半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)的制作方法

專利名稱：半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種二維半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體電子器件的工藝尺度進(jìn)入納米量級(jí)，其內(nèi)部的核心單元晶體管的尺度 也要求向納米量級(jí)發(fā)展。如現(xiàn)有半導(dǎo)體電子器件中常用的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET)，當(dāng)該金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的尺度縮小為納米量級(jí)時(shí)，其P型或N型 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的物理性能也發(fā)生了改變，其主要體現(xiàn)為該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中的載流子(電子或空 穴)遷移率明顯下降。現(xiàn)有技術(shù)中應(yīng)用于MOSFET中的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)多為一膜狀結(jié)構(gòu)的硅， 為增加載流子的遷移速率，其通常采用的手段為，施加一應(yīng)力改變半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的晶格尺寸， 從而使該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的能帶發(fā)生改變，該能帶的改變可提高該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中載流子的遷移 率。然而，上述方式未能考慮制約半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中載流子遷移率提高的另一個(gè)重要因素“雜質(zhì) 散射”。所謂雜質(zhì)散射是指載流子在經(jīng)過一雜質(zhì)原子時(shí)，該載流子和雜質(zhì)原子之間會(huì)存在庫 侖力的相互作用，使得該雜質(zhì)原子與該載流子相互吸引或相互排斥，從而使該載流子的遷 移方向發(fā)生偏移。請(qǐng) 參 見"Quantum confinement of crystalline silicon nanotubes withnonuniform wall thickness implication to modulation doping", Appl. Phys. Lett, B. Yan et al, Vol91, P103107 (2007) ”，該文獻(xiàn)發(fā)現(xiàn)，被摻雜的準(zhǔn)一維的硅納米管具有 雜質(zhì)散射較小的現(xiàn)象。具體為，該硅納米管具有不均勻的壁厚，該壁厚的不均勻性可使得載 流子定位于較厚的壁內(nèi)。在實(shí)際應(yīng)用過程中，為提高載流子濃度，該文獻(xiàn)揭示可在較薄的壁 內(nèi)進(jìn)行P型或N型摻雜，摻雜元素會(huì)留在較薄的壁內(nèi)，而載流子則大部分分布于較厚的壁 內(nèi)，該摻雜元素與載流子相分離的現(xiàn)象可使得影響載流子遷移率的雜質(zhì)散射減少。然而，該文獻(xiàn)揭示的半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)僅是一種一維半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)，其結(jié)構(gòu)對(duì)減 小雜質(zhì)散射的規(guī)律并不能適用于二維半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)，即其并未揭示一種可減小雜質(zhì)散射 對(duì)載流子遷移率影響的二維半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，確有必要提供一種可降低雜質(zhì)散射對(duì)載流子遷移率影響的二維半導(dǎo)體 納米結(jié)構(gòu)。一種半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)，其包括一基底及至少一個(gè)脊部，該基底包括一第一晶面及 垂直于該第一晶面的第二晶面，所述至少一個(gè)脊部從所述基底中的第一晶面開始沿所述第 二晶面的晶面取向延伸出?！N半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)，其包括一基底及至少一脊部，該基底包括一第一晶面及垂 直于該第一晶面的第二晶面，所述至少一個(gè)脊部從所述基底中的第一晶面開始沿所述第二 晶面的晶面取向延伸出，該基底的材料為硅，該脊部的材料由硅及均勻分散于該硅中的多 個(gè)P型摻雜原子組成，該第一晶面的晶面取向?yàn)?110)，該第二晶面的晶面取向?yàn)榇怪庇谠摰谝痪嫒∠虻?001)，該脊部的一半高度處截面的寬度小于10納米。一種半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)，其包括一基底及至少一脊部，該基底包括一第一晶面及垂 直于該第一晶面的第二晶面，所述至少一個(gè)脊部從所述基底中的第一晶面開始沿所述第二 晶面的晶面取向延伸出，該基底的材料為硅，該脊部的材料由硅及均勻分散于該硅中的多 個(gè)N型摻雜原子組成，該該第一晶面的晶面取向?yàn)?001)，該第二晶面的晶面取向?yàn)榇怪庇?該第一晶面取向的(110)，該脊部的一半高度處截面的寬度小于10納米。相較于現(xiàn)有技術(shù)，由于本發(fā)明提供的半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)可使空穴或電子被強(qiáng)烈地束 縛在基底中，且根據(jù)調(diào)制摻雜效應(yīng)，脊部的摻雜原子和空穴在空間上相互分離，即摻雜原子 大部分分布在脊部，而空穴或電子則大部分分布在基底中，從而使雜質(zhì)散射對(duì)空穴或電子 的遷移速度影響較小，從而大大提高了空穴或電子的遷移速度。


