偏移裸片堆疊中的半導體裸片支撐的制作方法

專利名稱：偏移裸片堆疊中的半導體裸片支撐的制作方法
技術領域：
本發明的實施例涉及一種低輪廓半導體裝置及制造所述低輪廓半導體裝置的方法。
背景技術：
對便攜式消費電子裝置的需求的強烈增長推動著對高容量存儲裝置的需要。例如 快閃存儲器存儲卡的非易失性半導體存儲器裝置正變得廣泛用于滿足不斷增長的對數 字信息存儲及交換的需求。此類存儲器裝置的便攜性、多功能性及堅固耐用設計連同 其高可靠性及大容量已使此類存儲器裝置理想地用于各種各樣的電子裝置中，包含(例 如)數碼相機、數字音樂播放器、視頻游戲控制臺、PDA及蜂窩式電話。雖然已知各種各樣的封裝配置，但快閃存儲器存儲卡通常可制造為單封裝系統 (SiP)或多芯片模塊(MCM)，其中多個裸片以堆疊式配置安裝在襯底上。現有技 術圖l及2中顯示常規半導體封裝20 (不具有模制化合物)的邊視圖。典型的封裝包 含安裝到襯底26的多個半導體裸片22、 24。雖然圖1及2中未顯示，但所述半導體 裸片形成有位于所述裸片的上部表面上的裸片接合墊。襯底26可由夾在上部傳導層與 下部傳導層之間的電絕緣核心形成。所述上部傳導層及/或下部傳導層可經蝕刻以形成 包含電引線及接觸墊的電導圖案。將線接合焊接在半導體裸片22、 24的裸片接合墊與 襯底26的接觸墊之間以將半導體裸片電耦合到襯底。所述襯底上的電引線又提供裸片 與主機裝置之間的電路徑。 一旦形成裸片與襯底之間的電連接，通常，接著將所述組 合件包封在模制化合物中以提供保護性封裝。已知以堆疊式配置(現有技術圖1)或以偏移(現有技術圖2)將半導體裸片層 疊在彼此頂部上。在圖l的堆疊式配置中，兩個或兩個以上的半導體裸片直接堆疊在 彼此頂部上，借此為既定大小半導體裸片提供最小占用面積。然而，在堆疊式配置中， 必須在鄰近半導體裸片之間為接合線30提供空間。除接合線30本身的高度之外，還 必須在所述接合線上面留有額外空間，因為一個裸片的接合線30與上面的下一裸片接 觸可導致電短路。因此，如圖1中所示，已知提供介電間隔件層34以為將要接合到下 部裸片24上的裸片接合墊的線接合30提供足夠的空間。在圖2的偏移配置中，以偏移堆疊所述裸片以使得下一下部裸片的接合墊暴露。 此類配置顯示于(例如)林(Lin)等人的標題為"Multichip Module Having A Stacked Chip Arrangement (具有堆疊式芯片布置的多芯片模塊)"的美國專利第6,359,340號中。偏移配置提供便于接近所述半導體裸片中的每一者上的接合墊的優點。Off Of在圖 2所示的實施例中，所述線接合是從頂部半導體裸片22的第一邊緣及底部半導體裸片 24的相對邊緣形成的。還已知從與底部裸片24相同的邊緣從頂部裸片22提供線接合。在圖1及2的配置中，在安裝裸片之后，可使用線接合毛細管將所述裸片線接合 在所述襯底與相應裸片之間。 一種己知的線接合工藝是球接合工藝，其中將要線接合 的一段線(通常是金或銅)被饋送穿過所述線接合毛細管的中心腔。所述線穿過所述 毛細管的尖端伸出，其中從與所述毛細管尖端相關聯的變換器向所述線施加高電壓電 荷。所述電荷使所述尖端處的線熔化且所述線由于熔融金屬的表面張力而形成為球。隨著所述球凝固，所述毛細管降低到半導體裸片的表面以接納線接合的第一端。 可對所述表面進行加熱以促進較好接合。在負載下將所述線接合球沉積在所述裸片的 裸片接合墊上，同時變換器施加超聲波能量。