專利名稱：激光照射設備和激光照射方法
技術領域：
本發明涉及激光照射設備(該設備包括激光器和引導激光器輸出 的激光束到照射物體的光學系統)以及一種激光照射方法，例如用于 對半導體材料進行有效和均勾地退火。
背景技術：
近年來，在基板上制造薄膜晶體管(此后稱為TFT)的技術得到 很大的發展，且它在有源矩陣顯示裝置中的應用得到提高。具體而言， 因為使用多晶半導體薄膜的TFT比使用非晶半導體薄膜的常規TFT具
有更高的場效應遷移率，可以實現高速操作。因此，試圖通過在和象 素相同的基板上形成驅動電路而控制象素，而驅動電路通常在基板外 提供。
隨著半導體器件需求的增加，需要在較短的時間以較低的溫度制
造半導體器件。在價格方面優于石英基板的玻璃基板用作半導體器件 的基板。在玻璃基板上形成具有多晶半導體薄膜的TFT的情況下，盡
管玻璃基板對熱敏感且由于熱而容易變形，通過采用激光退火，半導 體薄膜容易在低溫結晶。
此外，和使用輻射熱或傳導熱的其他退火方法相比，激光退火具 有這樣的優點，它可以極大地縮短處理時間，且基板上的半導體薄膜 可以,皮選擇性地和局部地加熱，從而不對基板構成熱損害。
作為激光退火中使用的激光振蕩器，根據它們的振蕩方法，有脈 沖激光振蕩器和連續波(CW)激光振蕩器。準分子激光器具有高輸出 功率和高重復頻率重復照射能力的優點。而且，準分子激光器發射的 激光束的優點在于對于硅薄膜具有高吸收系數，硅薄膜通常用作半導 體薄膜。優選地，以這種方式執行激光照射通過光學系統，在照射表面上，激光束被轉換成矩形、線形或橢圓形狀，然后該光束相對于 照射表面在矩形、線形或橢圓形光束的短軸方向進行掃描，因為這種 方法提供高產出率且是具有工業優勢的。目前，通常通過在根據本技
術結晶的半導體薄膜上形成的TFT而制造液晶顯示器和EL (電致發 光)顯示器。
另一方面，當從連續波激光器發射的激光束(此后該激光束稱為 CW激光束)被轉換成矩形、線形或橢圓形狀且基板在矩形、線形或 橢圓形狀的短軸方向上相對移動時，可以形成沿移動方向延伸的大晶 粒晶體。在根據大晶粒晶體的長軸方向制造TFT的情況下，該TFT比 使用準分子激光器制造的TFT具有更高的遷移率。因為通過使用CW 激光束形成的TFT，可以高速地驅動電路，所以可以制造用于驅動顯 示器、CPU等的驅動電路。
通常，已知圖8所示的激光照射設備。該激光照射設備包括多個 柱面透鏡陣列等等。使用多個柱面透鏡陣列2~6，激光振蕩器1發 射的激光束被分割成多個光束并會聚。然后，在激光束在反射鏡7上 反射之后，使用兩個柱面透鏡組成的雙柱面透鏡(doublet cylindrical lens )，激光束會聚成一個矩形、線形或橢圓形激光束。 此后，激光束被垂直傳送到照射表面9。通過向照射表面傳送矩形、 線形或橢圓形光束，同時在線形光束的短軸方向相對移動光束，可以 對非晶半導體的整個表面進行退火，從而使該非晶半導體結晶，其結 晶度提高，或雜質元素被激活。
然而，因為常規激光照射設備需要使用多個昂貴的柱面透鏡陣列 且安置它們以形成如上所述所需的矩形、線形或橢圓形光束，設備在 尺寸上存在問題且其成本增加。而且，因為整形成矩形、線形或橢圓 形光點的激光束被垂直傳送到照射表面，即，基板上形成的半導體薄 膜的表面，從上面入射到半導體薄膜的光束穿過基板并被基板的底面 反射。然后，從上面入射的光束與在底面反射的光束干涉。這樣，有 時不能制造均勻結晶的半導體薄膜。
本申請提出 一種克服常規激光照射設備問題的緊湊和便宜的激 光照射設備。該激光照射設備在圖9中示出。該激光照射設備使用凸 透鏡13,激光束斜著入射到該凸透鏡，使得激光束延伸，從而形成 矩形、線形或橢圓形光束14。然后，延伸的光束斜著照射到照射表面15。
也就是說，該激光照射設備包括激光振蕩器11、反射鏡12、凸 透鏡13等。激光振蕩器11發射的激光束在反射鏡12上反射并斜著 入射到凸透鏡13，從而激光束被整形成矩形、線形或橢圓形光束14。 光束14被傳送到照射表面15。利用這種結構，設備可以做得很小，
考文獻1:日本專利申請特開No. 2003 - 257885 )。
