專利名稱：：半導(dǎo)體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及包括InP基板上的n型半導(dǎo)體層和p型半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體器件。
背景技術(shù)：
：激光二極管(LD)在諸如壓縮光盤(compactdisk，CD)、數(shù)字式多用盤(digitalversatiledisk,DVD)或者藍(lán)光盤(blu-raydisk;BD)等光盤裝置中被用作光源。除了上面的應(yīng)用之外，激光二極管還被應(yīng)用在諸如光通信、固體激光激勵(lì)、材料加工、傳感器、測(cè)量?jī)x器、醫(yī)療、印刷機(jī)器和顯示器等各種領(lǐng)域內(nèi)。發(fā)光二極管(LED)被應(yīng)用在諸如電器的指示燈、紅外線通信、印刷機(jī)器、顯示器和照明燈等領(lǐng)域。然而，在LED中，盡管人類對(duì)于綠色具有最高光譜靈敏度，但綠色的效率與其它顏色相比并不高。另一方面，在LD中，在純藍(lán)色(480nm或稍高一點(diǎn))橙色(600nm或稍高一點(diǎn))的可見光范圍內(nèi)不能得到實(shí)用特性。例如，據(jù)E.Kato等人的報(bào)導(dǎo)，在通過在GaAs基板上層疊II-VI族化合物半導(dǎo)體而形成的藍(lán)綠色LD(大約500nm)中，實(shí)現(xiàn)了大約400小時(shí)1mW的室溫連續(xù)波運(yùn)行("SignificantprogressinII-VIblue-greenlaserdiodelifetime"byE.Katoetal.,ElectronicsLetters5th,February1998，Vol.34,No.3,pp.282-284(E.Kato等人的"II-VI族藍(lán)綠色激光二極管壽命的顯著進(jìn)步"，電子學(xué)快報(bào)第五期，1998年2月，Vol.34，No.3，第282-284頁))。然而，在這種材料體系中仍不能得到更好的特性。人們認(rèn)為這是由于材料中容易產(chǎn)生并移動(dòng)結(jié)晶缺陷的物理特性所致。一般地，在II-VI族化合物半導(dǎo)體中，不容易控制p型傳導(dǎo)。特別地，存在著p型載流子濃度隨著能隙的增加而降低的趨勢(shì)。例如，在E.Kato等人的"II-VI族藍(lán)綠色半導(dǎo)體器件壽命的顯著進(jìn)步"(電子學(xué)快報(bào)第五期，1998年2月，Vol.34，No.3，第282-284頁)中，能隙隨著作為p型熔覆層的ZnMgSSe中Mg的組分比的增加而有所增加。然而，當(dāng)能隙為大約3eV以上時(shí)，p型載流子濃度降低到小于1xl(^cm—s的值，并且不容易使用ZnMgSSe作為p型熔覆層。這種情況的原因分析如下。盡管在ZnMgSSe中有氮(N)原子作為p型摻雜劑，但很多原子位于VI族位置之外的間隙位置處，并且不會(huì)變成載流子。這意味著p型摻雜劑的活化率很低(遠(yuǎn)低于1%)。此外，人們認(rèn)為位于間隙位置的大量原子可能是產(chǎn)生結(jié)晶缺陷的主要原因。在E.Kato等人的"II-VI族藍(lán)綠色半導(dǎo)體器件壽命的顯著進(jìn)步"(電子學(xué)報(bào)第五期，1998年2月，Vol.34，No.3，第282-284頁)中，由于作為活性層的ZnCdSe不能與GaAs基板實(shí)現(xiàn)完全的晶格匹配，因而在ZnCdSe中存在變形。一般地，在發(fā)光器件和受光器件中，由于熱量、傳導(dǎo)或變形等的影響，缺陷從具有最大數(shù)量結(jié)晶缺陷的區(qū)域傳輸并擴(kuò)散，且該缺陷到達(dá)活性層。這導(dǎo)致器件的劣化和器件壽命的縮短。因此，在E.Kato等人的"II-VI族藍(lán)綠色半導(dǎo)體器件壽命的顯著進(jìn)步"(電子學(xué)快報(bào)第五期，1998年2月，Vol.34，No.3，第282-284頁)中所說明的活性層具有變形的情況下，當(dāng)在p型熔覆層等中產(chǎn)生結(jié)晶缺陷時(shí)，很可能由于該結(jié)晶缺陷而使器件劣化。為了這個(gè)原因，國內(nèi)外的發(fā)明人和一些研究小組的焦點(diǎn)集中于用II-VI族化合物半導(dǎo)體MgxZnyCd卜x-ySe(0Sx化0《y<1，0《1-x-ySl)作為用于形成出射黃光綠光的光學(xué)器件的備選材料，并進(jìn)行了研究和開發(fā)("MolecularbeamepitaxialgrowthofhighqualityZni—xCdxSeonInPsubstrates"byN.Daietal.,Appl.Phys.Lett.，66,2742(1995)(N.Dai等人的"在InP基板上進(jìn)行高質(zhì)量Zn^C4Se的分子束外延生長(zhǎng)"，應(yīng)用物理學(xué)快報(bào)，第66期，第2742頁，1995年)；"MolecularBeamEpitaxialGrowthofMgZnCdSeon(100)InPSubstrates"byT.Moritaetal.,J.Electron.Mater.，25，425(1996)(T,Morita等人的"在(IOO)InP基板上進(jìn)5行MgZnCdSe的分子束外延生長(zhǎng)"，電子材料期刊，第25期，第425頁，1996年))。當(dāng)各個(gè)組分x和組分y滿足下面的關(guān)系式時(shí)，MgxZnyCd^x—ySe(此后，簡(jiǎn)稱為"MgZnCdSe")與InP是晶格匹配的，并通過將各個(gè)組分x禾口組分y從x=0及y=0.47變化到x=0.8及y=0.17來使得MgxZriyCdi—x—ySe中的能隙可控制在2.1eV~3.6eV范圍內(nèi)。