圖1為本發(fā)明第一實(shí)施例半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本發(fā)明第一實(shí)施例半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)中空穴在脊部的占有率、脊部與基底之 間的能量差與脊部頂表面寬度之間的關(guān)系。圖3為本發(fā)明第二實(shí)施例半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。主要元件符號(hào)說明半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)10，20
基底12,22
第一晶面13,23
脊部14，24
第二晶面15,25
溝道16，26
保護(hù)層18，28
具體實(shí)施例方式以下將結(jié)合附圖詳細(xì)說明本發(fā)明實(shí)施例提供的半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)。本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)，該半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)包括一基底及至少一個(gè)脊 部。該基底包括一第一晶面及垂直于該第一晶面的第二晶面，所述至少一個(gè)脊部從所述 基底中的第一晶面開始沿所述第二晶面的晶面取向延伸出。所述第一晶面的晶面取向 為(001)或(110)，所述第二晶面的晶面取向?yàn)榇怪庇谠摰谝痪娴木嫒∠虻?110)或 (OOl)0具體為，若該基底的第一晶面的晶面取向?yàn)?001)，則該基底的第二晶面的晶面取 向(110)，若該基底的第一晶面的晶面取向?yàn)?110)，則該基底的第二晶面的晶面取向?yàn)?(001)。請(qǐng)參閱圖1，本發(fā)明第一實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)10，該半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu) 10包括一基底12、多個(gè)脊部14及多個(gè)溝道16。該基底12具有一晶面取向?yàn)?110)的第一 晶面13及一晶面取向?yàn)?001)的第二晶面15。該多個(gè)脊部14從所述基底12中的第一晶 面13開始沿所述第二晶面15的晶面取向(001)延伸出，且該多個(gè)脊部14沿該基底12的 長(zhǎng)度方向連續(xù)地間隔設(shè)置。相鄰的兩個(gè)脊部14之間定義為一溝道16。
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所述基底12為一半導(dǎo)體材料，其由多個(gè)該半導(dǎo)體材料的原子層相互層疊形成，其 材料具體可為硅、鍺、碳化硅或鍺化硅等。該基底12的形狀為一膜狀結(jié)構(gòu)，該膜狀結(jié)構(gòu)的厚 度方向?yàn)棣戚S方向，寬度方向?yàn)棣州S方向，長(zhǎng)度方向?yàn)閥軸方向。該基底12的寬度和長(zhǎng)度 不限，可根據(jù)實(shí)際需要選定。該基底12的厚度不能太大，太大則不會(huì)出現(xiàn)量子限制效應(yīng)，從 而使空穴無法限制在該基底12的內(nèi)部，因此，該基底12應(yīng)具有較小的厚度，當(dāng)該基底12的 厚度小到一定值時(shí)，可使能級(jí)發(fā)生改變，從而出現(xiàn)量子限制效應(yīng)，優(yōu)選地，該基底12的厚度 為5個(gè)該基底材料原子層 15個(gè)該基底材料的原子層。本實(shí)施例中，該基底12為8個(gè)硅原 子層厚度的單晶硅膜，即該硅膜的厚度為13.4A。所謂量子限制效應(yīng)是指微結(jié)構(gòu)中的至少 一維度與電子德布羅意(deBroglie)波長(zhǎng)相當(dāng)，因此電子在此維度中的運(yùn)動(dòng)受到限制，電 子態(tài)呈量子化分布，連續(xù)的能帶將分解為離散的能級(jí)，當(dāng)能級(jí)間距大于某些特征能量(如 熱運(yùn)動(dòng))時(shí)，該微結(jié)構(gòu)將表現(xiàn)出和大塊樣品不同的甚至是特有的性質(zhì)。所述脊部14與所述基底12 —體成形，該脊部14的主體材料與基底12的材料相 同，本實(shí)施例為單晶硅。且該脊部14的主體材料中還進(jìn)一步均勻摻雜有一受主摻雜原子， 該受主摻雜原子在該基底12中的濃度不限，可根據(jù)實(shí)際情況選定。所述受主摻雜原子可為 硼、銦或鎵等，該受主摻雜原子可使該整個(gè)半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)10具有較高濃度的空穴，從而 使該整個(gè)半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)10成為P型半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)。