然而，上述激光照射設備仍具有以下問題。盡管使用CW激光束 執行激光退火，例如使用長軸方向為300jum、短軸方向為10jum的 矩形形狀在532 nm處提供IOW功率的CW激光束，通過一次掃描形成 的大晶粒晶體的寬度大約僅為200 pm。因此，為了通過激光退火使 基板的整個表面有效結晶，激光束需要來回掃描，同時將激光束移動 光束一次掃描形成的大晶粒晶體的寬度。此時，如果激光束在短軸方 向的強度分布沿著穿過光束短軸中心的平面(該平面垂至于基板且與 光束的長軸平行)是不對稱的，在向后掃描和向前掃描之間激光退火 之后的結晶狀態可能不同。
然而，當矩形、線形或橢圓形光束斜著傳送到照射表面且基板沿 著激光束的短軸方向移動時，根據如下所述的激光束的掃描方向，傳 送到非晶半導體薄膜的激光束的狀態不同。這樣，很難執行均勻結晶。
發明內容
本發明是為了解決上述問題，具體而言，本發明的一個目的是提 供一種激光照射設備和激光照射方法，通過根據向前和向后掃描方向 改變照射光束的能量密度，該方法可以制造均勻結晶的薄膜。
為達到上述目的，本發明采用下述結構。應當注意這里描述的激 光退火方法表示使非晶區域結晶或使由于向半導體基板或半導體薄 膜添加離子而形成的受損區域結晶的技術，通過使用激光束照射基板 上形成的非晶半導體薄膜使半導體薄膜結晶的技術，在向半導體薄膜 引入促進結晶的元素(例如鎳)之后通過激光照射使不是單晶的半導 體薄膜(上述不是單晶的半導體薄膜一般稱為非單晶半導體薄膜)結 晶的技術等。而且，激光退火包括應用于平面化或改變半導體基板或 半導體薄膜表面的技術。根據本說明書公開的本發明的 一 個方案，激光照射設備包括激光 振蕩器、改變光束強度的裝置以及凸透鏡或衍射光學元件，其中激光 束入射到照射表面，其中激光束相對于照射表面掃描，且其中改變光 束強度的裝置在每個掃描方向上改變光束強度。
根據本發明的另一方案，激光照射設備包括激光振蕩器、改變光 束強度的裝置以及凸透鏡或衍射光學元件，其中光束入射到照射表 面，其中光束相對于照射表面掃描，其中改變光束強度的裝置在每個 掃描方向改變光束強度，且其中在所有掃描方向上，在激光退火之后， 照射表面處的結晶狀態都是均勻的。
上述構造中，激光束可以斜著入射到照射表面。
根據本發明的另一方案，穿過凸透鏡或衍射光學元件的激光束在 照射表面上具有矩形、線形或橢圓形狀。
根據本發明的另一方案，改變光束強度的裝置是起偏振片。起偏 振片的數量可以大于一個。
根據本發明的另一方案，激光振蕩器是cw固體激光器、氣體激
光器或金屬激光器，或脈沖固體激光器、氣體激光器或金屬激光器。
作為固體激光器，有YAG激光器、YV0r激光器、YLF激光器、YA103 激光器、GdV(V激光器、丫203激光器、玻璃激光器、紅寶石激光器、變 石激光器、Ti:藍寶石激光器等。作為氣體激光器，有Ar激光器、Kr 激光器、C02激光器等。作為金屬激光器，有銅蒸汽激光器、金蒸汽 激光器等。作為脈沖激光器，可以使用重復頻率等于或大于10 MHz 的YV(V激光器、GdV04激光器、YAG激光器等。
根據本發明的另 一方案，激光振蕩器發射的激光束通過非線性光 學元件轉化為諧波。
根據本發明的另一方案，激光束從激光振蕩器發射，激光束經過 改變光束強度的裝置，該裝置根據光束掃描方向改變光束強度，激光 束經過凸透鏡或衍射光學元件，然后激光束入射到照射表面。而且， 通過相對于照射表面掃描激光束，照射表面可以在所有掃描方向上均 勻退火。激光束可以斜著入射到照射表面。
根據本發明，因為激光束斜著傳送到照射表面，可以抑制入射光 束和從基板的底面反射的光束的干涉，可以向照射表面傳送具有均勻 能量分布的激光束。這樣，基板上的非單晶半導體薄膜可以被均勻退火。
接著，通過起偏振片等改變光束強度，起偏振片等是根據掃描方 向改變光束強度的裝置。具體而言，激光束在整個照射表面以單次往
復繪制(single-stroke drawing )，同時在正向或反向改變掃描方向。 這樣，基板上整個非單晶半導體薄膜可以均勻結晶。使用CW激光器 或重復頻率等于或大于10匪z的脈沖激光器，可以制造大晶粒晶體； 因此，可以制造具有高遷移率的TFT。