y=0.47-0.37x其中組分x為0以上且0.8以下；且組分y為0.17以上且0.47以下。在上述組分范圍內(nèi)，禁帶通常表示直接躍遷型，并且當(dāng)將該能隙轉(zhuǎn)換為波長(zhǎng)時(shí)，波長(zhǎng)為從5卯nm(橙色)至344nm(紫外線)。因而，這表明，通過僅改變MgZnCdSe中的組分x和組分y就能實(shí)現(xiàn)在出射黃光綠光的發(fā)光器件中的活性層和熔覆層。事實(shí)上，T.Morita等人對(duì)通過分子束外延(molecularbeamepitaxy,MBE)方法在InP基板上生長(zhǎng)的MgZnCdSe進(jìn)行光致發(fā)光測(cè)量。據(jù)報(bào)導(dǎo)，在具有各種組分x和組分y的MgZnCdSe中，得到了峰值波長(zhǎng)為從571nm至397nm的優(yōu)良發(fā)光特性("MolecularBeamEpitaxialGrowthofMgZnCdSeon(100)InPSubstrates"byT.Moritaetal"J.Electron.Mater,,25,425(1996)(T.Morita等人的"在(IOO)InP基板上進(jìn)行MgZnCdSe的分子束外延生長(zhǎng)"，電子材料期刊，第25期，第425頁，1996年))。據(jù)L.Zeng等人的報(bào)導(dǎo)，在通過使用MgZnCdSe而形成的量子阱結(jié)構(gòu)中，在各個(gè)紅色、綠色和藍(lán)色波長(zhǎng)帶中通過光激勵(lì)來實(shí)現(xiàn)激光振動(dòng)("Red-green-bluephotopumpedlasingfromZnCdMgSe/ZnCdSequantumwelllaserstructuregrownonInP"byL.Zengetal"Appl,Phys.Lett.,72,3136(1998)(L.Zeng等人的"從在InP上生長(zhǎng)的ZnCdMgSe/ZnCdSe量子阱激光結(jié)構(gòu)中由紅綠藍(lán)光泵產(chǎn)生激光"，應(yīng)用物理學(xué)快報(bào)，第72期，第3136頁，1998年))。另一方面，在僅由MgZnCdSe構(gòu)成的LD中，迄今為止還沒有通過電流驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)的激光振動(dòng)的報(bào)導(dǎo)。人們認(rèn)為主要原因是難以通過摻雜MgZnCdSe的雜質(zhì)來控制p型傳導(dǎo)。因而，當(dāng)使用MgZnCdSe作為n型熔覆層時(shí)，本發(fā)明的各發(fā)明人曾經(jīng)進(jìn)行了研究以尋找用于活性層和p型熔覆層的最佳材料。結(jié)果，通過使用ZnsCch-sSe(0<s<1)(此后，簡(jiǎn)稱為"ZnCdSe")作為活性層并使用MgSe/BeZnTe層疊結(jié)構(gòu)作為p型熔覆層從而實(shí)現(xiàn)在560nm處的黃綠色LD中的77K振動(dòng)，在該p型熔覆層中交替地層疊有BetZni_tTe層(0<1<1)(此后，簡(jiǎn)稱為"BeZnTe")和MgSe層。在此，77K振動(dòng)意味著當(dāng)發(fā)光器件被冷卻到77K時(shí)讓該發(fā)光器件發(fā)生振動(dòng)。當(dāng)使用BeuZn^uSewTei—w(0<u<l，0〈w〈l)(此后，簡(jiǎn)稱為"BeZnSeTe")來代替ZnCdSe作為活性層時(shí)，觀察到在594nm、575nm和542nm處的從橙色至黃綠色的單峰發(fā)光，并在575nm的LED中實(shí)現(xiàn)室溫下5000小時(shí)以上的發(fā)光。此外，各發(fā)明人曾制造了一種LED器件并研究了發(fā)光的詳細(xì)機(jī)制，在該LED器件中，n型熔覆層具有MgZnCdSe單層結(jié)構(gòu)或者M(jìn)gSe/ZnCdSe超晶格結(jié)構(gòu)并且活性層具有BeZnSeTe單層結(jié)構(gòu)。結(jié)果，可以了解，在發(fā)光波長(zhǎng)中對(duì)驅(qū)動(dòng)電流的依賴性大，并顯示出在從n型熔覆層至活性層附近的異質(zhì)界面中產(chǎn)生TypeII(半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)合時(shí)，第二種類型的能隙連接方式)的發(fā)光。接著，對(duì)于與InP晶格匹配的n型熔覆層和p型熔覆層，各發(fā)明人曾經(jīng)開發(fā)了如下方針n型熔覆層和p型熔覆層具有的能隙和折射率可以實(shí)現(xiàn)載流子限制(carrierconfinement)和光限制(lightconfinement)并且可以實(shí)現(xiàn)得到足夠載流子濃度的摻雜。結(jié)果，各發(fā)明人曾發(fā)現(xiàn)，通過主要使用MgZnSeTe作為n型熔覆層并主要使用BeMgZnTe作為p型熔覆層來滿足上述條件。此外，各發(fā)明人曾提出了通過使用上述n型熔覆層和p型熔覆層并且使用BeZnSeTe作為活性層材料而能夠發(fā)生綠色振動(dòng)的激光二極管。此后，各發(fā)明人曾利用MBE方法通過晶體生長(zhǎng)來生長(zhǎng)上述材料，并進(jìn)行評(píng)價(jià)。結(jié)果，在含有作為主要組分的MgZnSeTe的n型熔覆層中，可以了解的是，得到了足以用于光限制的折射率，并得到了足以用于載流子限制的電子勢(shì)壘(electronbarrier)。然而在這點(diǎn)上，可以了解的是，雖然存在著生長(zhǎng)條件不是完全最優(yōu)化的可能性，但僅得到了大約1xl017cm—3的載流子濃度，這對(duì)載流子傳導(dǎo)仍是不夠的。此外，可以了解的是，當(dāng)將結(jié)晶性維持在良好條件下時(shí)，難以通過晶體生長(zhǎng)來使熔覆層生長(zhǎng)成具有用于限制所必需的厚度(例如，大約1pm的厚度)。另一方面，在含有作為主要組分的BeMgZnTe的p型熔覆層中，可以了解的是，得到了足以用于載流子傳導(dǎo)(lxl018cm—3以上)的載流子濃度，并得到了足以用于光限制的折射率。然而在這點(diǎn)上，可以了解的是，當(dāng)將結(jié)晶性維持在良好條件下時(shí)，難以通過晶體生長(zhǎng)來使熔覆層生長(zhǎng)成具有用于限制所必需的厚度(例如，大約lpm的厚度)，并且僅得到了不足以用于載流子限制的空穴勢(shì)壘(holebarrier)。
