二氧化物層的開口上和/或上方的接觸插塞的尺寸8a可形成為大于位于光電二極管的通孔上和/或上方的接觸插塞的尺寸8b。當(dāng)接觸插塞270形成為上部尺寸較大時(shí)，光電二極管200接收的光量有可能被最小化。當(dāng)試圖將接觸插塞的尺寸最小化從而將半導(dǎo)體器件最小化時(shí)，設(shè)置在光電二極管區(qū)上和/或上方的接觸插塞的較大尺寸會(huì)導(dǎo)致光接收效率的最小化。
參照示例性圖7，平面圖示出在光電二極管區(qū)上和/或上方形成的接觸插塞的比較結(jié)果。參照?qǐng)D7A，例如根據(jù)在光電二極管區(qū)上和/或上方形成通孔240時(shí)的蝕刻選擇性差異，接觸插塞的上部因硬掩模的過(guò)蝕刻而可以形成較大尺寸。參照?qǐng)D7B，根據(jù)實(shí)施例，可蝕刻接觸插塞上部的一部分。兩個(gè)光接收區(qū)之間的比較結(jié)果示出接觸插塞的上部尺寸的相對(duì)減少。 重新參照?qǐng)D5并根據(jù)實(shí)施例，可在通孔240上和/或上方形成接觸插塞270。在實(shí)施例中，可在襯底表面(實(shí)質(zhì)上可以是襯底100的整個(gè)表面)上和/或上方執(zhí)行回蝕工藝，以去除在硬掩模上和/或上方形成的接觸插塞上部的一部分。在實(shí)施例中，可用第二氧化物253作為硬掩模，并將它部分地蝕刻掉，以減少其厚度。在實(shí)施例中，接觸插塞270可具有基本一致的輪廓。 參照?qǐng)D6，可在光電二極管200和/或硬掩模250上和/或上方沉積氧化物280。根據(jù)實(shí)施例，可在接觸插塞270和/或硬掩模250上和/或上方形成氧化物280。在實(shí)施例中，氧化物280可由與已經(jīng)用作硬掩模的第二氧化物253基本相同的材料形成。在實(shí)施例中，如果硬掩模的第二氧化物253由四乙基原硅酸鹽(TEOS)形成，則氧化物280也可由TEOS形成。在實(shí)施例中，在接觸插塞270和/或硬掩模250上和/或上方形成氧化物280可使得作為后續(xù)工藝的形成濾色鏡和/或微透鏡的工藝相對(duì)更容易進(jìn)行。
根據(jù)實(shí)施例，可在氧化物層280和/或接觸插塞270上和/或上方形成絕緣層。在實(shí)施例中，可在絕緣層和/或氧化物層280上和/或上方形成第二通孔。在實(shí)施例中，在第二通孔上和/或上方可形成第二接觸插塞，并且該第二接觸插塞可電連接到光電二極管200的第二摻雜層220。在實(shí)施例中，可對(duì)光電二極管施加反向偏置。在實(shí)施例中，可形成金屬互連(其可以電連接到第二接觸插塞)。在實(shí)施例中，可在光電二極管200上和/或上方形成濾色鏡和/或微透鏡。 對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言，顯然可以對(duì)所公開的實(shí)施例進(jìn)行各種修改和變化。因此，所公開的實(shí)施例應(yīng)該能涵蓋顯而易見的修改和變化，只要它們落入所附權(quán)利要求書及其等同物的范圍內(nèi)即可。
權(quán)利要求
一種方法，包括以下步驟在包含有電路的半導(dǎo)體襯底上方形成互連和層間電介質(zhì)，使得所述互連被連接到所述電路；在包含有第一摻雜層和第二摻雜層的所述層間電介質(zhì)上方形成光電二極管；形成穿過(guò)所述光電二極管的通孔，所述通孔暴露出所述互連的表面的一部分；在所述通孔上方形成阻擋圖案，所述阻擋圖案覆蓋所述第二摻雜層的暴露表面；在所述通孔上方形成接觸插塞，所述接觸插塞將所述互連與所述第一摻雜層相連接；蝕刻所述接觸插塞的上部；以及在所述接觸插塞上方形成絕緣層。
2. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中蝕刻所述接觸插塞的上部的步驟包括在所述半導(dǎo)體 襯底的表面上方執(zhí)行回蝕工藝。
3. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中形成所述通孔的步驟包括在所述光電二極管上方形 成硬掩模，利用所述硬掩模來(lái)蝕刻所述光電二極管，以暴露出所述第二摻雜層。
4. 如權(quán)利要求l所述的方法，還包括以下步驟在蝕刻所述接觸插塞的所述上部之后， 在所述接觸插塞上方沉積氧化物。
5. —種方法，包括以下步驟在具有金屬互連的層間電介質(zhì)上方形成光電二極管；在所述光電二極管上方形成硬掩模并執(zhí)行第一蝕刻工藝，以蝕刻所述硬掩模和所述光 電二極管的一部分；在所述第一蝕刻工藝之后，形成阻擋圖案，以將所述光電二極管的暴露表面的一部分 隔離；執(zhí)行第二蝕刻工藝，蝕刻所述光電二極管和所述層間電介質(zhì)，以形成暴露出所述金屬 互連的表面的一部分的通孔；在通過(guò)所述第一蝕刻工藝形成的所述硬掩模的開口處、以及通過(guò)所述第二蝕刻工藝形 成的所述通孔上方形成接觸插塞；蝕刻所述接觸插塞的上部；以及在所述接觸插塞和所述硬掩模上方形成金屬互連和層間電介質(zhì)至少之一的另一個(gè)。
6. 如權(quán)利要求5所述的方法，其中蝕刻所述接觸插塞的所述上部的步驟包括通過(guò)回蝕 工藝去除在所述硬掩模的所述開口處形成的所述接觸插塞的一部分。
7. 如權(quán)利要求6所述的方法，其中所述硬掩模包括堆疊結(jié)構(gòu)，所述堆疊結(jié)構(gòu)包含有氮 化物和氧化物的至少之一，使得在所述氮化物的上表面上方形成所述接觸插塞的上部。
8. —種裝置，包括半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包含有電路；層間電介質(zhì)，位于所述半導(dǎo)體襯底上方，所述層間電介質(zhì)具有連接到所述電路的互連；光電二極管，位于所述層間電介質(zhì)上方，所述光電二極管包含有第一摻雜層和第二摻 雜層；氧化物和氮化物，形成在所述光電二極管上方；通孔，貫穿所述氧化物、所述氮化物以及所述光電二極管，以暴露出所述互連的表面的一部分；阻擋圖案，覆蓋暴露于所述通孔上方的所述第二摻雜層；接觸插塞，位于所述通孔上方，所述接觸插塞將所述互連連接到所述第一摻雜層；以及絕緣層，位于所述接觸插塞和所述氮化物上方。
9. 如權(quán)利要求8所述的裝置，還包括互連和層間電介質(zhì)至少之一的另一個(gè)，位于所述接觸插塞和所述硬掩模上方。
10. 如權(quán)利要求8所述的裝置，其中所述光電二極管包括歐姆接觸層。
全文摘要
一種圖像傳感器和制造圖像傳感器的方法。制造圖像傳感器的方法可包括以下步驟在包含有電路的半導(dǎo)體襯底上方形成互連和/或?qū)娱g電介質(zhì)，其中該電路連接到互連。制造圖像傳感器的方法可包括以下步驟在層間電介質(zhì)上方形成具有第一摻雜層和/或第二摻雜層的光電二極管；形成穿過(guò)光電二極管的通孔，該通孔可暴露出互連的表面的一部分。制造圖像傳感器的方法可包括以下步驟在通孔上方形成阻擋圖案，該阻擋圖案可覆蓋第二摻雜層的暴露表面；以及在導(dǎo)孔上和/或上方形成接觸插塞，該接觸插塞將互連與第一摻雜層相連接。可蝕刻接觸插塞的上部。在接觸插塞上方可形成絕緣層。該方法能將光路最小化，從而提高了光靈敏度，并使分辨率和靈敏度最大化。
文檔編號(hào)H01L27/146GK101740595SQ200910221300
公開日2010年6月16日 申請(qǐng)日期2009年11月11日 優(yōu)先權(quán)日2008年11月11日
發(fā)明者尹基準(zhǔn), 柳商旭 申請(qǐng)人:東部高科股份有限公司