因此，電學特性的變化可以得到減小，且可靠性得到提高。通過 將本發明應用于TFT的大規模生產線，可以有效地生產具有高工作特 性的TFT。因此，可以獲得具有高工作特性和高可靠性的半導體器件， 代表性地是有源矩陣類型液晶顯示裝置和有源矩陣EL顯示裝置。而 且，半導體器件的制造過程中，可以擴大容限，產量大為提高；因此 可以降低半導體器件的制造成本。
附圖中
圖1示意性地示出了根據本發明的激光照射設備；
圖2示意性地示出了根據本發明的另一激光照射設備；
圖3的曲線圖示出了能量密度和TFT的電子遷移率之間的關系；
圖4的曲線圖示出了 TFT的電子遷移率的分布；
圖5示出了基板的平面的狀態；
圖6是沿著圖5的A-A，線的剖面圖7是沿著圖5的B-B，線的剖面圖8示意性地示出了常規激光照射設備；
圖9示意性地示出了另 一種常規激光照射設備；
圖10A到10D示意性地示出了根據本發明制造TFT的工藝；以及
圖11A到11C示意性地示出了根據本發明的電子設備。
具體實施方式
[實施例1]
圖1示出了激光照射設備的一個實例。首先，準備形成有非單晶 半導體薄膜106的基板107。基板107放置在X軸平臺108和Y軸平臺109上。通過未示出的電機分別沿箭頭所示的方向移動X軸平臺 108和Y軸平臺109，可以自由地在X軸方向和Y軸方向移動基板107。 X軸平臺108可以如箭頭所示地向前和向后掃描。
該激光照射設備包括激光振蕩器101、兩個起偏振片102和103、 反射鏡104以及凸透鏡105。激光振蕩器101是CW激光振蕩器。作 為CW固體激光器，有YAG激光器、YV(h激光器、YLF激光器、YA103 激光器、GdV(V激光器、丫203激光器、變石激光器以及Ti:藍寶石激光 器。作為CW氣體激光器，有Ar激光器、Kr激光器、C02激光器。不 僅可以使用CW激光器，還可以使用脈沖激光器。作為脈沖激光器， 可以使用重復頻率大于或等于10 MHz的YV04激光器、GdV04激光器、 YAG激光器等。
激光振蕩器101發射的激光束通過非線性光學元件理想地轉化 成諧波。例如，已知YAG激光器發射1065 nm波長的激光束。硅薄膜 對該光束的吸收系數很低，使用這種激光束技術上很難使非晶硅薄膜 (一種半導體薄膜)結晶。然而，通過使用非線性光學元件，激光束 可以轉換成較短波長。作為諧波，給出二次諧波(532 nm)、三次諧 波(355 nm)、四次諧波(266 nm )和五次諧波(213 nm )。因為非晶 硅薄膜對這些諧波具有高吸收系數，這些諧波可用于使非晶硅薄膜結 晶。
根據本發明，起偏振片102 ( 103 )對應于改變光束強度的裝置。 起偏振片是一種部件，僅透過在360。的所有方向上光振動中在特定 方向振動的光，阻隔特定方向之外的其它方向上振動的光。具體而言， 通過調整兩個起偏振片102和103透射軸之間的角度，激光振蕩器 101發射的激光束的強度可以如所希望地改變。在使用這種裝置改變 光束強度的情況下，優選地使用偏振度為100: l或更高的激光束。 這使得起偏振片可以在約0到99%的范圍內調節能量。
例如，具體而言，起偏振片102固定，安置起偏振片103使得起 偏振片103可以在正方向或負方向自由旋轉。然后，通過將起偏振片 103在正方向或負方向旋轉預定角度，透過兩個起偏振片102和103 并傳輸到反射鏡104的激光束的強度可以改變。通過按需要改變旋轉 角度，激光束的強度可以改變到任意強度。應當注意起偏振片的數目 可以是一個，或兩個以上。
9當激光束斜著從上面進入凸透鏡105時，由于形成聚焦線的位置 處透鏡的散光，具有近乎圓形形狀的入射光束在與箭頭所示的方向垂 直的方向上伸長，箭頭所示方向是X軸臺架108的移動方向。然后， 照射表面上的光束120具有矩形、線形或橢圓形狀，短軸長為W，長 軸長為H。因為聚焦線可以在兩個位置形成，可以對其進行選擇。然 而，因為兩個聚焦線彼此相交，實踐者需要恰當地選擇。詳細情況參 考文獻1。