發(fā)明內(nèi)容鑒于上述說明，期望提供一種半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體器件包括具有n型熔覆層中所需特性的n型熔覆層或者具有p型熔覆層中所需特性的p型熔覆層。本發(fā)明實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括半導(dǎo)體層，該半導(dǎo)體層在InP基板上依次包括n型第一熔覆層、n型第二熔覆層、活性層、p型第一熔覆層和p型第二熔覆層。所述n型第一熔覆層和所述n型第二熔覆層滿足下面的公式(1)公式(4)，或者所述p型第一熔覆層和所述p型第二熔覆層滿足下面的公式(5)公式(8)。lxio17cm-、N"lxl020cm-3...(l)N1>N2,,,(2)D1>D2…(3)Ecl<Ec3<Ec2…(4)lxl017cm-、N"1020cm-3…(5)N3<N4,,,(6)D3<D4...(7)Evl<Ev3<Ev2…(8)這里，Nl是所述n型第一熔覆層的n型載流子濃度，N2是所述n型第二熔覆層的n型載流子濃度，Dl是所述n型第一熔覆層的層厚度，D2是所述n型第二熔覆層的層厚度，Ecl是所述n型第一熔覆層的導(dǎo)帶底端或者導(dǎo)帶次級(jí)底端，Ec2是所述n型第二熔覆層的導(dǎo)帶底端或者導(dǎo)帶次級(jí)底端，Ec3是所述活性層的導(dǎo)帶底端或者導(dǎo)帶次級(jí)底端，N3是所述p型第一熔覆層的p型載流子濃度，N4是所述p型第二熔覆層的p型載流子濃度，D3是所述p型第一熔覆層的層厚度，D4是所述p型第二熔覆層的層厚度，Evl是所述p型第一熔覆層的價(jià)帶頂端或者價(jià)帶次級(jí)頂端，Ev2是所述p型第二熔覆層的價(jià)帶頂端或者價(jià)帶次級(jí)頂端，以及Ev3是所述活性層的價(jià)帶頂端或者價(jià)帶次級(jí)頂端。在本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件中，根據(jù)主要功能將所述n型熔覆層或者所述p型熔覆層分成兩層。例如，在根據(jù)主要功能將n型熔覆層分成兩層的情況下，在其中一層所述n型熔覆層(n型第一熔覆層)中，n型載流子濃度高于另一層所述n型熔覆層(n型第二熔覆層)中的n型載流子濃度，并且n型第一熔覆層的層厚度大于n型第二熔覆層的層厚度。因此，維持了整個(gè)n型熔覆層的載流子傳導(dǎo)。在所述n型第二熔覆層中，導(dǎo)帶底端或者導(dǎo)帶次級(jí)底端高于所述活性層的導(dǎo)帶底端或者導(dǎo)帶次級(jí)底端。因而，維持了足以用于載流子限制的電子勢(shì)壘，并抑制了TypeII發(fā)光。例如，在根據(jù)主要功能將p型熔覆層分成兩層的情況下，在其中一層所述p型熔覆層(p型第二熔覆層)中，p型載流子濃度高于另一層所述p型熔覆層(p型第一熔覆層)中的p型載流子濃度，并且p型第二熔覆層的層厚度大于p型第一熔覆層的層厚度。因而，維持了足以用于載流子傳導(dǎo)的p型載流子濃度。在所述p型第一熔覆層中，價(jià)帶頂端或者價(jià)帶次級(jí)頂端低于所述活性層的價(jià)帶頂端或者價(jià)帶次級(jí)頂端。因此，維持了足以用于載流子限制的空穴勢(shì)壘，并抑制了TypeII發(fā)光。在本發(fā)明實(shí)施例的半導(dǎo)體器件中，由于根據(jù)主要功能(載流子傳導(dǎo)的兩種類型、載流子限制以及對(duì)TypeII發(fā)光的抑制)將所述n型熔覆層或者所述p型熔覆層分成兩層，因而能夠?qū)⑤d流子傳導(dǎo)、載流子限制、對(duì)TypeII發(fā)光的抑制和光限制的全部特性設(shè)為適于所述n型熔覆層和所述p型熔覆層的值。結(jié)果，能夠?qū)崿F(xiàn)這樣的半導(dǎo)體器件，其包括具有n型熔覆層中所需特性的所述n型熔覆層或者具有p型熔覆層中所需特性的所述p型熔覆層。從下面的說明中將更全面地體現(xiàn)出本發(fā)明的其它和進(jìn)一步的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)。圖1是本發(fā)明實(shí)施例的激光二極管的截面結(jié)構(gòu)圖。圖2是用于解釋圖1中激光二極管的能帶結(jié)構(gòu)的概念圖。具體實(shí)施例方式下面參照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。圖l示出了本發(fā)明實(shí)施例的激光二極管l(半導(dǎo)體器件)的截面結(jié)構(gòu)。圖2示意性地示出了圖1中各層的能帶結(jié)構(gòu)的示例。利用例如分子束外延(MBE)方法和金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(metalorganicchemicalvapordeposition,MOCVD)方法等外延生長(zhǎng)方法或者金屬有機(jī)氣相外延(metalorganicvaporphaseepitaxy,MOVPE)方法來形成激光二極管1。通過沉積并生長(zhǎng)結(jié)晶膜且維持基板IO的晶體與該結(jié)晶膜之間的特定結(jié)晶學(xué)取向關(guān)系來形成激光二極管1。