組合的熱、壓力及超聲波能量在所述線 接合球與所述裸片接合墊之間形成接合。接著，穿過所述毛細管將所述線放出，且線接合裝置移到接納所述線接合的第二 端的襯底(或其它半導體)。接著，再次使用熱、壓力及超聲波能量但不是形成球而 是形成稱為楔形接合或尾端接合的第二接合，所述線在壓力下被擠壓而形成第二接合。 接著，所述線接合裝置放出一小段線并將所述線從第二接合的表面撕下。接著，使用 從所述毛細管的末端垂下的小尾線來形成用于下一隨后線接合的線接合球。上述循環 可每秒重復約20到30次。如圖1及2中所見，上部裸片22的接納線接合的部分懸伸在下部裸片24之外且 其后表面上未受到支撐。常規半導體封裝的一個問題是當線接合毛細管接觸上部裸片 以粘附線接合球時，其在裸片22的其后表面處未受到支撐的部分上施加向下壓力。在 過去，半導體裸片足夠厚，因此這并不是一個重要問題。然而，由于半導體裸片的厚 度已顯著地降低，因此線接合毛細管在線接合期間施加的壓力可使上部裸片破裂或否 則損壞上部裸片。發明內容本發明的實施例涉及一種半導體裝置，其包含支撐結構，所述支撐結構用于支撐 半導體裸片的未支撐于下面的襯底或半導體裸片上的邊緣。在實施例中，所述半導體裝置通常可包含襯底，其具有多個接觸墊；第一半導體裸片，其安裝在所述襯底上； 及第二半導體裸片，其以偏移配置安裝在所述第一半導體裸片上，使得所述第二半導 體裸片的邊緣懸伸在所述第一半導體裸片之外。可將支撐結構附加到所述懸伸邊緣下 方的所述接觸墊中的一者或一者以上以在對懸伸邊緣施加向下力的線接合工藝期間支 撐所述懸伸邊緣。在實施例中，個別接觸墊上的支撐結構可以是使用線接合毛細管附加到接觸墊的 單個支撐球或支撐球堆疊。所述支撐球的高度大約是第一半導體裸片的厚度，使得第二半導體裸片平直地倚靠在第一半導體裸片及支撐球兩者上。此允許在隨后的線接合 工藝期間支撐第二半導體裸片的懸伸邊緣，使得所述懸伸邊緣內的應力被最小化。替代或除通過線接合毛細管形成的支撐球之外，還可通過在晶片級或組裝工藝處的螺柱凸塊形成(studbumping)或金凸塊形成而在接觸墊上形成凸塊。在另一替代實 施例中，替代支撐球，支撐結構可以是形成于所述襯底上的一對接觸墊之間的線環， 例如眺臺式環。所述線環在隨后的線接合工藝期間支撐半導體裸片的懸伸邊緣。


圖1是包含呈重疊關系且由間隔件層分離的一對半導體裸片的常規半導體裝置的 現有技術邊視圖。圖2是包含以偏移關系堆疊的一對半導體裸片的常規半導體裝置的現有技術邊視圖。圖3是顯示制造根據本發明實施例的半導體裝置的流程圖。 圖4是根據本發明實施例的半導體裝置在第一制造階段期間的俯視圖。 圖5是根據本發明實施例的半導體裝置在另一制造階段期間的俯視圖。 圖6是在進一步的制造階段期間包含根據本發明實施例的支撐球的半導體裝置的 俯視圖。圖7是半導體裝置在圖6中所示的制造階段期間包含根據本發明的實施例的支撐 球的側視圖。圖8是根據本發明實施例的半導體裝置在另一制造階段期間的側視圖。圖9是根據本發明實施例的完整半導體裝置的側視圖。圖10是根據本發明實施例的半導體裝置在第一制造階段期間的俯視圖。圖11是根據本發明實施例的半導體裝置在另一制造階段期間的俯視圖。圖12是半導體裝置在另一制造階段期間包含根據本發明實施例的支撐環的俯視圖。圖13是半導體裝置在一制造階段期間包含圖12中所示的支撐環的側視圖。 圖14是根據本發明實施例的半導體裝置在另一制造階段期間的側視圖。 圖15是根據本發明替代實施例的完整半導體裝置的側視圖。