這種情況下，通過縮短短軸光束長度W可以延長長軸光束長度H。 優選地，在其短軸方向上掃描光束120，因為這樣可以擴大激光束一 次掃描的區域，這提高了產出率。
下面描述使用該激光照射設備對非單晶半導體薄膜106進行退 火的過程。首先，通過移動X軸平臺108和Y軸平臺109，基板107 移動到退火開始的位置。然后，從激光振蕩器101發射CW激光束， 且CW激光束的光束強度通過起偏振片102和103調節，使其盡可能 地高，但處于不剝離薄膜(不燒蝕非單晶半導體薄膜)的范圍。調節 后的近乎圓形形狀的光束在反射鏡104上反射，然后斜著進入凸透鏡 105的頂點。光束被凸透鏡105延長，使得光束具有矩形、線性或橢 圓形狀，具有X軸平臺108的箭頭所示的移動方向上的短軸長度W 和垂直于該移動方向的方向上的長軸長度H。然后，光束斜著傳送到 非單晶半導體薄膜106。
然后，X軸平臺108向前移動，這是與激光束入射方向相同的方 向，從而對非單晶半導體薄膜106進行退火。當到達向前方向的末端 時，X軸平臺108停止移動，然后Y軸平臺109在Y軸方向移動大約 對應于長軸長度H的長度。
接著，起偏振片102和103其中之一在正或負方向旋轉預定角度 以減小光束強度。同時，X軸平臺108向后移動，這是朝向激光束入 射方向的方向，以對非單晶薄膜106進行退火。當到達向后方向末端 時，X軸平臺108停止移動，然后Y平臺109在Y軸方向移動大約對 應于長軸長度H的長度。
接著，起偏振片102和103其中之一在正或負方向旋轉預定角度， 光束強度增加到原來的高光束強度。然后，X軸平臺108向前移動， 這是與激光束入射方向相同的方向。此后，通過重復上述操作，非單晶半導體薄膜106的整個表面可以以單次往復連續退火，使得非單晶 半導體薄膜106結晶。盡管基板的整個表面可以通過在向前或向后方 向之一上掃描光束而不改變光束強度進行退火，這種退火方法產出率 低，因為這種方法的產出率是通過在向前和向后方向都掃描光束執行 的退火方法的產出率的一半。
根據該過程對非單晶半導體薄膜106的整個表面進行退火，其整 個表面可以均勻結晶。
接著，解釋為什么必須通過起偏振片102 ( 103 )改變光束強度 的原因。根據本發明人的實驗，已證實具有較高能量密度的激光束可 以制造具有較高遷移率的TFT。圖3示出了 n溝道TFT的電子遷移率 的平均值與激光束能量密度的實驗結果。水平軸表示激光束的能量密 度的比例，此時假設燒蝕半導體薄膜時的能量密度閾值是100%,垂 直軸表示制造的TFT的電子遷移率的平均值。從圖3可以理解，當使 用閾值或更低值范圍內的具有較高能量密度的激光束對半導體薄膜 退火時，可以制造具有較高電子遷移率的TFT。
然而，使用圖1的激光照射設備使用在向前方向和向后方向具有 相同光束強度的激光束進行退火時，有圖4所示的問題。圖4示出了 使用圖1所示的激光照射設備使用在前進方向和后退方向具有相同 光束強度的激光束退火的情況下的實驗結果。圖4中，水平軸表示矩 形光束的長軸方向，而垂直軸示出了制造的TFT的電子遷移率。
該結果表明，在通過激光照射設備使用激光束斜著照射照射表面 時，通過在向前方向掃描激光束制造的TFT比在向后方向掃描激光束 制造的TFT的遷移率低大約30%。使用具有這種變化的半導體薄膜 制造TFT不是優選的。
參考圖5到7描述圖4所示的結果的原因。圖5是從上面看基板 的平面圖。圖6是沿著A-A，線的剖面圖，它示出了向前掃描方向。 圖7是沿著B-B'的剖面圖，它示出了向后掃描方向。如圖5所示， 使用凸透鏡105形成并入射到非單晶半導體薄膜106上的具有矩形、 線形或橢圓形狀的入射光束121，作為具有短軸長度W和長軸長度H 的矩形、線形、橢圓光束120,在非晶半導體薄膜上從位置(1)掃 描到位置(2)。該實施例中，光束120具有矩形形狀。
如圖6和7所示，該光束被傳送到非單晶半導體薄膜106。即使系統后，在照射處激光束的強度分布沿著經過 光束短軸的中心的平面(垂直于基板，平行于光束的長軸)也是不對 稱的。換句話說，沿著該平面，短軸方向上激光束的強度分布不對稱。 因此，在向前和向后方向上，照射表面不能以相同的方式退火。因為