激光二極管1具有如下結(jié)構(gòu)在基板10的一個(gè)表面?zhèn)壬弦来螌盈B有緩沖層ll、n型熔覆層12、n側(cè)引導(dǎo)層13、活性層14、p側(cè)引導(dǎo)層15、p型熔覆層16和接觸層17?；?0是InP基板。在基板10的表面上形成緩沖層11是為了改善從n型熔覆層12到接觸層17的各半導(dǎo)體層的晶體生長(zhǎng)性能，且緩沖層ll包括例如從基板10側(cè)依次層疊的緩沖層11A、11B禾tUlC。這里，緩沖層IIA例如由Si摻雜的n型InP制成。緩沖層IIB例如由Si摻雜的n型InGaAs制成。緩沖層11C例如由Cl摻雜的n型ZnCdSe制成。n型熔覆層12具有如下結(jié)構(gòu)從活性層14的相反側(cè)(在本實(shí)施例中，指的是從基板10側(cè))依次層疊有n型第一熔覆層12A和n型第二熔覆層12B。在n型第一熔覆層12A與n型第二熔覆層12B的關(guān)系中，n型一熔覆層12A主要維持n型熔覆層12的載流子(電子)傳導(dǎo)。在n型第一熔覆層12A中，n型載流子濃度是Ixl017cnr3~lxl02()cm—3范圍內(nèi)的值，并且該n型載流子濃度是比n型第二熔覆層12B的n型載流子濃度值高的值。此外，n型第一熔覆層12A的厚度大于n型第二熔覆層12B的厚度。n型第一熔覆層12A的能隙大于n側(cè)引導(dǎo)層13和活性層14各自的能隙。n型第一熔覆層12A的折射率小于n側(cè)引導(dǎo)層13和活性層14各自的折射率。n型第一熔覆層12A的導(dǎo)帶底端或者導(dǎo)帶次級(jí)底端低于活性層14的導(dǎo)帶底端或者導(dǎo)帶次級(jí)底端。n型第一熔覆層12A例如具有主要含有MguZn"Cdi—xl_x2Se(0<xl<l，0<x2<l,0<l-xl-x2d)的單層結(jié)構(gòu)，或者具有主要含有MgSe/Zr^Cd^Se(0《3<1)超晶格的層疊結(jié)構(gòu)。在n型第一熔覆層12A與n型第二熔覆層12B的關(guān)系中，n型第二熔覆層12B主要維持n型熔覆層12的載流子(電子)限制，并控制TypeII發(fā)光。在n型第二熔覆層12B中，導(dǎo)帶底端或者導(dǎo)帶次級(jí)底端高于n側(cè)引導(dǎo)層13和活性層14各自的導(dǎo)帶底端或者導(dǎo)帶次級(jí)底端。n型第二熔覆層12B的能隙大于n側(cè)引導(dǎo)層13和活性層14各自的能隙。n型第二熔覆層12B的折射率小于n側(cè)引導(dǎo)層13和活性層14各自的折射率。n型第二熔覆層12B的n型載流子濃度是比n型第一熔覆層12A的n型載流子濃度值低的值。n型第二熔覆層12B的厚度小于n型第一熔覆層12A的厚度。n型第二熔覆層12B的價(jià)帶頂端或者價(jià)帶次級(jí)頂端低于n側(cè)引導(dǎo)層13和活性層14各自的價(jià)帶頂端或者價(jià)帶次級(jí)頂端。n型第二熔覆層12B例如具有主要含有Mgx4Zm^Sex5Te^5(0<x4<l，0.5<x5<l)的單層結(jié)構(gòu)，或者具有主要含有MgSe/Mg^Zm—x6Sex7Tebx7(0<x6<1，0.5<x7<1)超晶格的層疊結(jié)構(gòu)。這里，在n型第一熔覆層12A或者n型第二熔覆層12B包含超晶格的情況下，能夠通過調(diào)整該超晶格中所包含的各層的材料(組分比)和各層的厚度來改變(控制)有效能隙。此外在稍后說明的各半導(dǎo)體層包含超晶格的情況下，能夠通過調(diào)整該超晶格中所包含的各層的材料(組分比)和各層的厚度來改變(控制)有效能隙。作為包含在n型熔覆層12中的n型雜質(zhì)，例如有C1。11對(duì)n型第一熔覆層12A和n型第二熔覆層12B的說明可由下面的公式(1)公式(4)來表達(dá)。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage12</formula>這里，Nl是n型第一熔覆層12A的n型載流子濃度。N2是n型第二熔覆層12B的n型載流子濃度。Dl是n型第一熔覆層12A的層厚度。D2是n型第二熔覆層12B的層厚度。Ecl是n型第一熔覆層12A中的導(dǎo)帶底端或者導(dǎo)帶次級(jí)底端。Ec2是n型第二熔覆層12B中的導(dǎo)帶底端或者導(dǎo)帶次級(jí)底端。Ec3是活性層14的導(dǎo)帶底端或者導(dǎo)帶次級(jí)底端。n側(cè)引導(dǎo)層13的能隙大于活性層14的能隙。n側(cè)引導(dǎo)層13的折射率小于活性層14的折射率。n側(cè)引導(dǎo)層13的導(dǎo)帶底端或者導(dǎo)帶次級(jí)底端高于活性層14的導(dǎo)帶底端或者導(dǎo)帶次級(jí)底端。優(yōu)選地，n側(cè)引導(dǎo)層13的價(jià)帶頂端或者價(jià)帶次級(jí)頂端低于活性層14的價(jià)帶頂端或者價(jià)帶次級(jí)頂端°n側(cè)引導(dǎo)層13例如具有主要含有MgSe/BexwZn!^9Sex2oTe,-x20(0<xl9<l，0"20<1)超晶格的層疊結(jié)構(gòu)。然而，在n側(cè)引導(dǎo)層13包含上述超晶格的情況下，優(yōu)選的是，MgSe層和BexwZm-xwSex2oTe口x2o層均未被摻雜。在本發(fā)明的說明書中，"未被摻雜"意味著當(dāng)制造半導(dǎo)體層時(shí)不向該半導(dǎo)體層供給摻雜劑。這一概念還包括當(dāng)半導(dǎo)體層中根本不含有雜質(zhì)的情況，以及當(dāng)半導(dǎo)體層中略微含有從其它半導(dǎo)體層等擴(kuò)散來的雜質(zhì)的情況。活性層14主要包含具有對(duì)應(yīng)于所需發(fā)光波長(zhǎng)(例如，綠色帶的波長(zhǎng))的能隙的II-VI族化合物半導(dǎo)體。