具體實施方式
現在將參照圖3到15描述涉及一種半導體封裝及形成所述半導體封裝的方法的 實施例。應理解，本發明可以許多不同形式體現，而不應視為受限于本文所陳述的實 施例。而是，提供這些實施例旨在使本揭示內容透徹且完整并將本發明全面傳達給所 屬領域的技術人員。實際上，本發明打算涵蓋這些實施例的替代、修改及等效形式， 這些實施例的替代、修改及等效形式包含于由所附權利要求書界定的本發明的范圍及中，陳述了眾多特定細節以提供對本發明的 透徹理解。然而，所屬領域的技術人員應清楚，可在無此類特定細節的情況下實踐本 發明。本文中使用術語"頂部"和"底部"及"上部"和"下部"僅出于方便及說明性 目的且并不意謂著限制對本發明的描述，因為所參照的物項可交換位置。現在將參照圖3的流程圖及圖4到15的各種俯視圖及側視圖解釋用于形成根據 本發明的半導體封裝100的工藝。首先參照圖4的俯視圖，其顯示襯底102。雖然未 顯示，但襯底102可以是一板襯底的一部分，使得可為實現規模經濟而批量處理根據 本發明的半導體封裝。雖然下文描述了單個半導體封裝的制造，但應理解，以下描述 可應用于在所述襯底板上形成的所有封裝。襯底102可以是各種不同的芯片載體媒介，包含PCB、引線框架或帶式自動接合 (TAB)帶。在襯底102是PCB的情形下，所述襯底可由上面形成有頂部及/或底部 傳導層的核心形成。所述核心可以是各種介電材料，例如聚酰亞胺層壓片、包含FR4 及FR5的環氧樹脂、雙馬來酰亞胺三嗪(BT)等等。傳導層可由以下材料形成銅或 銅合金、鍍銅或鍍銅合金、合金42 (42Fe/58Ni)、鍍銅鋼或已知供在襯底上使用的其 它金屬或材料。如已知，可在步驟200中將所述傳導層蝕刻為電導圖案。所述電導圖案在半導體 裸片(如下文所解釋，其附加到襯底)與外部裝置(未顯示)之間傳遞信號。所述電 導圖案可包含接觸墊104、 106及電跡線108。圖中以實例方式顯示接觸墊及電跡線的 數量及圖案，且其它實施例中，可存在呈各種圖案的更多接觸墊及電跡線。在圖4的 實施例中，接觸墊106不與任一特定接觸墊104對準。在替代實施例中，圖4中所示 的兩個墊106可與兩個墊104對準。在半導體封裝是焊盤網格陣列(LGA)封裝的情 形下，還可在襯底102的后表面上界定接觸指(未顯示)。提供用于在襯底102的前 表面與后表面之間傳遞信號的通孔110。可用一層焊料掩模覆蓋襯底102的上部表面 及下部表面的若干部分，從而使接觸墊104、 106及所述接觸指(如果提供的話)暴露。 接著，可以(例如)此項技術中已知的電鍍工藝給接觸墊104、 106及接觸指(如果提 供的話)鍍上一個或一個以上金層。現在參照圖5的俯視圖，可在步驟202中將半導體裸片120安裝到襯底102。可 以已知的粘合劑或共熔裸片接合工藝經由裸片附接粘合劑122 (圖7)將裸片120附加 到襯底102。所述裸片包含鄰近裸片120的第一邊緣126的多個裸片接合墊124。在安 裝裸片120之后，襯底102上的接觸墊104及106保持鄰近裸片120的第二邊緣128 暴露。現在參照圖6的俯視圖，根據本發明，可在步驟204中將裸片支撐球130附加到 接觸墊106。圖6顯示位于沿裸片120的邊緣128的兩個位置處的支撐球130。應理解， 在替代實施例中，支撐球130可提供于沿裸片120的邊緣128的單個位置處或多于兩 個位置處。