光束的短軸短至約為lOjam，很難測量短軸方向上光束的強度分布， 不管強度分布沿該平面是否對稱。而且，更難在短軸方向調節激光束 的強度分布以使其沿該平面對稱。
電路的特性遵循包括在電路中的TFT中的具有最低遷移率的 TFT。因此，當利用在圖6和7所示的方向交替地掃描激光束退火的 半導體薄膜制造TFT時，整體遵循向前方向上遷移率低的TFT的特性。
因此，優選增加向前方向上激光束的能量，使得TFT的電子遷移 率盡可能地高，但薄膜不被燒蝕等，而優選降低向后方向上激光束的 能量使得薄膜不因過多能量而被燒蝕等。
也就是說，當在向前方向上掃描激光束時，起偏振片102 ( 103 ) 在正或反方向旋轉以增加入射光束121的光束強度。同樣，當在向后 方向上掃描激光束時，起偏振片102 ( 103 )在正或反方向旋轉以減 小入射光束121的光束強度。因此，非單晶半導體薄膜106的整個表 面可以使用高能量均勻地晶化。
由此，通過在向前和向后方向掃描激光束對非單晶半導體薄膜 106進行退火的情況下，當光束在遷移率較低的方向上掃描時增加激 光束的能量，當光束在遷移率較高的方向上掃描時降低激光束的能 量。這樣，可以抑制結晶的變化。
入射到基板107的矩形光束120在長軸方向的尺寸大約為150~ 400 pm，在短軸方向的尺寸大約為1~ 30pm。光束120的尺寸中， 長軸方向的長度可以根據短軸方向的長度確定，以便可以提供足夠的 能量密度。短軸方向的長度的上限約為30pm，而其下限約為ljam。 此范圍之外，很難制造具有高特性的大晶粒晶體。實際上，在短軸方 向長度約為10nm的IOW的CW激光束的情況下，其長軸方向的長度 約為400jim。在短軸方向長度約為8nm的3W的CW激光束的情況下， 其長軸方向的長度約為150pm。
圖2示出了另一個激光照射設備的實例。該激光照射設備使用衍 射光學元件IIO代替圖1中的凸透鏡105以將光束整形成矩形、線形或橢圓形光束。
也就是說，該激光照射設備包括激光振蕩器101，兩個起偏振片 102和103、反射鏡104以及衍射光學元件110。激光振蕩器101是 CW激光振蕩器，與圖1的CW激光振蕩器相似。作為固體激光器，可 以使用YAG激光器、YV04激光器、YLF激光器、YA103激光器、GdV04 激光器、丫203激光器、變石激光器或Ti:藍寶石激光器。作為氣體激 光器，可以使用Ar激光器、Kr激光器、C(V激光器。除了 CW激光器， 還可以使用脈沖激光器。作為脈沖激光器，可以使用重復頻率大于或 等于10 MHz的YV04激光器、GdV(h激光器、YAG激光器等。
衍射光學元件110也稱為DOE或衍射光學器件。該元件是為了使 用光的衍射獲得所需能量，并通過在其表面形成凹槽用作會聚透鏡。 使用該衍射光學元件110，從CW激光振蕩器101發射的具有高斯能 量分布的激光束可以整形成具有均勻能量分布的矩形、線形或橢圓形 光束。除了衍射光學元件110之外的其它元件與圖1中的相同；因此 此處省略其詳細描述。
使用這種激光照射設備，與圖l類似，通過來回掃描激光束，同 時改變光束強度，對非單晶半導體薄膜106進行退火，可以使非單晶 半導體薄膜106均勻結晶。
本發明不限于上述實施例的構造，可以在本發明的范圍內進行適 當修改。例如，分束器或ND濾光片(中性密度濾光片)可以代替起 偏振片等，作為改變光束強度的裝置以調整激光束的強度。這種情況 下，當分束器或ND濾光片對激光敏感時，激光束的光束直徑可以使 用擴束器擴展以減小能量密度。在使用激光振蕩器(其中通過改變激 光器的激勵光源的強度可以調節激光束的輸出)的情況下，可以改變 激勵光源的強度。
本實施例描述了使用根據本發明激光退火設備制造薄膜晶體管 (TFT)的工藝。
如圖10A所示，在具有絕緣表面的基板1000上形成基底薄膜 1001。本實施例中玻璃基板用作基板1000。作為此處使用的基板， 可以使用由硼珪酸鋇玻璃或硼硅酸鋁玻璃制成的玻璃基板、石英基板、陶瓷基板、不銹鋼基板等。盡管以塑料、丙烯酸等為代表的柔性 材料制成的基板一般在耐熱性方面劣于上述基板，當基板可以承受制 造工藝產生的熱量時，可以使用柔性材料制成的基板。
