專利名稱：晶片蠟粘接設備的制作方法
技術領域：
本發明涉及一種晶片蠟粘接設備。
背景技術：
在半導體行業，大多半導體制造廠商對晶片蠟粘接流程是用加熱和加壓粘接兩個 工作臺來進行的涂蠟的載片盤在加熱臺被加熱后，將晶片輕附于軟化的蠟上，然后用人工 將其轉移至加壓臺進行冷卻加壓，最后將晶片牢牢粘在載物盤上，操作工序繁鎖，晶片在兩 個工作臺搬運轉移的過程中，極易遭到損傷
實用新型內容
本發明所要解決的技術問題是提供一種方便、簡單、易于操作、能夠減少對晶片損
傷的晶片蠟粘接設備。 本發明采用如下技術方案 本發明包括粘接平臺、設置在粘接平臺上的處于同一水平面的加熱臺和加壓臺， 所述的加壓臺的上端設置有由氣缸以及固定在氣缸桿下端的壓盤構成的施壓裝置，所述的 加熱臺由隔熱板、設置在隔熱板上的電熱板以及設置在電熱板上端的臺板構成，在粘接平 臺上設置有由手柄、推板和導軌構成的推送裝置，所述的推板設置在加熱臺的一端，導軌設 置在加熱臺的兩側，推板和手柄固定連接，推板設置在加熱臺上并可在導軌上滑動，推動手 柄可將加熱臺上的載片盤移動到加壓臺上。 本發明在加壓臺上設置有用于固定載片盤位置的限位螺釘。
本發明的有益效果 在晶片加工的多個工藝流程中，都需要進行晶片的蠟粘接環節，本發明蠟粘接臺 利用推板將加熱后的載片盤和晶片沿導軌推至加壓臺，避免了人工直接對晶片的接觸和搬 運，能夠減少對晶片的損傷。本發明易于操作，并可有益提高工作效率。
附圖1為本發明結構示意圖；
附圖2為本發明俯視結構示意圖；
附圖3為本發明晶片加熱狀態示意圖；
附圖4為本發明晶片推送狀態示意圖；
附圖5為本發明晶片加壓狀態示意圖。 在附圖中1手柄、2推板、3加熱臺、4氣缸、5氣缸桿、6壓盤、7限位螺釘、8加壓 臺、9臺板、10電熱板、11導軌、12隔熱板、13載片盤、14晶片、15粘接平臺。
具體實施例方式
如附圖1-5所示為本發明的一個實施例，本發明提供了一種集晶片的加熱和加壓為一體的蠟粘接臺。本發明粘接臺主要由加熱臺3、加壓臺8、施壓裝置和載盤推送裝置組 成。如附圖1、2所示，本發明加熱臺3由電熱板10(不銹鋼云母電加熱板)、隔熱板12和 臺板9組成；推送裝置由手柄1、推板2和導軌11(簡易線性導軌K8RR16， MISUMI)組成， 加壓臺8上固定有兩個限位螺釘7，保證載片盤13的準確定位；施壓裝置由氣缸4(CDA2G 63-200-Y7BW， SMC)和固定在氣缸桿5下端的壓盤6組成。如附圖3、4所示，使用本發明， 將涂有固體蠟的載片盤13放置于加熱臺3上進行定時加熱，達到一定溫度，待蠟完全融化 后，然后將各晶片14粘附在載片盤13相應的位置。操作手柄1通過推板2將載片盤13沿 導軌11從加熱臺3上推至冷卻加壓臺8，通過限位螺釘7起到限位作用，如附圖5所示，然 后啟動汽缸4通過壓盤6向下施加一定的壓力，將晶片14粘接在載片盤13上，完成操作過 程。
權利要求
一種晶片蠟粘接設備，其特征在于其包括粘接平臺(15)、設置在粘接平臺(15)上的處于同一水平面的加熱臺(3)和加壓臺(8)，所述的加壓臺(8)的上端設置有由氣缸(4)以及固定在氣缸桿(5)下端的壓盤(6)構成的施壓裝置，所述的加熱臺(3)由隔熱板(12)、設置在隔熱板(12)上的電熱板(10)以及設置在電熱板(10)上端的臺板(9)構成，在粘接平臺(15)上設置有由手柄(1)、推板(2)和導軌(11)構成的推送裝置，所述的推板(2)設置在加熱臺(3)的一端，導軌(11)設置在加熱臺(3)的兩側，推板(2)和手柄(1)固定連接，推板(2)設置在加熱臺(3)上并可在導軌(11)上滑動，推動手柄(1)可將加熱臺(3)上的載片盤(13)移動到加壓臺(8)上。
2. 根據權利要求l所述的晶片蠟粘接設備，其特征在于在加壓臺(8)上設置有用于固 定載片盤(13)位置的限位螺釘(7)。
全文摘要
本發明涉及一種晶片蠟粘接設備，它包括粘接平臺、設置在粘接平臺上的處于同一水平面的加熱臺和加壓臺，加壓臺的上端設置有由氣缸以及固定在氣缸桿下端的壓盤構成的施壓裝置，在粘接平臺上設置有由手柄、推板和導軌構成的推送裝置，推板設置在加熱臺的側端，推板和手柄固定連接，推板設置在加熱臺上并可在導軌上滑動，推動手柄可帶動加熱臺在粘接平臺上移動。本發明蠟粘接臺利用推料板將加熱后的載片盤和晶片沿導軌推至加壓臺，避免了人工直接對晶片的接觸和搬運，能夠減少對晶片的損傷。
文檔編號H01L21/677GK101702397SQ20091017542
公開日2010年5月5日 申請日期2009年11月16日 優先權日2009年11月16日
發明者陳學森, 陶永軍, 高慧瑩 申請人:中國電子科技集團公司第四十五研究所