除圖6的俯視圖之外，現在還參照圖7的側視圖，可將一對支撐球130彼置處。在實施例中，可使用常規線接合毛細管(未顯示)在襯底102上形成支撐球130。舉例來說，在一個實施例中，可通過經由與所述毛細管相關聯的變換器在毛細管的尖端處形成球來沉積支撐球130。球130的大小可通過所述毛細管控制，此取決于將要 包含在單個堆疊中的球130的數量及半導體裸片120的厚度。接著，可將所述毛細管 降低到接觸墊106。可對或可不對襯底102的表面進行加熱以促進支撐球130到接觸 墊106的接合。在形成球130之后，可接著在負載下將球130沉積在接觸墊106上， 同時所述變換器施加超聲波能量。組合的熱、壓力及/或超聲波能量在支撐球130與接 觸墊106之間形成接合。接著，所述線接合裝置可放出一小段線，且可在所述支撐球 處切斷所述線以在所述接觸墊上留下支撐球。可接著使用從所述毛細管的末端垂下的 小尾線來形成下一支撐球130。可將下一支撐球130直接堆疊在第一支撐球130的頂 部上。或者，可在所有接觸墊106上形成第一層級的支撐球130，之后在所述第一層 級上堆疊第二層級的支撐球130。可通過各種其它方法在襯底102的接合墊106處形成支撐球130，所述方法包含 (例如)晶片或組裝級的螺柱凸塊形成或金凸塊形成，或上述球及凸塊中的任何者的 組合。此外，在本發明的替代實施例中，支撐球130的大小及形狀可有所不同。在實 施例中，支撐球130可各自為球形、長度大于寬度的卵形或寬度大于長度的卵形。當 在球接合工藝中使毛細管的尖端處的線熔化且接著將其施加到接合墊時，可以已知方 式形成此類形狀。應理解，在本發明的其它實施例中，支撐球130可以是其它形狀。 此外，盡管顯示支撐球堆疊具有兩個支撐球，但應理解，在其它實施例中，單個位置 可包含單個支撐球或多于兩個支撐球。此可部分地由所使用的半導體裸片120的厚度 確定。在具有以上實施例中的任一者中所描述的形狀的情形下，如圖7中所示的堆疊式 支撐球130可在襯底102上方延伸到大約等于半導體裸片120的厚度的高度。在實施 例中，支撐球130的高度可以是幾百微米至5到IO密爾，此取決于所使用的半導體裸 片的厚度及所使用的線接合毛細管的配置。應理解，在本發明的替代實施例中，支撐 球130的高度可少于幾百微米且大于IO密爾。此外，在堆疊含有兩個或兩個以上支撐 球130的情形中，應理解，堆疊中的每一球可以是相同直徑或可具有彼此不同的直徑。仍參照圖7，在步驟208中，可在裸片堆疊上附加額外裸片，圖7中的裸片140。 可以已知的粘合劑或共熔裸片接合工藝經由裸片附接粘合劑142將裸片140附加到襯 底102。所述裸片包含鄰近裸片140的邊緣144的多個裸片接合墊(在圖7的側視圖 中看不見)。在實施例(未顯示)中，裸片120與裸片140之間可另外包含如此項技 術中已知的互連體層。由于互連體層將有效地提升第二裸片140在第一裸片120的表 面上方的高度，因此可相應地增加支撐球130的高度。如圖7中所見，球130的高度大約是第一半導體裸片120的厚度，使得第二半導 體裸片140平直地倚靠在第一半導體裸片120與支撐球130兩者上。就工程公差阻礙對支撐球堆疊的高度精確定大小來說，所述高度可改變為裸片附接粘合劑142的厚度。 因此，堆疊式支撐球的高度可略大于第一裸片120的厚度，在此情形中，上部支撐球 130可投入到裸片140的下側上的裸片附接粘合劑142中。此外，如果堆疊式支撐球 的高度略大于第一裸片120的厚度，那么所述支撐球的高度可因在裸片附接工藝期間 將第二裸片140安裝在裸片堆疊上所借助的向下力而減小。