例如，活性層14具有主要含有(kxl4〈l)的單層結(jié)構(gòu)、主要含有MgSe/Be化Zn"xi5Se^Tep^6(0<x15<1，0<x16<1)超晶格的層疊結(jié)構(gòu)或者主要含有ZnSe/BexnZn』xnSe^Te卜x！8(0<xl7<l，0"18〈1)超晶格的層疊結(jié)構(gòu)。優(yōu)選的是，全部活性層14未被摻雜。在活性層14中，與稍后說明的凸起部(ridge)18相面對(duì)的區(qū)域是發(fā)光區(qū)域14A。發(fā)光區(qū)域14A具有尺寸等于面對(duì)著發(fā)光區(qū)域14A的凸起部18底端尺寸的帶狀寬度，并對(duì)應(yīng)于電流注入?yún)^(qū)域，在凸起部18中限定的電流被注入至該電流注入?yún)^(qū)域中。p側(cè)引導(dǎo)層15的能隙大于活性層14的能隙。p側(cè)引導(dǎo)層15的折射率小于活性層14的折射率。p側(cè)引導(dǎo)層15的價(jià)帶頂端或者價(jià)帶次級(jí)頂端低于活性層14的價(jià)帶頂端或者價(jià)帶次級(jí)頂端。優(yōu)選地，p側(cè)引導(dǎo)層15的導(dǎo)帶底端或者導(dǎo)帶次級(jí)底端高于活性層14的導(dǎo)帶底端或者導(dǎo)帶次級(jí)底端。p側(cè)引導(dǎo)層15具有主要含有MgSe/Be^Zn卜x2iSex22Te口x22(0<x21<l，0oc22〈l)超晶格的層疊結(jié)構(gòu)。然而，在p側(cè)引導(dǎo)層15包含上述超晶格的情況下，優(yōu)選的是，MgSe層和Be^Zn卜x2,Sex22Te卜。2層均未被摻雜。p型熔覆層16具有從活性層14側(cè)依次層疊有p型第一熔覆層16A和p型第二熔覆層16B的結(jié)構(gòu)。在p型第一熔覆層16A與p型第二熔覆層16B的關(guān)系中，p型第一熔覆層16A主要維持p型熔覆層16的載流子(空穴)限制，并控制TypeII發(fā)光。p型第一熔覆層16A的價(jià)帶頂端或者價(jià)帶次級(jí)頂端低于活性層14、p側(cè)引導(dǎo)層15和p側(cè)第二熔覆層16B各自的價(jià)帶頂端或者價(jià)帶次級(jí)頂端。p型第一熔覆層16A的導(dǎo)帶底端或者導(dǎo)帶次級(jí)底端高于活性層14和p側(cè)引導(dǎo)層15各自的導(dǎo)帶底端或者導(dǎo)帶次級(jí)底端。p型第一熔覆層16A的能隙大于活性層14和p側(cè)引導(dǎo)層15各自的能隙。p型第一熔覆層16A的折射率小于活性層14和p側(cè)引導(dǎo)層15各自的折射率。p型第一熔覆層16A的p型載流子濃度是比p型第二熔覆層16B的p型載流子濃度值低的值。p型第一熔覆層16A的厚度小于p型第二熔覆層16B的厚度。p型第一熔覆層16A例如具有主要含有MgSe/Bex8Zni_x8Te(0<x8<l)超晶格的層疊結(jié)構(gòu)。優(yōu)選的是，MgSe層未被摻雜。在p型第一熔覆層16A與p型第二熔覆層16B的關(guān)系中，p型第二熔覆層16B主要維持p型熔覆層16的載流子(空穴)傳導(dǎo)。在p型第二熔覆層16B中，p型載流子濃度是Ixl017cm_3~lxl02()cm—3范圍內(nèi)的值，并且該p型載流子濃度是比p型第一熔覆層16A的p型載流子濃度值高的值。此外，p型第二熔覆層16B的厚度大于p型第一熔覆層16A的厚度。p型第二熔覆層16B的能隙大于活性層14和p側(cè)引導(dǎo)層15各自的能隙。p型第二熔覆層16B的折射率小于活性層14和p側(cè)引導(dǎo)層15各自的折射率。p型第二熔覆層16B的價(jià)帶頂端或者價(jià)帶次級(jí)頂端高于活性層14的價(jià)帶頂端或者價(jià)帶次級(jí)頂端。p型第二熔覆層16B例如具有主要含有Bex9Mgl—x9Te/Bexl。Zni_xl0Te(0<x9<l，0<xl0<l)超晶格的層疊結(jié)構(gòu)，或者具有主要含有BexuMgxuZn"xll—xl2Te(0<xll<l，0<xl2<l，0<l-xll-xl2〈l)的單層結(jié)構(gòu)。作為包含在p型熔覆層16(和稍后說明的接觸層17)中的p型雜質(zhì)，例如有N、P、O、As、Sb、Li、Na或者K。對(duì)p型第一熔覆層16A和p型第二熔覆層16B的說明可由下面的公式(5)公式(8)來表達(dá)。lxl017cm-3《N"1020cm_3...(5)N3<N4…(6)D3<D4...(7)Evl<Ev3<Ev2...(8;)這里，N3是p型第一熔覆層16A的p型載流子濃度。N4是p型第二熔覆層16B的p型載流子濃度。D3是p型第一熔覆層16A的層厚度。D4是p型第二熔覆層16B的層厚度。Evl是p型第一熔覆層16A的價(jià)帶頂端或者價(jià)帶次級(jí)頂端。Ev2是p型第二熔覆層16B的價(jià)帶頂端或者價(jià)帶次級(jí)頂端。Ev3是活性層14的價(jià)帶頂端或者價(jià)帶次級(jí)頂端。接觸層17例如具有交替層疊有p型BeZnTe和p型ZnTe的結(jié)構(gòu)。如上所述，在激光二極管1中，在p型熔覆層16的上部和接觸層17中形成在軸向上延伸的帶狀凸起部18。該凸起部18限制了活性層14中的電流注入?yún)^(qū)域。在凸起部18的表面上形成有p側(cè)電極19。在基板10的背面上形成有n側(cè)電極20。p側(cè)電極19例如具有在接觸層17上依次層疊有Pd、Pt和Au的結(jié)構(gòu)。n側(cè)電極20例如具有在基板10的背面上依次層疊有Au和Ge的合金、Ni、Au的結(jié)構(gòu)，并且n側(cè)電極20與基板10電連接。n側(cè)電極20被固定在支撐激光二極管1的安裝臺(tái)(submount)(圖中未示出)的表面上。而且，n側(cè)電極20通過該安裝臺(tái)被固定在散熱器(圖中未示出)的表面。