提供基底薄膜1001是為了防止包括在基板1000中的堿土金屬或 諸如Na的堿金屬擴散到半導體薄膜內。當堿土金屬或堿金屬在半導 體中時，該金屬對半導體元件的特性引起負面效應。因此，使用能夠 抑制堿土金屬和堿金屬向半導體擴散內的絕緣材料，例如氧化硅、氮 化珪或氮氧化硅(silicon nitride oxide)形成基底薄膜。而且， 基底薄膜1001可以具有單層結構或多層結構。本實施例中，通過等 離子體CVD (化學氣相淀積)方法形成厚度為10 ~ 400 nm的氮氧化 硅薄膜。
當基板1000是例如玻璃基板或塑料基板這樣的甚至包括少量堿 土金屬或堿金屬的基板時，提供基底薄膜以防止雜質的擴散是有效 的。當使用石英基板這樣的很難擴散雜質的基板時，并不總需要提供 基底薄膜1001。
接著，通過已知方法(濺射方法、LPCVD方法、等離子體CVD方 法等)在基底薄膜1001上形成厚度為25~ lOOnm(優選地30~ "nm) 的非晶半導體薄膜1002。本實施例中，非晶半導體薄膜1002可以使 用硅、硅鍺等形成，本實施例中使用硅。當使用硅鍺時，優選鍺的濃 度為0. 01~4. 5原子百分比。
接著，如圖IOB所示，使用本發明的激光退火設備用激光束照射 非晶半導體薄膜1002以使該半導體薄膜結晶。本實施例中，使用凸 透鏡1005和提供10W的二次諧波且空間分布為TEM。。模式(單橫模) 的Nd: YV04激光器執行照射。除了該激光器，還可使用其它激光器。 作為連續波(CW)固體激光器，有YAG激光器、YLF激光器、YA103 激光器、GdV04激光器、丫203激光器、變石激光器或Ti:藍寶石激光器。 作為CW氣體激光器，有Ar激光器、Kr激光器或C02激光器。而且， 還可以使用脈沖重復頻率大于或等于10 MHz的YV04激光器、GdV04 激光器、YAG激光器等。
通過在所有掃描方向均勻地對該半導體薄膜進行退火，電子設備 的特性可以穩定在良好條件。然而，當使用在圖6和7所示方向上交 替退火的半導體薄膜制造TFT時，TFT中的半導體薄膜的結晶狀態取決于向前方向和向后方向而改變。這對電子設備的特性產生顯著影 響。
本實施例中，使用起偏振片作為改變光束強度的裝置，在所有掃 描方向上對半導體薄膜進行均勻退火。這里，光束強度可以以這樣的 方式調整，提前將布圖輸入到諸如計算機的控制裝置，該控制裝置用 于控制移動起偏振片的電機，該控制裝置根據輸入的布圖發送控制電 機的信號，接收該信號的電機移動起偏振片。
而且，通過使用狹縫，可以阻隔激光束的低強度部分；因此，可 以傳送等于或大于預定強度的線形、橢圓或矩形光束。
此后，如圖10C所示，通過激光照射形成的結晶半導體薄膜1003 被圖形化，從而形成島狀半導體薄膜1006。然后，形成柵極絕緣薄 膜1007以覆蓋島狀半導體薄膜1006。通過等離子體CVD方法或濺射 方法，可以使用氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等形成柵極絕緣薄膜1007。 本實施例中，通過等離子體CVD方法形成厚度為115 nm的氮氧化硅 薄膜。
接著，在柵極絕緣薄膜1007上形成導電薄膜并對其圖形化以形 成柵電極1008。此后，使用柵電極1008或圖形化的抗蝕劑作為掩模， 通過向島狀半導體薄膜1006添加提供n型或p型電導率的雜質形成 源極區域1009、漏極區域IOIO、 LDD區域1011等。根據上述步驟， 可在相同的基板上形成N溝道TFT 1012和1014以及P溝道TFT 1013。
接著，如圖10D所示，形成絕緣薄膜1015作為這些TFT的保護 薄膜。使用氮化硅或氮氧化硅形成厚度100~ 200認的單層或多層結 構的絕緣薄膜1015。本實施例中，通過等離子體CVD方法形成厚度 為100 nm的氧氮化硅薄膜。使用絕緣薄膜1015，可以獲得防止空氣 中的氧和濕氣以及各種離子雜質進入的阻隔效果。