由于支撐球130是導電的且與接觸墊106及裸片140的下側兩者都接觸，因此接 觸墊106可以是經電接地的墊。因此，防止電短路。應理解，替代或除粘合劑裸片附 接層142之外，還可在裸片140的下側上提供一層電介質。在此類實施例中，接觸墊 106不必是經接地的墊。
在于步驟208中將半導體裸片140附加到裸片堆疊之后，線接合可在步驟210中 將裸片120、 140電耦合到襯底102。明確地說，如圖8的側視圖中所示，線接合146 可附接在裸片120上的裸片接合墊與襯底102上的接觸墊104之間，且線接合148可 附接在裸片140上的裸片接合墊與襯底102上的接觸墊104之間。線接合146、 148 可以已知的線接合工藝形成，例如正向或反向球接合。
如背景技術部分中所解釋，在其中上部裸片140的邊緣144不受支撐的現有技術 封裝中，在線接合工藝期間通過線接合毛細管施加在裸片140的所述邊緣上的壓力可 損壞裸片140。然而，由于支撐球130的支撐，因此防止在線接合工藝期間對裸片140 的損壞。
圖8中所示的實施例包含兩個堆疊的裸片。然而，應理解，所述裸片堆疊中可包 含多于兩個的半導體裸片。因此，如由圖3的流程圖中的虛線箭頭所指示，形成且附 接支撐球的步驟204、附接額外裸片的步驟208及線接合所述額外裸片的步驟210可 重復一次或一次以上的額外次數。在其中添加第三裸片的一個實例中，可使所述第三 裸片沿與裸片140相反的方向偏移，使得所述第三裸片正好在上面對準第一裸片120。 在此實施例中，支撐球130可提供在裸片120的第一邊緣126處的裸片接合墊124中 的一者或一者以上上。可以類似的交替偏移方式添加額外裸片。
雖然以上描述涉及將支撐球添加到包含偏移裸片堆疊的半導體封裝，但本發明還 涵蓋可使用所述支撐球來支撐例如現有技術圖1中所示的重疊裸片堆疊中的懸伸邊 緣。在此實施例中，所述支撐球可以是與圖1中所示的現有技術封裝的間隔件層34 相同的厚度。所述支撐球可鄰近所述間隔件層的邊緣而提供以支撐上部裸片的一側或 兩側的懸伸邊緣。
現在參照圖9的側視圖，在形成裸片堆疊并將其線接合到襯底102上的接合墊之 后，可在步驟216中將裸片堆疊包封在模制復合物150內，且在步驟218中從所述板 單片化所述裸片堆疊以形成成品半導體裸片封裝100。模制復合物150可以是(例如) 可從住友(Sumitomo)公司及日東電工(NittoDenko)公司(兩個公司總部均在日本) 購得的已知環氧樹脂。在一些實施例中，可任選地在步驟220中將成品封裝IOO包封 在蓋內。現在將參照圖10到15的俯視及側視圖描述本發明的替代實施例。具有與上述實
施例的結構及操作相似的結構及操作的組件具有被增量200的參考編號。如圖10中所 示，提供包含本文中所界定的接觸墊304、 306及電跡線308的襯底302。在圖10的 實施例中，顯示接觸墊306與一對接觸墊304對準。在替代實施例中，圖10中所示的 兩個墊306不必與任何墊304對準。