本實(shí)施例中，該多個(gè)脊部14皆均勻摻雜有受主原子硼。該摻雜原子僅摻雜于脊部 14，根據(jù)調(diào)制摻雜效應(yīng)，該摻雜原子和空穴在空間上會(huì)相分離，即經(jīng)過摻雜后，摻雜原子會(huì) 基本分布于所述多個(gè)脊部14中，而由該摻雜原子所提供的空穴會(huì)大部分分布于所述基底 12中。該脊部14可為任意形狀，其高度方向?yàn)棣戚S方向，其高度大于4個(gè)基底材料的原 子層，該高度越大，摻雜入該脊部14的摻雜原子的含量可更高，且該摻雜原子所提供的空 穴含量也更高，根據(jù)量子限制效應(yīng)，摻雜原子所提供的空穴大部分會(huì)被限制在基底12中， 從而可使得該半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)10的基底12具有更大的空穴濃度。該脊部14的寬度方向 為y軸方向，該脊部14的寬度和長(zhǎng)度設(shè)定均以該脊部14的一半高度處的截面寬度和長(zhǎng)度 為基準(zhǔn)，該脊部14的半高度的截面寬度小于10納米。另外，該多個(gè)脊部14的寬度可以相 同也可以不同。該脊部14半高度處的截面長(zhǎng)度方向?yàn)閳D中χ軸方向，該長(zhǎng)度不限。本實(shí)施例中，該脊部14為一立方體形狀，該脊部14的高度為4個(gè)所述基底材料 的原子層的高度，即為5.5A。該脊部14的長(zhǎng)度與基底12的寬度可以相同或不同，本實(shí)施例 中，該脊部14的長(zhǎng)度與基底12的寬度相同。請(qǐng)參閱圖2，圖中虛線表示脊部14的寬度與脊部14和基底12間的能量之間的關(guān) 系，從圖中可以發(fā)現(xiàn)，該基底12和脊部14的能量差大小與脊部14的寬度呈反比，因此，當(dāng) 脊部14的寬度較小時(shí)，如圖中所示小于10納米，該脊部14和基底12的能量差較大，量子限 制效應(yīng)較明顯，使得空穴被強(qiáng)烈地限制在基底12，從而可提高空穴的遷移率。圖中實(shí)線表示 脊部14的寬度與空穴在脊部14的占有率之間的關(guān)系，從圖中可以發(fā)現(xiàn)，空穴在脊部14的 占有率與脊部14的寬度呈正比，即，隨著脊部14頂表面寬度變大，空穴在脊部14的占有率 變大，從圖中可以發(fā)現(xiàn)，脊部14的寬度小于10納米時(shí)，該脊部14的空穴占有率較小，即小 于14%，量子限制效應(yīng)明顯，從而使摻雜原子所提供的空穴只有少部分分布于脊部14中， 大部分則分布于基底12中，而由于該脊部14具有較多的摻雜原子，從而使得影響基底12中空穴遷移率的雜質(zhì)散射不明顯，使空穴遷移率變高。因此，該脊部14的寬度越小，量子限 制效應(yīng)越明顯，該半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)10的基底12中的空穴占有率越大，而由于該脊部14具 有較多的摻雜原子，從而使得雜質(zhì)散射不明顯，使空穴遷移率變高。該脊部14的寬度應(yīng)小 于10納米，優(yōu)選為0. 6納米 2. 1納米，本實(shí)施例中，該脊部14的寬度為1納米。所述溝道16的寬度，即相鄰兩個(gè)脊部14之間的距離以確保相鄰的兩個(gè)脊部14之 間無原子間的直接相互作用力為宜，從而使得脊部14的空穴只能移動(dòng)到基底12，而不能在 各個(gè)脊部14之間相互移動(dòng)，使量子限制效應(yīng)更加明顯，該溝道16的寬度方向?yàn)閳D中y軸方 向，本實(shí)施例中，該溝道16的寬度需大于10個(gè)基底材料的原子層?？梢姡摪雽?dǎo)體納米結(jié)構(gòu)10整體為一圖形化結(jié)構(gòu)，該圖形化結(jié)構(gòu)可引起量子限制 效應(yīng)的產(chǎn)生，使空穴的分布受到顯著的調(diào)制，且空穴被強(qiáng)烈地束縛在基底12內(nèi)。所述脊部 14從所述基底12的第一晶面13開始沿所述第二晶面15的晶面取向(001)延伸出，該延伸 方向使基底12和脊部14內(nèi)的能帶各向異性，從而使半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)10中的價(jià)帶頂被強(qiáng)烈 地限制在基底12內(nèi)，因此使整個(gè)半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)10的空穴的分布得到調(diào)制，使空穴被強(qiáng)烈 地限制在基底12內(nèi)。具體的，上述圖形化的半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)10可使其內(nèi)的能帶發(fā)生疊帶 效應(yīng)并形成第一子價(jià)帶和第二子價(jià)帶，且該能帶的價(jià)帶頂遠(yuǎn)離其第二子價(jià)帶，即該價(jià)帶頂 與第二子價(jià)帶之間具有較寬的禁帶，使空穴在兩者之間較難躍遷，因此，空穴的遷移主要受 價(jià)帶頂周圍的第一子價(jià)帶的影響，而該價(jià)帶頂與第一子價(jià)帶中的空穴具有基本相同的空間 分布，即其中的空穴基本完全分布于基底12內(nèi)部，從而使得量子限制效應(yīng)很明顯，即該半 導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)10的空穴大部分被限制在該基底12中。