優(yōu)選的是，上述n型第一熔覆層12A、n型第二熔覆層12B、n側(cè)引導(dǎo)層13、活性層14、p側(cè)引導(dǎo)層15、p型第一熔覆層16A和p型第二熔覆層16B與基板IO是晶格匹配的。這里，由于基板10是InP基板，因而優(yōu)選的是，除基板10之外的其它各層由具有與InP晶格匹配的組分比的材料制成。作為II-VI族化合物半導(dǎo)體中與InP晶格匹配的材料，例如有表l所示的材料。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>這里，例如通過插入二元混晶BeTe和MgTe各自的能隙值，得到與InP晶格匹配的Be。.36MgQ.64Te的能隙值。在此，不考慮在三元混晶中或多或少會(huì)看見的能隙彎曲效應(yīng)(bowingeffect)。在表1所示的其它三元或四元混晶的能隙值中也不考慮能隙彎曲效應(yīng)。在與InP晶格匹配的Beo.48Znc.52Te中，在點(diǎn)r處的直接躍遷能隙可被評(píng)估為大約3.12eV。因而，根據(jù)超晶格中的層厚度的組合比，Beo.36Mgo.64Te/Beo.48Zno.52Te超晶格的能隙值可以為3.12eV與3.7eV之間的值。根據(jù)超晶格中的層厚度的組合比，MgSe/BeQ.48ZnQ.52Te超晶格的能隙值可以為在3.12eV與3.6eV之間的值。根據(jù)超晶格中的層厚度的組合比，MgSe/Mgo.6Zno.4Seo.85SeTe(U5超晶格的能隙值可以為在3.0eV與3.6eV之間的值。根據(jù)超晶格中的層厚度的組合比，MgSe/Zn。.48Cdo.52Se超晶格的能隙值可以為在2.1eV與3.6eV之間的值。另一方面，例如，在使用主要含有Be^Znh^Se^Te^"的單層結(jié)構(gòu)作為活性層14的情況下，在活性層14與InP晶格匹配的條件下，活性層14的能隙值可以為對(duì)應(yīng)于橙色(600nm)藍(lán)綠色(480nm)范圍內(nèi)的波長(zhǎng)的能隙值(2.06eV2.58eV)。因此，在上述作為示例的超晶格被用于n型第一熔覆層12A、n型第二熔覆層12B、n側(cè)引導(dǎo)層13、p側(cè)引導(dǎo)層15、p型第一熔覆層16A和p型第二熔覆層16B的情況下，能夠產(chǎn)生大于活性層14能隙的能隙，且n型第一熔覆層12A、n型第二熔覆層12B、n側(cè)引導(dǎo)層13、p側(cè)引導(dǎo)層15、p型第一熔覆層16A和p型第二熔覆層16B與InP晶格匹配。據(jù)介紹，雖然在大氣中MgSe和MgTe具有相同程度的吸濕性(hygroscopicity)，但當(dāng)CdMgTe中的Mg的組分比為75%以下時(shí)，CdMgTe的結(jié)構(gòu)是閃鋅礦(ZB)結(jié)構(gòu)，并且不會(huì)發(fā)生氧化反應(yīng)(參照J(rèn).Appl.Phys.byJ.M.Hartmannetal.,80,6257(1996)(應(yīng)用物理期刊，J.M.Hartmann等人，第80期，第6257頁，1996年))。另一方面，當(dāng)BeMgTe中的Mg的組分比為大約64%時(shí)，BeMgTe與InP晶格匹配，且此時(shí)Mg的組分比充分小于75%。因此，認(rèn)為與InP晶格匹配的Beo.36Mgo.64Te與MgSe相比具有足夠的氧化和吸濕耐用性。同樣地，認(rèn)為Mgo.33Cdo.33Zno.34Se和Mgo.6Zn。.4Se。.8sTe(U5與MgSe相比具有足夠的氧化和吸濕耐用性。在本實(shí)施例中，MgSe未被用在具有較大p型載流子濃度且與電導(dǎo)性有關(guān)的p型第二熔覆層16B中。因而，不存在由于p型第二熔覆層16B中的氧化和吸濕引起的劣化而使電導(dǎo)性降低的風(fēng)險(xiǎn)。由經(jīng)驗(yàn)可知，Be和Se具有高的相互反應(yīng)性，并且在現(xiàn)有技術(shù)的MgSe/BeZnTe超晶格的界面中存在著形成BeSe的可能性。然而，可以例如通過在BeZnTe層的MgSe側(cè)的界面中布置Zn原子從而將Be和Se布置為彼此不直接接觸，來控制BeSe的形成。此外，可以通過MBE裝置中的快門操作來形成上述原子布置。當(dāng)同時(shí)存在Se和Te時(shí)，注意到Se與II族優(yōu)先結(jié)合，并發(fā)生了讓Te很難進(jìn)入的現(xiàn)象或者發(fā)生了Se和Te的析出現(xiàn)象等。然而，對(duì)于這一問題，例如還可以通過使用MBE裝置中的快門操作從而使Se和Te不同時(shí)存在，來控制Se與Te之間的競(jìng)爭(zhēng)反應(yīng)或者分離析出等現(xiàn)象的發(fā)生。在Be硫族材料中，與除了氧之外的其它VI族(Se或Te等)相比，Be離子具有極小的離子半徑并且導(dǎo)致高的共價(jià)結(jié)合比。據(jù)說晶體本身的強(qiáng)度較高，并且抑制了諸如位錯(cuò)等缺陷的發(fā)生和傳播。通過形成BeZnTe/BeMgTe超晶格結(jié)構(gòu)，預(yù)期與現(xiàn)有技術(shù)中使用BeZnTe/MgSe超晶格結(jié)構(gòu)的情況相比會(huì)更有效。在BeZnTe/BeMgTe超晶格結(jié)構(gòu)中，由于該超晶格結(jié)構(gòu)中的BeZnTe和BeMgTe兩層都含有Be，因而預(yù)期會(huì)降低結(jié)晶缺陷的傳播。例如按照如下所述可以制造出具有這種構(gòu)造的激光二極管1。使用兩個(gè)分子束外延(MBE)裝置通過晶體生長(zhǎng)制造上述各個(gè)半導(dǎo)體層。在適當(dāng)處理InP基板IO的表面之后，將該基板IO放入到MBE裝置中。接著，將基板IO裝在樣品交換用的準(zhǔn)備室中，并且該準(zhǔn)備室被真空泵抽真空成10—3Pa以下。通過加熱至100°C將殘留濕氣和雜質(zhì)氣體從基板10除去。