接著，形成絕緣薄膜1016。本實施例中，可以使用諸如聚酰亞 胺、聚酰胺、BCB(苯并環丁烯)、丙烯酸或硅氧烷這樣的有機樹脂薄 膜，TOF薄膜，無機層間絕緣薄膜(諸如氮化硅或氧化硅這樣的包括 硅的絕緣薄膜)，低k (低介電常數)材料等。硅氧烷是這樣一種材 料，它具有用-Si-O-Si-表示的硅和氧的鍵(硅氧鍵)作為基本 單元，且具有硅與氟、脂肪族烴或芳(族)烴相結合的結構。因為形成 絕緣薄膜1016的主要目的是緩和和平整化由于玻璃基板上形成的TFT導致的不平整，優選地使用具有優良平整度的薄膜。
而且，通過光刻方法圖形化絕緣薄膜和有機絕緣薄膜以形成到達 雜質區域的接觸孔。
接著，使用導電材料形成導電薄膜，通過圖形化該導電薄膜形成 布線1017。此后，當形成絕緣薄膜1018作為保護膜時，完成了圖10D 所示的半導體器件。應當注意使用本發明的激光退火方法制造半導體 器件的方法不限于上述制造TFT的方法。
在激光結晶步驟之前，可以提供使用催化劑元素的結晶步驟。作 為催化劑元素，可以使用鎳(Ni)、鍺(Ge)、鐵(Fe)、鈀(Pd )、錫 (Sn)、鉛(Pb)、鈷(Co)、鉑(Pt)、銅(Cu)或金(Au)。
與僅通過激光照射使半導體薄膜結晶的情況相比，當在使用催化 劑元素的結晶步驟之后執行激光照射結晶步驟時，可以進一步提高半 導體薄膜的結晶度，并在激光結晶之后減小半導體薄膜表面的粗糙 度。因此，可以進一步減小此后要形成的以TFT為代表的半導體元件
的特性變化，并且可以抑制關斷電流。
應當注意可以以這種方式執行結晶在添加催化劑元素之后，執 行熱處理以促進結晶，然后執行激光照射。或者，省略熱處理。而且， 可以在熱處理之后在保持溫度的同時執行激光處理。
盡管本實施例示出了本發明的激光照射方法用于結晶半導體薄 膜的實例，該激光照射方法可以應用于激活半導體薄膜中摻雜的雜質 元素。而且，本發明的制造半導體器件的方法可用于制造集成電路和 半導體顯示裝置的方法。
用于例如驅動器或CPU (中央處理單元)這樣的功能電路的晶體 管優選地具有LDD結構或LDD與柵電極交疊的結構。希望微型化晶體 管以增加速度。因為根據本實施例完成的晶體管具有LDD結構，優選 地該晶體管用于需要高速操作的驅動電路。
根據本發明，使用薄膜晶體管可以完成各種電子設備。參考圖 11A到IIC描述特定實例。
圖11A示出了一種顯示裝置，包括機殼1101、支撐架1102、顯 示部分1103、揚聲器部分1104、視頻輸入端子1105等。通過在顯示部分1103中采用圖10A到10D所示的制造方法形成的薄膜晶體管制 造該顯示裝置。應當注意該顯示裝置包括液晶顯示裝置和發光裝置， 具體而言，為計算機、電視接收機、廣告等顯示信息的各種顯示裝置。
圖11B示出了一種計算機，包括機殼1111、顯示部分1112、鍵 盤1113、外部連接端口 1114、指針鼠標1115等。通過采用圖10A 到10D所示的制造方法，可以制造顯示部分1112和其它電路。而且， 本發明可以應用到主體內部的其它半導體器件，例如CPU和存儲器。
圖IIC示出了移動電話，它是移動終端的典型實例。該移動電話 包括機殼1121、操作鍵1122、顯示部分1123等。除了移動電話，因 為諸如PDA(個人數字助理)、數碼相機以及小型游戲機這樣的電子 設備都是移動終端，它們的顯示屏很小。因此，通過使用圖10A到 10D所示的小晶體管形成諸如CPU和存儲器這樣的功能電路，可以獲
得更小和更輕的設備。
本實施例中制造的薄膜晶體管可以用作ID芯片。例如，通過圖
10A到10D所示的制造方法，晶體管可以用作ID芯片中的集成電路 和存儲器或用作ID標簽。當晶體管用作存儲器時，可以記錄產品的 流通過程和生產步驟工藝，例如產地、制造商、生產日期以及加工方 法。對于4^商、零售商和消費者，知道這些信息變得容易。
而且，在TFT用作安裝了射頻功能的ID標簽的情況下，通過使
用ID標簽代替常規條形碼，可以簡化產品結算和編目工作。而且， 通過在結算處將已經完成結算輸入到ID標簽，并通過在出口提供的 檢查裝置檢查ID標簽是否結算，可以防止忘記結算和行竊。
如上所述，根據本發明制造的半導體器件可以在很大范圍得到應 用，且根據本發明制造的半導體器件可以應用于各個領域中的各種電 子設備。附圖標記說明