此外，所述半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)10進(jìn)一步包括一保護(hù)層18，該保護(hù)層18可覆蓋于該 半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)10的所有表面，也可僅覆蓋該半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)10中的脊部14和溝道16 的表面，從而避免半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)10的表面出現(xiàn)晶格馳豫現(xiàn)象，影響該整個(gè)結(jié)構(gòu)的物理性 能。本實(shí)施例中，該保護(hù)層18為一氫原子層?？梢岳斫?，該半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)10的脊部14也可以為一個(gè)，其具體數(shù)量可根據(jù)實(shí)際 應(yīng)用中所需載流子的濃度而定，若需要較高的載流子濃度，可設(shè)置較多的脊部14，從而可摻 雜較多的受主原子，若所需載流子濃度較低，可設(shè)置較少的脊部14，從而可摻雜較少的受主 原子。請(qǐng)參閱圖3，本發(fā)明第二實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)20，該半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu) 20包括一基底22、多個(gè)脊部M及多個(gè)溝道沈。該基底22包括一晶面取向?yàn)?001)的第一 晶面23及一晶面取向?yàn)?110)的第二晶面25;該多個(gè)脊部M從所述基底22中的第一晶 面23開始沿所述第二晶面25的晶面取向(110)延伸出，且該多個(gè)脊部M相互間隔設(shè)置； 相鄰的兩個(gè)脊部M之間定義為一溝道26。該半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)20的表面還進(jìn)一步包括一保護(hù)層觀，該保護(hù)層觀覆蓋于該半 導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)20的多個(gè)脊部M及多個(gè)溝道沈的表面。本實(shí)施例與第一實(shí)施例的區(qū)別在 于，本實(shí)施例中的第一晶面23的晶面取向?yàn)?001)，第二晶面25的晶面取向?yàn)?110)。所述脊部M的主體材料與基底22的材料相同，且該脊部M的材料還包括一均勻 摻雜于該主體材料的施主摻雜原子，該施主摻雜原子可為磷、砷或銻等，該施主摻雜原子可 使整個(gè)半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)20具有較高濃度的電子，從而使該整個(gè)半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)20成為N 型半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)。
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本實(shí)施例中，該半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)20的基底22、脊部M及溝道沈的尺寸，如長(zhǎng)度、 寬度和高度對(duì)該半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)20的性質(zhì)影響規(guī)律均與第一實(shí)施例中的基底12、脊部14 及溝道16的尺寸對(duì)所述半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)10的性質(zhì)影響規(guī)律相似，因此，該基底22、脊部M 及溝道沈的尺寸選擇原則與第一實(shí)施例的基底12、脊部14及溝道16的尺寸的選擇原則相 同，在此不再贅述。本實(shí)施例中的半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)20整體為一圖形化結(jié)構(gòu)，該圖形化結(jié)構(gòu)可使得基 底22和脊部M內(nèi)的能帶各向異性，使得價(jià)帶頂被強(qiáng)烈地限制在基底22內(nèi)，從而使電子分 布受到顯著的調(diào)制。具體為，該圖形化的半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)20可使其內(nèi)的能帶發(fā)生疊帶效 應(yīng)并形成第一子價(jià)帶和第二子價(jià)帶，且該能帶的價(jià)帶頂遠(yuǎn)離其第二子價(jià)帶，即該價(jià)帶頂與 第二子價(jià)帶之間具有較寬的禁帶，使電子在兩者之間較難躍遷，因此，電子的遷移主要受價(jià) 帶頂周圍的第一子價(jià)帶的影響，而該價(jià)帶頂與第一子價(jià)帶中的電子具有基本相同的空間分 布，即其中的電子基本完全分布于基底22內(nèi)部，從而使得量子限制效應(yīng)很明顯，且電子被 強(qiáng)烈地束縛在基底22內(nèi)，且電子與上述摻雜原子在空間上相互分離，從而可減少雜質(zhì)散射 對(duì)電子遷移率的影響?？梢岳斫?，脊部的數(shù)量也可以選擇為一個(gè)，其具體數(shù)量根據(jù)實(shí)際應(yīng)用 中所需載流子的濃度而定。本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)具有以下優(yōu)點(diǎn)由于本發(fā)明實(shí)施例提供的半導(dǎo)體 納米結(jié)構(gòu)可使空穴或電子被強(qiáng)烈地束縛在基底中，且根據(jù)調(diào)制摻雜效應(yīng)，脊部的摻雜原子 和電子或空穴在空間上相互分離，即摻雜原子大部分分布在脊部，而空穴或電子則大部分 分布在基底中，從而使雜質(zhì)散射對(duì)空穴或電子的遷移率影響較小，從而大大提高了空穴或 電子的遷移率。