如圖11的俯視圖中所示，可使用裸片附接層322 (圖13)如上文針對裸片320 所描述的那樣將包含裸片接合墊324的第一半導體裸片320安裝到襯底302。根據此 實施例，接著將線環360 (本文中還稱為眺臺式環)線接合在所述襯底上的接合墊306 與襯底302上的鄰近接合墊304 (圖12中為304a)之間。眺臺式環360是通過首先經 由與毛細管相關聯的變換器在所述毛細管的尖端處形成球362而提供。接著，可將所 述毛細管降低到接觸墊306。可對或可不對襯底302的表面進行加熱以促進球362到 接觸墊306的接合。在形成球362之后，接著可在負載下將球362沉積在接觸墊306 上，同時變換器施加超聲波能量。組合的熱、壓力及/或超聲波能量在球362與接觸墊 306之間形成接合。
接著，所述線接合毛細管可放出一段線以形成環364，且所述毛細管移到鄰近的 接觸墊304。在不同實施例中，環364可具有圓形頂點或扁平頂點。接著，再次使用 熱、壓力及超聲波能量在鄰近接觸墊304a上形成楔形接合或類似接合。接著，放出少 量的線且在所述楔形接合處將所述線扯下。
用于形成眺臺式環360的線可與用于形成上述線接合的線厚度相同或更厚且更堅 固。在實施例中，與用于線接合的0.8密爾相比，環360中所使用的線可以是0.8密爾 到1密爾。這些厚度只是舉例說明且在替代實施例中可有所不同。盡管所述圖顯示兩 個眺臺式環360，但應理解，可使用單個眺臺式環或可使用多于兩個眺臺式環。
現在參照圖14的側視圖，接下來可使用粘合劑裸片附接層342將第二半導體裸 片340安裝在第一半導體裸片320的頂部上。環364可在第二裸片340安裝在裸片堆 疊上時被其略微壓縮，但眺臺式環360為裸片340的懸伸邊緣344提供結構支撐。這 個結構支撐足以承受隨后的線接合工藝期間施加在邊緣344上的壓力。由于眺臺式環 360是導電的且與接觸墊304a、 306及裸片340的下側兩者都接觸，因此接觸墊304a 及306可以是經電接地的墊。因此，防止電短路。應理解，替代或除粘合劑裸片附接 層342之外，還可在裸片340的下側上提供一層電介質。在此類實施例中，接觸墊304a 及306不必是經接地的墊。
如圖14中的進一步顯示，在安裝第二裸片340之后，線接合346及348可將裸 片320、 340電耦合到襯底302，如上文針對線接合146及148所描述。線接合346、 348可以已知的線接合工藝形成，例如正向或反向球接合。接納眺臺式環360的末端 的接合墊304a還可或還可不接納線接合346的末端。眺臺式環360提供對裸片340的 邊緣344的支撐以防止在形成線接合348時損壞到裸片340。如以上針對支撐球130 實施例的描述，在這個實施例中，可通過在裸片堆疊的每一層級處形成一個或一個以上眺臺式環360來將多于兩個的半導體裸片附加到所述裸片堆疊。
現在參照圖15的側視圖，在形成裸片堆疊并將其線接合到襯底302上的接合墊 之后，可將所述裸片堆疊包封在模制復合物350內，并將從所述板單片化所述裸片堆 疊以形成成品半導體裸片封裝300。在一些實施例中，可任選地將成品封裝300包封 在蓋內。
在實施例中，封裝100/300內所用的半導體裸片120、 140可包含一個或一個以上 快閃存儲器芯片，且可能包含例如ASIC的控制器，以使得封裝100/300可被用作快閃 存儲器裝置。應理解，在本發明的其它實施例中，封裝100/300可包含經配置以執行 其它功能的半導體裸片。