接著，將基板IO移送至用于生長(zhǎng)III-V族化合物半導(dǎo)體的專用室。將基板10的溫度加熱至500°C且將P分子束施加至基板10的表面。因而，除去了基板10表面上的氧化膜。將基板10的溫度加熱至450°C，并且生長(zhǎng)30nm的Si摻雜n型InP，從而形成緩沖層IIA。然后，將基板10的溫度加熱至470°C，并且生長(zhǎng)200nm的Si慘雜n型InGaAs，從而形成緩沖層11B。接著，將基板10移送至用于生長(zhǎng)II-VI族化合物半導(dǎo)體的專用室。將基板10的溫度加熱至200。C且將Zn分子束施加至緩沖層llB的表面，并且生長(zhǎng)5nm的Cl摻雜n型ZnCdSe。然后將基板10的溫度加熱至280°C，并且生長(zhǎng)100nm的Cl摻雜n型ZnCdSe，從而形成緩沖層IIC。接著，在基板10的溫度為280°C的條件下，生長(zhǎng)1)im的Cl摻雜n型17Zno.4sCdo.52Se/MgSe超晶格，從而形成n型第一熔覆層12A。生長(zhǎng)0.6|iim的Cl摻雜Mgo.6Zn。.4SeQ.85Te(U5，從而形成n型第二熔覆層12B。生長(zhǎng)70nm的Be(U3Zn。.87Seo.4oTeo.6。/MgSe超晶格，從而形成n側(cè)引導(dǎo)層13。生長(zhǎng)三層的Betu3Zno.87Se,Teo.60(3nm)/MgSe量子阱(三個(gè)阱)，從而形成活性層14。生長(zhǎng)70nm的Be。.13Zn。.87Se,Te。.6。/MgSe超晶格，從而形成p側(cè)引導(dǎo)層15。生長(zhǎng)0.1pm的N摻雜p型Be,Zn。.52Te/MgSe超晶格結(jié)構(gòu)，從而形成p型第一熔覆層16A。生長(zhǎng)0.3的N摻雜p型Be0.48Zno.52Te/Beo.36Mgo.64Te超晶格，從而形成p型第二熔覆層16B。生長(zhǎng)30nm的N摻雜p型BeZnTe、生長(zhǎng)500nm的N摻雜p型BeZnTe/ZnTe層疊結(jié)構(gòu)，并生長(zhǎng)30nm的N摻雜p型ZnTe，從而形成接觸層17。接著，通過光刻法在接觸層17上形成預(yù)定形狀的抗蝕劑圖形(未在圖中示出)，并且覆蓋除了要形成凸起部18的帶狀區(qū)域之外的區(qū)域。然后，通過真空沉積法，在整個(gè)表面上層疊例如Pd/Pt/Au多層膜(未在圖中示出)。此后，除去抗蝕劑圖形和沉積在該抗蝕劑圖形上的Pd/Pt/Au層疊膜。因而，在接觸層17上形成p側(cè)電極19。此后，如果必要的話，通過進(jìn)行熱處理使p側(cè)電極19和接觸層17彼此歐姆接觸。接著，利用真空沉積法在基板10的整個(gè)背面上層疊例如AuGe合金或者Ni/Au多層膜(未在圖中示出)，從而形成n側(cè)電極20。接著，利用金剛石切割器劃割出晶片的邊緣，并通過施加壓力將劃痕打開并分離開，從而使晶片劈開。接著，在發(fā)光側(cè)的端面(前端面)上形成大約5%的低反射涂層(未在圖中示出)，并在前端面的相反側(cè)處的端面(后端面)上形成大約95%的高反射涂層(未在圖中示出)。通過在凸起部18的帶狀方向上進(jìn)行劃割而將芯片取出。接著，在對(duì)準(zhǔn)發(fā)光點(diǎn)位置和端面角度的同時(shí)將芯片設(shè)置在安裝臺(tái)(未在圖中示出)上，然后布置在散熱器(未在圖中示出)上。接著，在用金屬線將芯片上的p側(cè)電極19與干路(未在圖中示出)上的終端連接起來之后，作為激光出口的窗口帽覆蓋該干路從而進(jìn)行氣密密封。以此方式，制造出了本實(shí)施例的激光二極管1。接著，說明本實(shí)施例的激光二極管1的作用和效果。在本實(shí)施例的激光二極管1中，當(dāng)在p側(cè)電極19與n側(cè)電極20之間施加預(yù)定電壓時(shí)，電流被注入至活性層14，并通過電子空穴的復(fù)合而產(chǎn)生發(fā)光。從前端面處的對(duì)應(yīng)于發(fā)光區(qū)域14A的部分(發(fā)光點(diǎn))在層疊面內(nèi)方向上出射例如具有藍(lán)紫色橙色(480nm~600nm)范圍內(nèi)的波長(zhǎng)的激光。在本實(shí)施例中，根據(jù)主要功能將n型熔覆層12和p型熔覆層16各自分成兩層。在n型第一熔覆層12A中，n型載流子濃度高于n型第二熔覆層12B的n型載流子濃度，并且n型第一熔覆層12A的層厚度大于n型第二熔覆層12B的層厚度。因此，維持了整個(gè)n型熔覆層12的載流子傳導(dǎo)。在n型第二熔覆層12B中，導(dǎo)帶底端或者導(dǎo)帶次級(jí)底端高于活性層14的導(dǎo)帶底端或者導(dǎo)帶次級(jí)底端。因而，維持了足以用于載流子限制的電子勢(shì)壘，并抑制了TypeII發(fā)光。另一方面，在p型第二熔覆層16B中，p型載流子濃度高于p型第一熔覆層16A的p型載流子濃度，并且p型第二熔覆層16B的層厚度大于p型第一熔覆層16A的層厚度。因而，維持了足以用于載流子傳導(dǎo)的p型載流子濃度。在p型第一熔覆層16A中，價(jià)帶頂端或者價(jià)帶次級(jí)頂端低于活性層14的價(jià)帶頂端或者價(jià)帶次級(jí)頂端。因此，維持了足以用于載流子限制的空穴勢(shì)壘，并抑制了TypeII發(fā)光。由于這些原因，在本實(shí)施例中，能夠?qū)⑤d流子傳導(dǎo)、載流子限制、TypeII發(fā)光的抑制和光限制的全部特性設(shè)成適于n型熔覆層12和p型熔覆層16的值。結(jié)果，能夠?qū)崿F(xiàn)這樣的激光二極管1，其包括具有n型熔覆層中所需特性的n型熔覆層12和具有p型熔覆層中所需特性的p型熔覆層16。在上文中，盡管利用實(shí)施例說明了本發(fā)明，本發(fā)明不限于該實(shí)施例并可作各種變形。例如，在本實(shí)施例中，說明了本發(fā)明適用于激光二極管的情況。