1:激光振蕩器，2:柱面透鏡陣列，3:柱面透鏡陣列， 4:柱面透鏡陣列，5:柱面透鏡陣列，6:柱面透鏡陣列， 7:反射鏡，8:雙柱面透鏡，9:照射表面，11:激光振蕩 器，12:反射鏡，13:凸透鏡，14:光束，15:照射表面， 101:激光振蕩器，102:起偏振片，103:起偏振片，104: 反射鏡，105:凸透鏡，106:非單晶半導體薄膜，107:基 板，108: X軸平臺，109:Y軸平臺，110:衍射光學元件， 120:光束，121:入射光束，1000:基板，1001:基底薄 膜，1002:非晶半導體膜，1003:晶體半導體膜，1005: 凸透鏡，1006:半導體薄膜，1007:柵極絕緣膜，1008: 柵電極，1009:源區，1010:漏區，1011: LDD區，1012: N溝道TFT, 1013: P溝道TFT， 1014: N溝道TFT, 1015: 絕緣膜，1016:絕緣膜，1017:布線，1018:絕緣膜，1101: 機殼，1102:支撐架，1103:顯示部分，1104:揚聲器部 分，1105:視頻榆入端，1111:機殼，1112:顯示部分，1113: 鍵盤，1114:外部連接端口， 1115:指針鼠標，1121:機殼， 1122:操作鍵，1123:顯示部分
權利要求
1.一種半導體裝置的制造方法，包括使用第一強度的第一激光束向第一方向掃描半導體層；以及使用第二強度的第二激光束向第二方向掃描所述半導體層，其中所述第一強度大于所述第二強度，其中所述第一方向是向前的方向，并且其中所述第二方向是向后的方向。
2. 根據權利要求l的所述半導體裝置的制造方法，其中所述第 一和第二激光束被斜著傳送到所述半導體層。
3. 根據權利要求l的所述半導體裝置的制造方法，其中所述第一方 向和所述第二方向是相反的方向。
4. 根據權利要求1的所述半導體裝置的制造方法， 其中當向第一方向掃描所述半導體層時，所述半導體層向所述第一方向的反方向移動。
5. 根據權利要求1的所述半導體裝置的制造方法， 其中當向笫二方向掃描所述半導體層時，所述半導體層向所述第二方向的反方向移動。
6. —種半導體裝置的制造方法，包括 發射第一激光束；通過改變光束強度的裝置將所述第一激光束變成第二激光束，所述 裝置能夠改變光束強度；將所迷第二激光束變成第三激光束； 向照射表面傳送所述第三激光束；以及 使用所述第三激光束掃描所述照射表面， 其中在第一周期中所述第三激光束以向前的方向被掃描， 其中在第二周期中所述第三激光束以向后的方向被掃描，其中所述第二激光束在所述第一周期的光束強度大于在第二周期的 光束強度。
7. 根據權利要求6的所述半導體裝置的制造方法， 其中所述第三激光束被斜著傳送到所述照射表面。
8. 根據權利要求6的所述半導體裝置的制造方法， 其中所述第 一激光束從激光振蕩器發射。
9. 根據權利要求6的所述半導體裝置的制造方法，其中改變光束強度的裝置至少包括起偏振片和ND濾光片之一。
10. 根據權利要求6的所述半導體裝置的制造方法， 其中至少通過凸透鏡和衍射光學元件之一將所述第二激光束變成第三激光束。
11. 根據權利要求6的所述半導體裝置的制造方法，其中當使用所述第三激光束掃描所述照射表面時，所述照射表面向 掃描方向的反方向移動。
12. 根據權利要求6的所述半導體裝置的制造方法， 其中所述照射表面是半導體層的表面。
全文摘要
本發明的目的是提供一種激光照射設備，它能通過改變向前和向后方向照射中照射光束的能量強度來制造均勻結晶的薄膜。本發明的激光照射設備包括激光振蕩器和改變光束強度的裝置，其中激光束斜著入射到半導體層的表面，相對于半導體層的表面掃描激光束，且光束強度根據掃描方向變化。而且，激光振蕩器是連續波固體激光器、氣體激光器或金屬激光器。也可使用重復頻率大于或等于10MHz的脈沖激光器。
文檔編號H01L21/336GK101599427SQ20091015056
公開日2009年12月9日 申請日期2005年6月15日 優先權日2004年6月18日
發明者山本良明, 田中幸一郎 申請人:株式會社半導體能源研究所