出于圖解說明及描述的目的，上文已呈現了對本發明的詳細描述。本文并不打算 包羅無遺或將本發明限制于所揭示的精確形式。鑒于上述教示內容，可能做出許多修 改及改變。選擇所描述的實施例旨在最好地解釋本發明的原理及其實際應用，借此使 所屬領域的技術人員能夠以適合于所涵蓋的特定使用的各種實施例及使用各種修改來 最好地利用本發明。本發明的范圍由所附權利要求書界定。
權利要求
1、一種半導體裝置，其包括第一組件，其包含多個接觸墊；第二組件，其支撐于所述第一組件上方，所述第二組件包含未被所述第一組件支撐且定位于所述第一組件上的所述多個接觸墊中的一部分接觸墊上方的邊緣；支撐結構，其附加到所述第一組件上的所述部分的接觸墊中的一個或一個以上接觸墊，所述支撐結構支撐所述第二組件的未被所述第一組件支撐的所述邊緣；及至少一個線接合，其在所述第二組件的未被所述第一組件支撐的所述邊緣處從所述第二組件上的裸片接合墊延伸以將所述第二組件電耦合到所述半導體裝置。
2、 如權利要求1所述的半導體裝置，其中所述第一組件包括襯底，且所述第二 組件包括安裝在第一半導體裸片上的第二半導體裸片，所述第一半導體裸片安裝在所 述襯底上。
3、 如權利要求1所述的半導體裝置，其中所述第一組件包括第一半導體裸片， 且所述第二組件包括安裝在間隔件層上的第二半導體裸片，所述間隔件層安裝在所述 第一半導體裸片上。
4、 如權利要求1所述的半導體裝置，其中所述支撐結構包括沉積在所述第一組 件上的一個或一個以上球。
5、 如權利要求1所述的半導體裝置，其中所述支撐結構包括沉積在所述第一組 件上的一個或一個以上球堆疊。
6、 如權利要求1所述的半導體裝置，其中所述支撐結構包括形成于所述第一組 件上的所述部分的接觸墊中的一對接觸墊之間的線環。
7、 如權利要求1所述的半導體裝置，其中所述支撐結構通過線接合毛細管附加 到所述一個或一個以上接觸墊。
8、 如權利要求1所述的半導體裝置，其中所述支撐結構通過在晶片級處的螺柱 凸塊形成或金凸塊形成中的一者形成于所述一個或一個以上接觸墊上。
9、 如權利要求1所述的半導體裝置，其中所述支撐結構所附加到的所述一個或 一個以上接觸墊電接地。
10、 如權利要求l所述的半導體裝置，其進一步包括位于所述第二半導體裸片的 下側上的介電層。
11、 如權利要求10所述的半導體裝置，其中所述支撐結構所附加到的所述一個 或一個以上接觸墊不電接地。
12、 如權利要求l所述的半導體裝置，其中所述裝置是快閃存儲器裝置。
13、 一種半導體 置，其包括 襯底，其包含多個接觸墊；第一半導體裸片，其安裝在所述襯底的表面上，所述襯底上的所述接觸墊中的至少一部分接觸墊緊鄰所述第一半導體裸片的第一邊緣暴露；第二半導體裸片，其安裝在所述第一半導體裸片的表面上，所述第二半導體裸片包含未被所述第一半導體裸片支撐的第一邊緣；支撐結構，其附加到所述襯底上緊鄰所述第一半導體裸片的所述第一邊緣暴露的 所述部分的接觸墊中的一個或一個以上接觸墊，所述支撐結構支撐所述第二半導體裸 片的未被所述第一半導體裸片支撐的所述第一邊緣；及至少一個線接合，其附加于所述第二半導體裸片上的裸片接合墊與所述襯底上的 所述多個接觸墊中的接觸墊之間。
14、 如權利要求13所述的半導體裝置，其中所述支撐結構包括沉積在所述襯底 上的一個或一個以上球。
15、 如權利要求13所述的半導體裝置，其中所述支撐結構包括沉積在所述襯底 上的一個或一個以上球堆疊。
16、 如權利要求13所述的半導體裝置，其中所述支撐結構包括形成于所述襯底 上的所述部分的接觸墊中的一對接觸墊之間的線環。