另外，本領(lǐng)域技術(shù)人員還可在本發(fā)明精神內(nèi)做其他變化，當(dāng)然，這些依據(jù)本發(fā)明精 神所做的變化，都應(yīng)包含在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)，其特征在于，其包括一基底及至少一個(gè)脊部，該基底包括一 第一晶面及垂直于該第一晶面的第二晶面，所述至少一個(gè)脊部從所述基底中的第一晶面開 始沿所述第二晶面的晶面取向延伸出。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一晶面的晶面取向?yàn)?(110)，所述第二晶面的晶面取向?yàn)?001)。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一晶面的晶面取向?yàn)?(001)，所述第二晶面的晶面取向?yàn)?110)。
4.如權(quán)利要求2或3所述的半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述脊部的一半高度處的截 面寬度小于10納米。
5.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述脊部進(jìn)一步摻雜有一摻雜 原子，該摻雜原子為硼、銦或鎵。
6.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述脊部進(jìn)一步摻雜有一摻雜 原子，該摻雜原子為磷、砷或銻。
7.如權(quán)利要求2或3所述的半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)包括多 個(gè)脊部，該多個(gè)脊部沿所述基底的長(zhǎng)度方向連續(xù)地間隔設(shè)置，該相鄰的兩個(gè)脊部之間定義 為一溝道。
8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基底由多個(gè)原子層層疊形成。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述溝道的寬度大于10個(gè)基底 材料原子層。
10.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基底的厚度為5個(gè)所述基 底材料原子層 15個(gè)所述基底材料原子層的厚度。
11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基底和脊部的材料為硅。
12.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)，其特征在于，該半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括 一設(shè)置于該半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)脊部及溝道表面的保護(hù)層。
13.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述保護(hù)層由多個(gè)氫原子組成。
14.一種半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)，其特征在于，其包括一基底及至少一脊部，該基底包括一 第一晶面及垂直于該第一晶面的第二晶面，所述至少一個(gè)脊部從所述基底中的第一晶面開 始沿所述第二晶面的晶面取向延伸出，該基底的材料為硅，該脊部的材料由硅及均勻分散 于該硅中的多個(gè)P型摻雜原子組成，該第一晶面的晶面取向?yàn)?110)，該第二晶面的晶面取 向?yàn)榇怪庇谠摰谝痪嫒∠虻?001)，該脊部的一半高度處截面的寬度小于10納米。
15.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)包括多 個(gè)脊部，該相鄰的兩個(gè)脊部之間定義為一溝道，該溝道的寬度大于10個(gè)所述基底材料的原 子層。
16.一種半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)，其特征在于，其包括一基底及至少一脊部，該基底包括一 第一晶面及垂直于該第一晶面的第二晶面，所述至少一個(gè)脊部從所述基底中的第一晶面開 始沿所述第二晶面的晶面取向延伸出，該基底的材料為硅，該脊部的材料由硅及均勻分散 于該硅中的多個(gè)N型摻雜原子組成，該第一晶面的晶面取向?yàn)?001)，該第二晶面的晶面取向?yàn)榇怪庇谠摰谝痪嫒∠虻?110)，該脊部的一半高度處截面的寬度小于10納米。
17.如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)包括多 個(gè)脊部，該相鄰的兩個(gè)脊部之間定義為一溝道，該溝道的寬度大于10個(gè)所述基底材料的原子層。
全文摘要
一種半導(dǎo)體納米結(jié)構(gòu)，其包括一基底及至少一個(gè)脊部，該基底包括一第一晶面及垂直于該第一晶面的第二晶面，所述至少一個(gè)脊部從所述基底中的第一晶面開始沿所述第二晶面的晶面取向延伸出。
文檔編號(hào)H01L29/04GK102082167SQ200910188569
公開日2011年6月1日 申請(qǐng)日期2009年11月27日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月27日
發(fā)明者劉崢, 吳健, 段文暉, 顧秉林 申請(qǐng)人:清華大學(xué), 鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司