然而，不必說，本發(fā)明還適用于諸如LED或光探測(cè)器(photodetector,PD)等半導(dǎo)體器件。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，依據(jù)設(shè)計(jì)要求和其他因素，可以在本發(fā)明所附的權(quán)利要求或其等同物的范圍內(nèi)進(jìn)行各種修改、組合、次組合及改變。20權(quán)利要求1.一種半導(dǎo)體器件，其包括半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層在InP基板上依次包括n型第一熔覆層、n型第二熔覆層、活性層、p型第一熔覆層和p型第二熔覆層，其中，所述n型第一熔覆層和所述n型第二熔覆層滿足下面的公式(1)～公式(4)，或者所述p型第一熔覆層和所述p型第二熔覆層滿足下面的公式(5)～公式(8)，1×1017cm-3≤N1≤1×1020cm-3...(1)N1＞N2...(2)D1＞D2...(3)Ec1＜Ec3＜Ec2...(4)1×1017cm-3≤N4≤1020cm-3...(5)N3＜N4...(6)D3＜D4...(7)Ev1＜Ev3＜Ev2...(8)上述公式中，N1是所述n型第一熔覆層的n型載流子濃度，N2是所述n型第二熔覆層的n型載流子濃度，D1是所述n型第一熔覆層的層厚度，D2是所述n型第二熔覆層的層厚度，Ec1是所述n型第一熔覆層的導(dǎo)帶底端或者導(dǎo)帶次級(jí)底端，Ec2是所述n型第二熔覆層的導(dǎo)帶底端或者導(dǎo)帶次級(jí)底端，Ec3是所述活性層的導(dǎo)帶底端或者導(dǎo)帶次級(jí)底端，N3是所述p型第一熔覆層的p型載流子濃度，N4是所述p型第二熔覆層的p型載流子濃度，D3是所述p型第一熔覆層的層厚度，D4是所述p型第二熔覆層的層厚度，Ev1是所述p型第一熔覆層的價(jià)帶頂端或者價(jià)帶次級(jí)頂端，Ev2是所述p型第二熔覆層的價(jià)帶頂端或者價(jià)帶次級(jí)頂端，以及Ev3是所述活性層的價(jià)帶頂端或者價(jià)帶次級(jí)頂端。2.如權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體器件，其中，在所述n型第一熔覆層和所述n型第二熔覆層滿足公式(1)公式(4)的情況下，所述n型第一熔覆層具有主要含有Mg^Znx2CdLxLx2Se(0<xl<l，0<x2<l，0〈l-xl-x2〈l)的單層結(jié)構(gòu)，或者主要含有MgSe/ZnrfCdL^Se(0《3<1)超晶格的層疊結(jié)構(gòu)，并且所述n型第二熔覆層具有主要含有Mgx4Zn』x4Sex5Te,.x5(0<x4<l，0.5〈x5〈l)的單層結(jié)構(gòu)，或者主要含有MgSe/Mgx6Zn^6Sex7Te^7(0<x6<l，0.5《7<1)超晶格的層疊結(jié)構(gòu)。3.如權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體器件，其中，在所述p型第一熔覆層和所述p型第二熔覆層滿足公式(5)公式(8)的情況下，所述p型第一熔覆層具有主要含有MgSe/Bex8Zni.x8Te(0《8<1)超晶格的層疊結(jié)構(gòu)，并且所述p型第二熔覆層具有主要含有Bex9Mgl—x9Te/BexH)ZriLxK)Te(0<x9<l，0<xlO<l)超晶格的層疊結(jié)構(gòu)，或者主要含有BexllMgxl2Zni—xll—xl2Te(0<xll<l，0<xl2<l，0<l-xll-xl2〈l)的單層結(jié)構(gòu)。4.如權(quán)利要求l所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述活性層具有主要含有BexuZn!—xi3Sex!4Te卜xM(0<xl3<l，(kxl4〈l)的單層結(jié)構(gòu)、主要含有MgSe/Be^ZnLwSe^Tei—xl6(0<xl5<l，0〈xl6〈l)超晶格的層疊結(jié)構(gòu)或者主要含有ZnSe/BexnZnLxnSex!sTe卜x,8(0<xl7<l，(Kxl8〈l)超晶格的層疊結(jié)構(gòu)。全文摘要本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括半導(dǎo)體層，該半導(dǎo)體層在InP基板上依次包括n型第一熔覆層、n型第二熔覆層、活性層、p型第一熔覆層和p型第二熔覆層。所述n型第一熔覆層和所述n型第二熔覆層滿足下面的公式(1)～公式(4)，或者所述p型第一熔覆層和所述p型第二熔覆層滿足下面的公式(5)～公式(8)1×10<sup>17</sup>cm<sup>-3</sup>≤N1≤1×10<sup>20</sup>cm<sup>-3</sup>…(1)N1＞N2…(2)D1＞D2…(3)Ec1＜Ec3＜Ec2…(4)1×10<sup>17</sup>cm<sup>-3</sup>≤N4≤10<sup>20</sup>cm<sup>-3</sup>…(5)N3＜N4…(6)D3＜D4…(7)Ev1＜Ev3＜Ev2…(8)在本發(fā)明的半導(dǎo)體器件中，通過將n型熔覆層或者p型熔覆層分成兩層，因而能夠?qū)⑤d流子傳導(dǎo)、載流子限制、對(duì)TypeII發(fā)光的抑制和光限制的全部特性設(shè)為適于所述n型熔覆層和所述p型熔覆層的值。文檔編號(hào)H01S5/327GK101651288SQ20091016368公開日2010年2月17日申請(qǐng)日期2009年8月10日優(yōu)先權(quán)日2008年8月12日發(fā)明者中島博,中村均,岸野克巳,朝妻庸紀(jì),玉村好司,田才邦彥,紀(jì)川健,藤崎壽美子,野村一郎申請(qǐng)人:株式會(huì)社日立制作所;學(xué)校法人上智學(xué)院;索尼株式會(huì)社