17、 如權利要求13所述的半導體裝置，其中所述支撐結構所附加到的所述一個 或一個以上接觸墊電接地。
18、 如權利要求13所述的半導體裝置，其進一步包括位于所述第二半導體裸片 的下側上的介電層。
19、 如權利要求18所述的半導體裝置，其中所述支撐結構所附加到的所述一個 或一個以上接觸墊不電接地。
20、 一種半導體裝置，其包括-襯底，其包含多個接觸墊；第一半導體裸片，其安裝在所述襯底的表面上；第二半導體裸片，其安裝在所述第一半導體裸片的表面上，所述第二半導體裸片 包含未被所述第一半導體裸片支撐的第一邊緣；一個或一個以上支撐球，其安裝到所述襯底上的所述多個接觸墊中的一個或一個 以上接觸墊，所述支撐球支撐所述第二半導體裸片的未被所述第一半導體裸片支撐的 所述第一邊緣；及至少一個線接合，其附加于所述第二半導體裸片上的裸片接合墊與所述襯底上的 所述多個接觸墊中的接觸墊之間。
21、 如權利要求20所述的半導體裝置，其中所述一個或一個以上支撐球包括位 于所述一個或一個以上接觸墊中的單個接觸墊上的支撐球堆疊。
22、 如權利要求20所述的半導體裝置，其中所述一個或一個以上支撐球所附加 到的所述一個或一個以上接觸墊電接地。
23、 如權利要求20所述的半導體裝置，其中所述一個或一個以上支撐球通過線接合毛細管附加到所述一個或一個以上接觸墊。
24、 如權利要求20所述的半導體裝置，其中所述一個或一個以上支撐球通過在 晶片級處的螺柱凸塊形成或金凸塊形成中的一者形成于所述一個或一個以上接觸墊 上。
25、 一種半導體裝置，其包括-襯底，其包含多個接觸墊；第一半導體裸片，其安裝在所述襯底的表面上；第二半導體裸片，其安裝在所述第一半導體裸片的表面上，戶萬述第二半導體裸片 包含未被所述第一半導體裸片支撐的第一邊緣；線環，其安裝在所述襯底上的所述多個接觸墊中的一對接觸墊之間，所述線環支 撐所述第二半導體裸片的未被所述第一半導體裸片支撐的所述第一邊緣；及至少一個線接合，其附加于所述第二半導體裸片上的裸片接合墊與所述襯底上的 所述多個接觸墊中的接觸墊之間。
26、 如權利要求25所述的半導體裝置，其中所述線環所附加到的所述接觸墊對 電接地。
27、 如權利要求25所述的半導體裝置，其中所述線環通過線接合毛細管附加到 所述接觸墊對。
28、 如權利要求25所述的半導體裝置，其中用于所述線環的線粗于用于所述線 接合的線。
29、 如權利要求25所述的半導體裝置，其中用于所述線環的線與用于所述線接 合的線直徑相同。
30、 如權利要求25所述的半導體裝置，其中所述接觸墊對中接納所述線環的接 觸墊與接納線接合的至少一個接觸墊是同一接觸墊。
全文摘要
本發明揭示一種半導體裝置，其包含支撐結構，所述支撐結構用于支撐半導體裸片的未被支撐于下面的襯底或半導體裸片上的邊緣。在實施例中，所述半導體裝置通常可包含襯底，其具有多個接觸墊；第一半導體裸片，其安裝在所述襯底上；及第二半導體裸片，其以偏移配置安裝在所述第一半導體裸片上，使得第二半導體裸片的邊緣懸伸在第一半導體裸片之外。可將支撐結構附加到所述懸伸邊緣下方的所述接觸墊中的一者或一者以上以在對所述懸伸邊緣施加向下力的線接合工藝期間支撐所述懸伸邊緣。
文檔編號H01L25/065GK101661931SQ20091016616
公開日2010年3月3日 申請日期2009年8月18日 優先權日2008年8月20日
發明者習佳清, 赫姆·塔基阿爾, 邱錦泰 申請人:桑迪士克股份有限公司